JP3410961B2

JP3410961B2 - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JP3410961B2
Application number: JP13206298A
Authority: JP
Inventors: 武司西沢; 太郎綱島; 英幸松野
Original assignee: Shinko Electric Industries Co Ltd
Current assignee: Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority date: 1998-05-14
Filing date: 1998-05-14
Publication date: 2003-05-26
Anticipated expiration: 2018-05-14
Also published as: JPH11330113A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に係り、特に基板上に搭載された半導体素子を樹脂に
より封止する半導体装置の製造方法に関する。近年、携
帯電話等の電子機器の小型化が急速に進んでおり、これ
に伴い電子機器内に実装される半導体装置に対しても小
型化の要求が強くなってきている。

【０００２】また一方において、電子機器には高い信頼
性及び低コスト化が要求されており、よって半導体装置
及びこれを製造する製造方法においても、これらの要求
に対応させる必要がある。

【０００３】

【従来の技術】図７乃至図１３は、従来の半導体装置の
製造方法を説明するための図である。尚、以下の説明で
は、半導体装置として回路基板（以下、装置側基板とい
う）に上面に搭載した半導体素子を樹脂封止すると共に
下面にボール電極を有した構造のＢＧＡ(Ball Grid Arr
ay）タイプの半導体装置１０Ａ〜１０Ｄの製造方法を例
に挙げて説明するものとする。

【０００４】図７は、第１従来例である半導体装置の製
造方法を説明するための図である。同図に示す製造方法
では、先ずガラス−エポキシ製の多層配線基板構造を有
した樹脂基板１の所定複数位置（図では１個のみ示す）
に、連結部３を残して溝部２を形成することにより複数
の装置用基板４を形成する。よって、形成された装置用
基板４は、連結部３により樹脂基板１に支持された構成
となっている。

【０００５】続いて、装置用基板４の上部にベアチップ
状の半導体素子（図示に現れず）を搭載すると共に、こ
の半導体素子をモールド樹脂５により樹脂封止する。図
７（Ａ）は、装置用基板４にモールド樹脂５が形成され
た樹脂基板１を示している。上記のように装置用基板４
にモールド樹脂５が形成されると、続いて、装置用基板
４を樹脂基板１から切り出す処理を行う。この切り出し
処理は、図７（Ｂ）に示されるように、ルータ６を用い
て行う。このルータ６は、回転することにより樹脂基板
１を切削して加工溝７を形成するものであり、予め形成
されている溝２に沿って装置用基板４の外周全周に加工
溝７を形成する。

【０００６】よって、装置用基板４の外周全周に加工溝
７を形成することにより連結部３は除去され、装置用基
板４は樹脂基板１から分離し、図７（Ｃ）に示す半導体
装置１０Ａが製造される。尚、装置用基板４を樹脂基板
１から分離した後または前に、装置用基板４の下面にボ
ール電極（例えば、半田バンプ）を配設する処理（ボー
ル配設処理）を実施するが、このボール配設処理につい
ては説明を省略するものとする。また、以下説明する各
従来例においても同様とする。

【０００７】図８は、第２従来例である半導体装置の製
造方法を説明するための図である。尚、図８において、
図７に示した第１従来例の構成と同一構成については同
一符号を付してその説明を省略するものとする。図８に
示す製造方法では、図８（Ａ）に示すように、樹脂基板
１に溝部２，連結部３，及び装置用基板４を形成すると
共に、装置用基板４上に半導体素子８を搭載する。本従
来例では、続いて図８（Ｂ）に示すように、装置用基板
４に樹脂をポッティングすることにより、ポッティング
樹脂９を形成し、これにより半導体素子８を樹脂封止す
る。

【０００８】続いて、ポッティング樹脂９が形成された
樹脂基板１を図１０に示される打ち抜き装置１４（後に
詳述する）に装着し、打ち抜き加工により連結部３を切
断する。これにより、装置用基板４は樹脂基板１から分
離し、図８（Ｃ）に示す半導体装置１０Ｂが製造され
る。図９は、第３従来例である半導体装置の製造方法を
説明するための図である。尚、図９においても、図７に
示した第１従来例の構成と同一構成については同一符号
を付してその説明を省略するものとする。

