JP2003017419A - 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 結晶性および電気的特性に優れた窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置を提供する。 【解決手段】 ヘテロ接合電界効果型トランジスタ１
は、表面がＣ面であるＳｉＣ基板２の上にＡｌＮバッフ
ァ層３、第１のＧａＮ層４、ＡｌＧａＮバリア層５、お
よび第２のＧａＮ層６をこの順番に積層して、ＧａＮ層
６の上にソース電極７、ドレイン電極８およびゲート電
極９形成する。このように、表面がＣ面であるＳｉＣ基
板にＡｌＮ、ＧａＮおよびＡｌＧａＮなどの窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料を結晶成長させることによ
って、結晶性および周波数特性にすぐれたヘテロ接合電
界効果型トランジスタの作製が可能である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体装置に関し、特にＳｉＣ基板上に窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させる窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体装置に用いられる基板として、一般的にはサファイア
が用いられている。サファイア基板を用いた窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置は、たとえばUS Patent N
o.5296395に開示されている。しかしながら、サファイ
アは窒化物半導体との格子不整が１３パーセント以上も
あるので、この上に成長される窒化物半導体の結晶は結
晶欠陥が非常に大きいといった問題を有する。

【０００３】窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置を
高出力電子デバイスとして応用する場合には、窒化物半
導体との格子不整が小さく熱伝導率の大きいＳｉＣ基板
を用いるほうが有利とされている。ＳｉＣ基板上に窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料を結晶成長させた窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置は、たとえばIEEE
EDL20 (1999) P161に開示されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】一般的に、ＳｉＣ基板
に窒化物半導体材料を結晶成長させる場合、窒化物半導
体の表面における極性をＩＩＩ族極性とするために、表
面がＳｉ面のＳｉＣ基板上に窒化物半導体の結晶成長が
行われる。たとえば、ＳｉＣ基板上に窒化物半導体であ
るＧａＮの結晶を成長させる場合に、表面がＳｉ面のＳ
ｉＣ基板上にＧａＮを結晶成長させると、ＧａＮ層の表
面がＩＩＩ族のＧａ極性となる。このように表面がＳｉ
面のＳｉＣ基板上に窒化物半導体材料を結晶成長させる
のは、ＩＩＩ族極性を有するほうが、表面平坦性および
電気的特性に優れた結晶が得られると考えられているた
めである。

【０００５】図４は、従来のＳｉＣ基板を用いた窒化物
系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置の一例であるヘテロ接
合電界効果型トランジスタ（HFET：Hetero Field Effec
tTransistor）４０の構造を示す図である。ＨＦＥＴ４
０は表面がＳｉ面であるＳｉＣ基板４２の上に、ＡｌＮ
バッファ層４３、ＧａＮ層４４、ＡｌＧａＮ層４５をこ
の順次に積層して構成される。ＡｌＧａＮ層４５の表面
には、ソース電極４７、ドレイン電極４８およびゲート
電極４９が形成される。ＨＦＥＴ４０は、図５に示すよ
うにＧａＮ層４４とＡｌＧａＮ層４５との間に発生する
２次元電子ガス（２ＤＥＧ）５０を利用して動作する電
界効果型のトランジスタである。

【０００６】また、表面がＳｉ面であるＳｉＣ基板上に
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料を成長させる場
合、結晶が成長する表面のマイグレーションを促進する
ために、表面が特定の結晶方向に対して傾斜した傾斜基
板を用いる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置が特
開平１１−２３３３９１号公報に開示されている。

【０００７】しかしながら、ＳｉＣ基板のＳｉ面は研磨
によって傷が入りやすく、また表面酸化と化学エッチン
グによっても容易に傷を取ることができないので、基板
処理が難しいといった問題を有する。また、図４に示し
たＨＦＥＴ４０では、２次元電子ガス５０がＡｌＧａＮ
層４５の下のＧａＮ層４４に形成されるので、表面層は
ＡｌＧａＮ層４５となっている。したがって、ソース電
極４７およびドレイン電極４８がＡｌＧａＮ層４５に対
して形成されるので、ＡｌＧａＮ層４５のＡｌ組成が大
きい場合には接触抵抗が大きくなるといった問題があ
る。また、バッファ層であるＡｌＮ層４３へのパラレル
伝導による寄生容量の増加の問題が生じる。

