JP2003124805A - Emi低減pll - Google Patents

Emi低減pll

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JP2003124805A JP2002273147A JP2002273147A JP2003124805A JP 2003124805 A JP2003124805 A JP 2003124805A JP 2002273147 A JP2002273147 A JP 2002273147A JP 2002273147 A JP2002273147 A JP 2002273147A JP 2003124805 A JP2003124805 A JP 2003124805A
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    • H03L7/18Indirect frequency synthesis, i.e. generating a desired one of a number of predetermined frequencies using a frequency- or phase-locked loop using a frequency divider or counter in the loop

Abstract

(57)【要約】 【課題】製造プロセスに敏感でなく、低消費電力、小レ
イアウト面積でありながらも変調周波数及び変調率を自
由に制御できるEMI低減PLLを提供する。 【解決手段】VCOの出力信号に対して基準遅延時間の
整数倍の遅延時間、すなわち位相差を有する信号を制御
して変調率を決定し、このような過程を所定の変調周波
数に相当する周期中に反復させることによって前記目的
を達成する。本発明によるEMI低減PLLは、EMI
を低減するだけでなく、ROMを使用しないためにレイ
アウト面積が相対的に小さくなり、広い帯域の周波数を
得られるという長所がある。またVCOの出力信号に対
する位相差を論理回路で制御するために工程変化の影響
を受けないという長所がある。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はPLLに係り、特に
EMIを低減するPLLに関する。
【0002】
【従来の技術】Phase Locked Loop
(以下、PLL)の応用回路はデジタルシステムで必須
不可欠な役割を果たしている。技術の発展につれて、デ
ジタルシステムが高速化及び高集積化されてPLLも高
速化されているが、システム及びPLLの高速化はEl
ectro Magnetic Interferen
ce(以下、EMI)などの問題を発生させる。ここ
で、EMIは、高周波数信号のエネルギーの大きさが所
定の基準値を越えたときに現れ、半導体装置はEMIに
特に敏感である。
【0003】EMIを減らす簡単な方法は、特定周波数
で大きいエネルギー(すなわち電力)を有する基準信号
の周波数を、所定の帯域幅を有し前記帯域幅内の周波数
でエネルギーが前記基準信号に比べて相対的に小さい周
波数信号に変調することである。例えば、基準信号の周
波数が1MHzである場合、所定の反復される一つの時
間サイクルで前記基準信号の周波数が0.99MHzと
1.01MHzとの間の信号に変調される。言い換えれ
ば、PLLの出力信号を使用するシステムが許容する最
大周波数及び最小周波数の範囲内で、前記PLLの出力
信号の周波数が、前記最大周波数及び最小周波数の範囲
内の周波数信号に所定の時間間隔をおいて反復して変調
される。
【0004】図1は、変調周波数及び変調率を示す変調
信号プロファイルである。図1を参照すれば、周波数変
調された信号は、基準周波数信号(F、fundam
ental frequency signal)を中
心に最大の周波数(1+d)F及び最小の周波数(1
−d)Fの間を1/Fm時間間隔をおいて変化する。
ここで、変調周波数Fm及び変調率dは任意に定めるこ
とができ、変調周波数Fmは約30KHzないし100
KHzが望ましく、変調率dは約4%以内である場合が
望ましい。
【0005】図2は、変調信号プロファイルの種類によ
るスペクトルを示す。図2は、正弦波形態の変調信号プ
ロファイル(図2(a))を有する変調信号のスペクト
ル(図2(b))、三角波形態の変調信号プロファイル
(図2(c))を有する変調信号のスペクトル(図2
(d))及びLexmark社の特許であるハーシーキ
ス波(Hershey kiss signal)形態
の変調信号プロファイル(図2(e))を有する変調信
号のスペクトル(図2(f))を各々示す。正弦波形態
の変調信号プロファイル(図2(a))の場合、サイド
バンドで電力があまりに大きくて(図2(b))使用し
難いために、一般に三角波またはハーシーキス派形態の
変調信号プロファイルを使用する。
【0006】Dithered PLLあるいはSSC
G(Spread Clock Generator)
とは、周波数を変調させることによって電力の利得を減
らす方法でEMIを減らす技術である。SSCGはLe
xmark社の特許された技術をいい、一般的にはDi
thered PLLという。変調方法は、スプレッデ
ィング方法によってセンタースプレッディング、アップ
スプレッディング及びダウンスプレッディング方法があ
る。
【0007】図3は、Dithered PLL出力の
スプレッディング方法によるスペクトル結果を示す。図
3は、センタースプレッディング方法(図3(a)及び
図3(b))、アップスプレッディング方法(図3
(c)及び図3(d))及びダウンスプレッディング方
法(図3(e)及び図3(f))によって、基準信号の
スペクトルと前記基準信号に対応する変調信号のスペク
トル(図3(a)、図3(c)及び図3(e))及び基
準信号に対する変調信号プロファイル(図3(b)、3
(d)及び3(f))を各々示す。
【0008】図3を参照して前記3つの方法について説
明する。
【0009】第1に、センタースプレッディング方法
(図3(a)及び図3(b))では、図3(a)の中央
に位置した周波数幅が狭くて電力が大きい基準信号を、
前記基準信号の周波数を基準にして高い周波数及び低い
周波数信号、すなわち、周波数帯域幅が広くて電力が相
対的に低い信号に変調する。
【0010】第2に、アップスプレッディング方法(図
