JP2003124288A - 半導体製造方法 - Google Patents
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体ウェーハに対して半導体製造プロセスを
行いながら、同時に半導体ウェーハの検査を行うことを
可能とした半導体製造方法を提供する。 【解決手段】所定数の半導体ウェーハを収納し識別情報
が付された第１の容器、および識別情報が付された第２
の容器を第１の処理装置に設置し、各容器の識別情報を
記憶し、第１の処理装置により、半導体ウェーハに対し
て第１の処理を行いながら、当該第１の処理が行われた
一部の半導体ウェーハを検査用ウェーハとして第２の容
器に収納する。そして、第２の容器を検査装置に設置
し、検査用ウェーハの検査を行い、第１の処理後の第１
の容器、および検査後の第２の容器を第２の処理装置に
設置し、設置された各容器の識別情報と記憶された各容
器の識別情報とを照合し、第２の処理装置により、他の
半導体ウェーハおよび検査用ウェーハに対して第２の処
理を行い、検査用ウェーハを第１の容器に戻す。
行いながら、同時に半導体ウェーハの検査を行うことを
可能とした半導体製造方法を提供する。 【解決手段】所定数の半導体ウェーハを収納し識別情報
が付された第１の容器、および識別情報が付された第２
の容器を第１の処理装置に設置し、各容器の識別情報を
記憶し、第１の処理装置により、半導体ウェーハに対し
て第１の処理を行いながら、当該第１の処理が行われた
一部の半導体ウェーハを検査用ウェーハとして第２の容
器に収納する。そして、第２の容器を検査装置に設置
し、検査用ウェーハの検査を行い、第１の処理後の第１
の容器、および検査後の第２の容器を第２の処理装置に
設置し、設置された各容器の識別情報と記憶された各容
器の識別情報とを照合し、第２の処理装置により、他の
半導体ウェーハおよび検査用ウェーハに対して第２の処
理を行い、検査用ウェーハを第１の容器に戻す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、半導体ウ
ェーハに対して、各種の半導体プロセス処理を施して、
半導体装置を製造する半導体製造方法に関する。
ェーハに対して、各種の半導体プロセス処理を施して、
半導体装置を製造する半導体製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置は、半導体ウェーハ上に、例
えば、蒸着法やスパッタリング法等の薄膜形成技術によ
って、半導体回路パターンを多数形成した後に、この半
導体回路パターンが多数形成された半導体ウェーハを個
々の半導体チップとして切り出すことにより作製され
る。
えば、蒸着法やスパッタリング法等の薄膜形成技術によ
って、半導体回路パターンを多数形成した後に、この半
導体回路パターンが多数形成された半導体ウェーハを個
々の半導体チップとして切り出すことにより作製され
る。
【０００３】上記の半導体製造プロセスにおいては、品
質や歩留りを確保するために、プロセス工程間におい
て、半導体ウェーハを検査装置に搬送し、半導体ウェー
ハの検査を行っている。
質や歩留りを確保するために、プロセス工程間におい
て、半導体ウェーハを検査装置に搬送し、半導体ウェー
ハの検査を行っている。
【０００４】ここで、通常、例えば半導体ウェーハが２
５枚収納されたカセット単位にてプロセス処理が行われ
ることから、カセット単位のプロセス処理が終了した後
に、当該カセットを検査装置へ運び、それから検査を行
っている。
５枚収納されたカセット単位にてプロセス処理が行われ
ることから、カセット単位のプロセス処理が終了した後
に、当該カセットを検査装置へ運び、それから検査を行
っている。
【０００５】図９に、従来のリソグラフィー工程におけ
るプロセスフローを示す。まず、ステップＳＴ１０１に
おいて、半導体ウェーハが複数枚収納されたカセットを
リソグラフィー工程で使用されるインラインステッパの
ローダ兼アンローダへセットする。
るプロセスフローを示す。まず、ステップＳＴ１０１に
おいて、半導体ウェーハが複数枚収納されたカセットを
リソグラフィー工程で使用されるインラインステッパの
ローダ兼アンローダへセットする。
【０００６】次に、ステップＳ１０２において、インラ
インステッパにより、レジスト塗布処理、露光処理、現
像処理等のプロセス処理が行われ、当該プロセス処理が
終了した半導体ウェーハの順にローダ兼アンローダにセ
ットされた元のカセットの元の位置に戻されていく。
インステッパにより、レジスト塗布処理、露光処理、現
像処理等のプロセス処理が行われ、当該プロセス処理が
終了した半導体ウェーハの順にローダ兼アンローダにセ
ットされた元のカセットの元の位置に戻されていく。
【０００７】そして、プロセス処理が全て終了すると、
半導体ウェーハを収納したカセットは、検査装置に運ば
れて、検査工程に移ることとなる。この検査工程では、
まず、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による半導体ウェー
ハ上に形成されたパターンの寸法測定が行われ（ステッ
プＳＴ１０４）、次に、前のレイヤーとの重ね合わせの
ずれ量の測定が行われ（ステップＳＴ１０５）、最後
に、半導体ウェーハ上に形成されたパターンに傷がない
か等の目視検査が行われる（ステップＳＴ１０７）。
半導体ウェーハを収納したカセットは、検査装置に運ば
れて、検査工程に移ることとなる。この検査工程では、
まず、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による半導体ウェー
ハ上に形成されたパターンの寸法測定が行われ（ステッ
プＳＴ１０４）、次に、前のレイヤーとの重ね合わせの
ずれ量の測定が行われ（ステップＳＴ１０５）、最後
に、半導体ウェーハ上に形成されたパターンに傷がない
か等の目視検査が行われる（ステップＳＴ１０７）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように、とくにリ
ソグラフィー工程においては、検査が寸法測定検査、重
ね合わせ検査、表面目視検査というように複数の項目に
渡るため、検査時間が長く、場合によってはプロセス時
間よりも検査時間が長くなる場合がある。
ソグラフィー工程においては、検査が寸法測定検査、重
ね合わせ検査、表面目視検査というように複数の項目に
渡るため、検査時間が長く、場合によってはプロセス時
間よりも検査時間が長くなる場合がある。
【０００９】しかしながら、半導体ウェーハの検査を行
う場合には、カセットに収納された全ての半導体ウェー
ハに対する半導体製造プロセスが完了するまで、半導体
ウェーハを検査装置に搬送することができず、処理時間
が長くなってしまうといった問題があった。
う場合には、カセットに収納された全ての半導体ウェー
ハに対する半導体製造プロセスが完了するまで、半導体
ウェーハを検査装置に搬送することができず、処理時間
が長くなってしまうといった問題があった。
【００１０】通常、カセットに収容された複数枚の半導
体ウェーハから数枚の半導体ウェーハを抜き出して検査
する抜き取り検査を行うため、上述した全ての半導体ウ
ェーハに対する半導体製造プロセスが完了するまで、半
導体ウェーハの検査を行うことができないことは、生産
性が低下する大きな要因となってしまう。
体ウェーハから数枚の半導体ウェーハを抜き出して検査
する抜き取り検査を行うため、上述した全ての半導体ウ
ェーハに対する半導体製造プロセスが完了するまで、半
導体ウェーハの検査を行うことができないことは、生産
性が低下する大きな要因となってしまう。
【００１１】そこで、従来より半導体製造装置とともに
検査装置を半導体製造システムに組み込むインライン化
や、半導体製造装置に検査ユニットを組み込むモニタリ
ング化等が行われている。
検査装置を半導体製造システムに組み込むインライン化
や、半導体製造装置に検査ユニットを組み込むモニタリ
ング化等が行われている。
【００１２】しかしながら、インライン化の場合には、
外部からの振動等の影響を受けやすいことや、半導体ウ
ェーハの検査が抜き取り検査であること等を考慮する
と、能力バランスが悪く、コスト面からも必ずしも好ま
しいものではなかった。また、モニタリング化に関して
も、現在の要素技術で量産時の検査に置き換えることは
未だ困難とされている。
外部からの振動等の影響を受けやすいことや、半導体ウ
ェーハの検査が抜き取り検査であること等を考慮する
と、能力バランスが悪く、コスト面からも必ずしも好ま
しいものではなかった。また、モニタリング化に関して
も、現在の要素技術で量産時の検査に置き換えることは
未だ困難とされている。
【００１３】また、半導体ウェーハの検査では、表面状
態の確認等といった検査者の目視に頼る工程が多くある
ことから、上述した全ての半導体ウェーハに対する半導
体製造プロセスが完了した後に、半導体ウェーハの検査
を行うことが主流となっている。
態の確認等といった検査者の目視に頼る工程が多くある
ことから、上述した全ての半導体ウェーハに対する半導
体製造プロセスが完了した後に、半導体ウェーハの検査
を行うことが主流となっている。
【００１４】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、半導体ウェーハに対して半導体製
造プロセスを行いながら、同時に半導体ウェーハの検査
を行うことを可能とし、製造時間の短縮化ならびに品質
および歩留りの向上を可能とした半導体製造方法を提供
することにある。
であり、その目的は、半導体ウェーハに対して半導体製
造プロセスを行いながら、同時に半導体ウェーハの検査
を行うことを可能とし、製造時間の短縮化ならびに品質
および歩留りの向上を可能とした半導体製造方法を提供
することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の半導体製造方法は、所定数の半導体ウェー
