JP5803366B2 - 埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法及び埋め込みヘテロ構造半導体レーザ - Google Patents
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Description
図1及び図3〜図7は、第1実施形態に係る埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法を説明するための断面図であり、図2は、第1実施形態に係る埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法を説明するための断面斜視図であり、図8は、第1実施形態に係る埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法を説明するための斜視図である。
初めに、半導体積層堆積工程が行われる。本工程では、図1に示すように、半導体基板1の主面1S上に、活性層3を含む半導体レーザのための半導体積層9を堆積する。具体的には、半導体基板1の主面1S上に、分子線エピタキシー(MBE)法や有機金属気相成長(MOCVD)法等のエピタキシャル成長法によって、活性層3、上部クラッド層5、及び、コンタクト層7を、この順に堆積する。これにより、半導体基板1と半導体積層9とを含む半導体構造物10を形成する。
続いて、マスク層形成工程が行われる。本工程では、図2に示すように、半導体積層9の上面9T(半導体構造物10の上面10T)上にマスク層11を形成する。マスク層11は、Z軸方向から見て矩形のストライプ形状を有しており、半導体基板1の主面1Sと平行な第1方向に沿って延びる。図2では、第1方向を直交座標系2のY軸方向に設定している。マスク層11は、例えば、窒化シリコン(SiN)等の絶縁材料からなる。マスク層11の厚さは、例えば、300nmとすることができる。半導体基板1の主面1Sと平行、かつ、第1方向と直交する第2方向のマスク層11の幅は、例えば、5μm以上、20μm以下とすることができる。
続いて、半導体積層エッチング工程が行われる。本工程では、マスク層11を用いて半導体構造物10を半導体構造物10の厚さ方向(Z軸方向)の中間位置までエッチングすることにより、半導体メサを形成する。
次に、埋め込み層形成工程が行われる。本工程では、マスク層11を半導体メサ15上に残した状態で、被エッチング領域17の一部である第1領域17A1のみに半導体材料からなる埋め込み層を形成する。
(パッシベーション膜形成工程)
続いて、電極形成工程が行われる。本工程では、図8に示すように、例えば蒸着法によって、コンタクト層7とオーミック接触することによって半導体メサ15の上面15Tと電気的に接続された上部電極25を、半導体メサ15の上面15Tから被エッチング領域17の第2領域17A2に亘って形成する。これにより、上部電極25と埋め込み層19Aとの間にパッシベーション膜21が介在する。
次に、第2実施形態に係る埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法及び埋め込みヘテロ構造半導体レーザについて説明する。第2実施形態以降の実施形態については、主として第1実施形態との相違点について説明する。
本実施形態の埋め込み層形成工程では、まず図9に示すように、マスク層11を選択成長マスクとして用いて、MOCVD法等によって、被エッチング領域17の一部に、半導体メサ15メサの側面15Sの一部(例えば、半導体メサ15の底面から活性層3の上面までの領域の側面)のみ、及び、半導体基板1を覆うように半導体層19BPを形成する(半導体層形成工程)。半導体層19BPは、第1実施形態の半導体層19Pと同様の材料からなる(図5参照)。
次に、パッシベーション膜形成工程が行われる。本工程では、図11に示すように、マスク層11を除去した後、パッシベーション膜21Bを形成する。パッシベーション膜21Bは、第1実施形態のパッシベーション膜21(図7参照)と同様に、埋め込み層19Bの露出面を覆う。また、パッシベーション膜21Bは、第1実施形態のパッシベーション膜21と同様に、半導体メサ15の上面15T上に、Y軸方向に沿って延びる開口21Hを有する。本実施形態のパッシベーション膜21Bは、半導体メサ15の上面15Tの一部も覆っているが、上面15Tを覆っていなくてもよい。また、本実施形態のパッシベーション膜21Bは、埋め込み層19Bに沿った形状となるため、第1実施形態のパッシベーション膜21と形状が異なる。
続いて、電極形成工程が行われる。本工程では、第1実施形態の電極成形工程における方法と同様の方法によって、図12に示すように、半導体メサ15の上面15Tと電気的に接続された上部電極25Bを、半導体メサ15の上面15Tから被エッチング領域17の第2領域17B2に亘って形成すると共に、半導体基板1の裏面1Bと電気的に接続された下部電極27を形成する。上部電極25Bは、第1実施形態の上部電極25(図8参照)と同様の材料からなる。上部電極25Bのうち第2領域17B2内の領域は、半導体メサ15の側面15Sに沿った形状となるため、上部電極25Bの形状は、第1実施形態の上部電極25と異なる。
次に、第3実施形態に係る埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法及び埋め込みヘテロ構造半導体レーザについて説明する。
