JP2002232080A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2002232080A5
JP2002232080A5 JP2002005692A JP2002005692A JP2002232080A5 JP 2002232080 A5 JP2002232080 A5 JP 2002232080A5 JP 2002005692 A JP2002005692 A JP 2002005692A JP 2002005692 A JP2002005692 A JP 2002005692A JP 2002232080 A5 JP2002232080 A5 JP 2002232080A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
current
active layer
region
junction
barrier structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2002005692A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2002232080A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from EP01300447A external-priority patent/EP1225670B1/en
Application filed filed Critical
Publication of JP2002232080A publication Critical patent/JP2002232080A/ja
Publication of JP2002232080A5 publication Critical patent/JP2002232080A5/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

JP2002005692A 2001-01-18 2002-01-15 電流閉じ込め構造を持つ半導体素子及びその製造方法 Withdrawn JP2002232080A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP01300447A EP1225670B1 (en) 2001-01-18 2001-01-18 Semiconductor device with current confinement structure
EP01300447.8 2001-01-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002232080A JP2002232080A (ja) 2002-08-16
JP2002232080A5 true JP2002232080A5 (OSRAM) 2005-08-04

Family

ID=8181652

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002005692A Withdrawn JP2002232080A (ja) 2001-01-18 2002-01-15 電流閉じ込め構造を持つ半導体素子及びその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6509580B2 (OSRAM)
EP (1) EP1225670B1 (OSRAM)
JP (1) JP2002232080A (OSRAM)
DE (1) DE60136261D1 (OSRAM)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10108079A1 (de) * 2000-05-30 2002-09-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisch gepumpte oberflächenemittierende Halbleiterlaservorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
US6829275B2 (en) * 2001-12-20 2004-12-07 Bookham Technology, Plc Hybrid confinement layers of buried heterostructure semiconductor laser
EP1372229B1 (en) * 2002-06-12 2006-02-15 Agilent Technologies Inc., A Delaware Corporation Integrated semiconductor laser and waveguide device
EP1372228B1 (en) * 2002-06-12 2006-10-04 Agilent Technologies, Inc. - a Delaware corporation - Integrated semiconductor laser and waveguide device
KR100547830B1 (ko) * 2003-08-13 2006-01-31 삼성전자주식회사 집적광학장치 및 그 제조방법
US7009214B2 (en) 2003-10-17 2006-03-07 Atomic Energy Council —Institute of Nuclear Energy Research Light-emitting device with a current blocking structure and method for making the same
JP2005260109A (ja) * 2004-03-15 2005-09-22 Fujitsu Ltd 光半導体素子
DE102010026518B4 (de) * 2010-07-08 2025-02-27 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtdiodenchip und Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Leuchtdiodenchips
JP5803366B2 (ja) * 2011-07-14 2015-11-04 住友電気工業株式会社 埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法及び埋め込みヘテロ構造半導体レーザ
US11133649B2 (en) * 2019-06-21 2021-09-28 Palo Alto Research Center Incorporated Index and gain coupled distributed feedback laser

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4425650A (en) * 1980-04-15 1984-01-10 Nippon Electric Co., Ltd. Buried heterostructure laser diode
ES2084358T3 (es) * 1991-05-07 1996-05-01 British Telecomm Extraccion optica del reloj.
JPH05167191A (ja) * 1991-12-18 1993-07-02 Furukawa Electric Co Ltd:The 埋め込み型半導体レーザ素子
JPH0722691A (ja) * 1993-06-30 1995-01-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザとその製造方法
EP0639875A1 (en) * 1993-07-12 1995-02-22 BRITISH TELECOMMUNICATIONS public limited company Electrical barrier structure for semiconductor device
JPH0851250A (ja) * 1994-08-09 1996-02-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ
US5832019A (en) * 1994-11-28 1998-11-03 Xerox Corporation Index guided semiconductor laser biode with shallow selective IILD
JP3386261B2 (ja) * 1994-12-05 2003-03-17 三菱電機株式会社 光半導体装置、及びその製造方法
JPH08213691A (ja) * 1995-01-31 1996-08-20 Nec Corp 半導体レーザ
JPH0918079A (ja) * 1995-06-27 1997-01-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法,及び半導体装置
JP3241002B2 (ja) * 1998-09-02 2001-12-25 日本電気株式会社 半導体レーザの製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5183012B2 (ja) メサ構造および多重パッシベーション層を備える半導体デバイスならびに関連するデバイスの形成方法
JP5207817B2 (ja) シリコンナノワイヤーを利用した発光ダイオード及びその製造方法
JP6916777B2 (ja) 半導体発光素子およびその製造方法
JP5803366B2 (ja) 埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法及び埋め込みヘテロ構造半導体レーザ
JP2002232080A5 (OSRAM)
CN109510062B (zh) 掩埋dfb激光器及其制备方法
CN106785910A (zh) 一种掩埋结构激光器及其制造方法
JP4200892B2 (ja) 半導体発光装置の製造方法
CN209088264U (zh) 掩埋dfb激光器
JP5297892B2 (ja) 光半導体装置、及びその製造方法
TW201330283A (zh) 具有台面終端的碳化矽蕭基二極體元件及製造方法
US20070057202A1 (en) Method for making reproducible buried heterostructure semiconductor devices
JP2009194225A (ja) ショットキバリアダイオード、及びショットキバリアダイオードを作製する方法
JP4797782B2 (ja) 半導体光素子
KR101102168B1 (ko) 레이저 다이오드의 제조 방법
JP2006128609A (ja) リッジ導波型半導体レーザおよびその製造方法
JP5310441B2 (ja) 半導体レーザの製造方法
KR100386243B1 (ko) 청색 반도체 레이저 및 그 제조방법
JP5025898B2 (ja) 半導体レーザ素子の製造方法
JPH07169993A (ja) 半導体構造体および半導体発光素子
JP2004022934A (ja) 半導体レーザ素子及びその製造方法
JP2003163367A (ja) 半導体発光素子及びその製造方法
JP3672227B2 (ja) リッジ型半導体レーザ素子及びその製造方法
JP2921925B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2004071701A (ja) 半導体素子およびその製造方法