ハを収納し識別情報が付された第１の容器、および識別
情報が付された第２の容器を第１の処理装置に設置し、
各容器の識別情報を記憶する工程と、前記第１の処理装
置により、前記半導体ウェーハに対して第１の処理を行
いながら、当該第１の処理が行われた一部の前記半導体
ウェーハを検査用ウェーハとして前記第２の容器に収納
する工程と、前記第２の容器を検査装置に設置し、前記
検査用ウェーハの検査を行う工程と、前記検査用ウェー
ハが良品と判定された場合に、前記第１の処理後の他の
半導体ウェーハを収納する前記第１の容器、および前記
検査後の前記検査用ウェーハを収納する前記第２の容器
を第２の処理装置に設置し、設置された各容器の識別情
報と前記記憶された各容器の識別情報とを照合する工程
と、前記第２の処理装置により、前記他の半導体ウェー
ハおよび前記検査用ウェーハに対して第２の処理を行
い、前記第２の処理後の前記検査用ウェーハを前記第１
の容器に戻す工程とを有する。
め、本発明の半導体製造方法は、所定数の半導体ウェー
ハを収納し識別情報が付された第１の容器、および識別
情報が付された第２の容器を第１の処理装置に設置し、
各容器の識別情報を記憶する工程と、前記第１の処理装
置により、前記半導体ウェーハに対して第１の処理を行
いながら、当該第１の処理が行われた一部の前記半導体
ウェーハを検査用ウェーハとして前記第２の容器に収納
する工程と、前記第２の容器を検査装置に設置し、前記
検査用ウェーハの検査を行う工程と、前記検査用ウェー
ハが良品と判定された場合に、前記第１の処理後の他の
半導体ウェーハを収納する前記第１の容器、および前記
検査後の前記検査用ウェーハを収納する前記第２の容器
を第２の処理装置に設置し、設置された各容器の識別情
報と前記記憶された各容器の識別情報とを照合する工程
と、前記第２の処理装置により、前記他の半導体ウェー
ハおよび前記検査用ウェーハに対して第２の処理を行
い、前記第２の処理後の前記検査用ウェーハを前記第１
の容器に戻す工程とを有する。
【００１６】前記検査用ウェーハとして前記第２の容器
に収納する工程において、前記検査用ウェーハとして取
り出された半導体ウェーハの前記第１の容器内における
位置情報を前記記憶された各容器の識別情報と関連づけ
て記憶しておき、前記検査用ウェーハを前記第１の容器
に戻す工程において、前記照合に基づいて前記記憶され
た位置情報を読み出し、前記検査用ウェーハを前記第１
の容器の元の位置に戻す。
に収納する工程において、前記検査用ウェーハとして取
り出された半導体ウェーハの前記第１の容器内における
位置情報を前記記憶された各容器の識別情報と関連づけ
て記憶しておき、前記検査用ウェーハを前記第１の容器
に戻す工程において、前記照合に基づいて前記記憶され
た位置情報を読み出し、前記検査用ウェーハを前記第１
の容器の元の位置に戻す。
【００１７】前記検査用ウェーハの検査を行う工程にお
いて、前記検査装置に設置された前記第２の容器の前記
識別情報と、前記記憶された第２の容器の識別情報とを
照合して、前記検査用ウェーハの検査結果を前記第１の
容器内の前記半導体ウェーハの検査結果として記憶す
る。
いて、前記検査装置に設置された前記第２の容器の前記
識別情報と、前記記憶された第２の容器の識別情報とを
照合して、前記検査用ウェーハの検査結果を前記第１の
容器内の前記半導体ウェーハの検査結果として記憶す
る。
【００１８】上記の本発明の半導体製造方法では、ま
ず、処理前に各容器の識別情報を記憶しておき、第１の
処理装置により、半導体ウェーハに対して第１の処理を
行いながら、当該第１の処理が行われた一部の半導体ウ
ェーハを検査用ウェーハとして第２の容器に収納する。
そして、第１の容器内の半導体ウェーハの処理を続けな
がら、検査用ウェーハの検査が検査装置によりなされ
る。そして、検査用ウェーハが良品と判定された場合に
は、以降のプロセス処理に進むため、第１の処理後の他
の半導体ウェーハを収納する第１の容器、および検査後
の検査用ウェーハを収納する第２の容器を第２の処理装
置に設置する。このとき、設置する際に、設置された各
容器の識別情報と、先の工程において記憶された各容器
の識別情報とを照合して第２の容器内の検査用ウェーハ
が第１の容器から取り出されたものであることを認識す
る。その後、第２の処理装置により、他の半導体ウェー
ハおよび検査用ウェーハに対して第２の処理を行い、第
２の処理後の検査用ウェーハを第１の容器に戻すことに
より所定数の半導体ウェーハが第１の容器に収納される
こととなる。以上のようにして、第２の容器内の検査用
ウェーハが、第１の容器から取り出されたものであるこ
との管理をしつつ、第１の処理工程と検査工程との並行
処理がなされる。
ず、処理前に各容器の識別情報を記憶しておき、第１の
処理装置により、半導体ウェーハに対して第１の処理を
行いながら、当該第１の処理が行われた一部の半導体ウ
ェーハを検査用ウェーハとして第２の容器に収納する。
そして、第１の容器内の半導体ウェーハの処理を続けな
がら、検査用ウェーハの検査が検査装置によりなされ
る。そして、検査用ウェーハが良品と判定された場合に
は、以降のプロセス処理に進むため、第１の処理後の他
の半導体ウェーハを収納する第１の容器、および検査後
の検査用ウェーハを収納する第２の容器を第２の処理装
置に設置する。このとき、設置する際に、設置された各
容器の識別情報と、先の工程において記憶された各容器
の識別情報とを照合して第２の容器内の検査用ウェーハ
が第１の容器から取り出されたものであることを認識す
る。その後、第２の処理装置により、他の半導体ウェー
ハおよび検査用ウェーハに対して第２の処理を行い、第
２の処理後の検査用ウェーハを第１の容器に戻すことに
より所定数の半導体ウェーハが第１の容器に収納される
こととなる。以上のようにして、第２の容器内の検査用
ウェーハが、第１の容器から取り出されたものであるこ
との管理をしつつ、第１の処理工程と検査工程との並行
処理がなされる。
【００１９】さらに、上記の目的を達成するため、本発
明の半導体製造方法は、所定数の半導体ウェーハを収納
し識別情報が付された第１の容器、および識別情報が付
された第２の容器を処理装置に設置し、各容器の識別情
報を記憶する工程と、前記処理装置により、前記半導体
ウェーハに対して所定の処理を行いながら、当該処理が
行われた一部の前記半導体ウェーハを検査用ウェーハと
して前記第２の容器に収納する工程と、前記検査用ウェ
ーハを収納する前記第２の容器、および前記処理後の他
の半導体ウェーハを収納する前記第１の容器を検査装置
に設置し、設置された各容器の識別情報と前記記憶され
た各容器の識別情報とを照合する工程と、前記検査装置
により、前記検査用ウェーハの検査を行い、前記検査後
の前記検査用ウェーハを前記第１の容器に戻す工程とを
有する。
明の半導体製造方法は、所定数の半導体ウェーハを収納
し識別情報が付された第１の容器、および識別情報が付
された第２の容器を処理装置に設置し、各容器の識別情
報を記憶する工程と、前記処理装置により、前記半導体
ウェーハに対して所定の処理を行いながら、当該処理が
行われた一部の前記半導体ウェーハを検査用ウェーハと
して前記第２の容器に収納する工程と、前記検査用ウェ
ーハを収納する前記第２の容器、および前記処理後の他
の半導体ウェーハを収納する前記第１の容器を検査装置
に設置し、設置された各容器の識別情報と前記記憶され
た各容器の識別情報とを照合する工程と、前記検査装置
により、前記検査用ウェーハの検査を行い、前記検査後
の前記検査用ウェーハを前記第１の容器に戻す工程とを
有する。
【００２０】前記検査用ウェーハとして前記第２の容器
に収納する工程において、前記検査用ウェーハとして取
り出された半導体ウェーハの前記第１の容器内における
位置情報を前記記憶された各容器の識別情報と関連づけ
て記憶しておき、前記検査用ウェーハを前記第１の容器
に戻す工程において、前記照合に基づいて前記記憶され
た位置情報を読み出し、前記検査用ウェーハを前記第１
の容器の元の位置に戻す。
に収納する工程において、前記検査用ウェーハとして取
り出された半導体ウェーハの前記第１の容器内における
位置情報を前記記憶された各容器の識別情報と関連づけ
て記憶しておき、前記検査用ウェーハを前記第１の容器
に戻す工程において、前記照合に基づいて前記記憶され
た位置情報を読み出し、前記検査用ウェーハを前記第１
の容器の元の位置に戻す。
【００２１】前記検査用ウェーハの検査を行う工程にお
いて、前記検査装置に設置された前記第２の容器の前記
識別情報と、前記記憶された第２の容器の識別情報とを
照合して、前記検査用ウェーハの検査結果を前記第１の
容器内の前記半導体ウェーハの検査結果として記憶す
る。
いて、前記検査装置に設置された前記第２の容器の前記
識別情報と、前記記憶された第２の容器の識別情報とを
照合して、前記検査用ウェーハの検査結果を前記第１の
容器内の前記半導体ウェーハの検査結果として記憶す
る。
【００２２】前記検査用ウェーハとして前記第２の容器
に収納する工程の後、前記検査用ウェーハを収納する前
記第２の容器、および前記処理後の他の半導体ウェーハ
を収納する前記第１の容器を検査装置に設置する工程の
前に、前記第２の容器を他の検査装置に設置し、前記検
査用ウェーハの他の検査を行う工程をさらに有する。
に収納する工程の後、前記検査用ウェーハを収納する前
記第２の容器、および前記処理後の他の半導体ウェーハ
を収納する前記第１の容器を検査装置に設置する工程の
前に、前記第２の容器を他の検査装置に設置し、前記検
査用ウェーハの他の検査を行う工程をさらに有する。
【００２３】上記の本発明の半導体製造方法では、ま
ず、処理前に各容器の識別情報を記憶しておき、処理装
置により、半導体ウェーハに対して所定の処理を行いな
がら、当該処理が行われた一部の半導体ウェーハを検査
