JP2002289555A - 炭化珪素半導体用電極及びそれを備える炭化珪素半導体素子並びにそれらの製造方法 - Google Patents
炭化珪素半導体用電極及びそれを備える炭化珪素半導体素子並びにそれらの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高温環境においても安定に動作し得るｐ型Ｓ
ｉＣ半導体用オーミック電極及びその製造方法を提供す
る。また、このオーミック電極を備える炭化珪素半導体
素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 ＳｉＣ半導体用電極であって、ｐ型Ｓｉ
Ｃからなる半導体の表面に形成されたｐ型Ｓｉ層と、こ
のＳｉ層の表面に形成されたＰｔＳｉ等の金属珪化物か
らなる金属珪化物層と、を有するオーミック電極を得
る。ｐ型Ｓｉ層は、上記ｐ型ＳｉＣと同程度若しくはそ
れ以上のキャリア濃度を有するｐ型Ｓｉにより形成する
ことが好ましい。また、Ｓｉを堆積し、金属珪化物をレ
ーザアブレーション法により堆積した後、レーザ照射し
て、オーミック化するとともに、堆積層とｐ型ＳｉＣ半
導体との密着性を向上させ、その後、レーザアブレーシ
ョン法により更に金属珪化物を堆積して電極を作製する
ことが好ましい。
ｉＣ半導体用オーミック電極及びその製造方法を提供す
る。また、このオーミック電極を備える炭化珪素半導体
素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 ＳｉＣ半導体用電極であって、ｐ型Ｓｉ
Ｃからなる半導体の表面に形成されたｐ型Ｓｉ層と、こ
のＳｉ層の表面に形成されたＰｔＳｉ等の金属珪化物か
らなる金属珪化物層と、を有するオーミック電極を得
る。ｐ型Ｓｉ層は、上記ｐ型ＳｉＣと同程度若しくはそ
れ以上のキャリア濃度を有するｐ型Ｓｉにより形成する
ことが好ましい。また、Ｓｉを堆積し、金属珪化物をレ
ーザアブレーション法により堆積した後、レーザ照射し
て、オーミック化するとともに、堆積層とｐ型ＳｉＣ半
導体との密着性を向上させ、その後、レーザアブレーシ
ョン法により更に金属珪化物を堆積して電極を作製する
ことが好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高温環境において
も安定に動作可能な炭化珪素半導体用電極、より具体的
にはｐ型炭化珪素半導体用オーミック電極、及びそれを
備える炭化珪素半導体素子、並びにこれら電極及び素子
の製造方法に関する。
も安定に動作可能な炭化珪素半導体用電極、より具体的
にはｐ型炭化珪素半導体用オーミック電極、及びそれを
備える炭化珪素半導体素子、並びにこれら電極及び素子
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】炭化珪素（ＳｉＣ）は、バンドギャップ
が２．３〜３ｅＶ程度（３Ｃ−ＳｉＣでは２．２３ｅ
Ｖ、６Ｈ−ＳｉＣでは３．０３ｅＶ、４Ｈ−ＳｉＣでは
３．２６ｅＶである。但し、Ｃは立方晶（ｃｕｂｉｃ）
を、Ｈは六方晶（ｈｅｘａｇｏｎａ１）を表わす。尚、
Ｃ及びＨに付された３、４、６といった数値は、結晶構
造の繰り返し周期を表わす。）と大きい。そのため、６
００℃前後の高温においても半導体特性が維持され、高
温環境でも動作可能な半導体素子への応用が期待されて
いる。
が２．３〜３ｅＶ程度（３Ｃ−ＳｉＣでは２．２３ｅ
Ｖ、６Ｈ−ＳｉＣでは３．０３ｅＶ、４Ｈ−ＳｉＣでは
３．２６ｅＶである。但し、Ｃは立方晶（ｃｕｂｉｃ）
を、Ｈは六方晶（ｈｅｘａｇｏｎａ１）を表わす。尚、
Ｃ及びＨに付された３、４、６といった数値は、結晶構
造の繰り返し周期を表わす。）と大きい。そのため、６
００℃前後の高温においても半導体特性が維持され、高
温環境でも動作可能な半導体素子への応用が期待されて
いる。
【０００３】このようなＳｉＣを用いた耐熱性を有する
半導体素子を作製するうえで、重要なのはｎ及びｐ両型
における安定なオーミック電極の形成である。この電極
の形成について、例えば、特開平８−１３９０５１号公
報には、炭化珪素結晶からなる基板表面に形成した金属
を炭化し、熱処理することによってオーミック電極を形
成する方法が開示されている。
半導体素子を作製するうえで、重要なのはｎ及びｐ両型
における安定なオーミック電極の形成である。この電極
の形成について、例えば、特開平８−１３９０５１号公
報には、炭化珪素結晶からなる基板表面に形成した金属
を炭化し、熱処理することによってオーミック電極を形
成する方法が開示されている。
【０００４】また、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ＥＬＥＣＴ
ＲＯＮＩＣ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ（Ｖｏｌ．２９，Ｎ
ｏ．３，３９１−３９７，２０００）には、ｐ型ＳｉＣ
層にｐ−Ｓｉ／Ｔａを堆積し、１１００℃で５分、Ｈ2
−Ａｒガス雰囲気において熱処理することにより、Ｔａ
がＳｉと反応してＴａＳｉ2になり、界面付近にＳｉを
多く含むｐ型ＳｉＣが生じ、オーミック電極が形成され
たという実験結果が報告されている。
ＲＯＮＩＣ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ（Ｖｏｌ．２９，Ｎ
ｏ．３，３９１−３９７，２０００）には、ｐ型ＳｉＣ
層にｐ−Ｓｉ／Ｔａを堆積し、１１００℃で５分、Ｈ2