【０００８】一方、MRS Fall Meting Symposium W.6.3.
1 (1999)には、ＧａＮ基板に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体材料を結晶成長させた窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体装置が開示されている。MRS Fall Meting Sy
mposium W.6.3.1 (1999)では、ホモエピタキシャル成長
の場合ではあるがＧａＮ基板の表面を特定の方向に傾斜
させることによって、Ｖ族極性を有するＮ極性の基板の
上でも表面平坦性に優れた結晶が得られることが開示さ
れている。

【０００９】しかしながら、ＧａＮのバルク結晶の作製
は難しい。したがって、ＳｉＣ基板を用いて結晶性およ
び電気的特性に優れた窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体装置が望まれている。

【００１０】本発明の目的は、結晶性および電気的特性
に優れた窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置を提供
することである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、表面がＣ面で
あるＳｉＣ基板上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
材料を結晶成長させたことを特徴とする窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体装置である。

【００１２】本発明に従えば、ＳｉＣ結晶のＣ面はＳｉ
面に比べてケミカルエッチングが容易であるので、研磨
傷のない表面平坦性にすぐれた基板表面を得ることがで
きる。したがって、表面がＣ面であるＳｉＣ基板に窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料を結晶成長させるこ
とによって、表面の傷の影響を受けない良好な窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を結晶成長させることがで
き、結晶性および電気的特性に優れた窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体装置を作製することができる。

【００１３】また本発明は、前記ＳｉＣ基板の表面が、
〔１１−２０〕方向または〔１−１００〕方向に傾斜し
ていることを特徴とする。

【００１４】本発明に従えば、〔１１−２０〕方向また
は〔１−１００〕方向にＳｉＣ基板の表面を傾斜させる
ことによって、基板表面の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体材料がより拡散しやすいので、表面平坦性および
結晶性の優れた窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成
長が可能となる。

【００１５】また本発明は、前記ＳｉＣ基板の表面の傾
斜角が、０．５度以上８度以下であることを特徴とす
る。

【００１６】ＳｉＣ基板の表面を傾斜させて結晶を成長
させると結晶はステップ状に成長して、面内で均一な結
晶成長が可能となる。しかしながら、ＳｉＣ基板の表面
の傾斜角が０．５度よりも小さい場合はＳｉＣ基板上に
形成されるステップの形成が明確ではない。一方、傾斜
角が８度よりも大きくなると、ＳｉＣ基板上に形成され
るステップの間隔が著しく小さくなるのでステップの段
が並ぶ方向のポテンシャルの揺らぎが大きくなる。本発
明に従えば、ＳｉＣ基板の表面の傾斜角を０．５度以上
とすることによって基板上にステップが明確に生じ、ま
た基板の傾斜角を８度以下とすることによってステップ
の間隔が適度に形成されるので、面内で均一な結晶成長
が可能となる。

【００１７】また本発明は、前記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体装置は電界効果型トランジスタであること
を特徴とする。

【００１８】本発明に従えば、ＳｉＣ基板上に結晶性お
よび電気的特性に優れた窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体材料を成長させることができるので、高周波および
高速特性であり、雑音が非常に少ない電界効果型トラン
ジスタを作製することができる。

【００１９】また、表面がＣ面であるＳｉＣ基板上にＧ
ａＮおよびＡｌＧａＮのヘテロ構造を形成してヘテロ接
合電界効果型トランジスタを作製する場合、従来の表面
がＳｉ面であるＳｉＣ基板を用いて作製されるヘテロ接
合電界効果型トランジスタとは構造が異なり、ＧａＮ層
に対して電極を形成することができる。したがって、ソ
ース電極およびドレイン電極は、接触抵抗の小さなオー
ミック電極が形成可能である。

