JP2003142539A - 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び半導体装置の検査方法 - Google Patents

半導体装置、半導体装置の製造方法、及び半導体装置の検査方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】バンプ電極を有する半導体装置のバンプ電極の
欠落を、特別な装置を用いることなく、簡易な手段で検
出することが可能な半導体装置、半導体装置の製造方
法、及び半導体装置の検査方法を提供する。 【解決手段】半導体装置１の半導体基板１１では、表面
保護膜１４における電極パッド１３上面に開口部２を形
成する際に、この開口部２を格子状に配列された複数の
開口孔１５で構成し、各開口孔１５を所定のサイズ以下
にすることにより、バンプ電極１６が適正に形成されて
いる場合には、このバンプ電極１６を介してプローバの
針１７が電極パッド１３と導通し、バンプ電極１６が欠
落している等、その形成が不適正である場合には、プロ
ーバの針１７は、開口孔１５に遮られて電極パッド１３
に接触しないようにする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、バンプ電極を有
する半導体基板を搭載する半導体装置、該半導体装置の
製造方法、及び該半導体装置の検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、携帯情報端末等の電気機器の小型
軽量化の進行に伴って、これらの電気機器に組み込まれ
る半導体集積回路自体にも小型軽量化が求められている
ところ、半導体集積回路等（以下、半導体装置とい
う。）の小型軽量化の方法の１つとして、半導体装置表
面の所定の位置にいわゆるバンプ電極を形成し、このバ
ンプ電極を用いて半導体装置を他の電子部品とともに、
プリント基板に実装する手段が用いられることがあっ
た。
【０００３】ここで重要なことは、バンプ電極形成工程
におけるトラブル等によってバンプ電極の一部が欠落し
た半導体基板を半導体装置に搭載すると、該半導体装置
とプリント基板上に形成された配線との間の電気的な接
続が適正に行われず、該半導体装置が全体として不良品
となるため、半導体装置上に形成されるバンプ電極は、
たとえ一つであっても欠落してはならないということで
ある。
【０００４】通常、この半導体装置に形成されたバンプ
電極に欠落があるか否かについては、ウエハテストのみ
によって検出することができないことから、目視による
検査を行うことが多かった。これは、従来の半導体装置
では、半導体基板を覆う表面保護膜の電極パッド上部に
開口孔を設けるとともに、この開口孔を介して電極パッ
ドに接触するようにバンプ電極を形成するところ、この
開口孔がウエハテストの際に使用するプローバの針の径
等に比較して大きいことから、バンプ電極形成後に行う
ウエハテストにおいて、バンプ電極の欠落の有無にかか
わらず、プローバの針が同一の電気的特性を検出するか
らである。
【０００５】つまり、バンプ電極が適正に形成されてい
るときには該バンプ電極を介してプローバの針と電極パ
ッドとが導通し、バンプ電極が欠落しているときには、
プローバの針が開口孔を通過して電極パッドに接触する
ことから、結局バンプ電極が適正に形成されているとき
と同様にプローバの針と電極パッドとが導通することに
なり、プローバの針による電気的特性の検出結果が同一
になるのである。
【０００６】よって、このようにバンプ電極の欠落の有
無にかかわらず、プローバの針は、電極パッドに導通
し、バンプ電極が欠落がウエハテストの際に電気的特性
の良否判定の結果に反映されることがないため、バンプ
電極の欠落の有無は、ウエハテストでは検出できず、上
述のように，目視による検査を行う必要が生じていた。
【０００７】ところが、ウエハの大口径化が進むととも
に、半導体装置の高性能化、高機能化にともなって、各
半導体装置の入出力端子数が驚異的に増大し、バンプ電
極の目視による検査を行うことが事実上不可能となっ
た。また、画像認識等を用いて自動的にバンプ電極の欠
落等の検出を行うバンプ電極の検査装置も存在するが装
置が高額であるためにこのような装置を導入することは
容易ではなかった。
【０００８】そこで、特段の装置等を必要とせずに、バ
