KR101102168B1 - 레이저 다이오드의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 레이저 다이오드의 제조 방법에 관한 것으로, 에피 구조를 기존의 역순서로 성장하여 리지를 n-형층에 형성하고, 작은 리지 구조로 인해 발생하는 저항 성분을 줄이고, p-형층의 구조 및 전극은 넓은 면적으로 제작하여 저항을 낮춤으로써, 소자의 동작 전압을 낮추어 소자의 수명을 증대시킬 수 있는 효과가 있다.

레이저, 다이오드, 리지

Description

레이저 다이오드의 제조 방법 { Method for fabricating laser diode }

도 1은 종래 기술에 따른 절연성 기판에 제조된 청색 레이저 다이오드의 단면도

도 2는 종래 기술에 따른 전도성 기판에 제조된 청색 레이저 다이오드의 단면도

도 3a 내지 3f는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 레이저 다이오드의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도

도 4a 내지 4d는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 레이저 다이오드의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도

도 5a 내지 5f는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 레이저 다이오드의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도

도 6a 내지 6e는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 레이저 다이오드의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

100,300 : 기판 110,320,420,530 : P-GaN층

120,330,430,540 : P-AlGaN층 130,340,440,550 : P-GaN 웨이브 가이드층

140,350,450,560 : P-AlGaN 전자 범람 방지층

150,360,460,570 : InGaN 양자 우물층

160,370,470,580 : N-GaN 웨이브 가이드층

170,380,480,590 : N-AlGaN 클래드층 180,390,490,600 : N-GaN 전극층

200,400,500,700 : 리지 구조 210 : N-전극

220 : P-전극 250 : 산화막

310 : P-GaN/AlGaN 초격자층 310 : P-형 전도성 기판

410 : N-형 전도성 기판 520 : 터널 졍션(Tunnel junction)층

710 : 제 1 전극 720 : 제 2 전극

본 발명은 레이저 다이오드의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 에피 구조를 기존의 역순서로 성장하여 리지를 n-형층에 형성하고, 작은 리지 구조로 인해 발생하는 저항 성분을 줄이고, p-형층의 구조 및 전극은 넓은 면적으로 제작하여 저항을 낮춤으로써, 소자의 동작 전압을 낮추어 소자의 수명을 증대시킬 수 있는 레이저 다이오드의 제조 방법에 관한 것이다.

일반적으로, 청색 레이저 다이오드는 질화물 반도체를 기반으로 하는 대표적인 소자 중 하나로써, 대용량 정보저장 장치와 고해상도 레이저 프린터용 광원으로 개발되고 있다.

청색 레이저 다이오드는 지난 몇 년 동안 활발한 연구개발 활동을 통해 상당한 기술적 발전을 이루었으나, 아직도 소자 특성의 균일성이 떨어지고 수율이 낮아 양산하기 어려운 상황이다.

도 1은 종래 기술에 따른 절연성 기판에 제조된 청색 레이저 다이오드의 단면도로서, 절연성 기판(10) 상부에 N-GaN 전극층(11), N-AlGaN 클래드층(12), N-GaN 웨이브 가이드층(13), InGaN 양자 우물층(14), P-AlGaN 전자 범람 방지층(15), P-GaN 웨이브 가이드층(16), P-AlGaN 클래드층(17), P-GaN 전극층(18)이 순차적으로 적층되어 있고; 중앙 영역을 제외하고, 상기 P-GaN 전극층(18)에서 상기 P-AlGaN 클래드층(17)의 일부까지 식각되어 리지 구조(27)가 형성되어 있고; 상기 P-AlGaN 클래드층(17)에서 상기 N-GaN 전극층(11)의 일부까지 메사(Mesa) 식각되어 있고; 상기 리지 구조(20) 상부 및 메사 식각된 N-GaN 전극층(11)의 일부 영역을 노출시키고, 상기 P-AlGaN 클래드층(17) 상부, 메사 식각된 측벽과 상기 N-GaN 전극층(11) 상부에 산화막(25)이 형성되어 있고; 상기 노출된 리지 구조(27)를 감싸는 P-전극(20)이 형성되어 있고; 상기 노출된 N-GaN 전극층(11)을 감싸는 N-전극(21)이 형성되어 있다.