用ウェーハとして第２の容器に収納する。そして、第２
の容器内の検査用ウェーハは、例えば、複数の検査工程
を経ることとなる。上記の検査工程の途中で、処理装置
による第１の容器内の他の半導体ウェーハの処理が完了
したら、その後の検査工程における検査装置に、検査用
ウェーハを収納する第２の容器、および処理後の他の半
導体ウェーハを収納する第１の容器を検査装置に設置す
る。この設置の際に、設置された各容器の識別情報と、
先の工程において記憶された各容器の識別情報とを照合
して第２の容器内の検査用ウェーハが第１の容器から取
り出されたものであることを認識する。その後、検査装
置により、検査用ウェーハの検査を行い、検査後の検査
用ウェーハを第１の容器に戻すことにより所定数の半導
体ウェーハが第１の容器に収納されることとなる。以上
のようにして、第２の容器内の検査用ウェーハが、第１
の容器から取り出されたものであることの管理をしつ
つ、処理工程と検査工程との並行処理がなされる。
ず、処理前に各容器の識別情報を記憶しておき、処理装
置により、半導体ウェーハに対して所定の処理を行いな
がら、当該処理が行われた一部の半導体ウェーハを検査
用ウェーハとして第２の容器に収納する。そして、第２
の容器内の検査用ウェーハは、例えば、複数の検査工程
を経ることとなる。上記の検査工程の途中で、処理装置
による第１の容器内の他の半導体ウェーハの処理が完了
したら、その後の検査工程における検査装置に、検査用
ウェーハを収納する第２の容器、および処理後の他の半
導体ウェーハを収納する第１の容器を検査装置に設置す
る。この設置の際に、設置された各容器の識別情報と、
先の工程において記憶された各容器の識別情報とを照合
して第２の容器内の検査用ウェーハが第１の容器から取
り出されたものであることを認識する。その後、検査装
置により、検査用ウェーハの検査を行い、検査後の検査
用ウェーハを第１の容器に戻すことにより所定数の半導
体ウェーハが第１の容器に収納されることとなる。以上
のようにして、第２の容器内の検査用ウェーハが、第１
の容器から取り出されたものであることの管理をしつ
つ、処理工程と検査工程との並行処理がなされる。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の半導体製造方法
の実施の形態として、リソグラフィー工程で使用される
インラインステッパに本発明を適用した例について、図
面を参照して説明する。
の実施の形態として、リソグラフィー工程で使用される
インラインステッパに本発明を適用した例について、図
面を参照して説明する。
【００２５】図１は本実施形態に係る半導体製造方法を
実施する半導体製造システムの概略構成図である。図１
に示すように、本実施形態に係る半導体製造システム
は、リソグラフィー工程で使用されるインラインステッ
パ１と、当該インラインステッパ１により形成されたパ
ターンの検査を行う検査装置２と、次工程の処理装置３
を有し、図示はしないが、処理装置３における処理の次
工程において使用する処理装置等がさらに配置されてい
る。上記のインラインステッパ１、検査装置２、処理装
置３は、ホストコンピュータ等の管理装置４へデータを
送受可能に構成されている。
実施する半導体製造システムの概略構成図である。図１
に示すように、本実施形態に係る半導体製造システム
は、リソグラフィー工程で使用されるインラインステッ
パ１と、当該インラインステッパ１により形成されたパ
ターンの検査を行う検査装置２と、次工程の処理装置３
を有し、図示はしないが、処理装置３における処理の次
工程において使用する処理装置等がさらに配置されてい
る。上記のインラインステッパ１、検査装置２、処理装
置３は、ホストコンピュータ等の管理装置４へデータを
送受可能に構成されている。
【００２６】半導体ウェーハは、複数枚（通常は２５枚
程度）毎にカセットに収納された状態、あるいは所定の
密閉式の容器にカセットごと収納された状態で、上記の
インラインステッパ１、検査装置２、処理装置３に搬送
されて処理されることとなる。なお、本実施形態におい
ては、カセットに収納された状態で各処理が行われる例
について説明する。
程度）毎にカセットに収納された状態、あるいは所定の
密閉式の容器にカセットごと収納された状態で、上記の
インラインステッパ１、検査装置２、処理装置３に搬送
されて処理されることとなる。なお、本実施形態におい
ては、カセットに収納された状態で各処理が行われる例
について説明する。
【００２７】図２に、インラインステッパ１の概略構成
図を示し、図３に、インラインステッパのブロック図を
示す。図２および図３に示すように、インラインステッ
パ１は、コータデベロッパ装置１ａおよびステッパ装置
１ｂがインライン構成されたものからなり、ローダ兼ア
ンローダ部１０、塗布部１１、現像部１２、露光部１
３、搬送部１４を有し、上記の各部１０〜１４をコント
ロールするコントロールユニットが制御部１５を中心に
構成されている。
図を示し、図３に、インラインステッパのブロック図を
示す。図２および図３に示すように、インラインステッ
パ１は、コータデベロッパ装置１ａおよびステッパ装置
１ｂがインライン構成されたものからなり、ローダ兼ア
ンローダ部１０、塗布部１１、現像部１２、露光部１
３、搬送部１４を有し、上記の各部１０〜１４をコント
ロールするコントロールユニットが制御部１５を中心に
構成されている。
【００２８】ローダ兼アンローダ部１０は、コータデベ
ロッパ装置１ａ側の端部に設けられており、例えば、半
導体ウェーハを収納するカセットをセットする４つのロ
ーダ兼アンローダ部１０ａ〜１０ｄを有し、４つのカセ
ットまでセットすることができるようになっている。
ロッパ装置１ａ側の端部に設けられており、例えば、半
導体ウェーハを収納するカセットをセットする４つのロ
ーダ兼アンローダ部１０ａ〜１０ｄを有し、４つのカセ
ットまでセットすることができるようになっている。
【００２９】塗布部（コータ部）１１は、コータデベロ
ッパ装置１ａ側に設けられ、例えば、スピンコータによ
り構成される。塗布部１１は、半導体ウェーハ上に所望
の液状のフォトレジスト等を滴下し、半導体ウェーハを
所定の回転数で回転させることで、膜厚が半導体ウェー
ハの全面に渡って略均等となるように塗布する。
ッパ装置１ａ側に設けられ、例えば、スピンコータによ
り構成される。塗布部１１は、半導体ウェーハ上に所望
の液状のフォトレジスト等を滴下し、半導体ウェーハを
所定の回転数で回転させることで、膜厚が半導体ウェー
ハの全面に渡って略均等となるように塗布する。
【００３０】現像部（デベロッパ部）１２は、コータデ
ベロッパ装置１ａ側に設けられ、例えば、スピンデベロ
ッパにより構成される。現像部１２は、露光された半導
体ウェーハに現像液を滴下し、半導体ウェーハを所定の
回転数で回転させることでむらなく現像し、さらに現像
溶液を除去する。
ベロッパ装置１ａ側に設けられ、例えば、スピンデベロ
ッパにより構成される。現像部１２は、露光された半導
体ウェーハに現像液を滴下し、半導体ウェーハを所定の
回転数で回転させることでむらなく現像し、さらに現像
溶液を除去する。
【００３１】露光部１３は、ステッパ装置１ｂ側に設け
られており、塗布部１１によりレジスト等が塗布された
半導体ウェーハに対し、例えば、マスクパターンの投影
像を半導体ウェーハに繰り返しステップすることにより
露光する。
られており、塗布部１１によりレジスト等が塗布された
半導体ウェーハに対し、例えば、マスクパターンの投影
像を半導体ウェーハに繰り返しステップすることにより
露光する。
【００３２】搬送部１４は、図示しない搬送ロボット等
を有し、ローダ兼アンローダ部１０にセットされたカセ
ットから半導体ウェーハを一枚ずつ取り出し、塗布部１
１、露光部１３、現像部１２の順に各処理部へ搬送し、
現像された半導体ウェーハをローダ兼アンローダ部１０
にセットされたカセットへ戻す。
を有し、ローダ兼アンローダ部１０にセットされたカセ
ットから半導体ウェーハを一枚ずつ取り出し、塗布部１
１、露光部１３、現像部１２の順に各処理部へ搬送し、
現像された半導体ウェーハをローダ兼アンローダ部１０
にセットされたカセットへ戻す。
【００３３】上記の各部１０〜１４をコントロールする
コントロールユニットが、マイクロコンピュータ等から
なる制御部１５を中心に構成され、制御部１５以外に表
示部１６、操作部１７およびメモリ部１８等を有してお
り、さらに、ＩＤリーダ１９が設けられている。
コントロールユニットが、マイクロコンピュータ等から
なる制御部１５を中心に構成され、制御部１５以外に表
示部１６、操作部１７およびメモリ部１８等を有してお
り、さらに、ＩＤリーダ１９が設けられている。
【００３４】表示部１６は、制御部１５からの制御情報
に基づいて、各種設定に係わる表示等を行う。また、表
示部１６には、表示板以外にも、例えば、警告表示等を
知らせるためのブザーやシグナルタワー等が設けられて
いる。
に基づいて、各種設定に係わる表示等を行う。また、表
示部１６には、表示板以外にも、例えば、警告表示等を
知らせるためのブザーやシグナルタワー等が設けられて
いる。
【００３５】操作部１７には、各種設定スイッチやテン
キー等が設けられており、操作者によりこの設定スイッ
チやテンキー等が操作されることで、処理対象とされる
半導体ウェーハの種類や塗布するフォトレジスト等の種
類に応じた各部処理に係わる情報が入力される。
キー等が設けられており、操作者によりこの設定スイッ
チやテンキー等が操作されることで、処理対象とされる
半導体ウェーハの種類や塗布するフォトレジスト等の種
類に応じた各部処理に係わる情報が入力される。
【００３６】メモリ部１８には、例えば、リソグラフィ
ー処理を行う各部１１〜１３の制御を行うために、各部
１１〜１３へのプロセスシーケンスおよび制御パラメー
タに関する処理プログラムが記録されている。
