JP2005286038A - 炭化珪素基板およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】炭化珪素の(000−1)C面を、機械加工する機械加工工程と、前記機械加工工程後に、前記炭化珪素の表面層の0.1μm以上を、酸素原子含有物質または溶融アルカリを用いた化学反応によって除去する表面層除去工程とを有することを特徴とする炭化珪素基板の製造方法、および前記製造方法により得られる炭化珪素基板。
【選択図】図1
Description
本発明は、上記課題を解決することを目的とする。
炭化珪素の(000−1)C面を、機械加工する機械加工工程と、
前記機械加工工程後に、前記炭化珪素の表面層の0.1μm以上を、酸素原子含有物質または溶融アルカリを用いた化学反応によって除去する表面層除去工程と
を有することを特徴とする炭化珪素基板の製造方法である。
なお、炭化珪素の表面層の除去とは、炭化珪素の表面層が溶融等によって除去される場合に限られず、例えば、表面層を酸化することにより、炭化珪素の表面層が変質し、炭化珪素とは異なる部分が形成されることにより、炭化珪素部分が減少することにより除去される場合も含まれる。
熱酸化の温度は、950℃以上の温度であれば、有効な熱酸化速度が得られる。しかし、処理時間を短くするためには、さらに高温であることが好ましい。例えば、1150℃の乾燥酸素雰囲気においては、約4.5時間の熱酸化で実現される。この場合でも、熱酸化温度をさらに上昇させたり、水素または水蒸気を酸素に添加することで、より短時間で、同量の炭化珪素(000−1)C面表面を除去することができる。前記条件近傍では、炭化珪素の除去量は、熱酸化時間の平方根にほぼ比例するため、短時間の熱酸化と酸化層除去を繰り返すことにより、より短時間で所要の除去量を達成できる。
表面酸化層の除去は、フッ化水素酸による除去や、気相エッチングによる除去などにより行うことができる。
炭化珪素の(000−1)C面を、機械加工する機械加工工程と、
前記機械加工工程後に、前記炭化珪素の表面層の0.1μm以上を、酸素原子含有物質または溶融アルカリを用いた化学反応により除去する表面層除去工程と
を有することを特徴とする炭化珪素の表面処理方法である。
炭化珪素の(000−1)C面を、機械加工する機械加工工程と、
前記機械加工工程後に、前記炭化珪素の表面層に、酸素原子含有物質を用いた化学反応により表面酸化層を形成させ、炭化珪素の表面層の0.1μm以上を除去する表面層除去工程と、
前記表面層除去工程後に、エピタキシャル成長装置内において、前記表面酸化層を除去する表面酸化層除去工程と、
前記表面酸化層除去工程後に、前記エピタキシャル成長装置内において、前記炭化珪素を
エピタキシャル成長させるエピタキシャル成長工程と
を有することを特徴とする炭化珪素のエピタキシャル成長方法。
前記のデバイスとしては、電子デバイス、マイクロマシーン、X線ミラーなどが挙げられる。
図1は、本発明の主たる製造工程の説明図である。
図1に示すように、炭化珪素(000−1)C面を酸素または酸素原子を含んだ物質を用いた化学反応により酸化して除去する。酸化と除去は別工程であっても、同一工程において同時に進行してもよい。
この付近の条件では、炭化珪素の除去量は、熱酸化時間の平方根にほぼ比例するので、短時間の熱酸化と酸化層除去を繰り返すことにより、より短時間で所要の除去量を達成できる。
4H−炭化珪素(000−1)C面0.7度オフ基板を用い、乾燥酸素雰囲気下、1,100〜1,150℃で0〜36時間の熱酸化を行い、形成された熱酸化膜を、フッ化水素酸で除去した後、エピタキシャル成長を行った際に発生した表面欠陥の、熱酸化膜厚依存性を図2に示す。炭化珪素表面層の除去量は、熱酸化膜厚の半分程度と考えられる。
図2より、いずれの表面欠陥密度も、成長前熱酸化膜厚が0.1μm弱から0.2μmにかけて急激に減少し、その後は三角形状欠陥が、1cm2当たり100個程度で、飽和傾向となる。一方、成長前熱酸化膜厚が0.4〜0.5μmを超えると、三角形状欠陥、ピットともに次第に増加する傾向が見られる。
機械加工直後の基板を原子間力顕微鏡により観察すると、深さ数nmの研磨傷が無数に観測されるが、実際の研磨ダメージはさらに深く、約0.1μm程度まで分布していると考えられる。
図2において、成長前熱酸化膜厚が0.4〜0.5μmより大きい領域で表面欠陥密度が次第に増加するのは、熱酸化後の冷却時に、熱膨張係数の違いに起因して炭化珪素表面が熱酸化膜から受ける応力が、熱酸化膜厚の増大とともに増大することに起因すると考えられる。
図2において、成長前熱酸化膜厚が、0.2〜0.4μmの範囲において、三角形状欠陥密度が、1cm2当たり100個程度で飽和するのは、洗浄プロセスの問題と考えられる。すなわち、一度上記のようにしてエピタキシャル成長を行った後、洗浄を行って、再び同様にエピタキシャル成長を行うと、1cm2当たり100個程度の表面欠陥が、新たに発生した。
次に、同様の条件下での熱酸化により0.35μmの熱酸化膜を形成した(000−1)C面3.5度オフ面と、CMPを施した(000−1)C面3.5度オフ面に、同様の条件により、エピタキシャル成長を行ったものを比較すると、熱酸化膜を形成したものは、三角形状欠陥密度が、1cm2当たり100個程度であったのに対し、CMPを施したものは、同1,000〜2,000個程度となった。
発明者らの実験では、本発明で新たに分かった0.1μmの表面除去を実現しようとして、塩化水素と水素の混合ガスによる高温エッチングを長時間行うと、表面が激しくかつ不規則に荒れ、表面の高低差は、100nm以上にも達した。これでは電子デバイス作製の用に供することはできない。塩化水素から供給される塩素原子の強力なエッチング作用のために、基板からの貫通転位や歪みなどの部分が、選択的にエッチングされるため、このように荒れてしまうと考えられる。このように、フッ素や塩素等のハロゲンは、エッチング作用が強すぎて不適切であると考えられる。
最後に、低オフ角化は、基板中の表面ダメージや表面粉塵によって、表面欠陥を生じやすくなるという問題があるにもかかわらず、下記の点で有力である。
2 エピタキシャル成長層
Claims (19)
- 炭化珪素の(000−1)C面を、機械加工する機械加工工程と、
前記機械加工工程後に、前記炭化珪素の表面層の0.1μm以上を、酸素原子含有物質または溶融アルカリを用いた化学反応によって除去する表面層除去工程と
を有することを特徴とする炭化珪素基板の製造方法。 - 前記表面層除去工程が、前記炭化珪素の表面層に、酸素原子含有物質を用いた化学反応により表面酸化層を形成することによって、炭化珪素の表面層を除去する工程であることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素基板の製造方法。
