JP2003082492A - チップ型セラミックス電子部品の電極形成法 - Google Patents
チップ型セラミックス電子部品の電極形成法Info
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- C25D17/16—Apparatus for electrolytic coating of small objects in bulk
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 チップサイズに関係なく、錫めっきのくっつ
きを一定量以下に抑制することが可能なチップ型セラミ
ックス電子部品の電極形成法およびそれを用いてなるチ
ップ型セラミックス電子部品を提供する。 【解決手段】 チップ型セラミックス電子部品の電極形
成法は、第一錫塩としてのスルファミン酸第一錫と、ク
エン酸、グルコン酸、ピロリン酸、ヘプトン酸、マロン
酸、りんご酸およびこれらの塩、並びにグルコノラクト
ンから選択される少なくとも１種を含む錯化剤と、ＨＬ
Ｂ値が１０以上である界面活性剤の少なくとも１種を有
する光沢剤とを具備する錫めっき浴を用いて電気めっき
を行う。
きを一定量以下に抑制することが可能なチップ型セラミ
ックス電子部品の電極形成法およびそれを用いてなるチ
ップ型セラミックス電子部品を提供する。 【解決手段】 チップ型セラミックス電子部品の電極形
成法は、第一錫塩としてのスルファミン酸第一錫と、ク
エン酸、グルコン酸、ピロリン酸、ヘプトン酸、マロン
酸、りんご酸およびこれらの塩、並びにグルコノラクト
ンから選択される少なくとも１種を含む錯化剤と、ＨＬ
Ｂ値が１０以上である界面活性剤の少なくとも１種を有
する光沢剤とを具備する錫めっき浴を用いて電気めっき
を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ型セラミッ
クス電子部品の電極形成法に関し、特に電気錫めっき
浴、めっき工法を用いたチップ型セラミックス電子部品
の電極形成法およびそれを用いてなるセラミックス電子
部品に関する。
クス電子部品の電極形成法に関し、特に電気錫めっき
浴、めっき工法を用いたチップ型セラミックス電子部品
の電極形成法およびそれを用いてなるセラミックス電子
部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、セラミックス、ガラス、プラスチ
ック等を素材とした電子部品には、その電極のはんだ濡
れ性の向上を目的として、錫−鉛合金めっきが施されて
いた。しかしながら、近年の鉛フリー化にともない、錫
−鉛合金めっきと代わり錫めっきによる電極形成が主流
となってきた。ところが、錫めっきでは、金属である錫
の有する固有な物性によりさまざまな問題が発生する。
ック等を素材とした電子部品には、その電極のはんだ濡
れ性の向上を目的として、錫−鉛合金めっきが施されて
いた。しかしながら、近年の鉛フリー化にともない、錫
−鉛合金めっきと代わり錫めっきによる電極形成が主流
となってきた。ところが、錫めっきでは、金属である錫
の有する固有な物性によりさまざまな問題が発生する。
【０００３】特に、セラミックスとガラス材からなるチ
ップ型セラミックス電子部品（チップ）を錫めっきする
場合、チップ同士の「くっつき」が生じるという問題が
生じる。このくっつきは、例えば一般的によく知られて
いる硫酸第一錫を用いた弱酸性浴を用いて錫めっきした
場合に生じる。
ップ型セラミックス電子部品（チップ）を錫めっきする
場合、チップ同士の「くっつき」が生じるという問題が
生じる。このくっつきは、例えば一般的によく知られて
いる硫酸第一錫を用いた弱酸性浴を用いて錫めっきした
場合に生じる。
【０００４】「くっつき」とは、図２（ａ）〜（ｃ）に
示すように、錫めっき工程中に２個以上のチップ型セラ
ミックス電子部品（チップ）１・１の錫めっき部（錫め
っき析出部）５・５同士が接着する現象を指す。これ
は、錫めっき皮膜では、錫−鉛合金めっきよりも皮膜の
硬度が低いために生じる現象であると考えられている。
示すように、錫めっき工程中に２個以上のチップ型セラ
ミックス電子部品（チップ）１・１の錫めっき部（錫め
っき析出部）５・５同士が接着する現象を指す。これ
は、錫めっき皮膜では、錫−鉛合金めっきよりも皮膜の
硬度が低いために生じる現象であると考えられている。
【０００５】特に、バレルめっき等のチップ型電子部品
用のめっき工法を用いる場合には、バレル容器内でチッ
プの攪拌状態に大きな分布が生じる。その攪拌状態の分
布において無攪拌に近い状態の箇所では、隣合ったチッ
プ同士が接触したまま長時間放置される状態が生じる。
その結果、隣合ったチップ同士の「くっつき」が生じ
る。
用のめっき工法を用いる場合には、バレル容器内でチッ
プの攪拌状態に大きな分布が生じる。その攪拌状態の分
布において無攪拌に近い状態の箇所では、隣合ったチッ
プ同士が接触したまま長時間放置される状態が生じる。
その結果、隣合ったチップ同士の「くっつき」が生じ
る。
【０００６】この「くっつき」の問題は、一度にめっき
処理するチップの量を増加させた場合に特に顕著とな
る。「くっつき」が生じると、くっついたチップ自体も
不良品となる。さらに、くっついたチップのうち密着強
度の弱いものが、めっき工程中あるいは乾燥工程中に剥
がれることがある。このチップの剥がれた部分のめっき
皮膜は膜厚が非常に薄く、このチップは不良品となる。
従って、この不良品のチップが良品のチップに混入する
可能性がある。
処理するチップの量を増加させた場合に特に顕著とな
る。「くっつき」が生じると、くっついたチップ自体も
不良品となる。さらに、くっついたチップのうち密着強
度の弱いものが、めっき工程中あるいは乾燥工程中に剥
がれることがある。このチップの剥がれた部分のめっき
皮膜は膜厚が非常に薄く、このチップは不良品となる。
従って、この不良品のチップが良品のチップに混入する
可能性がある。
【０００７】特に、図２（ａ）に示す、互いにくっつい
ていたチップ１・１同士が剥がれた場合、図３に示すよ
うに、くっついていためっき部分のめっき皮膜（剥がれ
部５ａ）の膜厚が非常に薄くなってしまう。実際に測定
しためっき皮膜の膜厚は、剥がれ部５ａのめっき皮膜の
膜厚は、０．１μｍであり、通常部（錫めっき部５）の
５μｍと比べて非常に薄いものであった。
ていたチップ１・１同士が剥がれた場合、図３に示すよ
うに、くっついていためっき部分のめっき皮膜（剥がれ
部５ａ）の膜厚が非常に薄くなってしまう。実際に測定
しためっき皮膜の膜厚は、剥がれ部５ａのめっき皮膜の
膜厚は、０．１μｍであり、通常部（錫めっき部５）の
５μｍと比べて非常に薄いものであった。
【０００８】このめっき皮膜の膜厚が非常に薄いチップ
は、はんだ付け性等の実装特性が著しく低下するという
問題がある。この「くっつき」の問題は、チップ部品の
軽薄小型化が進むにつれ、非常に大きくなることが予想
される。
は、はんだ付け性等の実装特性が著しく低下するという
問題がある。この「くっつき」の問題は、チップ部品の
軽薄小型化が進むにつれ、非常に大きくなることが予想
される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】かかる問題を解決する
ために、現在では、一度にめっきするチップの量を低減
させる等の加工条件を改善することによりくっつきを低
減している。しかしながら、設備能力の低下や今後の鉛
フリー化による錫めっき化の流れに対して、根本的な解
決策が必要とされている。
ために、現在では、一度にめっきするチップの量を低減
させる等の加工条件を改善することによりくっつきを低
減している。しかしながら、設備能力の低下や今後の鉛
フリー化による錫めっき化の流れに対して、根本的な解
決策が必要とされている。
【００１０】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、チップサイズに関係なく、錫めっ
きのくっつきを一定量以下に抑制することが可能なチッ
プ型セラミックス電子部品の電極形成法およびそれを用
いてなるチップ型セラミックス電子部品を提供すること
である。
であり、その目的は、チップサイズに関係なく、錫めっ
きのくっつきを一定量以下に抑制することが可能なチッ
プ型セラミックス電子部品の電極形成法およびそれを用
いてなるチップ型セラミックス電子部品を提供すること
である。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のチップ型セラミックス電子部品の電極形
成法は、第一錫塩としてのスルファミン酸第一錫と、ク
エン酸、グルコン酸、ピロリン酸、ヘプトン酸、マロン
酸、りんご酸およびこれらの塩、並びにグルコノラクト
ンから選択される少なくとも１種を含む錯化剤と、ＨＬ
Ｂ値が１０以上である界面活性剤の少なくとも１種を有
する光沢剤とを具備する錫めっき浴を用いて電気めっき
を行うことを特徴としている。
めに、本発明のチップ型セラミックス電子部品の電極形
成法は、第一錫塩としてのスルファミン酸第一錫と、ク
エン酸、グルコン酸、ピロリン酸、ヘプトン酸、マロン
酸、りんご酸およびこれらの塩、並びにグルコノラクト
ンから選択される少なくとも１種を含む錯化剤と、ＨＬ
Ｂ値が１０以上である界面活性剤の少なくとも１種を有
する光沢剤とを具備する錫めっき浴を用いて電気めっき
を行うことを特徴としている。
【００１２】上記の方法によれば、錫塩にスルファミン
