JP2002246698A5 - - Google Patents
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Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001038228A JP4703014B2 (ja) | 2001-02-15 | 2001-02-15 | 窒化物半導体発光素子、光学装置、および半導体発光装置とその製造方法 |
PCT/JP2002/000734 WO2002065556A1 (fr) | 2001-02-15 | 2002-01-30 | Element de source lumineuse a semi-conducteur a base de nitrure et son procede de realisation |
US10/468,061 US6984841B2 (en) | 2001-02-15 | 2002-01-30 | Nitride semiconductor light emitting element and production thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001038228A JP4703014B2 (ja) | 2001-02-15 | 2001-02-15 | 窒化物半導体発光素子、光学装置、および半導体発光装置とその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007071854A Division JP4146881B2 (ja) | 2007-03-20 | 2007-03-20 | 窒化物半導体発光素子およびエピウエハとその製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002246698A JP2002246698A (ja) | 2002-08-30 |
JP2002246698A5 true JP2002246698A5 (ja) | 2008-05-01 |
JP4703014B2 JP4703014B2 (ja) | 2011-06-15 |
Family
ID=18901246
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001038228A Expired - Lifetime JP4703014B2 (ja) | 2001-02-15 | 2001-02-15 | 窒化物半導体発光素子、光学装置、および半導体発光装置とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4703014B2 (ja) |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3756831B2 (ja) * | 2002-03-05 | 2006-03-15 | 三菱電線工業株式会社 | GaN系半導体発光素子 |
JP4540347B2 (ja) | 2004-01-05 | 2010-09-08 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子及び、その製造方法 |
JP2005322786A (ja) * | 2004-05-10 | 2005-11-17 | Sharp Corp | 窒化物半導体素子及びその製造方法 |
JP4689195B2 (ja) * | 2004-06-10 | 2011-05-25 | シャープ株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
US7157297B2 (en) | 2004-05-10 | 2007-01-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for fabrication of semiconductor device |
JP4651312B2 (ja) | 2004-06-10 | 2011-03-16 | シャープ株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
JP4889930B2 (ja) * | 2004-08-27 | 2012-03-07 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子の製造方法 |
JP4679867B2 (ja) * | 2004-09-27 | 2011-05-11 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子、及びその製造方法 |
US8368183B2 (en) | 2004-11-02 | 2013-02-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor device |
JP4744245B2 (ja) * | 2004-11-05 | 2011-08-10 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体素子 |
JP5525479B2 (ja) * | 2004-11-05 | 2014-06-18 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体素子 |
JP4543894B2 (ja) * | 2004-11-17 | 2010-09-15 | 住友電気工業株式会社 | エピタキシャルウエハを作製する方法 |
JP4543898B2 (ja) * | 2004-11-22 | 2010-09-15 | 住友電気工業株式会社 | 窒化物半導体素子を製造する方法および窒化物半導体素子 |
JP4854275B2 (ja) | 2004-12-08 | 2012-01-18 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP4928874B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2012-05-09 | 三洋電機株式会社 | 窒化物系半導体発光素子の製造方法および窒化物系半導体発光素子 |
US20070221932A1 (en) | 2006-03-22 | 2007-09-27 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of fabricating nitride-based semiconductor light-emitting device and nitride-based semiconductor light-emitting device |
JP5076746B2 (ja) * | 2006-09-04 | 2012-11-21 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
JP4573863B2 (ja) * | 2006-11-30 | 2010-11-04 | 三洋電機株式会社 | 窒化物系半導体素子の製造方法 |
JP4146881B2 (ja) * | 2007-03-20 | 2008-09-10 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子およびエピウエハとその製造方法 |
JP5074863B2 (ja) * | 2007-09-03 | 2012-11-14 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子およびエピウエハとその製造方法 |
JP4840345B2 (ja) * | 2007-12-03 | 2011-12-21 | 住友電気工業株式会社 | エピタキシャルウエハ、エピタキシャルウエハを作製する方法 |
JP2009170519A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Sharp Corp | 加工基板ならびに窒化物半導体レーザ装置およびその製造方法 |
JP2010098001A (ja) * | 2008-10-14 | 2010-04-30 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
JP5203412B2 (ja) * | 2010-04-12 | 2013-06-05 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
JP5679699B2 (ja) * | 2010-06-04 | 2015-03-04 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
JP2011018912A (ja) * | 2010-08-09 | 2011-01-27 | Sharp Corp | 窒化物半導体素子の製造方法 |
JP5530341B2 (ja) * | 2010-11-29 | 2014-06-25 | シャープ株式会社 | 半導体素子及びその製造方法 |
JP5749487B2 (ja) | 2010-12-21 | 2015-07-15 | 株式会社東芝 | 窒化物半導体の積層体及びその製造方法 |
JP5321666B2 (ja) * | 2011-10-06 | 2013-10-23 | 住友電気工業株式会社 | エピタキシャルウエハ、エピタキシャルウエハを作製する方法 |
CN104025260B (zh) * | 2012-08-03 | 2016-11-23 | 夏普株式会社 | 氮化物半导体元件结构体及其制造方法 |
JP5866044B1 (ja) * | 2014-11-13 | 2016-02-17 | エルシード株式会社 | 発光素子の製造方法及び発光素子 |
WO2015194382A1 (ja) * | 2014-06-17 | 2015-12-23 | エルシード株式会社 | 発光素子の製造方法及び発光素子 |
CN106463577A (zh) | 2014-06-17 | 2017-02-22 | 崇高种子公司 | 发光元件的制造方法及发光元件 |
JP7468361B2 (ja) * | 2018-12-13 | 2024-04-16 | ソニーグループ株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP7511734B1 (ja) | 2023-05-09 | 2024-07-05 | 日機装株式会社 | 窒化物半導体発光素子の寿命予測方法及び装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000004615A1 (en) * | 1998-07-14 | 2000-01-27 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser, semiconductor device, and method for manufacturing the same |
JP3659050B2 (ja) * | 1998-12-21 | 2005-06-15 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子 |
JP2001217503A (ja) * | 2000-02-03 | 2001-08-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | GaN系半導体発光素子およびその製造方法 |
JP3988018B2 (ja) * | 2001-01-18 | 2007-10-10 | ソニー株式会社 | 結晶膜、結晶基板および半導体装置 |
-
2001
- 2001-02-15 JP JP2001038228A patent/JP4703014B2/ja not_active Expired - Lifetime