JPH0529250A - 炭化珪素半導体装置 - Google Patents
炭化珪素半導体装置Info
- Publication number
- JPH0529250A JPH0529250A JP3179355A JP17935591A JPH0529250A JP H0529250 A JPH0529250 A JP H0529250A JP 3179355 A JP3179355 A JP 3179355A JP 17935591 A JP17935591 A JP 17935591A JP H0529250 A JPH0529250 A JP H0529250A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- polysilicon
- wiring
- contact
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 25
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 abstract 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 boron ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
- H01L29/1608—Silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66931—BJT-like unipolar transistors, e.g. hot electron transistors [HET], metal base transistors [MBT], resonant tunneling transistor [RTT], bulk barrier transistor [BBT], planar doped barrier transistor [PDBT], charge injection transistor [CHINT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer
Abstract
(57)【要約】
【目的】 炭化珪素半導体基板と配線との接続の良好な
配線構造を提供する。 【構成】 炭化珪素上に高濃度ポリシリコンを成長させ
て、該ポリシリコンを介して配線と接続する。
配線構造を提供する。 【構成】 炭化珪素上に高濃度ポリシリコンを成長させ
て、該ポリシリコンを介して配線と接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は炭化珪素を用いた半導体
装置、特にその配線構造に関する。
装置、特にその配線構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、耐環境用素子（例えばＭＯＳＦＥ
Ｔ、Ｂｉｐ−Ｔｒ）、高速、高利得のヘテロジャンクシ
ョンバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）として炭化珪素
を用いた半導体装置についての研究開発が行われていて
実際にその動作が確認されている。また炭化珪素のみを
用いたトランジスタも開発されている。しかし、炭化珪
素と配線として用いられるＡｌ，Ｍｏ，Ｔｉ等の金属と
の接触が良好に得ることが困難であり問題となってい
る。
Ｔ、Ｂｉｐ−Ｔｒ）、高速、高利得のヘテロジャンクシ
ョンバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）として炭化珪素
を用いた半導体装置についての研究開発が行われていて
実際にその動作が確認されている。また炭化珪素のみを
用いたトランジスタも開発されている。しかし、炭化珪
素と配線として用いられるＡｌ，Ｍｏ，Ｔｉ等の金属と
の接触が良好に得ることが困難であり問題となってい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、炭化珪素を
用いた半導体装置において、炭化珪素と配線を良好に接
続して量産に適する配線構造を提供せんとするものであ
る。
用いた半導体装置において、炭化珪素と配線を良好に接
続して量産に適する配線構造を提供せんとするものであ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる炭化珪素
を用いた半導体装置は、その半導体基板と配線を接続す
る際に間にポリシリコンを介して接続することにより両
者の接続が良好になり、生産性を高め、かつ配線構造の
性能を向上したものである。
を用いた半導体装置は、その半導体基板と配線を接続す
る際に間にポリシリコンを介して接続することにより両
者の接続が良好になり、生産性を高め、かつ配線構造の
性能を向上したものである。
【０００５】
【作用】上記の如く、本発明の配線構造は、炭化珪素の
半導体基板と配線との接続を高濃度ポリシリコンを介す
ることにより、炭化珪素と金属を直接接触することを防
ぐことができて接続構造の接触が良好になるものであ
る。
半導体基板と配線との接続を高濃度ポリシリコンを介す
ることにより、炭化珪素と金属を直接接触することを防
ぐことができて接続構造の接触が良好になるものであ
る。
【０００６】
【実施例】以下、本発明を図面に示す実施例について説
明する。図１は本発明の一実施例によるＳｉＣＭｏＳト
ランジスタの構造を示す断面図である。
明する。図１は本発明の一実施例によるＳｉＣＭｏＳト
ランジスタの構造を示す断面図である。
【０００７】このＳｉＣＭｏＳトランジスタを得るに
は、先ずＮ型炭化珪素基板（１）の上面（１，１，１）
を酸化させて約１００ｎｍの酸化膜３を形成する。
は、先ずＮ型炭化珪素基板（１）の上面（１，１，１）
を酸化させて約１００ｎｍの酸化膜３を形成する。
【０００８】次にＣＶＤ法により酸化膜３の上にポリシ
リコン４を約３００ｎｍ成長させる。その後、このポリ
シリコン４をエッチングを行いＧＡＴＥ部分だけ残す。
リコン４を約３００ｎｍ成長させる。その後、このポリ
シリコン４をエッチングを行いＧＡＴＥ部分だけ残す。
【０００９】つづいて、イオン注入によりソース領域、
ドレイン領域２を形成する。この形成の条件はボロンイ
オンを用いてエネルギーは５０ｋｅＶ、ドーズ量は１×
１０１５ｃｍ−３である。
ドレイン領域２を形成する。この形成の条件はボロンイ
オンを用いてエネルギーは５０ｋｅＶ、ドーズ量は１×
１０１５ｃｍ−３である。
【００１０】この後、ＣＶＤ法により酸化膜５を全面に
デポし、ゲート、ドレイン、ソース領域をエッチングし
てコンタクト領域を形成する。
デポし、ゲート、ドレイン、ソース領域をエッチングし
てコンタクト領域を形成する。
【００１１】つづいて、ＣＶＤ法により全面にポリシリ
コン７を約５００ｎｍ迄成長させる。