【００２０】また本発明は、前記ＳｉＣ基板の表面の傾
斜方向に対して直角となる方向にソース電極およびドレ
イン電極を並べて配置することを特徴とする。

【００２１】基板の表面が傾斜したＳｉＣ基板では、窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体が基板の表面の傾斜方
向に沿ってステップ状に結晶成長する。ＳｉＣ基板の表
面の傾斜方向と平行に電流を流す場合、結晶がステップ
状に形成されているのでポテンシャルの段差の影響を受
ける。したがって、たとえばヘテロ接合電界効果型トラ
ンジスタでは、２次元電子ガスの伝導特性が悪化する。
本発明に従えば、ソース電極およびドレイン電極をＳｉ
Ｃ基板の表面の傾斜方向に対して直角となる方向に並べ
て配置する、つまりステップ状に形成される窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体のステップの延びる方向に対し
て平行な方向にソース電極およびドレイン電極が並んで
配置されるのでポテンシャルの段差の影響が少なく、揺
らぎを小さくすることができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】本発明における窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体装置は、表面がＣ面であるＳｉＣ基板
の上に、たとえば、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＧａ
Ｎ、ＩｎＧａＮなどの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体材料を結晶成長させることによって作製される。

【００２３】以下、本発明の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体装置の具体的な実施例を示す。

【００２４】（実施例１）図１は、本発明の実施例１の
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置であるＨＦＥＴ
（ヘテロ接合電界効果型トランジスタ）１を示す図であ
る。

【００２５】ＨＦＥＴ１は、表面がＣ面であるＳｉＣ基
板（以下、Ｃ面Ｓｉ基板と記す）２の上にＡｌＮバッフ
ァ層３、第１のＧａＮ層４、ＡｌＧａＮバリア層５およ
びＧａＮ層６がこの順番で積層され、第２のＧａＮ層６
の上にソース電極７、ドレイン電極８、およびゲート電
極９を備え構成される。

【００２６】ＨＦＥＴ１の作製方法を以下に示す。まず
始めに、Ｃ面ＳｉＣ基板２を熱酸化し、引き続いてフッ
酸溶液中で表面の酸化膜を除去する。この熱酸化と酸化
膜の除去を数回繰り返してＳｉＣ基板２の研磨傷を完全
に取り除く。そして、この上に有機金属気相成長法（Ｍ
ＯＣＶＤ法）を用いて、前記Ｃ面ＳｉＣ基板２の上にＡ
ｌＮバッファ層３を結晶成長させる。このとき、ＡｌＮ
バッファ層３の成長温度は１１００℃であり、層厚は１
００ｎｍとなるように成長させる。本実施例では、有機
金属気相成長法を用いて結晶を成長させているが、結晶
成長法としては、ハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ
法）、プラズマ励起した窒素を用いた分子線エピタキシ
ー法であるＲＦ−ＭＢＥ（Radio frequency−Molecular
BeamEpitaxy）法またはＥＣＲ−ＭＢＥ（Electron Cy
clotron Resonance−MBE）法などを用いることができ
る。

【００２７】ＡｌＮバッファ層３の上に、成長温度１０
００℃で第１のＧａＮ層４、ＡｌＧａＮ層５、および第
２のＧａＮ層６を順次成長させる。このとき、第１のＧ
ａＮ層４の膜厚は２μｍ、ＡｌＧａＮ層５の膜厚は５０
ｎｍ、および第２のＧａＮ層６の膜厚は２００ｎｍとな
るようにそれぞれを成長させる。この後、Ｔｉ／Ａｌか
ら成り、オーミック接合される電極であるソース電極７
およびドレイン電極８を形成し、ソース電極７およびド
レイン電極８との間にＮｉ／Ａｕから成りショットキー
接合される電極であるゲート電極９をそれぞれ形成す
る。

