JP2003110162A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2003110162A5 JP2003110162A5 JP2001306540A JP2001306540A JP2003110162A5 JP 2003110162 A5 JP2003110162 A5 JP 2003110162A5 JP 2001306540 A JP2001306540 A JP 2001306540A JP 2001306540 A JP2001306540 A JP 2001306540A JP 2003110162 A5 JP2003110162 A5 JP 2003110162A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic layer
- magnetoresistive element
- magnetic
- layer
- recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 5
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052803 cobalt Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 2
- -1 rare earth iron group alloy Chemical class 0.000 claims 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 1
- 230000002093 peripheral Effects 0.000 claims 1
Claims (16)
- 基板上に保磁力の異なる第１磁性層と第２磁性層が積層され、前記磁性層間に非磁性層が積層された磁気抵抗素子において、前記磁気抵抗素子の断面形状が台形であることを特徴とする磁気抵抗素子。
- 前記磁気抵抗素子の断面形状が、基板側を底辺とし、底辺の方が上辺よりも長い台形であることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗素子。
- 基板上に第１磁性層と第２磁性層とが積層され、前記磁性層間に非磁性層が積層された磁気抵抗素子において、
前記第１磁性層の保磁力は前記第２の磁性層の保磁力よりも大きく、前記第１磁性層の底面積Ｓ１と、前記第２磁性層の底面積Ｓ２とが、Ｓ１＞Ｓ２であることを特徴とする磁気抵抗素子。 - 前記第１磁性層と第２磁性層の磁化容易軸が膜面垂直方向であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気抵抗素子。
- 前記非磁性層が絶縁体であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁気抵抗素子。
- 前記第１磁性層もしくは第２磁性層が、希土類鉄族合金からなることを特徴とする請求項４に記載の磁気抵抗素子。
- 前記希土類鉄族合金のうち、希土類元素がＧｄ，Ｔｂ，Ｄｙの少なくとも１種の元素を含み、鉄族元素がＦｅ，Ｃｏのうち、少なくとも１種の元素を含むことを特徴とする請求項６記載の磁気抵抗素子。
- 前記第１磁性層と前記非磁性層間と、前記第２磁性層と前記非磁性層間の少なくとも一方に、Ｆｅ，Ｃｏのうち、少なくとも一つの元素を含む磁性層が設けられていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の磁気抵抗素子。
- 前記磁気抵抗素子が絶縁体と接する外周部の形状において磁気抵抗素子を構成する全膜厚の７０％の高さの点Ａと、４０％の高さの点Ｂを結ぶ直線ＡＢと、基板面ＣＤとの交点Ｏを頂点とした∠ＡＯＣの５点平均が３０度から９０度の範囲にあることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の磁気抵抗素子。
- 前記∠ＡＯＣが３０度から６０度の範囲にあることを特徴とする請求項８記載の磁気抵抗素子。
- 基板上に、請求項１〜１０のいずれかに記載された磁気抵抗素子がメモリ素子としてマトリックス状に形成され、前記磁気抵抗素子の上部に設けられたビット線と、前記第１磁性層または第２磁性層の磁化方向を電流によって発生する磁界により変化させる書き込み線と、電界効果トランジスタからなり、前記電界効果トランジスタのドレイン領域の直上に、前記磁気抵抗素子が形成されていることを特徴とする不揮発固体メモリ。
- 前記書き込み線を隣接する磁気抵抗素子と共用化することを特徴とする請求項１１記載の不揮発固体メモリ。
- 前記電界効果トランジスタのソース領域を隣接する磁気抵抗素子と共用化することを特徴とする請求項１０記載の不揮発固体メモリ。
- 請求項１１に記載の不揮発固体メモリの記録再生方法において、前記第１磁性層の磁化方向をあらかじめ所定の方向に初期化し、前記書き込み線に電流を流すことによって、前記磁気抵抗素子の第２磁性層の磁化方向を決定して情報を記録し、前記磁気抵抗素子の抵抗の絶対値を検出して、記録された情報を再生することを特徴とする記録再生方法。
- 請求項１１に記載の不揮発固体メモリの記録再生方法において、前記書き込み線に電流を流すことによって、前記磁気抵抗素子の第１磁性層の磁化方向を決定して情報を記録し、前記第２磁性層の磁化方向を反転させて、そのときに生じる抵抗変化を検出して、記録された情報を再生することを特徴とするメモリ素子の記録再生方法。
- 基板上に第１磁性層と第２磁性層とが積層され、前記磁性層間に非磁性層が積層された磁気抵抗素子をメモリ素子とするＭＲＡＭにおいて、
前記第１磁性層の保磁力は前記第２の磁性層の保磁力よりも大きく、前記第１磁性層の底面積Ｓ１と、前記第２磁性層の底面積Ｓ２とが、Ｓ１＞Ｓ２であり、前記第１磁性層が電界効果トランジスタと電気的に接続され、前記第２磁性層がビット線と電気的に接続されていることを特徴とするＭＲＡＭ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001306540A JP3854839B2 (ja) | 2001-10-02 | 2001-10-02 | 磁気抵抗素子を用いた不揮発固体メモリ |
| US10/260,065 US6987652B2 (en) | 2001-10-02 | 2002-10-01 | Tapered angle magnetoresistive element and nonvolatile solid-state memory using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001306540A JP3854839B2 (ja) | 2001-10-02 | 2001-10-02 | 磁気抵抗素子を用いた不揮発固体メモリ |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003110162A JP2003110162A (ja) | 2003-04-11 |