酸第一錫を選定することで、くっつき不良を大幅に抑制
してチップ型セラミックス電子部品に対し、錫めっきを
鉛を省いて施し、上記錫めっきが形成された電極を得る
ことができる。これは、第一錫塩にスルファミン酸第一
錫を用いた場合、スルファミン酸イオンの働きにより、
「くっつき」を低減するようなめっき皮膜を鉛を省いて
も形成できるためである。
酸第一錫を選定することで、くっつき不良を大幅に抑制
してチップ型セラミックス電子部品に対し、錫めっきを
鉛を省いて施し、上記錫めっきが形成された電極を得る
ことができる。これは、第一錫塩にスルファミン酸第一
錫を用いた場合、スルファミン酸イオンの働きにより、
「くっつき」を低減するようなめっき皮膜を鉛を省いて
も形成できるためである。
【００１３】本発明のチップ型セラミックス電子部品の
電極形成法は、上記の方法に加えて、前記錫めっき浴
が、ヒドロキノン、アスコルビン酸、ピロカテコール、
およびレゾルシンから選択される少なくとも１種を有す
る酸化防止剤を含むことが好ましい。
電極形成法は、上記の方法に加えて、前記錫めっき浴
が、ヒドロキノン、アスコルビン酸、ピロカテコール、
およびレゾルシンから選択される少なくとも１種を有す
る酸化防止剤を含むことが好ましい。
【００１４】上記の方法によれば、錫めっき浴中におい
て錫イオンの２価から４価への酸化を抑制することがで
きる。これにより、錫めっき浴の浴寿命を延ばすことが
できる。
て錫イオンの２価から４価への酸化を抑制することがで
きる。これにより、錫めっき浴の浴寿命を延ばすことが
できる。
【００１５】本発明のチップ型セラミックス電子部品の
電極形成法は、上記の方法に加えて、前記第一錫塩の濃
度が、０．０５ｍｏｌ／Ｌ〜１．０ｍｏｌ／Ｌであるこ
とが好ましい。Ｌとは、１０3 ｃｍ3 を示す。これによ
り、凹凸の小さいめっき皮膜を形成することができ、は
んだ濡れ性のより良好なめっき皮膜を形成することがで
きる。
電極形成法は、上記の方法に加えて、前記第一錫塩の濃
度が、０．０５ｍｏｌ／Ｌ〜１．０ｍｏｌ／Ｌであるこ
とが好ましい。Ｌとは、１０3 ｃｍ3 を示す。これによ
り、凹凸の小さいめっき皮膜を形成することができ、は
んだ濡れ性のより良好なめっき皮膜を形成することがで
きる。
【００１６】本発明のチップ型セラミックス電子部品の
電極形成法は、上記の方法に加えて、前記錯化剤の濃度
が、０．０５ｍｏｌ／Ｌ〜１０ｍｏｌ／Ｌであることが
好ましい。これにより、錫と錯化剤との安定な錯体を形
成することができ、広い電流密度範囲ではんだ濡れ性の
より良好なめっき皮膜を形成することができる。
電極形成法は、上記の方法に加えて、前記錯化剤の濃度
が、０．０５ｍｏｌ／Ｌ〜１０ｍｏｌ／Ｌであることが
好ましい。これにより、錫と錯化剤との安定な錯体を形
成することができ、広い電流密度範囲ではんだ濡れ性の
より良好なめっき皮膜を形成することができる。
【００１７】本発明のチップ型セラミックス電子部品の
電極形成法は、上記の方法に加えて、前記光沢剤の濃度
が、０．０１ｇ／Ｌ〜１００ｇ／Ｌであることが好まし
い。
電極形成法は、上記の方法に加えて、前記光沢剤の濃度
が、０．０１ｇ／Ｌ〜１００ｇ／Ｌであることが好まし
い。
【００１８】上記の方法によれば、光沢剤の界面活性剤
がコロイド集合体を形成し、めっき浴の性質を著しく変
化させることができる。このコロイド集合体は、カソー
ド（めっき析出面）に界面活性剤が十分に行き渡り、め
っき浴中に余剰に存在する場合に形成される。つまり、
このコロイド集合体の形成は、めっき浴中に十分な量の
界面活性剤があるかどうかの指標となる。従って、コロ
イド集合体の存在により、界面活性剤が十分にめっき浴
中に存在することがわかり、この界面活性剤がカソード
（めっき析出面）に十分に吸着することにより平滑なめ
っき皮膜を形成することができる。
がコロイド集合体を形成し、めっき浴の性質を著しく変
化させることができる。このコロイド集合体は、カソー
ド（めっき析出面）に界面活性剤が十分に行き渡り、め
っき浴中に余剰に存在する場合に形成される。つまり、
このコロイド集合体の形成は、めっき浴中に十分な量の
界面活性剤があるかどうかの指標となる。従って、コロ
イド集合体の存在により、界面活性剤が十分にめっき浴
中に存在することがわかり、この界面活性剤がカソード
（めっき析出面）に十分に吸着することにより平滑なめ
っき皮膜を形成することができる。
【００１９】本発明のチップ型セラミックス電子部品の
電極形成法は、上記の方法に加えて、前記酸化防止剤の
濃度が、０．０１ｇ／Ｌ〜１００ｇ／Ｌであることが好
ましい。
電極形成法は、上記の方法に加えて、前記酸化防止剤の
濃度が、０．０１ｇ／Ｌ〜１００ｇ／Ｌであることが好
ましい。
【００２０】前記界面活性剤が、分子構造内に１つ以上
のベンゼン環を有する非イオン界面活性剤であることが
好ましい。
のベンゼン環を有する非イオン界面活性剤であることが
好ましい。
【００２１】上記の方法によれば、広い電流密度範囲で
より良好なはんだ濡れ性を有する錫めっき皮膜を形成す
ることができる。
より良好なはんだ濡れ性を有する錫めっき皮膜を形成す
ることができる。
【００２２】本発明のチップ型セラミックス電子部品の
電極形成法は、上記の方法に加えて、前記非イオン界面
活性剤が、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテ
ル、エトキシレート−α−ナフトール、およびエトキシ
レート−β−ナフトールから選択される少なくとも１種
を含むことが好ましい。
電極形成法は、上記の方法に加えて、前記非イオン界面
活性剤が、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテ
ル、エトキシレート−α−ナフトール、およびエトキシ
レート−β−ナフトールから選択される少なくとも１種
を含むことが好ましい。
【００２３】本発明のチップ型セラミックス電子部品の
電極形成法は、上記の方法に加えて、錫めっき浴のｐＨ
が、３〜８であることが好ましい。
電極形成法は、上記の方法に加えて、錫めっき浴のｐＨ
が、３〜８であることが好ましい。
【００２４】上記の方法によれば、セラミックス素体が
錫めっき浴に溶解してしまう可能性を回避することがで
きる。さらに、めっきの形成後に行うめっき水洗工程に
て、錫の水酸化物による白濁が生じるのを回避すること
ができる。
錫めっき浴に溶解してしまう可能性を回避することがで
きる。さらに、めっきの形成後に行うめっき水洗工程に
て、錫の水酸化物による白濁が生じるのを回避すること
ができる。
【００２５】本発明のチップ型セラミックス電子部品の
電極形成法は、上記の方法に加えて、水平回転バレル、
傾斜回転バレル、振動バレル、および揺動バレルから選
択される少なくとも１種のめっき工法で電気めっきを行
ってもよい。
電極形成法は、上記の方法に加えて、水平回転バレル、
傾斜回転バレル、振動バレル、および揺動バレルから選
択される少なくとも１種のめっき工法で電気めっきを行
ってもよい。
【００２６】本発明のチップ型セラミックス電子部品の
電極形成法は、上記の方法に加えて、上記チップ型セラ
ミックス電子部品が、５．７ｍｍ×５．０ｍｍ×４．０
ｍｍ以下のサイズであることが好ましい。
電極形成法は、上記の方法に加えて、上記チップ型セラ
ミックス電子部品が、５．７ｍｍ×５．０ｍｍ×４．０
ｍｍ以下のサイズであることが好ましい。
【００２７】本発明のチップ型セラミックス電子部品
は、上記に記載のチップ型セラミックス電子部品の電極
形成法によって、電極が形成されてなることを特徴とし
ている。これにより、くっつき等による不良品がほぼな
く、さらにはんだ濡れ性の高いチップ型セラミックス電
子部品を提供することができる。
は、上記に記載のチップ型セラミックス電子部品の電極
形成法によって、電極が形成されてなることを特徴とし
ている。これにより、くっつき等による不良品がほぼな
く、さらにはんだ濡れ性の高いチップ型セラミックス電
子部品を提供することができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態のチップ型
セラミックス電子部品の電極形成法について、以下に説
明する。
セラミックス電子部品の電極形成法について、以下に説
明する。
【００２９】図１（ａ）に示すように、チップ型セラミ
ックス電子部品１は、略直方体型のセラミックス素体２
と、セラミックス素体２の長手方向の両端面部にそれぞ
れ形成された各外部電極３とを備えている。このチップ
型セラミック電子部品のサイズは、例えば、幅５．０ｍ
ｍあるいは５．７ｍｍ、長さ５．７ｍｍあるいは５．０
ｍｍ、厚さ４．０ｍｍのものが挙げられる。また、セラ
ミックス素体２の内部には、図１（ｂ）に示すように、
各内部電極４がそれらの間にセラミックス層を挟んで互
いに積層されている。この内部電極４の積層数は任意で
ある。本実施の形態では、外部電極３に、錫めっき浴
（めっき浴）を用いて電気めっきすることにより電極上
にめっき皮膜を形成する。なお、上記外部電極３にめっ
きを施す際、あらかじめニッケルめっきを下地層として
施してもよい。
ックス電子部品１は、略直方体型のセラミックス素体２
と、セラミックス素体２の長手方向の両端面部にそれぞ
れ形成された各外部電極３とを備えている。このチップ
型セラミック電子部品のサイズは、例えば、幅５．０ｍ
ｍあるいは５．７ｍｍ、長さ５．７ｍｍあるいは５．０
ｍｍ、厚さ４．０ｍｍのものが挙げられる。また、セラ