−Ａｒガス雰囲気において熱処理することにより、Ｔａ
がＳｉと反応してＴａＳｉ2になり、界面付近にＳｉを
多く含むｐ型ＳｉＣが生じ、オーミック電極が形成され
たという実験結果が報告されている。
【０００５】更に、ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹＳＩＣＳ
ＬＥＴＴＥＲＳ（Ｖｏｌ．７３，Ｎｏ．１４，２００９
−２０１１，１９９８）には、ｐ型４Ｈ−ＳｉＣ層にＳ
ｉ／Ｐｔを堆積し、１０００℃以上の温度で熱処理する
ことによってオーミック電極を形成した実験結果が記載
されている。そして、１１００℃で熱処理することによ
り、ＰｔとＳｉＣが反応してＰｔとＳｉとＣの混合層が
生成していることが、オージェ電子分光法により確認さ
れ、また、その混合層は表面荒れを生じていたことが報
告されている。
ＬＥＴＴＥＲＳ（Ｖｏｌ．７３，Ｎｏ．１４，２００９
−２０１１，１９９８）には、ｐ型４Ｈ−ＳｉＣ層にＳ
ｉ／Ｐｔを堆積し、１０００℃以上の温度で熱処理する
ことによってオーミック電極を形成した実験結果が記載
されている。そして、１１００℃で熱処理することによ
り、ＰｔとＳｉＣが反応してＰｔとＳｉとＣの混合層が
生成していることが、オージェ電子分光法により確認さ
れ、また、その混合層は表面荒れを生じていたことが報
告されている。
【０００６】このようなオーミック電極の形成におい
て、ｎ型結晶の場合は、ｎ型半導体より仕事関数が小さ
い金属等を選択すれば、オーム性の接合を有するオーミ
ック電極を形成することができる。この金属等として
は、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、ＮｉＳｉｘ（珪化ニッケ
ル）、ＴａＳｉｘ（珪化タンタル）及びＷＳｉｘ（珪化
タングステン）等の金属単体、合金、化合物の他、これ
らの混合物などを使用することができる。これらはいず
れも融点が高く、耐熱性に優れており、６００℃程度の
高温環境においても安定して使用し得ることが知られて
いる。
て、ｎ型結晶の場合は、ｎ型半導体より仕事関数が小さ
い金属等を選択すれば、オーム性の接合を有するオーミ
ック電極を形成することができる。この金属等として
は、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、ＮｉＳｉｘ（珪化ニッケ
ル）、ＴａＳｉｘ（珪化タンタル）及びＷＳｉｘ（珪化
タングステン）等の金属単体、合金、化合物の他、これ
らの混合物などを使用することができる。これらはいず
れも融点が高く、耐熱性に優れており、６００℃程度の
高温環境においても安定して使用し得ることが知られて
いる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】一方、ｐ型結晶におい
ては、ｐ型半導体より仕事関数が大きい金属等を選択す
れば、オーム性の接合を有するオーミック電極を形成す
ることができるが、そのような金属等はこれまで知られ
ていない。そのため、Ａｌの他、Ｔｉ／Ａｌ（ここで、
「Ｔｉ／Ａｌ」とは、半導体の表面からＴｉ、Ａ１がこ
の順に積層された電極であることを意味する。以下も同
様である。）、Ａｌ／Ｔｉ、Ａｌ／Ｎｉ等のｐ型ドーパ
ントであるＡｌの拡散を利用したものが用いられてい
る。また、ＰｔＳｉｘ（珪化白金）、ＴａＳｉｘ（珪化
タンタル）等の金属珪化物と、基板のＳｉとの反応を利
用したものが使用されている。しかし、Ａｌを含有する
ものはＡ１の融点が６６０℃と低いため、高温環境にお
いて安定して使用することができない。
ては、ｐ型半導体より仕事関数が大きい金属等を選択す
れば、オーム性の接合を有するオーミック電極を形成す
ることができるが、そのような金属等はこれまで知られ
ていない。そのため、Ａｌの他、Ｔｉ／Ａｌ（ここで、
「Ｔｉ／Ａｌ」とは、半導体の表面からＴｉ、Ａ１がこ
の順に積層された電極であることを意味する。以下も同
様である。）、Ａｌ／Ｔｉ、Ａｌ／Ｎｉ等のｐ型ドーパ
ントであるＡｌの拡散を利用したものが用いられてい
る。また、ＰｔＳｉｘ（珪化白金）、ＴａＳｉｘ（珪化
タンタル）等の金属珪化物と、基板のＳｉとの反応を利
用したものが使用されている。しかし、Ａｌを含有する
ものはＡ１の融点が６６０℃と低いため、高温環境にお
いて安定して使用することができない。
【０００８】更に、金属珪化物を電極に使用する場合
は、一般に、熱処理等により金属珪化物とＳｉＣとを反
応させてオーミック電極を形成する。しかし、この方法
では、ＳｉＣ層の表面のＳｉが金属珪化物の側に吸収さ
れ、ＳｉＣ層の表面にＳｉ欠乏層、言い換えればＣ偏析
層が生ずる。一方、金属珪化物は、Ｓｉと反応した部分
と、反応していない部分とを生じ、電極の厚さがばらつ
いたりすることもある。尚、珪化物を形成する金属を単
体として電極に用いた場合も、同様な問題が発生するこ
とが、容易に推測される。
は、一般に、熱処理等により金属珪化物とＳｉＣとを反
応させてオーミック電極を形成する。しかし、この方法
では、ＳｉＣ層の表面のＳｉが金属珪化物の側に吸収さ
れ、ＳｉＣ層の表面にＳｉ欠乏層、言い換えればＣ偏析
層が生ずる。一方、金属珪化物は、Ｓｉと反応した部分
と、反応していない部分とを生じ、電極の厚さがばらつ
いたりすることもある。尚、珪化物を形成する金属を単
体として電極に用いた場合も、同様な問題が発生するこ
とが、容易に推測される。
【０００９】本発明は、上記の従来技術に鑑みてなされ
たものであり、オーミック電極を形成する際の熱処理等