ンプ電極の欠落の検出が可能な従来の半導体装置の一例
として、特開２０００−２１９３９には、所定のバンプ
電極形成検査用電極端子を形成し、このバンプ電極形成
検査用電極端子の電気的特性を検出してバンプ電極の欠
落の有無等を検査する半導体基板及びその検査方法が開
示されている。
【０００９】図５は、特開２０００−２１９３９に開示
してある半導体装置に搭載されている半導体基板１００
の平面略図である。
【００１０】同図に示すように、この構成においては、
半導体基板１００の周縁四隅に沿って突起電極形成検査
用電極端子１０１（１０１ａ〜１０１ｄ）を配置すると
ともに突起電極形成検査用電極端子１０１（１０１ａ〜
１０１ｄ）を測定し、その測定結果が所望の特性と一致
しない場合には、上記半導体基板をバンプ電極の形成が
不良であると判定することを特徴としている。
【００１１】これによれば、人手による目視に頼らずに
ウエハテストで、バンプ電極の形成不良を検出し、自動
的に半導体基板１００が不良品であることを判別するこ
とが可能であるため、ウエハテスト後のバンプ電極付半
導体基板の目視に必要な時間を低減し、バンプ電極付半
導体基板の製造コストの低減に寄与することができる、
とされている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この特
開２０００−２１９３９に記載の構成においては、図５
（ｂ）に示す９０％バンプ加工されている半導体基板１
００のように半導体基板１００の四隅のいずれかのバン
プ電極の欠落を検知することはできるが、突起電極形成
検査用電極端子１０１（１０１ａ〜１０１ｄ）以外の箇
所、すなわち四隅以外の領域に存在するバンプ電極の欠
落について検知できない。
【００１３】特に、端子数が多い半導体基板では、四隅
以外の箇所においてバンプ電極の欠落等が生じる蓋然性
が高く、特開２０００−２１９３９を含め従来の半導体
装置では、簡易に半導体基板の四隅以外の領域でのバン
プ電極の欠落を検出すること、すなわち任意の場所に形
成されたバンプ電極の欠落を検出することが容易でない
ことから、一部のバンプ電極が欠落した不良品の半導体
装置が出荷等されるため、半導体装置の信頼性が低下す
るという問題があった。
【００１４】この発明の目的は、バンプ電極を有する半
導体装置のバンプ電極の欠落を、特別な装置を用いるこ
となく、簡易な手段で検出することが可能な半導体装
置、半導体装置の製造方法、及び半導体装置の検査方法
を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この発明は以下の構成を
備えている。
【００１６】（１）基板表面の所定の位置に電極パッド
を形成し、該電極パッドの表面の一部を除く基板表面に
表面保護膜を形成するとともに、該表面保護膜が形成さ
れていない開口部を介して該電極パッドに接触するよう
にバンプ電極が設けられる半導体基板を備えた半導体装
置において、前記開口部は、半導体装置の電気的特性の
測定に用いられるプローバの針の先端部の直径より短い
幅を有する１又は複数の開口孔であることを特徴とす
る。
【００１７】この構成においては、半導体基板を覆う表
面保護膜における電極パッド表面に位置する領域に、プ
ローバの針の先端部の直径より短い幅の開口孔、すなわ
ちプローバの針が通過しない開口孔が１又は複数設けら
れ、この開口孔を介して電極パッドとバンプ電極とが接
触することから、バンプ電極が形成されている場合に
は、該バンプ電極を介してプローバの針と電極パッドと
が導通し、バンプ電極が欠落している場合には、プロー
バの針は該開口孔に遮られて電極パッドと導通すること
がないため、バンプ電極の欠落の有無によってプローバ
の針が検出する電気的特性が相違し、プローバの針を用
いたウエハテストのみによりバンプ電極の欠落の有無が
検出される。
【００１８】（２）基板表面の所定の位置に電極パッド
を形成し、該電極パッドの一部を除く表面に表面保護膜
を形成するとともに、該表面保護膜が形成されていない
開口部を介して該電極パッドに接触するようにバンプ電
極が設けられる半導体基板を含む半導体装置において、
前記開口部は、所定サイズ以下の幅で構成される１又は
複数の開口孔であり、該開口孔は、一方の開口端と他方
の開口端とを前記電極パッドの法線方向に投影してなる
