JP2003031526A - モジュールの製造方法及びモジュール - Google Patents
モジュールの製造方法及びモジュールInfo
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】ブレードを用いてモジュールを個片化する工程
を有するモジュールの製造方法、及びこの製造方法によ
り製造されるモジュールに関し、軽量化、放熱性の向
上、及び実装信頼性の向上を図ること。 【解決手段】電子部品が搭載された基板１０上に封止樹
脂１２を形成することにより前記電子部品を封止した
後、所定のカッティングライン１３において切断処理を
行なうことにより個片化されたモジュール２０を製造す
るモジュールの製造方法において、幅広ブレード１４を
用いてカッティングライン１３をハーフカットした後、
このハーフカット部１５を幅広ブレード１４よりも幅狭
な幅狭ブレード１６を用いて完全切断する。
を有するモジュールの製造方法、及びこの製造方法によ
り製造されるモジュールに関し、軽量化、放熱性の向
上、及び実装信頼性の向上を図ること。 【解決手段】電子部品が搭載された基板１０上に封止樹
脂１２を形成することにより前記電子部品を封止した
後、所定のカッティングライン１３において切断処理を
行なうことにより個片化されたモジュール２０を製造す
るモジュールの製造方法において、幅広ブレード１４を
用いてカッティングライン１３をハーフカットした後、
このハーフカット部１５を幅広ブレード１４よりも幅狭
な幅狭ブレード１６を用いて完全切断する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はモジュールの製造方
法及びモジュールに係り、特にブレードを用いてモジュ
ールを個片化する工程を有するモジュールの製造方法、
及びこの製造方法により製造されるモジュールに関す
る。
法及びモジュールに係り、特にブレードを用いてモジュ
ールを個片化する工程を有するモジュールの製造方法、
及びこの製造方法により製造されるモジュールに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図９乃至図１１は、従来のモジュールの
製造方法を説明するための図である。尚、以下の説明で
は、リチウム電池に対する保護モジュールを例に挙げて
説明するものとする。
製造方法を説明するための図である。尚、以下の説明で
は、リチウム電池に対する保護モジュールを例に挙げて
説明するものとする。
【０００３】リチウム電池に対する保護モジュールは、
基板１に対して電子部品（チップ抵抗、チップコンデン
サー，ＦＥＴ，ＩＣ等）を搭載した後、この電子部品を
封止樹脂２で封止し、これをブレード４で切断すること
によりモジュール５を製造する。
基板１に対して電子部品（チップ抵抗、チップコンデン
サー，ＦＥＴ，ＩＣ等）を搭載した後、この電子部品を
封止樹脂２で封止し、これをブレード４で切断すること
によりモジュール５を製造する。
【０００４】即ち、基板１上に複数のモジュール５とな
る回路を形成しておき、これを封止樹脂２で封止した後
に個片化してモジュール５とすることにより、いわゆる
１枚の基板１からモジュール５の多数個取りを可能と
し、これにより生産性の向上を図っている。この製造方
法は、チップ・オン・ボード（ＣＯＢ）といわれるもの
であり、小型・軽量化を図ることができる。
る回路を形成しておき、これを封止樹脂２で封止した後
に個片化してモジュール５とすることにより、いわゆる
１枚の基板１からモジュール５の多数個取りを可能と
し、これにより生産性の向上を図っている。この製造方
法は、チップ・オン・ボード（ＣＯＢ）といわれるもの
であり、小型・軽量化を図ることができる。
【０００５】従来のモジュールの製造方法においてモジ
ュール５を個片化するには、図９（Ａ）〜（Ｃ）に示す
ように、封止樹脂２が形成された基板１をブレード４で
一括的に切断（即ち、フルカット）することが行なわれ
ていた。よって、使用されるブレード４も幅狭ブレード
一つであった。尚、図１１は、基板１のカッティングラ
イン３を示している。
ュール５を個片化するには、図９（Ａ）〜（Ｃ）に示す
ように、封止樹脂２が形成された基板１をブレード４で
一括的に切断（即ち、フルカット）することが行なわれ
ていた。よって、使用されるブレード４も幅狭ブレード
一つであった。尚、図１１は、基板１のカッティングラ
イン３を示している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図１２は、従来の製造
方法により製造されたモジュール５を示している。この
モジュール５は、例えば図１１において矢印Ａで示す部
分である。モジュール５は、図１２に示すように直方体
形状とされている。即ち、基板１の側面と封止樹脂２の
側面は面一となっており、封止樹脂２に段部は形成され
ていない。これは、前記したように、モジュール５は封
止樹脂２が形成された基板１をブレード４により一括的
にフルカットされることにより個片化されることによ
る。
方法により製造されたモジュール５を示している。この
モジュール５は、例えば図１１において矢印Ａで示す部
分である。モジュール５は、図１２に示すように直方体
形状とされている。即ち、基板１の側面と封止樹脂２の
側面は面一となっており、封止樹脂２に段部は形成され
ていない。これは、前記したように、モジュール５は封
止樹脂２が形成された基板１をブレード４により一括的
にフルカットされることにより個片化されることによ
る。
【０００７】しかしながら、図１２に示すモジュール５
では、基板１上に電子部品（チップ抵抗、チップコンデ
ンサー，ＦＥＴ，ＩＣ等）が搭載されてない部位にも封
止樹脂２が形成されているため、モジュール５の重量が
重くなるという問題点があった。ここで、電子部品が搭
載されてない部位とは封止樹脂２の角部であり、具体的
には図１２に矢印Ｂで示す破線内の部分である。
では、基板１上に電子部品（チップ抵抗、チップコンデ
ンサー，ＦＥＴ，ＩＣ等）が搭載されてない部位にも封
止樹脂２が形成されているため、モジュール５の重量が
重くなるという問題点があった。ここで、電子部品が搭
載されてない部位とは封止樹脂２の角部であり、具体的
には図１２に矢印Ｂで示す破線内の部分である。
【０００８】また、モジュール５は上記のように直方体
形状であり、且つ封止樹脂２が均一の厚さで基板１上に
搭載されている電子部品を被覆しているため、内部に配