ミックス素体２の内部には、図１（ｂ）に示すように、
各内部電極４がそれらの間にセラミックス層を挟んで互
いに積層されている。この内部電極４の積層数は任意で
ある。本実施の形態では、外部電極３に、錫めっき浴
（めっき浴）を用いて電気めっきすることにより電極上
にめっき皮膜を形成する。なお、上記外部電極３にめっ
きを施す際、あらかじめニッケルめっきを下地層として
施してもよい。
【００３０】上記錫めっき浴は、少なくとも第一錫塩、
錯化剤、光沢剤を含んでいる。本実施の形態において、
上記第一錫塩は、スルファミン酸第一錫である。
錯化剤、光沢剤を含んでいる。本実施の形態において、
上記第一錫塩は、スルファミン酸第一錫である。
【００３１】上記錫めっき浴におけるスルファミン酸第
一錫の濃度の下限値は、０．０５ｍｏｌ／Ｌ以上である
ことが好ましく、０．１ｍｏｌ／Ｌ以上であることがよ
り好ましい。上記錫めっき浴におけるスルファミン酸第
一錫の濃度の上限値は、１ｍｏｌ／Ｌ以下であることが
好ましく、０．７ｍｏｌ／Ｌ以下であることがより好ま
しい。これは、スルファミン酸第一錫の濃度が０．０５
ｍｏｌ／Ｌ未満である場合には高電流密度域において、
１ｍｏｌ／Ｌを超える場合には低電流密度域において、
それぞれ形成されためっき皮膜表面の凹凸が非常に大き
くなるからである。これらめっき皮膜では、はんだ濡れ
性が著しく低下する。
一錫の濃度の下限値は、０．０５ｍｏｌ／Ｌ以上である
ことが好ましく、０．１ｍｏｌ／Ｌ以上であることがよ
り好ましい。上記錫めっき浴におけるスルファミン酸第
一錫の濃度の上限値は、１ｍｏｌ／Ｌ以下であることが
好ましく、０．７ｍｏｌ／Ｌ以下であることがより好ま
しい。これは、スルファミン酸第一錫の濃度が０．０５
ｍｏｌ／Ｌ未満である場合には高電流密度域において、
１ｍｏｌ／Ｌを超える場合には低電流密度域において、
それぞれ形成されためっき皮膜表面の凹凸が非常に大き
くなるからである。これらめっき皮膜では、はんだ濡れ
性が著しく低下する。
【００３２】また、上記錯化剤は、クエン酸、グルコン
酸、ピロリン酸、ヘプトン酸、マロン酸、りんご酸およ
びこれらの塩、並びにグルコノラクトンから選択される
少なくとも１種を含む。
酸、ピロリン酸、ヘプトン酸、マロン酸、りんご酸およ
びこれらの塩、並びにグルコノラクトンから選択される
少なくとも１種を含む。
【００３３】上記めっき浴における錯化剤の濃度の下限
値は、０．０５ｍｏｌ／Ｌ以上であることが好ましく、
０．１ｍｏｌ／Ｌ以上であることがより好ましい。ま
た、めっき浴における錯化剤の濃度の上限値は、１０ｍ
ｏｌ／Ｌ以下であることが好ましく、４．５ｍｏｌ／Ｌ
以下であることが好ましい。これは、錫のｍｏｌ濃度に
対する錯化剤の濃度比が１未満の場合、錫と錯化剤との
安定な錯体が形成されないためである。安定な錯体が形
成されない場合、広い電流密度範囲で良好なはんだ濡れ
性が得られる皮膜を形成できない。つまり、錯化剤の濃
度は、錫の濃度に対する比が１以上であることが好まし
い。一方、錯化剤の濃度が１０ｍｏｌ／Ｌを超える場合
は、錯化剤がめっき浴中に溶解しなくなる。
値は、０．０５ｍｏｌ／Ｌ以上であることが好ましく、
０．１ｍｏｌ／Ｌ以上であることがより好ましい。ま
た、めっき浴における錯化剤の濃度の上限値は、１０ｍ
ｏｌ／Ｌ以下であることが好ましく、４．５ｍｏｌ／Ｌ
以下であることが好ましい。これは、錫のｍｏｌ濃度に
対する錯化剤の濃度比が１未満の場合、錫と錯化剤との
安定な錯体が形成されないためである。安定な錯体が形
成されない場合、広い電流密度範囲で良好なはんだ濡れ
性が得られる皮膜を形成できない。つまり、錯化剤の濃
度は、錫の濃度に対する比が１以上であることが好まし
い。一方、錯化剤の濃度が１０ｍｏｌ／Ｌを超える場合
は、錯化剤がめっき浴中に溶解しなくなる。
【００３４】また、光沢剤は、ＨＬＢ（hydrophile-lip
ophile balance）値が１０以上である界面活性剤の少な
くとも１種を含む。ＨＬＢ値とは、界面活性剤の親水性
と親油性とのバランスを意味する指標である。この概念
としては、米国のアトラス・パウダー社の研究陣が生み
出したものであるが、現在では界面活性剤の親水性を示
す概念として用いられている。
ophile balance）値が１０以上である界面活性剤の少な
くとも１種を含む。ＨＬＢ値とは、界面活性剤の親水性
と親油性とのバランスを意味する指標である。この概念
としては、米国のアトラス・パウダー社の研究陣が生み
出したものであるが、現在では界面活性剤の親水性を示
す概念として用いられている。
【００３５】上記界面活性剤（光沢剤）は、ＨＬＢ値が
１０未満である場合、本めっき浴の組成系では溶解性を
示さない。従って、上記界面活性剤（光沢剤）は、ＨＬ
Ｂ値が１０以上であることが適切である。
１０未満である場合、本めっき浴の組成系では溶解性を
示さない。従って、上記界面活性剤（光沢剤）は、ＨＬ
Ｂ値が１０以上であることが適切である。
【００３６】さらに、上記光沢剤は、分子構造内に１つ
以上のベンゼン環を有する非イオン界面活性剤の少なく
とも１種を含むことがより一層好ましい。これにより、
ベンゼン環が電気めっきのカソード（めっき析出面）に
対して適度な吸着性を示すため、めっき析出時に、光沢
剤がめっきされる領域に局所的に集まると考えられる。
そのため、より良好なはんだ濡れ性およびよりくっつき
の生じにくい錫めっき皮膜を形成できると考えられる。
以上のベンゼン環を有する非イオン界面活性剤の少なく
とも１種を含むことがより一層好ましい。これにより、
ベンゼン環が電気めっきのカソード（めっき析出面）に
対して適度な吸着性を示すため、めっき析出時に、光沢
剤がめっきされる領域に局所的に集まると考えられる。
そのため、より良好なはんだ濡れ性およびよりくっつき
の生じにくい錫めっき皮膜を形成できると考えられる。
【００３７】また、この非イオン界面活性剤は、ポリオ
キシエチレンアルキルフェニルエーテル、エトキシレー
ト−α−ナフトール、およびエトキシレート−β−ナフ
トールから選択される少なくとも１種を含むことがより
一層好ましい。
キシエチレンアルキルフェニルエーテル、エトキシレー
ト−α−ナフトール、およびエトキシレート−β−ナフ
トールから選択される少なくとも１種を含むことがより
一層好ましい。
【００３８】上記めっき浴における光沢剤の濃度の下限
値は、０．０１ｇ／Ｌ以上であることが好ましく、０．
１ｇ／Ｌ以上であることがより好ましい。また、光沢剤
の濃度の上限値は、１００ｇ／Ｌ以下であることが好ま
しく、１０ｇ／Ｌ以下であることがより好ましい。
値は、０．０１ｇ／Ｌ以上であることが好ましく、０．
１ｇ／Ｌ以上であることがより好ましい。また、光沢剤
の濃度の上限値は、１００ｇ／Ｌ以下であることが好ま
しく、１０ｇ／Ｌ以下であることがより好ましい。
【００３９】上記光沢剤の濃度の０．０１ｇ／Ｌは、上
記光沢剤の上記界面活性剤のミセル限界濃度である。上
記界面活性剤は、溶液中である濃度以上になるとコロイ
ド集合体を形成し、溶液の性質を著しく変化させる。こ
のコロイド集合体をミセルと呼び、このミセルが形成さ
れる界面活性剤の最低濃度をミセル限界濃度と呼ぶ。一
方で光沢剤の濃度が１０ｇ／Ｌを超えた場合は、過剰の
量であり、不経済となる。しかしながら、めっき特性に
は影響しないため、光沢剤は、１０ｇ／Ｌを超えて加え
てもよいが、１００ｇ／Ｌを超えるとめっき浴への溶解
性を示さない。また、コロイド集合体は、カソード（め
っき析出面）に界面活性剤が十分に行き渡り、めっき浴
中に余剰に存在する場合に形成される。つまり、このコ
ロイド集合体の形成は、めっき浴中に十分な量の界面活
性剤があるかどうかの指標となる。従って、コロイド集
合体の存在により、界面活性剤が十分にめっき浴中に存
在することがわかり、この界面活性剤がカソード（めっ
き析出面）に十分に吸着することにより平滑なめっき皮
膜を形成することができる。
記光沢剤の上記界面活性剤のミセル限界濃度である。上
記界面活性剤は、溶液中である濃度以上になるとコロイ
ド集合体を形成し、溶液の性質を著しく変化させる。こ
のコロイド集合体をミセルと呼び、このミセルが形成さ
れる界面活性剤の最低濃度をミセル限界濃度と呼ぶ。一
方で光沢剤の濃度が１０ｇ／Ｌを超えた場合は、過剰の
量であり、不経済となる。しかしながら、めっき特性に
は影響しないため、光沢剤は、１０ｇ／Ｌを超えて加え
てもよいが、１００ｇ／Ｌを超えるとめっき浴への溶解
性を示さない。また、コロイド集合体は、カソード（め
っき析出面）に界面活性剤が十分に行き渡り、めっき浴
中に余剰に存在する場合に形成される。つまり、このコ
ロイド集合体の形成は、めっき浴中に十分な量の界面活
性剤があるかどうかの指標となる。従って、コロイド集
合体の存在により、界面活性剤が十分にめっき浴中に存
在することがわかり、この界面活性剤がカソード（めっ
き析出面）に十分に吸着することにより平滑なめっき皮
膜を形成することができる。
【００４０】また、上記めっき浴は、酸化防止剤を含ん
でいてもよい。
でいてもよい。
【００４１】酸化防止剤は、ヒドロキノン、アスコルビ
ン酸、ピロカテコール、レゾルシンから選択される少な
くとも１種を含む。上記酸化防止剤を錫めっき浴に加え
ることにより、錫めっき浴中において錫イオンの２価か
ら４価への酸化を抑制することができる。これにより、
錫めっき浴の浴寿命を延ばすことができる。
ン酸、ピロカテコール、レゾルシンから選択される少な