における金属の珪化による炭化珪素半導体（ＳｉＣ半導
体）との反応を、抵抗の低い珪素層（Ｓｉ層）を介在さ
せることにより減少させ、熱的に安定なオーミック電極
からなる炭化珪素半導体用電極を提供することを目的と
する。また、本発明は、この炭化珪素半導体用電極を備
える炭化珪素半導体素子、並びにこれら電極及び素子の
製造方法を提供することを目的とする。
たものであり、オーミック電極を形成する際の熱処理等
における金属の珪化による炭化珪素半導体（ＳｉＣ半導
体）との反応を、抵抗の低い珪素層（Ｓｉ層）を介在さ
せることにより減少させ、熱的に安定なオーミック電極
からなる炭化珪素半導体用電極を提供することを目的と
する。また、本発明は、この炭化珪素半導体用電極を備
える炭化珪素半導体素子、並びにこれら電極及び素子の
製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の炭化珪素半導体
用電極では、ｐ型ＳｉＣ半導体と金属珪化物層との間に
ｐ型Ｓｉ層を介在させることにより、珪化の際のＳｉＣ
半導体の表層におけるＳｉの欠乏が回避される構造とな
っている。また、このＳｉ層を、ＳｉＣと同程度若しく
はそれ以上のキャリア濃度を有するＳｉを用いて形成す
ることにより、ＳｉＣ半導体とＳｉ層との接触抵抗を低
下させ、オーミック電極としての特性を向上させる構造
となっている。尚、上記ｐ型ＳｉＣ半導体は、ｎ型Ｓｉ
Ｃからなる半導体にドーピングにより形成されたｐ型Ｓ
ｉＣ半導体領域であってもよい。
用電極では、ｐ型ＳｉＣ半導体と金属珪化物層との間に
ｐ型Ｓｉ層を介在させることにより、珪化の際のＳｉＣ
半導体の表層におけるＳｉの欠乏が回避される構造とな
っている。また、このＳｉ層を、ＳｉＣと同程度若しく
はそれ以上のキャリア濃度を有するＳｉを用いて形成す
ることにより、ＳｉＣ半導体とＳｉ層との接触抵抗を低
下させ、オーミック電極としての特性を向上させる構造
となっている。尚、上記ｐ型ＳｉＣ半導体は、ｎ型Ｓｉ
Ｃからなる半導体にドーピングにより形成されたｐ型Ｓ
ｉＣ半導体領域であってもよい。
【００１１】ＳｉＣには、３Ｃ−ＳｉＣ、４Ｈ−Ｓｉ
Ｃ、６Ｈ−ＳｉＣ等の多くのポリタイプがあるが、本発
明ではいずれの結晶構造のものも使用することができ
る。また、Ｓｉ層は、ＳｉＣと同じ伝導型を有するＳｉ
により形成され、上記のようにＳｉのキャリア濃度が使
用されるＳｉＣと同程度若しくはそれ以上であることが
好ましい。
Ｃ、６Ｈ−ＳｉＣ等の多くのポリタイプがあるが、本発
明ではいずれの結晶構造のものも使用することができ
る。また、Ｓｉ層は、ＳｉＣと同じ伝導型を有するＳｉ
により形成され、上記のようにＳｉのキャリア濃度が使
用されるＳｉＣと同程度若しくはそれ以上であることが
好ましい。
【００１２】Ｓｉの堆積は、電子ビーム蒸着法、化学気
相堆積法、スパッタリング法、レーザアブレーション法
等の従来の方法により行うことができ、特に限定はされ
ないが、レーザアブレーション法により堆積することが
好ましい。一方、金属珪化物はレーザアブレーション法
により堆積され、金属珪化物層が形成される。また、金
属珪化物層の組成ずれを防止し、良好なオーミック性を
確保する観点から、レーザアブレーション法により金属
珪化物を堆積させた後、レーザ照射及び／又は熱処理を
行って、オーミック性を向上させるとともに、ＳｉＣ半
導体とＳｉ層及び金属珪化物層との密着性を高めること
が好ましい。
相堆積法、スパッタリング法、レーザアブレーション法
等の従来の方法により行うことができ、特に限定はされ
ないが、レーザアブレーション法により堆積することが
好ましい。一方、金属珪化物はレーザアブレーション法
により堆積され、金属珪化物層が形成される。また、金
属珪化物層の組成ずれを防止し、良好なオーミック性を
確保する観点から、レーザアブレーション法により金属
珪化物を堆積させた後、レーザ照射及び／又は熱処理を
行って、オーミック性を向上させるとともに、ＳｉＣ半
導体とＳｉ層及び金属珪化物層との密着性を高めること
が好ましい。
【００１３】更に、電極の厚さが、例えば、１００ｎｍ
以上と比較的厚い場合は、レーザアブレーション法によ
り金属珪化物を一部堆積させた後、レーザ照射及び／又
は熱処理を行って、オーミック性を向上させるととも
に、ＳｉＣ半導体とＳｉ層及び金属珪化物層との密着性
を高め、その後、金属珪化物を更に堆積させて所定厚さ
の電極とすることが好ましい。これにより、確実にオー
ミック化することができ、且つＳｉＣ半導体と電極とを
十分に密着させることができる。
以上と比較的厚い場合は、レーザアブレーション法によ
り金属珪化物を一部堆積させた後、レーザ照射及び／又
は熱処理を行って、オーミック性を向上させるととも
に、ＳｉＣ半導体とＳｉ層及び金属珪化物層との密着性
を高め、その後、金属珪化物を更に堆積させて所定厚さ
の電極とすることが好ましい。これにより、確実にオー
ミック化することができ、且つＳｉＣ半導体と電極とを
十分に密着させることができる。
【００１４】このオーミック化と密着性の向上は、レー
ザ照射及び熱処理のいずれの方法で行ってもよいが、オ
ーミック化にともなう電極材のＳｉＣ半導体への拡散を
より浅くするためには、レーザ照射により行うことが好
ましい。レーザ照射の場合は、例えば、ＫｒＦエキシマ
レーザ（λ＝２４８ｎｍ、τｐ＝２０ｎｓ）をエネルギ
ー密度１〜２Ｊ／ｃｍ2で５０〜２００パルス照射する
ことにより、十分にオーミック化することができるとと
