JP2003068893A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 半導体領域に形成されたソース領域、ドレイン領域、及びそれらの間のチャネル領域と、前記チャネル領域の上に設けられた第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の上に設けられた半導体膜と、前記半導体膜の上に設けられた第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜の上に設けられたゲート電極とを有し、
   前記第２絶縁膜は電荷トラップ膜であり、
   電荷を前記第２絶縁膜のトラップに捕獲することで電荷蓄積が行われ、
   前記半導体膜の膜厚は前記第２絶縁膜の膜厚よりも薄いことを特徴とする不揮発性記憶素子。
2. 電荷トラップ膜を電荷保持に用いる不揮発性記憶素子であって、
   半導体領域にソース領域、ドレイン領域、及びそれらの間のチャネル領域とが形成され、
   前記チャネル領域上に第１絶縁膜が設けられ、
   前記第１絶縁膜上に半導体膜が設けられ、
   前記半導体膜上に前記電荷トラップ膜である第２絶縁膜が設けられ、
   前記第２絶縁膜上にゲート電極が設けられ、
   前記半導体膜の膜厚は前記第２絶縁膜の膜厚よりも薄いことを特徴とする不揮発性記憶素子。
3. 前記第１絶縁膜はシリコン酸化膜、前記第２絶縁膜はシリコン窒化膜であることを特徴とする請求項１又は２に記載の不揮発性記憶素子。
4. 前記第２絶縁膜と前記ゲート電極との間に第３絶縁膜が設けられることを特徴とする請求項１又は２に記載の不揮発性記憶素子。
5. 前記電荷トラップ膜に捕獲された電荷は前記第１絶縁膜を介してトンネル放出されることを特徴とする請求項１記載の不揮発性記憶素子。
6. 前記電荷トラップ膜に捕獲された電荷は前記第１絶縁膜を介してトンネル放出されることを特徴とする請求項２記載の不揮発性記憶素子。