JP2901788B2 - 炭化珪素半導体装置 - Google Patents
炭化珪素半導体装置Info
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- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims description 35
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 22
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 boron ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/45—Ohmic electrodes
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66931—BJT-like unipolar transistors, e.g. hot electron transistors [HET], metal base transistors [MBT], resonant tunneling transistor [RTT], bulk barrier transistor [BBT], planar doped barrier transistor [PDBT], charge injection transistor [CHINT]
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
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- H—ELECTRICITY
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は炭化珪素を用いた半導体
装置、特にその配線構造に関する。
装置、特にその配線構造に関する。
【0002】
【従来の技術】現在、耐環境用素子(例えばMOSFE
T、Bip−Tr)、高速、高利得のヘテロジャンクシ
ョンバイポーラトランジスタ(HBT)として炭化珪素
を用いた半導体装置についての研究開発が行われていて
実際にその動作が確認されている。また炭化珪素のみを
用いたトランジスタも開発されている。しかし、炭化珪
素と配線として用いられるAl,Mo,Ti等の金属と
の接触が良好に得ることが困難であり問題となってい
る。
T、Bip−Tr)、高速、高利得のヘテロジャンクシ
ョンバイポーラトランジスタ(HBT)として炭化珪素
を用いた半導体装置についての研究開発が行われていて
実際にその動作が確認されている。また炭化珪素のみを
用いたトランジスタも開発されている。しかし、炭化珪
素と配線として用いられるAl,Mo,Ti等の金属と
の接触が良好に得ることが困難であり問題となってい
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、炭化珪素を
用いた半導体装置において、炭化珪素と配線を良好に接
続して量産に適する配線構造を提供せんとするものであ
る。
用いた半導体装置において、炭化珪素と配線を良好に接
続して量産に適する配線構造を提供せんとするものであ
る。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる炭化珪素
を用いた半導体装置は、その半導体基板と配線を接続す
る際に間にポリシリコンを介して接続することにより両
者の接続が良好になり、生産性を高め、かつ配線構造の
性能を向上したものである。
を用いた半導体装置は、その半導体基板と配線を接続す
る際に間にポリシリコンを介して接続することにより両
者の接続が良好になり、生産性を高め、かつ配線構造の
性能を向上したものである。
【0005】
【作用】上記の如く、本発明の配線構造は、炭化珪素の
半導体基板と配線との接続を高濃度ポリシリコンを介す
ることにより、炭化珪素と金属を直接接触することを防
ぐことができて接続構造の接触が良好になるものであ
る。
半導体基板と配線との接続を高濃度ポリシリコンを介す
ることにより、炭化珪素と金属を直接接触することを防
ぐことができて接続構造の接触が良好になるものであ
る。
【0006】
【実施例】以下、本発明を図面に示す実施例について説
明する。図1は本発明の一実施例によるSiCMoSト
ランジスタの構造を示す断面図である。
明する。図1は本発明の一実施例によるSiCMoSト
ランジスタの構造を示す断面図である。
【0007】このSiCMoSトランジスタを得るに
は、先ずN型炭化珪素基板(1)の上面(1,1,1)
を酸化させて約100nmの酸化膜3を形成する。
は、先ずN型炭化珪素基板(1)の上面(1,1,1)
を酸化させて約100nmの酸化膜3を形成する。
【0008】次にCVD法により酸化膜3の上にポリシ
リコン4を約300nm成長させる。その後、このポリ
シリコン4をエッチングを行いGATE部分だけ残す。
リコン4を約300nm成長させる。その後、このポリ
シリコン4をエッチングを行いGATE部分だけ残す。
【0009】つづいて、イオン注入によりソース領域、
ドレイン領域2を形成する。この形成の条件はボロンイ
オンを用いてエネルギーは50keV、ドーズ量は1×
1015cm−3である。
ドレイン領域2を形成する。この形成の条件はボロンイ
オンを用いてエネルギーは50keV、ドーズ量は1×
1015cm−3である。
【0010】この後、CVD法により酸化膜5を全面に
デポし、ゲート、ドレイン、ソース領域をエッチングし
てコンタクト領域を形成する。