- 前記酸素原子含有物質を用いた化学反応が、熱酸化であることを特徴とする請求項2に記載の炭化珪素基板の製造方法。
- 前記表面層除去工程後に、さらに前記表面酸化層を除去する工程を有することを特徴とする請求項2または請求項3に記載の炭化珪素基板の製造方法。
- 前記表面層除去工程が、溶融アルカリを用いた化学反応による除去と、前記溶融アルカリを用いた化学反応による除去の後に行われる熱酸化による除去とによって、炭化珪素の表面層を除去する表面層除去工程であることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素基板の製造方法。
- 炭化珪素の(000−1)C面が、<0001>方向から、0度以上1度未満のオフ角を有する面であることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の炭化珪素基板の製造方法。
- 炭化珪素の(000−1)C面が、<0001>方向から0.5度以上1度未満のオフ角を有する面であることを特徴とする請求項6に記載の炭化珪素基板の製造方法。
- 請求項1ないし請求項7のいずれかに記載の炭化珪素基板の製造方法によって製造されることを特徴とする炭化珪素基板。
- 炭化珪素の(000−1)C面を、機械加工する機械加工工程と、
前記機械加工工程後に、前記炭化珪素の表面層の0.1μm以上を、酸素原子含有物質または溶融アルカリを用いた化学反応により除去する表面層除去工程と
を有することを特徴とする炭化珪素の表面処理方法。 - 前記表面層除去工程が、前記炭化珪素の表面層に、酸素原子含有物質を用いた化学反応により表面酸化層を形成することによって、炭化珪素の表面層を除去する工程であることを特徴とする請求項9に記載の炭化珪素の表面処理方法。
- 酸素原子含有物質を用いた化学反応が、熱酸化であることを特徴とする請求項10に記載の炭化珪素の表面処理方法。
- 前記表面層除去工程が、溶融アルカリを用いた化学反応による除去と、前記溶融アルカリを用いた化学反応による除去の後に行われる熱酸化による除去とによって、炭化珪素の表面層を除去する表面層除去工程であることを特徴とする請求項9に記載の炭化珪素の表面処理方法。
- 炭化珪素の(000−1)C面を、機械加工する機械加工工程と、
前記機械加工工程後に、前記炭化珪素の表面層に、酸素原子含有物質を用いた化学反応により表面酸化層を形成させ、炭化珪素の表面層の0.1μm以上を除去する表面層除去工程と、
前記表面層除去工程後に、エピタキシャル成長装置内において、前記表面酸化層を除去する表面酸化層除去工程と、
前記表面酸化層除去工程後に、前記エピタキシャル成長装置内において、前記炭化珪素を
エピタキシャル成長させるエピタキシャル成長工程と
を有することを特徴とする炭化珪素のエピタキシャル成長方法。 - 前記表面層除去工程が、熱酸化により、前記炭化珪素の表面層に表面酸化層を形成させる工程であり、かつ、前記表面層除去工程、前記表面酸化層除去工程、前記エピタキシャル成長工程が、同一のエピタキシャル成長装置内において行われることを特徴とする請求項13に記載の炭化珪素のエピタキシャル成長方法。
- 請求項8に記載の炭化珪素基板上へ、炭化珪素をエピタキシャル成長させて得られることを特徴とするエピタキシャル成長層
- 請求項13または請求項14に記載のエピタキシャル成長方法により得られることを特徴とするエピタキシャル成長層。
- 請求項15または請求項16に記載のエピタキシャル成長層が用いられていることを特徴とするデバイス。
- 請求項17のデバイスが、電子デバイスであることを特徴とする電子デバイス。
- 前記電子デバイスが、前記エピタキシャル成長層の層上、内部、または層上、内部双方に形成されていることを特徴とする請求項18に記載のデバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004096678A JP4539140B2 (ja) | 2004-03-29 | 2004-03-29 | 炭化珪素基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004096678A JP4539140B2 (ja) | 2004-03-29 | 2004-03-29 | 炭化珪素基板およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005286038A true JP2005286038A (ja) | 2005-10-13 |
JP4539140B2 JP4539140B2 (ja) | 2010-09-08 |
Family
ID=35184094
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004096678A Expired - Fee Related JP4539140B2 (ja) | 2004-03-29 | 2004-03-29 | 炭化珪素基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4539140B2 (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006328455A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Nippon Steel Corp | エピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法 |
JP2007189203A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-07-26 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 半導体処理 |
JP2009283629A (ja) * | 2008-05-21 | 2009-12-03 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶ウェハ表面の研磨方法 |
JP2013063891A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-04-11 | Rohm Co Ltd | SiCエピタキシャルウエハおよびそれを用いたSiC半導体素子 |
JP2015078093A (ja) * | 2013-10-17 | 2015-04-23 | セイコーエプソン株式会社 | 3C−SiCエピタキシャル層の製造方法、3C−SiCエピタキシャル基板および半導体装置 |