投影部の重複範囲における最大幅が、半導体装置の電気
的特性の測定に用いられるプローバの針の先端部の直径
より短いことを特徴とする。
【００１９】この構成においては、半導体基板を覆う表
面保護膜における電極パッド表面に位置する領域に、電
極パッドがその略法線方向に対して露出する部分の最大
幅がプローバの針の先端部の直径より短い幅の開口孔、
すなわち電極パッドの略法線上を移動するプローバの針
が通過しない開口孔が１又は複数設けられ、この開口孔
を介して電極パッドとバンプ電極とが接触する。
【００２０】これにより、バンプ電極が形成されている
場合には、該バンプ電極を介してプローバの針と電極パ
ッドとが導通し、バンプ電極が欠落している場合には、
プローバの針は該開口孔に遮られて電極パッドと導通す
ることがないため、バンプ電極の欠落の有無によってプ
ローバの針が検出する電気的特性が相違し、プローバの
針を用いたウエハテストのみによりバンプ電極の欠落の
有無が検出される。
【００２１】（３）前記開口孔は、格子状に配列される
ことを特徴とする。
【００２２】この構成においては、開口孔が格子状に配
列されるように開口部を形成することから、該開口部の
形状が単純化するととも表面保護膜を加工するフォトリ
ソグラフ工程におけるフォトマスクの修正が容易になる
ため該開口部が容易に形成される。
【００２３】（４）基板表面の所定の位置に電極パッド
を形成する工程と、該電極パッドの表面の一部を除く該
基板表面に表面保護膜を形成する工程と、該電極パッド
の表面において表面保護膜が形成されていない開口部を
介して該電極パッドに接触するようにバンプ電極を形成
する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、前記
表面保護膜を形成する工程において、所定サイズ以下の
幅で構成される複数の開口孔を形成することを特徴とす
る。
【００２４】この構成においては、半導体装置を製造す
る過程の表面保護膜の形成工程において、半導体基板を
覆う表面保護膜における電極パッド表面に位置する領域
に、プローバの針の先端部の直径より短い幅の開口孔、
すなわちプローバの針が通過しない開口孔が１又は複数
設け、該開口孔内部を含め半導体基板上にバンプ電極が
適正に形成されない場合には、プローバの針と電極パッ
ドとが接触しないように表面保護膜の形成することか
ら、バンプ電極が形成されている場合には、該バンプ電
極を介してプローバの針と電極パッドとが導通し、バン
プ電極が欠落している場合には、プローバの針は該開口
孔に遮られて電極パッドと導通することがないため、バ
ンプ電極の欠落の有無によってプローバの針が検出する
電気的特性が相違し、プローバの針を用いたウエハテス
トのみによりバンプ電極の欠落の有無が検出される。
【００２５】（５）基板表面の所定の位置に電極パッド
を形成し、該電極パッドの一部を除く表面に表面保護膜
を形成するとともに、該表面保護膜が形成されていない
開口部を介して該電極パッドに接触するようにバンプ電
極が設けられる半導体基板を含む半導体装置に対して該
電極パッドの略法線方向から半導体装置の電気的特性の
測定に用いられるプローバの針を接触させる半導体装置
の検査方法であって、前記バンプ電極が設けられていな
い場合においては、前記プローバの針の先端と前記電極
パッドとの接触が、該プローバの針の先端部より短い幅
の開口孔で構成される前記開口部に遮られるようにし
て、バンプ電極の不良を検出することを特徴とする。
【００２６】この構成においては、半導体装置に搭載さ
れる半導体基板にプローバの針を接触させるとともにプ
ローバの針が検出する電気的特性から該半導体装基板の
良否を判断する際において、バンプ電極が設けられてい
ない場合においては、プローバの針の先端と前記電極パ
ッドとの接触が、該プローバの針の先端部の径より短い
幅の開口孔で構成される前記開口部に遮られるよう表面
保護膜を形成し、バンプ電極の形成不良を検出すること
から、バンプ電極の欠落等の形成不良を検出する際に、
高額な検査装置が必要となることはなく、目視による検
査をするための人手等が削減され、バンプ電極の欠落等
の検査の低コスト化が図られる。また、バンプ電極の欠
落を見落とす等の検査ミス等が生じにくく、半導体装置
の信頼性の向上が図られる。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体装置、半導
