JP2003023031A - 超音波ワイヤボンディング用共振器 - Google Patents

超音波ワイヤボンディング用共振器

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 超音波ホーンをキャピラリーの両側で支持す
ることでボンディングワイヤと電極との接合位置を正確
に維持し、適切な接合を行う。 【解決手段】 超音波ホーン2がキャピラリー3より両
側へ等距離だけ離れた最小振動振幅点に設けられた支持
部分8の取付部分18を介してボンディングマシンに両
支持に取付けられた状態において、ボンディングワイヤ
9がクランパ20を経由してワイヤ通路5;12を経由
して小孔15より下方に通された後、ボンディングワイ
ヤ9が超音波ホーン2及びキャピラリー3と一緒に下降
され、接合作用部分13より下方に突出したボンディン
グワイヤ9の先端部分が接合対象に重ね合せられて接合
作用部分13とで所定の加圧力で挟み付けられ、超音波
ホーン2及びキャピラリー3並びに接合作用部分13が
超音波振動し、ボンディングワイヤ9の先端部分が接合
対象に接合する。

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置を製造
する際に、超音波でボンディングワイヤの溶接を行う超
音波ボンディングに用いられる共振器に関する。 【0002】 【従来の技術】図4は従来の半導体装置製造に用いられ
る超音波ボンディングマシンを示し、金線のようなボン
ディングワイヤ101がクランパ102を経由して超音
波ホーン103の先端部分に設けられたキャピラリー1
04の内部に形成されたワイヤ通路105に通された状
態において、キャピラリー104の先端部分より下方に
突出したボンディングワイヤ101の先端部分を超音波
ホーン103及びキャピラリー104と一緒に下降させ
て接合対象たる図外の半導体装置やリードフレーム等に
おける電極に重ね合せて電極とキャピラリー104とで
挟み付けた後に、超音波ホーン103及びキャピラリー
104を超音波振動させることで、ボンディングワイヤ
101の先端部分を電極に接合する。 【0003】 【発明が解決しようとする課題】しかし、前記従来例は
キャピラリー104を超音波ボンディングマシンに片支
持に取付けられた超音波ホーン103の先端部分に設け
た構造であるので、ボンディングワイヤ101を電極に
接合する場合の加圧力で、超音波ホーン103が超音波
ボンディングマシンに対する支持点を支点として傾くよ
うに撓み、ボンディングワイヤ101と電極との接合位
置が微妙に変化し、適切な接合を行うことができなかっ
た。 【0004】そこで、本発明は、超音波ホーンをキャピ
ラリーの両側で支持することでボンディングワイヤと電
極との接合位置を正確に維持し、適切な接合を行うこと
ができる超音波ボンディング用共振器を提供するもので
ある。 【0005】 【課題を解決するための手段】本発明にあっては、超音
波ホーンがボンディングワイヤを通すためのキャピラリ
ーより両側の最小振動振幅点に位置するように設けられ
た支持部分を備えたことより、超音波ホーンが支持部分
を介して図外のボンディングマシンに両支持に取付けら
れるので、ボンディングワイヤの先端部分が接合対象と
キャピラリーとで所定の加圧力で挟み付けられる場合に
おいて、ボンディングワイヤを接合対象に接合する場合
の加圧力で、超音波ホーンがボンディングワイヤと接合
対象との接合位置を中心として撓み、ボンディングワイ
ヤと接合対象との接合位置を正確に維持することがで
き、ボンディングワイヤと接合対象とを適切に接合する
ことができる。キャピラリーを中心として超音波ホーン
がボンディングマシンに両支持に取付けられるので、接
合時にキャピラリーからボンディングワイヤに加わる加
圧力が左右でバランスの取れた状態となることから、ボ
ンディングワイヤとして細線は勿論のこと太線や高分子
材料で被覆されたワイヤも使用することが可能となる。 【0006】 【発明の実施の形態】図1〜図3は一実施形態であっ
て、図1は共振器1を横方向に切断した断面を示し、図
2はキャピラリー3の先端部分の断面を示し、図3は共
振器1の上面を示す。 【0007】図1を参照し、実施形態における共振器1
の主要な部分について説明する。共振器1は超音波ホー
ン2とキャピラリー3とを備える。超音波ホーン2は振
動子4から伝達された超音波振動の共振周波数の少なく
とも1波長の長さ(最大振動振幅点f1から最大振動振
幅点f5までの長さ)を有する棒状であって、アルミニ
ウム又はチタンのような合金又は焼入れされた鉄等のよ
うな音響特性の良い素材により、ワイヤ通路5とキャピ
ラリー結合部分6と部品結合部分7及び図3に示す支持
部分8を備えた単一ボディとして形成される。ワイヤ通
路5はボンディングワイヤ9を通すために超音波ホーン
2の最大振動振幅点f3に位置するように形成された貫
通孔である。キャピラリー結合部分6はワイヤ通路5の
一端部分に同軸状に形成された雌ねじが形成されたねじ
孔である。部品結合部分7は超音波ホーン2に振動子4
又は図外のブースタを無頭ねじ10により同軸状に取付
けるための雌ねじが形成されたねじ孔であって、超音波
ホーン2の最大振動振幅点f1;f5が存在する左右端
面の中央に形成される。 【0008】キャピラリー3はボンディングワイヤ9を
通すために超音波ホーン2の外側面である下面に最大振
動振幅点f3に位置するように設けられる。キャピラリ
ー3はアルミニウム又はチタンのような合金又は焼入れ
された鉄等のような音響特性の良い素材により超音波ホ
ーン2とは別体に形成された直線的な棒状であって、上
部に連結部分11を備え、内部にワイヤ通路12を軸心
方向に貫通するように備える。連結部分11は外周面に
雄ねじを有する。ワイヤ通路12はドリルのような工具
でキャピラリー3の連結部分11の上面より下面に向け
て穴あけ加工され、ワイヤ通路12の下部は図2に示す
ようにドリルの先端形状を反映した上方より下方に行く
に従って徐々に直径が小さくなる円錐形となってキャピ
ラリー3の下面に貫通する。そして、連結部分11の雄
ねじがキャピラリー結合部分6の雌ねじに締結されるこ
とにより、キャピラリー3は超音波ホーン2に超音波ホ
ーン2の下面より突出するように取付けられる。このよ
