JP2002504427A - 深く還元された酸化触媒および液相酸化反応を触媒するためのその使用 - Google Patents

深く還元された酸化触媒および液相酸化反応を触媒するためのその使用

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Abstract

(57)【要約】 本発明は、特に酸性の酸化環境下ならびに溶媒、反応体、中間体または生成物(貴金属を可溶化する)の存在下において、液相酸化反応を触媒するのに使用される、表面に貴金属を有する炭素支持体を含んでなる改良された触媒;該改良された触媒の製造方法;該触媒を用いる液相酸化方法[該触媒は、特に酸性の酸化環境下ならびに溶媒、反応体、中間体または生成物(貴金属を可溶化する)の存在下において、貴金属浸出に対して改良された耐性を示す];ならびに、該触媒を用いてN−(ホスホノメチル)イミノ二酢酸(すなわち、「PMIDA」)またはその塩を酸化してN−(ホスホノメチル)グリシン(すなわち、「グリホセート」)またはその塩を生成させる液相酸化方法[ここに、ホルムアルデヒドおよびギ酸副産物の二酸化炭素および水への酸化が増大している]に関する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】 (技術分野) 本発明は、一般的には、改良された酸化触媒、および液相酸化反応を触媒する
ための該触媒の使用、特に酸性の酸化環境において、および貴金属を可溶化する
反応体、中間体、生成物または溶媒の存在下において、液相酸化反応を触媒する
ための該触媒の使用に関する。好ましい具体例においては、本発明は、改良され
た酸化触媒および該触媒を用いてN−(ホスホノメチル)イミノ二酢酸またはその
塩をN−(ホスホノメチル)グリシンまたはその塩に変換する方法に関する。
【0002】 (背景技術) N−(ホスホノメチル)グリシン(農業化学産業では「グリホセート」として知 られる)は、Franzの米国特許第3,799,758号に記載されている。N −(ホスホノメチル)グリシンおよびその塩は、都合良くは、水性処方において創
発後除草剤として適用される。それは、発芽している種子、創発実生、成熟して
いるおよび確立された木質および草本植物、および水生植物を含めた広く種々の
植物を殺しまたはその成長を抑制するのに有用な高度に効果的であって商業的に
重要な広スペクトル除草剤である。
【0003】 N−(ホスホノメチル)グリシンを作成する種々の方法が当該分野で知られてい
る。Franz(米国特許第3,950,402号)は、N−(ホスホノメチル)グリ
シンが、活性炭支持体上に沈積された貴金属よりなる触媒の存在下での(時々、 「PMIDA」という)N−(ホスホノメチル)イミノ二酢酸の液相酸化的開裂に よって製造できることを教示する:
【化1】 炭素触媒上の貴金属 (HO)2P(O)CH2N(CH2CO2H)2 + 1/2 O2 ─────────→ (HO)2P(O)CH2NHCH2CO2H + CO2 + HCHO
【0004】 ホルムアルデヒド副産物の酸化によって形成されるギ酸;およびN−(ホスホ ノメチル)グリシンの酸化によって形成されるアミノメチルホスホン酸(「AMP
A」)のような他の副産物も形成され得る。Franzの方法はN−(ホスホノメ
チル)グリシンの許容できる収率および純度を生じたが、高価な貴金属の反応溶 液への高喪失(すなわち、「浸出」)が起こる。何故なら、反応の酸化的条件下で
は、貴金属のいくらかはより可溶性の形態に酸化され、PMIDAおよびN−( ホスホノメチル)グリシンの双方は貴金属を可溶化するリガンドとして作用する ためである。
【0005】 米国特許第3,969,398号において、Hershmanは、貴金属の存在
なくして、活性炭単独を用いてPMIDAの開裂を行ってN−(ホスホノメチル)
グリシンを形成することができることを教示する。米国特許第4,624,937
号において、ChouはさらにHershmanによって教示された炭素触媒の
活性が、それを酸化反応で用いる前に炭素触媒の表面から酸化物を除去すること
によって増加し得ることを教示する。また、炭素触媒の表面から酸化物を除去す
ることによる炭素触媒の活性の増加に関するChouによる別の議論を提供する
米国特許第4,696,772号も参照されたし。これらのプロセスは明らかに貴
金属浸出を蒙らないが、それらはN−ホスホノメチルイミノ二酢酸の酸化的開裂
を行うのに使用するとより高い濃度のホルムアルデヒド副産物を生成する傾向に
ある。このホルムアルデヒド副産物は望ましくない。何故ならば、それはN−( ホスホノメチル)グリシンと反応して、N−(ホスホノメチル)グリシン収率を低 下させる望まない副産物(主として、時々は「NMG」と呼ばれる)N−メチル−
N−(ホスホノメチル)グリシンを生成するからである。加えて、ホルムアルデヒ
ド副産物それ自体はその可能な毒性のため望ましくない。Smithの米国特許
第5,606,107号参照。
【0006】 従って、最適には、PMIDAが単一リアクター中でN−(ホスホノメチル)グ
リシンに酸化されるときに、ホルムアルデヒドが同時に二酸化炭素および水まで
酸化されることが示唆されている。すなわち、以下の反応式が示される:
【化2】 触媒 + O2 (HO)2P(O)CH2N(CH2CO2H)2 ──────→ (HO)2P(O)CH2NHCH2CO2H + 2CO2 + H2O 前記教示は、かかるプロセスが(主としてPMIDAの酸化を行ってホルムアル デヒドを形成する)炭素および(主としてホルムアルデヒドの酸化を行って二酸化
炭素および水を形成する)貴金属の存在を要することを示唆する。しかしながら 、かかる酸化的プロセスのために安定な触媒を開発しようとする試みは全く満足
できなかった。
【0007】 Franzのように、Ramonら(米国特許第5,179,228号)は炭素支
持体上での貴金属沈積の使用を教示する。(Ramonらがサイクルあたり30 %の貴金属喪失もと大きいと報告している)浸出の問題を減少させるために、R amonらは、酸化反応を完了して貴金属の炭素支持体への再沈積を引き起こす
後の圧力下で反応混合物を窒素でフラッシュすることを教示している。Ramo
nらによると、窒素フラッシングは貴金属喪失を1%未満に減少させる。依然と
して、この方法で受ける貴金属喪失の量は許容できない。加えて、貴金属の再沈
積は貴金属の表面積の喪失に至り得、これは今度は触媒の活性を低下させる。
【0008】 異なるアプローチを用い、Felthouse(米国特許第4,582,650 号)は、2つの触媒:(i)PMIDAのN−(ホスホノメチル)グリシンへの酸化 を行うための活性炭、および(ii)ホルムアルデヒドの二酸化炭素および水への酸
化を同時に行うための共触媒を用いることを教示する。該共触媒はその細孔内に
位置する貴金属を有するアルミノシリケート支持体よりなる。該細孔はN−(ホ スホノメチル)グリシンを排除するサイズであり、それにより、共触媒の貴金属 がN−(ホスホノメチル)グリシンが毒されることを防ぐ。Felthouseに
よると、これら2つの触媒の一緒での使用は、PMIDAのN−(ホスホノメチ ル)グリシンへのおよびホルムアルデヒドの二酸化炭素および水への同時酸化を 可能とする。しかしながら、このアプローチは、いくつかの不利を受ける:(1)
再使用のためにアルミノシリケート支持体から効果な貴金属を回収するのは困難
である;(2)それらの間の速度がマッチするように2つの触媒をデザインするの
は困難である;および(3)その表面に沈積した貴金属を有しない炭素支持体は、
サイクルあたり10%を超えることができる速度で脱活性化する傾向にある。
【0009】 かくして、同時に貴金属浸出に対する耐性およびホルムアルデヒドの二酸化炭
素および水への増大した酸化(すなわち、増大したホルムアルデヒド活性)を呈し
つつ、PMIDAをN−(ホスホノメチル)グリシンへ酸化する改良されたマルチ
反応触媒および反応プロセスに対する要望がある。
【0010】 (発明の開示) 本発明は、特に、酸性の酸化環境において、および貴金属を可溶化する溶媒、
反応体、中間体または生成物の存在下において、液相酸化反応を触媒するのに使
用する改良された触媒;該改良された触媒の製造方法;特に、酸性の酸化環境に
おいて、および貴金属を可溶化する溶媒、反応体、中間体または生成物の存在下
において、貴金属浸出に対して改良された耐性を示す該触媒を用いる液相酸化方
法;ならびに、ホルムアルデヒド副産物の二酸化炭素および水への酸化を増加さ
せる該触媒を用いて、PMIDAまたはその塩を酸化してN−(ホスホノメチル)
グリシンまたはその塩を生成させる液相酸化方法;を提供するものである。
【0011】 すなわち略言すれば、本発明は、表面に貴金属を有する炭素支持体を含んでな
る新規酸化触媒に関する。1つの具体例において、該触媒は、ヘリウム雰囲気中
で触媒の乾燥試料を1分あたり約10℃の速度で約20から約900℃まで加熱
し、次いで、約900℃で約30分間加熱したときに、触媒1gあたり約0.7 ミリモル未満の一酸化炭素を生成することを特徴とする。
【0012】 表面に貴金属を有する炭素支持体を含んでなる酸化触媒に関するもう1つの具
体例において、該炭素支持体はその表面に促進剤を有する。該触媒は、水素雰囲
気中にて約500℃の温度で約1時間加熱した後であって、水素雰囲気中での加
熱後に酸化剤に暴露する前に、触媒の乾燥試料をヘリウム雰囲気中で1分あたり
約10℃の速度で約20から約900℃まで加熱し、次いで、約900℃で約3
0分間加熱したときに、触媒1gあたり約0.7ミリモル以下の一酸化炭素を生 成することを特徴とする。
【0013】 表面に貴金属を有する炭素支持体を含んでなる酸化触媒に関するもう1つの具
体例において、該支持体はその表面に炭素および酸素をも有する。該表面におけ
る炭素原子と酸素原子の比率は、x線光電子分光法で測定して少なくとも約30
:1である。
【0014】 表面に貴金属を有する炭素支持体を含んでなる酸化触媒に関するもう1つの具
体例において、該支持体はその表面に促進剤、炭素および酸素をも有する。該触
媒は、触媒を水素雰囲気中で約500℃の温度で1時間加熱した後であって、触
媒を水素雰囲気中での加熱後に酸化剤に暴露する前に、x線光電子分光法によっ
て測定して、表面において少なくとも約30:1の炭素原子と酸素原子の比率を
有することを特徴とする。
【0015】 表面に貴金属を有する炭素支持体を含んでなる酸化触媒に関するもう1つの具
体例において、該支持体は、表面から内側に測定して約50Åの厚みを有する表
面層を有する。この表面層は炭素および酸素を含み、表面層における炭素原子と
酸素原子の比率は少なくとも約30:1である。
【0016】 表面に貴金属を有する炭素支持体を含んでなる酸化触媒に関するもう1つの具
体例において、該支持体はその表面に促進剤をも有する。さらに、該支持体は、
表面から内側に測定して約50Åの厚みを持ち、炭素および酸素を含む表面層を
有する。この具体例において、該触媒は、触媒を水素雰囲気中で約500℃の温
度で約1時間加熱した後であって、触媒を水素雰囲気中での加熱後に酸化剤に暴
露する前に、x線光電子分光法によって測定して、少なくとも約30:1の表面
層における炭素原子と酸素原子の比率を有することを特徴とする。
【0017】 表面に貴金属を有する炭素支持体を含んでなる酸化触媒に関するもう1つの具
体例において、該触媒は、貴金属を表面に沈積させ、次いで、約500℃を超え
る温度で該表面を加熱することを含んでなるプロセスによって製造される。
【0018】 表面に貴金属を有する炭素支持体を含んでなる酸化触媒に関するもう1つの具
体例において、該触媒は、貴金属を表面に沈積させ、次いで、少なくとも約40
0℃の温度で該表面を加熱することを含んでなるプロセスによって製造される。
この具体例において、貴金属沈積前に、炭素支持体は、表面の炭素原子と酸素原
子の比率がx線光電子分光法によって測定して少なくとも約20:1であるよう
な量で、その表面に炭素および酸素を有する。
【0019】 表面に貴金属を有する炭素支持体を含んでなる酸化触媒に関するもう1つの具
体例において、該触媒は、貴金属を表面に沈積させ、次いで該表面を還元性環境
に暴露することを含んでなるプロセスによって製造される。ここでも、貴金属沈
積前に、炭素支持体は、表面の炭素原子と酸素原子の比率がx線光電子分光法に
よって測定して、少なくとも約20:1であるような量で、その表面に炭素およ
び酸素を有する。
【0020】 また本発明は、酸化触媒の製造方法に関する。本発明の1つの具体例において
は、該方法は、炭素支持体の表面に貴金属を沈積させ、次いで、約500℃より
も高い温度で該表面を加熱することを含んでなる。
【0021】 酸化触媒の製造方法に関するもう1つの具体例において、該触媒は、炭素支持
体の表面に炭素および酸素を有する炭素支持体から製造される。該方法は、炭素
支持体の表面に貴金属を沈積させ、次いで、少なくとも約400℃の温度で該表
面を加熱することを含んでなる。この具体例においては、貴金属沈積前に、炭素
支持体の表面の炭素原子と酸素原子の比率は、x線光電子分光法によって測定し
て少なくとも約20:1である。
【0022】 酸化触媒の製造方法に関するもう1つの具体例において、該触媒は、炭素支持
体の表面に炭素および酸素を有する炭素支持体から製造される。該方法は、炭素
支持体の表面に貴金属を沈積させ、次いで、該表面を還元性環境に暴露すること
を含んでなる。この具体例においては、貴金属沈積前に、炭素支持体の表面の炭
素原子と酸素原子の比率は、x線光電子分光法によって測定して少なくとも約2
0:1である。
【0023】 酸化触媒の製造方法に関するもう1つの具体例において、該触媒は、炭素支持
体の表面に炭素および酸素を有する炭素支持体から製造される。該方法は、炭素
支持体の表面に貴金属を沈積させ、次いで、該表面を還元性環境に暴露して、表
面における炭素原子と酸素原子の比率が、x線光電子分光法によって測定して少
なくとも約30:1となるように表面を還元することを含んでなる。
【0024】 酸化触媒の製造方法に関するもう1つの具体例において、該方法は、炭素支持
体の表面に貴金属を沈積させ、次いで、該表面を還元性環境に暴露して、ヘリウ
ム雰囲気中の触媒の乾燥試料を1分あたり約10℃の速度で約20ないし約90
0℃に加熱し、次いで、約900℃で約30分間加熱したときに、触媒1gあた
り約0.7ミリモル以下の一酸化炭素が触媒から脱着されるように表面を還元す ることを含んでなる。
【0025】 また本発明は、貴金属を可溶化できる混合物(典型的には、溶液またはスラリ ー、最も典型的には溶液)中で試薬を酸化する方法に関する。この方法は、混合 物を酸素存在下で酸化触媒と接触させることを含んでなる。1つの具体例におい
て、該触媒は、表面に貴金属を有する炭素支持体を含む。該触媒は、ヘリウム雰
囲気中で触媒の乾燥試料を1分あたり約10℃の速度で約20から約900℃ま
で加熱し、次いで、約900℃で約30分間加熱したときに、約1.2ミリモル 以下の一酸化炭素を生成することを特徴とする。
【0026】 貴金属を可溶化できる混合物中で試薬を酸化する方法に関するもう1つの具体
例において、該触媒は、炭素支持体の表面に貴金属および促進剤を有する炭素支
持体を含んでなる。さらに、該触媒は、水素雰囲気中で約500℃の温度にて約
1時間加熱した後であって、水素雰囲気中での加熱後に酸化剤に暴露する前に、
触媒の乾燥試料をヘリウム雰囲気中で1分あたり約10℃の速度で約20から約
900℃まで加熱し、次いで、約900℃で約30分間加熱したときに、約1. 2ミリモル以下の一酸化炭素を生成することを特徴とする。
【0027】 貴金属を可溶化できる混合物中で試薬を酸化する方法に関するもう1つの具体
例において、該触媒は、炭素支持体の表面に貴金属、炭素および酸素を有する炭
素支持体を含んでなる。表面における炭素原子と酸素原子の比率は、x線光電子
分光法で測定して少なくとも約20:1である。
【0028】 貴金属を可溶化できる混合物中で試薬を酸化する方法に関するもう1つの具体
例において、該触媒は、炭素支持体の表面に貴金属、促進剤、炭素および酸素を
有する炭素支持体を含んでなる。該触媒は、触媒を水素雰囲気中で約500℃の
温度にて約1時間加熱した後であって、触媒を水素雰囲気中での加熱後に酸化剤
に暴露する前に、x線光電子分光法で測定して、少なくとも約20:1の表面に
おける炭素原子と酸素原子の比率を有することを特徴とする。
【0029】 貴金属を可溶化できる混合物中で試薬を酸化する方法に関するもう1つの具体
例において、該触媒は、炭素支持体の表面に貴金属を有する炭素支持体を含んで
なる。さらに、該支持体は、表面から内側に測定して約50Åの厚みを持ち、炭
素および酸素を含む表面層を含んでなる。該表面層における炭素原子と酸素原子
の比率は、x線光電子分光法で測定して少なくとも約20:1である。
【0030】 貴金属を可溶化できる混合物中で試薬を酸化する方法に関するもう1つの具体
例において、該触媒は、(a)炭素支持体の表面の貴金属および促進剤;および( b)表面から内側に測定して約50Åの厚みを持ち、炭素および酸素を含む表面 層;を有する炭素支持体を含んでなる。該触媒は、触媒を水素雰囲気中で約50
0℃の温度にて約1時間加熱した後であって、触媒を水素雰囲気中での加熱後に
酸化剤に暴露する前に、x線光電子分光法で測定して、少なくとも約20:1の
表面層における炭素原子と酸素原子の比率を有することを特徴とする。
【0031】 貴金属を可溶化できる混合物中で試薬を酸化する方法に関するもう1つの具体
例において、該触媒は、炭素支持体の表面に貴金属を沈積させ、次いで、該表面
を少なくとも約400℃の温度で加熱することを含んでなるプロセスによって製
造される。
【0032】 貴金属を可溶化できる混合物中で試薬を酸化する方法に関するもう1つの具体
例において、該触媒は、炭素支持体の表面に貴金属を沈積させ、次いで、表面を
還元性環境に暴露することを含んでなるプロセスによって製造される。この具体
例においては、貴金属沈積前に、炭素支持体は、表面の炭素原子と酸素原子の比
率がx線光電子分光法によって測定して少なくとも20:1となるような量で、
炭素支持体の表面に炭素および酸素を有する。
【0033】 本発明は、さらに、N−(ホスホノメチル)グリシンまたはその塩の製造方法に
関する。該方法は、N−(ホスホノメチル)イミノ二酢酸またはその塩を酸素存在
下で酸化触媒と接触させることを含んでなる。1つの具体例において、該触媒は
、炭素支持体の表面に貴金属を有する炭素支持体を含んでなる。該触媒は、ヘリ
ウム雰囲気中で触媒の乾燥試料を1分あたり約10℃の速度で約20から約90
0℃まで加熱し、次いで、約900℃で約30分間加熱したときに、触媒1gあ
たり約1.2ミリモル以下の一酸化炭素を生成することを特徴とする。
【0034】 N−(ホスホノメチル)グリシンまたはその塩の製造方法に関するもう1つの具
体例において、該触媒は、炭素支持体の表面に貴金属、炭素および酸素を有する
炭素支持体を含んでなる。表面における炭素原子と酸素原子の比率は、x線光電
子分光法で測定して少なくとも約20:1である。
【0035】 N−(ホスホノメチル)グリシンまたはその塩の製造方法に関するもう1つの具
体例において、該触媒は、炭素支持体の表面に貴金属を有する炭素支持体を含ん
でなる。また、該炭素支持体は、表面から内側に測定して約50Åの厚みを持ち
、炭素および酸素を含む表面層を含む。該表面層における炭素原子と酸素原子の
比率は、x線光電子分光法で測定して少なくとも約20:1である。
【0036】 N−(ホスホノメチル)グリシンまたはその塩の製造方法に関するもう1つの具
体例において、該触媒は、炭素支持体の表面に貴金属を沈積させ、次いで、該表
面を少なくとも約400℃の温度で加熱することを含んでなるプロセスによって
製造される。
【0037】 N−(ホスホノメチル)グリシンまたはその塩の製造方法に関するもう1つの具
体例において、該触媒は、炭素支持体の表面に貴金属を沈積させ、次いで、表面
を還元性環境に暴露することを含んでなるプロセスによって製造される。この具
体例においては、貴金属沈積前に、炭素支持体は、表面の炭素原子と酸素原子の
比率がx線光電子分光法によって測定して少なくとも20:1となるような量で
、その表面に炭素および酸素を有する。
【0038】 N−(ホスホノメチル)グリシンまたはその塩の製造方法に関するもう1つの具
体例において、該触媒は、炭素支持体の表面に貴金属、促進剤、炭素および酸素
を有する炭素支持体を含んでなる。
【0039】 N−(ホスホノメチル)グリシンまたはその塩の製造方法に関するもう1つの具
体例において、該触媒は、炭素支持体の表面に貴金属および促進剤を有する炭素
支持体を含んでなる。該触媒は、表面から内側に測定して約50Åの厚みを有す
る表面層を含む。この表面層は炭素および酸素を含む。この具体例においては、
該触媒は、触媒を水素雰囲気中で約500℃の温度にて約1時間加熱した後であ
って、触媒を水素雰囲気中での加熱後に酸化剤に暴露する前に、x線光電子分光
法で測定して、少なくとも約20:1の表面層における炭素原子と酸素原子の比
率を有することを特徴とする。
【0040】 本発明の他の特徴の一部は明らかであり、また一部は以下に記載する。
【0041】 (発明を実施するための最良の形態) A.酸化触媒 本発明の触媒は、特に酸性の酸化環境において、および溶媒、反応体、中間体
または生成物(貴金属を可溶化する)の存在下において、液相(すなわち、水性溶 液または有機溶媒中)の酸化反応を触媒するのに使用できる。触媒は、これらの 条件下で貴金属浸出に対する改良された耐性を有意に示す。有利には、触媒は、
さらにPMIDAのN−(ホスホノメチル)グリシンへの酸化の間にホルムアルデ
ヒドおよびギ酸副産物の改良された酸化(すなわち、破壊)を示す。
【0042】 触媒の貴金属成分は種々の機能を発揮する。例えば、炭素支持体単独よりなる
触媒の表面への貴金属の沈積は、触媒の脱活性化の比率を低下させる傾向にある
。説明すると、N−(ホスホノメチル)グリシンを、貴金属を含まない活性炭支持
体よりなる触媒の存在下で、酸素によるPMIDAの液相酸化的開裂によって調
製する場合、活性炭は1サイクルあたり10%またはそれ以上に脱活性化される
ことが判明した。いずれの特定の理論に拘束されるつもりもないが、反応条件下
では炭素支持体の表面が酸化されるので活性炭の脱活性化が生起する。Chou