【００２８】ＳｉＣ結晶ではＳｉ面とＣ面とで極性が異
なる。したがって、ＳｉＣ基板２に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体材料を結晶成長させるＨＦＥＴ１は、図
４に示す表面がＳｉ面であるＳｉＣ基板４２に窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料を結晶成長させる従来の
ＨＦＥＴ４０場合とは構造が異なる。本発明のＨＦＥＴ
１では、図２に示すように、第２のＧａＮ層６とＡｌＧ
ａＮ層５との間に発生する２次元電子ガス１０を利用し
て動作する。従来のＨＦＥＴ４０では、接触抵抗の大き
なＡｌＧａＮ層４５の上にソース電極４７およびドレイ
ン電極４８が形成されるが、本発明のＨＦＥＴ１では、
ＧａＮ層６の上にソース電極４７およびドレイン電極４
８を形成されるので、接触抵抗の小さいオーミック接合
によって電極を形成することができるので電気特性に優
れる。

【００２９】本実施例のＨＦＥＴ１の室温における移動
度を測定すると、２０００ｃｍ²／Ｖｓであった。ま
た、比較のために同一の基板処理によって従来のＨＦＥ
Ｔ４０と同じ構造である従来型のＨＦＥＴの作製をおこ
なった。ここで比較する従来型のＨＦＥＴは、表面がＳ
ｉ面であるＳｉＣ基板に、図１に示すＡｌＮバッファ層
３、第１のＧａＮ層４、ＡｌＧａＮ層５、ソース電極
７、ドレイン電極８およびゲート電極９が図４のＨＦＥ
Ｔ４０に示すＡｌＮバッファ層４３、ＧａＮ層４４、Ａ
ｌＧａＮ層４５、ソース電極４７、ドレイン電極４８に
それぞれ対応するように作製している。このように作製
した従来型のＨＦＥＴの移動度は１５００ｃｍ²／Ｖｓ
であった。

【００３０】このように、表面がＣ面であるＳｉＣ基板
を用いて作製されたＨＦＥＴ１は、従来型のＨＦＥＴに
比べて移動度が大きく、電気的特性に優れていることが
判った。ＨＦＥＴ１と従来型のＳｉ面を用いたＨＦＥＴ
との顕著な違いはＩ−Ｖ特性に現れていた。つまり、Ｈ
ＦＥＴ１では電流コラップスがまったく見られなかった
が、従来型のＨＦＥＴでは電流コラップスが出たり出な
かったりとばらつきが生じた。これはＳｉ面における研
磨傷がトラップの形成に関係していると考えられる。

【００３１】（実施例２）以下の（１）〜（３）の３種
類の表面がＣ面であるＳｉＣ基板の上にＧａＮおよびＡ
ｌＧａＮを成長させて窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体装置であるＨＦＥＴを作製した。 （１）基板の表面の傾斜がないＳｉＣ基板（以下、Ｊｕ
ｓｔ基板と記す） （２）基板の表面が〔１１−２０〕方向に１度傾斜した
ＳｉＣ基板（以下、〔１１−２０〕基板と記す） （３）基板の表面が〔１−１００〕方向に１度傾斜した
ＳｉＣ基板（以下、〔１−１００〕基板と記す）