うにキャピラリー3が超音波ホーン2に取付けられる
と、キャピラリー3のワイヤ通路12と超音波ホーン2
のワイヤ通路5とが同軸状に連なる。 【0009】キャピラリー3の下面にはキャピラリー3
とは別体に形成された板状の接合作用部分13がろう材
のような接合剤14で接合される。接合作用部分13は
ハイス鋼のような超硬鋼を板状に形成したものであっ
て、その板状のまま接合剤でキャピラリー3の外側面に
接合された後、接合作用部分13には接合作用部分13
の外側面からキャピラリー3の側に向けて小孔15が放
電加工やワイヤ加工又はウォーター加工等により形成さ
れた後、接合作用部分13の外側面が研磨される。小孔
15はボンディングワイヤ9が通過可能な大きさであっ
て、図2に示すようにキャピラリー3の下面に貫通した
ワイヤ通路12の開口に同軸状に連なる。 【0010】図3に示すように、支持部分8はキャピラ
リー3と直交するように最大振動振幅点f3より左右両
側に等距離の最小振動振幅点f2;f4の位置で超音波
ホーン2の前後の外側面に位置しており、超音波ホーン
2に中心線L2及び最大振動振幅点f3を通り中心線L
2に直交する中心線L3を線対象軸とする対称位置に配
置され、かつ、前後左右対象形である。支持部分8は根
元部分16と中間部分17と取付部分18とを備える。
根元部分16は最小振動振幅点f2;f4の位置で超音
波ホーン2より外側に振動方向Xと直交するようにまっ
すぐ突出する厚肉な板状である。中間部分17は根元部
分16と取付部分18とを繋ぐものであって、振動方向
Xと平行する方向の薄肉な板状である。取付部分18は
振動方向Xと平行する方向の厚肉な板状である。根元部
分16と中間部分17と取付部分18とよりなるクラン
ク形状は前後左右対象形状であるが、左右同じ向きでも
良い。超音波ホーン2の中間部分17にはくびれ部19
を形成したが、くびれ部19は設けられないこともあ
る。 【0011】本実施形態の構造によれば、超音波ホーン
2がキャピラリー3より両側へ等距離だけ離れた最小振
動振幅点に位置するように設けられた支持部分8の取付
部分18を介して図外のボンディングマシンに両支持に
取付けられる。その状態において、図1に示すように、
ボンディングワイヤ9が共振器1とは別に設けられたク
ランパ20を経由して超音波ホーン2のワイヤ通路5よ
りキャピラリー3のワイヤ通路12を経由して接合作用
部分13の小孔15より下方に通された状態において、
ボンディングワイヤ9が超音波ホーン2及びキャピラリ
ー3と一緒に下降されることにより、接合作用部分13
の先端より下方に突出したボンディングワイヤ9の先端
部分が接合対象である図外の半導体装置又はリードフレ
ーム等における電極に重ね合せられて電極と接合作用部
分13とで所定の加圧力で挟み付けられる。 【0012】特に、超音波ホーン2がキャピラリー3よ
り両側へ等距離だけ離れた最小振動振幅点に位置するよ
うに設けられた支持部分8を有した構造であるので、超
音波ホーン2が支持部分8を介して図外のボンディング
マシンに両支持に取付けられることにより、ボンディン
グワイヤ9の先端部分が接合対象としての電極とキャピ
ラリー3の接合作用部分13とで所定の加圧力で挟み付
けられる場合において、ボンディングワイヤ9を電極に
接合する場合の加圧力で、超音波ホーン2がボンディン
グワイヤ9と電極との接合位置を中心として撓み、ボン
ディングワイヤ9と電極との接合位置を正確に維持する
ことができる。 【0013】ボンディングワイヤ9と電極との接合位置
が正確に維持された状態において、振動子4が超音波振
動を発振する。この超音波振動に超音波ホーン2及びキ
ャピラリー3並びに接合作用部分13が矢印X方向に共
振し、その共振による超音波振動が接合作用部分13か
らボンディングワイヤ9の先端部分及び接合対象として
の電極との接触部分に作用し、ボンディングワイヤ9の
先端部分と電極とを適切に接合することができる。 【0014】実施形態ではボンディングワイヤ9を通す
ために超音波ホーン2とキャピラリー3とに渡ってワイ
ヤ通路5;12を上下方向に直線的に貫通するように形
成したが、ワイヤ通路5を超音波ホーン2の中間部から
径方向外側に貫通するようにして、ボンディングワイヤ
9を超音波ホーン2の途中から小孔15に通しても同様
に適用できる。又、超音波ホーン2からワイヤ通路5を
省略し、ワイヤ通路12をキャピラリー3の中間部から
径方向外側に貫通するように形成して、ボンディングワ
イヤ9をキャピラリー3の途中から小孔15に通しても
同様に適用できる。接合作用部分13をキャピラリー3
とは別部材で形成したが同一部材でキャピラリー3と一
体的に形成すれば、接合作用部分13のキャピラリー3
への接合剤14での結合は必要ない。
【図面の簡単な説明】 【図1】 実施形態の共振器の内部構造を示す断面図。 【図2】 実施形態のキャピラリー先端部分を示す断面
図。 【図3】 同実施形態の共振器を示す平面図。 【図4】 従来例を示す模式図。 【符号の説明】 1 共振器 2 超音波ホーン 3 キャピラリー 8 支持部分 9 ボンディングワイヤ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 超音波ホーンがボンディングワイヤを通
    すためのキャピラリーより両側の最小振動振幅点に位置
    するように設けられた支持部分を備えたことを特徴とす
    る超音波ワイヤボンディング用共振器。
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TW (1) TW533113B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100510755B1 (ko) * 2001-11-01 2005-08-26 가부시키가이샤 신가와 본딩장치
US8201722B2 (en) 2009-06-22 2012-06-19 Ultex Corporation Resonator for joining metal members together utilizing ultrasonic vibration
CN112367772A (zh) * 2020-10-28 2021-02-12 安徽瑞迪微电子有限公司 Igbt功率模块端子压焊方法