の米国特許第4,624,937号を参照。また、炭素の表面の酸化による活性炭
の脱活性化に関連する別の議論を提供するChouの米国特許第4,696,77
2号を参照。しかしながら、貴金属の存在下では、活性炭の脱活性化の速度は低
下する。貴金属は活性炭表面よりも速く酸化剤と反応でき、かくして、炭素表面
のかなりの酸化が起こり得る前に酸化剤を溶液から優先的に除去すると考えられ
る。さらに、活性炭表面に形成され、還元されるのに高温処理を要する多くの酸
化物種とは異なり、貴金属の表面で形成される酸化物種は、典型的には、反応混
合物(例えば、開裂されたアミン断片、ホルムアルデヒド、ギ酸、H2等)に存在 するかまたはそれに添加された還元剤により容易に還元され、かくして、貴金属
表面を還元された状態に保持する。このようにして、本発明の触媒は、有利には
、貴金属が浸出によって喪失されない、あるいは解離および再沈積または貴金属
凝集のようなプロセスによって焼結される(すなわち、望ましくないような厚い 層またはクランプの形態)限り、有意に長い寿命を呈する。
【0043】 また、特定の酸化反応に依存して、貴金属は酸化を行うにおいて炭素よりも効
果的であり得る。例えば、N−(ホスホノメチル)グリシンを形成するPMIDA
の酸化的開裂の意味において、触媒の炭素成分はPMIDAのN−(ホスホノメ チル)グリシンへの酸化を一義的に行うが、望ましくないホルムアルデヒドおよ びギ酸副産物のより好ましい副産物、二酸化炭素および水への酸化を一義的に行
うのは貴金属である。
【0044】 本発明により、炭素支持体の酸素含有官能基(例えば、カルボン酸、エーテル 、アルコール、アルデヒド、ラクトン、ケトン、エステル、アミンオキシド、お
よびアミド)は貴金属浸出を増加させ、潜在的に、液相酸化反応の間に貴金属焼 結を増加させ、かくして、PMIDA酸化反応の間に酸化可能物質、特にホルム
アルデヒドを酸化させる触媒の能力を低下させることが判明した。本明細書で用
いるように、酸素含有官能基は、もしそれが炭素支持体の原子と結合し、反応混
合物内の組成と、または炭素支持体に沈積された金属原子と化学的または物理的
に相互作用できれば、「炭素支持体の表面」にある。
【0045】 浸出および焼結に対する貴金属の耐性を低下させ、触媒の活性を低下させる酸
素含有官能基の多くは、触媒を不活性雰囲気(例えば、ヘリウムまたはアルゴン)
で高温(例えば、900℃)で加熱した場合に、一酸化炭素として炭素支持体から
脱着する。かくして、高温下で新鮮な触媒(すなわち、従来液相酸化反応で使用 されてきた触媒)からのCO脱着の量を測定することは、触媒の表面を分析して 貴金属反応および触媒活性の維持を予測するのに使用できる1つの方法である。
CO脱着を測定する1つの方法は、イン・ライン質量分析での熱重量分析(「T GA−MS」)によってCO脱着を測定することである。好ましくは、ヘリウム 雰囲気中の触媒の新鮮な試料を、約20℃から約900℃まで1分あたり約10
℃で増加させ、次いで、約900℃で約30分間保持する温度に付した場合、触
媒1gあたり約1.2ミリモル未満の一酸化炭素が触媒から脱着する。より好ま しくは、新鮮な触媒1gあたり約0.7ミリモル以下の一酸化炭素がその条件下 で脱着し、さらに好ましくは、新鮮な触媒1gあたり約0.5ミリモル以下の触 媒が脱着され、最も好ましくは新鮮の触媒1gあたり約0.3ミリモル以下の触 媒が脱着する。触媒が約1重量%未満の水分含有量を有する場合、触媒は「乾燥
」していると考えられる。典型的には、触媒は、それをHg約25インチのN2 パージド真空および約120℃の温度に約16時間置くことによって乾燥するこ
とができる。
【0046】 新鮮な触媒支持体の表面の多数の酸素原子を測定するのは、触媒を分析して貴
金属保持および触媒活性の維持を分析するのを予測するのに使用できるもう1つ
の方法である。例えば、x線光電子分光法を用い、約50Åの厚みである支持体
の表面層が分析される。x線光電子分光法で現在利用できる器具は、典型的には
、±20%以内で正確である。典型的には、少なくとも約20:1(炭素原子: 酸素原子)の(x線光電子分光法で現在利用できる器具によって測定した)表面に おける炭素原子と酸素原子の比率が、適当である。しかしながら、好ましくは、
該比率は少なくとも約30:1、より好ましくは少なくとも約40:1、なおよ
り好ましくは約50:1、最も好ましくは少なくとも約60:1である。加えて
、(再度、x線光電子分光法で現在利用できる器具によって測定して)表面におけ
る酸素原子と金属原子の比率は約8:1未満である(酸素原子:金属原子)。より
好ましくは、該比率は7:1未満であり、より好ましくは約6:1未満であり、
最も好ましくは約5:1である。
【0047】 一般に、本発明で使用される炭素支持体は当該分野でよく知られている。活性
化された非黒鉛化炭素支持体が好ましい。これらの支持体はガス、蒸気およびコ
イド状固体、についての高脱着能力、および比較的に高い比表面積によって特徴
付けられる。支持体は、適当には、当該分野で知られた手段、例えば、木材、泥
炭、亜炭、石炭、ナッツ殻、骨、植物、または他の天然または合成炭素質の分解
的蒸留によって製造された炭素、チャー、または木炭であり得るが、好ましくは
、「活性化して」脱着力を生じさせる。活性化は、通常、多孔性粒子構造および
増加した比表面積をもたらす蒸気または二酸化炭素にて高温(800−900℃)
に加熱することによって達成される。いくつかの場合において、塩化亜鉛および
/またはリン酸もしくは硫酸ナトリウムのような吸湿性物質を、分解的蒸留また
は活性化の前に、添加して脱着能力を増加させる。好ましくは、炭素支持体の炭
素含有量は骨木炭についての約10%からいくつかの木質チャーについての98
%および有機ポリマーに由来する活性炭についてのほとんど100%の範囲であ
る。商業的に入手可能な活性炭物質中の非炭素質物質は、圧力源、加工および活
性化方法のような因子に依存して変化するであろう。その表面に最も少ない酸素
含有官能基を有する炭素支持体が最も好ましい。
【0048】 炭素支持体の形態はそれほど重要ではない。本発明の1つの具体例において、
支持体はモノリシック支持体である。適当なモノリシック支持体は、広い範囲の
形状を有する。かかる支持体は、例えば、スクリーンまたはハニカムの形態であ
る。かかる支持体は、例えば、リアクターインペラーの形態でもあり得る。
【0049】 特に好ましい具体例においては、支持体は粒子の形態である。粒状支持体が特
に好ましいが、以下の議論は粒状支持体を使用する具体例に焦点をあてる。しか
しながら、本発明は粒状支持体の使用に限定されるものではないことが認識され
るべきである。
【0050】 適当な粒状支持体は広範囲の形状を有し得る。例えば、かかる支持体は顆粒の
形態であってもよい。より好ましくは、支持体は粉末の形態である。これらの粒
状支持体は、自由粒子としてのリアクター系で使用することができるか、あるい
はスクリーンまたはインペラーのようなリアクター系において構造に結合させる
ことができる。
【0051】 典型的には、粒状形態である支持体は粒子の広いサイズ分布を含む。粉末では
、好ましくは、粒子の少なくとも約95%がその最大寸法が約2ないし約300
μmであり、より好ましくは、粒子の少なくとも約98%がその最大寸法が約2
ないし約99%であり、最も好ましくは粒子の約99%が最大寸法が約2ないし
約150μmであり、粒子の約95%がその最大寸法が約3ないし約100μm
である。その最大寸法が約200μmより大である粒子は超微細粒子(すなわち 、その最大寸法が約2μm未満である)に粉砕される傾向にあり、これは回復す るのが困難である。
【0052】 N2を用いるBET(Brunauer−Emmett−Teller)方法に よって測定した炭素支持体の比表面積は、好ましくは、約10ないし約3,00 0m2/g(炭素支持体1gあたりの炭素支持体の表面積)、より好ましくは、約 500ないし約2,100m2/g、なおより好ましくは約750ないし約2,1 00m2/gである。いくつかの具体例においては、最も好ましい比表面積は約 750ないし約1,750m2/gである。
【0053】 本発明で使用される炭素支持体は多数の源から商業的に入手可能である。以下
のものは本発明で使用することができる活性炭のいくつかのリストである:Da
rco G−60SpecおよびDarco X(ICI−America, Wi lmington, DE);Notir SG Extra, Notir EN4,
Norit EXW, NoritA, Norit Ultra−C, Nonit ACX、およびNorit 4×14メッシュ(Amer. Norit Co., I
nc., Jacksonville, PL);G1−9615, VG−8408,
VG−8590, NB−9377、XZ、NWおよびJV(Brnebey−C heney, Columbus, OH);BL Pulv., PWA Pulv., Calgon C450, およびPCB Fines (Pittsburgh, P
A);P−100(No. Amer. Carbon, Inc., Columbus,
OH);Nuchar CN, Nuchar C−1000 N, Nuchar C
−190A, Nuchar C−115A, およびNuchar SA−30(W estvaco Corp., Carbon Department, Covin gton, Virginia);Code 1551(Baker and Ada mson, Division of Allied Amer. Norit Co.,
Inc., Jacksonville, FL);Grade 235, Grade
337, Grade, and Grade 256 (Witco Chemica
l Corp., Activated Carbon Div., New York,
NY);およびColumbia SXAC (Union Carbide New
York, NY)。
【0054】 本発明の触媒は、好ましくは、その表面に1以上の貴金属を有する。好ましく
は、貴金属は白金(Pt)、パラジウム(Pd)、ルテニウム(Ru)、ロジウム(R h)、イリジウム(Ir)、銀(Ag)、オスミウム(Os)、および金(Au)よりな る群から選択される。一般に、白金およびパラジウムがより好ましく、白金が最
も好ましい。白金は現在最も好ましい貴金属であり、以下の議論は主として白金
を用いる具体例に向けられる。しかしながら、同一議論が、一般に、他の貴金属
およびその組合せに適用できることが理解されるべきである。また、本明細書で
用いられる用語「貴金属」は、その元素状態にある貴金属ならびにその種々の酸
化状態にある貴金属を意味すると理解されるべきである。
【0055】 炭素支持体の表面に沈積した貴金属の濃度は、広い制限内で変化することがで
きる。好ましくは、約0.5ないし20重量%(貴金属の質量+触媒の全質量)×
100%)、より好ましくは、約2.5ないし約10重量%、最も好ましくは約 3ないし約7.5重量%の範囲である。もし0.5重量%未満の濃度をPMID
A酸化反応の間に使用すれば、酸化されたホルムアルデヒドはより少ない傾向に
あり、従って、より大量のNMGが生産され、それにより、N−(ホスホノメチ ル)グリシン収率を低下させる。他方、約20重量%を超える濃度では、貴金属 の層およびクランプが形成される傾向にある。これは触媒の活性を低下させる傾
向にあり、高価な貴金属の不経済的な使用である。
【0056】 炭素支持体の表面における貴金属の分散は、好ましくは、表面貴金属原子の濃
度が約10ないし約400μモル/g(触媒1gあたりの表面貴金属原子のμモ ル)、より好ましくは約10ないし150μモル/g、最も好ましくは約15な いし約100μモル/gである。これは、例えば、Micromeritics
ASAP 2010C (Micromeritics, Norcross, GA
)またはAltamira AMI100(zeton Altamira, Pit
tsburgh, PA)を用いてH2およびCOの化学収着を測定することによっ
て測定することができる。
【0057】 好ましくは、貴金属は金属粒子の形態で炭素支持体の表面にある。炭素支持体
の表面の貴金属粒子の少なくとも約90%(数密度)が、好ましくは、その最大寸
法において約0.5ないし約35nm、より好ましくはその最大寸法において約
1ないし約20nm、最も好ましくはその最大寸法において約1.5ないし約1
0nmである。特に好ましい具体例においては、炭素支持体の表面の貴金属の少
なくとも約80%がその最大寸法において約1ないし約15nmであり、より好
ましくはその最大寸法において約1.5ないし約10nmであり、最も好ましく
は最大寸法において約1.5ないし約7nmである。もし貴金属粒子があまりに
も小さければ、PMIDAを酸化してN−(ホスホノメチル)グリシンを形成した
場合のように、貴金属を可溶化する傾向がある環境で触媒を使用した場合に増大
した浸出がある傾向にある。他方、粒子サイズが増大するにつれて、使用される
貴金属の全量あたりより少ない貴金属表面原子がある傾向がある。前記したよう
に、これは触媒の活性を低下させる傾向にあり、高価な貴金属の不経済的使用で
ある。
【0058】 貴金属に加えて、少なくとも1つの促進剤が炭素支持体の表面にあり得る。促
進剤は、典型的には、炭素支持体の表面に沈積されるが、促進剤の他の源を使用
することもできる(例えば、炭素支持体自体は天然では促進剤を含有することが できる)。促進剤は触媒の選択性、活性および/または安定性を増加させる傾向 にある。促進剤は、加えて、貴金属浸出を減少させ得る。
【0059】 促進剤は、例えば、炭素支持体の表面におけるさらなる貴金属であり得る。例
えば、レニウムおよびパラジウムは、炭素支持体表面に沈積した白金を含む触媒
に対して促進剤として作用することが判明した。また促進剤は、例えば、スズ( Sn)、カドミウム(Cd)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、ニッケル(N
i)、アルミニウム(Al)、コバルト(Co)、ビスマス(Bi)、鉛(Pb)、チタ ン(Ti)、アンチモン(Sb)、セレン(Se)、鉄(Fe)、レニウム(Re)、亜鉛
(Zn)、セリウム(Ce)、およびジルコニウム(Zr)よりなる群から選択される
金属であり得る。好ましくは、促進剤はビスマス、鉄、スズおよびチタンよりな
る群から選択される。特に好ましい具体例においては、促進剤はスズである。も
う1つの特に好ましい具体例においては、促進剤は鉄である。さらなる好ましい
具体例においては、促進剤はチタンである。さらに好ましい具体例においては、
触媒は鉄およびスズの双方よりなる。鉄、スズまたは双方は、一般には、(1)数
サイクルにわたって使用される触媒で金属浸出を減少させ、(2)触媒をPMID
Aの酸化を行うために使用する場合、触媒の活性を増加させおよび/または維持
する傾向にある。鉄よりなる触媒は、一般に、好ましい。何故ならば、それらは
ホルムアルデヒドおよびギ酸酸化に関して最大の活性および安定性を有する傾向
にある。
【0060】 1つの好ましい具体例においては、促進剤は貴金属よりも容易に酸化されるも
のである。促進剤は、それが金属よりも低い最初のイオン化ポテンシャルを有す
れば、「容易に酸化される」。元素の最初のイオン化ポテンシャルは当該分野で
広く知られており、例えば、CRC Handbook of Chemistr y and Physics (CRC Press, Inc., Boca Rato n, Florida)。
【0061】 炭素支持体の表面における促進剤の量(炭素表面自体、金属、またはその組合 せに関連するか否かに拘わらず)は、例えば、使用される金属および促進剤に依 存して制限内で変化し得る。典型的には、促進剤の重量パーセントは少なくとも
約0.05%である([促進剤の質量+触媒の全質量]×100%)。促進剤の重
量パーセントは、好ましくは、約0.05ないし約10%であり、より好ましく
は約0.1ないし約10%であり、なおより好ましくは約0.1ないし約2%で
あり、最も好ましくは約0.2ないし約1.5%である。促進剤がスズであれば
、重量パーセントは最も好ましくは約0.5ないし約1.5%である。促進剤の
重量%0.05重量%未満は、一般に、長時間にわたって触媒の活性を促進しな
い。
【0062】 貴金属と促進剤のモル比は、例えば、使用される貴金属および促進剤に依存し
て広く変化し得る。好ましくは、該比率は約1000:1ないし約0.01:1
、より好ましくは約150:1ないし約0.05:1、最も好ましくは約10:
1ないし約0.05:1である。例えば、白金および鉄よりなる触媒は、好まし
くは、約3:1の白金と鉄のモル比を有する。
【0063】 本発明の特に好ましい具体例では、貴金属(例えば、Pt)は少なくとも1つの
促進剤(例えば、Sn、Feまたは双方)で合金化金属粒子を形成する。少なくと
も1つの促進剤で合金化した貴金属を含む触媒は、促進剤を含む触媒に関して前
記した利点の全てを有する傾向にある。しかしながら、少なくとも1つの促進剤
で合金化した貴金属を含む触媒は、促進剤浸出に対してより大きな耐性およびホ
ルムアルデヒドおよびギ酸の酸化に関してサイクルからサイクルのさらなる安定
性を呈する傾向にある。例えば、実施例17参照。
【0064】 用語「合金」は、貴金属および促進剤原子が粒子内に配される正確な方法に拘
わらず、貴金属および少なくとも1つの促進剤を含むいずれかの金属粒子を含む
(が、合金化金属粒子の表面において貴金属原子の一部を有するのが一般に好ま しい)。合金は、例えば、以下のいずれかである。 1.金属間化合物 金属間化合物は貴金属及び促進剤を含む化合物である(例えば、Pt3Sn)。 2.置換合金 置換合金は、貴金属および促進剤原子の濃度に拘わらず、単一の連続相を有す
る。典型的には、置換合金は貴金属およびサイズが同様の促進剤原子を含有する
(例えば、白金および銀;または白金およびパラジウム)。 置換合金は「単相合金」という。 3.多相合金 多相合金は少なくとも2つの区別される相を含有する合金である。かかる合金
は、例えば、1つの相にPt3Snおよび別の相中の白金に溶解されたスズを含 有できる。 4.分離合金 分離合金は、粒子が金属粒子の表面からの距離に伴って化学量論的に変化する
金属粒子である。 5.侵入型合金 侵入型合金は、貴金属および促進剤原子がホウ素、炭素、ケイ素、窒素、リン
等のような非金属と会わされた金属粒子である。
【0065】 好ましくは、合金化金属粒子の少なくとも約80%(数密度)がその最大寸法に
おいて約0.5ないし約35nmであり、より好ましくはその最大寸法において
約1ないし約20nmであり、なおより好ましくは、最大寸法において、約1な
いし約15nmであり、最も好ましくはその最大寸法において、約1.5ないし
約7nmである。
【0066】 合金化された金属粒子は均一な組成を有する必要がない;組成物は粒子間で、
るいは粒子自体内で変化できる。加えて、触媒は、さらに、貴金属単独または促
進剤単独よりなる粒子を含み得る。それにも拘わらず、金属粒子の組成は粒子間
で、および各粒子内で実質的に均一であるのが好ましく、促進剤原子と親密接触
した貴金属原子の数は最大化されるのが好ましい。また、必須ではないが、貴金
属原子の大部分は促進剤と合金化されるのが好ましく、貴金属原子の実質的に全
てが促進剤と合金化されるのがより好ましい。必須ではないが、合金化触媒粒子
は炭素支持体の表面に分布するのがさらに好ましい。
【0067】 促進剤が貴金属に合金化されるか否かに拘わらず、促進剤は、もし促進剤が一
定期間にわたって暴露されれば酸化されるようになる傾向にあると考えらる。例
えば、元素スズ促進剤は酸化されてSn(II)Oを形成し、Sn(II)Oは酸化
されてSn(IV)Oとなる傾向にある。例えば、もし触媒が空気に1時間以上暴
露されれば、この酸化が起こり得る。かかる促進剤酸化は、貴金属浸出、貴金属
焼結、触媒活性または触媒定性に対して有意な有害効果を有することが観察され
ていないが、炭素支持体の表面の有害酸素含有官能基の濃度の分析をより困難と
する。例えば、前記したように、有害酸素−含有官能基(すなわち、浸出および 焼結に対する貴金属の耐性を低下させ、触媒活性を低下させる酸素−含有官能基
)の濃度は、不活性雰囲気中で高温下で触媒から脱着するCOの量を(例えば、T
GA−MSを用いて)測定することによって決定することができる。しかしなが ら、現在、酸化された促進剤が表面にあると、酸化された促進剤は不活性雰囲気
中で高温で支持体の炭素原子と反応してCOを生成させる傾向にあり、それによ
り、現実に存在するよりも支持体の表面におけるより有害な酸素含有官能基の包
含を創製すると考えらる。酸化された促進剤のかかる酸素原子は、触媒表面の酸
素原子(例えば、x線光電子分光法を介する)の単純な測定からの貴金属浸出、貴
金属焼結、および触媒活性の信頼性のある予測を得ることに干渉し得る。
【0068】 かくして、触媒が酸化剤に暴露され、それにより、酸化された場合(例えば、 触媒が1時間以上空気に暴露された場合)、炭素支持体の表面の有害な酸素−含 有官能基の量を測定しようと試みる前に、促進剤はまず実質的に還元され(それ により、触媒の表面から酸化された促進剤の酸素原子を除去する)のが好ましい 。この還元は、好ましくは、実質的にH2よりなる雰囲気で触媒を約500℃の 温度で1時間加熱することによって達成される。表面の有害酸素−含有官能基の
測定は、好ましくは、(a)この還元の後であって、(b)表面が還元に続いて酸化
剤に暴露される前に行うのが好ましい。最も好ましくは、測定は還元の直前に行
う。
【0069】 炭素支持体の表面の金属粒子の好ましい濃度は、例えば、金属粒子のサイズ、
炭素支持体の比表面積、および触媒上の貴金属の濃度に依存する。現在、一般に
、貴金属粒子の好ましい濃度は、特に、(a)金属粒子の少なくとも約80%(数 密度)がその最大寸法において約1.5ないし約7nmであり、(b)炭素支持体 が約750ないし約2100m2/g(すなわち、炭素支持体1gあたり炭素支持
体のm2)の比表面積を有し、(c)炭素支持体表面の貴金属の濃度が約1ないし約
10重量%([貴金属の質量+触媒の合計質量]×100%)である場合、おおざ
っぱに、約3ないし1500粒子/μm2(すなわち、炭素支持体の表面積μm2 あたり金属粒子の数)であると考えられる。より好ましい具体例において、狭い 範囲の金属粒子濃度および貴金属濃度が望まれる。1つのかかる具体例において