もに密着性も向上する。一方、熱処理の場合は、８００
〜１２００℃で１分〜１時間程度加熱することにより、
同様にオーミック化させ、密着性を向上させることがで
きる。
ザ照射及び熱処理のいずれの方法で行ってもよいが、オ
ーミック化にともなう電極材のＳｉＣ半導体への拡散を
より浅くするためには、レーザ照射により行うことが好
ましい。レーザ照射の場合は、例えば、ＫｒＦエキシマ
レーザ（λ＝２４８ｎｍ、τｐ＝２０ｎｓ）をエネルギ
ー密度１〜２Ｊ／ｃｍ2で５０〜２００パルス照射する
ことにより、十分にオーミック化することができるとと
もに密着性も向上する。一方、熱処理の場合は、８００
〜１２００℃で１分〜１時間程度加熱することにより、
同様にオーミック化させ、密着性を向上させることがで
きる。
【００１５】金属珪化物層を形成するための金属珪化物
としては、白金族元素、ＩＶａ族元素、Ｖａ族元素、Ｖ
Ｉａ族元素及びＶＩＩＩ族元素から選ばれる少なくとも
１種の金属元素の珪化物を使用することができる。これ
らのうちでは、白金族元素、特にＰｔが多用され、その
他では、Ｔａ、Ｎｉ、Ｗ等が用いられる。
としては、白金族元素、ＩＶａ族元素、Ｖａ族元素、Ｖ
Ｉａ族元素及びＶＩＩＩ族元素から選ばれる少なくとも
１種の金属元素の珪化物を使用することができる。これ
らのうちでは、白金族元素、特にＰｔが多用され、その
他では、Ｔａ、Ｎｉ、Ｗ等が用いられる。
【００１６】Ｓｉ層及びオーミック化する前の金属珪化
物層の各々の厚さは特に限定されないが、レーザ照射に
よりオーミック化する場合は、レーザ光がＳｉＣ半導体
層の表面に到達し得る程度の厚さにする必要がある。そ
のため、レーザ照射前のＳｉ層と金属珪化物層との合計
厚さを、１〜１００ｎｍ、特に５〜７０ｎｍ、更には１
０〜４０ｎｍとすることが好ましい。この合計厚さが１
ｎｍ未満であると、レーザ光を照射した際にアブレーシ
ョンされてしまって堆積されたＳｉ及び金属珪化物が消
失してしまうことがある。一方、１００ｎｍを越えて厚
いと、レーザ光がＳｉＣ半導体の表面に到達できず、十
分にオーミック化されないことがある。尚、レーザ照射
前のＳｉ層と金属珪化物層との厚さの比は特に限定され
ないが、Ｓｉ層が金属珪化物層より薄いほうが好まし
い。また、オーミック化の後、更に金属珪化物が堆積さ
れて形成される電極の全厚さも限定はされない。
物層の各々の厚さは特に限定されないが、レーザ照射に
よりオーミック化する場合は、レーザ光がＳｉＣ半導体
層の表面に到達し得る程度の厚さにする必要がある。そ
のため、レーザ照射前のＳｉ層と金属珪化物層との合計
厚さを、１〜１００ｎｍ、特に５〜７０ｎｍ、更には１
０〜４０ｎｍとすることが好ましい。この合計厚さが１
ｎｍ未満であると、レーザ光を照射した際にアブレーシ
ョンされてしまって堆積されたＳｉ及び金属珪化物が消
失してしまうことがある。一方、１００ｎｍを越えて厚
いと、レーザ光がＳｉＣ半導体の表面に到達できず、十
分にオーミック化されないことがある。尚、レーザ照射
前のＳｉ層と金属珪化物層との厚さの比は特に限定され
ないが、Ｓｉ層が金属珪化物層より薄いほうが好まし
い。また、オーミック化の後、更に金属珪化物が堆積さ
れて形成される電極の全厚さも限定はされない。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、実施例により本発明を更に
詳しく説明する。 比較例１（Ｓｉ層が介在していない電極） 真空度３×１０-6Ｔｏｒｒに減圧にした真空チャンバー
内にターゲットとウェハを配設し、レーザアブレーショ
ン法によってＰｔＳｉ電極を作製した。ＰｔＳｉ（株式
会社高純度化学研究所製、純度９９．９％、元素モル
比；Ｐｔ／Ｓｉ＝１／１）をターゲットとして使用し、
ＫｒＦエキシマレーザ（λ＝２４８ｎｍ、τｐ＝２０ｎ
ｓ）をエネルギー密度２．５Ｊ／ｃｍ2で５００パルス
照射した。これにより、ターゲット表面から約３ｃｍ離
れた位置に配設してあるｐ型６Ｈ−ＳｉＣウェハ（Ａ１
ドープ量；２．０１×１０18／ｃｍ3）の所定の部位に
ＰｔＳｉを約１３ｎｍの厚さに堆積させた。その後、こ
のＰｔＳｉ層に上記レーザをエネルギー密度１．２Ｊ／
ｃｍ2で１００パルス照射し、ＰｔＳｉ層とＳｉＣ半導
体ウェハとの密着性を高めた。
詳しく説明する。 比較例１（Ｓｉ層が介在していない電極） 真空度３×１０-6Ｔｏｒｒに減圧にした真空チャンバー
内にターゲットとウェハを配設し、レーザアブレーショ
ン法によってＰｔＳｉ電極を作製した。ＰｔＳｉ（株式
会社高純度化学研究所製、純度９９．９％、元素モル
比；Ｐｔ／Ｓｉ＝１／１）をターゲットとして使用し、
ＫｒＦエキシマレーザ（λ＝２４８ｎｍ、τｐ＝２０ｎ
ｓ）をエネルギー密度２．５Ｊ／ｃｍ2で５００パルス
照射した。これにより、ターゲット表面から約３ｃｍ離
れた位置に配設してあるｐ型６Ｈ−ＳｉＣウェハ（Ａ１
ドープ量；２．０１×１０18／ｃｍ3）の所定の部位に
ＰｔＳｉを約１３ｎｍの厚さに堆積させた。その後、こ
のＰｔＳｉ層に上記レーザをエネルギー密度１．２Ｊ／
ｃｍ2で１００パルス照射し、ＰｔＳｉ層とＳｉＣ半導
体ウェハとの密着性を高めた。
【００１８】次いで、上記ＰｔＳｉをターゲットとし
て、再び上記レーザをエネルギー密度２．５Ｊ／ｃｍ2
で３０００パルス照射し、ＰｔＳｉを約７５ｎｍの厚さ
に堆積させて、合計厚さ約９０ｎｍのＰｔＳｉ電極を作
製した。このようにして作製した電極間の電流（Ｉ）−
電圧（Ｖ）特性を図１に破線で示す。