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4303673B2 (ja) * 2004-11-30 2009-07-29 富士通株式会社 共振器、超音波ヘッド及びそれを用いた超音波接合装置
US20060233991A1 (en) * 2005-04-13 2006-10-19 Trivascular, Inc. PTFE layers and methods of manufacturing
US8212171B2 (en) * 2006-12-22 2012-07-03 Sonics & Materials Inc. System and method for ultrasonic assisted EDM machining
US20090127317A1 (en) * 2007-11-15 2009-05-21 Infineon Technologies Ag Device and method for producing a bonding connection
JP5313751B2 (ja) * 2008-05-07 2013-10-09 パナソニック株式会社 電子部品装着装置
CN101712097B (zh) * 2008-11-24 2011-09-07 深圳市创唯星自动化设备有限公司 带静电吸附的劈刀结构、超声波焊接设备及键合方法
US8129220B2 (en) * 2009-08-24 2012-03-06 Hong Kong Polytechnic University Method and system for bonding electrical devices using an electrically conductive adhesive
TW201116358A (en) * 2009-11-11 2011-05-16 Cheng-Fu Wu Welding device of electric welding machine
DE102009057410A1 (de) 2009-12-08 2011-06-09 Continental Automotive Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Bearbeiten eines Werkstücks
EP2457683A1 (de) * 2010-11-25 2012-05-30 Telsonic Holding AG Torsionales Schweissen
KR102073189B1 (ko) * 2013-04-04 2020-02-04 삼성에스디아이 주식회사 이차전지용 용접혼
CN105345353B (zh) * 2015-11-27 2017-04-05 广东工业大学 一种led自动焊线机穿夹线机构
US11205634B2 (en) * 2018-07-16 2021-12-21 Asm Technology Singapore Pte Ltd Bonding apparatus with replaceable bonding tool
CN112872678A (zh) * 2020-12-29 2021-06-01 昆山信方达电子有限公司 一种5g通讯手机天线fpc的组装焊接压合治具