、金属粒子の濃度は約15ないし約800粒子/μm2であり、炭素支持体表面 の貴金属の濃度は約2ないし約10重量%である。より好ましい具体例において
は、金属粒子の濃度は約15ないし約600/μm2であり、炭素支持体表面の 貴金属の濃度は約2ないし約7.5重量%である。最も好ましい具体例において
は、金属粒子の濃度は約15ないし約400粒子/μm2であり、炭素支持体表 面の貴金属の濃度は約5重量%である。炭素支持体の表面の金属粒子の濃度は当
該分野で公知の方法を用いて測定することができる。
【0070】 B.酸化触媒の製造のためのプロセス 1.炭素支持体の脱酸素化 炭素支持体の表面は、好ましくは、貴金属をそれ上に沈積する前に脱酸素化さ
れる。好ましくは、高温脱酸素化処理を用いて表面を脱酸素化する。かかる処理
は、いずれかの場合、炭素支持体の表面の酸素−含有官能基の総じての化学的還
元をもたらす単一工程または多工程スキームであり得る。
【0071】 2工程高温脱酸素化処理において、炭素支持体は、好ましくは、まずガス相ま
たは液体相酸化剤で処理して、比較的低い酸化状態の酸素−含有官能性(例えば 、ケトン、アルデヒド、およびアルコール)を比較的高い酸化状態(例えば、カル
ボン酸)に変換し、これは高温で触媒の表面から切断されるのが容易である。代 表的な液相酸化剤は硝酸、H22、クロム酸、および次亜塩素酸塩を含み、水性
溶液100gあたり約10ないし約80gのHNO3を含む濃硝酸が好ましい。 代表的なガス相溶液は分子酸素、オゾン、二酸化窒素、および硝酸蒸気を含む。
硝酸蒸気は好ましい酸蒸気である。液体酸化剤では、約60ないし90℃の温度
が適当であるが、ガス相酸化剤では、約50ないし約500℃の温度を用いるの
がしばしば有利である。炭素を酸化剤で処理する時間は、約5分ないし約10時
間で広く変化できる。好ましくは、反応時間は約30分ないし約6時間である。
実験結果は、最初の処理工程における炭素負荷、温度、酸化剤濃度等が炭素材料
の所望の酸化を達成するのに狭く臨界的ではなく、かくして、広い範囲にわたっ
て便宜によって支配され得ることを示す。最高の可能な炭素負荷が経済的理由で
好ましい。
【0072】 第2の工程において、酸化された炭素支持体は、炭素表面から酸素−含有官能
基を駆逐するためのアルゴン、ヘリウム、または他の酸化性環境(すなわち、実 質的に酸素よりなる環境)において、好ましくは約500ないし約1500℃、 より好ましくは約600ないし約1200℃の範囲の温度で熱分解する(すなわ ち、加熱される)。500℃を超える温度では、少量のアンモニア(または熱分解
の間にNH3を生成するいずれかの他の化学体)、蒸気、または熱分解を助ける二
酸化炭素を含む環境を用いることができる。しかしながら、炭素支持体の温度が
500℃未満の温度まで冷却されるにつれて、蒸気または二酸化炭素のような酸
素含有ガスの存在は表面酸化物の再形成に至り得るのであり、かくして、好まし
くは回避される。従って、熱分解は、好ましくは、非酸化性雰囲気(例えば、窒 素、アルゴン、またはヘリウム)中で行う。1つの具体例においては、非酸化性 雰囲気はアンモニアよりなり、これは、他の雰囲気中での熱分解と比較して、短
い時間でより活性な触媒を生成する傾向にある。熱分解は、例えば、ロータリー
キルン、流動床リアクター、または通常の炉で達成することができる。
【0073】 炭素支持体は、一般に、約5分ないし約60時間の間で、好ましくは10分な
いし約6時間の間で熱分解される。より短い時間が好ましい。何故ならば、高温
での炭素の延長された暴露は触媒の活性を低下させる傾向にあるからである。い
ずれの理論に拘束されるつもりもないが、熱分解温度での延長された加熱は黒鉛
の形成に好都合であり、これは、炭素支持体のより好ましくはない形態である。
何故ならば、それは通常は表面積がより小さいからである。
【0074】 本発明の好ましい具体例においては、高温脱酸素化は1工程で行われる。この
1工程処理は、単に、前記した2工程高温脱酸素化処理の熱分解工程を行うこと
よりなる。しかしながら、より好ましくは、単一工程処理は、同時に、N2、N H3(または熱分解の間にNH3を生成するいずれかの他の化学物質)、および蒸気
をオーブン上に通しつつ、前記した炭素支持体を熱分解することよりなる。本発
明の臨界的特徴ではないが、ガス流の流速は、好ましくは、新鮮なガス反応体お
よび炭素表面の間の適切な接触を達成するには十分速く、しかし、過剰の炭素重
量喪失および物質廃棄を防止するのは十分遅いものである。非反応性ガスを、炭
素のひどい重量喪失を防止するための希釈剤として用いることができる。
【0075】 2.貴金属の沈積 貴金属を炭素支持体の表面に沈積させるのに使用される方法は、一般に、当該
分野で知られており、反応沈積技術(例えば、貴金属化合物の還元を介する沈積 、および貴金属化合物の加水分解を介する沈積)、イオン交換技術、過剰の溶液 含浸、および初期湿潤含浸のような液相法;物理的沈積および化学的沈積のよう
な蒸気相方法;および無電子沈積を含む。一般に、Cameron,D.S., C ooper, S.J., Dodgson,I.L., Harrison,B.およびJ enkins,J.M., 「貴金属触媒のための支持体として炭素」, Catal yst Today, 7, 13−137(1990)参照。炭素支持体の表面に貴 金属を含む触媒は商業的に入手可能である。例えば、AldrichカタログN
o.20,593−1, 活性炭上の5%白金(Aldrich Chemical Co., Inc., Milwaukee, WI);AldrichカタログNo.2
0,568−0, 活性炭上の5%白金。
【0076】 好ましくは、貴金属は炭素支持体を貴金属の塩を含む溶液と接触させ、次いで
、該塩を加水分解することを含む反応性沈積技術を介して沈積される。比較的安
価な適当な白金塩の例はヘキサクロロ白金酸(H2PtCl6)である。加水分解沈
積を介して白金を炭素支持体上に沈積させるためのこの塩の使用は実施例3に示
される。
【0077】 本発明の1つの具体例において、貴金属は、そのより低下した酸化状態のうち
の1つの貴金属の塩を含む溶液を用いて炭素支持体の表面に貴金属を沈積させる
。例えば、Pt(IV)(例えば、H2PtCl6)を用いる代わりに、Pt(II)の塩を
用いる。もう1つの具体例において、その元素状態の白金(例えば、コロイド状 白金)を用いる。これらのより低下した金属前駆体の使用は、炭素支持体のより 少ない酸化に至り、従って、貴金属は表面に沈積されつつ、支持体の表面に形成
されたより少ない酸素−含有官能基に至る。Pt(II)塩の1つの例はK2PtC l4である。もう1つの潜在的に有用なPt(II)塩はジアミンニトリト白金(I) である。実施例11は、貴金属を沈積させるためのこの塩の使用は、金属前駆体
としてH2PtCl6を用いて製造した触媒よりも浸出に対してより耐性である触
媒を生成することを示す。いずれの理論に拘束されるつもりもないが、これは、
ジアミンニトリト白金(II)が、炭素支持体の表面の酸素−含有官能基の除去をさ
らに促進する還元の間にその場でアンモニアを生成するという事実によるものと
考えられる。しかしながら、この利点は、ジアミノニトリト白金(II)の使用に関
連する可能な爆発危険性に対して十分考慮されなければならない。
【0078】 3.促進剤の沈積 促進剤は、貴金属の表面への沈積と同時に、またはその後に、炭素支持体の表
面に沈積させることができる。炭素支持体の表面へ促進剤を沈積させるのに使用
される方法は、一般に、当該分野で知られており、前記した貴金属を沈積させる
のに使用される同一方法を含む。1つの具体例においては、促進剤を含む塩溶液
を用いて促進剤を沈積させる。ビスマスを沈積させるのに使用できる適当な塩は
Bi(NO3)3・5H2Oであり、鉄を沈積させるのに使用できる適当な塩はFe Cl3・6H2Oであり、スズを沈積させるのに使用することができる適当な塩は
SnCl2・2H2Oである。1を超える促進剤は炭素支持体の表面に沈積させる
ことができる。実施例13、14、15および17は、促進剤を含む塩溶液にて
炭素表面に促進剤を沈積させることを示す。実施例18は促進剤を含む塩溶液を
用いて炭素表面に1を超える促進剤(すなわち、鉄およびSn)を沈積させること
を含む。
【0079】 前記したように、少なくとも1つの促進剤で合金化された貴金属を含む触媒は
特に好ましい。支持体表面でマルチ−金属合金を形成するのに使用することがで
きる当該分野で公知の種々の可能な製造技術がある。例えば、V.Ponec &
G.C.Bond, Catalysis by Metals and Alloy s, 「Studies in Surface Science and Cata lyst」, Vol.95 (B.Delmon, & J.T.Yates, 顧問編, Elservier Science B.V., Amsterdam, Nethe
rlands)。
【0080】 1つのより好ましい具体例において、反応性沈積を用いて、促進剤で合金化し
た貴金属を含有する金属粒子を形成する。反応性沈積は、例えば、還元性沈積を
含み、ここに、炭素支持体の表面は(a)還元剤;および(b)(i)貴金属を含む化
合物および促進剤を含む化合物、または(ii)貴金属および促進剤を含む化合物を
含む溶液と接触させる。ホウ水素化ナトリウム、ホルムアルデヒド、ギ酸、ギ酸
ナトリウム、ヒドラジン塩酸塩、ヒドロキシルアミン、および次亜リン酸のよう
な広い範囲の還元剤を使用することができる。貴金属および/または促進剤は、
例えば、以下のものを含む: 1.ハライド化合物 これらは、例えば、H2PtCl6、K2PtCl4、Pt2Br6 2-、K2PdC l4、AuCl4 1-、RuCl3、RhCl3・3H2O、K2RuCl4、FeCl3 ・6H2O、(SnCl3)1-、SnCl4、ReCl4、FeCl2、およびTiC l4を含む。 2.酸化物およびオキシ塩化物化合物 これらは、例えば、RuO4 2-およびM2SnO4を含む。 3.硝酸塩化合物 これらは、例えば、Fe(NO3)3を含む。 4.アミン複合体 これらは、例えば、[Pt(NH3)4]Cl2、[Pd(NH3)4]Cl2、Pt( NH3)2Cl2、Pt(NH3)4]PtCl4、Pd(NH2CH2CH2NH3)Cl2
Pt(NH2CH2CH2NH2)2Cl2および[Ru(NH3)5Cl]Cl2を含む。 5.ホスフィン複合体 これらは、例えば、Pt(P(CH3)3)2Cl2;IrClCO(P(C65)3)2
PtClH(PR3)2(ここに、各Rは独立してメチル、エチル、プロピル、フェ ニル等のようなヒドロカルビルである)を含む。 6.有機金属複合体 これらは、例えば、Pt2(C36)2Cl4;Pd2(C24)2Cl4;Pt(CH3 COO)2、Pd(CH3COO)2;K[Sn(HCOO)3];Fe(CO)5;Fe3(
CO)12;Fe4(CO)16;Sn3(CH3)4;およびTi(OR)4(各Rは独立して メチル、エチル、プロピル、フェニル等のようなヒドロカルビルである)を含む 。 7.貴金属/促進剤複合体 これらは、例えば、Pt3(SnCl3)2(C812)3および[Pt(SnCl3)53-を含む。
【0081】 特に好ましい具体例において、加水分解反応を用いて、促進剤で合金化した貴
金属を沈積させる。この例において、貴金属および促進剤を含有するリガンドが
形成され、次いで、加水分解して、炭素支持体の表面によく混合された金属酸化
物および金属水酸化物クラスターが形成される。リガンドは、例えば、支持体の
表面を(a)貴金属を含む化合物および促進剤を含有する化合物、または(b)貴金
属および促進剤双方を含有する化合物を含む溶液と接触させる。貴金属および/
または促進剤を含む適当な化合物は還元的沈積に関して前記リストした。リガン
ドの加水分解は、例えば、混合物を(例えば、少なくとも約60℃の温度で)加熱
することによって達成することができる。実施例17は、さらに、促進剤(例え ば、鉄)と合金化された貴金属(すなわち、白金)を沈積させる加水分解反応の使 用をさらに示す。これらは、例えば、以下のものを含む。
【0082】 1.含浸、溶液からの吸着、および/またはイオン交換を介する支持体の表
面へ(単純または複合であってよく、共有結合性またはイオン性であってよい)金
属化合物を導入することによっての合金の形成。 2.貴金属および促進剤を含有する金属蒸気を表面に真空共沈積させること
による合金の形成。 3.例えば、電気分解または無電子メッキを介する元素(すなわち、Fe、 Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、およびPt)の周期律表第8、9 または10族に属する予め沈積された金属への1以上の金属を沈積させることに
よる合金の形成。 4.(a)ゼロ原子価状態において金属を含有する金属複合体(例えば、カル ボニル、pi−アリル、または貴金属および促進剤のシクロペンタジエニル複合
体)の炭素支持体の表面に沈積させ;(b)例えば、加熱または還元によりリガン ドを除去して表面に合金粒子を形成することによる合金の形成。 5.元素の周期律表の第8、9または10族に属する金属を含有する金属水
素化物に金属化合物(例えば、金属塩化物または金属アルキル化合物)を含有する
溶液を接触させることによる合金の形成。 6.貴金属および促進剤を含有する(予め形成されたまたはその場で形成さ れた)金属複合体を炭素支持体の表面に同時にまたは順次に共沈積させることに よる合金の形成。 7.コロイドまたはアエロゾルとして合金粒子を予めけいせいさせ、次いで
、予め形成させた合金粒子を炭素支持体の表面に沈積させることよる合金の形成
。説明するために、白金および鉄を含有するコロイド状粒子は、H2PtCl4
よびSnCl2・2H2Oの希薄溶液をクエン酸ナトリウム溶液と共に沸騰するこ
とによって容易に形成することができる。保護剤(例えば、炭水化物、ポリマー 、油溶性第四級窒素塩)を用いて、金属合金粒子の成長を効果的に制御すること ができる。従って、この技術は、しばしば、合金粒子サイズの狭い分布を形成す
るのに有用である。
【0083】 合金を形成するための前記技術は単に説明的であって、尽くすものではないこ
とが認識されるべきである。本明細書の教示および当該分野での一般的知的を用
い、当業者であれば、当該分野で公知多数の合金製造技術のいずれが特定の使用
に適するかをルーチン的に決定することができる。
【0084】 合金を形成するのに使用する技術に拘わらず、金属が炭素支持体の表面に沈積
された後、例えば、大気圧よりも下の非酸化性環境(好ましくは、N2、貴ガス、
または双方)を用いて支持体を乾燥するのが好ましい。乾燥工程の使用は、支持 体の表面を該表面を加熱することによって引き続いて還元すべき場合に特に好ま
しく(非酸化性環境で加熱を行うべき場合はより好ましい)。好ましくは、支持体
を乾燥して、支持体の水分含有量を約5重量%未満に減少させる。
【0085】 貴金属および促進剤の沈積後における炭素支持体の表面の還元は、典型的には
、促進剤で合金化した貴金属の程度を増加させる。かかる還元は、しばしば、好
ましいサイズ範囲内に入る粒子の数を増加させる傾向にある。
【0086】 4.炭素支持体表面の還元 炭素支持体に貴金属(および、もしあれば、促進剤)を含浸した後、触媒の表面
を好ましくは還元する。触媒の表面は適当には、例えば、表面を少なくとも約4
00℃の温度で加熱することによって還元することができる。この加熱を非酸化
性環境(例えば、窒素、アルゴン、またはヘリウム)で行うのが特に好ましい。ま
た、温度が約500℃を超えるのがより好ましい。なおより好ましくは、温度は
約550℃ないし約1200℃、最も好ましくは約550℃ないし約900℃で
ある。400℃未満の温度は、炭素支持体の表面から酸素−含有官能基を除去す
るのに満足できるものでない。他方、1200℃を超える温度は触媒の活性を低
下させる傾向にある。もし炭素支持体の表面が、貴金属を表面に沈積させる前に
、少なくとも約20:1の炭素原子と酸素原子の比率を有する場合のみ、約40
0℃ないし約500℃の温度が好ましくは使用される。
【0087】 特に好ましい具体例においては、触媒の表面は、表面を還元性環境に暴露する
ことよりなるプロセスによって還元する。例えば、加熱前に、触媒試料をホルム
アルデヒドまたはギ酸のような液相還元剤で予備処理することができる。より好
ましくは、加熱はガス相還元剤の存在下で行われる(ガス相還元剤の存在下で触 媒を加熱する該方法は、時々、「高温ガス相還元」と呼ばれる)。限定されるも のではないが、H2、アンモニア、および一酸化炭素を含めた種々のガス相還元 剤を使用することができる。水素ガスが最も好ましい。何故ならば、水素の小さ
な分子サイズが、炭素支持体の最も深い細孔への良好な浸透を可能とするからで
ある。好ましくは、ガスの残りは窒素またはヘリウムのような非酸化性ガスより
実質的になる。ガスはいずれかの有限濃度のH2よりなることができるが、1. 0%未満のH2濃度が、それが支持体の表面を還元するのに要する傾向にある時 間のため有利である。好ましくは、ガスは約5ないし約50容量%、最も好まし
くは約5ないし約25容量%よりなる。
【0088】 触媒表面が加熱される時間の好ましい量は、触媒表面への還元剤の質量移動に
依存する。還元剤が約10ないし約20容量%よりなる非酸化性ガスである場合
、表面は、好ましくは、約1ないし約5000/時間の空間速度で約550ない
し約900℃にて約15分ないし約24時間加熱される。より好ましくは、空間
速度は約10ないし約2500/時間、より好ましくは約50ないし約750/
時間である。最も好ましい具体例においては、加熱処理は前記好ましい温度およ
び空間速度において約1ないし約10時間行われる。1/時間未満の空間速度で
の表面の加熱は不利である。何故ならば、炭素支持体の表面の酸素−含有官能基
は十分には破壊され得ないからである。他方、5000時間-1より大の空間速度
での表面の加熱は不経済的である。
【0089】 本発明によると、炭素支持体の表面における予め存在する酸素−含有官能基は
適切な貴金属分散および保持を得るのに必ずしも必要ではないか、あるいは望ま
れていないことが判明した。いずれの理論に拘束されるつもりもないが、この加
熱工程は、貴金属の表面への沈積によって形成されるものを含めた、炭素支持体
の表面における酸素−含有官能基を除去することによって触媒に対する白金−炭
素相互作用を増強すると考えらる。これらの酸素−含有官能基は貴金属について
の不安定なアンカー部位である。何故ならば、それらは、貴金属および炭素支持
体との間の潜在的により強力なπ相互作用に干渉する傾向にあるからである。加
熱単独は炭素支持体の表面の酸素−含有官能基の多くを分解し、それにより除去
する。しかしながら、還元剤(例えば、H2)の存在下で表面を加熱することによ って、より多くの酸素−含有官能基を排除することができる。
【0090】 もし炭素支持体の表面の炭素原子と酸素原子の比率が、貴金属を支持体の表面
へと沈積する前に20:1未満であれば、表面は、好ましくは、500℃を超え
る温度での前記した高温ガス相還元を用いて還元されるが、表面は所望により高
温ガス相還元に加えて他の還元環境で処理することができる。他方、もし炭素支
持体の表面が、貴金属を表面に沈積させる前に少なくとも約20:1である炭素
原子と酸素原子の比率を有すれば、高温ガス相還元に代えて種々の別の還元環境
を使用することができる。
【0091】 触媒の表面は、少なくとも部分的には、それを尿素、アンモニウムイオンを含
む溶液(例えば、ギ酸アンモニアまたはシュウ酸アンモニア)、またはアンモニア
ガスで処理することによって還元することができ、アンモニアガスまたはアンモ
ニウムイオンを含む溶液が好ましい。このアミン処理は、好ましくは、他の還元
処理に加えて用いられ、最も好ましくは高温ガス還元前に使用される。1つのか
かる具体例において、それをアンモニウムイオンを含む貴金属前駆体溶液で処理
することによって貴金属を表面に沈積させる。別法として、貴金属を支持体の表
面に沈積させた後、支持体をアンモニウムイオンを含む溶液で洗浄するか、ある
いはアンモニアを含むガスに接触させる。最も好ましくは、貴金属を沈積させた
後に、触媒表面を希薄な水性アンモニアで洗浄する。この例においては、触媒を
純粋な水に添加し、数時間撹拌して触媒の表面を湿潤化させる。次ぎに、触媒ス
ラリーを撹拌継続しつつ、アンモニウムイオンを含む溶液を、7より大のpH、
より好ましくは約8ないし約12、最も好ましくは約9.5ないし約11.0を
生じるのに十分な量で触媒スラリーに添加する。温度および圧力は臨界的ではな
いので、この工程は好ましくは室温および雰囲気圧力で行う。実施例10はさら
にこの還元処理を示す。
【0092】 ホウ水素化ナトリウム(NaBH4)を用いて触媒の表面を還元することもでき る。アミン処理に関しては、他の還元処理に加えてこの処理を好ましくは用い、
最も好ましくは高温ガス相還元前に使用する。好ましくは、貴金属を支持体の表
面に沈積させた後、支持体を、約8ないし約14のpHでNaOHの存在下でN
aBH4の溶液で約15ないし約180分間洗浄する。使用したNaBH4の量は
好ましくは全ての貴金属を還元するのに十分である。温度および圧力は臨界的で
はないので、この工程は好ましくは室温および雰囲気圧力で行う。実施例12は
さらにこの還元処理を示す。
【0093】 貴金属が表面に沈積される前に、支持体の表面を還元するのに使用することが
できる前記処理のいずれかを用いて、炭素支持体の表面を脱酸素化することもで
きる。
【0094】 C.酸化触媒の使用 前記触媒は液相酸化反応で使用することができる。かかる反応の例はアルデヒ
ド、ケトンおよび酸を形成するためのアルコールおよびポリオールの酸化(例え ば、アセトンを形成するための2−プロパノールの酸化、およびグリセルアルデ
ヒド、ジヒドロキシアセトン、またはグリセロールを形成するためのグリセロー
ルの酸化);酸を形成するためのアルデヒドの酸化(例えば、ギ酸を形成するため
のホルムアルデヒドの酸化、および第二級アミンを形成するための第三級アミン
の酸化(例えば、イミノ二酢酸(「IDA」)を形成するためのニトリロ三酢酸(「
NTA」)の酸化;第一級アミンを形成するための第二級アミンの酸化(例えば、