【０００９】図９に示す製造方法は、先に説明した第２
従来例の図８（Ａ）に示すまでの処理は同一の処理であ
る。しかるに本従来では、装置用基板４上に半導体素子
８を搭載した後、または最初から装置用基板４の上部に
枠状のダム１３を配設し、その上でポッティング樹脂９
をダム１３内にポッティングする。図９（Ａ）は、ダム
１３内にポッティング樹脂９を配設した状態を示してい
る。ダム１３の高さは、半導体素子８を封止するに足る
十分な高さを有しているため、ダム１３内にポッティン
グ樹脂９を配設することにより、半導体素子８は樹脂封
止される。

【００１０】ポッティング樹脂９により半導体素子８が
樹脂封止されると、樹脂基板１は図１０に示される打ち
抜き装置１４に装着され、打ち抜き加工により連結部３
が切断される。これにより、装置用基板４は樹脂基板１
から分離し、図９（Ｂ）に示す半導体装置１０Ｃが製造
される。図１０は、第２及び第３従来例で用いる打ち抜
き装置１４を示している。この打ち抜き装置１４は、大
略するすると押さえ治具１５，ダイ１６，パンチ１７等
により構成されている。この打ち抜き装置１４を用いて
連結部３を切断するには、樹脂基板１をダイ１６上の所
定位置に載置すると共に、押さえ治具１５により樹脂基
板１をダイ１６に向け押圧する。

【００１１】押さえ治具１５の上部には押圧バネ１９が
配設されており、この押圧バネ１９のバネ力により押さ
え治具１５はダイ１６に向け押圧される。これにより、
樹脂基板１は押さえ治具１５とダイ１６との間に挟持さ
れた状態となる。また、樹脂基板１が打ち抜き装置１４
に装着された状態において、連結部３と対向する位置に
はパンチ１７が配設されている。このパンチ１７は、図
示しない液圧装置によりダイ１６に設けられた凹部１８
に向け下動するよう構成されている。よって、パンチ１
７により連結部３は剪断的に切断される。これにより、
上記のように装置用基板４は樹脂基板１から分離し、図
８（Ｃ）及び図９（Ｂ）に示す半導体装置１０Ｂ，１０
Ｃを製造することができる。

【００１２】図１１は、第４従来例である半導体装置の
製造方法を説明するための図である。尚、図１１におい
ても、図７に示した第１従来例の構成と同一構成につい
ては同一符号を付してその説明を省略するものとする。
図１１に示す製造方法では、樹脂基板１に形成された装
置用基板４の半導体素子８の搭載位置に座ぐり部２０
（凹部）を形成し、この座ぐり部２０内に半導体素子８
を搭載する。続いて、座ぐり部２０内に樹脂をポッティ
ングすることにより、図１１（Ａ）に示すように半導体
素子８をポッティング樹脂９により樹脂封止する。

【００１３】そして、ポッティング樹脂９により半導体
素子８が樹脂封止されると、樹脂基板１は前記した打ち
抜き装置１４に装着され、打ち抜き加工により連結部３
が切断される。これにより、装置用基板４は樹脂基板１
から分離し、図１１（Ｂ）に示す半導体装置１０Ｄが製
造される。図１２は、第５従来例である半導体装置の製
造方法を説明するための図である。尚、図１２において
も、図７に示した第１従来例の構成と同一構成について
は同一符号を付してその説明を省略するものとする。

【００１４】図１２に示す製造方法は、いわゆるプッシ
ュバック方式といわれる方法である。このプッシュバッ
ク方式では、先ず樹脂基板１から装置用基板４を打ち抜
いた後、打ち抜きにより樹脂基板１に形成された打ち抜
き孔２３に再び装置用基板４を嵌入することにより戻
し、この状態で樹脂封止等の他の半導体製造工程を実施
する。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記した各
従来例では、次のような問題点が発生していた。図７に
示す第１従来例に係る製造方法では、ルータ６が樹脂基
板１を切削して加工溝７を形成するため、モールド樹脂
５の剥離防止の面よりモールド樹脂５に近接する位置で
切削加工を行うことができず、図７（Ｃ）に示すように
モールド樹脂５の外周部分には矢印Ｌ１で示す分だけ鍔
状に装置用基板４が延出した部分（以下、この部分を切
り代という）が形成されてしまう。よって、製造される
半導体装置１０Ａの小型化を図ることができないという
問題点があった。

【００１６】また、図８に示す第２従来例に係る製造方
法では、ポッティング樹脂９を形成する際、ポッティン
グされた樹脂が溝部２内に流れ込み、液ダレ部１１が形
成されてしまう。図８（Ｃ）に示されるように、液ダレ
部１１が発生すると、実質的に半導体装置１０Ｂの外形
が大きくなってしまい、本従来例においも製造される半
導体装置１０Ｂが大型化してしまうという問題点が発生
する。