くとも１種を含む。上記酸化防止剤を錫めっき浴に加え
ることにより、錫めっき浴中において錫イオンの２価か
ら４価への酸化を抑制することができる。これにより、
錫めっき浴の浴寿命を延ばすことができる。
【００４２】上記めっき浴における酸化防止剤の濃度の
下限値は、０．０１ｇ／Ｌ以上であることが好ましく、
０．１ｇ／Ｌ以上であることがより好ましい。これは、
酸化防止剤の濃度が０．０１ｇ／Ｌ未満である場合、錫
に対する酸化防止能を十分に示さないからである。ま
た、酸化防止剤の濃度の上限値は、１００ｇ／Ｌ以下で
あることが好ましく、１０ｇ／Ｌ以下であることがより
好ましい。これは、酸化防止剤の濃度が１０ｇ／Ｌを超
える場合、過剰となり不経済であるからである。また、
めっき特性には影響しないため、酸化防止剤は１０ｇ／
Ｌを超えて加えてもよいが、１００ｇ／Ｌを超えるとめ
っき浴への溶解性を示さない。
下限値は、０．０１ｇ／Ｌ以上であることが好ましく、
０．１ｇ／Ｌ以上であることがより好ましい。これは、
酸化防止剤の濃度が０．０１ｇ／Ｌ未満である場合、錫
に対する酸化防止能を十分に示さないからである。ま
た、酸化防止剤の濃度の上限値は、１００ｇ／Ｌ以下で
あることが好ましく、１０ｇ／Ｌ以下であることがより
好ましい。これは、酸化防止剤の濃度が１０ｇ／Ｌを超
える場合、過剰となり不経済であるからである。また、
めっき特性には影響しないため、酸化防止剤は１０ｇ／
Ｌを超えて加えてもよいが、１００ｇ／Ｌを超えるとめ
っき浴への溶解性を示さない。
【００４３】また、めっき浴のｐＨの下限値は、３以上
であることが好ましく、３．５以上であることがより好
ましい。これは、ｐＨが２以下である場合、セラミック
ス素体の溶解性が非常に大きくなってしまい、セラミッ
クス素体が錫めっき浴に溶解してしまう可能性があるか
らである。また、めっき浴のｐＨの上限値は、８以下で
あることが好ましく、７以下であることがより好まし
い。これは、ｐＨが９より大きい場合、めっきの形成後
に行うめっき水洗工程にて、めっき浴で生成した錫の水
酸化物により白濁が生じる問題があるからである。その
ため、上記の範囲にめっき浴のｐＨを限定する必要があ
る。また、めっき浴のｐＨの調整は、ｐＨ調整剤を用い
ればよい。このｐＨ調整剤は、ｐＨを下げる場合にはス
ルファミン酸、アミド硫酸もしくは硫酸を用いることが
好ましい。また、ｐＨを上げる場合には、特に限定され
るものではない。
であることが好ましく、３．５以上であることがより好
ましい。これは、ｐＨが２以下である場合、セラミック
ス素体の溶解性が非常に大きくなってしまい、セラミッ
クス素体が錫めっき浴に溶解してしまう可能性があるか
らである。また、めっき浴のｐＨの上限値は、８以下で
あることが好ましく、７以下であることがより好まし
い。これは、ｐＨが９より大きい場合、めっきの形成後
に行うめっき水洗工程にて、めっき浴で生成した錫の水
酸化物により白濁が生じる問題があるからである。その
ため、上記の範囲にめっき浴のｐＨを限定する必要があ
る。また、めっき浴のｐＨの調整は、ｐＨ調整剤を用い
ればよい。このｐＨ調整剤は、ｐＨを下げる場合にはス
ルファミン酸、アミド硫酸もしくは硫酸を用いることが
好ましい。また、ｐＨを上げる場合には、特に限定され
るものではない。
【００４４】また、めっき浴には、特に限定されるもの
ではないが、スルファミン酸、スルファミン酸塩、硫
酸、硫酸塩等の導電剤を加えることが好ましい。
ではないが、スルファミン酸、スルファミン酸塩、硫
酸、硫酸塩等の導電剤を加えることが好ましい。
【００４５】上記めっきは、回転バレル、水平回転バレ
ル、傾斜回転バレル、振動バレル、および揺動バレル等
から選択される少なくとも１種のめっき工法を用いて行
えばよい。
ル、傾斜回転バレル、振動バレル、および揺動バレル等
から選択される少なくとも１種のめっき工法を用いて行
えばよい。
【００４６】また、めっきを行うチップ型セラミックス
電子部品のサイズは、５．７ｍｍ×５．０ｍｍ×４．０
ｍｍ以下であることが好ましい。チップ型セラミックス
電子部品のサイズが上記より大きい場合には、くっつき
は特に問題とならない。
電子部品のサイズは、５．７ｍｍ×５．０ｍｍ×４．０
ｍｍ以下であることが好ましい。チップ型セラミックス
電子部品のサイズが上記より大きい場合には、くっつき
は特に問題とならない。
【００４７】
【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの例に限定されるものではな
く、前述した目的に添ってめっき浴の組成およびめっき
条件は任意に変更することができる。
明するが、本発明はこれらの例に限定されるものではな
く、前述した目的に添ってめっき浴の組成およびめっき
条件は任意に変更することができる。
【００４８】実施例および比較例では、形成されためっ
きに対して、はんだ濡れ性およびめっきのくっつきにつ
いて以下の評価方法により評価を行った。
きに対して、はんだ濡れ性およびめっきのくっつきにつ
いて以下の評価方法により評価を行った。
【００４９】はんだ濡れ性（特に、錫金属単体からなる
めっき皮膜のはんだ濡れ性）は、めっき皮膜の表面の析
出形状と相関があり、ハルセル試験によって目視で観察
されるめっき皮膜の表面形状と、はんだ濡れ性の良し悪
しとは一致する。すなわち、チップ型電子部品において
必要とされるはんだ濡れ性は、表面凹凸の少ないきれい
な層状の錫めっき皮膜が形成されていれば、十分に確保
することができる。
めっき皮膜のはんだ濡れ性）は、めっき皮膜の表面の析
出形状と相関があり、ハルセル試験によって目視で観察
されるめっき皮膜の表面形状と、はんだ濡れ性の良し悪
しとは一致する。すなわち、チップ型電子部品において
必要とされるはんだ濡れ性は、表面凹凸の少ないきれい
な層状の錫めっき皮膜が形成されていれば、十分に確保
することができる。
【００５０】よってここでは、ハルセル試験によるめっ
き皮膜の表面形状を、目視で観察することにより、チッ
プ型電子部品に必要とされる性能を有する錫めっき皮膜
が形成されているかどうかを判断した。ハルセル板に
は、ハルセル試験用の黄銅版を採用した。
き皮膜の表面形状を、目視で観察することにより、チッ
プ型電子部品に必要とされる性能を有する錫めっき皮膜
が形成されているかどうかを判断した。ハルセル板に
は、ハルセル試験用の黄銅版を採用した。
【００５１】また、ハルセル試験の条件は、電流０．２
Ａ、時間２５分および無攪拌にて行った。ハルセル評価
は、電流密度０．１Ａ／ｄｍ2 〜１．０Ａ／ｄｍ2 の範
囲において、１００％の面積で光沢めっき皮膜を得られ
た場合を◎とし、８０％以上の面積で光沢めっき皮膜を
得られた場合を○とし、光沢めっき皮膜の面積が８０％
未満の場合を×とした。
Ａ、時間２５分および無攪拌にて行った。ハルセル評価
は、電流密度０．１Ａ／ｄｍ2 〜１．０Ａ／ｄｍ2 の範
囲において、１００％の面積で光沢めっき皮膜を得られ
た場合を◎とし、８０％以上の面積で光沢めっき皮膜を
得られた場合を○とし、光沢めっき皮膜の面積が８０％
未満の場合を×とした。
【００５２】錫めっきのくっつきの評価は、スチールボ
ールにめっきを施したものについて行った。このスチー
ルボールへのめっきは、回転バレル工法により、下地と
してニッケルめっき、その上に錫めっきを、以下に示す
条件で行った。ただし、めっきの電流密度は、短時間で
の加速評価という性質上、通常より高く設定した。
ールにめっきを施したものについて行った。このスチー
ルボールへのめっきは、回転バレル工法により、下地と
してニッケルめっき、その上に錫めっきを、以下に示す
条件で行った。ただし、めっきの電流密度は、短時間で
の加速評価という性質上、通常より高く設定した。
【００５３】バレル条件は、バレルサイズ：１００ｍｌ
の回転バレル、回転速度：１２ｒｐｍ、被めっき物：鉄
製の１．２ｍｍφスチールボール３０ｍｌで行った。
の回転バレル、回転速度：１２ｒｐｍ、被めっき物：鉄
製の１．２ｍｍφスチールボール３０ｍｌで行った。
【００５４】めっき条件は、ニッケルめっきについて
は、浴種：ワット浴、浴温：６０℃、電流密度：３Ａ／
ｄｍ2 、めっき時間：６０分であり、錫めっきについて
は、浴温：２５℃、電流密度：０．４Ａ／ｄｍ2 、めっ
き時間：１２０分で行った。
は、浴種：ワット浴、浴温：６０℃、電流密度：３Ａ／
ｄｍ2 、めっき時間：６０分であり、錫めっきについて
は、浴温：２５℃、電流密度：０．４Ａ／ｄｍ2 、めっ
き時間：１２０分で行った。
【００５５】くっつきの定量値は、くっつき率（％）＝
｛（くっついたスチールボールの重量［ｇ］／スチール
ボールの総重量［ｇ］）×１００｝の式に従い、めっき
後のスチールボールの重量から算出した。この定量値を
基に、くっつき評価を、前記くっつき率が１０％未満の
場合を○とし、１０％以上の場合を×とした。この評価
によるくっつき率１０％未満は、量産工程でのくっつき
率０％に相当する。
｛（くっついたスチールボールの重量［ｇ］／スチール
ボールの総重量［ｇ］）×１００｝の式に従い、めっき
後のスチールボールの重量から算出した。この定量値を
基に、くっつき評価を、前記くっつき率が１０％未満の
場合を○とし、１０％以上の場合を×とした。この評価
によるくっつき率１０％未満は、量産工程でのくっつき
率０％に相当する。
【００５６】（実施例１）本発明のチップ型セラミック
ス電子部品の電極形成法について、上記の評価方法によ
り具体的に説明するための実施例および比較例を以下に