グリシンを形成するためのTDAの酸化);および二酸化炭素および水を形成す るための種々の酸の酸化(例えば、ギ酸または酢酸)を含む。
【0095】 前記触媒は7未満のpHレベル、特に3未満のpHレベルでの液相酸化反応で
特に有用である。また、溶媒、反応体、中間体、または貴金属を可溶化する生成
物の存在下で特に有用である。1つのかかる反応は、約1ないし約2の範囲のp
Hレベルを有する環境においてN−(ホスホノメチル)グリシンまたはその塩を形
成するためのPMIDAまたはその塩の酸化である。後記記載は、N−(ホスホ ノメチル)グリシンまたはその塩を形成するためのPMIDAまたはその塩の酸 化切断を行うための前記触媒の使用を特別に開示する。しかしながら、後記にて
開示する原理は、一般に、液相酸化反応、特に7未満のpHレベルでのもの、お
よび溶媒、反応体、中間体、または貴金属を可溶化する生成物を含むものに適用
することができる。
【0096】 PMIDA酸化反応を開始するには、酸素存在下でリアクターにPMIDA試
薬(すなわち、PMIDAまたはその塩)、触媒および溶媒を充填するのが好まし
い。溶媒は最も好ましくは水であるが、他の溶媒(例えば、氷酢酸)も同様に適当
である。
【0097】 反応は広く種々のバッチ、セミ−バッチ、および連続リアクター系で行うこと
ができる。リアクターの配置は臨界的ではない。適当な常法リアクター配置は、
例えば、撹拌されたタンクリアクター、固定床リアクター、トリッケル床リアク
ター、流動床リアクター、バブルフローリアクター、プログフローリアクター、
および平行フローリアクターを含む。
【0098】 連続リアクター系で行うには、反応ゾーンにおける滞留時間は、特別の触媒お
よび使用される条件に依存して広く変化することができる。典型的には、滞留時
間は約3分ないし約120分の範囲にわたって変化することができる。好ましく
は、滞留時間は約5ないし約90分、より好ましくは約5ないし約60分である
。バチリアクターで行う場合、反応時間は、典型的には、約15ないし120分
間の範囲にわたって変化する。好ましくは、反応時間は約20ないし約90分、
より好ましくは約30ないし約60分である。
【0099】 広い意味において、酸化反応は、広い範囲の温度、および大気圧下から大気圧
超の範囲の圧力で、本発明に従って実行することができる。温和な条件(例えば 、室温および大気圧)の使用は、高価ではない器具を使用できる点で明らかに商 業的利点を有する。しかしながら、プラントコストを増加させつつ、より高い温
度および超大気圧での操作は、液相およびガス相の間の相移動を改良し、PMI
DA酸化反応速度を増加させる傾向にある。
【0100】 好ましくは、PMIDA反応は約20ないし約180℃、より好ましくは約5
0ないし約140℃、最も好ましくは約80ないし約110℃の温度で行われる
。約180℃を超える温度では、原料はゆっくりと分解を開始する。
【0101】 PMIDA酸化の間に使用される圧力は、一般に、使用される温度に依存する
。好ましくは、圧力は反応混合物が沸騰するのを防止するのに十分なものである
。酸素−含有ガスは酸素源として使用される。もし酸素−含有ガスが酸素源とし
て使用されれば、圧力は、好ましくは、PMIDA酸化が不適切な酸素供給のた
め限定されないような十分な速度で酸素が反応混合物に溶解されるようにするの
に適当である。圧力は、好ましくは、大気圧に少なくとも等しい。より好ましく
は、圧力は約30ないし約500psig、最も好ましくは約30ないし約13
0psigである。
【0102】 触媒濃度は、好ましくは、約0.1ないし約10重量%([触媒の質量+反応 質量の合計]×100)である。より好ましくは、触媒濃度は、好ましくは、約 0.2ないし約5重量%、最も好ましくは約0.3ないし約1.5重量%である
。約10重量%を超える濃度は濾過するのが困難である。他方、約0.1重量%
未満の濃度は予期せぬほど低い反応速度を生じる。
【0103】 供給蒸気におけるPMIDA試薬の濃度は臨界的ではない。水中のPMIDA
試薬の飽和溶液の使用は好ましいが、操作の容易性のため、該プロセスは供給蒸
気中の多かれ少なかれPMIDA試薬濃度でも操作できる。触媒が微粉砕形態の
反応混合物中に存在すれば、全ての反応体およびN−(ホスホノメチル)グリシン
生成物が、触媒が例えば濾過によって再使用のために回収できるように溶液中に
留まるよう、反応体の濃度を使用するのが好ましい。他方、より大きい濃度はリ
アクターのスループットを増加させる傾向にある。別法として、もし触媒が、反
応媒体および酸素源がそれを通過する静止相として存在するならば、N−(ホス ホノメチル)グリシン生成物の一部が沈殿するように、より大きな濃度の反応体 を使用することができる。
【0104】 多くの通常に実施される商業的プロセスに対して、本発明は、副産物形成を最
小化しつつ、より高い温度およびPMIDA試薬濃度を用いてN−(ホスホノメ チル)グリシンを製造するのを可能とする。炭素のみの触媒を用いて通常に実施 される商業的プロセスにおいて、N−(ホスホノメチル)グリシンとホルムアルデ
ヒド副産物との反応によって形成されたNMG副産物の形成を最小化するのが経
済的に便利である。これらのプロセスおよび触媒にて、約60ないし90℃の温
度および約9.0重量%([PMIDA試薬の質量+全反応質量]×100%)未
満のPMIDA試薬濃度を、典型的には、用いて、コスト効果的収率を達成し、
廃棄物の発生を最小化する。これらの温度において、最大N−(ホスホノメチル)
グリシン溶解度は、典型的には、6.5%未満である。しかしながら、本発明の
酸化触媒および反応プロセスにては、触媒からの貴金属の喪失および触媒の脱活
性化は最小化され、ホルムアルデヒドはより効果的に酸化され、それにより、P
MIDA試薬溶液およびPMIDA試薬のスラリーにての180℃以上もと高い
反応温度を可能とする。より高い温度およびリアクター濃度の使用は、リアクタ
ースループットが増加するのを可能とし、固体N−(ホスホノメチル)グリシンの
単離前に除去されなければならない水の量を減少させ、N−(ホスホノメチル)グ
リシンを製造するコストを減少させる。かくして、本発明は、多くの通常に実施
される商業的プロセスにわたって経済的利点を提供する。
【0105】 通常、約50重量%([PMIDA試薬の質量+全反応質量]×100%)まで
のPMIDA試薬濃度を(特に、約20ないし約180℃の反応温度において)用
いることができる。好ましくは、約25重量%までのPMIDA試薬濃度を(特 に約60ないし約150℃の反応温度で)用いる。より好ましくは、約12ない し約18重量%のPMIDA試薬濃度を(特に約100ないし約130℃の反応 温度で)用いる。12重量%未満のPMIDA試薬濃度を用いることができるが 、その使用は経済的ではない。何故ならば、各リアクターサイクルではより少量
のN−(ホスホノメチル)グリシン生成物が生じ、より多くの水が除去されなけれ
ばならず、N−(ホスホノメチル)グリシン生成物の単位あたりに使用されるエネ
ルギーが生じる。より低い温度(すなわち、100℃未満の温度)は、しばしば、
有利さが低い傾向にある。何故ならば、PMIDA試薬およびN−(ホスホノメ チル)グリシン生成物の溶解度は共にかかる温度で低下する。
【0106】 PMIDA酸化反応のための酸素源はいずれの酸素−含有ガスまたは溶解酸素
を含む液体であってもよい。好ましくは、酸素源は酸素−含有ガスである。本明
細書で用いるように、「酸素−含有ガス」は、所望により、反応条件下で酸素ま
たは反応体もしくは生成物と非反応性である1以上の希釈剤を含むことができる
分子酸素を含むいずれかのガス状混合物である。かかるガスの例は、空気、純粋
な分子酸素、またはヘリウム、アルゴン、窒素で希釈された分子酸素、または他
の非酸化性ガスである。経済的理由では、酸素源は最も好ましくは空気または純
粋な分子酸素である。
【0107】 酸素は、反応混合物中の溶解酸素濃度を所望のレベルに維持するように、いず
れかの手段によって反応媒体に導入することができる。もし酸素−含有ガスを用
いれば、それは好ましくは、ガスと反応溶液との接触を最小化するように反応媒
体に導入される。かかる接触は、例えば、多孔性フリットのようなディヒューザ
ーを通してガスを分散させることによって、または撹拌、震盪、または他の当業
者に公知の方法によって得ることができる。
【0108】 酸素供給速度は、好ましくは、PMIDA酸化反応が酸素供給によって制限さ
れないようなものである。しかしながら、もし溶解した酸素濃度があまりにも高
いならば、触媒表面は有害に酸化される傾向にあり、これは今度は、より多い浸
出および減少したホルムアルデヒド活性に至り(これは、今度はより多いNMG が生成されるのに至る)。
【0109】 一般に、酸素の少なくとも約40%が利用されるような酸素供給速度を使用す
るのが好ましい。より好ましくは、酸素供給速度は、酸素の少なくとも約60%
が利用されるようなものである。最も好ましくは、該速度は、酸素の少なくとも
約90%が利用されるようなものである。本明細書において、利用される酸素の
パーセンテージは、(全酸素消費速度+酸素供給速度)×100%に等しい。用語
「全酸素消費速度」は、(i)N−(ホスホノメチル)グリシン生成物およびホルム
アルデヒドを形成するためのPMIDA試薬の酸化反応の酸素消費速度(「Ri
)、(ii)ギ酸を形成するためのホルムアルデヒドの酸化反応の酸素消費速度(「R ii 」)、および(iii)二酸化炭素および水を形成するためのギ酸の酸化反応の酸素
消費速度(「Riii」)の合計である。
【0110】 本発明の1つの具体例においては、PMIDA試薬のバルクが酸化されるまで
前記したように酸素がリアクターに供給され、次いで、低下した酸素供給速度が
使用される。この低下した酸素供給速度は、好ましくは、PMIDA試薬の約7
5%が消費された後に使用される。より好ましくは、低下した供給速度は、PM
IDA試薬の約80%が消費された後に使用される。低下した供給速度は、好ま
しくは、純粋な分子酸素が空気パージ前に供給される体積速度よりも大きくない
体積供給速度でリアクターを空気でパージすることによって達成することができ
る。低下した酸素供給速度は、好ましくは、約2ないし40分、より好ましくは
約5ないし約20分、最も好ましくは約5ないし約15分維持される。酸素が低
下した速度で供給される時、温度は、好ましくは、空気パージ前に反応が行われ
る温度と同一の温度またはそれよりも低い温度で維持される。同様に、圧力は、
空気パージ前に反応が行われる圧力と同一の圧力またはそれよりも低い圧力で維
持される。PMIDA反応の最後近くの低下した酸素供給速度の使用は、N−( ホスホノメチル)グリシンを酸化することによるAMPAの有害量を生成するこ となく反応溶液に存在する残存ホルムアルデヒドの量を減少させる傾向にある。
【0111】 もし犠牲還元剤が維持されるかまたは反応溶液に導入されるのであれば、貴金
属の低下した喪失が本発明で観察することができる。適当な還元剤は、ホルムア
ルデヒド、ギ酸、およびアセトアルデヒドを含む。最も好ましくは、ギ酸、ホル
ムアルデヒド、またはその混合物が使用される。本発明に従って行われた実験は
、もし少量のギ酸、ホルムアルデヒド、またはその組合せが反応溶液に添加され
たならば、触媒は優先的には、それがPMIDA試薬の酸化を行う前にギ酸また
はホルムアルデヒドの酸化を行い、引き続いてPMIDA酸化の間にギ酸および
ホルムアルデヒドの酸化を行うにおいてより活性であることを示す。好ましくは
、約0.01ないし約5.0重量%([ギ酸、ホルムアルデヒド、またはその組 合せの質量+全反応質量]×100%)の犠牲還元剤を添加し、より好ましくは 約0.01ないし約3.0重量%の犠牲還元剤を添加し、最も好ましくは約0.
01ないし約1.0重量%の犠牲還元剤を添加する。
【0112】 1つの好ましい具体例において、未反応ホルムアルデヒドおよびギ酸が引き続
いてのサイクルでの使用のために反応混合物にリサイクルバックされる。この例
では、リサイクル蒸気を用いて、PMIDA試薬を引き続いてのサイクルに可溶
化することもできる。
【0113】 典型的には、生成物混合物中におけるN−(ホスホノメチル)グリシンの濃度は
40重量%以上もと大きい。好ましくは、N−(ホスホノメチル)グリシン濃度は
約5ないし約40%、より好ましくは約8ないし約30%、なおより好ましくは
約9ないし約15%である。生成物混合物中のホルムアルデヒドの濃度は、典型
的には、約0.5重量%未満、より好ましくは約0.3重量%未満、なおより好
ましくは約0.15重量%である。
【0114】 酸化に続き、触媒は好ましくは引き続いて濾過によって分離される。次いで、
N−(ホスホノメチル)グリシン生成物は沈殿によって、例えば、水の一部の蒸発
および乾燥によって単離することができる。
【0115】 本発明の触媒は、いかにして酸化されたその表面が使用できるようになるかに
応じて、数サイクルにわたって再使用される能力を有することが認識されるであ
ろう。触媒がかなり酸化されたようになった後であっても、それは再活性化され
ることによって再使用することができる。かなり酸化された表面を有する触媒を
再活性化するには、触媒は好ましくはまず洗浄されて表面から有機物を除去する
。次いで、それを好ましくは、前記したように貴金属が支持体の表面に沈積され
た後に触媒が還元されるように還元される。
【0116】 (実施例) 以下の実施例は本発明の方法をさらに例示および説明することを意図するもの
である。
【0117】 実施例1 炭素支持体の細孔容量の測定 Micrometrics ASAP2000表面積および細孔容量分布機器 を用いて、データを獲得した。全表面積測定は既知重量の固体を一定温度、例え
ば、液体窒素の温度−196℃の非特異的吸着体ガスのある有限圧力に暴露する
ことを含む。平衡の間に、ガス分子はバルクガスから離れて表面に吸着され、こ
れはバルクガス中の分子の平均数を減少させ、これは今度は圧力を低下させる。
ガスの飽和蒸気圧pcの関数としての平衡における相対的圧力Pを記録する。圧 力のこの減少を容器および試料の容量と組み合わせることによって、吸着された
ガスの量(すなわち、分子の数)を、理想ガス則の適用によって計算することがで
きる。これらのデータは、多層吸着についてのBrunauer、Emmett
およびTeller(BET)式が典型的には適用される約0.1ないし0.3の
相対圧力(p/p0)にて測定される。既知の吸着ガス分子の数でもって、吸着体 の「既知」断面積を用いて表面積を計算することができる。ファン・デア・ワー
ルス力による物理的吸着のみが適用される場合(すなわち、タイプIラングミュ アー等温線)、BET式から圧力における観察される変化から表面積の決定が達 成される。細孔サイズおよび細孔サイズ分布は、p/p0=1に近づける、すな わち、多層吸着および毛管凝縮が起こる領域において相対的圧力データを得るこ
とによって計算される。Barrett, JoynerおよびHalenda( BJH)によって開発されたケルビン式および方法を適用することによって、細 孔容量および面積を得ることができる。
【0118】 実施例2 炭素支持体の高温脱酸素化 以下の実施例に記載された高温脱酸素化手法はいずれの炭素支持体にも使用で
きて脱酸素化炭素支持体を生じる。
【0119】 NH3/H2Oガスを用いる単一工程高温脱酸素化#1 活性炭支持体(2.5g)を1.9cmI.D.×40.6cm長さの水晶管に
入れた。管を70℃の10%NH4OH水溶液を通して70ないし100ml/ 分のN2蒸気を散布するすることから得られたガスに結合した。次いで、水晶管 を予熱した30.5cm管状炉に入れ、930℃で60分間熱分解させ、次いで
、いずれの空気とも接触させることなく乾燥N2雰囲気下で室温に冷却した。
【0120】 NH3/H2Oガスを用いる単一工程高温脱酸素化#2 活性炭支持体(3.55g)を1.9cmI.D.×35.6cm長さの水晶管
に入れた。管を引き続いて空気とのいずれの接触もなくして乾燥N2雰囲気下で 室温まで冷却した。
【0121】 貴金属を支持体の表面に分散させる前に炭素支持体を脱酸素化する利点を示す
ために、以下の2つの触媒の性能を比較した:1つは白金をその表面に分散させ
る前に前記処理を用いて脱酸素化した炭素支持体を有するもの;および1つはW
estvacoから受容したものとして使用したSA−30炭素支持体(Wes tvaco Corp. Carbon, Department Covingto
n, VA)を有するもの。後記実施例3に記載された技術を用いて白金を炭素支 持体の表面に分散させた。次いで、触媒を還元した。1つの具体例において、N
aBH4を用いて触媒を還元した(プロトコルについては実施例12参照)。第2 の実験においては、640℃にて8時間、それらを20%H2および80%アル ゴン中で加熱することによって触媒を還元した。
【0122】 還元された触媒を用いて、実施例5に記載された反応条件を用い、PMIDA
のN−(ホスホノメチル)グリシン(すなわち、「グリホセート」)への酸化を触媒
した。表1は結果を示す。脱酸素化炭素支持体の使用の結果、より小さいCO脱
着値、より少ない貴金属浸出、より高いホルムアルデヒド活性、およびより短い
反応時間がもたらされる。
【0123】
【表1】
【0124】 実施例3 炭素支持体の表面への白金の脱着 NUCHAR活性炭SA−30(Westvaco Corp. Carton,
Department Covington, VA)20gを2Lの水中で2時間
スラリー化した。次いで、約900mlの水に溶解させた2.81gのH2Pt Cl6を3ないし4時間にわたって滴下した。H2PtCl6溶液を完全に添加し た後、スラリーを90分間さらに撹拌した。次いで、スラリーのpHをNaOH
を用いて10.5に調整し、10ないし14時間さらに撹拌した。得られたスラ
リーを濾過し、濾液が一定導電率に達するまで水で洗浄した。湿潤ケーキを真空
下で10ないし24時間125℃で乾燥した。この物質は還元すると炭素上に5
%白金を生じた。
【0125】 実施例4 炭素支持体の高温水素還元 アルゴン中で640℃で20%H2で11時間還元する前に、NUCHAR S
A−30炭素支持体(Westvaco Corp., Carbon Depart
ment, Covington, VA)上の5%白金よりなる約5.8gの乾燥 された未反応触媒を、アルゴン中、135℃でその場で11時間脱水した。アル
ゴン中、20%H2下で室温まで冷却すると、触媒は使用する準備ができる。
【0126】 前記手法を用いて同様に他の炭素支持体を加熱できることを認識すべきである
【0127】 実施例5 PMIDAをN−(ホスホノメチル)グリシンに酸化するための触媒
の使用 本実施例は、触媒性能を改良するための高温ガス相還元の使用を示す。 活性炭支持体上の5%白金よりなるAldrich触媒(カタログNo.20, 593−1, Aldrich Chemical Co., Inc., Milwau
kee, WI)を20%H2および80%アルゴンの存在下で、640℃にて4〜
6時間加熱した。引き続いて、それを用いて、PMIDAのグリホセートへの酸
化を触媒した。その性能は、Aldrichから受容したものとして使用したA
ldrich触媒の試料の性能と比較した。
【0128】 11.45gのPMIDA、0.5%の触媒(乾燥ベース)、140gの全反応
質量、90℃の温度、50psigの圧力、900rpmの撹拌速度、および1
00ml/分の酸素流速を用い、PMIDA酸化反応を200mlガラスリアク
ター中で行った。
【0129】 表2は結果を示す。高温水素還元触媒はより少ない浸出、良好なホルムアルデ
ヒド活性を有し、より少ないNMGを生じた。また、反応時間は、高温水素−還
元触媒を用いると30%だけ低下した。
【0130】
【表2】
【0131】 実施例6 PMIDAをN−(ホスホノメチル)グリシンに酸化する触媒の使用
を示す別の例 本実施例は、触媒性能を改良する高温、ガス相還元処理およびアンモニア洗浄
の使用を示す。 PMIDA酸化を触媒するにおける6つの触媒の性能を比較した。これらの触
媒は(a)活性炭支持体上の5%白金(カタログNo.33,015−9, Aldr ich Chemical Co., Inc., Milwaukee, WI)を含む 触媒;(b)アンモニアで洗浄した後の触媒(アンモニア洗浄は、触媒スラリーの pHを9.5ではなくむしろ11.0に調整し維持する以外は実施例10に記載
されたのと同一の技術を用いて行った);(c)20%H2および80%アルゴン中
にて75℃で4〜6時間加熱した後の触媒(GPR@75℃);(d)20%H2お よび80%アルゴンの存在下で640℃で4〜6時間加熱した後の触媒(GPR @640℃);および(e)アンモニアで洗浄し、次いで、20%H2および80%
アルゴンの存在下で640℃にて4〜6時間加熱した後の2つの触媒であった。
PMIDA酸化反応条件は実施例5におけるのと同一であった。
【0132】 表3は結果を示す。未反応触媒は比較的高い浸出および貧弱なホルムアルデヒ
ド活性を示した。H2の存在下における640℃の高温ガス相還元は浸出におけ る最大の減少およびホルムアルデヒド活性の増加に至った。75℃の20%H2 における75℃の触媒の加熱は浸出を低い程度まで減少させたが、ホルムアルデ
ヒド活性は増強しなかった。
【0133】
【表3】
【0134】 次の実験において、PMIDA酸化を触媒しつつ、5つの触媒を分析した。こ
れらの触媒は、(a)NUCHAR SA−30上の5%白金(Westvaco Corp., Carbon Department, Covington, VA) よりなる触媒;(b)NaBH4で処理した後の触媒(例えば、プロトコルについて
は実施例12参照);(c)20%および80%アルゴン中で75℃にて4〜6時 間加熱した後の触媒(GPR@75℃);(d)20%H2および80%アルゴン中 、640℃にて4〜6時間加熱した後の触媒(GPR@640℃);(e)(実施例 10に記載されたのと同一技術を用いて)アンモニアで洗浄し、次いで、20% H2および80%アルゴン中、640℃にて4〜6時間加熱した触媒であった。 反応条件は実施例5におけるのと同一であった。
【0135】 表4は結果を示す。未反応触媒は比較的高い白金浸出および低いホルムアルデ
ヒド活性を示した。また、触媒は、GPR@75℃がそうであったように、Na
BH4で処理された後に高い浸出および低いホルムアルデヒド活性を示した。対 照的に、GPR@640℃はより大きいホルムアルデヒド活性およびより小さい