3c及び3d)では、図3(c)の左側に位置した周波
数幅が狭くて電力が大きい基準信号を、周波数帯域幅が
前記基準信号の周波数を基準にして高く電力が相対的に
低い信号に変調する。
【0011】第3に、ダウンスプレッディング方法(図
3(e)及び図3(f))では、図3(e)の右側に位
置した周波数幅が狭くて電力が大きい基準信号を、周波
数帯域幅が前記基準信号の周波数を基準にして低く電力
が相対的に低い信号に変調する。
【0012】前述したスプレッディング方式を実行する
ために、従来は2つの代表的な方法が使われた。その一
つは、ディバイダのLSB(Least Signif
icant Bit)を制御することであり、他の一つ
は、ループフィルタの電位に鋸波を載せることである。
第1の方法として代表的なものに、Lexmark社の
Hardinが提案したROM制御器を採択したSSC
Gがあり、その他には、シグマデルタを利用した方法が
ある。第2の方法は、Neomagic社が提案したル
ープフィルタの電位にパルス発生器を設置するのであ
る。
【0013】ROM制御器を使用する場合、ROMコー
ディングによって前記スプレッディングが実行されるの
で、出力周波数の範囲を調整するためにはROMのデー
タを新しくコーディングせねばならない。また、ROM
は半導体装置でかなり大きい面積を占める短所がある。
パルス発生器をループフィルタの電位に設置する場合、
同じく出力周波数を変更させるのに制限がある。
【0014】したがって、製造プロセスに敏感でなく、
低消費電力、小さいレイアウト面積を占めながらも変調
周波数及び変調率を自由に制御できる装置が要求され
る。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明が
解決しようとする技術的課題は、製造プロセスに敏感で
なく、低消費電力、小さいレイアウト面積を占めながら
も変調周波数及び変調率を自由に制御できるEMI減少
PLLを提供するところにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】前記技術的課題を達成す
るための本発明の一側面によるEMI低減PLLは、プ
リディバイダ、位相検出器、電圧制御オシレータ(Vo
ltage Controlled Oscillat
or、以下VCO)、メインディバイダ、変調制御ブロ
ック及びポストディバイダを具備する。
【0017】前記プリディバイダは、入力信号を所定の
値で分周して基準周波数信号を出力する。前記位相検出
器は、前記基準周波数信号及び所定のフィードバック信
号を受信し、前記基準周波数信号と前記フィードバック
信号との間の位相差に対応する信号を発生し、前記対応
する信号に所定処理をして得られる制御電圧を出力す
る。
【0018】前記VCOは、前記制御電圧及び複数のス
イッチング制御信号を受信し、前記制御電圧に応じて所
定の周波数を有する第1オシレーション信号を出力する
とともに、前記複数のスイッチング制御信号に応じて前
記第1オシレーション信号の基本遅延時間の整数倍の遅
延時間だけ遅延した第2オシレーション信号を出力す
る。
【0019】前記メインディバイダは、前記第2オシレ
ーション信号を受信して前記第1オシレーション信号の
周波数の増減を指示する前記フィードバック信号を出力
する。前記変調制御ブロックは、変調周波数データ、変
調率データ、前記フィードバック信号及び前記第2オシ
レーション信号を受信して前記複数のスイッチング制御
信号を出力する。前記ポストディバイダは、前記第1オ
シレーション信号を受信して所定の値で分周した信号を
出力する。
【0020】本発明によるEMI低減PLLは、VCO
が位相差を有する複数の信号を発生し、該複数の信号を
適当に組み合わせることによってEMIを低減すること
ができる変調された出力信号を生成するPLLである。
【0021】前記技術的課題を達成するための本発明の
他の側面によるEMI低減PLLは、位相検出及びフィ
ルタリング部、電圧制御発振部、位相インターポレー
タ、変調制御ブロック及びメインディバイダを具備す
る。
【0022】前記位相検出及びフィルタリング部は、基
準周波数信号の位相とフィードバック信号の位相とを比
較し、前記位相差に応答してその値が変動する制御電圧
を発生する。
【0023】前記電圧制御発振部は、前記制御電圧に応
答して周波数が変動する第1オシレーション信号、及
び、前記制御電圧に応答して周波数が変動する第1ない
し第Mクロック信号を発生する。
【0024】前記位相インターポレータは、前記第1な
いし第Mクロック信号を受信し、所定の第1ないし第N
スイッチング制御信号に応答して前記第1ないし第Mク
ロック信号のうち連続する2つのクロック信号の位相差
を細分化し、基本遅延時間の整数倍の周波数を有する第
2オシレーション信号を発生する。
【0025】前記変調制御ブロックは、変調周波数デー
タ、変調率データ、変調ステップデータ、前記フィード
バック信号及び前記第2オシレーション信号を受信して
前記第1ないし第Nスイッチング制御信号を出力する。
【0026】前記メインディバイダは、前記第2オシレ
ーション信号を受信して前記第1オシレーション信号の
周波数の増減を指示する前記フィードバック信号を出力
する。
【0027】前記基本遅延時間は、前記第1オシレーシ
ョン信号の一周期を2−1(Nは前記スイッチング制
御信号の個数)で割った時間である。
【0028】前記PLLは、プリディバイダ及びポスト
ディバイダをさらに備えてもよい。
【0029】前記プリディバイダは、入力信号を所定の
値で分周させた前記基準周波数信号を出力する。ポスト
ディバイダは、前記第1オシレーション信号を受信して
所定の値で分周させた信号を出力する。
【0030】前記変調制御ブロックは、変調周波数制御
ブロック及び変調率制御ブロックを備える。
【0031】変調周波数制御ブロックは、前記フィード
バック信号及び前記変調周波数データに応答して変調率
の増減を選択する選択信号を出力する。変調率制御ブロ
ックは、前記フィードバック信号、前記変調率データ、
前記第2オシレーション信号、前記変調ステップデータ
及び前記選択信号に応答して前記第1ないし第Nスイッ
チング制御信号を出力する。
【0032】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面を参照して本
発明の望ましい実施形態を説明することによって、本発