도 2는 종래 기술에 따른 전도성 기판에 제조된 청색 레이저 다이오드의 단 면도로서, 전도성 기판(30) 상부에 N-GaN전극층(31), N-AlGaN 클래드층(32), N-GaN 웨이브 가이드층(33), InGaN 양자 우물층(34), P-AlGaN 전자 범람 방지층(35), P-GaN 웨이브 가이드층(36), P-AlGaN 클래드층(37)과 P-GaN 전극층(38)이 순차적으로 적층되어 있고; 중앙 영역을 제외하고, 상기 P-GaN 전극층(38)에서 P-AlGaN 클래드층(37) 일부까지 식각되어 리지 구조(50)가 형성되어 있고; 상기 P-GaN 전극층(38) 상부를 노출시키고, 상기 P-AlGaN 클래드층(37) 상부 및 리지 구조(50) 측벽을 감싸는 산화막(39)이 형성되어 있고; 상기 노출된 P-GaN 전극층(38) 상부에 접촉되어 상기 산화막(39) 상부에 P-전극(40)이 형성되어 있고; 상기 전도성 기판(30) 하부에 N-전극(41)이 형성되어 이루어진다.

전술된 바와 같은, 레이저 다이오드 제작을 위한 공정에서는 리지(Ridge) 형성 영역을 제외한 나머지 영역을 P-클래드층의 일부까지 식각하고, 이렇게 형성된 리지의 측면에는 산화막과 같은 유전막이 형성되어 있다.

상기 유전막은 누설전류 제거를 위한 패시베이션(Passivation)과 트랜스버스 모드(Transverse Mode) 제어 용도로 적용된다.

그리고, 상기 리지는 인가되는 전류를 좁은 면적에 집중시켜 광을 보다 효과적으로 생성하여 레이저 발진이 이루어지는 레이저 다이오드의 핵심 영역이다.

이러한, 리지 구조에 따라 발진개시 전류, 양자효율, 모드 특성 등의 주 레이저 다이오드 특성에 직접적인 영향을 미치며, 안정적인 단일 모드 및 고출력 동작을 위해서 리지 폭이 미세화되어야 한다.

현재, 청색 레이저 다이오드의 리지 폭은 1 ~ 2m 정도로 설계되고 있고, 이 런 리지로 소자의 저항이 커지는 단점이 있다.

이렇게, 레이저 다이오드 소자의 저항이 커지면, 동작 전압이 높아지고 이로 인해 열화 현상 등과 같이 신뢰성에 악영향을 미치는 문제점을 야기한다.

여기서, 소자 저항이 커지는 원인은 질화물 반도체 같이 에너지 밴드 갭(band gap) 넓은 반도체에서는 P형 첨가물의 활성화 효율이 떨어져 정공(Hole) 농도 및 이동도가 낮기 때문이다.

정공 농도 및 이동도가 낮으면, 반도체 자체의 전도성이 저하되고 저항이 증가하는 동시에 저저항 전극 형성이 어려워 전극 저항도 함께 높아지는 문제점이 있다.

본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 에피 구조를 기존의 역순서로 성장하여 리지를 n-형층에 형성하고, 작은 리지 구조로 인해 발생하는 저항 성분을 줄이고, p-형층의 구조 및 전극은 넓은 면적으로 제작하여 저항을 낮춤으로써, 소자의 동작 전압을 낮추어 소자의 수명을 증대시킬 수 있는 레이저 다이오드의 제조 방법을 제공하는 데 목적이 있다.

상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 제 1 양태(樣態)는, 기판 상부에 P-GaN 전극층, P-AlGaN 클래드층, P-GaN 웨이브 가이드층, P-AlGaN 전자 범람 방지층, InGaN 양자 우물층, N-GaN 웨이브 가이드층, N-AlGaN 클래드층과 N-GaN 전극층을 순차적으로 적층하는 단계와;

중앙 영역을 제외하고, 상기 N-GaN 전극층에서 상기 N-AlGaN 클래드층의 일부까지 식각하여 리지 구조를 형성하는 단계와;

상기 N-AlGaN 클래드층에서 상기 P-GaN 전극층의 일부까지 메사(Mesa) 식각하는 단계와;

상기 리지 구조 상부 및 메사 식각된 P-GaN 전극층의 일부 영역을 노출시키고, 상기 P-AlGaN 클래드층 상부, 메사 식각된 측벽과 상기 P-GaN 전극층 상부에 산화막을 형성하는 단계와;

상기 노출된 리지 구조를 감싸는 N-전극을 형성하고, 상기 노출된 P-GaN 전극층을 감싸는 P-전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 레이저 다이오드의 제조 방법이 제공된다.