設されたＩＣ等で熱が発生した場合、これを有効に放熱
することができないという問題点があった。また、モジ
ュール５は、実装基板（図示せず）に実装され使用され
る。この実装の際、モジュール５は実装基板に表面実装
されるため、モジュール５は実装治具を用いて実装基板
に押圧されつつ半田接合される。この押圧処理の時、図
１２に示すように従来のモジュール５は直方体形状であ
ったため、実装治具がモジュール５を押圧できる位置は
封止樹脂２の上面部２ａだけとなる。
形状であり、且つ封止樹脂２が均一の厚さで基板１上に
搭載されている電子部品を被覆しているため、内部に配
設されたＩＣ等で熱が発生した場合、これを有効に放熱
することができないという問題点があった。また、モジ
ュール５は、実装基板（図示せず）に実装され使用され
る。この実装の際、モジュール５は実装基板に表面実装
されるため、モジュール５は実装治具を用いて実装基板
に押圧されつつ半田接合される。この押圧処理の時、図
１２に示すように従来のモジュール５は直方体形状であ
ったため、実装治具がモジュール５を押圧できる位置は
封止樹脂２の上面部２ａだけとなる。
【０００９】しかしながら、この種のモジュール５の製
造において封止樹脂２を形成する方法は、通常マスクを
利用した印刷法が用いられていた。このため、封止樹脂
２の上面部２ａは平面度が悪かった。よって、この面精
度が不良である上面部２ａを実装治具で押圧した場合、
実装基板とモジュール５の間で傾きが発生し、確実な実
装ができないおそれがあるという問題点もあった。
造において封止樹脂２を形成する方法は、通常マスクを
利用した印刷法が用いられていた。このため、封止樹脂
２の上面部２ａは平面度が悪かった。よって、この面精
度が不良である上面部２ａを実装治具で押圧した場合、
実装基板とモジュール５の間で傾きが発生し、確実な実
装ができないおそれがあるという問題点もあった。
【００１０】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、軽量化、放熱性の向上、及び実装信頼性の向上を
図りうるモジュールの製造方法及びモジュールを提供す
ることを目的とする。
あり、軽量化、放熱性の向上、及び実装信頼性の向上を
図りうるモジュールの製造方法及びモジュールを提供す
ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴
とするものである。
めに本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴
とするものである。
【００１２】請求項１記載の発明では、基板上に搭載さ
れた電子部品を樹脂で被覆した後、所定の切断位置にお
いて切断処理を行なうことによりモジュールを製造する
モジュールの製造方法において、前記切断位置におい
て、幅広の第１のブレードを用いてハーフカットを行な
う工程と、前記第１のブレードよりも幅狭な第２のブレ
ードを用いて、前記ハーフカット位置を完全切断する工
程とを有することを特徴とするものである。
れた電子部品を樹脂で被覆した後、所定の切断位置にお
いて切断処理を行なうことによりモジュールを製造する
モジュールの製造方法において、前記切断位置におい
て、幅広の第１のブレードを用いてハーフカットを行な
う工程と、前記第１のブレードよりも幅狭な第２のブレ
ードを用いて、前記ハーフカット位置を完全切断する工
程とを有することを特徴とするものである。
【００１３】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載のモジュールの製造方法において、前記切断位置を、
第１の方向と該第１の方向と異なる第２の方向の両方向
か、或いは第１の方向または第２の方向のいずれか一方
の方向に延在するよう設定したことを特徴とするもので
ある。
載のモジュールの製造方法において、前記切断位置を、
第１の方向と該第１の方向と異なる第２の方向の両方向
か、或いは第１の方向または第２の方向のいずれか一方
の方向に延在するよう設定したことを特徴とするもので
ある。
【００１４】また、請求項３記載の発明は、基板上に搭
載された電子部品を樹脂で被覆した後、所定の切断位置
において切断処理を行なうことによりモジュールを製造
するモジュールの製造方法において、前記ハーフカット
位置において、第１のブレードを用いてハーフカットを
行なう工程と、前記ハーフカット位置と異なる位置を第
２のブレードを用いて完全切断する工程とを有すること
を特徴とするものである。
載された電子部品を樹脂で被覆した後、所定の切断位置
において切断処理を行なうことによりモジュールを製造
するモジュールの製造方法において、前記ハーフカット
位置において、第１のブレードを用いてハーフカットを
行なう工程と、前記ハーフカット位置と異なる位置を第
２のブレードを用いて完全切断する工程とを有すること
を特徴とするものである。
【００１５】また、請求項４記載の発明は、請求項３記
載のモジュールの製造方法において、前記ハーフカット
位置を、第１の方向と該第１の方向と異なる第２の方向
の両方向か、或いは第１の方向または第２の方向のいず
れか一方の方向に延在するよう設定したことを特徴とす
るものである。
載のモジュールの製造方法において、前記ハーフカット
位置を、第１の方向と該第１の方向と異なる第２の方向
の両方向か、或いは第１の方向または第２の方向のいず
れか一方の方向に延在するよう設定したことを特徴とす
るものである。
【００１６】また、請求項５記載の発明は、電子部品が
搭載された基板と、該電子部品を被覆するよう前記基板
上に形成された樹脂とを具備するモジュールにおいて、
前記樹脂の前記基板と対峙する側と反対側の角部に段部
を形成したことを特徴とするものである。
搭載された基板と、該電子部品を被覆するよう前記基板
上に形成された樹脂とを具備するモジュールにおいて、
前記樹脂の前記基板と対峙する側と反対側の角部に段部
を形成したことを特徴とするものである。
【００１７】また、請求項６記載の発明は、請求項５記
載のモジュールの製造方法において、前記段部を、第１
の方向と該第１の方向と異なる第２の方向の両方向か、
或いは第１の方向または第２の方向のいずれか一方の方
向に延在するよう形成したことを特徴とするものであ
る。
載のモジュールの製造方法において、前記段部を、第１
の方向と該第１の方向と異なる第２の方向の両方向か、
或いは第１の方向または第２の方向のいずれか一方の方