て、再び上記レーザをエネルギー密度２．５Ｊ／ｃｍ2
で３０００パルス照射し、ＰｔＳｉを約７５ｎｍの厚さ
に堆積させて、合計厚さ約９０ｎｍのＰｔＳｉ電極を作
製した。このようにして作製した電極間の電流（Ｉ）−
電圧（Ｖ）特性を図１に破線で示す。
【００１９】実施例１（Ｓｉ層を介在させた本発明のｐ
型ＳｉＣ半導体用オーミック電極） 真空度３×１０-6Ｔｏｒｒに減圧にした真空チャンバー
内にターゲットとウェハを配設し、レーザアブレーショ
ン法によってｐ型ＳｉＣ半導体ウェハとＰｔＳｉ層との
間にｐ型Ｓｉ層を介在させたオーミック電極を作製し
た。ｐ型Ｓｉ（Ｂドープ量；１×１０19／ｃｍ3）をタ
ーゲットとして使用し、上記レーザをエネルギー密度
２．５Ｊ／ｃｍ2で５００パルス照射した。これによ
り、ターゲット表面から約３ｃｍ離れた位置に配設して
あるｐ型６Ｈ−ＳｉＣウェハ（Ａｌドープ量；２，０１
×１０18／ｃｍ3）の所定の部位にＳｉを約１０ｎｍの
厚さに堆積させた。その後、ターゲットを上記ＰｔＳｉ
に取り替え、上記レーザをエネルギー密度２．５Ｊ／ｃ
ｍ2で５００パルス照射し、ｐ型Ｓｉ層の表面にＰｔＳ
ｉを約１３ｎｍの厚さに堆積させ、ＰｔＳｉ層を形成し
た。次いで、Ｓｉ層とＰｔＳｉ層との積層体に、上記レ
ーザをエネルギー密度１．２Ｊ／ｃｍ2で１００パルス
照射し、オーミック化するとともに、積層体とＳｉＣ半
導体ウェハとの密着性を高めた。
型ＳｉＣ半導体用オーミック電極） 真空度３×１０-6Ｔｏｒｒに減圧にした真空チャンバー
内にターゲットとウェハを配設し、レーザアブレーショ
ン法によってｐ型ＳｉＣ半導体ウェハとＰｔＳｉ層との
間にｐ型Ｓｉ層を介在させたオーミック電極を作製し
た。ｐ型Ｓｉ（Ｂドープ量；１×１０19／ｃｍ3）をタ
ーゲットとして使用し、上記レーザをエネルギー密度
２．５Ｊ／ｃｍ2で５００パルス照射した。これによ
り、ターゲット表面から約３ｃｍ離れた位置に配設して
あるｐ型６Ｈ−ＳｉＣウェハ（Ａｌドープ量；２，０１
×１０18／ｃｍ3）の所定の部位にＳｉを約１０ｎｍの
厚さに堆積させた。その後、ターゲットを上記ＰｔＳｉ
に取り替え、上記レーザをエネルギー密度２．５Ｊ／ｃ
ｍ2で５００パルス照射し、ｐ型Ｓｉ層の表面にＰｔＳ
ｉを約１３ｎｍの厚さに堆積させ、ＰｔＳｉ層を形成し
た。次いで、Ｓｉ層とＰｔＳｉ層との積層体に、上記レ
ーザをエネルギー密度１．２Ｊ／ｃｍ2で１００パルス
照射し、オーミック化するとともに、積層体とＳｉＣ半
導体ウェハとの密着性を高めた。
【００２０】その後、ＰｔＳｉターゲットに、再び上記
レーザをエネルギー密度２．５Ｊ／ｃｍ2で３０００パ
ルス照射し、ＰｔＳｉを約７５ｎｍの厚さに堆積させ
て、合計厚さ約１００ｎｍのＰｔＳｉオーミック電極を
作製した。このようにして作製した電極間のＩ−Ｖ特性
を図１に実線で示す。図１における破線と実線とを比較
してみれば、ｐ型Ｓｉ層を介在させることにより、Ｉ−
Ｖ特性の直線性が増し、オーミック電極としての特性が
向上していることが分かる。
レーザをエネルギー密度２．５Ｊ／ｃｍ2で３０００パ
ルス照射し、ＰｔＳｉを約７５ｎｍの厚さに堆積させ
て、合計厚さ約１００ｎｍのＰｔＳｉオーミック電極を
作製した。このようにして作製した電極間のＩ−Ｖ特性
を図１に実線で示す。図１における破線と実線とを比較
してみれば、ｐ型Ｓｉ層を介在させることにより、Ｉ−
Ｖ特性の直線性が増し、オーミック電極としての特性が
向上していることが分かる。
【００２１】実施例１において作製した電極の電気特性
を、ＩＥＥＥ ＥＬＥＣＴＲＯＮＤＥＶＩＣＥ ＬＥＴ
ＴＥＲＳ（Ｖｏｌ．ＥＤＬ−３，Ｎｏ．５，１１１−１
１３，１９８２）に記載されたｌｉｎｅａｒ ＴＬＭ
（ＴｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎＬｉｎｅ Ｍｏｄｅｌ）法
により算出した接触抵抗率によって評価した。図２に示
す電極間距離［Ｌ（ｃｍ）］と合計抵抗値［Ｒ
T（Ω）］の関係を測定した結果から近似的に得られる
直線は、下記の式により表わされる。 ＲT＝１７０．０２×Ｌ＋２．１６３ この直線とｘ軸との交点［ＬX（ｃｍ）］の絶対値から
伝導長［ＬT（ｃｍ）］は、ＬT＝ＬX／２＝６．３６×
１０-3ｃｍ、ｙ軸との交点［ＲY（Ω）］から接触抵抗
［ＲC（Ω）］は、ＲC＝ＲY／２＝１．０８１５Ωと求
められ、電極幅（Ｗ）が０．２ｃｍであるから、接触抵
抗率（ρ）は、 ρ＝ＬT・Ｗ・ＲC＝１．３８×１０-3Ω・ｃｍ2 となる。この接触抵抗率は、基板のキャリア濃度や、表
面状態に関係しているが、今回用いた基板のキャリア濃
度に対しては、十分満足できる値である。
を、ＩＥＥＥ ＥＬＥＣＴＲＯＮＤＥＶＩＣＥ ＬＥＴ
ＴＥＲＳ（Ｖｏｌ．ＥＤＬ−３，Ｎｏ．５，１１１−１
１３，１９８２）に記載されたｌｉｎｅａｒ ＴＬＭ
（ＴｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎＬｉｎｅ Ｍｏｄｅｌ）法
により算出した接触抵抗率によって評価した。図２に示
す電極間距離［Ｌ（ｃｍ）］と合計抵抗値［Ｒ
T（Ω）］の関係を測定した結果から近似的に得られる
直線は、下記の式により表わされる。 ＲT＝１７０．０２×Ｌ＋２．１６３ この直線とｘ軸との交点［ＬX（ｃｍ）］の絶対値から
伝導長［ＬT（ｃｍ）］は、ＬT＝ＬX／２＝６．３６×
１０-3ｃｍ、ｙ軸との交点［ＲY（Ω）］から接触抵抗
［ＲC（Ω）］は、ＲC＝ＲY／２＝１．０８１５Ωと求
められ、電極幅（Ｗ）が０．２ｃｍであるから、接触抵