【００３２】結晶成長法は前記実施例１と同様に行っ
た。ただし、ソース電極およびドレイン電極は、基板の
表面の傾斜方向に垂直な方向に並んで配置されている。

【００３３】上記３種類のＳｉＣ基板を用いて作製され
たＨＦＥＴの室温における移動度と最大発振周波数を表
１に示す。

【００３４】

【表１】

【００３５】表１に示すように、Ｊｕｓｔ基板を用いた
場合の移動度は２０００ｃｍ²／Ｖｓであり、最大発振
周波数は１５０ＧＨｚであった。一方、ＳｉＣ基板の表
面を〔１１−２０〕方向に傾斜させた〔１１−２０〕基
板を用いた場合の移動度は２８００ｃｍ²／Ｖｓであ
り、最大発振周波数は２５０ＧＨｚであった。また、Ｓ
ｉＣ基板の表面を〔１−１００〕方向に傾斜させた〔１
−１００〕基板を用いた場合の移動度は３０００ｃｍ²
／Ｖｓであり、最大発振周波数は２８０ＧＨｚであっ
た。このように、ＳｉＣ基板の表面を〔１１−２０〕方
向または〔１−１００〕方向に傾けることによって、移
動度および最大発振周波数ともに改善が見られ、高速特
性および高周波特性に優れたＨＦＥＴを作製することが
できる。

【００３６】（実施例３）ＳｉＣ基板の表面を〔１１−
２０〕方向または〔１−１００〕方向に傾斜させ、傾斜
角度を変えて実施例１と同じ構造のＨＦＥＴを作製し
た。なお、ソース電極およびドレイン電極は、基板の表
面の傾斜方向に垂直な方向に並んで配置されている。図
３は、ＳｉＣ基板の表面の傾斜角度を変化させて作製さ
れたＨＦＥＴの移動度を測定した結果を示す図である。
図３では、表面を〔１１−２０〕方向に傾斜させたＳｉ
Ｃ基板を〔１１−２０〕方向傾斜基板とし、表面を〔１
−１００〕方向に傾斜させたＳｉＣ基板を〔１−１０
０〕方向傾斜基板として表している。図３には、基板の
表面が傾斜していないＪｕｓｔ基板を用いた場合の移動
度も示している。

【００３７】図３に示すように、基板の表面の傾斜角度
が８度よりも大きくなると移動度が小さくなっている。
また、基板の表面の傾斜角度が０．５度よりも小さくに
なると、基板の表面の傾斜角度がほとんどなくなり、Ｊ
ｕｓｔ基板と同じ特性となる。したがって、基板の傾斜
角度を０．５度以上であって８度以下とすることによっ
て、移動度が優れたＨＦＥＴを作製することができる。

【００３８】（実施例４）実施例２の基板の表面が〔１
１−２０〕方向に１度傾斜したＳｉＣ基板（〔１１−２
０〕基板）に、実施例１と同じ構造で、基板の表面の傾
斜方向に対して直角となる方向にソース電極およびドレ
イン電極を並べて配置した場合、および基板の傾斜方向
に対して平行となる方向にソース電極およびドレイン電
極を並べて配置した場合ＨＦＥＴを作製し、それぞれの
移動度と最大発振周波数とを測定した。この測定結果を
表２に示す。

【００３９】

【表２】

【００４０】表２に示すように、基板の表面の傾斜方向
に対して直角となる方向にソース電極およびドレイン電
極を形成した場合の移動度は３０００ｃｍ²／Ｖｓであ
り、最大発振周波数は２８０ＧＨｚであった。一方、基
板の表面の傾斜方向に対して水平となる方向にソース電
極およびドレイン電極を形成した場合の移動度は２５０
０ｃｍ²／Ｖｓであり、最大発振周波数は２３０ＧＨｚ
であった。このように、ソース電極およびドレイン電極
とを基板の傾斜方向と直角となる方向に並べて配置する
と、ヘテロ構造でのポテンシャルの揺らぎが少ないなる
ので、移動度および最大発振周波数の大きな値となる。
したがって、高速特性、高周波特性に優れたＨＦＥＴを
作製することができる。

【００４１】以上の実施例１〜４では、ＳｉＣ基板上に
ＧａＮおよびＡｌＧａＮを結晶成長させてヘテロ構造を
作製する方法としてＭＯＣＶＤ法を用いたが、ヘテロ構
造の部分はＲＦ−ＭＢＥ法などのＭＢＥ法によって成長
させてもよい。このように、ヘテロ構造の部分をＭＢＥ
によって結晶成長させることによって、界面の急峻性が
改善される。したがって、さらに特性を改善することが
可能となる。