明を詳細に説明する。各図面において、同じ参照符号は
同じ構成要素を示す。
【0033】図4は、本発明の好適な実施形態のEMI
低減PLLのブロックダイヤグラムである。図4を参照
すれば、このEMI低減PLLは、プリディバイダ40
1、位相検出器403、VCO405、メインディバイ
ダ407、変調制御ブロック409及びポストディバイ
ダ411を具備する。
【0034】プリディバイダ401は、入力信号FIN
を所定の値で分周して基準周波数信号F−REFを生成
し出力する。位相検出器403は、基準周波数信号F−
REF及びフィードバック信号F−FEEDを受信し、
基準周波数信号F−REFとフィードバック信号F−F
EEDとの間の位相差に対応する信号を発生し、該信号
に対して電荷ポンピング及びループフィルタリングした
制御電圧V−CONを出力する。
【0035】VCO405は、制御電圧V−CON及び
複数のスイッチング制御信号S−CONを受信し、制御
電圧V−CONに応じて所定の周波数を有する第1オシ
レーション信号F−OSC1を出力するとともに、複数
のスイッチング制御信号S−CONに応じて第1オシレ
ーション信号F−OSC1の基本遅延時間の整数倍だけ
遅延した第2オシレーション信号F−OSC2を出力す
る。
【0036】メインディバイダ407は、第2オシレー
ション信号F−OSC2を受信して第1オシレーション
信号F−OSC1の周波数の増減を指示するフィードバ
ック信号F−FEEDを出力する。変調制御ブロック4
09は、外部から直接入力されるかレジスタ(図示せ
ず)に貯蔵された2つのデータである変調周波数(mo
dulation frequency)データMFR
と変調率(modulation rate)データM
RR、フィードバック信号F−FEED及び第2オシレ
ーション信号F−OSC2を受信して複数のスイッチン
グ制御信号S−CONを出力する。ポストディバイダ4
11は、第1オシレーション信号F−OSC1を受信し
て、これを所定値で分周した信号FOUTを出力する。
【0037】図5は、図4に示された変調制御ブロック
409の内部ブロックダイヤグラムである。図5を参照
すれば、変調制御ブロック409は、変調周波数制御ブ
ロック501、変調率制御ブロック503及び決定ブロ
ック505を具備する。
【0038】変調周波数制御ブロック501は、フィー
ドバック信号F−FEED、変調周波数データMFR及
び選択信号SELMUXに応答して第1変調信号F−M
OD1を出力する。変調率制御ブロック503は、フィ
ードバック信号F−FEED、変調率データMRR及び
第1変調信号F−MOD1に応答して選択信号SELM
UX及び第2変調信号F−MOD2を出力する。決定ブ
ロック505は、フィードバック信号F−FEED、第
2オシレーション信号F−OSC2及び第2変調信号F
−MOD2に応答して複数のスイッチング制御信号S−
CONを出力する。
【0039】図6は、図4に示されたVCO405の内
部ブロックダイヤグラムである。図6を参照すれば、V
CO405は、リングオシレータ601、レジスタブロ
ック603、複数のスイッチ605及び出力バッファ6
07を具備する。
【0040】リングオシレータ601は、制御電圧V−
CONによって所定の周波数を有する第1オシレーショ
ン信号F−OSC1、及び、第1オシレーション信号F
−OSC1の一周期を複数のスイッチング制御信号S−
CONの数で割った時間だけ遅延又は先行した複数の変
調オシレーション信号F−OSC1−MODを出力す
る。レジスタブロック603は、複数の変調オシレーシ
ョン信号F−OSC1−MODを各々格納する複数のレ
ジスタを具備する。
【0041】複数のスイッチ605は、複数のスイッチ
ング制御信号S−CONに応じてレジスタブロック60
3に格納された複数の変調オシレーション信号F−OS
C1−MODのうち一つを選択してスイッチングする。
出力バッファ607は、複数のスイッチ605のうち選
択された一つのスイッチを通じて入力される信号をバッ
ファリングして出力FOUTする。
【0042】以下、アップスプレッディング方式を例と
して本発明を例示的に説明する。
【0043】図7は、図6に示されたレジスタに格納さ
れた複数の変調オシレーション信号F−OSC1−MO
Dのタイミングダイヤグラムである。図7を参照すれ
ば、複数の変調オシレーション信号F−OSC1−MO
Dは、互いに基本遅延時間分の時間遅延があることが分
かる。ここで、基本遅延時間は、第1オシレーション信
号F−OSC1の一周期TF−OSC1を複数のスイッ
チング制御信号S−CONの数で割った時間をいう。例
えば、スイッチング制御信号S−CONの数が16であ
れば基本遅延時間はTF−OSC1´1/16になる。
【0044】図8は、第1オシレーション信号F−SO
C1と、これに対応する基準周波数信号F−REF及び
所定時間遅延されたフィードバック信号F−FEEDの
タイミングダイヤグラムである。
【0045】図4及び図8を参照して信号の発生及び信
号間の関係を説明する。位相検出器403は、プリディ
バイダ401の基準周波数信号F−REF及びフィード
バック信号F−FEEDの位相差に相当する制御電圧V
−CONを発生させる。VCO405は、制御電圧V−
CONに応じて第1オシレーション信号F−OSC1を
発生するとともに、第1オシレーション信号F−OSC
1を基本遅延時間Δtの整数倍ずつ遅延させた信号の中
から複数のスイッチング制御信号S−CONに応じて選
択された第2オシレーション信号F−OSC2を発生す
る。ここでは、基本遅延時間Δtの3倍の時間3Δtだ
け遅延させると仮定する。メインディバイダ407は、
第2オシレーション信号F−OSC2を利用してフィー
ドバック信号F−FEEDを生成させる。
【0046】図8を参照すれば、フィードバック信号F
−FEEDは、基準周波数信号F−REFに比べて基本
遅延時間Δtの3倍の遅延時間3Δtだけ遅延されたこ
とが分かる。この遅延された時間は、位相検出器403
に対して第1オシレーション信号F−OSC1の周波数
の増加を指示する命令として作用する。
【0047】図9は、変調周波数及び変調率に対応する
データビットである。図9は、変調周波数の最大値MF
MAX及び最小値MFMIN、並びに、変調率の最大値
MRMAX及び最小値MRMINを示している。ここで
は、変調周波数の最大値MFMAXが4、最小値MFM