体装置の製造方法、及び半導体装置の検査方法について
図を用いて説明する。
【００２８】図１は、本発明の半導体装置１の断面略図
である。同図が示すように、半導体装置１は、所定の集
積回路を含む半導体基板１１、半導体基板１１の表面に
堆積した絶縁膜１２、入出力用の電極パッド１３、半導
体基板１１の表面を保護する表面保護膜１４、及び電極
パッド１３に接触するように設けられたバンプ電極１６
を備えている。また、電極パッド１３上に形成される表
面保護膜１４には、後述する開口部２が形成されてい
る。なお、開口部２は、１又は複数の開口孔１５からな
るが、開口孔１５の形状等については後述する。
【００２９】図２は、半導体装置１の概略の平面図であ
る。図２（ａ）において、バンプ電極がすべての電極パ
ッド１３の上面に欠落することなく完全に形成されてい
る。なお、図２（ａ）中で、各電極と半導体装置１の内
部との接続の配線は、一部のみを表記してその他の配線
は省略している。同図において、電極パッド１３とバン
プ電極１６との外形及び寸法を同一にしているため、平
面図において重なって表れている。なお、電極パッド１
３とバンプ電極１６との外形及び寸法については同図に
示すように必ずしも同一にする必要はない。また、図中
に点状に表されている領域は、電極パッド１３上部の表
面保護膜１４に形成された開口部２を示している。
【００３０】図２（ｂ）は、半導体装置１において電極
パッド１３の上面のバンプ電極１６が一部欠落した状態
を例示している。同図では、本来形成されるべきバンプ
電極をバンプ電極１６ａとして示している。そして、本
発明は、このバンプ電極１６ａの位置にかかわりなく、
バンプ電極の欠落としてウエハテストのみを用いて検出
するものである。
【００３１】図３は、半導体装置１の断面略図であり、
同時にプローバの針を用いたウエハテストによる、半導
体装置１の検査方法の状態を示している。
【００３２】バンプ電極１６付きの半導体装置１におい
て、いわゆるウエハテストを行う際には、プローバの針
１７が半導体装置１に対して電極パッドの法線方向で接
触・離間することになる。このプローバの針１７を各バ
ンプ電極１６に接触させ所定のテストを行うことになる
が、従来の半導体装置では、電極パッド１３の上部に形
成される表面保護膜１４は、電極パッド１３の全面にわ
たって開口部２が形成されていた。そのため、この開口
部２を構成する開口孔１５の開口面積が大きくなり、開
口孔１５の幅が最も短くなる部分においても、その幅が
プローバの針１７の先端の直径に比較して大きくなり、
容易にプローバの針１７がこの開口孔１５を通過するこ
とができた。
【００３３】したがって、バンプ電極１６ａのようにバ
ンプ電極に欠落した部分がある場合でも、ウエハテスト
においてプローバの針１７が開口孔１５に遮られること
なく電極パッド１３と接触することから、バンプ電極１
６の有無にかかわらず、同一の電気的特性が検出される
ため、通常のウエハテストのみでは、バンプ電極１６ａ
ようなバンプ電極の欠落の有無についての判定をするこ
とができなかった。
【００３４】そこで、本発明の半導体装置１では、表面
保護膜１４における電極パッド１３上面に開口部２を形
成するにあたって、例えば格子状に配列された複数の開
口孔１５を形成し、この開口孔１５の内部に、電極パッ
ド１３に接触するように形成されるべきバンプ電極１６
の一部が位置する構成が採用されている。
【００３５】この構成によって、バンプ電極１６が適正
に形成されている場合には、このバンプ電極１６を介し
てプローバの針１７が電極パッド１３と導通する。その
一方で、バンプ電極１６が欠落等しておりその形成が不
適正である場合には、プローバの針１７は、開口孔１５
を通過することができず、電極パッド１３に接触するこ
とがないため、プローバの針１７と電極パッド１３とが
導通しない。
【００３６】これにより、バンプ電極１６の欠落の有無
によってウエハテストにおけるプローバの針１７が検出
する電気的特性に差異が生じるようにできるため、この
ウエハテストのみによってバンプ電極１６の欠落の有無
を判定することができる。
【００３７】図４（ａ）及び（ｂ）は、表面保護膜１４
における電極パッド１３上面に形成される開口部２の構
成を示している。