JP2015159316A (ja) * | 2010-03-23 | 2015-09-03 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2016058499A (ja) * | 2014-09-08 | 2016-04-21 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置 |
WO2016117209A1 (ja) * | 2015-01-21 | 2016-07-28 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素基板および炭化珪素基板の製造方法 |
JP2016149497A (ja) * | 2015-02-13 | 2016-08-18 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置 |
WO2017064913A1 (ja) * | 2015-10-13 | 2017-04-20 | 住友電気工業株式会社 | 半導体積層体 |
JP2017114728A (ja) * | 2015-12-24 | 2017-06-29 | 昭和電工株式会社 | SiC単結晶の製造方法及びSiC単結晶 |
JP2020178141A (ja) * | 2019-04-03 | 2020-10-29 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置 |
CN115799061A (zh) * | 2023-01-09 | 2023-03-14 | 浙江大学杭州国际科创中心 | SiC晶圆切割片加工方法及SiC晶圆切割片加工装置 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6107526B2 (ja) | 2013-08-08 | 2017-04-05 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
EP4064326A1 (en) | 2021-03-26 | 2022-09-28 | Hitachi Metals, Ltd. | Silicon carbide epitaxial substrate and method for manufacturing same |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07131067A (ja) * | 1993-11-08 | 1995-05-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 炭化ケイ素ウエハの製造方法及び炭化ケイ素発光ダイオード素子の製造方法 |
WO1997039476A1 (fr) * | 1996-04-18 | 1997-10-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | ELEMENT EN SiC ET SON PROCEDE DE PRODUCTION |
JP2000001398A (ja) * | 1998-06-09 | 2000-01-07 | Fuji Electric Co Ltd | 炭化けい素半導体基板の製造方法 |
JP2000150393A (ja) * | 1998-11-12 | 2000-05-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 炭化珪素膜の製造方法 |
JP2000340512A (ja) * | 1999-03-23 | 2000-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体膜の成長方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2003017419A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Sharp Corp | 窒化物系iii−v族化合物半導体装置 |
JP2004002126A (ja) * | 2002-03-25 | 2004-01-08 | Ngk Insulators Ltd | 炭化珪素基板、炭化珪素基板の製造方法、酸化膜被覆基板、酸化膜被覆基板の製造方法および電子素子 |
-
2004
- 2004-03-29 JP JP2004096678A patent/JP4539140B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07131067A (ja) * | 1993-11-08 | 1995-05-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 炭化ケイ素ウエハの製造方法及び炭化ケイ素発光ダイオード素子の製造方法 |
WO1997039476A1 (fr) * | 1996-04-18 | 1997-10-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | ELEMENT EN SiC ET SON PROCEDE DE PRODUCTION |
JP2000001398A (ja) * | 1998-06-09 | 2000-01-07 | Fuji Electric Co Ltd | 炭化けい素半導体基板の製造方法 |
JP2000150393A (ja) * | 1998-11-12 | 2000-05-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 炭化珪素膜の製造方法 |
JP2000340512A (ja) * | 1999-03-23 | 2000-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体膜の成長方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2003017419A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Sharp Corp | 窒化物系iii−v族化合物半導体装置 |
JP2004002126A (ja) * | 2002-03-25 | 2004-01-08 | Ngk Insulators Ltd | 炭化珪素基板、炭化珪素基板の製造方法、酸化膜被覆基板、酸化膜被覆基板の製造方法および電子素子 |
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006328455A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Nippon Steel Corp | エピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法 |