INが3であり、変調率の最大値MRMAXが3、最小
値MRMINが2である場合について説明する。
【0048】図10は、本発明の好適な実施形態のEM
I低減PLLにおける変調された信号のタイミングダイ
ヤグラムである。図10を参照すれば、変調周波数の一
サイクル中に、最初は変調率が3であるフィードバック
信号F−FEEDを3つ(3TF-FEED)選択し、
次いで、変調率が5であるフィードバック信号を4つ
(4TF-FEED)、変調率が8であるフィードバッ
ク信号を3つ(3TF-F EED)、変調率が5である
フィードバック信号を3つ(3TF-FEED)、変調
率が3であるフィードバック信号を4つ(4T
F-FEED)選択し、最後に変調率が0であるフィー
ドバック信号を3つ(3TF-FEED)選択する。変
調周波数の一周期中には、全部で20のフィードバック
信号が含まれる。
【0049】以下、変調率について説明する。
【0050】変調率3dtを有する3つのフィードバッ
ク信号が最初に選択される。2番目に選択された4つの
フィードバック信号の変調率5dtは最初に選択された
3つのフィードバック信号の変調率3dtに比べて2d
t増加している。3番目に選択された3つのフィードバ
ック信号の変調率8dtは2番目に選択された4つのフ
ィードバック信号の変調率5dtに比べて3dt増加し
ている。
【0051】4番目に選択された3つのフィードバック
信号の変調率5dtは3番目に選択された3つのフィー
ドバック信号の変調率8dtに比べて3dt減少してい
る。5番目に選択された4つのフィードバック信号の変
調率3dtは4番目に選択されたフィードバック信号の
変調率5dtに比べて2dt減少している。6番目に選
択された3つのフィードバック信号の変調率0dtは5
番目選択された4つのフィードバック信号の変調率E比
べて3dt減少している。
【0052】前述した変調周波数の一周期に間する説明
を拡張すると、鋸波(または三角波)形態の変調信号プ
ロファイルを予想できる。
【0053】ここで、第1オシレーション信号F−OS
C1を中心として変調される最小周波数信号に対する最
大周波数信号の比率が変調率を示し、最小周波数信号か
ら最大周波数信号に大きくなってまた小さくなる周期が
変調周波数を示す指数となる。図9のように変調周波数
及び変調率が与えられ、スイッチング制御信号S−CO
Nが16である場合、基準周波数信号F−REFを4M
Hzと仮定すれば、変調率は2MHz(4MHz´8/
16)であり、変調周波数は200KHz(4MHz/
20)になる。
【0054】このように最大値と最小値とに各々分けた
ことは、PLLの応答特性によって変調信号プロファイ
ルが歪曲されることを防止するためである。
【0055】図11は、本発明の他の実施形態のEMI
減少PLLのブロックダイヤグラムである。図12は、
図11の変調制御ブロックを示すブロックダイヤグラム
である。
【0056】本発明の実施形態によれば、本発明に係る
EMI低減PLL1100は、位相検出及びフィルタリ
ング部1105、電圧制御発振部(VCO)1110、
位相インターポレータ1115、変調制御ブロック11
20及びメインディバイダ1125を具備する。
【0057】位相検出及びフィルタリング部1105
は、所定の基準周波数信号F_REFの位相と所定のフ
ィードバック信号F_FEEDの位相とを比較し、位相
差に応答してその値が変動する制御電圧V_CONを発
生する。
【0058】電圧制御発振部1110は、制御電圧V_
CONに応答して周波数が変化する第1オシレーション
信号F_OSC1及び制御電圧V_CONに応答して周
波数が変化する第1ないし第Mクロック信号MULTI
_C1〜MULTI_CMを発生する。
【0059】位相インターポレータ1115は、第1な
いし第Mクロック信号MULTI_C1〜MULTI_
CMを受信し、所定の第1ないし第Nスイッチング制御
信号S_CON1〜S_CONNに応答して第1ないし
第Mクロック信号MULTI_C1〜MULTI_CM
のうち連続する2つのクロック信号の位相差を細分化
し、所定の基本遅延時間の整数倍の周波数を有する第2
オシレーション信号F_OSC2を発生する。
【0060】さらに説明すれば、基本遅延時間は、第1
オシレーション信号F_OSC1の一周期を2−1
(Nは前記スイッチング制御信号の個数)で割った時間
である。
【0061】変調制御ブロック1120は、変調周波数
データMFR、変調率データMRR、変調ステップデー
タMSTEP、フィードバック信号F_FEED及び第
2オシレーション信号F_OSC2を受信して第1ない
し第Nスイッチング制御信号S_CON1〜S_CON
Nを出力する。
【0062】図12に示すように、変調制御ブロック1
120は変調周波数制御ブロック1210及び変調率制
御ブロック1220を具備する。
【0063】変調周波数制御ブロック1210は、フィ
ードバック信号F_FEED及び変調周波数データMF
Rに応答して変調率の増減を選択する選択信号SEL_
HLを出力する。変調率制御ブロック1220はフィー
ドバック信号F_FEED、変調率データMRR、第2
オシレーション信号F_OSC2、変調ステップデータ
MSTEP及び選択信号SEL_HLに応答して第1な
いし第Nスイッチング制御信号S_CON1〜S_CO
NNを出力する。
【0064】メインディバイダ1125は第2オシレー
ション信号F_OSC2を受信して第1オシレーション
信号F_OSC1の周波数の増減を指示するフィードバ
ック信号F_FEEDを出力する。
【0065】PLL1100はプリディバイダ1130
及びポストディバイダ1135をさらに具備する。
【0066】プリディバイダ1130は入力信号FIN
を所定の値で分周した基準周波数信号F_REFを出力
する。ポストディバイダ1135は第1オシレーション
信号F_OSC1を受信して所定の値で分周した信号を
出力する。
【0067】以下、図11及び図12を参照して本発明
の他の実施形態のEMI減少PLLの動作を詳細に説明
する。
【0068】本発明の他の実施形態のEMI低減PLL
1100は、位相インターポレータ1115の機能を利
用することによって比較的高い周波数を有する基準周波
数信号F_REFを使用できる。したがって、PLLの
ジッタ特性を改善できる。
【0069】すなわち、位相インターポレータ1115