示す。
ス電子部品の電極形成法について、上記の評価方法によ
り具体的に説明するための実施例および比較例を以下に
示す。
【００５７】表１に、実施例１−１〜実施例１−５にお
いて用いためっき浴の組成（成分およびその濃度）、な
らびにそのめっき浴で形成されためっきの評価を示す。
いて用いためっき浴の組成（成分およびその濃度）、な
らびにそのめっき浴で形成されためっきの評価を示す。
【００５８】
【表１】
【００５９】表１からわかるように、実施例１−１〜実
施例１−５のいずれのめっき浴においても、くっつき評
価およびハルセル評価とも○もしくは◎であり、良好に
めっきを行えることが明らかとなった。
施例１−５のいずれのめっき浴においても、くっつき評
価およびハルセル評価とも○もしくは◎であり、良好に
めっきを行えることが明らかとなった。
【００６０】また、表２に、比較例１−１〜比較例１−
５のめっき浴の組成、およびそのめっき浴で形成された
めっきの評価を示す。
５のめっき浴の組成、およびそのめっき浴で形成された
めっきの評価を示す。
【００６１】
【表２】
【００６２】これら比較例１−１〜比較例１−５は、表
２に示すとおり、実施例１−１〜実施例１−５の条件に
おいて、それぞれ、スルファミン酸第一錫を他の錫塩に
変更したものである（実施例と比較例の番号とが対応し
ている）。
２に示すとおり、実施例１−１〜実施例１−５の条件に
おいて、それぞれ、スルファミン酸第一錫を他の錫塩に
変更したものである（実施例と比較例の番号とが対応し
ている）。
【００６３】表２からわかるように、比較例１−１〜比
較例１−５では、ハルセル評価は実施例１−１〜実施例
１−５と同等の良好な結果が得られたにもかかわらず、
くっつき率は大きな値となっており、そのくっつき評価
は×であった。つまり、比較例１−１〜比較例１−５で
は、くっつき不良が生じていることが明らかとなった。
較例１−５では、ハルセル評価は実施例１−１〜実施例
１−５と同等の良好な結果が得られたにもかかわらず、
くっつき率は大きな値となっており、そのくっつき評価
は×であった。つまり、比較例１−１〜比較例１−５で
は、くっつき不良が生じていることが明らかとなった。
【００６４】以上の実施例１−１〜実施例１−５および
比較例１−１〜比較例１−５の結果から、錫塩にスルフ
ァミン酸第一錫を用いることによりくっつき不良を低減
することができることが明らかとなった。これは、スル
ファミン酸第一錫を用いた場合、スルファミン酸イオン
の働きにより、「くっつき」を低減するようなめっき皮
膜を形成できるためである。
比較例１−１〜比較例１−５の結果から、錫塩にスルフ
ァミン酸第一錫を用いることによりくっつき不良を低減
することができることが明らかとなった。これは、スル
ファミン酸第一錫を用いた場合、スルファミン酸イオン
の働きにより、「くっつき」を低減するようなめっき皮
膜を形成できるためである。
【００６５】実施例１−１〜実施例１−５では、スルフ
ァミン酸第一錫の濃度の下限値は０．１ｍｏｌ／Ｌ以上
であり、上限値は０．７ｍｏｌ／Ｌ以下で好ましい結果
が得られた。しかしながら、スルファミン酸第一錫の濃
度は、下限値が０．０５ｍｏｌ／Ｌ以上であり、上限値
が１ｍｏｌ／Ｌ以下であることが好ましい。これは、ス
ルファミン酸第一錫の濃度が０．０５ｍｏｌ／Ｌ未満で
ある場合には高電流密度域において、１ｍｏｌ／Ｌを超
える場合には低電流密度域において、それぞれ形成され
ためっき皮膜表面の凹凸が非常に大きくなるからであ
る。これらめっき皮膜では、はんだ濡れ性が著しく低下
するまた、用いためっき浴の錯化剤の濃度の下限値は
１．００ｍｏｌ／Ｌ以上であり、上限値は４．５０ｍｏ
ｌ／Ｌ以下で好ましい結果が得られた。しかしながら、
錯化剤の濃度は、下限値が０．０５ｍｏｌ／Ｌ以上であ
り、上限値が１０ｍｏｌ／Ｌ以下であることが好まし
い。これは、錫のｍｏｌ濃度に対する錯化剤の濃度比が
１未満の場合、錫と錯化剤との安定な錯体が形成されな
いため、広い電流密度範囲で良好なはんだ濡れ性が得ら
れる皮膜を形成できないからである。つまり、錯化剤の
濃度は、錫の濃度に対する比が１以上であることが好ま
しい。一方、錯化剤の濃度が１０ｍｏｌ／Ｌを超える場
合は、錯化剤がめっき浴中に溶解しなくなる。
ァミン酸第一錫の濃度の下限値は０．１ｍｏｌ／Ｌ以上
であり、上限値は０．７ｍｏｌ／Ｌ以下で好ましい結果
が得られた。しかしながら、スルファミン酸第一錫の濃
度は、下限値が０．０５ｍｏｌ／Ｌ以上であり、上限値
が１ｍｏｌ／Ｌ以下であることが好ましい。これは、ス
ルファミン酸第一錫の濃度が０．０５ｍｏｌ／Ｌ未満で
ある場合には高電流密度域において、１ｍｏｌ／Ｌを超
える場合には低電流密度域において、それぞれ形成され
ためっき皮膜表面の凹凸が非常に大きくなるからであ
る。これらめっき皮膜では、はんだ濡れ性が著しく低下
するまた、用いためっき浴の錯化剤の濃度の下限値は
１．００ｍｏｌ／Ｌ以上であり、上限値は４．５０ｍｏ
ｌ／Ｌ以下で好ましい結果が得られた。しかしながら、
錯化剤の濃度は、下限値が０．０５ｍｏｌ／Ｌ以上であ
り、上限値が１０ｍｏｌ／Ｌ以下であることが好まし
い。これは、錫のｍｏｌ濃度に対する錯化剤の濃度比が
１未満の場合、錫と錯化剤との安定な錯体が形成されな
いため、広い電流密度範囲で良好なはんだ濡れ性が得ら
れる皮膜を形成できないからである。つまり、錯化剤の
濃度は、錫の濃度に対する比が１以上であることが好ま
しい。一方、錯化剤の濃度が１０ｍｏｌ／Ｌを超える場
合は、錯化剤がめっき浴中に溶解しなくなる。
【００６６】また、用いためっき浴の光沢剤の濃度の下
限値は０．１ｇ／Ｌ以上であり、上限値は０．５ｇ／Ｌ
以下で好ましい結果が得られた。しかしながら、光沢剤
の濃度の下限値は、０．０１ｇ／Ｌ以上であることが好
ましい。また、光沢剤の濃度の上限値は、１００ｇ／Ｌ
以下であることが好ましく、１０ｇ／Ｌ以下であること
がより一層好ましい。上記光沢剤の濃度の０．０１ｇ／
Ｌは、上記光沢剤の界面活性剤のミセル限界濃度であ
る。上記界面活性剤は、溶液中である濃度以上になると
コロイド集合体を形成し、溶液の性質を著しく変化させ
る。このコロイド集合体をミセルと呼び、このミセルが
形成される界面活性剤の最低濃度をミセル限界濃度と呼
ぶ。一方で光沢剤の濃度が１０ｇ／Ｌを超えた場合は、
過剰の量であり、不経済となる。しかしながら、めっき
特性には影響しないため、光沢剤は、１０ｇ／Ｌを超え
て加えてもよいが、１００ｇ／Ｌを超えるとめっき浴へ
の溶解性を示さない。
限値は０．１ｇ／Ｌ以上であり、上限値は０．５ｇ／Ｌ
以下で好ましい結果が得られた。しかしながら、光沢剤
の濃度の下限値は、０．０１ｇ／Ｌ以上であることが好
ましい。また、光沢剤の濃度の上限値は、１００ｇ／Ｌ
以下であることが好ましく、１０ｇ／Ｌ以下であること
がより一層好ましい。上記光沢剤の濃度の０．０１ｇ／
Ｌは、上記光沢剤の界面活性剤のミセル限界濃度であ
る。上記界面活性剤は、溶液中である濃度以上になると
コロイド集合体を形成し、溶液の性質を著しく変化させ
る。このコロイド集合体をミセルと呼び、このミセルが
形成される界面活性剤の最低濃度をミセル限界濃度と呼
ぶ。一方で光沢剤の濃度が１０ｇ／Ｌを超えた場合は、
過剰の量であり、不経済となる。しかしながら、めっき
特性には影響しないため、光沢剤は、１０ｇ／Ｌを超え
て加えてもよいが、１００ｇ／Ｌを超えるとめっき浴へ
の溶解性を示さない。
【００６７】また、用いためっき浴の酸化防止剤の濃度
の下限値は０．５ｇ／Ｌ以上であり、上限値は１．０ｇ
／Ｌ以下で好ましい結果が得られた。しかしながら、酸
化防止剤の濃度の下限値は、０．０１ｇ／Ｌ以上である
ことが好ましい。これは、酸化防止剤の濃度が０．０１
ｇ／Ｌ未満である場合、錫に対する酸化防止能を十分に
示さないからである。また、酸化防止剤の濃度の上限値
は、１００ｇ／Ｌ以下であることが好ましく、１０ｇ／
Ｌ以下であることがより好ましい。これは、酸化防止剤
の濃度が１０ｇ／Ｌを超える場合、過剰となり不経済で
あるからである。また、めっき特性には影響しないた
め、酸化防止剤は１０ｇ／Ｌを超えて加えてもよいが、
１００ｇ／Ｌを超えるとめっき浴への溶解性を示さな
い。
の下限値は０．５ｇ／Ｌ以上であり、上限値は１．０ｇ
／Ｌ以下で好ましい結果が得られた。しかしながら、酸
化防止剤の濃度の下限値は、０．０１ｇ／Ｌ以上である
ことが好ましい。これは、酸化防止剤の濃度が０．０１
ｇ／Ｌ未満である場合、錫に対する酸化防止能を十分に
示さないからである。また、酸化防止剤の濃度の上限値
は、１００ｇ／Ｌ以下であることが好ましく、１０ｇ／
Ｌ以下であることがより好ましい。これは、酸化防止剤
の濃度が１０ｇ／Ｌを超える場合、過剰となり不経済で
あるからである。また、めっき特性には影響しないた
め、酸化防止剤は１０ｇ／Ｌを超えて加えてもよいが、
１００ｇ／Ｌを超えるとめっき浴への溶解性を示さな
い。
【００６８】また、用いためっき浴のｐＨの下限値は
３．５以上であり、上限値は７以下で好ましい結果が得
られた。しかしながら、めっき浴のｐＨは、下限値が３
以上であり、上限値が８以下であることが好ましい。こ
れは、ｐＨが２以下である場合、セラミックス素体の溶
解性が非常に大きくなってしまい、セラミックス素体が
錫めっき浴に溶解してしまう可能性があるからである。
また、ｐＨが９以上である場合、めっきの形成後に行う
めっき水洗工程にて、めっき浴で生成した錫の水酸化物
により白濁が生じる問題がある。そのため、上記の範囲