抗率（ρ）は、 ρ＝ＬT・Ｗ・ＲC＝１．３８×１０-3Ω・ｃｍ2 となる。この接触抵抗率は、基板のキャリア濃度や、表
面状態に関係しているが、今回用いた基板のキャリア濃
度に対しては、十分満足できる値である。
【００２２】図３は、この実施例１において作製したｐ
−Ｓｉ／ＰｔＳｉオーミック電極１の構造を示すもので
あり、ｐ型ＳｉＣ半導体ウェハ２の表面に、ｐ型Ｓｉ層
１１が形成され、このｐ型Ｓｉ層１１の表面に金属珪化
物層であるＰｔＳｉ層１２が形成されている。尚、この
図３は模式図であり、各々の層の寸法比等を正確に表わ
すものではない。
−Ｓｉ／ＰｔＳｉオーミック電極１の構造を示すもので
あり、ｐ型ＳｉＣ半導体ウェハ２の表面に、ｐ型Ｓｉ層
１１が形成され、このｐ型Ｓｉ層１１の表面に金属珪化
物層であるＰｔＳｉ層１２が形成されている。尚、この
図３は模式図であり、各々の層の寸法比等を正確に表わ
すものではない。
【００２３】実験例１ ＰｔＳｉを、レーザアブレーション法により堆積させた
場合と、真空蒸着法により堆積させた場合の、形成され
る堆積層の組成を比較した。 実験例１−１（真空蒸着法により形成した堆積層） 到達真空度２×１０-6Ｔｏｒｒにおいて、タングステン
バスケットに約０．１ｇのＰｔＳｉを載せ、２０Ａの電
流を流して抵抗線を加熱し、上記ＳｉＣ半導体ウェハの
所定の部位に堆積させて厚さ約３０ｎｍの堆積層を形成
した。
場合と、真空蒸着法により堆積させた場合の、形成され
る堆積層の組成を比較した。 実験例１−１（真空蒸着法により形成した堆積層） 到達真空度２×１０-6Ｔｏｒｒにおいて、タングステン
バスケットに約０．１ｇのＰｔＳｉを載せ、２０Ａの電
流を流して抵抗線を加熱し、上記ＳｉＣ半導体ウェハの
所定の部位に堆積させて厚さ約３０ｎｍの堆積層を形成
した。
【００２４】この堆積層及び原料のＰｔＳｉについてオ
ージェ電子分光法により元素分析を行った。オージェ電
子分光分析のチャートを図４に示す。この図４によれ
ば、原料のＰｔＳｉにはＰｔ、Ｓｉ、Ｏ及びＣのピーク
がみられるが、堆積層に形成した後はＳｉ、Ｏ及びＣの
ピークしかなく、この堆積層にはＰｔ成分が含まれてい
ないことが分かる。
ージェ電子分光法により元素分析を行った。オージェ電
子分光分析のチャートを図４に示す。この図４によれ
ば、原料のＰｔＳｉにはＰｔ、Ｓｉ、Ｏ及びＣのピーク
がみられるが、堆積層に形成した後はＳｉ、Ｏ及びＣの
ピークしかなく、この堆積層にはＰｔ成分が含まれてい
ないことが分かる。
【００２５】実験例１−２［レーザアブレーション法に
より形成した堆積層（ＰｔＳｉ層）］ 上記ＰｔＳｉをターゲットとして使用し、上記レーザを
エネルギー密度２．５Ｊ／ｃｍ2で３０００パルス照射
し、ターゲット表面から約３ｃｍ離れた位置に配設して
ある上記ＳｉＣ半導体ウェハの所定の部位に堆積させて
厚さ約７５ｎｍの堆積層（ＰｔＳｉ層）を形成した。
より形成した堆積層（ＰｔＳｉ層）］ 上記ＰｔＳｉをターゲットとして使用し、上記レーザを
エネルギー密度２．５Ｊ／ｃｍ2で３０００パルス照射
し、ターゲット表面から約３ｃｍ離れた位置に配設して
ある上記ＳｉＣ半導体ウェハの所定の部位に堆積させて
厚さ約７５ｎｍの堆積層（ＰｔＳｉ層）を形成した。
【００２６】この堆積層についてオージェ電子分光法に
より元素分析を行った。オージェ電子分光分析のチャー
トを図５に示す。この図５によれば、この堆積層にはＰ
ｔ、Ｓｉ、Ｏ及びＣのピークがみられ、ＰｔＳｉ層が形
成されていることが分かる。
より元素分析を行った。オージェ電子分光分析のチャー
トを図５に示す。この図５によれば、この堆積層にはＰ
ｔ、Ｓｉ、Ｏ及びＣのピークがみられ、ＰｔＳｉ層が形
成されていることが分かる。
【００２７】このように、実験例１は、金属珪化物をレ
ーザアブレーション法によって堆積させて形成した場合
に、目的とするオーミック電極がより確実に形成される
ことを裏付けるものである。
ーザアブレーション法によって堆積させて形成した場合
に、目的とするオーミック電極がより確実に形成される
ことを裏付けるものである。
【００２８】比較例２（Ａｌを含む耐熱性の低いオーミ
ック電極） （１）電極の作製 従来よりｐ型ＳｉＣ半導体ウェハのオーミック電極とし
て用いられているＴｉ／Ａ１積層電極を真空蒸着法によ
り作製した。到達真空度３×１０-6Ｔｏｒｒにおいて、
タングステンバスケットに約０．０５ｇのＴｉを載せ、
１３Ａの電流を流して抵抗線を加熱し、上記ＳｉＣ半導
体ウェハの所定の部位に約１０ｎｍの厚さに堆積させ
た。その後、タングステンバスケットに約０．５ｇのＡ
ｌを載せ、１４Ａの電流を流して抵抗線を加熱し、Ｔｉ
層の表面に約２０ｎｍの厚さに堆積させた。次いで、こ
のようにして形成されたＴｉとＡｌとの積層体に、上記
レーザをエネルギー密度１．０Ｊ／ｃｍ2で１００パル
ス照射し、オーミック化するとともに、積層体とＳｉＣ
半導体ウェハとの密着性を高めた。
ック電極） （１）電極の作製 従来よりｐ型ＳｉＣ半導体ウェハのオーミック電極とし
て用いられているＴｉ／Ａ１積層電極を真空蒸着法によ
り作製した。到達真空度３×１０-6Ｔｏｒｒにおいて、
タングステンバスケットに約０．０５ｇのＴｉを載せ、
１３Ａの電流を流して抵抗線を加熱し、上記ＳｉＣ半導
体ウェハの所定の部位に約１０ｎｍの厚さに堆積させ
た。その後、タングステンバスケットに約０．５ｇのＡ
ｌを載せ、１４Ａの電流を流して抵抗線を加熱し、Ｔｉ
層の表面に約２０ｎｍの厚さに堆積させた。次いで、こ