상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 제 2 양태(樣態)는, 기판 상부에 P-GaN/AlGaN 초격자(Supper lattice)층, P-GaN 전극층, P-AlGaN 클래드층, P-GaN 웨이브 가이드층, P-AlGaN 전자 범람 방지층, InGaN 양자 우물층, N-GaN 웨이브 가이드층, N-AlGaN 클래드층과 N-GaN 전극층을 순차적으로 적층하는 단계와;

중앙 영역을 제외하고, 상기 N-GaN 전극층에서 상기 N-AlGaN 클래드층의 일부까지 식각하여 리지 구조를 형성하고, 상기 N-AlGaN 클래드층에서 상기 P-GaN 전극층의 일부까지 메사(Mesa) 식각하는 단계와;

상기 메사 식각된 영역에 있는 P-GaN 전극층의 중앙영역을 제외하고 식각하여, 상기 P-GaN/AlGaN 초격자층을 노출시키는 단계와;

상기 리지 구조 상부 및 상기 메사 식각된 영역에 있는 P-GaN 전극층의 중앙영역 상부를 노출시키고, 상기 P-GaN/AlGaN 초격자층 상부, 메사 식각된 측벽, 상기 상기 메사 식각된 영역에 있는 P-GaN 전극층의 중앙영역 측벽, 상기 리지 구조 측벽과 상기 N-AlGaN 클래드층 상부에 산화막을 형성하는 단계와;

상기 리지 구조를 감싸는 N전극 및 상기 메사 식각된 영역에 있는 P-GaN 전극층의 중앙영역 상부에 P전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 레이저 다이오드의 제조 방법이 제공된다.

상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 제 3 양태(樣態)는, P-형 전도성 기판 상부에 P-GaN 전극층, P-AlGaN 클래드층, P-GaN 웨이브 가이드층, P-AlGaN 전자 범람 방지층, InGaN 양자 우물층, N-GaN 웨이브 가이드층, N-AlGaN 클래드층과 N-GaN 전극층을 순차적으로 적층하는 단계와;

중앙 영역을 제외하고, 상기 N-GaN 전극층에서 상기 N-AlGaN 클래드층의 일부까지 식각하여 리지 구조를 형성하는 단계와;

상기 리지 구조를 감싸고, 상기 N-AlGaN 클래드층 상부에 산화막을 형성하는 단계와;

상기 리지 구조 상부의 산화막을 제거하고, 상기 리지 구조를 감싸는 N-전극을 형성하는 단계와;

상기 P-형 전도성 기판의 하부를 연마하여 일부를 제거하는 단계와;

상기 연마된 P-형 전도성 기판 하부에 P-전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 레이저 다이오드의 제조 방법이 제공된다.

상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 제 4 양태(樣態)는, N-형 전도성 기판 상부에 터널 정션(Tunnel junction)층, P-GaN층, P-AlGaN 클래드층, P-GaN 웨이브 가이드층, P-AlGaN 전자 범람 방지층, InGaN 양자 우물층, N-GaN 웨이브 가이드층, N-AlGaN 클래드층과 N-GaN 전극층을 순차적으로 적층하는 단계와;

중앙 영역을 제외하고, 상기 N-GaN 전극층에서 상기 N-AlGaN 클래드층의 일부까지 식각하여 리지 구조를 형성하는 단계와;

상기 리지 구조를 감싸고, 상기 N-AlGaN 클래드층 상부에 산화막을 형성하는 단계와;

상기 리지 구조 상부의 산화막을 제거하고, 상기 리지 구조를 감싸는 제 1 전극을 형성하고, 상기 P-형 전도성 기판의 하부를 연마하여 일부를 제거하는 단계와;

상기 연마된 N-형 전도성 기판 하부에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 레이저 다이오드의 제조 방법이 제공된다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.