にめっき浴のｐＨを限定する必要がある。めっき浴のｐ
Ｈの調整は、ｐＨ調整剤を用いればよい。このｐＨ調整
剤は、ｐＨを下げる場合にはスルファミン酸、アミド硫
酸もしくは硫酸を用いることが好ましい。また、ｐＨを
上げる場合には、特に限定されるものではない。
３．５以上であり、上限値は７以下で好ましい結果が得
られた。しかしながら、めっき浴のｐＨは、下限値が３
以上であり、上限値が８以下であることが好ましい。こ
れは、ｐＨが２以下である場合、セラミックス素体の溶
解性が非常に大きくなってしまい、セラミックス素体が
錫めっき浴に溶解してしまう可能性があるからである。
また、ｐＨが９以上である場合、めっきの形成後に行う
めっき水洗工程にて、めっき浴で生成した錫の水酸化物
により白濁が生じる問題がある。そのため、上記の範囲
にめっき浴のｐＨを限定する必要がある。めっき浴のｐ
Ｈの調整は、ｐＨ調整剤を用いればよい。このｐＨ調整
剤は、ｐＨを下げる場合にはスルファミン酸、アミド硫
酸もしくは硫酸を用いることが好ましい。また、ｐＨを
上げる場合には、特に限定されるものではない。
【００６９】また、めっき浴には、特に限定されるもの
ではないが、スルファミン酸、スルファミン酸塩、硫
酸、硫酸塩等の導電剤を加えることが好ましい。
ではないが、スルファミン酸、スルファミン酸塩、硫
酸、硫酸塩等の導電剤を加えることが好ましい。
【００７０】上記めっきは、回転バレル、水平回転バレ
ル、傾斜回転バレル、振動バレル、および揺動バレル等
から選択される少なくとも１種のめっき工法を用いて行
えばよい。
ル、傾斜回転バレル、振動バレル、および揺動バレル等
から選択される少なくとも１種のめっき工法を用いて行
えばよい。
【００７１】また、めっきを行うチップ型セラミックス
電子部品のサイズは、５．７ｍｍ×５．０ｍｍ×４．０
ｍｍ以下であることが好ましい。チップ型セラミックス
電子部品のサイズが上記より大きい場合には、くっつき
は特に問題とならない。
電子部品のサイズは、５．７ｍｍ×５．０ｍｍ×４．０
ｍｍ以下であることが好ましい。チップ型セラミックス
電子部品のサイズが上記より大きい場合には、くっつき
は特に問題とならない。
【００７２】（実施例２）次に、広い電流密度範囲で光
沢めっき皮膜を得るために、光沢剤の種類を変更して、
上記の評価方法にてめっきの評価を行った。ここでは、
表１のめっき浴の組成では良好なめっきの結果が得られ
ることがわかっているので、実施例１−１を代表例とし
て取り上げた。つまり、実施例１−１において光沢剤の
種類を変更し、表３に示す実施例２−１〜実施例２−５
のめっき浴の組成にてめっきの評価を行った。また、こ
れら実施例では、ｐＨは５に設定した。
沢めっき皮膜を得るために、光沢剤の種類を変更して、
上記の評価方法にてめっきの評価を行った。ここでは、
表１のめっき浴の組成では良好なめっきの結果が得られ
ることがわかっているので、実施例１−１を代表例とし
て取り上げた。つまり、実施例１−１において光沢剤の
種類を変更し、表３に示す実施例２−１〜実施例２−５
のめっき浴の組成にてめっきの評価を行った。また、こ
れら実施例では、ｐＨは５に設定した。
【００７３】
【表３】
【００７４】表３より、実施例２−１〜実施例２−５に
おいて、良好なくっつき率およびハルセル評価が得られ
た。その中でも、ハルセル評価で◎であったものは、実
施例２−２および実施例２−３の光沢剤として分子内に
１つ以上のベンゼン環を有する非イオン界面活性剤を用
いたものであった。電気錫めっき浴により形成されるめ
っきにおいて必要な特性として、「くっつき」以外に
「はんだ濡れ性」も挙げられる。従って、表３のハルセ
ル評価で◎を示すめっき浴でめっきを行うことがより好
ましい。つまり、めっき浴には、分子内に１つ以上のベ
ンゼン環を有する非イオン界面活性剤を有する光沢剤が
含まれることがより好ましいことが明らかとなった。
おいて、良好なくっつき率およびハルセル評価が得られ
た。その中でも、ハルセル評価で◎であったものは、実
施例２−２および実施例２−３の光沢剤として分子内に
１つ以上のベンゼン環を有する非イオン界面活性剤を用
いたものであった。電気錫めっき浴により形成されるめ
っきにおいて必要な特性として、「くっつき」以外に
「はんだ濡れ性」も挙げられる。従って、表３のハルセ
ル評価で◎を示すめっき浴でめっきを行うことがより好
ましい。つまり、めっき浴には、分子内に１つ以上のベ
ンゼン環を有する非イオン界面活性剤を有する光沢剤が
含まれることがより好ましいことが明らかとなった。
【００７５】実施例２−１〜実施例２−５では、用いた
錫めっき浴のスルファミン酸第一錫の濃度は０．２ｍｏ
ｌ／Ｌであった。しかしながら、スルファミン酸第一錫
の濃度は、下限値が０．０５ｍｏｌ／Ｌ以上であり、上
限値が１ｍｏｌ／Ｌ以下であることが好ましい。これ
は、スルファミン酸第一錫の濃度が０．０５ｍｏｌ／Ｌ
未満である場合には高電流密度域において、１ｍｏｌ／
Ｌを超える場合には低電流密度域において、それぞれ形
成されためっき皮膜表面の凹凸が非常に大きくなるから
である。これらめっき皮膜では、はんだ濡れ性が著しく
低下する。
錫めっき浴のスルファミン酸第一錫の濃度は０．２ｍｏ
ｌ／Ｌであった。しかしながら、スルファミン酸第一錫
の濃度は、下限値が０．０５ｍｏｌ／Ｌ以上であり、上
限値が１ｍｏｌ／Ｌ以下であることが好ましい。これ
は、スルファミン酸第一錫の濃度が０．０５ｍｏｌ／Ｌ
未満である場合には高電流密度域において、１ｍｏｌ／
Ｌを超える場合には低電流密度域において、それぞれ形
成されためっき皮膜表面の凹凸が非常に大きくなるから
である。これらめっき皮膜では、はんだ濡れ性が著しく
低下する。
【００７６】また、用いためっき浴の錯化剤の濃度は
１．５０ｍｏｌ／Ｌであった。しかしながら、錯化剤の
濃度は、下限値が０．０５ｍｏｌ／Ｌ以上であり、上限
値が１０ｍｏｌ／Ｌ以上であることが好ましい。これ
は、錫のｍｏｌ濃度に対する錯化剤の濃度比が１未満の
場合、錫と錯化剤との安定な錯体が形成されないため、
広い電流密度範囲で良好なはんだ濡れ性が得られる皮膜
を形成できないからである。つまり、錯化剤の濃度は、
錫の濃度に対する比が１以上であることが好ましい。一
方、錯化剤の濃度が１０ｍｏｌ／Ｌを超える場合は、錯
化剤がめっき浴中に溶解しなくなる。
１．５０ｍｏｌ／Ｌであった。しかしながら、錯化剤の
濃度は、下限値が０．０５ｍｏｌ／Ｌ以上であり、上限
値が１０ｍｏｌ／Ｌ以上であることが好ましい。これ
は、錫のｍｏｌ濃度に対する錯化剤の濃度比が１未満の
場合、錫と錯化剤との安定な錯体が形成されないため、
広い電流密度範囲で良好なはんだ濡れ性が得られる皮膜
を形成できないからである。つまり、錯化剤の濃度は、
錫の濃度に対する比が１以上であることが好ましい。一
方、錯化剤の濃度が１０ｍｏｌ／Ｌを超える場合は、錯
化剤がめっき浴中に溶解しなくなる。
【００７７】また、用いためっき浴の光沢剤の濃度は
０．３ｇ／Ｌであった。しかしながら、光沢剤の濃度の
下限値は、０．０１ｇ／Ｌ以上であることが好ましい。
また、光沢剤の濃度の上限値は、１００ｇ／Ｌ以下であ
ることが好ましく、１０ｇ／Ｌ以下であることがより一
層好ましい。上記光沢剤の濃度の０．０１ｇ／Ｌは、界
面活性剤でもある上記光沢剤のミセル限界濃度である。
上記光沢剤は、溶液中である濃度以上になるとコロイド
集合体を形成し、溶液の性質を著しく変化させる。この
コロイド集合体をミセルと呼び、このミセルが形成され
る界面活性剤の最低濃度をミセル限界濃度と呼ぶ。一方
で光沢剤の濃度が１０ｇ／Ｌを超えた場合は、過剰の量
であり、不経済となる。しかしながら、めっき特性には
影響しないため、光沢剤は、１０ｇ／Ｌを超えて加えて
もよいが、１００ｇ／Ｌを超えるとめっき浴への溶解性
を示さない。
０．３ｇ／Ｌであった。しかしながら、光沢剤の濃度の
下限値は、０．０１ｇ／Ｌ以上であることが好ましい。
また、光沢剤の濃度の上限値は、１００ｇ／Ｌ以下であ
ることが好ましく、１０ｇ／Ｌ以下であることがより一
層好ましい。上記光沢剤の濃度の０．０１ｇ／Ｌは、界
面活性剤でもある上記光沢剤のミセル限界濃度である。
上記光沢剤は、溶液中である濃度以上になるとコロイド
集合体を形成し、溶液の性質を著しく変化させる。この
コロイド集合体をミセルと呼び、このミセルが形成され
る界面活性剤の最低濃度をミセル限界濃度と呼ぶ。一方
で光沢剤の濃度が１０ｇ／Ｌを超えた場合は、過剰の量
であり、不経済となる。しかしながら、めっき特性には
影響しないため、光沢剤は、１０ｇ／Ｌを超えて加えて
もよいが、１００ｇ／Ｌを超えるとめっき浴への溶解性
を示さない。
【００７８】また、用いためっき浴の酸化防止剤の濃度
は１．０ｇ／Ｌであった。しかしながら、酸化防止剤の
濃度の下限値は、０．０１ｇ／Ｌ以上であることが好ま
しい。これは、酸化防止剤の濃度が０．０１ｇ／Ｌ未満
である場合、錫に対する酸化防止能を十分に示さないか
らである。また、酸化防止剤の濃度の上限値は、１００
ｇ／Ｌ以下であることが好ましく、１０ｇ／Ｌ以下であ
ることがより好ましい。これは、酸化防止剤の濃度が１
０ｇ／Ｌを超える場合、過剰となり不経済であるからで
ある。また、めっき特性には影響しないため、酸化防止
剤は１０ｇ／Ｌを超えて加えてもよいが、１００ｇ／Ｌ
を超えるとめっき浴への溶解性を示さない。
は１．０ｇ／Ｌであった。しかしながら、酸化防止剤の
濃度の下限値は、０．０１ｇ／Ｌ以上であることが好ま