【００４２】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、ＳｉＣ結
晶のＣ面はＳｉ面に比べてケミカルエッチングが容易で
あるので、研磨傷のない表面平坦性にすぐれた基板表面
を得ることができる。したがって、表面がＣ面であるＳ
ｉＣ基板に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料を結
晶成長させることによって、表面の傷の影響を受けない
良好な窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を結晶成長さ
せることができ、結晶性および電気的特性に優れた窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置を作製することがで
きる。

【００４３】また本発明によれば、〔１１−２０〕方向
または〔１−１００〕方向にＳｉＣ基板の表面を傾斜さ
せることによって、基板表面の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体材料がより拡散しやすいので、表面平坦性お
よび結晶性の優れた窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
の成長が可能となる。

【００４４】また本発明によれば、ＳｉＣ基板の表面の
傾斜角を０．５度以上とすることによって基板上にステ
ップが明確に生じ、また基板の傾斜角を８度以下とする
ことによってステップの間隔が適度に形成されるので、
面内で均一な結晶成長が可能となる。

【００４５】また本発明によれば、ＳｉＣ基板上に結晶
性および電気的特性に優れた窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体材料を成長させることができるので、高周波お
よび高速特性であり、雑音が非常に少ない電界効果型ト
ランジスタを作製することができる。

【００４６】また本発明によれば、ソース電極およびド
レイン電極をＳｉＣ基板の表面の傾斜方向に対して直角
となる方向に並べて配置する、つまりステップ状に形成
される窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のステップの
延びる方向に対して平行な方向にソース電極およびドレ
イン電極が並んで配置されるのでポテンシャルの段差の
影響が少なく、揺らぎを小さくすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１であるＨＦＥＴ１の構造を示
す図である。

【図２】図１のＨＦＥＴ１の２次元電子ガス１０の発生
状態を示す図である。

【図３】基板の表面を傾斜させて作製したＨＦＥＴの移
動度を示すグラフである。

【図４】従来のＨＦＥＴ４０の構造を示す図である。

【図５】従来のＨＦＥＴ４０の２次元電子ガス５０の発
生状態を示す図である。

【符号の説明】

１ ヘテロ接合電界効果型トランジスタ ２ Ｃ面ＳｉＣ基板 ３ ＡｌＮバッファ層 ４ 第１のＧａＮ層 ５ ＡｌＧａＮバリア層 ６ 第２のＧａＮ層 ７ ソース電極 ８ ドレイン電極 ９ ゲート電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G077 AA03 BE11 BE15 DB01 ED04 ED05 ED06 TK06 5F045 AA02 AA04 AA05 AB14 AB17 AD14 AD15 AF02 AF13 BB16 CA07 DA53 5F102 FA03 GB01 GC01 GD01 GJ02 GK04 GL04 GM04 GQ01 GR01 GT01 HC01

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 表面がＣ面であるＳｉＣ基板上に窒化物
   系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料を結晶成長させたこと
   を特徴とする窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置。
2. 【請求項２】 前記ＳｉＣ基板の表面が、〔１１−２
   ０〕方向または〔１−１００〕方向に傾斜していること
   を特徴とする請求項１記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
   物半導体装置。
3. 【請求項３】 前記ＳｉＣ基板の表面の傾斜角が、０．
   ５度以上８度以下であることを特徴とする請求項１また
   は２記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置。
4. 【請求項４】 前記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
   装置は電界効果型トランジスタであることを特徴とする
   請求項２または３記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
   導体装置。
5. 【請求項５】 前記ＳｉＣ基板の表面の傾斜方向に対し
   て直角となる方向にソース電極およびドレイン電極を並
   べて配置することを特徴とする請求項４記載の窒化物系
   ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置。