【００３８】図４（ａ）は、表面保護膜１４の開口部２
に略正方形の開口孔１５を格子状に形成した構成を示し
ている。また、図４（ｂ）は、開口部２に長方形の開口
孔１５を設けた例を示している。図４（ａ）及び図４
（ｂ）においては、開口孔１５を電極パッド１３の表面
の法線に沿って、つまり電極パッド１３の表面に対して
９０度に形成しているが、例えば電極パッド１３の表面
に対して４５度に形成するようにすることも可能であ
る。
【００３９】このように開口孔１５を電極パッド１３の
表面に対して所定の角度をつけて斜めに形成することに
より、電極パッド１３の法線上を移動するプローバの針
１７がより開口孔１５を通過しにくくなり、開口孔１５
のサイズを、電極パッド１３の法線に沿って形成する場
合に比較して大きめに設定することができる。
【００４０】また、図４においては、電極パッド１３の
上部の表面保護膜を格子状に残す構成を示したが、開口
孔１５の幅がプローバの針１７の先端部の径より短くな
る構成であれば、電極パッド１３上面の開口部２に表面
保護膜１４を縞状に残してもよいし、特に開口部２を構
成する開口孔１５の形状等に制限はない。
【００４１】次に、本発明にかかる半導体装置１の製造
方法における各工程を、図３を用いて説明する。半導体
基板１１の表面全面に、絶縁膜２を所定の方法で堆積さ
せる。半導体基板１１には、気相成長法（以下、ＣＶＤ
という。）、イオン注入法、その他の技術を用いてトラ
ンジスタ等の回路素子が組み込まれているが、同図にお
いては省略している。また、絶縁膜１２としては、例え
ばＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｎ Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｒａｓ
ｓ）膜を、ＣＶＤ法により、厚さ約４００ｎｍ堆積させ
る。
【００４２】その後、絶縁膜１２の所定の位置を開口し
た後に、半導体基板１１全面に、Ａｌ又はＡｌ−Ｓｉ合
金等の金属薄膜を厚さ約６００ｎｍ堆積し、フォトリソ
グラフ技術及び金属薄膜エッチング技術を用いて、トラ
ンジスタ等の素子の相互配線及び入出力電極パッド１３
を形成する。電極パッド１３の大きさは、例えば約６０
×１１０（μｍ2 ）の長方形としたが、特にこの形状に
限られるものではなく例えば正方形とすることができ
る。
【００４３】ついで、表面保護膜１４として、例えば窒
化シリコン膜を、プラズマＣＶＤ法により、厚さ６００
０Å（約６００ｎｍ）堆積する。表面保護膜としては、
窒化シリコン膜以外に、ＰＳＧ膜（Ｐｈｏｓｐｈｏ Ｓ
ｉｌｉｃａｔｅ Ｇｒａｓｓ）や、ＮＳＧ（Ｎｏｎ−ｄ
ｏｐｅｄ Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｒａｓｓ）膜、又は、
これらの積層膜を用いてもよい。
【００４４】そして、フォトリソグラフ技術及び表面保
護膜エッチング技術を用いて、電極パッド１３上面に位
置する表面保護膜１４を開口部２を設ける。この際に用
いるフォトマスクは、従来この工程で用いていたフォト
マスクとは異なり、例えば図４に示すように電極パッド
１３上部に格子状に表面保護膜１４を残すようなフォト
マスクを用いている。
【００４５】開口する部分の大きさ、すなわち各開口孔
１５は、プローバの針１７の先端径より小さければ良
く、例えば一辺が約５μｍの略正方形とし、電極パッド
１３上面に残す表面保護膜１４の幅は約５μｍとした。
【００４６】この開口部２において、各開口孔１５あた
りの面積は、例えば電極パッド１３の大きさ約６０×１
１０（μｍ2 ）に対して、約３０×５５（μｍ2 ）とし
たが、この開口孔１５の面積の和である開口部２の大き
さは、電極に流れる電流や電力により定めればよく、す
べての開口部２において同一のサイズにしても良いし、
各開口部２毎に異なってもかまわない。
【００４７】さらに、フォトレジストをマスクとして、
例えば電解めっき法により、Ａｕによるバンプ電極７を
形成する。例えば、ここでは電解めっき法により、約２
０μｍの厚さのＡｕをめっきしている。
【００４８】Ａｕめっきの厚さ、すなわちバンプ電極１
６の高さは、半導体装置１の種類、あるいは、この半導
体装置１が実装されるプリント基板の状況により決めれ
ば良い。又、Ａｕによるバンプ電極１６を形成する場合