ー処理を行う各部１１〜１３の制御を行うために、各部
１１〜１３へのプロセスシーケンスおよび制御パラメー
タに関する処理プログラムが記録されている。
【００３７】ＩＤリーダ１９は、例えば、バーコードリ
ーダにより構成されており、本実施形態においては、後
述するようにカセットの側面にロットＩＤが付されてお
り、カセットをローダ兼アンローダ部１０にセットする
前に、カセットに付されたロットＩＤを読み取り、制御
部１５へ出力する。
ーダにより構成されており、本実施形態においては、後
述するようにカセットの側面にロットＩＤが付されてお
り、カセットをローダ兼アンローダ部１０にセットする
前に、カセットに付されたロットＩＤを読み取り、制御
部１５へ出力する。
【００３８】制御部１５は、ローダ兼アンローダ部１
０、塗布部１１、現像部１２、露光部１３、搬送部１４
のそれぞれにバスにより接続されており、双方向にデー
タの授受が可能となっている。制御部１５は、操作部１
７の設定スイッチの状態や処理対象とされる半導体ウェ
ーハに応じて予めメモリ部１８に記録されている情報に
基づいて各部１１〜１４に制御情報を出力し、インライ
ンステッパ全体としてそれぞれの場合に応じて所定の順
序および条件で各処理がなされるように全体の動作を制
御する。また、ＩＤリーダ１９からカセットのＩＤを入
力し、当該処理対象のカセットのＩＤを管理装置４へ送
信する。
０、塗布部１１、現像部１２、露光部１３、搬送部１４
のそれぞれにバスにより接続されており、双方向にデー
タの授受が可能となっている。制御部１５は、操作部１
７の設定スイッチの状態や処理対象とされる半導体ウェ
ーハに応じて予めメモリ部１８に記録されている情報に
基づいて各部１１〜１４に制御情報を出力し、インライ
ンステッパ全体としてそれぞれの場合に応じて所定の順
序および条件で各処理がなされるように全体の動作を制
御する。また、ＩＤリーダ１９からカセットのＩＤを入
力し、当該処理対象のカセットのＩＤを管理装置４へ送
信する。
【００３９】管理装置４は、上述したように、半導体ウ
ェーハの処理や検査の情報を管理するものであり、制御
部１５と所定の情報を送受信可能に構成されており、制
御部１５における各種の制御に対し指示を与える。
ェーハの処理や検査の情報を管理するものであり、制御
部１５と所定の情報を送受信可能に構成されており、制
御部１５における各種の制御に対し指示を与える。
【００４０】上記構成のインラインステッパ１では、ロ
ーダ兼アンローダ部１０に、半導体ウェーハが収納され
たカセットが設置されると、搬送部１４の図示しない搬
送ロボットにより、カセットの中から半導体ウェーハが
取り出され、塗布部１１、露光部１３、現像部１２の順
に搬送されていく。上記の各部１１，１３，１２におい
て、半導体ウェーハに、順にレジスト等の塗布処理、露
光処理、現像処理がなされる。そして、現像部１２によ
る処理後に、半導体ウェーハ上にレジスト等のパターン
が形成されて、搬送部１４により、ローダ兼アンローダ
部１０の元のカセットの位置に戻されることとなる。以
上の処理がカセット内の各半導体ウェーハに対して順に
なされていく。
ーダ兼アンローダ部１０に、半導体ウェーハが収納され
たカセットが設置されると、搬送部１４の図示しない搬
送ロボットにより、カセットの中から半導体ウェーハが
取り出され、塗布部１１、露光部１３、現像部１２の順
に搬送されていく。上記の各部１１，１３，１２におい
て、半導体ウェーハに、順にレジスト等の塗布処理、露
光処理、現像処理がなされる。そして、現像部１２によ
る処理後に、半導体ウェーハ上にレジスト等のパターン
が形成されて、搬送部１４により、ローダ兼アンローダ
部１０の元のカセットの位置に戻されることとなる。以
上の処理がカセット内の各半導体ウェーハに対して順に
なされていく。
【００４１】上記のインラインステッパ１においては、
例えば、一つのローダ兼アンローダ部１０ａに処理用の
半導体ウェーハを収納したカセットをセットし、もう一
つの空のカセットを他のローダ兼アンローダ部１０ｂに
セットした場合に、管理装置４からの制御部１５への指
示により、検査後の検査用ウェーハの搬送先を元のカセ
ットの位置とは異なる、もう一つのカセットに戻すこと
ができるようになっている。上記の設定およびＩＤリー
ダ１９を使用した本実施形態に係る半導体製造方法につ
いては、後述する。
例えば、一つのローダ兼アンローダ部１０ａに処理用の
半導体ウェーハを収納したカセットをセットし、もう一
つの空のカセットを他のローダ兼アンローダ部１０ｂに
セットした場合に、管理装置４からの制御部１５への指
示により、検査後の検査用ウェーハの搬送先を元のカセ
ットの位置とは異なる、もう一つのカセットに戻すこと
ができるようになっている。上記の設定およびＩＤリー
ダ１９を使用した本実施形態に係る半導体製造方法につ
いては、後述する。
【００４２】図４に、検査装置のブロック図を示す。検
査装置２は、ローダ兼アンローダ部２０、検査部２１、
搬送部２４を有し、上記の各部２０，２１，２４をコン
トロールする制御部２５を中心としたコントロールユニ
ットが設けられている。なお、上記のインラインステッ
パ１によるリソグラフィー処理を行う検査は通常、後述
する複数の検査処理を経る必要があり、そのため、図４
には一つの検査装置のブロック図を示してあるが、各検
査工程毎に図４に示すような所定の検査を行う検査装置
が設置されている。
査装置２は、ローダ兼アンローダ部２０、検査部２１、
搬送部２４を有し、上記の各部２０，２１，２４をコン
トロールする制御部２５を中心としたコントロールユニ
ットが設けられている。なお、上記のインラインステッ
パ１によるリソグラフィー処理を行う検査は通常、後述
する複数の検査処理を経る必要があり、そのため、図４
には一つの検査装置のブロック図を示してあるが、各検
査工程毎に図４に示すような所定の検査を行う検査装置
が設置されている。
【００４３】ローダ兼アンローダ部２０は、後述するよ
うに、本実施形態に係る半導体製造方法を実施するた
め、少なくともローダ兼アンローダ部が２以上あるもの
を使用する。
うに、本実施形態に係る半導体製造方法を実施するた
め、少なくともローダ兼アンローダ部が２以上あるもの
を使用する。
【００４４】検査部２１は、例えば、ＳＥＭによるパタ
ーンの寸法検査、あるいは、前のレイヤーとの重ね合わ
せ検査、あるいは、表面目視検査等の複数項目に渡って
検査を行うものであり、これらの検査方法については、
周知であるため、詳細は省略する。
ーンの寸法検査、あるいは、前のレイヤーとの重ね合わ
せ検査、あるいは、表面目視検査等の複数項目に渡って
検査を行うものであり、これらの検査方法については、
周知であるため、詳細は省略する。
【００４５】搬送部２４は、図示しない搬送ロボット等
を有し、ローダ兼アンローダ部２０にセットされた複数
枚の半導体ウェーハを収納するカセットから半導体ウェ
ーハを一枚ずつ取り出し、検査部２１へ搬送し、検査後
の半導体ウェーハをローダ兼アンローダ部２０にセット
されたカセットへ戻す。
を有し、ローダ兼アンローダ部２０にセットされた複数
枚の半導体ウェーハを収納するカセットから半導体ウェ
ーハを一枚ずつ取り出し、検査部２１へ搬送し、検査後
の半導体ウェーハをローダ兼アンローダ部２０にセット
されたカセットへ戻す。
【００４６】上記の各部２０，２１，２４をコントロー
ルするコントロールユニットが、マイクロコンピュータ
等からなる制御部２５を中心に構成され、制御部２５以
外に表示部２６、操作部２７およびメモリ部２８等を有
しており、さらにＩＤリーダ２９が設けられている。
ルするコントロールユニットが、マイクロコンピュータ
等からなる制御部２５を中心に構成され、制御部２５以
外に表示部２６、操作部２７およびメモリ部２８等を有
しており、さらにＩＤリーダ２９が設けられている。
【００４７】表示部２６は、制御部２５からの制御情報
に基づいて、各種設定に係わる表示等を行う。また、表
示部２６には、表示板以外にも、例えば、警告表示等を
知らせるためのブザーやシグナルタワー等が設けられて
いる。
に基づいて、各種設定に係わる表示等を行う。また、表
示部２６には、表示板以外にも、例えば、警告表示等を
知らせるためのブザーやシグナルタワー等が設けられて
いる。
【００４８】操作部２７には、各種設定スイッチやテン
キー等が設けられており、操作者によりこの設定スイッ
チやテンキー等が操作されることで、検査対象とされる
半導体ウェーハの種類や先の工程で塗布したフォトレジ
スト等の種類に応じた各部検査処理に係わる情報が入力
される。
キー等が設けられており、操作者によりこの設定スイッ
チやテンキー等が操作されることで、検査対象とされる
半導体ウェーハの種類や先の工程で塗布したフォトレジ
スト等の種類に応じた各部検査処理に係わる情報が入力
される。
【００４９】メモリ部２８には、例えば、各検査処理を
行うための処理プログラムが記録されている。
行うための処理プログラムが記録されている。
【００５０】ＩＤリーダ２９は、例えば、バーコードリ
ーダにより構成されており、本実施形態においては、後
述するようにカセットの側面にロットＩＤが付されてお
り、カセットをローダ兼アンローダ部２０にセットする
前に、カセットに付されたロットＩＤを読み取り、制御
部２５へ出力する。
ーダにより構成されており、本実施形態においては、後
述するようにカセットの側面にロットＩＤが付されてお
り、カセットをローダ兼アンローダ部２０にセットする
前に、カセットに付されたロットＩＤを読み取り、制御
部２５へ出力する。
【００５１】制御部２５は、ローダ兼アンローダ部２
０、検査部２１、搬送部２４のそれぞれにバスにより接
続されており、双方向にデータの授受が可能となってい
る。制御部２５は、操作部２７の設定スイッチの状態や
検査対象となるウェーハに応じて予めメモリ部２８に記
録されている情報に基づいて各部に制御情報を出力し、