浸出を示した。
【0136】
【表4】
【0137】 実施例7 触媒の表面におけるC/OおよびO/Pt比率の効果 PHT Quantum2000 ESCA Microprobe Spect
rometer (Physical Electronics, Eden Pra
irie, MN)を用いて、種々の新鮮な触媒の表面における炭素原子と酸素原 子の比率および酸素原子と白金原子の比率を分析した。固定バンドパスエネルギ
ーでのアナライザー(一定分解能)での遅延モードの器具を用いて、表面分析を化
学分析用電子顕微鏡(「ESCA」)で行った。分析は、そのエネルギーがコアお
よび原子価電子をイオン化するのに十分である軟X線、例えば、Al Kα(14
86.6 eV)での試料の照射を含む。発射された電子は励起照射および電子の 「結合エネルギー」(仕事関数効果は無視)の差に等しい動的エネルギーを試料に
与える。弾性電子、すなわち、いずれの非弾性事象によるエネルギー喪失も受け
ない電子のみが光電子ピークで検出されるので、かつ固体における電子の非弾性
平均自由工程は短いので、ESCAは元来表面感度技術である。電子の動的エネ
ルギーは、静電アナライザーを用いて測定し、電子の数は電子増倍管を用いて測
定する。データは、検出された電子の数−対−電子の結合エネルギーとして表す
。ESCAエネルギースペクトルは、117eVバンドパスエネルギーで設定さ
れたアナライザーにて光電子の励起エネルギーについての単色Al Kαx線を
用いて採取した。x線源は40ワット電力で作動させ、データは照射された試料
についての200μmスポットから収集した。これらの条件は高感度、しかし低
エネルギー分解能を与える。スペクトルは、110eVから0eVの領域を横切
る1.0eV段階サイズを採取し、反復スキャンを共付加して、データにおいて
許容されるシグナル/ノイズを達成して蓄積した。販売業者による器具にて供さ
れる標準的データ処理および分析手法を用いて存在する元素を同定し、定量した
。光電子ピークの相対的強度から、元素Pt/C/Oの相対的原子濃度が得られ
る。ESCA分析は、一般に、特定の機器配置につき表の応答因子を用いる±2
0%の精度を有するものとして一般的に引用される。
【0138】 表5は各新鮮な触媒の表面におけるC/OおよびO/Pt比率、および単一サ
イクルPMIDA酸化反応の間の各触媒にいての浸出量を示す。
【0139】
【表5】
【0140】 実施例8 イン・ライン質量分析(TGA−MS)での熱重量分析を用いる触媒
表面の分析 種々の新鮮な触媒の表面における酸素−含有官能基の濃度は、ヘリウム下、イ
ン・ライン質量分析(TGA−MS)での熱重量分析によって測定した。この分析
を行うためには、新鮮な触媒の乾燥された試料(100mg)をMettler天
秤上のセラミックカップに入れる。次いで、室温にて、150ml/分の流速を
用い、試料を囲む雰囲気をヘリウムで10分間パージする。引き続いて、20な
いし900℃あたり10℃で昇温し、次いで、900℃で30分間保持した。一
酸化炭素および二酸化炭素の脱着はイン・ライン質量分析によつて測定する。質
量分析器は同一条件下でシュウ酸カルシウム一水和物を用いて別の実験で較正す
る。
【0141】 表6はTGA−MSを用いる各触媒1gあたりに脱着された一酸化炭素の量、
および実施例5におけるのと同一の反応条件を用いる単一サイクルPMIDA酸
化反応の間の触媒の各々についての浸出量を示す。表6はCOの脱着が減少する
につれて浸出が減少する傾向にあり、脱着が1.2ミリモル/g(触媒1gあたり
脱着されたミリモルCO)以下である場合に特に低いことを示す。
【0142】
【表6】
【0143】 実施例9 高温ガス相還元中の温度の効果 本実施例は、還元剤の存在下で触媒を加熱した場合に種々の温度を用いる効果
を示す。 活性炭支持体上の5%白金を有する未還元触媒(白金を沈積させる前に、実施 例2に記載した単一工程高温脱酸素化を用いて脱酸素化した)を、10%H2およ
び90%アルゴン中、種々の温度にて約2時間加熱した。次いで、この触媒を用
いてPMIDA酸化反応を触媒させた。反応は、5gのPMIDA、0.157 %の触媒(乾燥ベース)、200gの全反応質量、80℃の温度、0psigの圧
力、および150ml/分の酸素流速を用いて250mlのガラスリアクター中
で行った。
【0144】 結果を表7に示す。125℃から600℃まで還元温度を昇温すると、貴金属
の浸出量を低下させ、PMIDAのグリホセートへの酸化反応の間にホルムアル
デヒド酸化活性を増加させる。
【0145】
【表7】
【0146】 実施例10 アンモニアでの触媒の洗浄 活性炭支持体上の5%白金よりなる未還元触媒(白金を支持体上に沈積させる 前に、実施例2に記載された単一工程高温脱酸素化を用いて脱酸素化した)(6. 22g)を、500mlの水中に30分間でスラリー化した。次いで、スラリー のpHを希薄水性アンモニアで9.5に調整し、スラリーを1時間撹拌し、水性 アンモニアは周期的に添加してpHを9.5に維持する。得られたスラリーを濾 過し、約300mlの水で一回洗浄した。次いで、湿潤ケーキを真空下で125
℃にて約12時間乾燥した。この触媒を、10%H2および90%アルゴン中、 640℃で11時間加熱し、次いで、NUCHAR活性炭上の5%白金よりなる
次の2つの他の触媒と比較した:(a)NaBH4で室温にて還元した触媒(プロト
コルについては実施例12参照)、および(b)10%H2および90%アルゴン中
、640℃にて11時間加熱した触媒。反応は実施例1におけるものと同一であ
った。
【0147】 結果を表8に示す。白金浸出は、高温水素還元前にアンモニアで洗浄した触媒
で最低であった。
【表8】
【0148】 実施例11 酸化性の低い貴金属前駆体の使用 ジアミンジニトリト白金(II)を用いて白金を活性炭支持体上に沈積させた。約
20gの活性炭支持体を、実施例2に記載された単一工程高温脱酸素化法#2を
用いて脱酸素化した。次に、それを2Lの水中で2時間スラリー化した。次いで
、水で400gまで希釈したジアミンニトリト白金(II)の3.4%溶液51.3g
を3〜4時間で滴下した。添加が完了した後、撹拌を90分間さらに継続した。
希釈された水性NaOHを添加することによってpHを10.5に再調整し、撹 拌をさらに10〜14時間行った。次いで、スラリーを濾過し、濾過ケーキが一
定の導電率に達するまで十分量の水で洗浄した。湿潤ケーキを真空下で125℃
にて10〜24時間乾燥した。得られた触媒を10%H2および90%アルゴン 中、640℃で4〜6時間加熱した。
【0149】 H2PtCl6を用いて対照を調製し、白金を同炭素上に沈積させた。ジアミン
ニトリト白金(II)を用いて調製した触媒と同一の条件下で対照を加熱した。
【0150】 PMIDA酸化反応を触媒させて、これらの触媒を比較した。反応条件は実施
例5におけるものと同一であった。
【0151】 ジアミンニトリト白金(II)を用いて調製した触媒は、対照よりも低い浸出を示
した。グリホセート1gあたり1.21μgの白金のみが溶液への浸出を生じ、 これは対照よりも約3倍大であった。
【0152】 実施例12 NaBH4を用いる触媒表面の還元 本実施例の目的は、NaBH4を用いる触媒還元の効果を示すことである。 約5gの活性炭支持体(支持体上に白金を沈積させる前に、実施例2に記載さ れた単一工程高温脱酸素化法#2を用いて脱酸素化した)を、250mlの丸底 フラスコ中の85mlの蒸留水でスラリー化した。該スラリーを真空中で約1時
間撹拌した。次に、28mlの蒸留水中の0.706gのH2PtCl6を、真空 を適用しつつ、100秒あたり約1mlの速度でスラリーに添加した。真空中で
一晩撹拌した後、リアクターを、N2の流速によって大気圧に持っていった。ス ラリーを沈降させた後、約30mlの無色上清をデカントした。残存するスラリ
ーを100mlのTeflon丸底に移した。この時点で、0.3gのNaOH でpHを12.2に調整した。次いで、14M NaOH中の2.3mlのNaB
4を0.075ml/分にて添加した。引き続いて、得られたスラリーを1時間
撹拌し、濾過し、50mlの蒸留水で5回洗浄した。次いで、触媒を125℃お
よび6mmHgで12時間乾燥した。
【0153】 得られた触媒を用いてPMIDA酸化を触媒した。0.5%触媒、8.2%PM
IDA、180gの全反応質量、65psigの圧力、90℃の温度、900r
pmの撹拌速度、および72ml/分の酸素供給速度を用い、反応を300ml
のステンレス鋼リアクター中で行った。
【0154】 また、対照実験は、活性炭支持体(白金を支持体上に沈積させる前に、実施例 2に記載された単一工程高温脱酸素化法#2を用いて脱酸素化した)上の5.2 3%白金を用いて同一反応条件で行った。
【0155】 表9はNaBH4−還元触媒を用いる結果を示し、表10は対照実験の結果を 示す。NaBH4での還元は貴金属浸出の量を減少させた。また、それは使用後 のホルムアルデヒドおよびNMGの量を減少させた。
【0156】
【表9】
【0157】
【表10】
【0158】 実施例13 促進剤としてのビスマスの使用 10-3Mギ酸溶液中の10-3M Bi(NO3)3・5H2Oよりなる500gの溶
液を調製した。この溶液を、活性炭支持体上の5%白金の6.0gを含有する5
%ホルムアルデヒド溶液500gに添加した。溶液をN2下で40℃にて一晩撹 拌し、次いでBuchner漏斗で濾過した。その一部を乾燥し、次いでX線蛍
光によって分析した。触媒は63%の乾燥喪失(「LOD」)を有した。乾燥触媒
は約3%ビスマスおよび4%白金を含有することが判明した。
【0159】 以下のものを300mlのステンレス鋼オートクレーブに入れた:16.4g のPMIDA;4.16gの活性炭触媒、その表面上の3%ビスマス/4%白金 よりなる0.68gの前記触媒、および179.4gの水。反応は65psigの
圧力、90℃の温度、38ml/分の酸素流速、および900rpmの撹拌速度
で行った。PMIDAが枯渇されるまで反応を進行させた。グリホセート溶液は
濾過を介して触媒から分離し、溶液は50%NaOH溶液6gで中和した。グリ
ホセート溶液の分析は各実行につき行った。また、対照は0.68gのBi/P t/炭素触媒を省いた以外は同様にして行った。
【0160】 結果を表11に示す。Bi/Pt/炭素触媒を有する実行は、生成物中の低レ
ベルのホルムアルデヒド、ギ酸およびNMGを生じた。
【0161】
【表11】
【0162】 実施例14 炭素支持体上へのスズ促進剤の沈積 活性炭(20g)を約2Lの水中にスラリー化した。次に、0.39gのSnC l2・2H2Oを500gの0.5%HNO3に溶解させた。溶液を炭素スラリーに
滴下した。全ての溶液を添加した後、スラリーを2時間撹拌した。次いで、pH
を9.5に調整し、スラリーを数時間さらに撹拌した。次に、スラリーを濾過し 、濾液が一定導電率に達するまで豊富な量の水で洗浄した。湿潤ケーキを真空下
で125℃にて乾燥して炭素上の1%スズを得た。乾燥後、炭素上の1%スズを
アルゴン中にて500℃で6時間焼成した。
【0163】 炭素支持体上に白金を沈積させるには、炭素上の1%スズ5gをまず約500
mlの水中にスラリー化した。次いで、0.705gのH2PtCl4を約125 mlの水に溶解させ、滴下した。全てのH2PtCl4溶液を添加した後、スラリ
ーを2.5時間撹拌した。次いで、pHを希薄NaOHで9.5に調整し、スラリ
ー化をさらに数時間継続した。次いで、スラリーを濾過し、濾液が一定の導電率
に達するまで豊富な量の水で洗浄した。湿潤ケーキを真空下で125℃で乾燥し
た。
【0164】 この方法は、炭素上に5%白金および1%スズを含む触媒を生じた。
【0165】 実施例15 炭素支持体上への鉄促進剤の沈積 約5gの活性炭を約500mlの水中にスラリー化した。次に、0.25gの FeCl3・6H2Oを75mlの水に溶解させた。溶液を炭素スラリーに滴下し
た。全ての溶液を添加した後、スラリーを2時間撹拌した。次いで、スラリーを
濾過し、濾液が一定の導電率に達するまで豊富な量の水で洗浄した。湿潤ケーキ
を真空下で125℃で乾燥して炭素上の1%鉄を得た。乾燥に続き、炭素上の1
%鉄をアルゴン中、約500℃で8時間焼成した。
【0166】 炭素支持体の表面に白金を沈積させるには、炭素上の1%鉄2.5gをまず約 180mlの水中にスラリー化した。次いで、0.355gのH2PtCl4を約 70mlの水に溶解させ、滴下した。全ての溶液を添加した後、スラリーをさら
に3時間撹拌した。次いで、pHを希薄NaOHで約10.0に調整し、撹拌を さらに数時間継続した。次に、スラリーを濾過し、濾液が一定の導電率に達する
まで豊富な量の水で洗浄した。湿潤ケーキを真空下で125℃で乾燥した。 この方法は、炭素上に5%白金および1%鉄を含む触媒を生じた。
【0167】 実施例16 炭素支持体の表面における貴金属の存在の効果 本実施例は、表面に貴金属を有しない炭素のみの触媒よりもむしろ、PMID
A酸化の実行のために、表面に貴金属を有する炭素支持体を用いる利点を示す。
【0168】 PMIDA酸化反応は、実施例2に記載された単一工程高温脱酸素化法#2を
用いて脱酸素化した炭素のみの触媒の存在下で行った。反応は、0.365%の 触媒、8.2%PMIDA、200gの全反応質量、65psigの圧力、90 ℃の温度、900rpmの撹拌速度、および38ml/分の酸素供給速度を用い
、300mlのステンレス鋼リアクター中で行った。
【0169】 表12は炭素のみの触媒につき5サイクルの反応時間(すなわち、消費される べきPMIDAの少なくとも98%の時間)を示す。また、表12は、実施例1 2に記載された反応条件下で6サイクルにわたって実施例12の2つの炭素上P
t触媒についての反応時間を示す。表12からわかるように、サイクルあたりの
炭素のみの触媒の脱活性化は、一般に、その表面上に貴金属を有する炭素触媒の
脱活性化よりも大きい傾向がある(すなわち、反応時間はサイクルあたりより増 加する傾向にある)。脱活性化は、特に、貴金属を表面に沈積させた後に触媒を NaBH4で還元した場合により小さいようである。いずれの理論に拘束される つもりもないが、NaBH4還元された触媒の脱活性化は他の炭素上のPt触媒 の脱活性化よりも小さいと考えられる。なぜならば、NaBH4上の白金触媒は 他の炭素上のPt上の白金触媒よりも浸出が少なかった。実施例12、表9およ
び表10を参照。
【0170】
【表12】
【0171】 実施例17 促進剤で合金化した貴金属を含む触媒を用いた効果 本実施例は、鉄で合金化した白金を含むした触媒の利点を示す。 1.鉄で合金化した白金を含む触媒 鉄で合金化した白金を含む触媒を調製するために、約10gの活性炭を約18
0mlの水中にスラリー化した。次に、0.27gのFeCl3・6H2Oおよび 1.39gのH2PtCl6水和物を約60mlの水に共溶解させた。この溶液を 約30分間にわたって炭素スラリーに滴下した。滴下の間、スラリーのpHは降
下し、希薄なNaOH溶液(すなわち、NaOHの1.0ないし2.5M溶液)を用
いて約4.4ないし約4.8に維持した。次いで、約4.7のpHにおいてスラリ ーを30分間さらに撹拌した。次いで、pHを約4.7に維持しつつ、約2℃/ 分の速度にてスラリーをN2下で70℃まで加熱した。70℃に到達すると、希 薄なNaOH溶液の滴下により約30分にわたってpHは6.0までゆっくりと 上昇した。pHが約6.0で定常となるまで撹拌を約10分間継続した。次いで 、スラリーをN2下で約35℃まで冷却した。引き続いて、スラリーを濾過し、 ケーキを約800mlの水で3回洗浄した。次いで、ケーキを真空下で125℃
にて乾燥した。これは、20%H2および80%Ar中にて690℃で1〜6時 間加熱すると、炭素上に5重量%の白金および0.5重量%の鉄を含有する触媒 を生じた。
【0172】 実施例19により詳細に記載するように、この触媒を電子顕微鏡で分析した。
図1は炭素支持体のTEMを通じて得られた像である。この像は、合金化金属粒
子が炭素支持体全体に高度に分散し、均一に分布することを示す(白色のドット は金属粒子を表し;バックグラウンド強度の変動は多孔性炭素の局所的密度の変
化を表すと考えられる)。粒子の平均サイズは約3.5nmであり、粒子間の平均
距離は約20nmであった。図2は触媒の個々の金属粒子からの典型的な高エネ
ルギー分解能X線スペクトルである。図2が示すように、白金および鉄の両ピー
クが存在した(銅ピークは銅グリッドの散乱に由来した)。異なる個々の金属粒子
からの高エネルギー分解能X線スペクトルの定量的分析は、実験誤差内で、粒子
の組成が触媒表面の金属粒子のサイズおよび位置に伴って変化しないことを示し
た。
【0173】 2.白金の鉄による合金化が少ない触媒 白金の鉄による合金化が少ないPt/Fe/C触媒(すなわち、この触媒は本 実施例に記載された最初の触媒よりも、鉄による白金の合金化が少ない)を調製 するために、白金および鉄を順次炭素支持体の表面に沈積させた。約5gの活性
炭を約500mlの水中にスラリー化した。pHを1N HClで約5.0に調整
した。次に、約0.25gのFeCl3・H2Oを75mlの水に溶解させた。こ の溶液を約60分間にわたって炭素スラリーに滴下した。全ての溶液を滴下した
後、スラリーを約2時間撹拌した。pHを希薄なNaOH溶液で9.5に調整し 、スラリーをさらに数時間撹拌した。次いで、スラリーを濾過し、豊富な量の水
で洗浄した。真空下、125℃で湿潤ケーキを乾燥して炭素上の1重量%鉄を得
た。乾燥に続き、この炭素上の1重量%鉄を、20%H2および80%Arを含 有する雰囲気にて、635℃で1〜6時間還元した。この炭素上の1重量%鉄の
約2.5gを250mlの水中にスラリー化した。次に、約0.36gのH2Pt Cl6水和物を65mlの水に溶解させ、今度はこれを約60分間にわたってス ラリーに滴下した。全ての溶液を滴下した後、スラリーを2時間撹拌した。次い
でスラリーを。次いで、ケーキを450mlの水に再スラリー化した。希薄なN
aOH溶液でスラリーのpHを9.5に調整した後、スラリーを約45分間撹拌 した。次に、スラリーを濾過し、450mlの水で1回洗浄した。湿潤ケーキを
真空下で125℃で乾燥した。これは、20%H2および80%Arを含有する 雰囲気中で660℃の温度まで1〜6時間加熱することによる還元に際し、炭素
上に5重量%白金および1重量%鉄を含有する触媒を生じた。 3.2つの触媒の比較 PMIDA酸化反応を触媒させて、これらの2つの触媒を比較した。反応条件
は実施例5におけるものと同一であった。表13に結果を示す。本実施例に記載
した最初の触媒(すなわち、より多量の鉄で合金化した白金を含む触媒)は、CH 2 OおよびHCO2活性についてより大きな安定性を有した;本実施例に記載され
た第2の触媒(すなわち、より少量の鉄で合金化した白金を含む触媒)は迅速に脱
活性化された。加えて、第1の触媒は25サイクルにわたってその鉄含有量のほ
とんど半分を維持し、他方、第2の触媒は最初のサイクル中の鉄のほとんどを喪
失した。
【0174】
【表13】
【0175】 実施例18 炭素触媒上のPt/Fe/Snの調製 約10gの活性炭を約90mlの水にスラリー化させた。次に、約0.2gの SnCl2・2H2Oを250mlの0.025M HClに溶解させた。溶液を炭
素スラリーに滴下した。全ての溶液を滴下した後、スラリーを3時間撹拌した。
次いで、希薄なNaOH溶液(すなわち、NaOHの1.0ないし2.5M溶液)で
pHをゆっくりと9.0に調整し、スラリーをさらに10時間撹拌した。次に、 濾液が一定の導電度に達するまで、スラリーを濾過し、豊富な量の水で洗浄した
。湿潤ケーキを真空下で125℃で乾燥した。これは炭素上の0.9重量%スズ を生じた。この炭素上の0.9重量%の約6gを約500mlの水にスラリー化 した。次いで、約0.23gのFe(NO3)3・9H2Oおよび0.85gのH2Pt
Cl6を約150mlの水に共溶解させ、スラリーに滴下した。全ての溶液を添 加した後、スラリーを約4時間撹拌し、次いで、濾過して過剰の鉄(〜80重量 %)を除去した。湿潤ケーキを480mlの水に再スラリー化した。希薄なNa OH溶液でスラリーのpHを9〜10に調整した後、スラリーをさらに数時間撹
拌した。次に、濾液が一定の導電度に達するまで、スラリーを濾過し、豊富な量
の水で洗浄した。湿潤ケーキを真空下で125℃で乾燥した。これは、20%H 2 および80%Ar中、700〜750℃で1〜6時間加熱することによる高温 還元に際し、4.9重量%Pt、0.9重量%スズおよび0.1重量%鉄を含有す る触媒を生じた。
【0176】 実施例19 触媒の電子顕微鏡による特徴付け 電子顕微鏡技術を用いて、実施例17で調製した触媒の金属粒子のサイズ、空
間分布、および組成を分析した。触媒を分析する前に、触媒をまずEMベッド8
12樹脂(Electron Microscopy Sciences Fort
Washington, PA)にまず埋め込んだ、次いで、樹脂を約60℃で約
24時間重合させた。得られた硬化ブロックをウルトラミクロトーム処理して、
約55nmの厚みを有するスライスした。次いで、これらのスライスを電子顕微
鏡観察のため200メッシュ銅グリッドに移した。
【0177】 高分解能分析電子顕微鏡実験は、0.3nm未満の像分解能を持つVacuu m Generatorsからの走査型透過電子顕微鏡(モデルNo.VG HB5
01, Vacuum Generators, East Brinstad, Su
ssex, 英国)で行った。該顕微鏡は100kVで操作した。検体チャンバー 領域中の真空は約10-6Pa未満であった。デジタル像獲得システム(ES Vi
sion Data Acquisition System, EmiSpec S
ys, Ins, Tempe, AZ)を用いて、高分解能電子顕微鏡像を得た。ウ インドウレスエネルギー分散スペクトロメーター(Link LZ−5 EDS W
indowless Detector, Model E5863, High W ycombe, Bucks, 英国)を用いて、個々の金属粒子から高エネルギー 分解能X線スペクトルを得た。その高原子−数感度のため、高角度環状暗視野( HAADF)顕微鏡を用いて金属粒子を観察した。約0.5nmの電子プローブ サイズを用いてHAADF像を獲得し、約1nm未満のプローブサイズを用いて