は電圧制御発振部1110から出力される第1ないし第
Mクロック信号MULTI_C1〜MULTI_CMの
うち連続する二つのクロック信号の位相差をさらに細分
化する。それにより、変調率が同一であるという条件下
で変調ステップの個数がさらに増加されうるので、PL
Lの所望の周波数特性を得るための広い帯域幅の設定が
可能である。
【0070】例えば、変調率を0.5%に設定する。す
なわち、出力周波数が100MHzである場合、変調率
は0.5MHzになる。電圧制御発振部1110が16
のクロック信号を発生する場合、0.5Mhzの変調率
を発生するために次のような関係が成立する。
【0071】 1MHz(基準周波数信号F_REF)*8/16=0.5MHz 2MHz(基準周波数信号F_REF)*4/16=0.5MHz 4MHz(基準周波数信号F_REF)*2/16=0.5MHz 8MHz(基準周波数信号F_REF)*1/16=0.5MHz ここで、基準周波数信号F_REFが高いほどPLLの
ジッタ特性の改善のために望ましいが、基準周波数信号
F_REFが高まるほど変調ステップの個数が8、4、
2、1に減るので変調が失敗する可能性が大きくなる。
【0072】この時、位相インターポレータ1115を
利用して電圧制御発振部1110の各クロック信号の間
を10の位相に細分化するならば、変調に160の位相
を利用できる。したがって、次のような関係が成立す
る。
【0073】 4MHz(基準周波数信号F_REF)*20/160=0.5MHz 8MHz(基準周波数信号F_REF)*10/160=0.5MHz 16MHz(基準周波数信号F_REF)*5/160=0.5MHz 比較的高い周波数を有する基準周波数信号F_REFを
利用しながらも変調ステップの個数も位相インターポレ
ータ1115を使用する前より多く増加することが分か
る。すなわち、言い換えれば、同じ変調率を有するPL
Lの具現時にさらに多くの変調ステップがあれば、さら
に高い周波数を有する基準周波数信号F_REFをPL
Lの入力として使用できる。
【0074】図11のPLL1100は位相インターポ
レータ1115を利用するという点以外には図4のPL
Lの動作と類似している。したがって、差異点を中心に
説明する。
【0075】位相検出及びフィルタリング部1105は
基準周波数信号F_REFの位相と所定のフィードバッ
ク信号F_FEEDの位相とを比較し、位相差に応答し
てその値が変動する制御電圧V_CONを発生する。
【0076】位相検出及びフィルタリング部1105は
位相同期ループに備わる位相検出器及び低域通過フィル
タとして機能する。すなわち、位相検出及びフィルタリ
ング部1105は基準周波数信号F_REFの位相とフ
ィードバック信号F_FEEDの位相差を検出し、その
差に応じて電圧レベルが上昇または下降する制御電圧V
_CONを発生する。
【0077】電圧制御発振部1110は、制御電圧V_
CONに応答して周波数が変化する第1オシレーション
信号F_OSC1及び制御電圧V_CONに応答して周
波数が変化する第1ないし第Mクロック信号MULTI
_C1〜MULTI_CMを発生する。
【0078】電圧制御発振部1110はリングオシレー
タ(図示せず)を具備する。リングオシレータは相異な
る位相を有する複数の出力を発生する。その複数の出力
のうち一つが制御電圧V_CONの電圧レベルの増減に
応答して周波数が変化する第1オシレーション信号F_
OSC1である。そして、残りの複数の出力が第1ない
し第Mクロック信号MULTI_C1〜MULTI_C
Mとして発生する。第1オシレーション信号F_OSC
1と第1ないし第Mクロック信号MULTI_C1〜M
ULTI_CMの周期は同一である。
【0079】リングオシレータの動作は当業者であれば
容易に理解できるので電圧制御発振部1110の詳細な
動作に関する説明は省略する。
【0080】位相インターポレータ1115は、第1な
いし第Mクロック信号MULTI_C1〜MULTI_
CMを受信し、所定の第1ないし第Nスイッチング制御
信号S_CON1〜S_CONNに応答して第1ないし
第Mクロック信号MULTI_C1〜MULTI_CM
のうち連続する2つのクロック信号の位相差を細分化
し、所定の基本遅延時間の整数倍の周波数を有する第2
オシレーション信号F_OSC2を発生する。基本遅延
時間は第1オシレーション信号F_OSC1の一周期を
−1(Nは前記スイッチング制御信号の個数)で割
った時間である。位相インターポレータ1115の動作
は後述される。
【0081】変調制御ブロック1120は、変調周波数
データMFR、変調率データMRR、変調ステップデー
タMSTEP、フィードバック信号F_FEED及び第
2オシレーション信号F_OSC2を受信して、第1な
いし第Nスイッチング制御信号S_CON1〜S_CO
NNを出力する。変調周波数データMFR、変調率デー
タMRR、変調ステップデータMSTEPは、外部から
直接入力されるか、またはレジスタ(図示せず)に格納
されている。
【0082】さらに説明すれば、変調制御ブロック11
20は変調周波数制御ブロック1210及び変調率制御
ブロック1220を具備する。変調周波数制御ブロック
1210はフィードバック信号F_FEED及び変調周
波数データMFRに応答して変調率の増減を選択する選
択信号SEL_HLを出力する。
【0083】変調率制御ブロック1220はフィードバ
ック信号F_FEED、変調率データMRR、第2オシ
レーション信号F_OSC2、変調ステップデータMS
TEP及び選択信号SEL_HLに応答して第1ないし
第Nスイッチング制御信号S_CON1〜S_CONN
を出力する。変調制御ブロック1120の詳細な動作は
後述される。
【0084】メインディバイダ1125は、第2オシレ
ーション信号F_OSC2を受信して第1オシレーショ
ン信号F_OSC1の周波数の増減を指示するフィード
バック信号F_FEEDを出力する。メインディバイダ
1125は図4のメインディバイダ407と同じ動作を
する。したがって、詳細な説明は省略される。
【0085】PLL1100はプリディバイダ1130
及びポストディバイダ1135をさらに具備する。
【0086】プリディバイダ1130は入力信号FIN
を所定値で分周した基準周波数信号F_REFを出力す
る。ポストディバイダ1135は第1オシレーション信
号F_OSC1を受信して、これを所定の値で分周した