| JP2003110162A5 true JP2003110162A5 (ja) | 2005-04-28 |
| JP3854839B2 JP3854839B2 (ja) | 2006-12-06 |
Family
ID=19126160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001306540A Expired - Fee Related JP3854839B2 (ja) | 2001-10-02 | 2001-10-02 | 磁気抵抗素子を用いた不揮発固体メモリ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6987652B2 (ja) |
| JP (1) | JP3854839B2 (ja) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100520611B1 (ko) * | 2003-03-03 | 2005-10-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 자기저항 램 및 그 제조 방법 |
| US7173847B2 (en) * | 2003-05-20 | 2007-02-06 | Magsil Corporation | Magnetic storage cell |
| JP4142993B2 (ja) | 2003-07-23 | 2008-09-03 | 株式会社東芝 | 磁気メモリ装置の製造方法 |
| US6972985B2 (en) * | 2004-05-03 | 2005-12-06 | Unity Semiconductor Corporation | Memory element having islands |
| US7169623B2 (en) * | 2004-09-09 | 2007-01-30 | Tegal Corporation | System and method for processing a wafer including stop-on-aluminum processing |
| DE102004044413A1 (de) * | 2004-09-14 | 2006-03-16 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterspeicherbauelement |
| JP2006156685A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Sony Corp | 記憶素子及びメモリ |
| US20070054450A1 (en) * | 2005-09-07 | 2007-03-08 | Magic Technologies, Inc. | Structure and fabrication of an MRAM cell |
| US7919826B2 (en) | 2007-04-24 | 2011-04-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistive element and manufacturing method thereof |
| US20110007426A1 (en) * | 2009-07-13 | 2011-01-13 | Seagate Technology Llc | Trapezoidal back bias and trilayer reader geometry to enhance device performance |
| JP5214691B2 (ja) | 2010-09-17 | 2013-06-19 | 株式会社東芝 | 磁気メモリ及びその製造方法 |
| JP5492144B2 (ja) | 2011-05-27 | 2014-05-14 | 株式会社日立製作所 | 垂直磁化磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ |
| US9236561B2 (en) * | 2011-09-12 | 2016-01-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and system for providing multiple self-aligned logic cells in a single stack |
| JP5535161B2 (ja) | 2011-09-20 | 2014-07-02 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子およびその製造方法 |
| KR102099191B1 (ko) * | 2013-03-15 | 2020-05-15 | 인텔 코포레이션 | 내장된 자기 터널 접합을 포함하는 로직 칩 |
| US9123879B2 (en) | 2013-09-09 | 2015-09-01 | Masahiko Nakayama | Magnetoresistive element and method of manufacturing the same |
| US9231196B2 (en) | 2013-09-10 | 2016-01-05 | Kuniaki SUGIURA | Magnetoresistive element and method of manufacturing the same |
| US9385304B2 (en) | 2013-09-10 | 2016-07-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic memory and method of manufacturing the same |
| US9368717B2 (en) | 2013-09-10 | 2016-06-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistive element and method for manufacturing the same |
| US9048128B2 (en) * | 2013-10-03 | 2015-06-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Inductor structure with magnetic material |
| JP6586974B2 (ja) * | 2017-04-10 | 2019-10-09 | Tdk株式会社 | 磁気抵抗効果素子 |
| CN112768606A (zh) * | 2019-10-21 | 2021-05-07 | 联华电子股份有限公司 | 存储器元件结构及其制造方法 |
| CN112992660B (zh) * | 2021-05-10 | 2021-08-03 | 度亘激光技术（苏州）有限公司 | 半导体结构形成方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69331492T2 (de) * | 1992-10-23 | 2002-08-29 | Sony Corp | Batteriesatz |