【００１７】また、図９に示す第３従来例に係る製造方
法では、ダム１３を設けることにより、第２従来例で発
生する液ダレ部１１の発生は抑制される。しかるに、装
置用基板４の上部にダム１３が配設されることにより、
図９（Ｂ）に示すように、連結部３を切断した際に凸部
１２が形成されてしまい、実質的に半導体装置１０Ｃの
外形が大きくなり、本従来例においも製造される半導体
装置１０Ｃが大型化してしまうという問題点が発生す
る。尚、この凸部１２が形成されるのは、先に図８を用
いて説明した第２従来例に係る半導体装置１０Ｂにおい
ても同様である。

【００１８】ここで、第２及び第３従来例において凸部
１２が発生する理由について説明する。図１０を用いて
説明したように、連結部３の切断は打ち抜き装置１４を
用いて行う。この打ち抜き装置１４では、複数（第２及
び第３従来では、一つの装置用基板４に対して４個）の
連結部３を一括して同時に切断することができるため、
効率よく切断処理を行うことができ、半導体装置１０
Ｂ，１０Ｃの低コスト化を図ることができる。

【００１９】しかるに、装置用基板４にポッティング樹
脂９或いはダム１３等の突出物が設けられた構成では、
打ち抜き装置１４を構成する押さえ治具１５により樹脂
基板１を押圧する際、このポッティング樹脂９或いはダ
ム１３の配設位置より外側で樹脂基板１を押圧する必要
がある。また、押さえ治具１５は連結部３を切断するパ
ンチ１７を上下方向に移動可能に保持する必要があるた
め、パンチ１７の配設位置（即ち、切断位置）よりも内
側にある程度の肉厚が必要となる。

【００２０】このため、ポッティング樹脂９或いはダム
１３と実際の切断位置との間に、図１０に矢印Ｌ２で示
すある程度の距離（以下、押さえ代という）が必要とな
る。この押さえ代Ｌ２は、連結部３を切断した後も装置
用基板４に残るため、これにより凸部１２が形成され
る。即ち、樹脂基板１に連結部３を設け、かつ装置用基
板４の上部にポッティング樹脂９或いはダム１３を設け
た構成では、必然的に凸部１２が発生し、半導体装置１
０Ｂ，１０Ｃの大型化が発生してしまう。

【００２１】一方、図１１に示す第４従来例に係る製造
方法では、凹状とされた座グリ部２０がダム１３と同様
の機能を奏するため、液ダレ部１１の発生を抑制するこ
とができる。また、装置用基板４の上部に突出する構成
物がないため、打ち抜き装置１４を構成する押さえ治具
１５は装置用基板４上を押圧することができるため、図
１１（Ｂ）に示すように製造される半導体装置１０Ｄに
凸部１２が形成されることもなく、小型化を図ることが
できる。

【００２２】しかるに、前記した第２乃至第４従来例の
ように、多層配線基板構造を有した樹脂基板１を打ち抜
き装置１４により打ち抜き加工して連結部３を剪断的に
切断する構成では、図１３に示すように、切断面２１に
おいて剥離部２２が発生するおそれがある。このよう
に、切断面２１に剥離部２２が発生すると、各層毎に内
部配線が形成された多層配線基板構造の樹脂基板１で
は、内部配線が層間剥離により切断するおそれがあり、
製造される半導体装置１０Ｂ〜１０Ｄの信頼性が低下し
てしまうという問題点があった。

【００２３】更に、図１２に示す第５従来例に係る製造
方法では、プッシュバック方式を用いることにより液ダ
レ部１１及び凸部１２の発生は抑制できるものの、装置
用基板４を打ち抜き孔２３に戻した後は、装置用基板４
は打ち抜き孔２３の内周部との嵌合力のみにより樹脂基
板１に保持されることとなる。よって、その後に実施さ
れる樹脂モールド或いはポッティング処理時に熱印加が
されたり、また搬送途中に衝撃が印加された場合には、
装置用基板４が樹脂基板１から離脱してしまうおそれが
あるという問題点がある。また、第４実施例で説明した
と同様に打ち抜き時に切断面２１に剥離部２２が発生す
るおそれがあり、やはり製造される半導体装置１０Ｂ〜
１０Ｄの信頼性が低下してしまうという問題点もある。

【００２４】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、小型化を図りつつ低コストで信頼性の高い半導体
装置を製造しうる半導体装置の製造方法を提供すること
を目的とする。