検査装置全体の動作を制御する。また、ＩＤリーダ２９
からカセットのＩＤを入力し、当該検査対象のカセット
のＩＤを管理装置４へ送信する。
０、検査部２１、搬送部２４のそれぞれにバスにより接
続されており、双方向にデータの授受が可能となってい
る。制御部２５は、操作部２７の設定スイッチの状態や
検査対象となるウェーハに応じて予めメモリ部２８に記
録されている情報に基づいて各部に制御情報を出力し、
検査装置全体の動作を制御する。また、ＩＤリーダ２９
からカセットのＩＤを入力し、当該検査対象のカセット
のＩＤを管理装置４へ送信する。
【００５２】管理装置４は、上述したように、半導体ウ
ェーハの処理や検査の情報を管理するものであり、制御
部２５と所定の情報を送受信可能に構成されており、制
御部２５における各種の制御に対し指示を与える。
ェーハの処理や検査の情報を管理するものであり、制御
部２５と所定の情報を送受信可能に構成されており、制
御部２５における各種の制御に対し指示を与える。
【００５３】上記構成の検査装置２では、ローダ兼アン
ローダ部２０に、検査用ウェーハが収納されたカセット
が設置されると、搬送部２４の図示しない搬送ロボット
により、カセットの中から検査用ウェーハが取り出さ
れ、検査処理を行う検査部２１へ搬送される。上記の検
査部２１において、所定の検査処理がなされ、検査後
に、搬送部２４により、ローダ兼アンローダ部２０の所
定のカセット内に戻されることとなる。そして、同様の
ローダ兼アンローダ機構を有する次の検査装置のローダ
兼アンローダ部にカセットを設置し、次の検査処理がな
され、検査後の検査用ウェーハがローダ兼アンローダ部
の所定のカセット内に戻されることとなる。インライン
ステッパ１によるリソグラフィー処理後の検査の場合に
は、通常、３つの検査装置による検査をうけ、第１の検
査装置による検査工程として、ＳＥＭによるウェーハ上
に形成されたパターンの寸法測定が行わ、第２の検査装
置による検査工程として、前のレイヤーとの重ね合わせ
のずれ量の測定が行われ、第３の検査装置による検査工
程として、ウェーハ上に形成されたパターンに傷がない
か等の表面目視検査が行われる。以上の処理がカセット
内の各検査用ウェーハに対して順になされていく。
ローダ部２０に、検査用ウェーハが収納されたカセット
が設置されると、搬送部２４の図示しない搬送ロボット
により、カセットの中から検査用ウェーハが取り出さ
れ、検査処理を行う検査部２１へ搬送される。上記の検
査部２１において、所定の検査処理がなされ、検査後
に、搬送部２４により、ローダ兼アンローダ部２０の所
定のカセット内に戻されることとなる。そして、同様の
ローダ兼アンローダ機構を有する次の検査装置のローダ
兼アンローダ部にカセットを設置し、次の検査処理がな
され、検査後の検査用ウェーハがローダ兼アンローダ部
の所定のカセット内に戻されることとなる。インライン
ステッパ１によるリソグラフィー処理後の検査の場合に
は、通常、３つの検査装置による検査をうけ、第１の検
査装置による検査工程として、ＳＥＭによるウェーハ上
に形成されたパターンの寸法測定が行わ、第２の検査装
置による検査工程として、前のレイヤーとの重ね合わせ
のずれ量の測定が行われ、第３の検査装置による検査工
程として、ウェーハ上に形成されたパターンに傷がない
か等の表面目視検査が行われる。以上の処理がカセット
内の各検査用ウェーハに対して順になされていく。
【００５４】上記の各検査装置２においては、インライ
ンステッパ１と同様に、例えば、一つのローダ兼アンロ
ーダ部２０に検査用ウェーハを収納したカセットをセッ
トし、もう一つのカセットを他のローダ兼アンローダ部
２０にセットした場合に、管理装置４からの制御部２５
への指示により、検査後の検査用ウェーハの搬送先を元
のカセットの位置とは異なるカセットに戻すことができ
るようになっている。上記の設定およびＩＤリーダ２９
を使用した本実施形態に係る半導体製造方法について
は、後述する。
ンステッパ１と同様に、例えば、一つのローダ兼アンロ
ーダ部２０に検査用ウェーハを収納したカセットをセッ
トし、もう一つのカセットを他のローダ兼アンローダ部
２０にセットした場合に、管理装置４からの制御部２５
への指示により、検査後の検査用ウェーハの搬送先を元
のカセットの位置とは異なるカセットに戻すことができ
るようになっている。上記の設定およびＩＤリーダ２９
を使用した本実施形態に係る半導体製造方法について
は、後述する。
【００５５】図５に、処理装置３の概略構成図を示し、
図６に、処理装置３のブロック図を示す。図５および図
６に示すように、処理装置３は、ローダ兼アンローダ部
３０、処理部３１、搬送部３４を有し、上記の各部３
０，３１，３４をコントロールする制御部３５を中心と
したコントロールユニットが設けられている。
図６に、処理装置３のブロック図を示す。図５および図
６に示すように、処理装置３は、ローダ兼アンローダ部
３０、処理部３１、搬送部３４を有し、上記の各部３
０，３１，３４をコントロールする制御部３５を中心と
したコントロールユニットが設けられている。
【００５６】ローダ兼アンローダ部３０は、後述するよ
うに、本実施形態に係る半導体製造方法を実施するた
め、少なくとも２以上のローダ兼アンローダ部３０ａ，
３０ｂを有するものを使用する。
うに、本実施形態に係る半導体製造方法を実施するた
め、少なくとも２以上のローダ兼アンローダ部３０ａ，
３０ｂを有するものを使用する。
【００５７】処理部３１は、例えば、二つのプロセスチ
ャンバ３１ａ，３１ｂを有し、インラインステッパ１に
よるリソグラフィー後の工程として、各チャンバ３１
ａ，３１ｂにおいて、レジストパターンが形成された半
導体ウェーハに対してエッチング加工工程、あるいはイ
オン注入工程、あるいは蒸着法やスパッタリング法等に
よる薄膜形成工程を行うものであり、その処理は問わな
い。
ャンバ３１ａ，３１ｂを有し、インラインステッパ１に
よるリソグラフィー後の工程として、各チャンバ３１
ａ，３１ｂにおいて、レジストパターンが形成された半
導体ウェーハに対してエッチング加工工程、あるいはイ
オン注入工程、あるいは蒸着法やスパッタリング法等に
よる薄膜形成工程を行うものであり、その処理は問わな
い。
【００５８】搬送部３４は、搬送チャンバ３４ａ内に設
置された搬送アーム３４ｂを備え、この搬送アーム３４
ｂによってローダ兼アンローダ部３０にセットされたカ
セットから半導体ウェーハを一枚ずつ取り出し、処理部
３１へ搬送し、処理後の半導体ウェーハをローダ兼アン
ローダ部３０にセットされたカセットへ戻す。
置された搬送アーム３４ｂを備え、この搬送アーム３４
ｂによってローダ兼アンローダ部３０にセットされたカ
セットから半導体ウェーハを一枚ずつ取り出し、処理部
３１へ搬送し、処理後の半導体ウェーハをローダ兼アン
ローダ部３０にセットされたカセットへ戻す。
【００５９】上記の各部３０，３１，３４をコントロー
ルするコントロールユニットが、マイクロコンピュータ
等からなる制御部３５を中心に構成され、制御部３５以
外に表示部３６、操作部３７およびメモリ部３８等を有
しており、さらにＩＤリーダ３９が設けられている。
ルするコントロールユニットが、マイクロコンピュータ
等からなる制御部３５を中心に構成され、制御部３５以
外に表示部３６、操作部３７およびメモリ部３８等を有
しており、さらにＩＤリーダ３９が設けられている。
【００６０】表示部３６は、制御部３５からの制御情報
に基づいて、各種設定に係わる表示等を行う。また、表
示部３６には、表示板以外にも、例えば、警告表示等を
知らせるためのブザーやシグナルタワー等が設けられて
いる。
に基づいて、各種設定に係わる表示等を行う。また、表
示部３６には、表示板以外にも、例えば、警告表示等を
知らせるためのブザーやシグナルタワー等が設けられて
いる。
【００６１】操作部３７には、各種設定スイッチやテン
キー等が設けられており、操作者によりこの設定スイッ
チやテンキー等が操作されることで、処理対象とされる
半導体ウェーハに応じた各処理に係わる情報が入力され
る。
キー等が設けられており、操作者によりこの設定スイッ
チやテンキー等が操作されることで、処理対象とされる
半導体ウェーハに応じた各処理に係わる情報が入力され
る。
【００６２】メモリ部３８には、例えば、所定のプロセ
ス処理を行うための処理プログラムが記録されている。
ス処理を行うための処理プログラムが記録されている。
【００６３】ＩＤリーダ３９は、例えば、バーコードリ
ーダにより構成されており、本実施形態においては、後
述するようにカセットの側面にロットＩＤが付されてお
り、カセットをローダ兼アンローダ部３０にセットする
前に、カセットに付されたロットＩＤを読み取り、制御
部３５へ出力する。
ーダにより構成されており、本実施形態においては、後
述するようにカセットの側面にロットＩＤが付されてお
り、カセットをローダ兼アンローダ部３０にセットする
前に、カセットに付されたロットＩＤを読み取り、制御
部３５へ出力する。
【００６４】制御部３５は、ローダ兼アンローダ部３
０、処理部３１、搬送部３４のそれぞれにバスにより接
続されており、双方向にデータの授受が可能となってい
る。制御部３５は、操作部３７の設定スイッチの状態や
処理対象とされる半導体ウェーハに応じて予めメモリ部
３８に記録されている情報に基づいて各部に制御情報を
出力し、処理装置全体の動作を制御する。また、ＩＤリ
ーダ３９からカセットのＩＤを入力し、当該処理対象の
カセットのＩＤを管理装置４へ送信する。
０、処理部３１、搬送部３４のそれぞれにバスにより接
続されており、双方向にデータの授受が可能となってい
る。制御部３５は、操作部３７の設定スイッチの状態や
処理対象とされる半導体ウェーハに応じて予めメモリ部
３８に記録されている情報に基づいて各部に制御情報を
出力し、処理装置全体の動作を制御する。また、ＩＤリ