信号を出力する。プリディバイダ1130及びポストデ
ィバイダ1135はいずれも図4のプリディバイダ40
1及びポストディバイダ411と同じ動作をする。した
がって詳細な説明は省略される。
【0087】図13は、図11の第1ないし第Mクロッ
ク信号及び第2オシレーション信号の波形図である。
【0088】Mを4と仮定する。すなわち、4つのクロ
ック信号MULTI_C1、MULTI_C2、MUL
TI_C3、MULTI_C4が電圧制御発振部111
0から出力されると仮定する。4つのクロック信号MU
LTI_C1、MULTI_C2、MULTI_C3、
MULTI_C4は同じ周期を有する。
【0089】位相インターポレータ1115は、第1な
いし第Nスイッチング制御信号S_CON1〜S_CO
NNに応答して連続する2つのクロック信号、例えば、
第1クロック信号MULTI_C1と第2クロック信号
MULTI_C2の位相差をより細密に割って複数の信
号を発生させる。複数の信号のうち一つが第2オシレー
ション信号F_OSC2として発生する。
【0090】第1クロック信号MULTI_C1と第2
クロック信号MULTI_C2との位相差をさらに細密
に割って発生した複数の信号の個数はスイッチング制御
信号S_CONの個数によって決定される。スイッチン
グ制御信号S_CONの個数がNであれば複数の信号の
個数は2−1まで可能である。
【0091】したがって、基本遅延時間1dtは、 T_CLOCK/(2−1) ・・・(1) になる。
【0092】ここで、T_CLOCKは電圧制御発振部
1110から出力されるクロック信号の周期である。
【0093】図14は、図11の第1及び第2オシレー
ション信号、基準周波数信号及びフィードバック信号を
示す波形図である。
【0094】位相検出及びフィルタリング部1105
は、基準周波数信号F_REFの位相とフィードバック
信号F_FEEDとの位相差に対応する制御電圧V_C
ONを発生する。電圧制御発振部1110は、制御電圧
V_CONの電圧レベルの増減に応答して第1オシレー
ション信号F_OSC1を発生する。制御電圧V_CO
Nの増減により第1オシレーション信号F_OSC1の
周波数が増減される。
【0095】第2オシレーション信号F_OSC2は、
電圧制御発振部1110で発生する第1ないし第Mクロ
ック信号MULTI_C1〜MULTI_CMと変調制
御ブロック1120で発生する第1ないし第Nスイッチ
ング制御信号S_CON1〜S_CONNとに応答して
位相インターポレータ1115から発生する。第2オシ
レーション信号F_OSC2は前述された基本遅延時間
1dtの整数倍ずつ遅延される。
【0096】メインディバイダ1125は第2オシレー
ション信号F_OSC2に応答してフィードバック信号
F_FEEDを発生する。メインディバイダ1125は
第2オシレーション信号F_OSC2の遅延の程度に応
じてフィードバック信号F_FEEDを遅延させるか、
あるいは繰り上げる。すると、フィードバック信号F_
FEEDは基準周波数信号F_REFと比較されて第1
オシレーション信号F_OSC1の周波数が増減され
る。
【0097】図14を参考すれば、基準周波数信号F_
REFとフィードバック信号F_FEEDとが比較され
る時間(i)中に、第2オシレーション信号F_OSC
2はまず基本遅延時間1dtの1倍だけ遅延され(i
i)、再び基本遅延時間1dtの1倍だけ遅延される(i
ii)。結局、第2オシレーション信号F_OSC2は第
1オシレーション信号F_OSC1に比べて基本遅延時
間1dtの2倍だけ遅延されることが分かる。
【0098】それにより、第2オシレーション信号F_
OSC2に応答するフィードバック信号F_FEEDは
基準周波数信号F_REFに対して基本遅延時間1dt
の2倍だけ遅延される。フィードバック信号F_FEE
Dの遅延は第1オシレーション信号F_OSC1の周波
数を増加させるように制御電圧V_CONを制御する。
【0099】図15は、変調周波数データ、変調率デー
タ及び変調ステップデータの設定を示す図面である。
【0100】図16は、第2オシレーション信号の変調
量を示す図面である。変調周波数データMFR、変調率
データMRR及び変調ステップデータMSTEPはレジ
スタ(図示せず)に格納されている。変調周波数データ
MFRから変調周波数が分かる。変調周波数データMF
Rが32であるので、変調周波数は1/(T_F_RE
F*32)である。ここで、T_F_REFは基準周波
数信号F_REFの周期である。
【0101】変調ステップデータMSTEPは、最大値
MSTEPMAXと最小値MSTEPMINとも2を示
している。これは、基準周波数信号F_REFのクロッ
クが2回発生する度に変調率を変更することを意味す
る。もし、変調ステップデータMSTEPの最大値MS
TEPMAXが3であり、最小値MSTEPMINが2
であれば、基準周波数信号F_REFのクロックが3回
発生すれば変調率を変更し、再び基準周波数信号F_R
EFのクロックが2回発生すれば変調率を変更するとい
う意味である。
【0102】変調率データMRRは最大値MRMAXが
2で最小値MRMINが1である。これは、最初に変調
率を変更する時は2dt(ここで、1dtは基本遅延時
間である)だけ変更し、次に変調率を変更する時は1d
tだけ変更し、再び変調率を変更する時は2dtだけ変
更することを反復することを意味する。
【0103】図16を参照すれば、最初の基準周波数信
号F_REFのクロックが2回発生すれば2dtだけ変
調させ、2番目の基準周波数信号F_REFのクロック
が2回発生すれば2dt+1dtだけ変調させ、3番目
の基準周波数信号F_REFのクロックが2回発生すれ
ば2dt+1dt+2dtだけ変調させ、4番目の基準
周波数信号F_REFのクロックが2回発生すれば2d
t+1dt+2dt+1dtだけ変調させる。
【0104】最大変調率は図16で分かるように11d
tである。位相インターポレータ1115がNつのスイ
ッチング制御信号S_CONによって2−1つの基本
遅延時間の整数倍の位相差を有する信号を発生させるな
らば、図16の変調された周波数量は、 基準周波数信号F_REF*11/(2−1) ・・・(2) になる。
【0105】式(2)で分かるように、変調された周波
数量を小さくするためには、基準周波数信号F_REF
の周波数を低めるか、あるいは2−1の値を増加させ