向に延在するよう形成したことを特徴とするものであ
る。
【００１８】また、請求項７記載の発明は、電子部品が
搭載された基板と、該電子部品を被覆するよう前記基板
上に形成された樹脂とを具備するモジュールにおいて、
前記樹脂の前記基板と対峙する側と反対側の面に溝部を
形成したことを特徴とするものである。
搭載された基板と、該電子部品を被覆するよう前記基板
上に形成された樹脂とを具備するモジュールにおいて、
前記樹脂の前記基板と対峙する側と反対側の面に溝部を
形成したことを特徴とするものである。
【００１９】また、請求項８記載の発明は、請求項７記
載のモジュールの製造方法において、前記溝部を、第１
の方向と該第１の方向と異なる第２の方向の両方向か、
或いは第１の方向または第２の方向のいずれか一方の方
向に延在するよう形成したことを特徴とするものであ
る。
載のモジュールの製造方法において、前記溝部を、第１
の方向と該第１の方向と異なる第２の方向の両方向か、
或いは第１の方向または第２の方向のいずれか一方の方
向に延在するよう形成したことを特徴とするものであ
る。
【００２０】上記の各手段は、次のように作用する。
【００２１】上記の請求項１，２，５，６記載の発明に
よれば、所定の切断位置において、先ず幅広の第１のブ
レードを用いてハーフカットを行ない、続いてこのハー
フカット位置を第１のブレードよりも幅狭な第２のブレ
ードを用いて完全切断するため、切断位置には各ブレー
ドの幅差に起因した段差が形成される。この段差が形成
される位置は、請求項３に記載のように、封止樹脂の基
板と対峙する側と反対側の角部である。
よれば、所定の切断位置において、先ず幅広の第１のブ
レードを用いてハーフカットを行ない、続いてこのハー
フカット位置を第１のブレードよりも幅狭な第２のブレ
ードを用いて完全切断するため、切断位置には各ブレー
ドの幅差に起因した段差が形成される。この段差が形成
される位置は、請求項３に記載のように、封止樹脂の基
板と対峙する側と反対側の角部である。
【００２２】このように、ハーフカットにより封止樹脂
の角部に平滑な段部が形成されるため、段部が形成され
てないモジュールに比べ、モジュール重量を軽減するこ
とができる。また、段部が形成されることにより、封止
樹脂の外部に露出する表面積が増大し、且つ電子部品の
搭載されていない封止樹脂の角部の厚みを薄くすことが
でき、放熱性の向上を図ることができる。更に、段部は
第１のブレードにより形成されたものであるため、平坦
性が良好である（即ち、フラット面となっている）。よ
って、例えばモジュールの実装時には、この段部の平坦
な面を基準として実装処理を行なうことが可能となり、
実装信頼性の向上を図ることができる。
の角部に平滑な段部が形成されるため、段部が形成され
てないモジュールに比べ、モジュール重量を軽減するこ
とができる。また、段部が形成されることにより、封止
樹脂の外部に露出する表面積が増大し、且つ電子部品の
搭載されていない封止樹脂の角部の厚みを薄くすことが
でき、放熱性の向上を図ることができる。更に、段部は
第１のブレードにより形成されたものであるため、平坦
性が良好である（即ち、フラット面となっている）。よ
って、例えばモジュールの実装時には、この段部の平坦
な面を基準として実装処理を行なうことが可能となり、
実装信頼性の向上を図ることができる。
【００２３】また、請求項３，４，７，８記載の発明に
よれば、所定の切断位置において、先ず第１のブレード
を用いてハーフカットを行なった後、このハーフカット
位置と異なる位置を第２のブレードを用いて完全切断す
るため、ハーフカット位置には第１のブレードによる溝
部が形成される。
よれば、所定の切断位置において、先ず第１のブレード
を用いてハーフカットを行なった後、このハーフカット
位置と異なる位置を第２のブレードを用いて完全切断す
るため、ハーフカット位置には第１のブレードによる溝
部が形成される。
【００２４】このように、モジュールの切断位置とは異
なる位置にハーフカットによる溝部が形成されることに
より、溝部が形成されてないモジュールに比べ、モジュ
ール重量を軽減することができる。
なる位置にハーフカットによる溝部が形成されることに
より、溝部が形成されてないモジュールに比べ、モジュ
ール重量を軽減することができる。
【００２５】また、溝部が形成されることにより、封止
樹脂の外部に露出する表面積が増大し、且つモジュール
に搭載されている電子部品近傍の封止樹脂の厚みを薄く
することができ、放熱性の向上を図ることができる。
樹脂の外部に露出する表面積が増大し、且つモジュール
に搭載されている電子部品近傍の封止樹脂の厚みを薄く
することができ、放熱性の向上を図ることができる。
【００２６】更に、溝部の底面は第１のブレードにより
形成されたものであるため、平坦性が良好である（即
ち、フラット面となっている）。よって、例えばモジュ
ールの実装時には、この溝部の平坦な面を基準として実
装処理を行なうことが可能となり、実装信頼性の向上を
図ることができる。
形成されたものであるため、平坦性が良好である（即
ち、フラット面となっている）。よって、例えばモジュ
ールの実装時には、この溝部の平坦な面を基準として実
装処理を行なうことが可能となり、実装信頼性の向上を
図ることができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。
て図面と共に説明する。
【００２８】図１乃至図４は本発明の第１実施例である
モジュール２０の製造方法を説明するための図であり、
また図５は本発明の第１実施例であるモジュール２０を
示す図である。
モジュール２０の製造方法を説明するための図であり、
また図５は本発明の第１実施例であるモジュール２０を
示す図である。
【００２９】先ず、図５を用いてモジュール２０の構成
について説明する。モジュール２０は、例えばリチウム
電池の保護モジュールであり、リチウム電池に対するシ
ョート検出、過大充電検出等の機能を相するものであ
る。
について説明する。モジュール２０は、例えばリチウム
電池の保護モジュールであり、リチウム電池に対するシ
ョート検出、過大充電検出等の機能を相するものであ
る。
【００３０】モジュール２０は、大略すると基板１０と
封止樹脂１２とにより構成されている。基板１０は、例
えばガラス−エポキシ或いはセラミック製の基板であ
る。この基板１０の表面側には、上記のショート検出及
び過大充電検出等を行なう電子回路が配設されている。