ーダ３９からカセットのＩＤを入力し、当該処理対象の
カセットのＩＤを管理装置４へ送信する。
【００６５】管理装置４は、上述したように、半導体ウ
ェーハの処理や検査の情報を管理するものであり、制御
部３５と所定の情報を送受信可能に構成されており、制
御部３５における各種の制御に対し指示を与える。
ェーハの処理や検査の情報を管理するものであり、制御
部３５と所定の情報を送受信可能に構成されており、制
御部３５における各種の制御に対し指示を与える。
【００６６】上記構成の処理装置３では、ローダ兼アン
ローダ部３０に、半導体ウェーハが収納されたカセット
が設置されると、搬送部３４の搬送ロボット３４ｂによ
り、カセットの中から半導体ウェーハが取り出され、処
理部３１へ搬送される。上記の処理部３１において、例
えば、エッチング加工、あるいはイオン注入、あるいは
蒸着やスパッタリング等による薄膜形成が行われる。そ
して、処理部３１による処理後、搬送部３４により、ロ
ーダ兼アンローダ部３０にセットされたカセットに戻さ
れることとなる。以上の処理がカセット内の各半導体ウ
ェーハに対して順になされていく。
ローダ部３０に、半導体ウェーハが収納されたカセット
が設置されると、搬送部３４の搬送ロボット３４ｂによ
り、カセットの中から半導体ウェーハが取り出され、処
理部３１へ搬送される。上記の処理部３１において、例
えば、エッチング加工、あるいはイオン注入、あるいは
蒸着やスパッタリング等による薄膜形成が行われる。そ
して、処理部３１による処理後、搬送部３４により、ロ
ーダ兼アンローダ部３０にセットされたカセットに戻さ
れることとなる。以上の処理がカセット内の各半導体ウ
ェーハに対して順になされていく。
【００６７】上記の処理装置３においては、先のインラ
インステッパ１および検査装置２と同様に、例えば、一
つのローダ兼アンローダ部３０ａに半導体ウェーハを収
納したカセットＡをセットし、もう一つのカセットＢを
他のローダ兼アンローダ部３０ｂにセットした場合に、
管理装置４からの制御部３５への指示により、処理後の
半導体ウェーハの搬送先を元のカセットとは異なるカセ
ットに戻すことができるようになっている。上記の設定
およびＩＤリーダ３９を使用した本実施形態に係る半導
体製造方法については、後述する。
インステッパ１および検査装置２と同様に、例えば、一
つのローダ兼アンローダ部３０ａに半導体ウェーハを収
納したカセットＡをセットし、もう一つのカセットＢを
他のローダ兼アンローダ部３０ｂにセットした場合に、
管理装置４からの制御部３５への指示により、処理後の
半導体ウェーハの搬送先を元のカセットとは異なるカセ
ットに戻すことができるようになっている。上記の設定
およびＩＤリーダ３９を使用した本実施形態に係る半導
体製造方法については、後述する。
【００６８】上記の本実施形態に係る半導体製造システ
ムを用いて、半導体ウェーハに対して半導体製造プロセ
スを行いながら、半導体ウェーハの検査を行う手順につ
いて、図７に示す各カセット内の半導体ウェーハの処理
フローを用いて説明する。
ムを用いて、半導体ウェーハに対して半導体製造プロセ
スを行いながら、半導体ウェーハの検査を行う手順につ
いて、図７に示す各カセット内の半導体ウェーハの処理
フローを用いて説明する。
【００６９】まず、ステップＳＴ１において、図８に示
すように、リソグラフィー工程の対象となる半導体ウェ
ーハを収納するカセットＡを、例えば、インラインステ
ッパ１のローダ兼アンローダ部１０ａにセットし、検査
用ウェーハを収納するための空のカセットＢを、例え
ば、ローダ兼アンローダ部１０ｂにセットする。ここ
で、カセットＡには、例えば、バーコードや書き込み、
読み取り可能なＴＡＧ等のロットＩＤが付されている。
また、空のカセットＢにも、同様に、バーコードや書き
込み、読み取り可能なＴＡＧ等のロットＩＤを付してお
く。そして、上記のカセットＡ，Ｂをローダ兼アンロー
ダ部１０ａ，１０ｂにセットする際に、カセットＡ、空
のカセットＢのそれぞれのロットＩＤをＩＤリーダ１９
により読み取り、制御部１５により、当該読み取られた
カセットＡ，Ｂの各ＩＤを管理装置４へ送信する。そし
て、管理装置４によって、受信したカセットＡのＩＤに
基づいて、予め記憶された当該カセットＡのインライン
ステッパ１によるリソグラフィー処理後の検査用ウェー
ハを特定し、処理後のカセットＡ内の半導体ウェーハの
何スロット目（例えば、カセットＡの１スロット目、３
スロット目、５スロット目）のウェーハを、カセットＢ
の何スロット目に搬送するかの指示を制御部１５へ送信
する。また、管理装置４側では、当該受信したカセット
Ａ，Ｂの各ＩＤと、制御部１５へカセットＡ内の何スロ
ット目のウェーハをカセットＢ内の何スロット目に搬送
するよう指示したかの位置情報が記憶管理される。
すように、リソグラフィー工程の対象となる半導体ウェ
ーハを収納するカセットＡを、例えば、インラインステ
ッパ１のローダ兼アンローダ部１０ａにセットし、検査
用ウェーハを収納するための空のカセットＢを、例え
ば、ローダ兼アンローダ部１０ｂにセットする。ここ
で、カセットＡには、例えば、バーコードや書き込み、
読み取り可能なＴＡＧ等のロットＩＤが付されている。
また、空のカセットＢにも、同様に、バーコードや書き
込み、読み取り可能なＴＡＧ等のロットＩＤを付してお
く。そして、上記のカセットＡ，Ｂをローダ兼アンロー
ダ部１０ａ，１０ｂにセットする際に、カセットＡ、空
のカセットＢのそれぞれのロットＩＤをＩＤリーダ１９
により読み取り、制御部１５により、当該読み取られた
カセットＡ，Ｂの各ＩＤを管理装置４へ送信する。そし
て、管理装置４によって、受信したカセットＡのＩＤに
基づいて、予め記憶された当該カセットＡのインライン
ステッパ１によるリソグラフィー処理後の検査用ウェー
ハを特定し、処理後のカセットＡ内の半導体ウェーハの
何スロット目（例えば、カセットＡの１スロット目、３
スロット目、５スロット目）のウェーハを、カセットＢ
の何スロット目に搬送するかの指示を制御部１５へ送信
する。また、管理装置４側では、当該受信したカセット
Ａ，Ｂの各ＩＤと、制御部１５へカセットＡ内の何スロ
ット目のウェーハをカセットＢ内の何スロット目に搬送
するよう指示したかの位置情報が記憶管理される。
【００７０】次に、ステップＳＴ２において、インライ
ンステッパ１により、レジスト塗布処理、露光処理、現
像処理等のリソグラフィー処理が各半導体ウェーハにな
されることとなる。このとき、先の管理装置４からの指
示を受けた制御部１５によって搬送部１４の制御が行わ
れ、例えば２５枚の半導体ウェーハが収納されたカセッ
トＡ内の半導体ウェーハのリソグラフィー処理におい
て、５スロット目の半導体ウェーハの処理が終わった時
点で検査用のカセットＢには、一スロット目、３スロッ
ト目、５スロット目の検査用ウェーハが収納されること
となる（ステップＳＴ４）。なお、インラインステッパ
１内において、引き続き、６スロット目以降の半導体ウ
ェーハのリソグラフィー処理が行われている。
ンステッパ１により、レジスト塗布処理、露光処理、現
像処理等のリソグラフィー処理が各半導体ウェーハにな
されることとなる。このとき、先の管理装置４からの指
示を受けた制御部１５によって搬送部１４の制御が行わ
れ、例えば２５枚の半導体ウェーハが収納されたカセッ
トＡ内の半導体ウェーハのリソグラフィー処理におい
て、５スロット目の半導体ウェーハの処理が終わった時
点で検査用のカセットＢには、一スロット目、３スロッ
ト目、５スロット目の検査用ウェーハが収納されること
となる（ステップＳＴ４）。なお、インラインステッパ
１内において、引き続き、６スロット目以降の半導体ウ
ェーハのリソグラフィー処理が行われている。
【００７１】ステップＳＴ４において、検査用のカセッ
トＢ内に検査用ウェーハが全て収納されると、インライ
ンステッパ１のローダ兼アンローダ部１０ｂからカセッ
トＢを取り出し、このカセットＢを各検査装置２に搬送
する。ところで、インラインステッパ１には、カセット
Ｂがローダ兼アンローダ部１０ｂから取り出し可能なこ
とを作業者に通知する通知手段として、例えば、ブザー
やシグナルタワー等を備えていることから、作業者は、
検査用ウェーハがカセットＢに回収されたことを容易に
知ることができ、このカセットＢを直ちに検査装置２へ
と搬送することができる。
トＢ内に検査用ウェーハが全て収納されると、インライ
ンステッパ１のローダ兼アンローダ部１０ｂからカセッ
トＢを取り出し、このカセットＢを各検査装置２に搬送
する。ところで、インラインステッパ１には、カセット
Ｂがローダ兼アンローダ部１０ｂから取り出し可能なこ
とを作業者に通知する通知手段として、例えば、ブザー
やシグナルタワー等を備えていることから、作業者は、
検査用ウェーハがカセットＢに回収されたことを容易に
知ることができ、このカセットＢを直ちに検査装置２へ
と搬送することができる。
【００７２】次に、検査用ウェーハを収納するカセット
Ｂを、例えば、検査装置２のローダ兼アンローダ部２０
にセットし、各検査装置２毎に、各検査処理が行われる
（ステップＳＴ５，ＳＴ６，ＳＴ７）。このカセットＢ
のローダ兼アンローダ部２０へのセットの際に、カセッ
トＢのロットＩＤを検査装置２のＩＤリーダ２９により
読み取り、制御部２５により、当該読み取られたカセッ
トＢのＩＤを管理装置４へ送信する。この検査装置２に
よる検査処理として、まず、走査型電子顕微鏡（ＳＥ
Ｍ）によるウェーハ上に形成されたパターンの寸法測定
が行われる（ステップＳＴ５）。そして、次の検査装置
２により、前のレイヤーとの重ね合わせのずれ量の測定
が行われる（ステップＳＴ６）。最後に、ウェーハ上に
形成されたパターンに傷がないか等の目視検査が行われ
ることとなる（ステップＳＴ７）。そして、上記の各検
査装置２による検査結果は、制御部２５により、管理装
置４に送信される。管理装置４において、カセットＢの