【００２５】

【課題を解決するための手段】上記の課題は、次に述べ
る手段を講じることにより解決することができる。請求
項１記載の発明に係る半導体装置の製造方法では、予め
個片化された半導体素子が搭載された基板または搭載前
の基板に、ダムシートに溝部を設けることにより形成さ
れた連結部を介して前記ダムシートに一体的に形成され
たダム部を接合する接合工程と、前記ダム部と前記基板
により形成される凹部内に樹脂を配設する樹脂配設工程
と、前記連結部を切断する切断工程とを具備することを
特徴とするものである。

【００２６】また、請求項２記載の発明では、前記請求
項１記載の半導体装置の製造方法において、前記ダムシ
ートと前記基板の材質を同一材質としたことを特徴とす
るものである。更に、請求項３記載の発明では、前記請
求項１または２記載の半導体装置の製造方法において、
前記切断工程において、前記連結部を打ち抜き加工によ
り切断することを特徴とするものである。

【００２７】上記した各手段は、次のように作用する。
請求項１記載の発明によれば、接合工程で用いられる基
板は、基本的には予め個片化されたものである。この基
板は樹脂配設工程実施前に個片化されるため、基板を個
片化する際に樹脂やダムの制限は受けず、よって切り代
（図７（Ｃ）に示すＬ１参照）を設ける必要はなくなり
基板の小型化を図ることができる。尚、上記にて基本的
には予め個片化されたものとしたが、連の状態でダムシ
ートに接合した後、基板側だけを切断する方法を含む。

【００２８】また、ダム部がダムシートに連結部を介し
て一体的に形成された構成であるため、接合工程を実施
することにより、基板はダム部（即ち、ダムシート）に
接合された構成となる。続く樹脂配設工程では、ダム部
と基板により形成される凹部内に樹脂を配設するため、
樹脂が基板の外部に液ダレ部が発生することを防止する
ことができ、これによっても製造される半導体装置の小
型化を図ることができる。

【００２９】切断工程では、ダムシートに形成された連
結部を切断して半導体装置を個片化する。よって、切断
工程を実施しても基板は何ら影響を受けることはなく、
よって基板に剥離が発生するようなことはない。よっ
て、基板の内部配線に損傷が発生するようなことはな
く、製造される半導体装置の信頼性を向上させることが
できる。

【００３０】また、請求項２記載の発明によれば、ダム
シートと基板の材質を同一材質としたことにより、ダム
シートに基板を接合後、樹脂配設工程において熱印加が
されたとしても、ダムシートと基板の熱膨張率は等しい
ため剥離が発生するようなことはなく、液ダレ部の発生
を確実に防止することができる。

【００３１】更に、請求項３記載の発明によれば、切断
工程において連結部を打ち抜き加工により切断すること
により、基板を支持する複数の連結部を一括的に切断す
ることができ、１本づつ連結部を切断する構成に比べて
半導体装置の製造効率を向上させることができる。

【００３２】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。図１乃至図５は、本発明の一実
施例である半導体装置の製造方法を説明するための図で
あり、半導体製造工程の内、特に接合工程，樹脂配設工
程，及び切断工程を示している。

【００３３】尚、以下の説明では、半導体装置としてＢ
ＧＡ(Ball Grid Array）タイプの半導体装置３０（図５
参照）の製造方法を例に挙げて説明するものとする。ま
た、本実施例では上記の接合工程，樹脂配設工程，及び
切断工程に特徴を有し、半導体装置３０を製造するため
の他の製造工程は周知であるため、以下の説明では接合
工程，樹脂配設工程，切断工程についてのみ説明するも
のとする。

【００３４】図１及び図２は、接合工程を示している。
この接合工程では、予め個々に分離された（以下、これ
を“個片化された”と表現する）装置用基板３４にダム
シート３１Ａに形成されたダム部を接合する処理を行
う。装置用基板３４は、例えばガラス−エポキシ製の多
層配線基板であり、その上面には半導体素子３８が搭載
されている。この装置用基板３４は、図示しない樹脂基
板に複数個形成された後、例えはルータを用いて個片化
される。即ち、装置用基板３４は、接合工程を実施する
前に、予め個片化された構成とされている。

【００３５】このように本実施例では、上記した各工程
（接合工程，樹脂配設工程，切断工程）を実施する前に
装置用基板３４は個片化されるため、個片化する際に装
置用基板３４上に樹脂やダムは設けられていない。この
ため、装置用基板３４を個片化のため切削或いは研削す
る際、切り代（図７（Ｃ）に示すＬ１参照）を設ける必
要はなくなり、よって装置用基板３４の小型化を図るこ
とができる。