には、バンプ電極１６を形成するＡｕと電極パッドのＡ
ｌとの反応を抑えるために、バリアメタルを用いること
有効である。
【００４９】また、バンプ電極１６としてはＡｕの他に
半田を用いても良い。バンプ電極１６が形成された後、
半導体基板１１は半導体装置１に搭載されることにな
る。そして半導体装置１を製造した後、上述のプローバ
の針１７を用いたウエハテストを行い、もしバンプ電極
１６が欠落した端子があれば、この半導体装置１は不良
であると判定されることになる。
【００５０】本発明によれば、従来ではバンプ電極１６
の欠落の検出を人手をかけて目視によって判別していた
半導体装置１の検査のバンプ電極の欠落の検出を、特別
な検査装置を必要とすることなく、ウエハテスト時に自
動的に行うことが可能となる。よって、バンプ電極１６
の欠落の検出に特段の時間を必要とすることなく、人為
的なミス等により、不良品である半導体装置１が出荷等
されることを防止でき、半導体装置１を実装するプリン
ト基板等の品質、信頼性の向上をも図ることができる。
【００５１】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、以下
の効果を奏することができる。
【００５２】（１）半導体基板を覆う表面保護膜におけ
る電極パッド表面に位置する領域に、プローバの針の先
端部の直径より短い幅の開口孔、すなわちプローバの針
が通過しない開口孔を１又は複数設け、この開口孔を介
して電極パッドとバンプ電極とを接触させることから、
バンプ電極が形成されている場合には、該バンプ電極を
介してプローバの針と電極パッドとが導通し、バンプ電
極が欠落している場合には、プローバの針は該開口孔に
遮られて電極パッドと導通することがないため、バンプ
電極の欠落の有無によってプローバの針が検出する電気
的特性が相違し、プローバの針を用いたウエハテストの
みによりバンプ電極の欠落の有無を検出することができ
る。
【００５３】（２）半導体基板を覆う表面保護膜におけ
る電極パッド表面に位置する領域に、電極パッドがその
略法線方向に対して露出する部分の最大幅がプローバの
針の先端部の直径より短い幅の開口孔、すなわち電極パ
ッドの略法線上を移動するプローバの針が通過しない開
口孔が１又は複数設けられ、この開口孔を介して電極パ
ッドとバンプ電極とが接触することから、バンプ電極が
形成されている場合には、該バンプ電極を介してプロー
バの針と電極パッドとが導通し、バンプ電極が欠落して
いる場合には、プローバの針は該開口孔に遮られて電極
パッドと導通することがないため、バンプ電極の欠落の
有無によってプローバの針が検出する電気的特性が相違
し、プローバの針を用いたウエハテストのみによりバン
プ電極の欠落の有無を検出することができる。
【００５４】（３）開口孔が格子状に配列されるように
開口部を形成することから、該開口部の形状が単純化す
るととも表面保護膜を加工するフォトリソグラフ工程に
おけるフォトマスクの修正を容易にできるため該開口部
を容易に形成することができる。
【００５５】（４）半導体装置を製造する過程の表面保
護膜の形成工程において、半導体基板を覆う表面保護膜
における電極パッド表面に位置する領域に、プローバの
針の先端部の直径より短い幅の開口孔、すなわちプロー
バの針が通過しない開口孔が１又は複数設け、該開口孔
内にバンプ電極が適正に形成されない場合には、プロー
バの針と電極パッドとが接触しないように表面保護膜の
形成することから、バンプ電極が形成されている場合に
は、該バンプ電極を介してプローバの針と電極パッドと
が導通し、バンプ電極が欠落している場合には、プロー
バの針は該開口孔に遮られて電極パッドと導通すること
がないため、バンプ電極の欠落の有無によってプローバ
の針が検出する電気的特性が相違し、プローバの針を用
いたウエハテストのみによりバンプ電極の欠落の有無を
検出することができる。
【００５６】（５）半導体装置に搭載される半導体基板
にプローバの針を接触させるとともにプローバの針が検
出する電気的特性から半導体基板の良否を判断する際に
おいて、バンプ電極が設けられていない場合において
は、プローバの針の先端と前記電極パッドとの接触が、
該プローバの針の先端部の径より短い幅の開口孔で構成
される前記開口部に遮られるよう表面保護膜を形成し、
バンプ電極の形成不良を検出することから、バンプ電極