デポし、ゲート、ドレイン、ソース領域をエッチングし
てコンタクト領域を形成する。
【0011】つづいて、CVD法により全面にポリシリ
コン7を約500nm迄成長させる。
コン7を約500nm迄成長させる。
【0012】その後このポリシリコンをエッチングを行
いコンタクト領域にのみポリシリコンをのこすようにす
る。
いコンタクト領域にのみポリシリコンをのこすようにす
る。
【0013】最後に高融点金属であるMo6をスパッタ
によりデポしエッチングする。
によりデポしエッチングする。
【0014】上記の如き工程を経て、SiCMoSトラ
ンジスタの配線構造として炭化珪素基板のソース層,ド
レイン層と配線としての高融点金属との接続をポリシリ
コン膜を介して行った配線構造のものを得ることができ
る。
ンジスタの配線構造として炭化珪素基板のソース層,ド
レイン層と配線としての高融点金属との接続をポリシリ
コン膜を介して行った配線構造のものを得ることができ
る。
【0015】図2は炭化珪素半導体装置の断面を示し、
11はN型のSi基板、12はP層、13はSiO
2膜、14はN型β−SiC、15はポリシリコン、1
6はアルミの配線を示す。ポリシリコンはCVD法で成
長して形成する。
11はN型のSi基板、12はP層、13はSiO
2膜、14はN型β−SiC、15はポリシリコン、1
6はアルミの配線を示す。ポリシリコンはCVD法で成
長して形成する。
【0016】上記実施例に詳記した如く、本発明は炭化
珪素を用いた半導体基板と配線を接続する際に間にポリ
シリコンを介して接続してなる半導体装置を提供するこ
とができる。
珪素を用いた半導体基板と配線を接続する際に間にポリ
シリコンを介して接続してなる半導体装置を提供するこ
とができる。
【0017】
【発明の効果】したがって、本発明の炭化珪素半導体装
置は、ポリシリコンを介する接続で炭化珪素と配線金属
との接触を良好なものとすることができて、配線と良好
な接触を与えることができる為、生産性の高いSiCの
耐環境素子やヘテロジャンクションバイポーラトランジ
スタの形成が可能となる利点を有する。
置は、ポリシリコンを介する接続で炭化珪素と配線金属
との接触を良好なものとすることができて、配線と良好
な接触を与えることができる為、生産性の高いSiCの
耐環境素子やヘテロジャンクションバイポーラトランジ
スタの形成が可能となる利点を有する。
【図1】 本発明の半導体装置の一実施例を示す断面図
である。
である。
【図2】 本発明の半導体装置の他の実施例を示す断面
図である。
図である。
1 炭化珪素基板 2 ソース,ドレイン層 3 GATE酸化膜 4 ポリシリコン膜 5 酸化膜 6 高融点金属 7 ポリシリコン 11 珪素基板 12 ベース層 13 酸化膜 14 炭化珪素膜 15 ポリシリコン膜 16 高融点金属
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 29/78 (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/28 - 21/288 H01L 21/3205 H01L 21/3213 H01L 21/336 H01L 21/44 - 21/445 H01L 21/768 H01L 29/40 - 29/51 H01L 29/78 H01L 29/872
Claims (7)
- 【請求項1】 基板上の炭化珪素面と、 上記炭化珪素面に沿って位置し、コンタクトホール領域
を備えている絶縁膜と、 上記絶縁膜の上記コンタクトホール領域内に配置され、
上記炭化珪素面に直接接触している導電性のポリシリコ
ン層と、 上記絶縁膜に沿って位置し、上記ポリシリコン層に接触
している配線層とを備え、 上記ポリシリコン層が上記炭化珪素面と上記配線層との
間に介在し、 上記配線層が上記炭化珪素面に、上記ポリシリコン層を
介して電気的に接続されていることを特徴とする炭化珪
素半導体装置。 - 【請求項2】 上記配線層が、高融点金属からなること
を特徴とする請求項1記載の炭化珪素半導体装置。 - 【請求項3】 上記配線層が、上記高融点金属をスパッ
タして形成されたものであることを特徴とする請求項2
記載の炭化珪素半導体装置。 - 【請求項4】 上記高融点金属が、Mo又はTiである
ことを特徴とする請求項2又は3記載の炭化珪素半導体
装置。 - 【請求項5】上記ポリシリコン層が、CVD法によって
形成されたものであることを特徴とする請求項1ないし
4のいずれか一つに記載の炭化珪素半導体装置。 - 【請求項6】 上記炭化珪素面が、n形炭化珪素からな
ることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに
記載の炭化珪素半導体装置。 - 【請求項7】 上記炭化珪素面にSiCMOSトランジ
スタ用のソース領域及びドレイン領域が形成されてい
て、 上記ポリシリコン層が、上記ソース領域及びドレイン領
域に接触していることを特徴とする請求項1ないし6の
いずれか一つに記載の炭化珪素半導体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3179355A JP2901788B2 (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 炭化珪素半導体装置 |