【００３６】また、装置用基板３４は、ルータ等の切削
或いは研削手段を用いて個片化される。この際、切削或
いは研削方向は、装置用基板３４を構成する各層の積層
方向と異なる方向となるよう設定されているため、切削
位置或いは研削位置において剥離部が発生するようなこ
とはない。よって、装置用基板３４は高い信頼性を維持
している。

【００３７】一方、ダムシート３１Ａは、前記の装置用
基板３４の材質と同じガラス−エポキシ製の平板状部材
であり、その所定複数位置（図では１個のみ示す）に
は、連結部３３を残して溝部３２を形成することにより
複数のダム部３５が形成されている。このダム部３５は
中央部に開口部３６を有した矩形枠形状とされており、
その外形形状は前記した装置用基板３４の外形形状と略
等しくなるよう構成されている。また、ダム部３５は、
複数（図では４個）の連結部３３によりダムシート３１
Ａに支持された構成となっている。

【００３８】上記した装置用基板３４は、ダムシート３
１Ａに形成されたダム部３５の下部に接着剤を用いて接
合される。この際、用いられる接着剤は、ダムシート３
１Ａ及び装置用基板３４の基材料であるガラス−エポキ
シ基板と熱膨張率が略等しいものが選定されている。図
２は、装置用基板３４にダムシート３１Ａが接合された
状態を示している。同図に示すように、装置用基板３４
にダムシート３１Ａが接合することにより、ダム部３５
及び装置用基板３４は協働して凹部４１を形成し、この
凹部４１の底部に半導体素子３８が配設された構成とな
る。

【００３９】上記の接合工程が終了すると、続いて樹脂
配設工程が実施される。図３は、樹脂配設工程を説明す
るための図であり、図２におけるＡ−Ａ線に沿う断面図
である。同図に示すように、樹脂配設工程では、ダム部
３５と装置用基板３４とにより形成される凹部４１内
に、ノズル４０を用いて封止樹脂をポッティングする。
これにより、図４に示されるように、凹部４１内にポッ
ティング樹脂３９が形成される。

【００４０】この際、ダム部３５の高さは、半導体素子
３８を封止するに足る十分な高さを有しているため、ダ
ム部３５内にポッティング樹脂３９を配設することによ
り、半導体素子３８はポッティング樹脂３９により確実
に保護された構成となる。また、ダム部３５を設けるこ
とにより、ポッティング時に装置用基板３４の外周に液
ダレ部が発生することを防止でき、よって実質的に半導
体装置３０の外形が大きくなることを防止できる。これ
により、製造される半導体装置３０が大型化してしまう
ことを防止することができる。

【００４１】また、本実施例では、上記したようにダム
シート３１Ａと装置用基板３４の材質を同一材質として
いるため、ポッティング樹脂３９の配設時に熱印加がさ
れたとしても、ダムシート３１Ａと装置用基板３４の熱
膨張率は等しいため両者間で剥離が発生するようなこと
はなく、これによっても液ダレの発生を防止することが
できる。

【００４２】上記した樹脂配設工程が終了すると、続い
て切断工程が実施される。この切断工程では、ダムシー
ト３１Ａに形成された連結部３３を切断して装置用基板
３４（半導体装置３０）を個片化する。これにより、図
５に示される半導体装置３０が製造される。この個片化
処理は、先に図１０を用いて説明した打ち抜き装置１４
を用いて行う。具体的には、装置用基板３４が接合され
たダムシート３１Ａをダイ１６上の所定位置に載置する
と共に、押さえ治具１５によりダムシート３１Ａをダイ
１６に向け押圧する。

【００４３】この際、ポッティング樹脂３９はダム部３
５の上面と面一となるよう配設されているためダム部３
５の上部には突出物はなく、よって押さえ治具１５によ
りダム部３５の上部を押圧することが可能となる。これ
により、パンチ１７による切断位置をダム部３５の近傍
位置に設定することが可能となり、連結部３３に押さえ
代Ｌ２（図１０参照）を設ける必要が無くなる。これに
より、連結部３３を切断した後にダム部３５の外周位置
に凸部（図８（Ｃ），図９（Ｂ）参照）が形成されるこ
とはなく、製造される半導体装置３０の小型化を図るこ
とができる。