しい。これは、酸化防止剤の濃度が０．０１ｇ／Ｌ未満
である場合、錫に対する酸化防止能を十分に示さないか
らである。また、酸化防止剤の濃度の上限値は、１００
ｇ／Ｌ以下であることが好ましく、１０ｇ／Ｌ以下であ
ることがより好ましい。これは、酸化防止剤の濃度が１
０ｇ／Ｌを超える場合、過剰となり不経済であるからで
ある。また、めっき特性には影響しないため、酸化防止
剤は１０ｇ／Ｌを超えて加えてもよいが、１００ｇ／Ｌ
を超えるとめっき浴への溶解性を示さない。
【００７９】また、用いためっき浴のｐＨの下限値は
５．０であった。しかしながら、めっき浴のｐＨは、下
限値が３以上であり、上限値が８以下であることが好ま
しい。これは、ｐＨが２以下である場合、セラミックス
素体の溶解性が非常に大きくなってしまい、セラミック
ス素体が錫めっき浴に溶解してしまう可能性があるから
である。また、ｐＨが９以上である場合、めっきの形成
後に行うめっき水洗工程にて、めっき浴で生成した錫の
水酸化物により白濁が生じる問題がある。そのため、上
記の範囲にめっき浴のｐＨを限定する必要がある。めっ
き浴のｐＨの調整は、ｐＨ調整剤を用いればよい。この
ｐＨ調整剤は、ｐＨを下げる場合にはスルファミン酸、
アミド硫酸もしくは硫酸を用いることが好ましい。ま
た、ｐＨを上げる場合には、特に限定されるものではな
い。
５．０であった。しかしながら、めっき浴のｐＨは、下
限値が３以上であり、上限値が８以下であることが好ま
しい。これは、ｐＨが２以下である場合、セラミックス
素体の溶解性が非常に大きくなってしまい、セラミック
ス素体が錫めっき浴に溶解してしまう可能性があるから
である。また、ｐＨが９以上である場合、めっきの形成
後に行うめっき水洗工程にて、めっき浴で生成した錫の
水酸化物により白濁が生じる問題がある。そのため、上
記の範囲にめっき浴のｐＨを限定する必要がある。めっ
き浴のｐＨの調整は、ｐＨ調整剤を用いればよい。この
ｐＨ調整剤は、ｐＨを下げる場合にはスルファミン酸、
アミド硫酸もしくは硫酸を用いることが好ましい。ま
た、ｐＨを上げる場合には、特に限定されるものではな
い。
【００８０】また、めっき浴には、特に限定されるもの
ではないが、スルファミン酸、スルファミン酸塩、硫
酸、硫酸塩等の導電剤を加えることが好ましい。
ではないが、スルファミン酸、スルファミン酸塩、硫
酸、硫酸塩等の導電剤を加えることが好ましい。
【００８１】上記めっきは、回転バレル、水平回転バレ
ル、傾斜回転バレル、振動バレル、および揺動バレル等
から選択される少なくとも１種のめっき工法を用いて行
えばよい。
ル、傾斜回転バレル、振動バレル、および揺動バレル等
から選択される少なくとも１種のめっき工法を用いて行
えばよい。
【００８２】また、めっきを行うチップ型セラミックス
電子部品のサイズは、５．７ｍｍ×５．０ｍｍ×４．０
ｍｍ以下であることが好ましい。チップ型セラミックス
電子部品のサイズが上記より大きい場合には、くっつき
は特に問題とならない。
電子部品のサイズは、５．７ｍｍ×５．０ｍｍ×４．０
ｍｍ以下であることが好ましい。チップ型セラミックス
電子部品のサイズが上記より大きい場合には、くっつき
は特に問題とならない。
【００８３】以上のように本発明によれば、錫塩にスル
ファミン酸第一錫を選定することで、チップサイズに関
係なく、くっつき不良を大幅に抑制してチップ型セラミ
ックス電子部品に錫めっきを施し、電極を形成すること
ができる。これは、第一錫塩にスルファミン酸第一錫を
用いた場合、スルファミン酸イオンの働きにより、「く
っつき」を低減するようなめっき皮膜を形成できるため
である。さらに、光沢剤に分子構造内に１つ以上のベン
ゼン環を有する非イオン界面活性剤を用いれば、広い電
流密度範囲で良好なはんだ濡れ性を有する錫めっき皮膜
を形成することが可能となる。
ファミン酸第一錫を選定することで、チップサイズに関
係なく、くっつき不良を大幅に抑制してチップ型セラミ
ックス電子部品に錫めっきを施し、電極を形成すること
ができる。これは、第一錫塩にスルファミン酸第一錫を
用いた場合、スルファミン酸イオンの働きにより、「く
っつき」を低減するようなめっき皮膜を形成できるため
である。さらに、光沢剤に分子構造内に１つ以上のベン
ゼン環を有する非イオン界面活性剤を用いれば、広い電
流密度範囲で良好なはんだ濡れ性を有する錫めっき皮膜
を形成することが可能となる。
【００８４】
【発明の効果】以上のように、本発明のチップ型セラミ
ックス電子部品の電極形成法は、第一錫塩としてのスル
ファミン酸第一錫と、クエン酸、グルコン酸、ピロリン
酸、ヘプトン酸、マロン酸、りんご酸およびこれらの
塩、並びにグルコノラクトンから選択される少なくとも
１種を含む錯化剤と、ＨＬＢ値が１０以上である界面活
性剤の少なくとも１種を有する光沢剤とを具備する錫め
っき浴を用いて電気めっきを行う構成である。
ックス電子部品の電極形成法は、第一錫塩としてのスル
ファミン酸第一錫と、クエン酸、グルコン酸、ピロリン
酸、ヘプトン酸、マロン酸、りんご酸およびこれらの
塩、並びにグルコノラクトンから選択される少なくとも
１種を含む錯化剤と、ＨＬＢ値が１０以上である界面活
性剤の少なくとも１種を有する光沢剤とを具備する錫め
っき浴を用いて電気めっきを行う構成である。
【００８５】上記の方法によれば、錫塩にスルファミン
酸第一錫を選定することで、くっつき不良を大幅に抑制
してチップ型セラミックス電子部品に対し、錫めっきを
鉛を省いて施し、上記錫めっきが形成された電極を得る
ことができるという効果を奏する。
酸第一錫を選定することで、くっつき不良を大幅に抑制
してチップ型セラミックス電子部品に対し、錫めっきを
鉛を省いて施し、上記錫めっきが形成された電極を得る
ことができるという効果を奏する。
【００８６】本発明のチップ型セラミックス電子部品の
電極形成法は、上記の方法に加えて、前記錫めっき浴
が、ヒドロキノン、アスコルビン酸、ピロカテコール、
およびレゾルシンから選択される少なくとも１種を有す
る酸化防止剤を含むことが好ましい。
電極形成法は、上記の方法に加えて、前記錫めっき浴
が、ヒドロキノン、アスコルビン酸、ピロカテコール、
およびレゾルシンから選択される少なくとも１種を有す
る酸化防止剤を含むことが好ましい。
【００８７】上記の方法によれば、錫めっき浴中におい
て錫イオンの２価から４価への酸化を抑制することがで
き、錫めっき浴の浴寿命を延ばすことができるという効
果を奏する。
て錫イオンの２価から４価への酸化を抑制することがで
き、錫めっき浴の浴寿命を延ばすことができるという効
果を奏する。
【００８８】本発明のチップ型セラミックス電子部品の
電極形成法は、上記の方法に加えて、前記第一錫塩の濃
度が、０．０５ｍｏｌ／Ｌ〜１．０ｍｏｌ／Ｌであるこ
とが好ましい。これにより、凹凸の小さいめっき皮膜を
形成することができ、はんだ濡れ性のより良好なめっき
皮膜を形成することができるという効果を奏する。
電極形成法は、上記の方法に加えて、前記第一錫塩の濃
度が、０．０５ｍｏｌ／Ｌ〜１．０ｍｏｌ／Ｌであるこ
とが好ましい。これにより、凹凸の小さいめっき皮膜を
形成することができ、はんだ濡れ性のより良好なめっき
皮膜を形成することができるという効果を奏する。
【００８９】本発明のチップ型セラミックス電子部品の
電極形成法は、上記の方法に加えて、前記錯化剤の濃度
が、０．０５ｍｏｌ／Ｌ〜１０ｍｏｌ／Ｌであることが
好ましい。これにより、錫と錯化剤との安定な錯体を形
成することができ、広い電流密度範囲ではんだ濡れ性の
より良好なめっき皮膜を形成することができるという効
果を奏する。
電極形成法は、上記の方法に加えて、前記錯化剤の濃度
が、０．０５ｍｏｌ／Ｌ〜１０ｍｏｌ／Ｌであることが
好ましい。これにより、錫と錯化剤との安定な錯体を形
成することができ、広い電流密度範囲ではんだ濡れ性の
より良好なめっき皮膜を形成することができるという効
果を奏する。
【００９０】本発明のチップ型セラミックス電子部品の
電極形成法は、上記の方法に加えて、前記光沢剤の濃度
が、０．０１ｇ／Ｌ〜１００ｇ／Ｌであることが好まし
い。
電極形成法は、上記の方法に加えて、前記光沢剤の濃度
が、０．０１ｇ／Ｌ〜１００ｇ／Ｌであることが好まし
い。
【００９１】上記の方法によれば、光沢剤の界面活性剤
がコロイド集合体を形成し、めっき浴の性質を著しく変
化させることができる。コロイド集合体の存在により、
界面活性剤が十分めっき浴中に存在することがわかり、
この界面活性剤がカソード（めっき析出面）に十分に吸
着することにより平滑なめっき皮膜を形成することがで
きる。
がコロイド集合体を形成し、めっき浴の性質を著しく変
化させることができる。コロイド集合体の存在により、
界面活性剤が十分めっき浴中に存在することがわかり、
この界面活性剤がカソード（めっき析出面）に十分に吸
着することにより平滑なめっき皮膜を形成することがで
きる。
【００９２】本発明のチップ型セラミックス電子部品の
電極形成法は、上記の方法に加えて、前記酸化防止剤の
濃度が、０．０１ｇ／Ｌ〜１００ｇ／Ｌであることが好
ましい。
電極形成法は、上記の方法に加えて、前記酸化防止剤の
濃度が、０．０１ｇ／Ｌ〜１００ｇ／Ｌであることが好
ましい。
【００９３】また、前記界面活性剤が、分子構造内に１
つ以上のベンゼン環を有する非イオン界面活性剤である
ことが好ましい。
つ以上のベンゼン環を有する非イオン界面活性剤である
ことが好ましい。
【００９４】上記の方法によれば、広い電流密度範囲で