この電子回路は、チップ抵抗、チップコンデンサー，Ｆ
ＥＴ，ＩＣ等により構成されている（図に現れず）。ま
た、基板１０の背面側には、モジュール２０が実装され
る実装基板に接続するための接続端子が形成されている
（図に現れず）。
封止樹脂１２とにより構成されている。基板１０は、例
えばガラス−エポキシ或いはセラミック製の基板であ
る。この基板１０の表面側には、上記のショート検出及
び過大充電検出等を行なう電子回路が配設されている。
この電子回路は、チップ抵抗、チップコンデンサー，Ｆ
ＥＴ，ＩＣ等により構成されている（図に現れず）。ま
た、基板１０の背面側には、モジュール２０が実装され
る実装基板に接続するための接続端子が形成されている
（図に現れず）。
【００３１】封止樹脂１２は、例えばエポキシ樹脂から
なり、基板１０の表面側に電子回路を構成するチップ抵
抗、チップコンデンサー，ＦＥＴ，ＩＣ等を封止するよ
う形成されている。これにより、封止樹脂１２は電子回
路を保護する機能を奏する。
なり、基板１０の表面側に電子回路を構成するチップ抵
抗、チップコンデンサー，ＦＥＴ，ＩＣ等を封止するよ
う形成されている。これにより、封止樹脂１２は電子回
路を保護する機能を奏する。
【００３２】この封止樹脂１２は、その長手方向に一対
の段部１８が形成されている。具体的には、段部１８
は、封止樹脂１２の基板１０と対峙する側と反対側の両
角部に形成されている。この段部１８は、後に詳述する
ようにモジュール２０を個片化する際に形成されるもの
である。尚、図５に示す本実施例に係るモジュール２０
では、段部１８を長手方向（第１の方向）にのみ形成し
た例を示しているが、この方向とは異なる短辺方向（第
２の方向）にも段部１８を形成する構成としてもよい。
の段部１８が形成されている。具体的には、段部１８
は、封止樹脂１２の基板１０と対峙する側と反対側の両
角部に形成されている。この段部１８は、後に詳述する
ようにモジュール２０を個片化する際に形成されるもの
である。尚、図５に示す本実施例に係るモジュール２０
では、段部１８を長手方向（第１の方向）にのみ形成し
た例を示しているが、この方向とは異なる短辺方向（第
２の方向）にも段部１８を形成する構成としてもよい。
【００３３】続いて、上記構成とされたモジュール２０
の製造方法について説明する。尚、本発明では、モジュ
ール２０を個片化する切断工程に特徴を有し、他の製造
工程は従来と同一であるため、以下の説明では主に切断
工程について説明するものとする。
の製造方法について説明する。尚、本発明では、モジュ
ール２０を個片化する切断工程に特徴を有し、他の製造
工程は従来と同一であるため、以下の説明では主に切断
工程について説明するものとする。
【００３４】図２（Ａ），（Ｂ）は、切断処理前の基板
１０及び封止樹脂１２を示している。切断前の基板１０
は、その表面側にそれぞれが個々のモジュール２０とな
る多数の電子回路（個々が、前記のショート検出及び過
大充電検出等を構成する）が形成されている。
１０及び封止樹脂１２を示している。切断前の基板１０
は、その表面側にそれぞれが個々のモジュール２０とな
る多数の電子回路（個々が、前記のショート検出及び過
大充電検出等を構成する）が形成されている。
【００３５】また、基板１０の表面側には封止樹脂１２
が形成されており、この封止樹脂１２は多数の電子回路
を一括的に封止した構成とされている。この封止樹脂１
２は、例えば印刷法を用いて形成される。具体的には、
基板１０上に封止樹脂１２の大きさに対応した開口を有
したマスクを配設し、この開口内にスキージを用いて封
止樹脂１２となる樹脂を装填し、その後に加熱処理する
ことにより樹脂を硬化させ、これにより封止樹脂１２を
形成する。
が形成されており、この封止樹脂１２は多数の電子回路
を一括的に封止した構成とされている。この封止樹脂１
２は、例えば印刷法を用いて形成される。具体的には、
基板１０上に封止樹脂１２の大きさに対応した開口を有
したマスクを配設し、この開口内にスキージを用いて封
止樹脂１２となる樹脂を装填し、その後に加熱処理する
ことにより樹脂を硬化させ、これにより封止樹脂１２を
形成する。
【００３６】切断工程では、先ず切断前状態の基板１０
及び封止樹脂１２に対し、図１（Ａ）に示すように、幅
広ブレード１４を用いてカッティングライン１３（図１
に一点鎖線で、また図２に破線で示す）をハーフカット
する。これにより、図１（Ｂ）及び図３に示すように、
封止樹脂１２には溝状のハーフカット部１５が形成され
る。このハーフカット処理が終了した状態では、封止樹
脂１２の一部及び基板１０はまだ切断されておらず、よ
って個片化されていない状態である。
及び封止樹脂１２に対し、図１（Ａ）に示すように、幅
広ブレード１４を用いてカッティングライン１３（図１
に一点鎖線で、また図２に破線で示す）をハーフカット
する。これにより、図１（Ｂ）及び図３に示すように、
封止樹脂１２には溝状のハーフカット部１５が形成され
る。このハーフカット処理が終了した状態では、封止樹
脂１２の一部及び基板１０はまだ切断されておらず、よ
って個片化されていない状態である。
【００３７】この際に用いられる幅広ブレード１４は、
例えば刃幅Ｗ１が約1mmの幅広のものが選定されてい
る。また、ハーフカット部１５の深さＨ１は、例えば封
止樹脂１２の厚さＨの１／５〜４／５の範囲（0.2×Ｈ
≦Ｈ１≦0.8×Ｈ）に設定されている。このハーフカッ
ト部１５の深さＨ１の選定に際しては、ハーフカット部
１５を形成することにより、基板１０上に配設された電
子回路が損傷しないよう考慮されている。
例えば刃幅Ｗ１が約1mmの幅広のものが選定されてい
る。また、ハーフカット部１５の深さＨ１は、例えば封
止樹脂１２の厚さＨの１／５〜４／５の範囲（0.2×Ｈ
≦Ｈ１≦0.8×Ｈ）に設定されている。このハーフカッ
ト部１５の深さＨ１の選定に際しては、ハーフカット部
１５を形成することにより、基板１０上に配設された電
子回路が損傷しないよう考慮されている。
【００３８】上記のように幅広ブレード１４によるハー
フカット処理が終了すると、続いて図１（Ｃ）に示すよ
うに、幅狭ブレード１６を用いてカッティングライン１
３（図４に破線で示す位置）を切断する。この際、幅狭
ブレード１６による切断は、封止樹脂１２及び基板１０
を一括的に切断（フルカッティング）する。これによ
り、基板１０及び封止樹脂１２は個片化され、図５に示
すモジュール２０が製造される。