る必要がある。しかし、一般的に、基準周波数信号F_
REFの周波数は高いほどPLLの帯域幅を自由に設定
でき、出力信号F_OUTの雑音成分も減らしうる。し
たがって、2−1の値を増加させねばならない。
【0106】図16の変調波形は一つの例示であって、
変調効果を最大化するためには変調ステップデータMS
TEPの最大値MSTEPMAXと最小値MSTEPM
INとを最小に設定せねばならない。図16の例では、
変調ステップデータMSTEPの最大値MSTEPMA
Xと最小値MSTEPMINを1に設定すれば変調効果
を最大化できる。
【0107】この場合、変調周波数の一周期(1/(T
_F_REF*32)を意味する)中に最小限16の相
異なる位相を有する信号が必要である。したがって、位
相インターポレータ1115は16以上の信号を発生さ
せねばならない。
【0108】このために、スイッチング制御信号S_C
ONの数は(2−1)>16の式でNは最小5以上に
なる。もし、位相インターポレータ1115を利用せず
に電圧制御発振部1110が直接16つの相異なる位相
を有する信号を発生させるならば、電圧制御発振部11
10に8つの差同増幅器が必要になる。差同増幅器の個
数の増加は過度な電力消耗をもたらし、またPLLの帯
域幅の設定も制限される。
【0109】前述したのは一つの例示であり、位相イン
ターポレータ1115の技法によってさらに多くの位相
差を利用する変調方法が使われうる。すなわち、本発明
はPLLのフィードバック経路に位相インターポレータ
1115を使用するあらゆる方法を含みうる。
【0110】本発明は図面に示された実施形態を参考と
して説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業
者であれば多様な変形及び均等な他の実施形態が可能で
あるという点を理解できる。したがって、本発明の真の
技術的保護範囲は特許請求の範囲の技術的思想により決
まらねばならない。
【0111】
【発明の効果】前述したように、本発明によるEMI低
減PLLは、EMIを低減するだけでなくROMを使用
しないのでレイアウト面積が相対的に小さくなり、広い
帯域の周波数を得られるという長所がある。また、VC
Oの出力信号に対する位相差を論理回路で制御するため
に工程変化の影響を受けないという長所がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】変調周波数及び変調率を示す変調信号プロファ
イルである。
【図2】変調信号プロファイルの種類によるスペクトル
を示す図面である。
【図3】Dithered PLL出力のスプレッディ
ング方法によるスペクトル結果を示す図面である。
【図4】本発明によるEMI減少PLLのブロックダイ
ヤグラムである。
【図5】図4に示された変調制御ブロックの内部ブロッ
クダイヤグラムである。
【図6】図4に示されたVCOの内部ブロックダイヤグ
ラムである。
【図7】図6に示されたレジスタに格納された複数の変
調オシレーション信号F−OSC1−MODのタイミン
グダイヤグラムである。
【図8】第1オシレーション信号F−SOC1と、これ
に対応する基準周波数信号F−REF及び所定時間遅延
されたフィードバック信号F−FEEDのタイミングダ
イヤグラムである。
【図9】変調周波数及び変調率に対するデータビットを
示す図面である。
【図10】本発明の好適な実施形態のEMI低減PLL
の変調された信号に対するタイミングダイヤグラムであ
る。
【図11】本発明の他の実施形態のEMI低減PLLの
ブロックダイヤグラムである。
【図12】図11の変調制御ブロックを示すブロックダ
イヤグラムである。
【図13】図11の第1ないし第Mクロック信号及び第
2オシレーション信号の波形図である。
【図14】図11の第1及び第2オシレーション信号、
基準周波数信号及びフィードバック信号を示す波形図で
ある。
【図15】変調周波数データ、変調率データ及び変調ス
テップデータの設定を示す図面である。
【図16】第2オシレーション信号の変調量を示す図面
である。
【符号の説明】
401 プリディバイダ 403 位相検出器 405 VCO 407 メインディバイダ 409 変調制御ブロック 411 ポストディバイダ

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 入力信号を所定の値で分周して基準周波
    数信号を生成するプリディバイダと、 前記基準周波数信号及び所定のフィードバック信号を受
    信し、前記基準周波数信号と前記フィードバック信号と
    の間の位相差に対応する信号を発生し、前記対応する信
    号に所定の処理をして得られる制御電圧を出力する位相
    検出器と、 前記制御電圧及び複数のスイッチング制御信号を受信
    し、前記制御電圧に応じて所定の周波数を有する第1オ
    シレーション信号を出力するとともに前記複数のスイッ
    チング制御信号に応じて前記第1オシレーション信号の
    基本遅延時間の整数倍の遅延時間だけ遅延した第2オシ
    レーション信号を出力するVCOと、 前記第2オシレーション信号を受信して前記第1オシレ
    ーション信号の周波数の増減を指示する前記フィードバ
    ック信号を出力するメインディバイダと、 変調周波数データ、変調率データ、前記フィードバック
    信号及び前記第2オシレーション信号を受信して前記複
    数のスイッチング制御信号を出力する変調制御ブロック
    と、 前記第1オシレーション信号を受信して所定の値で分周
    した信号を出力するポストディバイダとを具備すること
    を特徴とするEMI低減PLL。
  2. 【請求項2】 前記基本遅延時間は、 前記第1オシレーション信号の一周期を前記複数の制御
    信号の数で割った時間であることを特徴とする請求項1
    に記載のEMI減少PLL。
  3. 【請求項3】 前記位相検出器における所定の処理は、 前記対応する信号に対する電荷ポンピング及びループフ
    ィルタリング処理であることを特徴とする請求項1に記
    載のEMI低減PLL。
  4. 【請求項4】 前記変調制御ブロックは、 前記フィードバック信号、前記変調周波数データ及び所
    定の選択信号に応答して第1変調信号を出力する変調周
    波数制御ブロックと、 前記フィードバック信号、前記変調率データ及び前記変