JP2007189203A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-07-26 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 半導体処理 |
KR101332206B1 (ko) * | 2005-12-02 | 2013-11-25 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨. | 반도체 처리 방법 |
JP2009283629A (ja) * | 2008-05-21 | 2009-12-03 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶ウェハ表面の研磨方法 |
JP2015159316A (ja) * | 2010-03-23 | 2015-09-03 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US10741683B2 (en) | 2010-03-23 | 2020-08-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing same |
US9947782B2 (en) | 2010-03-23 | 2018-04-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing same |
JP2013063891A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-04-11 | Rohm Co Ltd | SiCエピタキシャルウエハおよびそれを用いたSiC半導体素子 |
JP2015078093A (ja) * | 2013-10-17 | 2015-04-23 | セイコーエプソン株式会社 | 3C−SiCエピタキシャル層の製造方法、3C−SiCエピタキシャル基板および半導体装置 |
US9758902B2 (en) | 2013-10-17 | 2017-09-12 | Seiko Epson Corporation | Method for producing 3C-SiC epitaxial layer, 3C-SiC epitaxial substrate, and semiconductor device |
JP2016058499A (ja) * | 2014-09-08 | 2016-04-21 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置 |
CN107109695A (zh) * | 2015-01-21 | 2017-08-29 | 住友电气工业株式会社 | 碳化硅基板和碳化硅基板的制造方法 |
WO2016117209A1 (ja) * | 2015-01-21 | 2016-07-28 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素基板および炭化珪素基板の製造方法 |
JP2016149497A (ja) * | 2015-02-13 | 2016-08-18 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置 |
US10734222B2 (en) | 2015-10-13 | 2020-08-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor stack |
CN108028181A (zh) * | 2015-10-13 | 2018-05-11 | 住友电气工业株式会社 | 半导体堆叠体 |
US10395924B2 (en) | 2015-10-13 | 2019-08-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor stack |
US10580647B2 (en) | 2015-10-13 | 2020-03-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor stack |
WO2017064913A1 (ja) * | 2015-10-13 | 2017-04-20 | 住友電気工業株式会社 | 半導体積層体 |
JP2021057606A (ja) * | 2015-10-13 | 2021-04-08 | 住友電気工業株式会社 | 半導体積層体 |
JP7020533B2 (ja) | 2015-10-13 | 2022-02-16 | 住友電気工業株式会社 | 半導体積層体 |
CN108028181B (zh) * | 2015-10-13 | 2022-03-01 | 住友电气工业株式会社 | 半导体堆叠体 |
JP2017114728A (ja) * | 2015-12-24 | 2017-06-29 | 昭和電工株式会社 | SiC単結晶の製造方法及びSiC単結晶 |
JP2020178141A (ja) * | 2019-04-03 | 2020-10-29 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置 |
CN115799061A (zh) * | 2023-01-09 | 2023-03-14 | 浙江大学杭州国际科创中心 | SiC晶圆切割片加工方法及SiC晶圆切割片加工装置 |
CN115799061B (zh) * | 2023-01-09 | 2023-09-05 | 浙江大学杭州国际科创中心 | SiC晶圆切割片加工方法及SiC晶圆切割片加工装置 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP4539140B2 (ja) | 2010-09-08 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20080423 |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080423 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100513 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100614 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130702 Year of fee payment: 3 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |