JP2007158143A - ヘテロ接合型電界効果トランジスタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】サファイアからなる基板11上に膜厚が30nmのGaNからなる核形成層12を形成し、核形成層12上に膜厚が2μmのGaNからなるバッファ層13を形成し、バッファ層13上に膜厚が20nmでありかつIn組成が0.25のInAlNからなるバリア層16の第1の層14を形成し、第1の層14上に膜厚が20nmでありかつIn組成が0.15のInAlNからなるバリア層16の第2の層15を形成し、第2の層15上にAl/TiまたはTi/Auからなるソース電極17、ドレイン電極18をオーミック接合により形成し、第2の層15が除去され部分にNi/Auからなるゲート電極19を形成する。
【選択図】図1
Description
13…バッファ層
14…第1の層
15…第2の層
16…バリア層
17…ソース電極
18…ドレイン電極
19…ゲート電極
21…基板
23…バッファ層
24…第1の層
25…第2の層
26…バリア層
27…コンタクト層
28…ソース電極
29…ドレイン電極
30…ゲート電極
Claims (5)
- 基板上に窒化物半導体からなるバッファ層が形成され、上記バッファ層上にバリア層が形成され、上記バリア層上にゲート電極、ソース電極およびドレイン電極が形成されたヘテロ接合型電界効果トランジスタであって、
上記バリア層が、上記バッファ層側の第1の層と、上記第1の層上の第2の層とを有し、
上記第1の層がInxAl1−xNからなり、
上記第2の層が上記第1の層よりもIn組成が小さいInyAl1−yNからなり、
上記ゲート電極を上記第1の層上に形成した
ことを特徴とするヘテロ接合型電界効果トランジスタ。 - 上記第1の層のIn組成xが0.2≦x≦0.43であり、上記第2の層のIn組成yが0≦y≦0.18であることを特徴とする請求項1に記載のヘテロ接合型電界効果トランジスタ。
- 上記第2の層上にInAlNからなるコンタクト層を形成し、上記コンタクト層のIn組成zを上記第2の層側から反対側に向かって上記In組成yから0.43〜1に変化させたことを特徴とする請求項1または2に記載のヘテロ接合型電界効果トランジスタ。
- 上記第2の層、上記コンタクト層の少なくとも一方に不純物としてSiを添加したことを特徴とする請求項1、2または3に記載のヘテロ接合型電界効果トランジスタ。
- 上記基板がサファイヤ、SiCまたはSiからなることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載のヘテロ接合型電界効果トランジスタ。
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