のようにして形成されたＴｉとＡｌとの積層体に、上記
レーザをエネルギー密度１．０Ｊ／ｃｍ2で１００パル
ス照射し、オーミック化するとともに、積層体とＳｉＣ
半導体ウェハとの密着性を高めた。
【００２９】その後、Ａｌを載せたタングステンバスケ
ットに１４Ａの電流を流し、Ａｌを更に堆積させ、合計
厚さ約１７０ｎｍのオーミック電極を作製した。このよ
うにして作製した電極間のＩ−Ｖ特性を図６に示す。図
６によれば、このＴｉ／Ａ１積層電極はｐ型ＳｉＣ半導
体ウェハに対してオーミック接触となっていることが分
かる。
ットに１４Ａの電流を流し、Ａｌを更に堆積させ、合計
厚さ約１７０ｎｍのオーミック電極を作製した。このよ
うにして作製した電極間のＩ−Ｖ特性を図６に示す。図
６によれば、このＴｉ／Ａ１積層電極はｐ型ＳｉＣ半導
体ウェハに対してオーミック接触となっていることが分
かる。
【００３０】（２）Ｔｉ／Ａ１積層電極の耐熱性の評価 （１）において作製したＴｉ／Ａ１積層型オーミック電
極の耐熱性を評価するため、赤外線ランプにより、これ
らの電極を、大気雰囲気下、６００℃で１時間加熱し
た。加熱後の電極間のＩ−Ｖ特性を図７に示す。
極の耐熱性を評価するため、赤外線ランプにより、これ
らの電極を、大気雰囲気下、６００℃で１時間加熱し
た。加熱後の電極間のＩ−Ｖ特性を図７に示す。
【００３１】このＴｉ／Ａ１積層型オーミック電極で
は、電流値が図６の加熱前に比べて図７の加熱後では４
桁程度も低下し、電極の厚さも約１７０ｎｍであったも
のが約１０ｎｍにまで薄くなり、電極として機能しなく
なっていた。これにより、融点が６６０℃と低いＡｌを
主体とした電極は、６００℃程度の高温環境における電
極としては、不安定、且つ信頼性の低いものであること
が分かる。
は、電流値が図６の加熱前に比べて図７の加熱後では４
桁程度も低下し、電極の厚さも約１７０ｎｍであったも
のが約１０ｎｍにまで薄くなり、電極として機能しなく
なっていた。これにより、融点が６６０℃と低いＡｌを
主体とした電極は、６００℃程度の高温環境における電
極としては、不安定、且つ信頼性の低いものであること
が分かる。
【００３２】図８に、素子例としてｐｎ接合ダイオード
を示す。ｎ型６Ｈ−ＳｉＣウェハにイオン注入法により
Ａｌ等のｐ型ドーパントを注入し、後アニールをするこ
とによって活性化させ、ｐ型層を形成してｐｎ接合ダイ
オードを作製した。ｎ型ＳｉＣ側のオーミック電極とし
てはＴａを使用し、その表面をＰｔからなる耐熱性キャ
ップにより覆った。一方、ｐ型層のオーミック電極とし
ては、本発明におけるｐ−Ｓｉ／ＰｔＳｉ積層電極を用
い、同様にしてＰｔからなる耐熱性キャップにより覆っ
た。尚、これは素子の一例として示しただけであり、そ
の他の素子でもよく、また、ドーピング方法は従来の方
法でよく、電極材等の種類も特に限定されない。この図
８も模式図であり、各々の層の寸法比等を正確に表わす
ものではない。
を示す。ｎ型６Ｈ−ＳｉＣウェハにイオン注入法により
Ａｌ等のｐ型ドーパントを注入し、後アニールをするこ
とによって活性化させ、ｐ型層を形成してｐｎ接合ダイ
オードを作製した。ｎ型ＳｉＣ側のオーミック電極とし
てはＴａを使用し、その表面をＰｔからなる耐熱性キャ
ップにより覆った。一方、ｐ型層のオーミック電極とし
ては、本発明におけるｐ−Ｓｉ／ＰｔＳｉ積層電極を用
い、同様にしてＰｔからなる耐熱性キャップにより覆っ
た。尚、これは素子の一例として示しただけであり、そ
の他の素子でもよく、また、ドーピング方法は従来の方
法でよく、電極材等の種類も特に限定されない。この図
８も模式図であり、各々の層の寸法比等を正確に表わす
ものではない。
【００３３】
【発明の効果】本発明の炭化珪素半導体用のオーミック
電極は、耐熱性が高く、熱処理等による影響を受け難
く、信頼性が高い。また、このオーミック電極を備える
本発明の炭化珪素半導体素子は、高温環境において安定
して動作可能である。更に、本発明の方法によれば、こ
れら優れた特性を有する電極及び素子を、容易に、且つ
確実に製造することができる。
電極は、耐熱性が高く、熱処理等による影響を受け難
く、信頼性が高い。また、このオーミック電極を備える
本発明の炭化珪素半導体素子は、高温環境において安定
して動作可能である。更に、本発明の方法によれば、こ
れら優れた特性を有する電極及び素子を、容易に、且つ
確実に製造することができる。
【図１】ｐ型６Ｈ−ＳｉＣ半導体ウェハの一面に形成さ
れたｐ−Ｓｉ／Ｐｔ電極と、ＰｔＳｉ電極とのＩ−Ｖ特
性の比較を示すグラフである。
れたｐ−Ｓｉ／Ｐｔ電極と、ＰｔＳｉ電極とのＩ−Ｖ特
性の比較を示すグラフである。
【図２】ｐ型６Ｈ−ＳｉＣ半導体ウェハの一面に形成さ
れたｐ−Ｓｉ／ＰｔＳｉ電極において、接触抵抗率を算
出するため電極間距離と合計抵抗値とを測定したグラフ
である。
れたｐ−Ｓｉ／ＰｔＳｉ電極において、接触抵抗率を算
出するため電極間距離と合計抵抗値とを測定したグラフ
である。
【図３】ｐ型６Ｈ−ＳｉＣ半導体ウェハ、及びその一面
に形成されたｐ−Ｓｉ／ＰｔＳｉオーミック電極の縦断
面を示す模式図である。
に形成されたｐ−Ｓｉ／ＰｔＳｉオーミック電極の縦断
面を示す模式図である。
【図４】ＰｔＳｉを真空蒸着法により堆積してなる堆積
層のオージェ電子分光法による元素分析の結果を示すチ
ャートである。
層のオージェ電子分光法による元素分析の結果を示すチ
ャートである。
【図５】ＰｔＳｉをレーザアブレーション法により堆積
してなる堆積層（ＰｔＳｉ層）のオージェ電子分光法に