フカット処理が終了すると、続いて図１（Ｃ）に示すよ
うに、幅狭ブレード１６を用いてカッティングライン１
３（図４に破線で示す位置）を切断する。この際、幅狭
ブレード１６による切断は、封止樹脂１２及び基板１０
を一括的に切断（フルカッティング）する。これによ
り、基板１０及び封止樹脂１２は個片化され、図５に示
すモジュール２０が製造される。
【００３９】このように、基板１０上に複数のモジュー
ル２０となる回路を形成しておき、これを封止樹脂１２
で封止した後に個片化してモジュール２０とするチップ
・オン・ボード（ＣＯＢ）技術を用いることにより、生
産性の向上を図ることができると共に、モジュール２０
の小型化，軽量化を図ることができる。
ル２０となる回路を形成しておき、これを封止樹脂１２
で封止した後に個片化してモジュール２０とするチップ
・オン・ボード（ＣＯＢ）技術を用いることにより、生
産性の向上を図ることができると共に、モジュール２０
の小型化，軽量化を図ることができる。
【００４０】ところで、上記のフルカッティングの際に
用いられる幅狭ブレード１６の刃幅Ｗ２は、ハーフカッ
ト時に用いた幅広ブレード１４の刃幅Ｗ１より狭いもの
が選定されている（Ｗ１＞Ｗ２）。具体的には、幅広ブ
レード１４の刃幅Ｗ２が約1mmであったのに対し、幅狭
ブレード１６の刃幅Ｗ２は約200μｍのものが用いられ
ている。
用いられる幅狭ブレード１６の刃幅Ｗ２は、ハーフカッ
ト時に用いた幅広ブレード１４の刃幅Ｗ１より狭いもの
が選定されている（Ｗ１＞Ｗ２）。具体的には、幅広ブ
レード１４の刃幅Ｗ２が約1mmであったのに対し、幅狭
ブレード１６の刃幅Ｗ２は約200μｍのものが用いられ
ている。
【００４１】これにより、既にハーフカット部１５が形
成されているカッティングライン１３では、図１（Ｄ）
に示すように、ハーフカット部１５の幅（これは幅広ブ
レード１４の刃幅Ｗ１と略等しい）より狭い刃幅の幅狭
ブレード１６により切断処理が行なわれる。よって、幅
狭ブレード１６により切断されることにより、ハーフカ
ット部１５には段部１８が形成される。この段部１８の
形成位置は、先に説明したように、封止樹脂１２の基板
１０と対峙する側と反対側の角部となる（図５参照）。
成されているカッティングライン１３では、図１（Ｄ）
に示すように、ハーフカット部１５の幅（これは幅広ブ
レード１４の刃幅Ｗ１と略等しい）より狭い刃幅の幅狭
ブレード１６により切断処理が行なわれる。よって、幅
狭ブレード１６により切断されることにより、ハーフカ
ット部１５には段部１８が形成される。この段部１８の
形成位置は、先に説明したように、封止樹脂１２の基板
１０と対峙する側と反対側の角部となる（図５参照）。
【００４２】このように、封止樹脂１２の角部に段部１
８が形成されることにより、段部１８が形成されてない
従来のモジュール５（図１２参照）に比べ、モジュール
重量を軽減することができる。また、段部１８が形成さ
れることにより、封止樹脂１２が外部に露出する表面積
が増大し、かつ電子部品の搭載されていない封止樹脂１
２の角部１８の厚みを薄くすることができるため、放熱
性の向上を図ることができる。よって、基板１０上に配
設されたＩＣ等の電子部品が駆動することにより熱を発
しても、この熱を効率よく放熱することができる。
８が形成されることにより、段部１８が形成されてない
従来のモジュール５（図１２参照）に比べ、モジュール
重量を軽減することができる。また、段部１８が形成さ
れることにより、封止樹脂１２が外部に露出する表面積
が増大し、かつ電子部品の搭載されていない封止樹脂１
２の角部１８の厚みを薄くすることができるため、放熱
性の向上を図ることができる。よって、基板１０上に配
設されたＩＣ等の電子部品が駆動することにより熱を発
しても、この熱を効率よく放熱することができる。
【００４３】また、本実施例では封止樹脂１２の長手方
向に延在する段部１８が形成したが、封止樹脂１２の短
辺側にのみ段部１８を形成する構成としても、また封止
樹脂１２の短辺側及び長辺側の両方に段部１８を形成す
る構成としてもよい。この際、封止樹脂１２の短辺側に
のみ段部１８を形成する構成よりも、長手方向に段部１
８を形成した方が、更にこれよりも封止樹脂１２の短辺
側及び長辺側の両方に段部１８を形成する構成の方が、
放熱性の向上及びモジュール２０の軽量化には有利であ
る。
向に延在する段部１８が形成したが、封止樹脂１２の短
辺側にのみ段部１８を形成する構成としても、また封止
樹脂１２の短辺側及び長辺側の両方に段部１８を形成す
る構成としてもよい。この際、封止樹脂１２の短辺側に
のみ段部１８を形成する構成よりも、長手方向に段部１
８を形成した方が、更にこれよりも封止樹脂１２の短辺
側及び長辺側の両方に段部１８を形成する構成の方が、
放熱性の向上及びモジュール２０の軽量化には有利であ
る。
【００４４】また、段部１８は幅広ブレード１４により
形成されるため、その表面の面精度は良好となってい
る。即ち、幅広ブレード１４は封止樹脂１２を切削加工
することによりハーフカットするが、この際、幅広ブレ
ード１４により切削された切削面（即ち、段部１８の表
面）は平坦性の高い面となる。よって、モジュール２０
を実装基板に実装する際には、この段部１８の平坦な面
を基準として実装処理を行なうことが可能となる。これ
について、従来のモジュール５と比較しつつ、図６を用
いて詳述する。
形成されるため、その表面の面精度は良好となってい
る。即ち、幅広ブレード１４は封止樹脂１２を切削加工
することによりハーフカットするが、この際、幅広ブレ
ード１４により切削された切削面（即ち、段部１８の表
面）は平坦性の高い面となる。よって、モジュール２０
を実装基板に実装する際には、この段部１８の平坦な面
を基準として実装処理を行なうことが可能となる。これ
について、従来のモジュール５と比較しつつ、図６を用
いて詳述する。
【００４５】モジュール２０は、基板１０の背面１０Ａ
に実装基板２１と電気的に接続するための接続端子（図
に現れず）が形成されている。そして、この接続端子を
実装基板２１に半田付けすることによりモジュール２０
を実装基板２１に電気的に接続すると共に機械的に固定
する構成とされている。このモジュール２０を実装基板
２１に実装する際、図６に示すように実装治具２２を用
いてモジュール２０を実装基板２１に押圧し、これによ
りモジュール２０と実装基板２１との間に傾きが発生し
ないよう構成している。
に実装基板２１と電気的に接続するための接続端子（図