ＩＤを受信することで記憶しているカセットＢのＩＤと
の照合がなされ、当該カセットＢのＩＤはカセットＡの
ＩＤと関連付けられて管理されていることから、当該カ
セットＢ内の検査用ウェーハの検査結果をカセットＡ内
の半導体ウェーハの検査結果として、管理されることと
なる。
Ｂを、例えば、検査装置２のローダ兼アンローダ部２０
にセットし、各検査装置２毎に、各検査処理が行われる
（ステップＳＴ５，ＳＴ６，ＳＴ７）。このカセットＢ
のローダ兼アンローダ部２０へのセットの際に、カセッ
トＢのロットＩＤを検査装置２のＩＤリーダ２９により
読み取り、制御部２５により、当該読み取られたカセッ
トＢのＩＤを管理装置４へ送信する。この検査装置２に
よる検査処理として、まず、走査型電子顕微鏡（ＳＥ
Ｍ）によるウェーハ上に形成されたパターンの寸法測定
が行われる（ステップＳＴ５）。そして、次の検査装置
２により、前のレイヤーとの重ね合わせのずれ量の測定
が行われる（ステップＳＴ６）。最後に、ウェーハ上に
形成されたパターンに傷がないか等の目視検査が行われ
ることとなる（ステップＳＴ７）。そして、上記の各検
査装置２による検査結果は、制御部２５により、管理装
置４に送信される。管理装置４において、カセットＢの
ＩＤを受信することで記憶しているカセットＢのＩＤと
の照合がなされ、当該カセットＢのＩＤはカセットＡの
ＩＤと関連付けられて管理されていることから、当該カ
セットＢ内の検査用ウェーハの検査結果をカセットＡ内
の半導体ウェーハの検査結果として、管理されることと
なる。
【００７３】ここで、上記の３つの全ての検査装置２の
検査用ウェーハの検査が、インラインステッパ１による
残りの半導体ウェーハのリソグラフィー処理よりも早く
完了した場合には、検査用ウェーハを収納するカセット
Ｂをインラインステッパ１のローダ兼アンローダ部１０
ｂにセットして、カセットＢ内の検査用ウェーハをロー
ダ兼アンローダ部１０ａにセットされたカセットＡ内に
戻せばよい。しかしながら、インラインステッパ１によ
る残りの半導体ウェーハのリソグラフィー処理の方が早
く完了した場合には、以下のように処理する。すなわ
ち、以下に示すように、検査装置２のローダ兼アンロー
ダ部２０あるいは処理装置３のローダ兼アンローダ部３
０において、カセットＡ内の半導体ウェーハとカセット
Ｂ内の検査用ウェーハを合流させる。
検査用ウェーハの検査が、インラインステッパ１による
残りの半導体ウェーハのリソグラフィー処理よりも早く
完了した場合には、検査用ウェーハを収納するカセット
Ｂをインラインステッパ１のローダ兼アンローダ部１０
ｂにセットして、カセットＢ内の検査用ウェーハをロー
ダ兼アンローダ部１０ａにセットされたカセットＡ内に
戻せばよい。しかしながら、インラインステッパ１によ
る残りの半導体ウェーハのリソグラフィー処理の方が早
く完了した場合には、以下のように処理する。すなわ
ち、以下に示すように、検査装置２のローダ兼アンロー
ダ部２０あるいは処理装置３のローダ兼アンローダ部３
０において、カセットＡ内の半導体ウェーハとカセット
Ｂ内の検査用ウェーハを合流させる。
【００７４】例えば、先の工程におけるインラインステ
ッパ１による、カセットＡの残りの半導体ウェーハのリ
ソグラフィー処理が完了した時点（ステップＳＴ３）に
おいて、第３の検査工程における検査装置２による検査
用ウェーハの検査がまだ開始されていない場合には、ロ
ーダ兼アンローダ部１０ａからカセットＡを取り出し、
第３の検査工程における検査装置２に搬送し、当該検査
装置２のローダ兼アンローダ部２０にセットしておく。
そして、この第３の検査装置２の他のローダ兼アンロー
ダ部２０にカセットＢをセットし、検査装置２のＩＤリ
ーダ２９によりカセットＡ，ＢのＩＤが読み出されて、
管理装置４へ送信される。そして、管理装置４側におい
て当該受信したカセットＡ，Ｂの各ＩＤと、予め記憶管
理されているカセットＡ，Ｂの各ＩＤとの照合が行わ
れ、管理装置４から制御部２５にカセットＢ内の何スロ
ット目の検査用ウェーハを検査後にカセットＡの何スロ
ット目に戻すよう指示がなされる。そして、検査装置２
により所定の検査がなされた後、搬送部２４により、検
査後のカセットＢ内の検査用ウェーハが、カセットＡ内
の元の位置に戻されることとなる。各検査装置における
検査の結果、検査用ウェーハが良品と判定された場合に
は、以降の処理装置３によるプロセス処理に移り（ステ
ップＳＴ８）、検査用ウェーハが不良と判定された場合
には、以降のプロセス処理を中止する。
ッパ１による、カセットＡの残りの半導体ウェーハのリ
ソグラフィー処理が完了した時点（ステップＳＴ３）に
おいて、第３の検査工程における検査装置２による検査
用ウェーハの検査がまだ開始されていない場合には、ロ
ーダ兼アンローダ部１０ａからカセットＡを取り出し、
第３の検査工程における検査装置２に搬送し、当該検査
装置２のローダ兼アンローダ部２０にセットしておく。
そして、この第３の検査装置２の他のローダ兼アンロー
ダ部２０にカセットＢをセットし、検査装置２のＩＤリ
ーダ２９によりカセットＡ，ＢのＩＤが読み出されて、
管理装置４へ送信される。そして、管理装置４側におい
て当該受信したカセットＡ，Ｂの各ＩＤと、予め記憶管
理されているカセットＡ，Ｂの各ＩＤとの照合が行わ
れ、管理装置４から制御部２５にカセットＢ内の何スロ
ット目の検査用ウェーハを検査後にカセットＡの何スロ
ット目に戻すよう指示がなされる。そして、検査装置２
により所定の検査がなされた後、搬送部２４により、検
査後のカセットＢ内の検査用ウェーハが、カセットＡ内
の元の位置に戻されることとなる。各検査装置における
検査の結果、検査用ウェーハが良品と判定された場合に
は、以降の処理装置３によるプロセス処理に移り（ステ
ップＳＴ８）、検査用ウェーハが不良と判定された場合
には、以降のプロセス処理を中止する。
【００７５】また、例えば、先の工程におけるインライ
ンステッパ１による、カセットＡの残りの半導体ウェー
ハのリソグラフィー処理が完了した時点（ステップＳＴ
３）において、全ての検査装置２による検査処理が終了
している場合や最後の検査装置の検査が開始されている
場合で、かつ、現時点で検査用ウェーハが良品と判定さ
れている場合には、以下のように処理する。すなわち、
ローダ兼アンローダ部１０ａからカセットＡを取り出
し、次プロセスにおける処理装置３に搬送し、当該処理
装置３のローダ兼アンローダ部３０にセットし（ステッ
プＳＴ８）、先に次の工程のプロセス処理を行う。そし
て、検査処理後のカセットＢを処理装置３の別のローダ
兼アンローダ部３０にセットする。上記の各カセット
Ａ，Ｂのローダ兼アンローダ部３０へのセットの際に、
処理装置３のＩＤリーダ３９によりカセットＡ，Ｂの各
ＩＤが読み出されて、管理装置４へ送信される。そし
て、管理装置４側において当該受信したカセットＡ，Ｂ
の各ＩＤと、予め記憶管理されているカセットＡ，Ｂの
各ＩＤとの照合が行われ、管理装置４から制御部３５に
カセットＢ内の何スロット目の検査用ウェーハをカセッ
トＡの何スロット目に戻すよう指示がなされる。そし
て、処理装置３の搬送部３４により、処理後のカセット
Ｂ内の検査用ウェーハが、カセットＡ内の元の位置に戻
されることとなる。なお、検査装置による検査の結果、
検査用ウェーハが不良と判定された場合には、処理装置
３によるカセットＡ内のウェーハのプロセス処理を停止
する。
ンステッパ１による、カセットＡの残りの半導体ウェー
ハのリソグラフィー処理が完了した時点（ステップＳＴ
３）において、全ての検査装置２による検査処理が終了
している場合や最後の検査装置の検査が開始されている
場合で、かつ、現時点で検査用ウェーハが良品と判定さ
れている場合には、以下のように処理する。すなわち、
ローダ兼アンローダ部１０ａからカセットＡを取り出
し、次プロセスにおける処理装置３に搬送し、当該処理
装置３のローダ兼アンローダ部３０にセットし（ステッ
プＳＴ８）、先に次の工程のプロセス処理を行う。そし
て、検査処理後のカセットＢを処理装置３の別のローダ
兼アンローダ部３０にセットする。上記の各カセット
Ａ，Ｂのローダ兼アンローダ部３０へのセットの際に、
処理装置３のＩＤリーダ３９によりカセットＡ，Ｂの各
ＩＤが読み出されて、管理装置４へ送信される。そし
て、管理装置４側において当該受信したカセットＡ，Ｂ
の各ＩＤと、予め記憶管理されているカセットＡ，Ｂの
各ＩＤとの照合が行われ、管理装置４から制御部３５に
カセットＢ内の何スロット目の検査用ウェーハをカセッ
トＡの何スロット目に戻すよう指示がなされる。そし
て、処理装置３の搬送部３４により、処理後のカセット
Ｂ内の検査用ウェーハが、カセットＡ内の元の位置に戻
されることとなる。なお、検査装置による検査の結果、
検査用ウェーハが不良と判定された場合には、処理装置
３によるカセットＡ内のウェーハのプロセス処理を停止
する。
【００７６】以上のようにして、半導体製造処理がなさ
れ、検査用ウェーハが良品と判定されている場合には、
以降の各プロセス処理に移り、特にリソグラフィー工程
が介在する場合には、同様の上述した半導体製造方法に
より検査工程をプロセス工程と並行して行っていく。
れ、検査用ウェーハが良品と判定されている場合には、
以降の各プロセス処理に移り、特にリソグラフィー工程
が介在する場合には、同様の上述した半導体製造方法に
より検査工程をプロセス工程と並行して行っていく。
【００７７】本実施形態に係る半導体製造方法によれ
ば、半導体製造プロセス中に検査用のウェーハを抜き取
り、検査工程をプロセス工程と並行して処理することに
より、半導体製造におけるＴＡＴ（Turn Around Time)
を短縮することが可能になる。また、特にリソグラフィ
ー工程後の検査のように、検査工程が複数あり、プロセ
ス処理の方が先に終了し、カセットをプロセス装置から
外した場合、検査用ウェーハと残りの半導体ウェーハと
