JP2005184028A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 半導体領域に形成されたソース領域、ドレイン領域、及びそれらの間のチャネル領域と、前記チャネル領域の上に設けられた第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の上に設けられた半導体膜と、前記半導体膜の上に設けられた第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜の上に設けられたゲート電極とを有し、
   前記第２絶縁膜は電荷トラップ膜であり、
   電荷を前記第２絶縁膜のトラップに捕獲することで電荷蓄積が行われ、
   前記半導体膜はシリコン粒子が分散された膜であることを特徴とする不揮発性記憶素子。
2. 半導体領域に形成されたソース領域、ドレイン領域、及びそれらの間のチャネル領域と、前記チャネル領域の上に設けられた第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の上に設けられた半導体膜と、前記半導体膜の上に設けられた第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜の上に設けられたゲート電極とを有し、
   前記第２絶縁膜は電荷トラップ膜であり、
   電荷を前記第２絶縁膜のトラップに捕獲することで電荷蓄積が行われ、
   前記半導体膜は絶縁膜中にシリコン粒子が分散された膜であることを特徴とする不揮発性記憶素子。
3. 前記半導体膜の膜厚は前記第２絶縁膜の膜厚よりも薄く構成されることを特徴とする請求項１又は２記載の不揮発性記憶素子。
4. 電荷トラップ膜を電荷保持に用いる不揮発性記憶素子であって、
   半導体領域にソース領域、ドレイン領域、及びそれらの間のチャネル領域とが形成され、
   前記チャネル領域上に第１絶縁膜が設けられ、
   前記第１絶縁膜上に前記電荷トラップ膜である第２絶縁膜が設けられ、
   前記第２絶縁膜上にゲート電極が設けられ、
   前記第１絶縁膜と、前記第２絶縁膜との間に、シリコン粒子が分散されることを特徴とする不揮発性記憶素子。
5. 電荷トラップ膜を電荷保持に用いる不揮発性記憶素子であって、
   半導体領域にソース領域、ドレイン領域、及びそれらの間のチャネル領域とが形成され、
   前記チャネル領域上に第１絶縁膜が設けられ、
   前記第１絶縁膜上にシリコン粒子が分散され、
   前記分散されたシリコン粒子上に前記電荷トラップ膜である第２絶縁膜が設けられ、
   前記第２絶縁膜上にゲート電極が設けられることを特徴とする不揮発性記憶素子。
6. 前記分散されたシリコン粒子による膜の膜厚は前記第２絶縁膜の膜厚よりも薄いことを特徴とする請求項４又は５記載の不揮発性記憶素子。
7. 前記第１絶縁膜はシリコン酸化膜であり、前記第２絶縁膜はシリコン窒化膜であることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の不揮発性記憶素子。
8. 前記第２絶縁膜と前記ゲート電極との間に第３絶縁膜が設けられることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の不揮発性記憶素子。
9. 前記電荷トラップ膜に捕獲された電荷は前記第１絶縁膜を介してトンネル放出されることを特徴とする請求項１又は２記載の不揮発性記憶素子。
10. 前記電荷トラップ膜に捕獲された電荷は前記第１絶縁膜を介してトンネル放出されることを特徴とする請求項４又は５記載の不揮発性記憶素子。