に現れず）が形成されている。そして、この接続端子を
実装基板２１に半田付けすることによりモジュール２０
を実装基板２１に電気的に接続すると共に機械的に固定
する構成とされている。このモジュール２０を実装基板
２１に実装する際、図６に示すように実装治具２２を用
いてモジュール２０を実装基板２１に押圧し、これによ
りモジュール２０と実装基板２１との間に傾きが発生し
ないよう構成している。
【００４６】従来のモジュール５においても、実装基板
と接合される接続端子は基板１の背面に設けられてお
り、実装基板に実装されるときには実装治具によりモジ
ュール５は実装基板に押し付けられる。この際、従来の
モジュール５は、図１２に示すように直方体形状であっ
たため、実装治具がモジュール５を押圧できる位置は封
止樹脂２の上面部２ａだけとなる。
と接合される接続端子は基板１の背面に設けられてお
り、実装基板に実装されるときには実装治具によりモジ
ュール５は実装基板に押し付けられる。この際、従来の
モジュール５は、図１２に示すように直方体形状であっ
たため、実装治具がモジュール５を押圧できる位置は封
止樹脂２の上面部２ａだけとなる。
【００４７】この封止樹脂２の上面部２ａは、上記のよ
うに平面度が悪い印刷法により形成されている。よっ
て、上面部２ａを実装治具で押圧した場合に、実装基板
とモジュール５の間で傾きが発生し、確実な実装ができ
ないおそれがあることは前述した通りである。
うに平面度が悪い印刷法により形成されている。よっ
て、上面部２ａを実装治具で押圧した場合に、実装基板
とモジュール５の間で傾きが発生し、確実な実装ができ
ないおそれがあることは前述した通りである。
【００４８】これに対し、幅広ブレード１４により形成
された段部１８は、その表面の面精度は良好となってい
るため、図６に示すように実装治具２２のアーム部２３
を段部１８に係合させることができる。即ち、平面度が
悪い上面１２ａを用いることなく、実装治具２２は平面
度の高い面を有する段部１８を押圧することにより実装
基板２１に対する実装処理を行なうことができる。よっ
て、モジュール２０を実装基板２１に実装する際、モジ
ュール２０が実装基板２１に対して傾くことを防止で
き、信頼性の高い実装処理を実施することができる。
された段部１８は、その表面の面精度は良好となってい
るため、図６に示すように実装治具２２のアーム部２３
を段部１８に係合させることができる。即ち、平面度が
悪い上面１２ａを用いることなく、実装治具２２は平面
度の高い面を有する段部１８を押圧することにより実装
基板２１に対する実装処理を行なうことができる。よっ
て、モジュール２０を実装基板２１に実装する際、モジ
ュール２０が実装基板２１に対して傾くことを防止で
き、信頼性の高い実装処理を実施することができる。
【００４９】続いて、本発明の第２実施例について説明
する。
する。
【００５０】図７及び図８は、第２実施例であるモジュ
ール３０及びその製造方法を説明するため図である。
尚、図７及び図８において、第１実施例の説明で用いた
図１乃至図６に示した構成と同一構成については同一符
号を付してその説明を省略する。
ール３０及びその製造方法を説明するため図である。
尚、図７及び図８において、第１実施例の説明で用いた
図１乃至図６に示した構成と同一構成については同一符
号を付してその説明を省略する。
【００５１】前記した第１実施例では、カッティングラ
イン１３を幅広ブレード１４によりハーフカットしてハ
ーフカット部１５を形成した後、このハーフカット部１
５内を幅狭ブレード１６によりフルカットしてモジュー
ル２０を形成する構成としていた。即ち、第１実施例で
は、幅広ブレード１４及び幅狭ブレード１６は、いずれ
もカッティングライン１３でハーフカット及びフルカッ
トを行なう構成とされていた。これに対して本実施例で
は、ハーフカット位置とフルカット位置を異ならせたこ
とを特徴とするものである。
イン１３を幅広ブレード１４によりハーフカットしてハ
ーフカット部１５を形成した後、このハーフカット部１
５内を幅狭ブレード１６によりフルカットしてモジュー
ル２０を形成する構成としていた。即ち、第１実施例で
は、幅広ブレード１４及び幅狭ブレード１６は、いずれ
もカッティングライン１３でハーフカット及びフルカッ
トを行なう構成とされていた。これに対して本実施例で
は、ハーフカット位置とフルカット位置を異ならせたこ
とを特徴とするものである。
【００５２】図７は、切断処理前の基板１０及び封止樹
脂１２を示している。切断工程では、先ず切断前状態の
基板１０及び封止樹脂１２に対し、図７に一点鎖線で示
すハーフカッティングライン２５に沿ってブレード（図
示せず）を用いてハーフカットを行なう。これにより、
封止樹脂１２には溝部３１（図８参照）が形成される。
このハーフカット処理が終了した状態では基板１０はま
だ切断されておらず、よってモジュール３０は個片化さ
れていない状態である。
脂１２を示している。切断工程では、先ず切断前状態の
基板１０及び封止樹脂１２に対し、図７に一点鎖線で示
すハーフカッティングライン２５に沿ってブレード（図
示せず）を用いてハーフカットを行なう。これにより、
封止樹脂１２には溝部３１（図８参照）が形成される。
このハーフカット処理が終了した状態では基板１０はま
だ切断されておらず、よってモジュール３０は個片化さ
れていない状態である。
【００５３】このハーフカットに用いられるブレード
は、第１実施例と異なり特に限定されものではないが、
後述する放熱性の向上等を考慮すると、刃幅Ｗ１が約1m
m程度の比較的幅広のものが望ましい。また、形成され
る溝部３１の深さＨ２は、第１実施例と同様に封止樹脂
１２の厚さＨの１／５〜４／５の範囲（0.2×Ｈ≦Ｈ２
≦0.8×Ｈ）に設定することが望ましい。また、溝部３
１の深さＨ１の選定に際しては、溝部３１を形成するこ
とにより基板１０上に配設された電子回路が損傷しない
よう考慮されている。
は、第１実施例と異なり特に限定されものではないが、
後述する放熱性の向上等を考慮すると、刃幅Ｗ１が約1m
m程度の比較的幅広のものが望ましい。また、形成され
る溝部３１の深さＨ２は、第１実施例と同様に封止樹脂
１２の厚さＨの１／５〜４／５の範囲（0.2×Ｈ≦Ｈ２
≦0.8×Ｈ）に設定することが望ましい。また、溝部３
１の深さＨ１の選定に際しては、溝部３１を形成するこ
とにより基板１０上に配設された電子回路が損傷しない
よう考慮されている。