の欠落等の形成不良を検出する際に、高額な検査装置が
必要となることはなく、目視による検査をするための人
手等を削減でき、バンプ電極の欠落等の検査の低コスト
化を図ることができる。また、バンプ電極の欠落を見落
とす等の検査ミス等が生じにくく、半導体装置の信頼性
の向上を図ることができる。
【００５７】よって、バンプ電極を有する半導体装置の
バンプ電極の欠落を、特別な装置を用いることなく、簡
易な手段で検出することが可能な半導体装置、半導体装
置の製造方法、及び半導体装置の検査方法を提供するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置の断面略図である。
【図２】本発明の半導体装置の概略の平面図である。
【図３】本発明の半導体装置の断面略図である。
【図４】本発明の開口部の構成を示す図である。
【図５】従来の半導体基板の構成を示す図である。
【符号の説明】
１−半導体装置 ２−開口部 １１−半導体基板 １２−絶縁膜 １３−電極パッド １４−表面保護膜 １５−開口孔 １６−バンプ電極

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板表面の所定の位置に電極パッドを形成
    し、該電極パッドの表面の一部を除く基板表面に表面保
    護膜を形成するとともに、該表面保護膜が形成されてい
    ない開口部を介して該電極パッドに接触するようにバン
    プ電極が設けられる半導体基板を備えた半導体装置にお
    いて、 前記開口部は、半導体装置の電気的特性の測定に用いら
    れるプローバの針の先端部の直径より短い幅を有する１
    又は複数の開口孔であることを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】基板表面の所定の位置に電極パッドを形成
    し、該電極パッドの一部を除く表面に表面保護膜を形成
    するとともに、該表面保護膜が形成されていない開口部
    を介して該電極パッドに接触するようにバンプ電極が設
    けられる半導体基板を含む半導体装置において、 前記開口部は、所定サイズ以下の幅で構成される１又は
    複数の開口孔であり、該開口孔は、一方の開口端と他方
    の開口端とを前記電極パッドの法線方向に投影してなる
    投影部の重複範囲における最大幅が、半導体装置の電気
    的特性の測定に用いられるプローバの針の先端部の直径
    より短いことを特徴とする半導体装置。
  3. 【請求項３】前記開口孔は、格子状に配列されることを
    特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
  4. 【請求項４】基板表面の所定の位置に電極パッドを形成
    する工程と、該電極パッドの表面の一部を除く該基板表
    面に表面保護膜を形成する工程と、該電極パッドの表面
    において表面保護膜が形成されていない開口部を介して
    該電極パッドに接触するようにバンプ電極を形成する工
    程とを含む半導体装置の製造方法であって、 前記表面保護膜を形成する工程において、所定サイズ以
    下の幅で構成される複数の開口孔を形成することを特徴
    とする半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項５】基板表面の所定の位置に電極パッドを形成
    し、該電極パッドの表面の一部を除く基板表面に表面保
    護膜を形成するとともに、該表面保護膜が形成されてい
    ない開口部を介して該電極パッドに接触するようにバン
    プ電極が設けられる半導体基板を含む半導体装置に対し
    て該電極パッドの略法線方向から半導体装置の電気的特
    性の測定に用いられるプローバの針を接触させる半導体
    装置の検査方法であって、 前記バンプ電極が設けられていない場合においては、前
    記プローバの針の先端と前記電極パッドとの接触が、該
    プローバの針の先端部より短い幅の開口孔で構成される
    前記開口部に遮られるようにして、バンプ電極の不良を
    検出することを特徴とする半導体装置の検査方法。
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