本実施形態の埋め込み層形成工程では、まず図13に示すように、マスク層11を選択成長マスクとして用いて、MOCVD法等によって、被エッチング領域17の一部に、半導体メサ15メサの側面15S、及び、半導体基板1を覆うように半導体層19CPを形成する(半導体層形成工程)。半導体層19CPは、第1実施形態の半導体層19Pと同様の材料からなる(図5参照)。
次に、パッシベーション膜形成工程が行われる。本工程では、図15に示すように、マスク層11を除去した後、パッシベーション膜21Cを形成する。パッシベーション膜21Cは、第1実施形態のパッシベーション膜21(図7参照)と同様に、埋め込み層19Bの露出面を覆う。また、パッシベーション膜21Cは、第1実施形態のパッシベーション膜21と同様に、半導体メサ15の上面15T上に、Y軸方向に沿って延びる開口21Hを有する。本実施形態のパッシベーション膜21Cは、半導体メサ15の上面15Tの一部も覆っているが、上面15Tを覆っていなくてもよい。
続いて、電極形成工程が行われる。本工程では、第1実施形態の電極成形工程における方法と同様の方法によって、図16に示すように、半導体メサ15の上面15Tと電気的に接続された上部電極25Cを、半導体メサ15の上面15Tから被エッチング領域17の第2領域17C2に亘って形成すると共に、半導体基板1の裏面1Bと電気的に接続された下部電極27を形成する。上部電極25Cは、第1実施形態の上部電極25(図8参照)と同様の材料からなる。
次に、第4実施形態に係る埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法及び埋め込みヘテロ構造半導体レーザについて説明する。
続いて、電極形成工程が行われる。本工程では、第1実施形態の電極成形工程における方法と同様の方法によって、図12に示すように、半導体メサ15の上面15Tと電気的に接続された上部電極25Dを、半導体メサ15の上面15Tから被エッチング領域17の第2領域17A2に亘って形成すると共に、半導体基板1の裏面1Bと電気的に接続された下部電極27を形成する。上部電極25Dは、第1実施形態の上部電極25(図8参照)と同様の材料からなる。
Claims (4)
- 半導体基板の主面上に活性層を含む半導体レーザのための半導体積層を堆積することにより、前記半導体基板と前記半導体積層を含む半導体構造物を得る半導体積層堆積工程と、
前記半導体積層上に、前記半導体基板の前記主面と平行な第1方向に沿って延びるマスク層を形成するマスク層形成工程と、
前記マスク層を用いて前記半導体構造物を当該半導体構造物の厚さ方向の中間位置までエッチングすることにより、前記第1方向に沿って延びる半導体メサであって、前記半導体基板の前記主面と平行、かつ、前記第1方向と直交する第2方向において前記半導体構造物がエッチングされて生じた被エッチング領域と隣接する半導体メサを形成する半導体積層エッチング工程と、
前記マスク層を前記半導体メサ上に残した状態で、前記被エッチング領域の一部のみに半導体材料からなる埋め込み層を形成する埋め込み層形成工程と、
前記埋め込み層形成工程後に、前記半導体メサの上面と電気的に接続された上部電極と、前記半導体基板の裏面と電気的に接続された下部電極と、を形成する電極形成工程と、
を備え、
前記半導体積層エッチング工程は、
ドライエッチング法によって、前記マスク層を用いて前記半導体構造物を当該半導体構造物の厚さ方向の途中の位置までエッチングするドライエッチング工程と、
前記ドライエッチング工程の後に、ウェットエッチング法によって、前記マスク層を用いて前記半導体構造物を当該半導体構造物の厚さ方向の前記中間位置までエッチングすることにより、前記第2方向において前記マスク層に対してアンダーカットされた形状を有する前記半導体メサを形成するウェットエッチング工程と、
を有し、
前記埋め込み層形成工程は、
前記マスク層を前記半導体メサ上に残した状態で前記半導体メサの側面及び前記半導体基板上に半導体層を形成することにより、前記被エッチング領域の前記一部及び前記被エッチング領域の他の一部に前記半導体層を形成する半導体層形成工程と、
前記半導体層のうち、前記マスク層によって覆われていない部分が、当該部分の厚さ方向の途中の位置までエッチングされるように、前記マスク層を用いて前記半導体層のうち前記被エッチング領域の前記他の一部に存在する部分をドライエッチング法によってエッチングすることにより、前記半導体メサの側面と隣接する側面部と、前記半導体基板を覆う底面部と、を有する前記埋め込み層を得る半導体層エッチング工程と、
を有し、
前記電極形成工程では、前記上部電極の一部と前記半導体基板との間に前記埋め込み層の前記底面部が介在するように、前記半導体メサの上面から前記被エッチング領域の他の一部に亘って前記上部電極を形成することを特徴とする埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法。 - 前記埋め込み層形成工程の後に、少なくとも前記埋め込み層の露出面の一部を覆うパッシベーション膜を形成するパッシベーション膜形成工程をさらに備え、
前記電極形成工程では、前記電極と前記埋め込み層との間に前記パッシベーション膜が介在するように、前記電極を形成することを特徴とする請求項1に記載の埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法。 - 前記埋め込み層の前記側面部の少なくとも一部は、前記半導体基板の前記主面と直交する方向に沿って延びる面を有し、
前記パッシベーション膜形成工程は、
