JP2003068893A5 - - Google Patents
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- 半導体領域に形成されたソース領域、ドレイン領域、及びそれらの間のチャネル領域と、前記チャネル領域の上に設けられた第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜の上に設けられた半導体膜と、前記半導体膜の上に設けられた第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜の上に設けられたゲート電極とを有し、
前記第2絶縁膜は電荷トラップ膜であり、
電荷を前記第2絶縁膜のトラップに捕獲することで電荷蓄積が行われ、
前記半導体膜の膜厚は前記第2絶縁膜の膜厚よりも薄いことを特徴とする不揮発性記憶素子。 - 電荷トラップ膜を電荷保持に用いる不揮発性記憶素子であって、
半導体領域にソース領域、ドレイン領域、及びそれらの間のチャネル領域とが形成され、
前記チャネル領域上に第1絶縁膜が設けられ、
前記第1絶縁膜上に半導体膜が設けられ、
前記半導体膜上に前記電荷トラップ膜である第2絶縁膜が設けられ、
前記第2絶縁膜上にゲート電極が設けられ、
前記半導体膜の膜厚は前記第2絶縁膜の膜厚よりも薄いことを特徴とする不揮発性記憶素子。 - 前記第1絶縁膜はシリコン酸化膜、前記第2絶縁膜はシリコン窒化膜であることを特徴とする請求項1又は2に記載の不揮発性記憶素子。
- 前記第2絶縁膜と前記ゲート電極との間に第3絶縁膜が設けられることを特徴とする請求項1又は2に記載の不揮発性記憶素子。
- 前記電荷トラップ膜に捕獲された電荷は前記第1絶縁膜を介してトンネル放出されることを特徴とする請求項1記載の不揮発性記憶素子。
- 前記電荷トラップ膜に捕獲された電荷は前記第1絶縁膜を介してトンネル放出されることを特徴とする請求項2記載の不揮発性記憶素子。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001257698A JP2003068893A (ja) | 2001-08-28 | 2001-08-28 | 不揮発性記憶素子及び半導体集積回路 |
PCT/JP2002/006710 WO2003021666A1 (fr) | 2001-08-28 | 2002-07-03 | Dispositif de stockage non volatil et circuit a semi-conducteurs integre |
TW091117013A TW584943B (en) | 2001-08-28 | 2002-07-30 | Nonvolatile storage device and semiconductor integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001257698A JP2003068893A (ja) | 2001-08-28 | 2001-08-28 | 不揮発性記憶素子及び半導体集積回路 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005041611A Division JP2005184028A (ja) | 2005-02-18 | 2005-02-18 | 不揮発性記憶素子 |
JP2005041612A Division JP2005184029A (ja) | 2005-02-18 | 2005-02-18 | 不揮発性記憶素子及び半導体集積回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003068893A JP2003068893A (ja) | 2003-03-07 |
JP2003068893A5 true JP2003068893A5 (ja) | 2005-08-25 |
Family
ID=19085320
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001257698A Pending JP2003068893A (ja) | 2001-08-28 | 2001-08-28 | 不揮発性記憶素子及び半導体集積回路 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003068893A (ja) |
TW (1) | TW584943B (ja) |
WO (1) | WO2003021666A1 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4647175B2 (ja) | 2002-04-18 | 2011-03-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置 |
KR100446632B1 (ko) * | 2002-10-14 | 2004-09-04 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 sonsnos 메모리 |
KR100474850B1 (ko) * | 2002-11-15 | 2005-03-11 | 삼성전자주식회사 | 수직 채널을 가지는 비휘발성 sonos 메모리 및 그 제조방법 |
US7075828B2 (en) * | 2004-04-26 | 2006-07-11 | Macronix International Co., Intl. | Operation scheme with charge balancing erase for charge trapping non-volatile memory |
US7133313B2 (en) * | 2004-04-26 | 2006-11-07 | Macronix International Co., Ltd. | Operation scheme with charge balancing for charge trapping non-volatile memory |
JP2006196643A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2006245415A (ja) | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Sharp Corp | 半導体記憶装置及びその製造方法、並びに携帯電子機器 |
US7612403B2 (en) * | 2005-05-17 | 2009-11-03 | Micron Technology, Inc. | Low power non-volatile memory and gate stack |
US8101989B2 (en) * | 2006-11-20 | 2012-01-24 | Macronix International Co., Ltd. | Charge trapping devices with field distribution layer over tunneling barrier |
KR100815968B1 (ko) * | 2007-05-17 | 2008-03-24 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자 제조 방법 |
US8320191B2 (en) | 2007-08-30 | 2012-11-27 | Infineon Technologies Ag | Memory cell arrangement, method for controlling a memory cell, memory array and electronic device |
US8252653B2 (en) | 2008-10-21 | 2012-08-28 | Applied Materials, Inc. | Method of forming a non-volatile memory having a silicon nitride charge trap layer |
US8198671B2 (en) | 2009-04-22 | 2012-06-12 | Applied Materials, Inc. | Modification of charge trap silicon nitride with oxygen plasma |
US8987098B2 (en) | 2012-06-19 | 2015-03-24 | Macronix International Co., Ltd. | Damascene word line |
JP5586666B2 (ja) | 2012-08-01 | 2014-09-10 | 力晶科技股▲ふん▼有限公司 | 不揮発性半導体記憶装置とその読み出し方法 |
US9379126B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-06-28 | Macronix International Co., Ltd. | Damascene conductor for a 3D device |
US9099538B2 (en) | 2013-09-17 | 2015-08-04 | Macronix International Co., Ltd. | Conductor with a plurality of vertical extensions for a 3D device |
US9559113B2 (en) | 2014-05-01 | 2017-01-31 | Macronix International Co., Ltd. | SSL/GSL gate oxide in 3D vertical channel NAND |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4913118B1 (ja) * | 1970-02-05 | 1974-03-29 | ||
JPS4886485A (ja) * | 1972-02-17 | 1973-11-15 | ||
JPS5924547B2 (ja) * | 1976-11-04 | 1984-06-09 | ソニー株式会社 | 不揮発性メモリトランジスタ |
JP2901493B2 (ja) * | 1994-06-27 | 1999-06-07 | 日本電気株式会社 | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
JPH09205155A (ja) * | 1996-01-25 | 1997-08-05 | Sony Corp | 半導体記憶装置の製造方法 |
JP2000030471A (ja) * | 1998-07-14 | 2000-01-28 | Toshiba Microelectronics Corp | 不揮発性半導体メモリ |
JP2000049241A (ja) * | 1998-07-28 | 2000-02-18 | Matsushita Electron Corp | 半導体メモリ装置およびその製造方法 |
JP2000349175A (ja) * | 1999-06-03 | 2000-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP3464955B2 (ja) * | 1999-12-03 | 2003-11-10 | Necエレクトロニクス株式会社 | 半導体記憶装置及び記憶方法 |
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-
2001
- 2001-08-28 JP JP2001257698A patent/JP2003068893A/ja active Pending
-
2002
- 2002-07-03 WO PCT/JP2002/006710 patent/WO2003021666A1/ja active Application Filing
- 2002-07-30 TW TW091117013A patent/TW584943B/zh not_active IP Right Cessation
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