    調周波数信号に応答して前記選択信号及び第2変調信号
    を出力する変調率制御ブロックと、 前記フィードバック信号、前記第2オシレーション信号
    及び前記第2変調信号に応答して前記複数のスイッチン
    グ制御信号を出力する決定ブロックとを具備することを
    特徴とする請求項1に記載のEMI低減PLL。
  5. 【請求項5】 前記VCOは、 前記制御電圧に応じて前記第1オシレーション信号及び
    前記第1オシレーション信号の一周期を前記複数のスイ
    ッチング制御信号の数で割った時間だけ遅延又は先行し
    た複数の変調オシレーション信号を出力するリングオシ
    レータと、 前記複数の変調オシレーション信号を各々格納する複数
    のレジスタを具備するレジスタブロックと、 前記複数のスイッチング制御信号に応じて前記レジスタ
    ブロックに格納された複数の変調オシレーション信号の
    うち一つを選択してスイッチングする複数のスイッチ
    と、 前記複数のスイッチのうち選択された一つのスイッチを
    通じて出力される信号をバッファリングして出力する出
    力バッファとを具備することを特徴とする請求項1に記
    載のEMI低減PLL。
  6. 【請求項6】 入力信号を受信して基準周波数信号を生
    成し、前記基準周波数信号と内部で発生するフィードバ
    ック信号との位相差に相当する制御電圧を発生し、前記
    制御電圧に応じて第1オシレータ信号を発生し、スイッ
    チング制御信号に応じて前記第1オシレーション信号の
    基本遅延時間の整数倍の遅延時間だけ遅延した第2オシ
    レーション信号を発生するクロックゼネレータブロック
    と、 変調周波数データ、変調率データ、前記フィードバック
    信号及び前記第2オシレーション信号を受信して前記複
    数のスイッチング制御信号を出力する変調制御ブロック
    とを具備することを特徴とするEMI低減PLL。
  7. 【請求項7】 前記基本遅延時間は、 前記第1オシレーション信号の一周期を前記複数の制御
    信号の数で割った時間であることを特徴とする請求項6
    に記載のEMI低減PLL。
  8. 【請求項8】 前記変調制御ブロックは、 前記フィードバック信号、前記変調周波数データ及び所
    定の選択信号に応答して第1変調信号を出力する変調周
    波数制御ブロックと、 前記フィードバック信号、前記変調率データ及び前記変
    調周波数信号に応答して前記選択信号及び第2変調信号
    を出力する変調率制御ブロックと、 前記フィードバック信号、前記第2オシレーション信号
    及び前記第2変調信号に応答して前記複数のスイッチン
    グ制御信号を出力する決定ブロックとを具備することを
    特徴とする請求項6に記載のEMI低減PLL。
  9. 【請求項9】 前記クロックゼネレータブロックは、 前記制御電圧に応じて前記第1オシレーション信号及び
    前記第1オシレーション信号の一周期を前記複数のスイ
    ッチング制御信号の数で割った時間だけ遅延又は先行す
    る複数の変調オシレーション信号を出力するリングオシ
    レータと、 前記複数の変調オシレーション信号を各々貯蔵する複数
    のレジスタを具備するレジスタブロックと、 前記複数のスイッチング制御信号に応じて前記レジスタ
    ブロックに格納された複数の変調オシレーション信号の
    うち一つを選択してスイッチングする複数のスイッチ
    と、 前記複数のスイッチのうち選択された一つのスイッチを
    通じて出力される信号をバッファリングして出力する出
    力バッファとを具備することを特徴とする請求項6に記
    載のEMI低減PLL。
  10. 【請求項10】 基準周波数信号の位相とフィードバッ
    ク信号の位相とを比較し、前記位相差に応答してその値
    が変動する制御電圧を発生する位相検出及びフィルタリ
    ング部と、 前記制御電圧に応答して周波数が変動する第1オシレー
    ション信号、及び、前記制御電圧に応答して周波数が変
    動する第1ないし第Mクロック信号を発生する電圧制御
    発振部と、 前記第1ないし第Mクロック信号を受信し、第1ないし
    第Nスイッチング制御信号に応答して前記第1ないし第
    Mクロック信号のうち連続する2つのクロック信号の位
    相差を細分化し、基本遅延時間の整数倍の周波数を有す
    る第2オシレーション信号を発生する位相インターポレ
    ータと、 変調周波数データ、変調率データ、変調ステップデー
    タ、前記フィードバック信号及び前記第2オシレーショ
    ン信号を受信して前記第1ないし第Nスイッチング制御
    信号を出力する変調制御ブロックと、 前記第2オシレーション信号を受信して前記第1オシレ
    ーション信号の周波数の増減を指示する前記フィードバ
    ック信号を出力するメインディバイダとを具備すること
    を特徴とするEMI低減PLL。
  11. 【請求項11】 前記基本遅延時間は、 前記第1オシレーション信号の一周期を2−1(Nは
    前記スイッチング制御信号の個数)で割った時間である
    ことを特徴とする請求項10に記載のEMI低減PL
    L。
  12. 【請求項12】 前記PLLは、 入力信号を所定の値で分周した前記基準周波数信号を出
    力するプリディバイダと、 前記第1オシレーション信号を受信して所定の値で分周
    した信号を出力するポストディバイダとをさらに具備す
    ることを特徴とする請求項10に記載のEMI低減PL
    L。
  13. 【請求項13】 前記変調制御ブロックは、 前記フィードバック信号及び前記変調周波数データに応
    答して変調率の増減を選択する選択信号を出力する変調
    周波数制御ブロックと、 前記フィードバック信号、前記変調率データ、前記第2
    オシレーション信号、前記変調ステップデータ及び前記
    選択信号に応答して前記第1ないし第Nスイッチング制
    御信号を出力する変調率制御ブロックとを具備すること
    を特徴とする請求項10に記載のEMI低減PLL。
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