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4884334A (en) * 1986-02-05 1989-12-05 International Business Machines, Corp. Resonant stylus support
JP2812104B2 (ja) * 1992-10-26 1998-10-22 松下電器産業株式会社 超音波ワイヤボンディング装置
EP0655815B1 (en) * 1993-11-30 1997-06-04 STMicroelectronics S.r.l. an instrument for the electrical connection of integrated circuits
US5443240A (en) * 1994-02-09 1995-08-22 Branson Ultrasonics Corporation Mounting means for vibration member
JP2911394B2 (ja) * 1995-08-22 1999-06-23 株式会社アルテクス 超音波接合装置及び共振器
US5603444A (en) * 1995-08-22 1997-02-18 Ultex Corporation Ultrasonic bonding machine and resonator thereof
JP2875211B2 (ja) * 1996-06-28 1999-03-31 株式会社アルテクス 半田付け用超音波ホーン
JP3409689B2 (ja) * 1998-04-21 2003-05-26 松下電器産業株式会社 電子部品のボンディングツールおよびボンディング装置
JP3215084B2 (ja) * 1998-04-28 2001-10-02 株式会社アルテクス 超音波振動接合用共振器
JP3290632B2 (ja) * 1999-01-06 2002-06-10 株式会社アルテクス 超音波振動接合装置
JP3447982B2 (ja) * 1999-06-16 2003-09-16 株式会社アルテクス 超音波振動接合装置
JP3492298B2 (ja) * 2000-07-27 2004-02-03 株式会社アルテクス 超音波振動接合用ツールとそれを支持する支持装置
CA2314733A1 (en) * 1999-08-02 2001-02-02 Ultex Corporation Ultrasonic vibration bonding tool
JP3430095B2 (ja) * 1999-12-03 2003-07-28 株式会社アルテクス 超音波振動接合用ツール

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100510755B1 (ko) * 2001-11-01 2005-08-26 가부시키가이샤 신가와 본딩장치
US8201722B2 (en) 2009-06-22 2012-06-19 Ultex Corporation Resonator for joining metal members together utilizing ultrasonic vibration
CN112367772A (zh) * 2020-10-28 2021-02-12 安徽瑞迪微电子有限公司 Igbt功率模块端子压焊方法

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Publication number Publication date
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