高エネルギー分解能X線スペクトルを得た。
【0178】 本発明は、前記具体例に限定されるものではなく、種々に修飾することができ
る。前記した好ましい具体例の記載は、当業者に本発明(その原理および実施)を
教示することのみを意図するものであり、当業者なら、特定の使用の要件に最良
に適合するように、多数の形態で本発明を採用および適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 炭素支持体の表面に鉄で合金化された白金を有する炭素支持体から
なる酸化触媒のTEM像である。
【図2】 炭素支持体の表面に鉄で合金化された白金を有する炭素支持体から
なる酸化触媒の個々の金属粒子からの高エネルギー分解能X線スペクトルである
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) B01J 32/00 C07F 9/38 // C07F 9/38 B01J 23/64 101Z (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,ML, MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,K E,LS,MW,SD,SZ,UG,ZW),EA(AM ,AZ,BY,KG,KZ,MD,RU,TJ,TM) ,AL,AM,AT,AU,AZ,BA,BB,BG, BR,BY,CA,CH,CN,CU,CZ,DE,D K,EE,ES,FI,GB,GD,GE,GH,GM ,HR,HU,ID,IL,IN,IS,JP,KE, KG,KP,KR,KZ,LC,LK,LR,LS,L T,LU,LV,MD,MG,MK,MN,MW,MX ,NO,NZ,PL,PT,RO,RU,SD,SE, SG,SI,SK,SL,TJ,TM,TR,TT,U A,UG,UZ,VN,YU,ZW (72)発明者 カム−ト・ワン アメリカ合衆国63011ミズリー州マンチェ スター、ローヤル・ビレッジ・ドライブ 358番 (72)発明者 アンソニー・ウッズ イギリス、ダブリューエフ5・8エヌエッ クス、ウエスト・ヨークシャー、オセッ ト、ウエストウェルズ・ロード、ウェルゲ イト (72)発明者 ピーター・イー・ロジャーズ アメリカ合衆国63131ミズリー州デスペレ ス、ファイアソーン・ドライブ2027番 Fターム(参考) 4G069 AA03 AA08 BA08A BA08B BB02A BB02B BC10A BC16A BC21A BC22A BC22B BC25A BC25B BC26A BC32A BC33A BC35A BC36A BC43A BC50A BC50B BC51A BC62A BC64A BC66A BC66B BC67A BC68A BC69A BC70A BC71A BC72A BC73A BC74A BC75A BC75B BD09A CB07 DA08 EA02Y EB18Y EC02Y EC03Y EC04Y EC05Y EC27 EC29 FA01 FA02 FA05 FB14 FB17 FB29 FB30 FB36 FB39 FB44 FB45 FC07 FC08 4H050 AA02 AC50 BA17 BA55 BC10 BE30

Claims (379)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 炭素支持体の表面に貴金属を有する炭素支持体を含んでなる
    酸化触媒であって、ヘリウム雰囲気中で触媒の乾燥試料を、1分あたり約10℃
    の速度で約20℃から約900℃まで加熱し、次いで、約900℃で約30分間
    加熱したときに、触媒1gあたり約0.7ミリモル以下の一酸化炭素を生成する ことを特徴とする酸化触媒。
  2. 【請求項2】 一酸化炭素の生成量が、触媒1gあたり約0.5ミリモル以 下の一酸化炭素である請求項1記載の酸化触媒。
  3. 【請求項3】 一酸化炭素の生成量が、触媒1gあたり約0.3ミリモル以 下の一酸化炭素である請求項1記載の酸化触媒。
  4. 【請求項4】 炭素支持体の表面に貴金属および促進剤を有する炭素支持体
    を含んでなる酸化触媒であって、水素雰囲気中にて約500℃で約1時間加熱し
    た後であって、水素雰囲気中での加熱後に酸化剤に暴露する前に、触媒の乾燥試
    料をヘリウム雰囲気中で1分あたり約10℃の速度で約20℃から約900℃ま
    で加熱し、次いで、約900℃で約30分間加熱したときに、触媒1gあたり約
    0.7ミリモル以下の一酸化炭素を生成することを特徴とする酸化触媒。
  5. 【請求項5】 触媒の少なくとも0.05重量%が少なくとも1つの促進剤 よりなる請求項4記載の酸化触媒。
  6. 【請求項6】 促進剤が貴金属よりも容易に酸化されるものである請求項4
    記載の酸化触媒。
  7. 【請求項7】 促進剤が、スズ、ビスマス、鉛、カドミウム、マグネシウム
    、マンガン、ニッケル、アルミニウム、コバルト、チタン、アンチモン、セレン
    、鉄、レニウム、セリウム、亜鉛およびジルコニウムよりなる群から選択される
    金属を含んでなる請求項4記載の酸化触媒。
  8. 【請求項8】 促進剤がスズを含んでなる請求項4記載の酸化触媒。
  9. 【請求項9】 促進剤が鉄を含んでなる請求項4記載の酸化触媒。
  10. 【請求項10】 促進剤がチタンを含んでなる請求項4記載の酸化触媒。
  11. 【請求項11】 少なくとも2つの促進剤が炭素支持体の表面にある請求項
    4記載の酸化触媒。
  12. 【請求項12】 促進剤が鉄およびスズを含んでなる請求項11記載の酸化
    触媒。
  13. 【請求項13】 表面の貴金属原子が促進剤と合金化している請求項4記載
    の酸化触媒。
  14. 【請求項14】 表面の貴金属原子の大部分が促進剤と合金化している請求
    項4記載の酸化触媒。
  15. 【請求項15】 表面の貴金属原子の実質的に全てが促進剤と合金化してい
    る請求項4記載の酸化触媒。
  16. 【請求項16】 一酸化炭素の生成量が、触媒1gあたり約0.5ミリモル 以下の一酸化炭素である請求項4記載の酸化触媒。
  17. 【請求項17】 一酸化炭素の生成量が、触媒1gあたり約0.3ミリモル 以下の一酸化炭素である請求項4記載の酸化触媒。
  18. 【請求項18】 炭素支持体の表面に貴金属、炭素および酸素を有する炭素
    支持体を含んでなる酸化触媒であって、表面における炭素原子と酸素原子の比率
    が、x線光電子分光法によって測定して、少なくとも約30:1である酸化触媒
  19. 【請求項19】 炭素原子と酸素原子の比率が、少なくとも約40:1であ
    る請求項18記載の酸化触媒。
  20. 【請求項20】 炭素原子と酸素原子の比率が、少なくとも約50:1であ
    る請求項18記載の酸化触媒。
  21. 【請求項21】 炭素原子と酸素原子の比率が、少なくとも約60:1であ
    る請求項18記載の酸化触媒。
  22. 【請求項22】 表面における酸素原子と貴金属原子の比率が、x線光電子
    分光法によって測定して、7:1未満である請求項18記載の酸化触媒。
  23. 【請求項23】 酸素原子と貴金属原子の比率が、約6:1未満である請求
    項22記載の酸化触媒。
  24. 【請求項24】 酸素原子と貴金属原子の比率が、約5:1未満である請求
    項22記載の酸化触媒。
  25. 【請求項25】 炭素支持体の表面に貴金属、促進剤、炭素および酸素を有
    する炭素支持体を含んでなる酸化触媒であって、該触媒を水素雰囲気中で約50
    0℃の温度で約1時間加熱した後であって、該触媒を水素雰囲気中での加熱後に
    酸化剤に暴露する前に、x線光電子分光法によって測定して、該触媒が、表面に
    おいて少なくとも約30:1の炭素原子と酸素原子の比率を有することを特徴と
    する酸化触媒。
  26. 【請求項26】 炭素原子と酸素原子の比率が、少なくとも約40:1であ
    る請求項25記載の酸化触媒。
  27. 【請求項27】 炭素原子と酸素原子の比率が、少なくとも約50:1であ
    る請求項25記載の酸化触媒。
  28. 【請求項28】 炭素原子と酸素原子の比率が、少なくとも約60:1であ
    る請求項25記載の酸化触媒。
  29. 【請求項29】 触媒を水素雰囲気中で約500℃の温度で約1時間加熱し
    た後であって、触媒を水素雰囲気中での加熱後に酸化剤に暴露する前に、触媒が
    、7:1未満の表面における酸素原子と貴金属原子の比率を有することをさらに
    特徴とする請求項25記載の酸化触媒。
  30. 【請求項30】 酸素原子と貴金属原子の比率が、約6:1未満である請求
    項29記載の酸化触媒。
  31. 【請求項31】 酸素原子と貴金属原子の比率が、約5:1未満である請求
    項29記載の酸化触媒。
  32. 【請求項32】 触媒の少なくとも0.05重量%が少なくとも1つの促進 剤よりなる請求項25記載の酸化触媒。
  33. 【請求項33】 促進剤が貴金属よりも容易に酸化されるものである請求項
    25記載の酸化触媒。
  34. 【請求項34】 促進剤が、スズ、ビスマス、鉛、カドミウム、マグネシウ
    ム、マンガン、ニッケル、アルミニウム、コバルト、チタン、アンチモン、セレ
    ン、鉄、レニウム、セリウム、亜鉛およびジルコニウムよりなる群から選択され
    る金属を含んでなる請求項25記載の酸化触媒。
  35. 【請求項35】 促進剤がスズを含んでなる請求項25記載の酸化触媒。
  36. 【請求項36】 促進剤が鉄を含んでなる請求項25記載の酸化触媒。
  37. 【請求項37】 促進剤がチタンを含んでなる請求項25記載の酸化触媒。
  38. 【請求項38】 少なくとも2つの促進剤が炭素支持体の表面にある請求項
    25記載の酸化触媒。
  39. 【請求項39】 促進剤が鉄およびスズを含んでなる請求項38記載の酸化
    触媒。
  40. 【請求項40】 表面の貴金属原子が促進剤と合金化している請求項25記
    載の酸化触媒。
  41. 【請求項41】 表面の貴金属原子の大部分が促進剤と合金化している請求
    項25記載の酸化触媒。
  42. 【請求項42】 表面の貴金属原子の実質的に全てが促進剤と合金化してい
    る請求項25記載の酸化触媒。
  43. 【請求項43】 炭素支持体の表面の貴金属;ならびに (a)表面から内側に測定して約50Åの厚みを有し、(b)炭素および酸素を含
    む表面層; を含み、該表面層における炭素原子と酸素原子の比率が、少なくとも約30:1
    であることを特徴とする炭素支持体を含んでなる酸化触媒。
  44. 【請求項44】 炭素原子と酸素原子の比率が、少なくとも約40:1であ
    る請求項43記載の酸化触媒。
  45. 【請求項45】 炭素原子と酸素原子の比率が、少なくとも約50:1であ
    る請求項43記載の酸化触媒。
  46. 【請求項46】 炭素原子と酸素原子の比率が、少なくとも約60:1であ
    る請求項43記載の酸化触媒。
  47. 【請求項47】 表面層における酸素原子と貴金属原子の比率が、x線光電
    子分光法によって測定して、7:1未満である請求項43記載の酸化触媒。
  48. 【請求項48】 酸素原子と貴金属原子の比率が、約6:1未満である請求
    項47記載の酸化触媒。
  49. 【請求項49】 酸素原子と貴金属原子の比率が、約5:1未満である請求
    項47記載の酸化触媒。
  50. 【請求項50】 炭素支持体の表面に貴金属および促進剤;ならびに 表面から内側に測定して約50Åの厚みを有し、かつ炭素および酸素を含む表
    面層; を含む炭素支持体を含んでなる酸化触媒であって、 該触媒を水素雰囲気中で約500℃の温度で約1時間加熱した後であって、該
    触媒を水素雰囲気中での加熱後に酸化剤に暴露する前に、x線光電子分光法によ
    って測定して、該触媒が、少なくとも約30:1の表面層における炭素原子と酸
    素原子の比率を有することを特徴とする酸化触媒。
  51. 【請求項51】 炭素原子と酸素原子の比率が、少なくとも約40:1であ
    る請求項50記載の酸化触媒。
  52. 【請求項52】 炭素原子と酸素原子の比率が、少なくとも約50:1であ
    る請求項50記載の酸化触媒。
  53. 【請求項53】 炭素原子と酸素原子の比率が、少なくとも約60:1であ
    る請求項50記載の酸化触媒。
  54. 【請求項54】 触媒を水素雰囲気中で約500℃の温度で約1時間加熱し
    た後であって、触媒を水素雰囲気中での加熱後に酸化剤に暴露する前に、7:1
    未満の表面層における酸素原子と貴金属原子の比率を有することをさらに特徴と
    する請求項50記載の酸化触媒。
  55. 【請求項55】 酸素原子と貴金属原子の比率が、約6:1未満である請求
    項54記載の酸化触媒。
  56. 【請求項56】 酸素原子と貴金属原子の比率が、約5:1未満である請求
    項54記載の酸化触媒。
  57. 【請求項57】 触媒の少なくとも0.05重量%が少なくとも1つの促進 剤よりなる請求項50記載の酸化触媒。
  58. 【請求項58】 促進剤が貴金属よりも容易に酸化されるものである請求項
    50記載の酸化触媒。
  59. 【請求項59】 促進剤が、スズ、ビスマス、鉛、カドミウム、マグネシウ
    ム、マンガン、ニッケル、アルミニウム、コバルト、チタン、アンチモン、セレ
    ン、鉄、レニウム、セリウム、亜鉛およびジルコニウムよりなる群から選択され
    る金属を含んでなる請求項50記載の酸化触媒。
  60. 【請求項60】 促進剤がスズを含んでなる請求項50記載の酸化触媒。
  61. 【請求項61】 促進剤が鉄を含んでなる請求項50記載の酸化触媒。
  62. 【請求項62】 促進剤がチタンを含んでなる請求項50記載の酸化触媒。
  63. 【請求項63】 少なくとも2つの促進剤が炭素支持体の表面にある請求項
    50記載の酸化触媒。
  64. 【請求項64】 促進剤が鉄およびスズを含んでなる請求項63記載の酸化
    触媒。
  65. 【請求項65】 表面の貴金属原子が促進剤と合金化している請求項50記
    載の酸化触媒。
  66. 【請求項66】 表面の貴金属原子の大部分が促進剤と合金化している請求
    項50記載の酸化触媒。
  67. 【請求項67】 表面の貴金属原子の実質的に全てが促進剤と合金化してい
    る請求項50記載の酸化触媒。
  68. 【請求項68】 炭素支持体の表面に貴金属を沈積させ、次いで、約500
    ℃を超える温度で表面を加熱するプロセスによって製造された酸化触媒。
  69. 【請求項69】 触媒の少なくとも0.05重量%が少なくとも1つの促進 剤よりなる請求項68記載の酸化触媒。
  70. 【請求項70】 促進剤が貴金属よりも容易に酸化されるものである請求項
    69記載の酸化触媒。
  71. 【請求項71】 促進剤が、スズ、ビスマス、鉛、カドミウム、マグネシウ
    ム、マンガン、ニッケル、アルミニウム、コバルト、チタン、アンチモン、セレ
    ン、鉄、レニウム、セリウム、亜鉛およびジルコニウムよりなる群から選択され
    る金属を含んでなる請求項69記載の酸化触媒。
  72. 【請求項72】 促進剤がスズを含んでなる請求項69記載の酸化触媒。
  73. 【請求項73】 促進剤が鉄を含んでなる請求項69記載の酸化触媒。
  74. 【請求項74】 促進剤がチタンを含んでなる請求項69記載の酸化触媒。
  75. 【請求項75】 少なくとも2つの促進剤が炭素支持体の表面にある請求項
    69記載の酸化触媒。
  76. 【請求項76】 促進剤が鉄およびスズを含んでなる請求項75記載の酸化
    触媒。
  77. 【請求項77】 表面の貴金属原子が促進剤と合金化している請求項69記
    載の酸化触媒。
  78. 【請求項78】 表面の貴金属原子の大部分が促進剤と合金化している請求
    項69記載の酸化触媒。
  79. 【請求項79】 表面の貴金属原子の実質的に全てが促進剤と合金化してい
    る請求項69記載の酸化触媒。
  80. 【請求項80】 温度が約550ないし約1200℃である請求項68記載
    の酸化触媒。
  81. 【請求項81】 温度が約550ないし約900℃である請求項68記載の
    酸化触媒。
  82. 【請求項82】 加熱を非酸化性環境で行う請求項68記載の酸化触媒。
  83. 【請求項83】 非酸化性環境が、N2および貴ガスよりなる群から選択さ れる少なくとも1つのガスより実質的になる請求項82記載の酸化触媒。
  84. 【請求項84】 温度が約550ないし約1200℃である請求項82記載
    の酸化触媒。
  85. 【請求項85】 非酸化性環境が還元性環境からなる請求項82記載の酸化
    触媒。
  86. 【請求項86】 温度が約550ないし約1200℃である請求項85記載
    の酸化触媒。
  87. 【請求項87】 還元性環境がH2を含んでなる請求項85記載の酸化触媒 。
  88. 【請求項88】 炭素支持体の表面に貴金属を沈積させ、次いで、少なくと
    も約400℃の温度で表面を加熱することを含んでなるプロセスによって製造さ
    れた酸化触媒であって、 該炭素支持体が、貴金属沈積の前に、表面における炭素原子と酸素原子の比率
    がx線光電子分光法によって測定して少なくとも約20:1であるような量で、
    炭素支持体の表面に炭素および酸素を有するものである酸化触媒。
  89. 【請求項89】 触媒の少なくとも0.05重量%が少なくとも1つの促進 剤よりなる請求項88記載の酸化触媒。
  90. 【請求項90】 促進剤が貴金属よりも容易に酸化されるものである請求項
    89記載の酸化触媒。
  91. 【請求項91】 促進剤が、スズ、ビスマス、鉛、カドミウム、マグネシウ
    ム、マンガン、ニッケル、アルミニウム、コバルト、チタン、アンチモン、セレ
    ン、鉄、レニウム、セリウム、亜鉛およびジルコニウムよりなる群から選択され
    る金属を含んでなる請求項89記載の酸化触媒。
  92. 【請求項92】 促進剤がスズを含んでなる請求項89記載の酸化触媒。
  93. 【請求項93】 促進剤が鉄を含んでなる請求項89記載の酸化触媒。
  94. 【請求項94】 促進剤がチタンを含んでなる請求項89記載の酸化触媒。
  95. 【請求項95】 少なくとも2つの促進剤が炭素支持体の表面にある請求項
    89記載の酸化触媒。
  96. 【請求項96】 促進剤が鉄およびスズを含んでなる請求項95記載の酸化
    触媒。
  97. 【請求項97】 表面の貴金属原子が促進剤と合金化している請求項89記
    載の酸化触媒。
  98. 【請求項98】 表面の貴金属原子の大部分が促進剤と合金化している請求
    項89記載の酸化触媒。
  99. 【請求項99】 表面の貴金属原子の実質的に全てが促進剤と合金化してい
    る請求項89記載の酸化触媒。
  100. 【請求項100】 温度が少なくとも約500℃である請求項88記載の酸
    化触媒。
  101. 【請求項101】 温度が約550ないし約1200℃である請求項88記
    載の酸化触媒。
  102. 【請求項102】 温度が約550ないし約900℃である請求項88記載
    の酸化触媒。
  103. 【請求項103】 加熱を非酸化性環境で行う請求項88記載の酸化触媒。
  104. 【請求項104】 温度が少なくとも約500℃である請求項103記載の
    酸化触媒。
  105. 【請求項105】 温度が約550ないし約1200℃である請求項103
    記載の酸化触媒。
  106. 【請求項106】 非酸化性環境が、N2および貴ガスよりなる群から選択 される少なくとも1つのガスより実質的になる請求項103記載の酸化触媒。
  107. 【請求項107】 非酸化性環境が還元性環境からなる請求項103記載の
    酸化触媒。
  108. 【請求項108】 温度が少なくとも約500℃である請求項107記載の
    酸化触媒。
  109. 【請求項109】 温度が約550ないし約1200℃である請求項107
    記載の酸化触媒。
  110. 【請求項110】 還元性環境がH2を含んでなる請求項107記載の酸化 触媒。
  111. 【請求項111】 炭素支持体の表面に貴金属を沈積させ、次いで、該表面
    を還元性環境に暴露することを含んでなるプロセスによって製造された酸化触媒
    であって、 該炭素支持体が、貴金属沈積の前に、表面における炭素原子と酸素原子の比率
    がx線光電子分光法によって測定して少なくとも約20:1であるような量で、
    炭素支持体の表面に炭素および酸素を有するものである酸化触媒。
  112. 【請求項112】 触媒の少なくとも0.05重量%が少なくとも1つの促 進剤よりなる請求項111記載の酸化触媒。
  113. 【請求項113】 促進剤が貴金属よりも容易に酸化されるものである請求
    項112記載の酸化触媒。
  114. 【請求項114】 促進剤が、スズ、ビスマス、鉛、カドミウム、マグネシ
    ウム、マンガン、ニッケル、アルミニウム、コバルト、チタン、アンチモン、セ
    レン、鉄、レニウム、セリウム、亜鉛およびジルコニウムよりなる群から選択さ
    れる金属を含んでなる請求項112記載の酸化触媒。
  115. 【請求項115】 促進剤がスズを含んでなる請求項112記載の酸化触媒
  116. 【請求項116】 促進剤が鉄を含んでなる請求項112記載の酸化触媒。
  117. 【請求項117】 促進剤がチタンを含んでなる請求項112記載の酸化触
    媒。
  118. 【請求項118】 少なくとも2つの促進剤が炭素支持体の表面にある請求
    項112記載の酸化触媒。
  119. 【請求項119】 促進剤が鉄およびスズを含んでなる請求項118記載の
    酸化触媒。
  120. 【請求項120】 表面の貴金属原子が促進剤と合金化している請求項11
    2記載の酸化触媒。
  121. 【請求項121】 表面の貴金属原子の大部分が促進剤と合金化している請