コン７を約５００ｎｍ迄成長させる。
【００１２】その後このポリシリコンをエッチングを行
いコンタクト領域にのみポリシリコンをのこすようにす
る。
いコンタクト領域にのみポリシリコンをのこすようにす
る。
【００１３】最後に高融点金属であるＭｏ６をスパッタ
によりデポしエッチングする。
によりデポしエッチングする。
【００１４】上記の如き工程を経て、ＳｉＣＭｏＳトラ
ンジスタの配線構造として炭化珪素基板のソース層，ド
レイン層と配線としての高融点金属との接続をポリシリ
コン膜を介して行った配線構造のものを得ることができ
る。
ンジスタの配線構造として炭化珪素基板のソース層，ド
レイン層と配線としての高融点金属との接続をポリシリ
コン膜を介して行った配線構造のものを得ることができ
る。
【００１５】図２は炭化珪素半導体装置の断面を示し、
１１はＮ型のＳｉ基板、１２はＰ層、１３はＳｉＯ
２膜、１４はＮ型β−ＳｉＣ、１５はポリシリコン、１
６はアルミの配線を示す。ポリシリコンはＣＶＤ法で成
長して形成する。
１１はＮ型のＳｉ基板、１２はＰ層、１３はＳｉＯ
２膜、１４はＮ型β−ＳｉＣ、１５はポリシリコン、１
６はアルミの配線を示す。ポリシリコンはＣＶＤ法で成
長して形成する。
【００１６】上記実施例に詳記した如く、本発明は炭化
珪素を用いた半導体基板と配線を接続する際に間にポリ
シリコンを介して接続してなる半導体装置を提供するこ
とができる。
珪素を用いた半導体基板と配線を接続する際に間にポリ
シリコンを介して接続してなる半導体装置を提供するこ
とができる。
【００１７】
【発明の効果】したがって、本発明の炭化珪素半導体装
置は、ポリシリコンを介する接続で炭化珪素と配線金属
との接触を良好なものとすることができて、配線と良好
な接触を与えることができる為、生産性の高いＳｉＣの
耐環境素子やヘテロジャンクションバイポーラトランジ
スタの形成が可能となる利点を有する。
置は、ポリシリコンを介する接続で炭化珪素と配線金属
との接触を良好なものとすることができて、配線と良好
な接触を与えることができる為、生産性の高いＳｉＣの
耐環境素子やヘテロジャンクションバイポーラトランジ
スタの形成が可能となる利点を有する。
【図１】 本発明の半導体装置の一実施例を示す断面図
である。
である。
【図２】 本発明の半導体装置の他の実施例を示す断面
図である。
図である。
１ 炭化珪素基板 ２ ソース，ドレイン層 ３ ＧＡＴＥ酸化膜 ４ ポリシリコン膜 ５ 酸化膜 ６ 高融点金属 ７ ポリシリコン １１ 珪素基板 １２ ベース層 １３ 酸化膜 １４ 炭化珪素膜 １５ ポリシリコン膜 １６ 高融点金属
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/331 29/73 29/784 8225−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 29/78 ３０１ Ｂ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 半導体基板の炭化珪素上に高濃度ポリシ
リコンを成長させて設け、該ポリシリコンを介して半導
体基板と配線と接続するようにしてなる炭化珪素半導体
装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3179355A JP2901788B2 (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 炭化珪素半導体装置 |
| US07/883,118 US5279888A (en) | 1991-07-19 | 1992-05-14 | Silicon carbide semiconductor apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3179355A JP2901788B2 (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 炭化珪素半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529250A true JPH0529250A (ja) | 1993-02-05 |
| JP2901788B2 JP2901788B2 (ja) | 1999-06-07 |
Family
ID=16064398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3179355A Expired - Fee Related JP2901788B2 (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 炭化珪素半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5279888A (ja) |
| JP (1) | JP2901788B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000150792A (ja) * | 1998-11-11 | 2000-05-30 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2002289555A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 炭化珪素半導体用電極及びそれを備える炭化珪素半導体素子並びにそれらの製造方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0153878B1 (ko) * | 1994-06-07 | 1998-10-15 | 쿠미하시 요시유키 | 탄화규소반도체장치와 그 제조방법 |
| US6750091B1 (en) * | 1996-03-01 | 2004-06-15 | Micron Technology | Diode formation method |
| US7892974B2 (en) * | 2000-04-11 | 2011-02-22 | Cree, Inc. | Method of forming vias in silicon carbide and resulting devices and circuits |
| US7125786B2 (en) * | 2000-04-11 | 2006-10-24 | Cree, Inc. | Method of forming vias in silicon carbide and resulting devices and circuits |
| US6475889B1 (en) * | 2000-04-11 | 2002-11-05 | Cree, Inc. | Method of forming vias in silicon carbide and resulting devices and circuits |