よる元素分析の結果を示すチャートである。
してなる堆積層（ＰｔＳｉ層）のオージェ電子分光法に
よる元素分析の結果を示すチャートである。
【図６】ｐ型６Ｈ−ＳｉＣ半導体ウェハの一面に形成さ
れたＴｉ／Ａｌ積層電極のＩ−Ｖ特性を示すグラフであ
る。
れたＴｉ／Ａｌ積層電極のＩ−Ｖ特性を示すグラフであ
る。
【図７】ｐ型６Ｈ−ＳｉＣ半導体ウェハの一面に形成さ
れたＴｉ／Ａｌ積層電極の耐熱性を評価するため６００
℃で加熱した後のＩ−Ｖ特性を示すグラフである。
れたＴｉ／Ａｌ積層電極の耐熱性を評価するため６００
℃で加熱した後のＩ−Ｖ特性を示すグラフである。
【図８】素子例としてｐｎ接合ダイオードの縦断面を示
す模式図である。
す模式図である。
１；ｐ−Ｓｉ／ＰｔＳｉオーミック電極、１１；ｐ型Ｓ
ｉ層、１２；ＰｔＳｉ層、２；ｐ型ＳｉＣ半導体ウェ
ハ、３；耐熱用Ｐｔキャップ層、４；ｐ型イオン注入
層、５；ｎ型ＳｉＣ半導体ウェハ、５１；バルク層、５
２；ｎ型エピタキシャル層、６；Ｔａオーミック電極。
ｉ層、１２；ＰｔＳｉ層、２；ｐ型ＳｉＣ半導体ウェ
ハ、３；耐熱用Ｐｔキャップ層、４；ｐ型イオン注入
層、５；ｎ型ＳｉＣ半導体ウェハ、５１；バルク層、５
２；ｎ型エピタキシャル層、６；Ｔａオーミック電極。
フロントページの続き (72)発明者 大島 崇文 名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日本特殊 陶業株式会社内 Ｆターム(参考） 4M104 AA03 BB01 BB17 CC01 DD33 DD79 DD81 FF13 GG02 HH15
Claims (12)
- 【請求項１】 炭化珪素半導体用電極であって、ｐ型炭
化珪素からなる半導体の表面に形成されたｐ型珪素層
と、該ｐ型珪素層の表面に形成された金属珪化物層と、
を有するオーミック電極であることを特徴とする炭化珪
素半導体用電極。 - 【請求項２】 上記ｐ型珪素層が、上記ｐ型炭化珪素と
同程度若しくはそれ以上のキャリア濃度を有するｐ型珪
素からなる請求項１記載の炭化珪素半導体用電極。 - 【請求項３】 上記金属珪化物層が、白金族元素、ＩＶ
ａ族元素、Ｖａ族元素、ＶＩａ族元素及びＶＩＩＩ族元
素から選ばれる少なくとも１種の金属元素を含む請求項
１又は２に記載の炭化珪素半導体用電極。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
炭化珪素半導体用電極の製造方法であって、上記ｐ型珪
素層及び上記金属珪化物層の少なくとも該金属珪化物層
をレーザアブレーション法により形成することを特徴と
する炭化珪素半導体用電極の製造方法。 - 【請求項５】 上記金属珪化物層をレーザアブレーショ
ン法により形成した後、レーザ照射及び熱処理の少なく
とも一方を行う請求項４記載の炭化珪素半導体用電極の
製造方法。 - 【請求項６】 上記金属珪化物層をレーザアブレーショ
ン法により形成した後、レーザ照射及び熱処理の少なく
とも一方を行い、次いで、該金属珪化物層の表面にレー
ザアブレーション法により更に金属珪化物を堆積する請
求項４記載の炭化珪素半導体用電極の製造方法。 - 【請求項７】 （１）ｐ型炭化珪素からなる半導体と、
（２）該半導体の表面に形成されたｐ型珪素層及び該ｐ
型珪素層の表面に形成された金属珪化物層を有するオー
ミック電極からなる炭化珪素半導体用電極と、を備える
ことを特徴とする炭化珪素半導体素子。 - 【請求項８】 上記ｐ型珪素層が、上記ｐ型炭化珪素と
同程度若しくはそれ以上のキャリア濃度を有するｐ型珪
素からなる請求項７記載の炭化珪素半導体素子。 - 【請求項９】 上記金属珪化物層が、白金族元素、ＩＶ
ａ族元素、Ｖａ族元素、ＶＩａ族元素及びＶＩＩＩ族元
素から選ばれる少なくとも１種の金属元素を含む請求項
７又は８に記載の炭化珪素半導体素子。 - 【請求項１０】 請求項７乃至９のいずれか１項に記載
の炭化珪素半導体素子の製造方法であって、上記ｐ型珪
素層及び上記金属珪化物層の少なくとも該金属珪化物層
をレーザアブレーション法により形成することを特徴と
する炭化珪素半導体素子の製造方法。 - 【請求項１１】 上記金属珪化物層をレーザアブレーシ
ョン法により形成した後、レーザ照射及び熱処理の少な
くとも一方を行う請求項１０記載の炭化珪素半導体素子
の製造方法。 - 【請求項１２】 上記金属珪化物層をレーザアブレーシ
ョン法により形成した後、レーザ照射及び熱処理の少な
くとも一方を行い、次いで、該金属珪化物層の表面にレ
ーザアブレーション法により更に金属珪化物を堆積する
請求項１０記載の炭化珪素半導体素子の製造方法。
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| JP2001090042A JP4545975B2 (ja) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | 炭化珪素半導体用電極の製造方法、及び炭化珪素半導体用電極を備える炭化珪素半導体素子の製造方法 |
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- 2003-11-24 US US10/718,691 patent/US6770508B2/en not_active Expired - Fee Related
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