【００５４】上記のハーフカット処理が終了すると、続
いてブレードを用いて図７に実線で示すフルカッティン
グライン２６に沿ってフルカッティング処理を行なう。
これにより、基板１０及び封止樹脂１２は個片化され、
図８に示すモジュール３０が製造される。
いてブレードを用いて図７に実線で示すフルカッティン
グライン２６に沿ってフルカッティング処理を行なう。
これにより、基板１０及び封止樹脂１２は個片化され、
図８に示すモジュール３０が製造される。
【００５５】このフルカッティング処理では、封止樹脂
１２と基板１０とを一括的に切断する。また、図７にお
ける縦方向のフルカッティングライン２６の位置は、ハ
ーフカッティングライン２５の位置と異なるよう設定さ
れている。
１２と基板１０とを一括的に切断する。また、図７にお
ける縦方向のフルカッティングライン２６の位置は、ハ
ーフカッティングライン２５の位置と異なるよう設定さ
れている。
【００５６】よって、ハーフカット処理及びフルカット
処理が終了した時点において、フルカッティングライン
２６により囲繞された領域（図７に矢印Ｂで示す範囲内
で太い実線で示す領域）内には少なくとも１本の溝部３
１が形成された構成となる。本実施例では、図８に示す
ように２本の溝部３１がモジュール３０に形成された構
成となっている。
処理が終了した時点において、フルカッティングライン
２６により囲繞された領域（図７に矢印Ｂで示す範囲内
で太い実線で示す領域）内には少なくとも１本の溝部３
１が形成された構成となる。本実施例では、図８に示す
ように２本の溝部３１がモジュール３０に形成された構
成となっている。
【００５７】尚、上記のフルカッティングの際に用いら
れるブレードの刃幅は、第１実施例と異なりハーフカッ
ティングの際に用いられたブレードの刃幅に影響を受け
るものではなく、任意に設定することができる。例え
ば、フルカッティングの際に用いられるブレードの刃幅
と、ハーフカッティングの際に用いられたブレードの刃
幅を同一の刃幅とすることも可能である。
れるブレードの刃幅は、第１実施例と異なりハーフカッ
ティングの際に用いられたブレードの刃幅に影響を受け
るものではなく、任意に設定することができる。例え
ば、フルカッティングの際に用いられるブレードの刃幅
と、ハーフカッティングの際に用いられたブレードの刃
幅を同一の刃幅とすることも可能である。
【００５８】上記のように本実施例では、封止樹脂１２
に溝部３１が形成されることにより、溝部３１が形成さ
れてない従来のモジュール５（図１２参照）に比べ、モ
ジュール重量を軽減することができる。また、溝部３１
が形成されることにより、モジュール３０の封止樹脂１
２の表面積が増大し、且つモジュール５に搭載されてい
る電子部品近傍の厚みを薄くすることができるため、放
熱性の向上を図ることができる。よって、基板１０上に
配設されたＩＣ等の電子部品が駆動することにより熱を
発しても、この熱を効率よく放熱することができる。
に溝部３１が形成されることにより、溝部３１が形成さ
れてない従来のモジュール５（図１２参照）に比べ、モ
ジュール重量を軽減することができる。また、溝部３１
が形成されることにより、モジュール３０の封止樹脂１
２の表面積が増大し、且つモジュール５に搭載されてい
る電子部品近傍の厚みを薄くすることができるため、放
熱性の向上を図ることができる。よって、基板１０上に
配設されたＩＣ等の電子部品が駆動することにより熱を
発しても、この熱を効率よく放熱することができる。
【００５９】また、溝部３１はブレードにより形成され
るため、その底部の面精度は良好となっている。よっ
て、モジュール３０を実装基板に実装する際には、この
段部１８の平坦な面を基準として実装処理を行なうこと
が可能となる。
るため、その底部の面精度は良好となっている。よっ
て、モジュール３０を実装基板に実装する際には、この
段部１８の平坦な面を基準として実装処理を行なうこと
が可能となる。
【００６０】また、本実施例では封止樹脂１２の短辺方
向と平行となる方向（第１の方向）に延在する溝部３１
が形成したが、封止樹脂１２の長辺方向と平行となる方
向或いは上記の第１の方向と異なる方向（第２の方向）
にのみ溝部３１を形成する構成としても、また第１及び
第２の方向の両方に溝部３１を形成する構成としてもよ
い。この際、封止樹脂１２の第１の方向にのみ溝部３１
を形成する構成よりも、第１及び第２の方向の両方に溝
部３１を形成する構成の方が、放熱性の向上及びモジュ
ール２０の軽量化には有利である。
向と平行となる方向（第１の方向）に延在する溝部３１
が形成したが、封止樹脂１２の長辺方向と平行となる方
向或いは上記の第１の方向と異なる方向（第２の方向）
にのみ溝部３１を形成する構成としても、また第１及び
第２の方向の両方に溝部３１を形成する構成としてもよ
い。この際、封止樹脂１２の第１の方向にのみ溝部３１
を形成する構成よりも、第１及び第２の方向の両方に溝
部３１を形成する構成の方が、放熱性の向上及びモジュ
ール２０の軽量化には有利である。
【００６１】尚、上記した実施例ではモジュール２０と
して、リチウム電池に対する保護モジュールを例に挙げ
て説明したが、本発明の適用はこれに限定されるもので
はなく、他のモジュール或いは半導体装置に対しても適
用可能なものである。
して、リチウム電池に対する保護モジュールを例に挙げ
て説明したが、本発明の適用はこれに限定されるもので
はなく、他のモジュール或いは半導体装置に対しても適
用可能なものである。
【００６２】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、封止樹脂に
段部または溝部が形成されることにより、段部または溝
部が形成されてないモジュールに比べ、モジュール重量
を軽減することができる。また、段部または溝部が形成
されることにより、封止樹脂の表面積が増大し、且つ電
子部品の搭載されていない封止樹脂の角部の厚みを薄く
することができるため、放熱性の向上を図ることができ
る。更に、段部または溝部の底面は平坦性が良好な面と
なっているため、モジュールの実装時には、この段部ま
たは溝部の平坦な面を基準として実装処理を行なうこと
が可能となり、実装信頼性の向上を図ることができる。
段部または溝部が形成されることにより、段部または溝
部が形成されてないモジュールに比べ、モジュール重量
を軽減することができる。また、段部または溝部が形成
されることにより、封止樹脂の表面積が増大し、且つ電