| US9849351B2 (en) | 2011-09-30 | 2017-12-26 | Karsten Manufacturing Corporation | Grooves of golf club heads and methods to manufacture grooves of golf club heads |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4095251A (en) * | 1976-08-19 | 1978-06-13 | International Business Machines Corporation | Field effect transistors and fabrication of integrated circuits containing the transistors |
| JPS61139058A (ja) * | 1984-12-11 | 1986-06-26 | Seiko Epson Corp | 半導体製造装置 |
| JP2509713B2 (ja) * | 1989-10-18 | 1996-06-26 | シャープ株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
-
1991
- 1991-07-19 JP JP3179355A patent/JP2901788B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-05-14 US US07/883,118 patent/US5279888A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000150792A (ja) * | 1998-11-11 | 2000-05-30 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2002289555A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 炭化珪素半導体用電極及びそれを備える炭化珪素半導体素子並びにそれらの製造方法 |
| JP4545975B2 (ja) * | 2001-03-27 | 2010-09-15 | 日本特殊陶業株式会社 | 炭化珪素半導体用電極の製造方法、及び炭化珪素半導体用電極を備える炭化珪素半導体素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2901788B2 (ja) | 1999-06-07 |
| US5279888A (en) | 1994-01-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2913785B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US5496745A (en) | Method for making bipolar transistor having an enhanced trench isolation | |
| US5484737A (en) | Method for fabricating bipolar transistor | |
| JP3150376B2 (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製法 | |
| JPH04112541A (ja) | 半導体装置の製法 | |
| US6642553B1 (en) | Bipolar transistor and method for producing same | |
| JPH01274470A (ja) | バイポーラ・トランジスタ装置及びその製造方法 | |
| JPS6252963A (ja) | バイポ−ラトランジスタの製造方法 | |
| JPH0529250A (ja) | 炭化珪素半導体装置 | |
| JPH02150033A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2869653B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS5940571A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2663632B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS6313352B2 (ja) | ||
| JP2613029B2 (ja) | 超自己整合垂直構造バイポーラトランジスターの製造方法 | |
| JP3116609B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3352792B2 (ja) | 静電誘導トランジスタの製造方法 | |
| JP3053831B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2575204B2 (ja) | バイポーラ型半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JP2764988B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2845044B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2794571B2 (ja) | バイポーラトランジスタの製造方法 | |
| JP3340809B2 (ja) | 縦型半導体素子及びその製造方法 | |
| JPH04287329A (ja) | ラテラルバイポーラトランジスタの製造方法 | |
| JPS62298170A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080319 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090319 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100319 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100319 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110319 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |