JP2005184029A5 - - Google Patents
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Claims (5)
- 電荷トラップ膜を電荷保持に用いる不揮発性記憶素子であって、
半導体領域にソース領域、ドレイン領域、及びそれらの間のチャネル領域とが形成され、
前記チャネル領域上に第１絶縁膜が設けられ、
前記第１絶縁膜上に半導体膜が設けられ、
前記半導体膜上に前記電荷トラップ膜である第２絶縁膜が設けられ、
前記第２絶縁膜上にゲート電極が設けられ、
前記第２絶縁膜は金属酸化膜で構成されることを特徴とする不揮発性記憶素子。 - 電荷トラップ膜を電荷保持に用いる不揮発性記憶素子であって、
半導体領域にソース領域、ドレイン領域、及びそれらの間のチャネル領域とが形成され、
前記チャネル領域上に第１絶縁膜が設けられ、
前記第１絶縁膜上に前記電荷トラップ膜である第２絶縁膜が設けられ、
前記第２絶縁膜上にゲート電極が設けられ、
前記第２絶縁膜は、金属酸化膜で構成され、
前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜との間に、絶縁膜中にシリコン粒が分散された膜が形成されていることを特徴とする不揮発性記憶素子。 - 電荷トラップ膜を電荷保持に用いる不揮発性記憶素子であって、
半導体領域にソース領域、ドレイン領域、及びそれらの間のチャネル領域とが形成され、
前記チャネル領域上に第１絶縁膜が設けられ、
前記第１絶縁膜上に前記電荷トラップ膜である第２絶縁膜が設けられ、
前記第２絶縁膜上にゲート電極が設けられ、
前記第１絶縁膜と、前記第２絶縁膜との間に、シリコン粒が分散され、
前記第２絶縁膜は金属酸化物で構成されることを特徴とする不揮発性記憶素子。 - 請求項１〜３のいずれか１項において、
前記金属酸化膜は、５酸化タンタル膜又はチタン酸化膜又はアルミナ膜を含む高誘電率の金属酸化膜であることを特徴とする不揮発性記憶素子。 - 請求項１〜３の何れか１項において
前記半導体領域は、第４絶縁膜の上部に形成されることを特徴とする不揮発性記憶素子。
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