US07/883,118 US5279888A (en) | 1991-07-19 | 1992-05-14 | Silicon carbide semiconductor apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3179355A JP2901788B2 (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 炭化珪素半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0529250A JPH0529250A (ja) | 1993-02-05 |
JP2901788B2 true JP2901788B2 (ja) | 1999-06-07 |
Family
ID=16064398
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3179355A Expired - Fee Related JP2901788B2 (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 炭化珪素半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5279888A (ja) |
JP (1) | JP2901788B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10994176B2 (en) | 2011-09-30 | 2021-05-04 | Karsten Manufacturing Corporation | Grooves of golf club heads and methods to manufacture grooves of golf club heads |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR0153878B1 (ko) * | 1994-06-07 | 1998-10-15 | 쿠미하시 요시유키 | 탄화규소반도체장치와 그 제조방법 |
US6750091B1 (en) * | 1996-03-01 | 2004-06-15 | Micron Technology | Diode formation method |
JP3148982B2 (ja) * | 1998-11-11 | 2001-03-26 | 工業技術院長 | 半導体装置及びその製造方法 |
US7892974B2 (en) * | 2000-04-11 | 2011-02-22 | Cree, Inc. | Method of forming vias in silicon carbide and resulting devices and circuits |
US6475889B1 (en) | 2000-04-11 | 2002-11-05 | Cree, Inc. | Method of forming vias in silicon carbide and resulting devices and circuits |
US7125786B2 (en) * | 2000-04-11 | 2006-10-24 | Cree, Inc. | Method of forming vias in silicon carbide and resulting devices and circuits |
JP4545975B2 (ja) * | 2001-03-27 | 2010-09-15 | 日本特殊陶業株式会社 | 炭化珪素半導体用電極の製造方法、及び炭化珪素半導体用電極を備える炭化珪素半導体素子の製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4095251A (en) * | 1976-08-19 | 1978-06-13 | International Business Machines Corporation | Field effect transistors and fabrication of integrated circuits containing the transistors |
JPS61139058A (ja) * | 1984-12-11 | 1986-06-26 | Seiko Epson Corp | 半導体製造装置 |
JP2509713B2 (ja) * | 1989-10-18 | 1996-06-26 | シャープ株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
-
1991
- 1991-07-19 JP JP3179355A patent/JP2901788B2/ja not_active Expired - Fee Related
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1992
- 1992-05-14 US US07/883,118 patent/US5279888A/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US10994176B2 (en) | 2011-09-30 | 2021-05-04 | Karsten Manufacturing Corporation | Grooves of golf club heads and methods to manufacture grooves of golf club heads |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5279888A (en) | 1994-01-18 |
JPH0529250A (ja) | 1993-02-05 |
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