    求項112記載の酸化触媒。
  122. 【請求項122】 表面の貴金属原子の実質的に全てが促進剤と合金化して
    いる請求項112記載の酸化触媒。
  123. 【請求項123】 還元性環境がアンモニアを含んでなる請求項111記載
    の酸化触媒。
  124. 【請求項124】 還元性環境がNaBH4を含んでなる請求項111記載 の酸化触媒。
  125. 【請求項125】 酸化触媒を製造する方法であって、炭素支持体の表面に
    貴金属を沈積させ、次いで、該表面を約500℃を超える温度で加熱することを
    含んでなる方法。
  126. 【請求項126】 温度が約550ないし約1200℃である請求項125
    記載の方法。
  127. 【請求項127】 温度が約550ないし約900℃である請求項125記
    載の方法。
  128. 【請求項128】 加熱を非酸化性環境で行う請求項125記載の方法。
  129. 【請求項129】 温度が約550ないし約1200℃である請求項128
    記載の方法。
  130. 【請求項130】 非酸化性環境が、N2および貴ガスよりなる群から選択 される少なくとも1つのガスより実質的になる請求項128記載の方法。
  131. 【請求項131】 非酸化性環境が還元性環境からなる請求項128記載の
    方法。
  132. 【請求項132】 温度が約550ないし約1200℃である請求項131
    記載の方法。
  133. 【請求項133】 還元性環境がH2を含んでなる請求項131記載の方法 。
  134. 【請求項134】 炭素支持体の表面をアンモニアに暴露することをさらに
    含んでなる請求項125記載の方法。
  135. 【請求項135】 炭素支持体の表面を、アンモニウムイオンを含む溶液と
    接触させることをさらに含んでなる請求項125記載の方法。
  136. 【請求項136】 炭素支持体の表面を、貴金属を該表面に沈積させた後に
    、アンモニウムイオンを含む溶液と接触させる請求項135記載の方法。
  137. 【請求項137】 炭素支持体の表面をNaBH4と接触させることをさら に含んでなる請求項125記載の方法。
  138. 【請求項138】 貴金属を表面に沈積させる前に、炭素支持体の表面から
    酸素を除去することをさらに含んでなる請求項125記載の方法。
  139. 【請求項139】 貴金属の最大酸化状態未満の酸化状態にある貴金属を含
    む貴金属前駆体を用いて、炭素支持体の表面に貴金属を沈積させる請求項125
    記載の方法。
  140. 【請求項140】 触媒の少なくとも0.05重量%が少なくとも1つの促 進剤よりなる請求項125記載の方法。
  141. 【請求項141】 促進剤が貴金属よりも容易に酸化されるものである請求
    項140記載の方法。
  142. 【請求項142】 促進剤が、スズ、ビスマス、鉛、カドミウム、マグネシ
    ウム、マンガン、ニッケル、アルミニウム、コバルト、チタン、アンチモン、セ
    レン、鉄、レニウム、セリウム、亜鉛およびジルコニウムよりなる群から選択さ
    れる金属を含んでなる請求項140記載の方法。
  143. 【請求項143】 促進剤がスズを含んでなる請求項140記載の方法。
  144. 【請求項144】 促進剤が鉄を含んでなる請求項140記載の方法。
  145. 【請求項145】 促進剤がチタンを含んでなる請求項140記載の方法。
  146. 【請求項146】 少なくとも2つの促進剤が炭素支持体の表面にある請求
    項140記載の方法。
  147. 【請求項147】 促進剤が鉄およびスズを含んでなる請求項146記載の
    方法。
  148. 【請求項148】 表面の貴金属原子が促進剤と合金化している請求項14
    0記載の方法。
  149. 【請求項149】 表面の貴金属原子の大部分が促進剤と合金化している請
    求項140記載の方法。
  150. 【請求項150】 表面の貴金属原子の実質的に全てが促進剤と合金化して
    いる請求項140記載の方法。
  151. 【請求項151】 炭素支持体の表面に炭素および酸素を有する炭素支持体
    から酸化触媒を製造する方法であって、貴金属を表面に沈積させ、次いで、該表
    面を少なくとも約400℃の温度で加熱することを含んでなり、炭素支持体の表
    面における炭素原子と酸素原子の比率が、貴金属沈積前にx線光電子分光法によ
    って測定して、少なくとも約20:1である方法。
  152. 【請求項152】 触媒の少なくとも0.05重量%が少なくとも1つの促 進剤よりなる請求項151記載の方法。
  153. 【請求項153】 促進剤が貴金属よりも容易に酸化されるものである請求
    項152記載の方法。
  154. 【請求項154】 促進剤が、スズ、ビスマス、鉛、カドミウム、マグネシ
    ウム、マンガン、ニッケル、アルミニウム、コバルト、チタン、アンチモン、セ
    レン、鉄、レニウム、セリウム、亜鉛およびジルコニウムよりなる群から選択さ
    れる金属を含んでなる請求項152記載の方法。
  155. 【請求項155】 促進剤がスズを含んでなる請求項152記載の方法。
  156. 【請求項156】 促進剤が鉄を含んでなる請求項152記載の方法。
  157. 【請求項157】 促進剤がチタンを含んでなる請求項152記載の方法。
  158. 【請求項158】 少なくとも2つの促進剤が炭素支持体の表面に沈積され
    る請求項152記載の方法。
  159. 【請求項159】 促進剤が鉄およびスズを含んでなる請求項158記載の
    方法。
  160. 【請求項160】 表面の貴金属原子が促進剤と合金化している請求項15
    2記載の方法。
  161. 【請求項161】 表面の貴金属原子の大部分が促進剤と合金化している請
    求項152記載の方法。
  162. 【請求項162】 表面の貴金属原子の実質的に全てが促進剤と合金化して
    いる請求項152記載の方法。
  163. 【請求項163】 温度が少なくとも約500℃である請求項151記載の
    方法。
  164. 【請求項164】 温度が約550ないし約1200℃である請求項151
    記載の方法。
  165. 【請求項165】 温度が約550ないし約900℃である請求項151記
    載の方法。
  166. 【請求項166】 加熱を非酸化性環境で行う請求項151記載の方法。
  167. 【請求項167】 温度が少なくとも約500℃である請求項166記載の
    方法。
  168. 【請求項168】 温度が約550ないし約1200℃である請求項166
    記載の方法。
  169. 【請求項169】 非酸化性環境が、N2および貴ガスよりなる群から選択 される少なくとも1つのガスより実質的になる請求項166記載の方法。
  170. 【請求項170】 非酸化性環境が還元性環境からなる請求項166記載の
    方法。
  171. 【請求項171】 温度が少なくとも約500℃である請求項170記載の
    方法。
  172. 【請求項172】 温度が約550ないし約1200℃である請求項170
    記載の方法。
  173. 【請求項173】 還元性環境がH2を含んでなる請求項170記載の方法 。
  174. 【請求項174】 炭素支持体の表面に炭素および酸素を有する炭素支持体
    から酸化触媒を製造する方法であって、貴金属を表面に沈積させ、次いで、該表
    面を還元性環境に暴露することを含んでなり、表面における炭素原子と酸素原子
    の比率が、貴金属沈積前にx線光電子分光法によって測定して、少なくとも約2
    0:1である方法。
  175. 【請求項175】 触媒の少なくとも0.05重量%が少なくとも1つの促 進剤よりなる請求項174記載の方法。
  176. 【請求項176】 促進剤が貴金属よりも容易に酸化される請求項175記
    載の方法。
  177. 【請求項177】 促進剤が、スズ、ビスマス、鉛、カドミウム、マグネシ
    ウム、マンガン、ニッケル、アルミニウム、コバルト、チタン、アンチモン、セ
    レン、鉄、レニウム、セリウム、亜鉛およびジルコニウムよりなる群から選択さ
    れる金属を含んでなる請求項175記載の方法。
  178. 【請求項178】 促進剤がスズを含んでなる請求項175記載の方法。
  179. 【請求項179】 促進剤が鉄を含んでなる請求項175記載の方法。
  180. 【請求項180】 促進剤がチタンを含んでなる請求項175記載の方法。
  181. 【請求項181】 少なくとも2つの促進剤が炭素支持体の表面に沈積され
    る請求項175記載の方法。
  182. 【請求項182】 促進剤が鉄およびスズを含んでなる請求項181記載の
    方法。
  183. 【請求項183】 表面の貴金属原子が促進剤と合金化している請求項17
    5記載の方法。
  184. 【請求項184】 表面の貴金属原子の大部分が促進剤と合金化している請
    求項175記載の方法。
  185. 【請求項185】 表面の貴金属原子の実質的に全てが促進剤と合金化して
    いる請求項175記載の方法。
  186. 【請求項186】 還元性環境がアンモニアを含んでなる請求項174記載
    の方法。
  187. 【請求項187】 貴金属を沈積させた後に、表面を少なくとも約400℃
    に加熱することをさらに含んでなる請求項186記載の方法。
  188. 【請求項188】 加熱を非酸化性環境で行う請求項187記載の方法。
  189. 【請求項189】 還元性環境がNaBH4を含んでなる請求項174記載 の方法。
  190. 【請求項190】 貴金属を炭素支持体の表面に沈積させた後に、該表面を
    少なくとも約400℃の温度に加熱することをさらに含んでなる請求項189記
    載の方法。
  191. 【請求項191】 加熱を非酸化性環境で行う請求項190記載の方法。
  192. 【請求項192】 炭素支持体の表面に炭素および酸素を有する炭素支持体
    から酸化触媒を製造する方法であって、貴金属を表面に沈積させ、次いで、該表
    面を還元性環境に暴露して、表面における炭素原子と酸素原子の比率が、x線光
    電子分光法によって測定して、少なくとも約30:1になるように表面を還元す
    ることを含んでなる方法。
  193. 【請求項193】 炭素原子と酸素原子の比率が少なくとも約40:1であ
    る請求項192記載の方法。
  194. 【請求項194】 炭素原子と酸素原子の比率が少なくとも約50:1であ
    る請求項192記載の方法。
  195. 【請求項195】 炭素原子と酸素原子の比率が少なくとも約60:1であ
    る請求項192記載の方法。
  196. 【請求項196】 表面における酸素原子と貴金属原子の比率が、x線光電
    子分光法によって測定して、7:1未満である請求項192記載の方法。
  197. 【請求項197】 酸素原子と貴金属原子の比率が、約6:1未満である請
    求項196記載の方法。
  198. 【請求項198】 酸素原子と貴金属原子の比率が、約5:1未満である請
    求項196記載の方法。
  199. 【請求項199】 還元性環境がアンモニアを含んでなる請求項192記載
    の方法。
  200. 【請求項200】 還元性環境がNaBH4を含んでなる請求項192記載 の方法。
  201. 【請求項201】 触媒の少なくとも0.05重量%が少なくとも1つの促 進剤よりなる請求項192記載の方法。
  202. 【請求項202】 促進剤が貴金属よりも容易に酸化されるものである請求
    項201記載の方法。
  203. 【請求項203】 促進剤が、スズ、ビスマス、鉛、カドミウム、マグネシ
    ウム、マンガン、ニッケル、アルミニウム、コバルト、チタン、アンチモン、セ
    レン、鉄、レニウム、セリウム、亜鉛およびジルコニウムよりなる群から選択さ
    れる金属を含んでなる請求項201記載の方法。
  204. 【請求項204】 促進剤がスズを含んでなる請求項201記載の方法。
  205. 【請求項205】 促進剤が鉄を含んでなる請求項201記載の方法。
  206. 【請求項206】 促進剤がチタンを含んでなる請求項201記載の方法。
  207. 【請求項207】 少なくとも2つの促進剤が炭素支持体の表面に沈積され
    る請求項201記載の方法。
  208. 【請求項208】 促進剤が鉄およびスズを含んでなる請求項207記載の
    方法。
  209. 【請求項209】 表面の貴金属原子が促進剤と合金化している請求項20
    1記載の方法。
  210. 【請求項210】 表面の貴金属原子の大部分が促進剤と合金化している請
    求項201記載の方法。
  211. 【請求項211】 表面の貴金属原子の実質的に全てが促進剤と合金化して
    いる請求項201記載の方法。
  212. 【請求項212】 酸化触媒を製造する方法であって、炭素支持体の表面に
    貴金属を沈積させ、次いで、該表面を還元性環境に暴露して表面を還元し、ヘリ
    ウム雰囲気中の触媒の乾燥試料を1分あたり約10℃の速度で約20から約90
    0℃まで加熱し、次いで約900℃で約30分間加熱したときに、触媒1gあた
    り約0.7ミリモル以下の一酸化炭素が触媒から脱着されるようにすることを含 んでなる方法。
  213. 【請求項213】 一酸化炭素の生成量が、触媒1gあたり約0.5ミリモ ル以下の一酸化炭素である請求項212記載の方法。
  214. 【請求項214】 一酸化炭素の生成量が、触媒1gあたり約0.3ミリモ ル以下の一酸化炭素である請求項212記載の方法。
  215. 【請求項215】 還元性環境がアンモニアを含んでなる請求項212記載
    の方法。
  216. 【請求項216】 還元性環境がNaBH4を含んでなる請求項212記載 の方法。
  217. 【請求項217】 触媒の少なくとも0.05重量%が少なくとも1つの促 進剤よりなる請求項212記載の方法。
  218. 【請求項218】 促進剤が貴金属よりも容易に酸化されるものである請求
    項217記載の方法。
  219. 【請求項219】 促進剤が、スズ、ビスマス、鉛、カドミウム、マグネシ
    ウム、マンガン、ニッケル、アルミニウム、コバルト、チタン、アンチモン、セ
    レン、鉄、レニウム、セリウム、亜鉛およびジルコニウムよりなる群から選択さ
    れる金属を含んでなる請求項217記載の方法。
  220. 【請求項220】 促進剤がスズを含んでなる請求項217記載の方法。
  221. 【請求項221】 促進剤が鉄を含んでなる請求項217記載の方法。
  222. 【請求項222】 促進剤がチタンを含んでなる請求項217記載の方法。
  223. 【請求項223】 少なくとも2つの促進剤が炭素支持体の表面に沈積され
    る請求項217記載の方法。
  224. 【請求項224】 促進剤が鉄およびスズを含んでなる請求項223記載の
    方法。
  225. 【請求項225】 表面の貴金属原子が促進剤と合金化している請求項21
    7記載の方法。
  226. 【請求項226】 表面の貴金属原子の大部分が促進剤と合金化している請
    求項217記載の方法。
  227. 【請求項227】 表面の貴金属原子の実質的に全てが促進剤と合金化して
    いる請求項217記載の方法。
  228. 【請求項228】 貴金属を可溶化できる混合物中で試薬を酸化する方法で
    あって、該方法は、該混合物を酸素存在下で酸化触媒と接触させることを含んで
    なり、該触媒が、 炭素支持体の表面に貴金属を有する炭素支持体を含んでなり;そして ヘリウム雰囲気中の触媒の乾燥試料を、1分あたり約10℃の速度で約20か
    ら約900℃まで加熱し、次いで約900℃で約30分間加熱したときに、触媒
    1gあたり約1.2ミリモル以下の一酸化炭素を生成することを特徴とする方法 。
  229. 【請求項229】 連続リアクター系で行う請求項228記載の方法。
  230. 【請求項230】 一酸化炭素の生成量が、触媒1gあたり約0.7ミリモ ル以下である請求項228記載の方法。
  231. 【請求項231】 混合物が酸性である請求項228記載の方法。
  232. 【請求項232】 貴金属を可溶化できる混合物中で試薬を酸化する方法で
    あって、該方法は、該混合物を酸素存在下で酸化触媒と接触させることを含んで
    なり、該触媒が、 炭素支持体の表面に貴金属および促進剤を有する炭素支持体を含んでなり;そ
    して 水素雰囲気中で約500℃の温度で約1時間加熱した後であって、水素雰囲気
    中での加熱後に酸化剤に暴露する前に、触媒の乾燥試料を、ヘリウム雰囲気中で
    1分あたり約10℃の速度で約20から約900℃まで加熱し、次いで約900
    ℃で約30分間加熱したときに、触媒1gあたり約1.2ミリモル以下の一酸化 炭素を生成することを特徴とする方法。
  233. 【請求項233】 連続リアクター系で行う請求項232記載の方法。
  234. 【請求項234】 一酸化炭素の生成量が、触媒1gあたり約0.7ミリモ ル以下の一酸化炭素である請求項232記載の方法。
  235. 【請求項235】 触媒の少なくとも0.05重量%が少なくとも1つの促 進剤よりなる請求項232記載の方法。
  236. 【請求項236】 貴金属を可溶化できる混合物中で試薬を酸化する方法で
    あって、該方法は、該混合物を酸素存在下で酸化触媒と接触させることを含んで
    なり、該触媒が、炭素支持体の表面に貴金属、炭素および酸素を有する炭素支持
    体を含んでなり、該表面における炭素原子と酸素原子の比率が、x線光電子分光
    法によって測定して、少なくとも約20:1である方法。
  237. 【請求項237】 連続リアクター系で行う請求項236記載の方法。
  238. 【請求項238】 炭素原子と酸素原子の比率が、少なくとも約30:1で
    ある請求項236記載の方法。
  239. 【請求項239】 貴金属を可溶化できる混合物中で試薬を酸化する方法で
    あって、該方法は、該混合物を酸素存在下で酸化触媒と接触させることを含んで
    なり、該触媒が、 炭素支持体の表面に貴金属、促進剤、炭素および酸素を有する炭素支持体を含
    んでなり、そして 触媒を水素雰囲気中で約500℃の温度で約1時間加熱した後であって、触媒
    を水素雰囲気中での加熱後に酸化剤に暴露する前に、x線光電子分光法によって
    測定したときに、該表面における炭素原子と酸素原子の比率が、少なくとも約2
    0:1であることを特徴とする方法。
  240. 【請求項240】 連続リアクター系で行う請求項239記載の方法。
  241. 【請求項241】 炭素原子と酸素原子の比率が、少なくとも約30:1で
    ある請求項239記載の方法。
  242. 【請求項242】 少なくとも0.05重量%の触媒が少なくとも1つの促 進剤よりなる請求項239記載の方法。
  243. 【請求項243】 貴金属を可溶化できる混合物中で試薬を酸化する方法で
    あって、該方法は、該混合物を酸素存在下で酸化触媒と接触させることを含んで
    なり、 該触媒が、(a)炭素支持体の表面の貴金属;および(b)表面から内側に測定し
    て約50Åの厚みを有し、炭素および酸素を含んでなる表面層;を有する炭素支
    持体を含んでなり、 該表面層における炭素原子と酸素原子の比率が、x線光電子分光法によって測
    定して、少なくとも約20:1である方法。
  244. 【請求項244】 連続リアクター系で行う請求項243記載の方法。
  245. 【請求項245】 炭素原子と酸素原子の比率が、少なくとも約30:1で
    ある請求項243記載の方法。
  246. 【請求項246】 貴金属を可溶化できる混合物中で試薬を酸化する方法で
    あって、該方法は、該混合物を酸素存在下で酸化触媒と接触させることを含んで
    なり、 該触媒が、(a)炭素支持体の表面の貴金属および促進剤;および(b)表面から
    内側に測定して約50Åの厚みを有し、炭素および酸素を含んでなる表面層;を
    有する炭素支持体を含んでなり、 触媒を水素雰囲気中で約500℃の温度で約1時間加熱した後であって、触媒
    を水素雰囲気中での加熱後に酸化剤に暴露する前に、x線光電子分光法によって
    測定したときに、少なくとも約20:1の表面層における炭素原子と酸素原子の
    比率を有することを特徴とする方法。
  247. 【請求項247】 連続リアクター系で行う請求項246記載の方法。
  248. 【請求項248】 炭素原子と酸素原子の比率が、少なくとも約30:1で
    ある請求項246記載の方法。
  249. 【請求項249】 触媒の少なくとも0.05重量%が少なくとも1つの促 進剤よりなる請求項246記載の方法。
  250. 【請求項250】 貴金属を可溶化できる混合物中で試薬を酸化する方法で
    あって、 炭素支持体の表面に貴金属を沈積させ、次いで、該表面を少なくとも約400
    ℃の温度で加熱するプロセスによって酸化触媒を形成し;そして 該混合物を酸素存在下で酸化触媒と接触させる; ことを含んでなる方法。
  251. 【請求項251】 混合物を、連続リアクター系において酸素存在下で酸化
    触媒と接触させる請求項250記載の方法。
  252. 【請求項252】 触媒の少なくとも0.05重量%が少なくとも1つの促 進剤よりなる請求項250記載の方法。
  253. 【請求項253】 促進剤が貴金属よりも容易に酸化されるものである請求
    項252記載の方法。
  254. 【請求項254】 促進剤が、スズ、ビスマス、鉛、カドミウム、マグネシ
    ウム、マンガン、ニッケル、アルミニウム、コバルト、チタン、アンチモン、セ
    レン、鉄、レニウム、セリウム、亜鉛およびジルコニウムよりなる群から選択さ
    れる金属を含んでなる請求項252記載の方法。
  255. 【請求項255】 促進剤がスズを含んでなる請求項252記載の方法。
  256. 【請求項256】 促進剤が鉄を含んでなる請求項252記載の方法。