【００４４】また、打ち抜き装置１４を用いて連結部３
３の切断を行うことにより、複数（本実施例では４個）
設けられた連結部３３を一括して切断することが可能と
なり、１本づつ連結部３３を切断する構成に比べて切断
工程の効率化を図ることができる。更に、打ち抜き装置
１４を用いた切断はダムシート３１Ａに対し剪断方向の
切断となるが、ダムシート３１Ａはあくまで装置用基板
３４を支持する機能のみを奏するものであり、内部配線
は設けられていない。よって、連結部３３を切断した切
断面に剥離等が発生しても、これは装置用基板３４に何
ら悪影響を与えるものではなく、製造される半導体装置
３０の信頼性を維持することができる。

【００４５】尚、ダムシートの構成は、図１乃至図４に
示した構成のダムシート３１Ａの構成に限定されるもの
ではなく、要求されるダム部３５の支持強度等に応じて
適宜変更することが可能であり、例えば図６（Ａ），
（Ｂ）に示されるような構成のダムシート３１Ｂ，３１
Ｃとすることも可能である。

【００４６】

【発明の効果】上述の如く本発明によれば、次に述べる
種々の効果を実現することができる。請求項１記載の発
明によれば、基板を個片化する際に樹脂やダムは設けら
れておらず、よって切り代を設ける必要がないため基板
の小型化、即ち半導体装置の小型化を図ることができ
る。

【００４７】また、ダム部と基板により形成される凹部
内に樹脂を配設するため、樹脂が基板の外部に液ダレ部
が発生することを防止することができ、これによっても
製造される半導体装置の小型化を図ることができる。ま
た、切断工程ではダムシートに形成された連結部を切断
して半導体装置を個片化するため、切断時に基板に剥離
が発生するようなことはない。このため、基板の内部配
線に損傷が発生することを防止でき、製造される半導体
装置の信頼性を向上させることができる。

【００４８】また、請求項２記載の発明によれば、ダム
シートに基板を接合した後に樹脂配設工程において熱印
加がされたとしても、ダムシートと基板の熱膨張率は等
しいため剥離が発生するようなことはなく、液ダレ部の
発生を確実に防止することができる。更に、請求項３記
載の発明によれば、基板を支持する複数の連結部を一括
的に切断することができ、１本づつ連結部を切断する構
成に比べて半導体装置の製造効率を向上させることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例である半導体装置の製造方法
を説明するための図であり、接合工程を説明するための
図である（その１）。

【図２】本発明の一実施例である半導体装置の製造方法
を説明するための図であり、接合工程を説明するための
図である（その２）。

【図３】本発明の一実施例である半導体装置の製造方法
を説明するための図であり、樹脂配設工程を説明するた
めの図である（その１）。

【図４】本発明の一実施例である半導体装置の製造方法
を説明するための図であり、樹脂配設工程を説明するた
めの図である（その２）。

【図５】本発明の一実施例である半導体装置の製造方法
により製造された半導体装置を示す図である。

【図６】ダムシートの変形例を説明するための図であ
る。

【図７】第１従来例である半導体装置の製造方法を説明
するための図である。

【図８】第２従来例である半導体装置の製造方法を説明
するための図である。

【図９】第３従来例である半導体装置の製造方法を説明
するための図である。

【図１０】連結部を切断する打ち抜き装置を説明するた
めの図である。

【図１１】第４従来例である半導体装置の製造方法を説
明するための図である。

【図１２】第５従来例である半導体装置の製造方法を説
明するための図である。

【図１３】打ち抜き装置により樹脂基板に形成された連
結部を切断した時に発生する問題点を説明するための図
である。

【符号の説明】

３０半導体装置３１Ａ〜３１Ｃダムシート３２溝部３３連結部３４装置用基板３５ダム部３６開口部３８半導体素子３９ポッティング樹脂

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平９−129773（ＪＰ，Ａ) 特開平８−153953（ＪＰ，Ａ) 特開平９−36155（ＪＰ，Ａ) 特開平８−167724（ＪＰ，Ａ) 特開平９−293949（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/56

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】予め個片化された半導体素子が搭載され
た基板または搭載前の基板に、ダムシートに溝部を設け
ることにより形成された連結部を介して前記ダムシート
に一体的に形成されたダム部を接合する接合工程と、前記ダム部と前記基板により形成される凹部内に樹脂を
配設する樹脂配設工程と、前記連結部を切断する切断工
程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
【請求項２】請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記ダムシートと前記基板の材質を同一材質としたこと
を特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】請求項１または２記載の半導体装置の製
造方法において、前記切断工程において、前記連結部を打ち抜き加工によ
り切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。