前記半導体メサの上面及び前記埋め込み層の露出面にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜のうち、前記埋め込み層の前記側面部の前記少なくとも一部上の部分を残すように、前記パッシベーション膜の他の部分をドライエッチング法によって除去する工程と、
を有することを特徴とする請求項2に記載の埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法。 - 半導体基板と、前記半導体基板の主面上に設けられ、活性層を含む半導体レーザのための半導体積層と、を含む半導体構造物であって、当該半導体構造物の上面から当該半導体構造物の厚さ方向の中間位置までの領域は、前記半導体基板の前記主面と平行な第1方向に沿って延びる半導体メサを構成する、半導体構造物と、
前記半導体基板の前記主面と平行、かつ、前記第1方向と直交する第2方向において前記半導体メサと隣接する領域に設けられた半導体材料かなる埋め込み層と、
前記半導体メサの上面と電気的に接続された上部電極と、
前記半導体基板の裏面と電気的に接続された下部電極と、
を備え、
前記埋め込み層は、前記半導体メサの側面と隣接する側面部と、前記半導体基板を覆う底面部と、を有し、
前記上部電極は、前記半導体メサの上面から、前記半導体メサと共に前記埋め込み層の前記側面部を前記第2方向に挟む領域及び前記半導体基板上の領域まで延びており、これにより前記上部電極の一部と前記半導体基板との間に前記埋め込み層の前記底面部が介在し、
前記活性層は、量子カスケード構造を有することを特徴とする埋め込みヘテロ構造半導体レーザ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011155991A JP5803366B2 (ja) | 2011-07-14 | 2011-07-14 | 埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法及び埋め込みヘテロ構造半導体レーザ |
US13/544,000 US8956902B2 (en) | 2011-07-14 | 2012-07-09 | Process for manufacturing buried hetero-structure laser diodes |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011155991A JP5803366B2 (ja) | 2011-07-14 | 2011-07-14 | 埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法及び埋め込みヘテロ構造半導体レーザ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013026230A JP2013026230A (ja) | 2013-02-04 |
JP5803366B2 true JP5803366B2 (ja) | 2015-11-04 |
Family
ID=47519132
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011155991A Expired - Fee Related JP5803366B2 (ja) | 2011-07-14 | 2011-07-14 | 埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法及び埋め込みヘテロ構造半導体レーザ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8956902B2 (ja) |
JP (1) | JP5803366B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016087888A1 (en) * | 2014-12-03 | 2016-06-09 | Alpes Lasers Sa | Quantum cascade laser with current blocking layers |
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---|---|---|---|---|
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JP5451332B2 (ja) * | 2008-12-02 | 2014-03-26 | 日本オクラロ株式会社 | 光半導体装置 |
JP5691216B2 (ja) * | 2010-03-29 | 2015-04-01 | 富士通株式会社 | 光半導体集積素子及びその製造方法 |
-
2011
- 2011-07-14 JP JP2011155991A patent/JP5803366B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-07-09 US US13/544,000 patent/US8956902B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013026230A (ja) | 2013-02-04 |
US8956902B2 (en) | 2015-02-17 |
US20130017638A1 (en) | 2013-01-17 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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