を合流させるのに、検査装置２または次工程の処理装置
３のローダ兼アンローダ部を使用することにより、特別
に移載機等を必要としないことから、追加の設備投資を
行わずに済む。さらに、例えば、２５枚のウェーハを収
納するカセットのプロセスが終了する前に検査用のウェ
ーハを抜き取り、検査を行うことから、不良を発見した
場合への対処を早期に行うことができ、不良品を出す割
合を削減することができる。
ば、半導体製造プロセス中に検査用のウェーハを抜き取
り、検査工程をプロセス工程と並行して処理することに
より、半導体製造におけるＴＡＴ（Turn Around Time)
を短縮することが可能になる。また、特にリソグラフィ
ー工程後の検査のように、検査工程が複数あり、プロセ
ス処理の方が先に終了し、カセットをプロセス装置から
外した場合、検査用ウェーハと残りの半導体ウェーハと
を合流させるのに、検査装置２または次工程の処理装置
３のローダ兼アンローダ部を使用することにより、特別
に移載機等を必要としないことから、追加の設備投資を
行わずに済む。さらに、例えば、２５枚のウェーハを収
納するカセットのプロセスが終了する前に検査用のウェ
ーハを抜き取り、検査を行うことから、不良を発見した
場合への対処を早期に行うことができ、不良品を出す割
合を削減することができる。
【００７８】本発明の半導体製造方法は、上記の実施形
態の説明に限定されない。例えば、本実施形態では、検
査時間が長いものとしてリソグラフィー工程を例に説明
したが、検査時間が長い工程であれば、同様の並行処理
を他の工程においても適用することができる。また、本
実施形態において、インラインステッパ１、検査装置
２、処理装置３の構成について一例を示して説明した
が、これに限られるものでなく、これらのローダを使用
することにより、検査用ウェーハを元のカセットに戻す
ことができればよい。その他、本発明の要旨を逸脱しな
い範囲で、種々の変更が可能である。
態の説明に限定されない。例えば、本実施形態では、検
査時間が長いものとしてリソグラフィー工程を例に説明
したが、検査時間が長い工程であれば、同様の並行処理
を他の工程においても適用することができる。また、本
実施形態において、インラインステッパ１、検査装置
２、処理装置３の構成について一例を示して説明した
が、これに限られるものでなく、これらのローダを使用
することにより、検査用ウェーハを元のカセットに戻す
ことができればよい。その他、本発明の要旨を逸脱しな
い範囲で、種々の変更が可能である。
【００７９】
【発明の効果】本発明によれば、半導体ウェーハ対して
半導体製造プロセスを行いながら、同時に半導体ウェー
ハの検査を行うことが可能なことから、製造時間の短縮
化ならびに品質および歩留りの向上を図ることができ
る。
半導体製造プロセスを行いながら、同時に半導体ウェー
ハの検査を行うことが可能なことから、製造時間の短縮
化ならびに品質および歩留りの向上を図ることができ
る。
【図１】本実施形態に係る半導体製造方法を実施する半
導体製造システムの概略構成図である。
導体製造システムの概略構成図である。
【図２】本実施形態に係る半導体製造方法に使用するイ
ンラインステッパの概略構成図である。
ンラインステッパの概略構成図である。
【図３】本実施形態に係る半導体製造方法に使用するイ
ンラインステッパのブロック図である。
ンラインステッパのブロック図である。
【図４】本実施形態に係る半導体製造方法に使用する検
査装置のブロック図である。
査装置のブロック図である。
【図５】本実施形態に係る半導体製造方法に使用する処
理装置の概略構成図である。
理装置の概略構成図である。
【図６】本実施形態に係る半導体製造方法に使用する処
理装置のブロック図である。
理装置のブロック図である。
【図７】本実施形態に係る半導体製造方法による各カセ
ット内の半導体ウェーハの処理フローを示す図である。
ット内の半導体ウェーハの処理フローを示す図である。
【図８】ローダ兼アンローダ部へのカセットのセットの
様子を説明するための図である。
様子を説明するための図である。
【図９】従来例に係る半導体製造方法における各カセッ
ト内の半導体ウェーハの処理フローを示す図である。
ト内の半導体ウェーハの処理フローを示す図である。
１…インラインステッパ、２…検査装置、３…処理装
置、４…管理装置、１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１
０ｄ…ローダ兼アンローダ部、１１…塗布部、１２…現
像部、１３…露光部、１４…搬送部、１５…制御部、１
６…表示部、１７…操作部、１８…メモリ部、１９…Ｉ
Ｄリーダ、２０…ローダ兼アンローダ部、２１…検査
部、２４…搬送部、２５…制御部、２６…表示部、２７
…操作部、２８…メモリ部、２９…ＩＤリーダ、３０，
３０ａ，３０ｂ…ローダ兼アンローダ部、３１…処理
部、３１ａ，３１ｂ…プロセスチャンバ、３４…搬送
部、３４ａ…搬送チャンバ、３４ｂ…搬送アーム、３５
…制御部、３６…表示部、３７…操作部、３８…メモリ
部、３９…ＩＤリーダ、Ａ…カセット、Ｂ…検査用カセ
ット。
置、４…管理装置、１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１
０ｄ…ローダ兼アンローダ部、１１…塗布部、１２…現
像部、１３…露光部、１４…搬送部、１５…制御部、１
６…表示部、１７…操作部、１８…メモリ部、１９…Ｉ
Ｄリーダ、２０…ローダ兼アンローダ部、２１…検査
部、２４…搬送部、２５…制御部、２６…表示部、２７
…操作部、２８…メモリ部、２９…ＩＤリーダ、３０，
３０ａ，３０ｂ…ローダ兼アンローダ部、３１…処理
部、３１ａ，３１ｂ…プロセスチャンバ、３４…搬送
部、３４ａ…搬送チャンバ、３４ｂ…搬送アーム、３５
…制御部、３６…表示部、３７…操作部、３８…メモリ
部、３９…ＩＤリーダ、Ａ…カセット、Ｂ…検査用カセ
ット。
Claims (7)
- 【請求項１】所定数の半導体ウェーハを収納し識別情報
が付された第１の容器、および識別情報が付された第２
の容器を第１の処理装置に設置し、各容器の識別情報を
記憶する工程と、 前記第１の処理装置により、前記半導体ウェーハに対し
て第１の処理を行いながら、当該第１の処理が行われた
一部の前記半導体ウェーハを検査用ウェーハとして前記
第２の容器に収納する工程と、 前記第２の容器を検査装置に設置し、前記検査用ウェー
ハの検査を行う工程と、 前記検査用ウェーハが良品と判定された場合に、前記第
１の処理後の他の半導体ウェーハを収納する前記第１の
容器、および前記検査後の前記検査用ウェーハを収納す
る前記第２の容器を第２の処理装置に設置し、設置され
た各容器の識別情報と前記記憶された各容器の識別情報
とを照合する工程と、 前記第２の処理装置により、前記他の半導体ウェーハお
よび前記検査用ウェーハに対して第２の処理を行い、前
記第２の処理後の前記検査用ウェーハを前記第１の容器
に戻す工程とを有する半導体製造方法。 - 【請求項２】前記検査用ウェーハとして前記第２の容器
に収納する工程において、前記検査用ウェーハとして取
り出された半導体ウェーハの前記第１の容器内における
位置情報を前記記憶された各容器の識別情報と関連づけ
て記憶しておき、 前記検査用ウェーハを前記第１の容器に戻す工程におい
て、前記照合に基づいて前記記憶された位置情報を読み
出し、前記検査用ウェーハを前記第１の容器の元の位置
に戻す請求項１記載の半導体製造方法。 - 【請求項３】前記検査用ウェーハの検査を行う工程にお
いて、前記検査装置に設置された前記第２の容器の前記
識別情報と、前記記憶された第２の容器の識別情報とを
照合して、前記検査用ウェーハの検査結果を前記第１の
容器内の前記半導体ウェーハの検査結果として記憶する
請求項１記載の半導体製造方法。 - 【請求項４】所定数の半導体ウェーハを収納し識別情報
が付された第１の容器、および識別情報が付された第２
の容器を処理装置に設置し、各容器の識別情報を記憶す
る工程と、 前記処理装置により、前記半導体ウェーハに対して所定
の処理を行いながら、当該処理が行われた一部の前記半
導体ウェーハを検査用ウェーハとして前記第２の容器に
収納する工程と、 前記検査用ウェーハを収納する前記第２の容器、および
前記処理後の他の半導体ウェーハを収納する前記第１の
容器を検査装置に設置し、設置された各容器の識別情報
と前記記憶された各容器の識別情報とを照合する工程
と、 前記検査装置により、前記検査用ウェーハの検査を行
い、前記検査後の前記検査用ウェーハを前記第１の容器
に戻す工程とを有する半導体製造方法。 - 【請求項５】前記検査用ウェーハとして前記第２の容器
に収納する工程において、前記検査用ウェーハとして取
り出された半導体ウェーハの前記第１の容器内における
位置情報を前記記憶された各容器の識別情報と関連づけ
て記憶しておき、 前記検査用ウェーハを前記第１の容器に戻す工程におい
て、前記照合に基づいて前記記憶された位置情報を読み
出し、前記検査用ウェーハを前記第１の容器の元の位置
に戻す請求項４記載の半導体製造方法。 - 【請求項６】前記検査用ウェーハの検査を行う工程にお
いて、前記検査装置に設置された前記第２の容器の前記
識別情報と、前記記憶された第２の容器の識別情報とを
照合して、前記検査用ウェーハの検査結果を前記第１の
容器内の前記半導体ウェーハの検査結果として記憶する
請求項４記載の半導体製造方法。 - 【請求項７】前記検査用ウェーハとして前記第２の容器
に収納する工程の後、前記検査用ウェーハを収納する前
記第２の容器、および前記処理後の他の半導体ウェーハ
を収納する前記第１の容器を検査装置に設置する工程の
前に、 前記第２の容器を他の検査装置に設置し、前記検査用ウ
ェーハの他の検査を行う工程をさらに有する請求項４記
載の半導体製造方法。
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