| JP3272108B2 (ja) * | 1993-07-07 | 2002-04-08 | 三洋電機株式会社 | パック電池 |
| US5477133A (en) * | 1993-07-29 | 1995-12-19 | Etcon Corporation | Device for measuring a wide range of voltages and for determining continuity using visual and tactile indicators |
| JPH0766033A (ja) * | 1993-08-30 | 1995-03-10 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気抵抗素子ならびにその磁気抵抗素子を用いた磁性薄膜メモリおよび磁気抵抗センサ |
| WO1995023317A1 (fr) * | 1994-02-25 | 1995-08-31 | Fm Industrie | Procede et installation de traitement de dechets par sechage, sublimation, oxydation et combustion |
| JPH0849062A (ja) * | 1994-08-04 | 1996-02-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気抵抗効果膜 |
| JP3069498B2 (ja) * | 1994-09-01 | 2000-07-24 | 富士通株式会社 | 充放電装置および電子機器 |
| JPH1079113A (ja) * | 1996-09-04 | 1998-03-24 | Hitachi Ltd | 面内磁気記録媒体およびこれを用いた磁気記憶装置 |
| KR100193736B1 (ko) * | 1996-09-17 | 1999-06-15 | 윤종용 | 배터리 보호 기능을 갖는 배터리 팩 |
| US5748524A (en) | 1996-09-23 | 1998-05-05 | Motorola, Inc. | MRAM with pinned ends |
| US6111784A (en) * | 1997-09-18 | 2000-08-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetic thin film memory element utilizing GMR effect, and recording/reproduction method using such memory element |
| JP3679593B2 (ja) | 1998-01-28 | 2005-08-03 | キヤノン株式会社 | 磁性薄膜素子および磁性薄膜メモリ素子およびその記録再生方法 |
| US6055179A (en) | 1998-05-19 | 2000-04-25 | Canon Kk | Memory device utilizing giant magnetoresistance effect |
| JP3050218B1 (ja) * | 1998-12-21 | 2000-06-12 | 株式会社日立製作所 | 磁気ヘッド、それを用いた磁気記録再生装置及び磁性メモリ装置 |
-
2001
- 2001-10-02 JP JP2001306540A patent/JP3854839B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-10-01 US US10/260,065 patent/US6987652B2/en not_active Expired - Lifetime
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003110162A5 (ja) | ||
| JP3891540B2 (ja) | 磁気抵抗効果メモリ、磁気抵抗効果メモリに記録される情報の記録再生方法、およびｍｒａｍ | |
| JP3667244B2 (ja) | 磁気抵抗素子、それを用いたメモリ素子、磁気ランダムアクセスメモリ及び磁気ランダムアクセスメモリの記録再生方法 | |
| KR100439288B1 (ko) | 자기저항 효과 메모리 셀에 정보를 기입하거나 판독하는방법 | |
| TWI221290B (en) | Magnetoresistive element and magnetic memory | |
| JP3916908B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子、磁気メモリ及び磁気ヘッド | |
| JP2007123640A (ja) | 磁気メモリ、情報記録／再生方法、情報再生方法、情報記録方法 | |
| JP2004128015A (ja) | 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置 | |
| TWI223260B (en) | Magnetic random access memory | |
| KR101586271B1 (ko) | 자기 메모리 소자 및 그 정보 쓰기 및 읽기 방법 | |
| WO2011081051A1 (ja) | 磁気メモリセル及び磁気メモリ | |
| TW200306022A (en) | Magnetic memory | |
| JP3634761B2 (ja) | 磁気抵抗素子、該磁気抵抗素子を用いたメモリ素子及び磁気ランダムアクセスメモリ、並びに記録再生方法 | |
| JP2002208681A (ja) | 磁気薄膜メモリ素子、磁気薄膜メモリおよび情報記録方法 | |
| JP3866649B2 (ja) | 磁気ランダムアクセスメモリ | |
| JP5526707B2 (ja) | 情報記憶素子の駆動方法 | |
| TW200419171A (en) | A magnetic sensor | |
| JP4100892B2 (ja) | 不揮発磁気薄膜メモリ装置 | |
| JP2004087519A (ja) | 磁性メモリ、磁性メモリアレイ、磁性メモリの記録方法、及び磁性メモリの読み出し方法 | |
| JP3653442B2 (ja) | 磁気メモリおよびその記録方法 | |
| JP2005079508A (ja) | 磁性膜及び多層磁性膜、磁性膜の磁化反転方法及び磁化反転機構、磁気ランダムアクセスメモリ | |
| JP2002208680A (ja) | 磁気薄膜メモリ素子、磁気薄膜メモリおよび情報記録再生方法 | |
| JP3758933B2 (ja) | 磁気メモリおよびその記録方法 | |
| JP3658331B2 (ja) | メモリ素子の記録再生方法、磁気抵抗素子及び磁気ランダムアクセスメモリ | |
| JP2005203535A (ja) | 磁気メモリ |