より良好なはんだ濡れ性を有する錫めっき皮膜を形成す
ることができるという効果を奏する。
より良好なはんだ濡れ性を有する錫めっき皮膜を形成す
ることができるという効果を奏する。
【００９５】本発明のチップ型セラミックス電子部品の
電極形成法は、上記の方法に加えて、前記非イオン界面
活性剤が、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテ
ル、エトキシレート−α−ナフトール、エトキシレート
−β−ナフトールから選択される少なくとも１種を含む
ことが好ましい。
電極形成法は、上記の方法に加えて、前記非イオン界面
活性剤が、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテ
ル、エトキシレート−α−ナフトール、エトキシレート
−β−ナフトールから選択される少なくとも１種を含む
ことが好ましい。
【００９６】本発明のチップ型セラミックス電子部品の
電極形成法は、上記の方法に加えて、錫めっき浴のｐＨ
が、３〜８であることが好ましい。
電極形成法は、上記の方法に加えて、錫めっき浴のｐＨ
が、３〜８であることが好ましい。
【００９７】上記の方法によれば、セラミックス素体が
錫めっき浴に溶解してしまう可能性を回避することがで
きるという効果を奏する。さらに、めっきの形成後に行
うめっき水洗工程にて、錫の水酸化物による白濁が生じ
るのを回避することができ、節水することができるとい
う効果を奏する。
錫めっき浴に溶解してしまう可能性を回避することがで
きるという効果を奏する。さらに、めっきの形成後に行
うめっき水洗工程にて、錫の水酸化物による白濁が生じ
るのを回避することができ、節水することができるとい
う効果を奏する。
【００９８】本発明のチップ型セラミックス電子部品の
電極形成法は、上記の方法に加えて、水平回転バレル、
傾斜回転バレル、振動バレル、および揺動バレルから選
択される少なくとも１種のめっき工法で電気めっきを行
ってもよい。
電極形成法は、上記の方法に加えて、水平回転バレル、
傾斜回転バレル、振動バレル、および揺動バレルから選
択される少なくとも１種のめっき工法で電気めっきを行
ってもよい。
【００９９】本発明のチップ型セラミックス電子部品の
電極形成法は、上記の方法に加えて、上記チップ型セラ
ミックス電子部品が、５．７ｍｍ×５．０ｍｍ×４．０
ｍｍ以下のサイズであることが好ましい。
電極形成法は、上記の方法に加えて、上記チップ型セラ
ミックス電子部品が、５．７ｍｍ×５．０ｍｍ×４．０
ｍｍ以下のサイズであることが好ましい。
【０１００】本発明のチップ型セラミックス電子部品
は、上記に記載のチップ型セラミックス電子部品の電極
形成法によって、電極が形成されてなる構成である。こ
れにより、くっつき等による不良品がなく、さらにはん
だ濡れ性の高いチップ型セラミックス電子部品を提供す
ることができるという効果を奏する。
は、上記に記載のチップ型セラミックス電子部品の電極
形成法によって、電極が形成されてなる構成である。こ
れにより、くっつき等による不良品がなく、さらにはん
だ濡れ性の高いチップ型セラミックス電子部品を提供す
ることができるという効果を奏する。
【図１】（ａ）は、本発明の実施の一形態に用いられる
チップ型セラミックス電子部品の平面図であり、（ｂ）
は、その断面図である。
チップ型セラミックス電子部品の平面図であり、（ｂ）
は、その断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、形成されためっきのくっつ
きを説明する斜視図である。
きを説明する斜視図である。
【図３】図２（ａ）のめっきのくっつきが剥がれた状態
を示す断面図である。
を示す断面図である。
１ チップ型セラミックス電子部品（チップ）
２ セラミックス素体
３ 外部電極
４ 内部電極
５ めっき部（めっき皮膜）
５ａ 剥がれ部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 高野 良比古
京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式
会社村田製作所内
(72)発明者 浜田 邦彦
京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式
会社村田製作所内
Ｆターム(参考） 4K023 AA17 BA29 CA09 CB03 CB21
CB28 CB33 DA02 DA03
4K024 AA07 BB09 BC10 CA01 CA02
CA03 CB01
Claims (12)
- 【請求項１】チップ型セラミックス電子部品の電極形成
法において、 第一錫塩としてのスルファミン酸第一錫と、 クエン酸、グルコン酸、ピロリン酸、ヘプトン酸、マロ
ン酸、りんご酸およびこれらの塩、並びにグルコノラク
トンから選択される少なくとも１種を含む錯化剤と、 ＨＬＢ値が１０以上である界面活性剤の少なくとも１種
を有する光沢剤とを具備する錫めっき浴を用いて電気め
っきを行うことを特徴とするチップ型セラミックス電子
部品の電極形成法。 - 【請求項２】前記錫めっき浴が、ヒドロキノン、アスコ
ルビン酸、ピロカテコール、およびレゾルシンから選択
される少なくとも１種を有する酸化防止剤を含むことを
特徴とする請求項１に記載のチップ型セラミックス電子
部品の電極形成法。 - 【請求項３】前記第一錫塩の濃度が、０．０５ｍｏｌ／
Ｌ〜１．０ｍｏｌ／Ｌであることを特徴とする請求項１
または２に記載のチップ型セラミックス電子部品の電極
形成法。 - 【請求項４】前記錯化剤の濃度が、０．０５ｍｏｌ／Ｌ
〜１０ｍｏｌ／Ｌであることを特徴とする請求項１ない
し３のいずれか１項に記載のチップ型セラミックス電子
部品の電極形成法。 - 【請求項５】前記光沢剤の濃度が、０．０１ｇ／Ｌ〜１
００ｇ／Ｌであることを特徴とする請求項１ないし４の
いずれか１項に記載のチップ型セラミックス電子部品の
電極形成法。 - 【請求項６】前記酸化防止剤の濃度が、０．０１ｇ／Ｌ
〜１００ｇ／Ｌであることを特徴とする請求項２ないし
５のいずれか１項に記載のチップ型セラミックス電子部
品の電極形成法。 - 【請求項７】前記界面活性剤が、分子構造内に１つ以上
のベンゼン環を有する非イオン界面活性剤であることを
特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載のチ
ップ型セラミックス電子部品の電極形成法。 - 【請求項８】前記非イオン界面活性剤が、ポリオキシエ
チレンアルキルフェニルエーテル、エトキシレート−α
−ナフトール、およびエトキシレート−β−ナフトール
から選択される少なくとも１種を含むことを特徴とする
請求項７に記載のチップ型セラミックス電子部品の電極
形成法。 - 【請求項９】上記錫めっき浴のｐＨが、３〜８であるこ
とを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載
のチップ型セラミックス電子部品の電極形成法。 - 【請求項１０】水平回転バレル、傾斜回転バレル、振動
バレル、および揺動バレルから選択される少なくとも１
種のめっき工法で電気めっきすることを特徴とする請求
項１ないし９のいずれか１項に記載のチップ型セラミッ
クス電子部品の電極形成法。 - 【請求項１１】上記チップ型セラミックス電子部品が、
５．７ｍｍ×５．０ｍｍ×４．０ｍｍ以下のサイズであ
ることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか１項
に記載のチップ型セラミックス電子部品の電極形成法。 - 【請求項１２】請求項１ないし１１のいずれか１項に記
載のチップ型セラミックス電子部品の電極形成法によっ
て、電極が形成されてなることを特徴とするチップ型セ
ラミックス電子部品。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001277817A JP3910028B2 (ja) | 2001-09-13 | 2001-09-13 | チップ型セラミックス電子部品の電極形成法 |
| KR10-2002-0055378A KR100502733B1 (ko) | 2001-09-13 | 2002-09-12 | 세라믹 칩형 전자 부품의 전극 형성 방법 |
| CNB021427232A CN1311103C (zh) | 2001-09-13 | 2002-09-13 | 电镀陶瓷片电子元件的电极的方法 |
| US10/243,183 US6911138B2 (en) | 2001-09-13 | 2002-09-13 | Method for plating electrodes of ceramic chip electronic components |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001277817A JP3910028B2 (ja) | 2001-09-13 | 2001-09-13 | チップ型セラミックス電子部品の電極形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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ID=19102284
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