  257. 【請求項257】 促進剤がチタンを含んでなる請求項252記載の方法。
  258. 【請求項258】 少なくとも2つの促進剤が炭素支持体の表面に沈積され
    る請求項252記載の方法。
  259. 【請求項259】 促進剤が鉄およびスズを含んでなる請求項258記載の
    方法。
  260. 【請求項260】 表面の貴金属原子が促進剤と合金化している請求項25
    2記載の方法。
  261. 【請求項261】 表面の貴金属原子の大部分が促進剤と合金化している請
    求項252記載の方法。
  262. 【請求項262】 表面の貴金属原子の実質的に全てが促進剤と合金化して
    いる請求項252記載の方法。
  263. 【請求項263】 温度が少なくとも約500℃である請求項250記載の
    方法。
  264. 【請求項264】 貴金属沈積前に、炭素支持体が、表面における炭素原子
    と酸素原子の比率がx線光電子分光法によって測定して少なくとも約20:1で
    あるような量で、炭素支持体の表面に炭素および酸素を有する請求項250記載
    の方法。
  265. 【請求項265】 加熱を非酸化性環境で行う請求項250記載の方法。
  266. 【請求項266】 非酸化性環境が還元性環境からなる請求項265記載の
    方法。
  267. 【請求項267】 還元性環境がH2を含んでなる請求項266記載の方法 。
  268. 【請求項268】 貴金属を可溶化できる混合物中で試薬を酸化する方法で
    あって、該方法は、 (a)貴金属を炭素支持体の表面に沈積させ、(b)該表面を還元性環境に暴露す
    ることを含んでなるプロセスによって酸化触媒を形成し;そして 該混合物を酸素存在下で酸化触媒と接触させる; ことを含んでなり、 貴金属沈積前に、炭素支持体が、表面における炭素原子と酸素原子の比率がx
    線光電子分光法によって測定して少なくとも約20:1であるような量で、炭素
    支持体の表面に炭素および酸素を有するものである方法。
  269. 【請求項269】 混合物を、連続リアクター系において酸素存在下で酸化
    触媒と接触させる請求項268記載の方法。
  270. 【請求項270】 触媒の少なくとも0.05重量%が少なくとも1つの促 進剤よりなる請求項268記載の方法。
  271. 【請求項271】 促進剤が貴金属よりも容易に酸化されるものである請求
    項270記載の方法。
  272. 【請求項272】 促進剤が、スズ、ビスマス、鉛、カドミウム、マグネシ
    ウム、マンガン、ニッケル、アルミニウム、コバルト、チタン、アンチモン、セ
    レン、鉄、レニウム、セリウム、亜鉛およびジルコニウムよりなる群から選択さ
    れる金属を含んでなる請求項270記載の方法。
  273. 【請求項273】 促進剤がスズを含んでなる請求項270記載の方法。
  274. 【請求項274】 促進剤が鉄を含んでなる請求項270記載の方法。
  275. 【請求項275】 促進剤がチタンを含んでなる請求項270記載の方法。
  276. 【請求項276】 少なくとも2つの促進剤が炭素支持体の表面に沈積され
    る請求項270記載の方法。
  277. 【請求項277】 促進剤が鉄およびスズを含んでなる請求項276記載の
    方法。
  278. 【請求項278】 表面の貴金属原子が促進剤と合金化している請求項27
    0記載の方法。
  279. 【請求項279】 表面の貴金属原子の大部分が促進剤と合金化している請
    求項270記載の方法。
  280. 【請求項280】 表面の貴金属原子の実質的に全てが促進剤と合金化して
    いる請求項270記載の方法。
  281. 【請求項281】 N−(ホスホノメチル)グリシンまたはその塩を製造する
    方法であって、該方法は、N−(ホスホノメチル)イミノ二酢酸またはその塩を酸
    素存在下で酸化触媒と接触させることを含んでなり、該触媒が、 炭素支持体の表面に貴金属を有する炭素支持体を含んでなり;そして ヘリウム雰囲気中の触媒の乾燥試料を、1分あたり約10℃の速度で約20か
    ら約900℃まで加熱し、次いで約900℃で約30分間加熱したときに、触媒
    1gあたり約1.2ミリモル以下の一酸化炭素を生成することを特徴とする方法 。
  282. 【請求項282】 連続リアクター系で行う請求項281記載の方法。
  283. 【請求項283】 一酸化炭素の生成量が、触媒1gあたり約0.7ミリモ ル以下の一酸化炭素である請求項281記載の方法。
  284. 【請求項284】 一酸化炭素の生成量が、触媒1gあたり約0.5ミリモ ル以下の一酸化炭素である請求項281記載の方法。
  285. 【請求項285】 一酸化炭素の生成量が、触媒1gあたり約0.3ミリモ ル以下の一酸化炭素である請求項281記載の方法。
  286. 【請求項286】 酸化を溶液またはスラリー中で行い、酸素の少なくとも
    約40%が利用されるような速度で、酸素を溶液またはスラリーに導入する請求
    項281記載の方法。
  287. 【請求項287】 酸化を溶液またはスラリー中で行い、酸素の少なくとも
    約60%が利用されるような速度で、酸素を溶液またはスラリーに導入する請求
    項281記載の方法。
  288. 【請求項288】 酸化を溶液またはスラリー中で行い、酸素の少なくとも
    約80%が利用されるような速度で、酸素を溶液またはスラリーに導入する請求
    項281記載の方法。
  289. 【請求項289】 酸化を溶液またはスラリー中で行い、酸素の少なくとも
    約90%が利用されるような速度で、酸素を溶液またはスラリーに導入する請求
    項281記載の方法。
  290. 【請求項290】 酸化を溶液またはスラリー中で行い、試薬の少なくとも
    約80%が消費されるまで、酸素の少なくとも約40%が利用されるような速度
    で、酸素を溶液またはスラリーに導入し、次いで、低下した速度で溶液またはス
    ラリーに導入して、溶液またはスラリー中でのホルムアルデヒドの酸化を増強す
    る請求項281記載の方法。
  291. 【請求項291】 犠牲的還元剤を溶液またはスラリーに導入することをさ
    らに含んでなる請求項281記載の方法。
  292. 【請求項292】 犠牲的還元剤がホルムアルデヒド、ギ酸またはその組合
    せを含んでなる請求項291記載の方法。
  293. 【請求項293】 N−(ホスホノメチル)グリシンまたはその塩を製造する
    方法であって、該方法は、N−(ホスホノメチル)イミノ二酢酸またはその塩を酸
    素存在下で酸化触媒と接触させることを含んでなり、該触媒が、炭素支持体の表
    面に貴金属、炭素および酸素を有する炭素支持体を含んでなり、該表面における
    炭素原子と酸素原子の比率が、x線光電子分光法によって測定して、少なくとも
    約20:1である方法。
  294. 【請求項294】 連続リアクター系で行う請求項293記載の方法。
  295. 【請求項295】 炭素原子と酸素原子の比率が、少なくとも約30:1で
    ある請求項293記載の方法。
  296. 【請求項296】 炭素原子と酸素原子の比率が、少なくとも約40:1で
    ある請求項293記載の方法。
  297. 【請求項297】 炭素原子と酸素原子の比率が、少なくとも約50:1で
    ある請求項293記載の方法。
  298. 【請求項298】 炭素原子と酸素原子の比率が、少なくとも約60:1で
    ある請求項293記載の方法。
  299. 【請求項299】 表面における酸素原子と貴金属原子の比率が、x線光電
    子分光法によって測定して、約8:1未満である請求項293記載の方法。
  300. 【請求項300】 酸素原子と貴金属原子の比率が、約7:1未満である請
    求項299記載の方法。
  301. 【請求項301】 酸素原子と貴金属原子の比率が、約6:1未満である請
    求項299記載の方法。
  302. 【請求項302】 酸素原子と貴金属原子の比率が、約5:1未満である請
    求項299記載の方法。
  303. 【請求項303】 N−(ホスホノメチル)グリシンまたはその塩を製造する
    方法であって、該方法は、N−(ホスホノメチル)イミノ二酢酸またはその塩を酸
    素存在下で酸化触媒と接触させることを含んでなり、 該触媒が、(a)炭素支持体の表面の貴金属;および(b)表面から内側に測定し
    て約50Åの厚みを有し、炭素および酸素を含んでなる表面層;を有する炭素支
    持体を含んでなり、 該表面層における炭素原子と酸素原子の比率が、x線光電子分光法によって測
    定して、少なくとも約20:1である方法。
  304. 【請求項304】 連続リアクター系で行う請求項303記載の方法。
  305. 【請求項305】 炭素原子と酸素原子の比率が、少なくとも約30:1で
    ある請求項303記載の方法。
  306. 【請求項306】 炭素原子と酸素原子の比率が、少なくとも約40:1で
    ある請求項303記載の方法。
  307. 【請求項307】 炭素原子と酸素原子の比率が、少なくとも約50:1で
    ある請求項303記載の方法。
  308. 【請求項308】 炭素原子と酸素原子の比率が、少なくとも約60:1で
    ある請求項303記載の方法。
  309. 【請求項309】 表面層における酸素原子と貴金属原子の比率が、x線光
    電子分光法によって測定して、約8:1未満である請求項303記載の方法。
  310. 【請求項310】 酸素原子と貴金属原子の比率が、約7:1未満である請
    求項309記載の方法。
  311. 【請求項311】 酸素原子と貴金属原子の比率が、約6:1未満である請
    求項309記載の方法。
  312. 【請求項312】 酸素原子と貴金属原子の比率が、約5:1未満である請
    求項309記載の方法。
  313. 【請求項313】 N−(ホスホノメチル)グリシンまたはその塩を製造する
    方法であって、 炭素支持体の表面に貴金属を沈積させ、次いで、該表面を少なくとも約400
    ℃の温度で加熱するプロセスによって酸化触媒を形成し;そして N−(ホスホノメチル)イミノ二酢酸またはその塩を酸素存在下で酸化触媒と接
    触させる; ことを含んでなる方法。
  314. 【請求項314】 N−(ホスホノメチル)イミノ二酢酸またはその塩を、連
    続リアクター系において酸素存在下で酸化触媒と接触させる請求項313記載の
    方法。
  315. 【請求項315】 温度が少なくとも約500℃である請求項313記載の
    方法。
  316. 【請求項316】 温度が約550ないし約1200℃である請求項313
    記載の方法。
  317. 【請求項317】 温度が約550ないし約900℃である請求項313記
    載の方法。
  318. 【請求項318】 貴金属沈積前に、炭素支持体が、表面における炭素原子
    と酸素原子の比率がx線光電子分光法によって測定して少なくとも約20:1で
    あるような量で、炭素支持体の表面に炭素および酸素を有する請求項313記載
    の方法。
  319. 【請求項319】 加熱を非酸化性環境で行う請求項313記載の方法。
  320. 【請求項320】 温度が少なくとも約500℃である請求項319記載の
    方法。
  321. 【請求項321】 温度が約550ないし約1200℃である請求項319
    記載の方法。
  322. 【請求項322】 非酸化性環境が、N2および貴ガスよりなる群から選択 される少なくとも1つのガスより実質的になる請求項319記載の方法。
  323. 【請求項323】 貴金属沈積前に、炭素支持体が、貴金属沈積前の表面に
    おける炭素原子と酸素原子の比率がx線光電子分光法によって測定して少なくと
    も約20:1であるような量で、炭素支持体の表面に炭素および酸素を有する請
    求項319記載の方法。
  324. 【請求項324】 非酸化性環境が還元性環境からなる請求項319記載の
    方法。
  325. 【請求項325】 温度が少なくとも約500℃である請求項324記載の
    方法。
  326. 【請求項326】 温度が約550℃ないし約1200℃である請求項32
    4記載の方法。
  327. 【請求項327】 還元性環境がH2を含んでなる請求項324記載の方法 。
  328. 【請求項328】 貴金属沈積前に、炭素支持体が、貴金属沈積前の表面に
    おける炭素原子と酸素原子の比率がx線光電子分光法によって測定して少なくと
    も約20:1であるような量で、炭素支持体の表面に炭素および酸素を有する請
    求項324記載の方法。
  329. 【請求項329】 N−(ホスホノメチル)グリシンまたはその塩を製造する
    方法であって、該方法は、 (a)貴金属を炭素支持体の表面に沈積させ、(b)該表面を還元性環境に暴露す
    ることを含んでなるプロセスによって酸化触媒を形成し;そして N−(ホスホノメチル)イミノ二酢酸またはその塩を、酸素存在下で酸化触媒と
    接触させる; ことを含んでなり、 貴金属沈積前に、炭素支持体が、表面における炭素原子と酸素原子の比率がx
    線光電子分光法によって測定して少なくとも約20:1であるような量で、炭素
    支持体の表面に炭素および酸素を有するものである方法。
  330. 【請求項330】 N−(ホスホノメチル)イミノ二酢酸またはその塩を、連
    続リアクター系において酸素存在下で酸化触媒と接触させる請求項329記載の
    方法。
  331. 【請求項331】 還元性環境がアンモニアを含んでなる請求項329記載
    の方法。
  332. 【請求項332】 還元性環境がNaBH4を含んでなる請求項329記載 の方法。
  333. 【請求項333】 N−(ホスホノメチル)グリシンまたはその塩を製造する
    方法であって、N−(ホスホノメチル)イミノ二酢酸またはその塩を、酸素存在下
    で、炭素支持体の表面に貴金属、促進剤、炭素および酸素を有する炭素支持体を
    含む触媒と接触させることを含んでなる方法。
  334. 【請求項334】 連続リアクター系において接触させる請求項333記載
    の方法。
  335. 【請求項335】 触媒の少なくとも0.05重量%が少なくとも1つの促 進剤よりなる請求項333記載の方法。
  336. 【請求項336】 促進剤が貴金属よりも容易に酸化されるものである請求
    項333記載の方法。
  337. 【請求項337】 促進剤が、スズ、ビスマス、鉛、カドミウム、マグネシ
    ウム、マンガン、ニッケル、アルミニウム、コバルト、チタン、アンチモン、セ
    レン、鉄、レニウム、セリウム、亜鉛およびジルコニウムよりなる群から選択さ
    れる金属を含んでなる請求項333記載の方法。
  338. 【請求項338】 促進剤がスズを含んでなる請求項333記載の方法。
  339. 【請求項339】 促進剤が鉄を含んでなる請求項333記載の方法。
  340. 【請求項340】 促進剤がチタンを含んでなる請求項333記載の方法。
  341. 【請求項341】 少なくとも2つの促進剤が炭素支持体の表面にある請求
    項333記載の方法。
  342. 【請求項342】 促進剤が鉄およびスズを含んでなる請求項341記載の
    方法。
  343. 【請求項343】 表面の貴金属原子が促進剤と合金化している請求項33
    3記載の方法。
  344. 【請求項344】 表面の貴金属原子の大部分が促進剤と合金化している請
    求項333記載の方法。
  345. 【請求項345】 表面の貴金属原子の実質的に全てが促進剤と合金化して
    いる請求項333記載の方法。
  346. 【請求項346】 触媒を水素雰囲気中で約500℃の温度で約1時間加熱
    した後であって、触媒を水素雰囲気中での加熱後に酸化剤に暴露する前に、x線
    光電子分光法によって測定したときに、触媒が、少なくとも約20:1の表面に
    おける炭素原子と酸素原子の比率を有することを特徴とする請求項333記載の
    方法。
  347. 【請求項347】 炭素原子と酸素原子の比率が、少なくとも約30:1で
    ある請求項346記載の方法。
  348. 【請求項348】 炭素原子と酸素原子の比率が、少なくとも約40:1で
    ある請求項346記載の方法。
  349. 【請求項349】 炭素原子と酸素原子の比率が、少なくとも約50:1で
    ある請求項346記載の方法。
  350. 【請求項350】 炭素原子と酸素原子の比率が、少なくとも約60:1で
    ある請求項346記載の方法。
  351. 【請求項351】 触媒を水素雰囲気中で約500℃の温度で約1時間加熱
    した後であって、触媒を水素雰囲気中での加熱後に酸化剤に暴露する前に、触媒
    が、約8:1未満の表面における酸素原子と貴金属原子の比率を有することをさ
    らに特徴とする請求項346記載の方法。
  352. 【請求項352】 酸素原子と貴金属原子の比率が、約7:1未満である請
    求項351記載の方法。
  353. 【請求項353】 酸素原子と貴金属原子の比率が、約6:1未満である請
    求項351記載の方法。
  354. 【請求項354】 酸素原子と貴金属原子の比率が、約5:1未満である請
    求項351記載の方法。
  355. 【請求項355】 水素雰囲気中で約500℃の温度で約1時間加熱した後
    であって、水素雰囲気中での加熱後に酸化剤に暴露する前に、触媒の乾燥試料を
    、ヘリウム雰囲気中で1分あたり約10℃の速度で約20から約900℃まで加
    熱し、次いで約900℃で約30分間加熱したときに、触媒が、触媒1gあたり
    約1.2ミリモル以下の一酸化炭素を生成することを特徴とする請求項333記 載の方法。
  356. 【請求項356】 一酸化炭素の生成量が、触媒1gあたり約0.7ミリモ ル以下の一酸化炭素である請求項355記載の方法。
  357. 【請求項357】 一酸化炭素の生成量が、触媒1gあたり約0.5ミリモ ル以下の一酸化炭素である請求項355記載の方法。
  358. 【請求項358】 一酸化炭素の生成量が、触媒1gあたり約0.3ミリモ ル以下の一酸化炭素である請求項355記載の方法。
  359. 【請求項359】 N−(ホスホノメチル)グリシンまたはその塩を製造する
    方法であって、該方法は、N−(ホスホノメチル)イミノ二酢酸またはその塩を酸
    素存在下で酸化触媒と接触させることを含んでなり、 該触媒が、(a)炭素支持体の表面の貴金属および促進剤;および(b)表面から
    内側に測定して約50Åの厚みを有し、炭素および酸素を含んでなる表面層;を
    有する炭素支持体を含んでなり、 触媒を水素雰囲気中で約500℃の温度で約1時間加熱した後であって、触媒
    を水素雰囲気中での加熱後に酸化剤に暴露する前に、x線光電子分光法によって
    測定したときに、該触媒が、少なくとも約20:1の表面層における炭素原子と
    酸素原子の比率を有することを特徴とする方法。
  360. 【請求項360】 連続リアクター系において接触させる請求項359記載
    の方法。
  361. 【請求項361】 炭素原子と酸素原子の比率が、少なくとも約30:1で
    ある請求項359記載の方法。
  362. 【請求項362】 炭素原子と酸素原子の比率が、少なくとも約40:1で
    ある請求項359記載の方法。
  363. 【請求項363】 炭素原子と酸素原子の比率が、少なくとも約50:1で
    ある請求項359記載の方法。
  364. 【請求項364】 炭素原子と酸素原子の比率が、少なくとも約60:1で
    ある請求項359記載の方法。
  365. 【請求項365】 触媒を水素雰囲気中で約500℃の温度で約1時間加熱
    した後であって、触媒を水素雰囲気中での加熱後に酸化剤に暴露する前に、触媒
    が、約8:1未満の表面層における酸素原子と貴金属原子の比率を有することを
    さらに特徴とする請求項359記載の方法。
  366. 【請求項366】 酸素原子と貴金属原子の比率が、約7:1未満である請
    求項365記載の方法。
  367. 【請求項367】 酸素原子と貴金属原子の比率が、約6:1未満である請
    求項365記載の方法。
  368. 【請求項368】 酸素原子と貴金属原子の比率が、約5:1未満である請
    求項365記載の方法。
  369. 【請求項369】 触媒の少なくとも0.05重量%が少なくとも1つの促 進剤よりなる請求項359記載の方法。
  370. 【請求項370】 促進剤が貴金属よりも容易に酸化されるものである請求
    項359記載の方法。
  371. 【請求項371】 促進剤が、スズ、ビスマス、鉛、カドミウム、マグネシ
    ウム、マンガン、ニッケル、アルミニウム、コバルト、チタン、アンチモン、セ
    レン、鉄、レニウム、セリウム、亜鉛およびジルコニウムよりなる群から選択さ
    れる金属を含んでなる請求項359記載の方法。
  372. 【請求項372】 促進剤がスズを含んでなる請求項359記載の方法。
  373. 【請求項373】 促進剤が鉄を含んでなる請求項359記載の方法。
  374. 【請求項374】 促進剤がチタンを含んでなる請求項359記載の方法。
  375. 【請求項375】 少なくとも2つの促進剤が炭素支持体の表面にある請求
    項359記載の方法。
  376. 【請求項376】 促進剤が鉄およびスズを含んでなる請求項375記載の
    方法。
  377. 【請求項377】 表面の貴金属原子が促進剤と合金化している請求項35
    9記載の方法。
  378. 【請求項378】 表面の貴金属原子の大部分が促進剤と合金化している請
    求項359記載の方法。
  379. 【請求項379】 表面の貴金属原子の実質的に全てが促進剤と合金化して
    いる請求項359記載の方法。
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