子部品の搭載されていない封止樹脂の角部の厚みを薄く
することができるため、放熱性の向上を図ることができ
る。更に、段部または溝部の底面は平坦性が良好な面と
なっているため、モジュールの実装時には、この段部ま
たは溝部の平坦な面を基準として実装処理を行なうこと
が可能となり、実装信頼性の向上を図ることができる。
【図１】本発明の第１実施例であるモジュールの製造方
法を説明するための図である。
法を説明するための図である。
【図２】切断前の基板を示す図である。
【図３】ハーフカッティングが行なわれた基板を示す図
である。
である。
【図４】フルカッティング位置を説明するための図であ
る。
る。
【図５】本発明の第１実施例であるモジュールの製造方
法により製造されたモジュールを示す図である。
法により製造されたモジュールを示す図である。
【図６】本発明の第１実施例であるモジュールの製造方
法により製造されたモジュールを実装基板に実装してい
る状態を示す図である。
法により製造されたモジュールを実装基板に実装してい
る状態を示す図である。
【図７】本発明の第２実施例であるモジュールの製造方
法を説明するための図である。
法を説明するための図である。
【図８】本発明の第２実施例であるモジュールの製造方
法により製造されたモジュールを示す図である。
法により製造されたモジュールを示す図である。
【図９】従来の一例であるモジュールの製造方法を説明
するための図である。
するための図である。
【図１０】切断前の基板を示す図である。
【図１１】切断が行なわれるカッティングラインを示す
図である。
図である。
【図１２】従来の製造方法により製造されたモジュール
を示す図である。
を示す図である。
【符号の説明】
１０ 基板
１２ 封止樹脂
１３ カッティングライン
１４ 幅広ブレード
１５ ハーフカット部
１６ 幅狭ブレード
１７ フルカット部
１８ 段部
２０ モジュール
２１ 実装基板
２２ 実装治具
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 東島 泰久
神奈川県厚木市酒井1601 ミツミ電機株式
会社厚木事業所内
(72)発明者 吉村 公志
京都府京都市南区吉祥院新田壱ノ段町５番
地 ジーエス・メルコテック株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上に搭載された電子部品を樹脂で被
覆した後、所定の切断位置において切断処理を行なうこ
とによりモジュールを製造するモジュールの製造方法に
おいて、 前記切断位置において、幅広の第１のブレードを用いて
ハーフカットを行なう工程と、 前記第１のブレードよりも幅狭な第２のブレードを用い
て、前記ハーフカット位置を完全切断する工程とを有す
ることを特徴とするモジュールの製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のモジュールの製造方法に
おいて、 前記切断位置を、第１の方向と該第１の方向と異なる第
２の方向の両方向か、或いは第１の方向または第２の方
向のいずれか一方の方向に延在するよう設定したことを
特徴とするモジュールの製造方法。 - 【請求項３】 基板上に搭載された電子部品を樹脂で被
覆した後、所定の切断位置において切断処理を行なうこ
とによりモジュールを製造するモジュールの製造方法に
おいて、 前記ハーフカット位置において、第１のブレードを用い
てハーフカットを行なう工程と、 前記ハーフカット位置と異なる位置を第２のブレードを
用いて完全切断する工程とを有することを特徴とするモ
ジュールの製造方法。 - 【請求項４】 請求項３記載のモジュールの製造方法に
おいて、 前記ハーフカット位置を、第１の方向と該第１の方向と
異なる第２の方向の両方向か、或いは第１の方向または
第２の方向のいずれか一方の方向に延在するよう設定し
たことを特徴とするモジュールの製造方法。 - 【請求項５】 電子部品が搭載された基板と、該電子部
品を被覆するよう前記基板上に形成された樹脂とを具備
するモジュールにおいて、 前記樹脂の前記基板と対峙する側と反対側の角部に段部
を形成したことを特徴とするモジュール。 - 【請求項６】 請求項５記載のモジュールの製造方法に
おいて、 前記段部を、第１の方向と該第１の方向と異なる第２の
方向の両方向か、或いは第１の方向または第２の方向の
いずれか一方の方向に延在するよう形成したことを特徴
とするモジュール。 - 【請求項７】 電子部品が搭載された基板と、該電子部
品を被覆するよう前記基板上に形成された樹脂とを具備
するモジュールにおいて、 前記樹脂の前記基板と対峙する側と反対側の面に溝部を
形成したことを特徴とするモジュール。 - 【請求項８】 請求項７記載のモジュールの製造方法に
おいて、 前記溝部を、第１の方向と該第１の方向と異なる第２の
方向の両方向か、或いは第１の方向または第２の方向の
いずれか一方の方向に延在するよう形成したことを特徴
とするモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001215208A JP2003031526A (ja) | 2001-07-16 | 2001-07-16 | モジュールの製造方法及びモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001215208A JP2003031526A (ja) | 2001-07-16 | 2001-07-16 | モジュールの製造方法及びモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003031526A true JP2003031526A (ja) | 2003-01-31 |
Family
ID=19049890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001215208A Pending JP2003031526A (ja) | 2001-07-16 | 2001-07-16 | モジュールの製造方法及びモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003031526A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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