도 3a 내지 3f는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 레이저 다이오드의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도로서, 먼저, 기판(100) 상부에 P-GaN 전극층(110), P- AlGaN 클래드층(120), P-GaN 웨이브 가이드층(130), P-AlGaN 전자 범람 방지층(140), InGaN 양자 우물층(150), N-GaN 웨이브 가이드층(160), N-AlGaN 클래드층(170), N-GaN 전극층(180)을 순차적으로 적층한다.(도 3a)

그 후, 중앙 영역을 제외하고, 상기 N-GaN 전극층(180)에서 상기 N-AlGaN 클래드층(170)의 일부까지 식각하여 리지 구조(200)를 형성한다.(도 3b)

이어서, 상기 N-AlGaN 클래드층(170)에서 상기 P-GaN 전극층(110)의 일부까지 메사(Mesa) 식각한다.(도 3c)

그 다음, 상기 리지 구조(200) 상부 및 메사 식각된 P-GaN 전극층(110)의 일부 영역을 노출시키고, 상기 P-AlGaN 클래드층(170) 상부, 메사 식각된 측벽과 상기 P-GaN 전극층(110) 상부에 산화막(250)을 형성한다.(도 3d)

연이어, 상기 노출된 리지 구조(200)를 감싸는 N-전극(210)을 형성하고, 상기 노출된 P-GaN 전극층(110)을 감싸는 P-전극(220)을 형성한다.(도 3e)

도 4a 내지 4d는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 레이저 다이오드의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도로서, 기판(300) 상부에 P-GaN/AlGaN 초격자(Supper lattice)층(310), P-GaN 전극층(320), P-AlGaN 클래드층(330), P-GaN 웨이브 가이드층(340), P-AlGaN 전자 범람 방지층(350), InGaN 양자 우물층(360), N-GaN 웨이브 가이드층(370), N-AlGaN 클래드층(380)과 N-GaN 전극층(390)을 순차적으로 적층한다.(도 4a)

그 후, 중앙 영역을 제외하고, 상기 N-GaN 전극층(390)에서 상기 N-AlGaN 클래드층(380)의 일부까지 식각하여 리지 구조(400)를 형성하고, 상기 N-AlGaN 클래 드층(380)에서 상기 P-GaN 전극층(320)의 일부까지 메사(Mesa) 식각한다.(도 4b)

그 다음, 상기 메사 식각된 영역에 있는 P-GaN 전극층의 중앙영역(320a)을 제외하고 식각하여, 상기 P-GaN/AlGaN 초격자층(310)을 노출시킨다.(도 4c)

연이어, 상기 리지 구조(400) 상부 및 상기 메사 식각된 영역에 있는 P-GaN 전극층의 중앙영역(320a) 상부를 노출시키고, 상기 P-GaN/AlGaN 초격자층(310) 상부, 메사 식각된 측벽, 상기 상기 메사 식각된 영역에 있는 P-GaN 전극층의 중앙영역(320a) 측벽, 상기 리지 구조(400) 측벽과 상기 N-AlGaN 클래드층(380) 상부에 산화막(250)을 형성하고, 그 후, 상기 리지 구조(400)를 감싸는 N전극(210) 및 상기 메사 식각된 영역에 있는 P-GaN 전극층의 중앙영역(320a) 상부에 P전극(220)을 형성한다.(도 4d)

도 5a 내지 5f는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 레이저 다이오드의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도로서, P-형 전도성 기판(410) 상부에 P-GaN 전극층(420), P-AlGaN 클래드층(430), P-GaN 웨이브 가이드층(440), P-AlGaN 전자 범람 방지층(450), InGaN 양자 우물층(460), N-GaN 웨이브 가이드층(470), N-AlGaN 클래드층(480)과 N-GaN 전극층(490)을 순차적으로 적층한다.(도 5a)

그 후, 중앙 영역을 제외하고, 상기 N-GaN 전극층(490)에서 상기 N-AlGaN 클래드층(480)의 일부까지 식각하여 리지 구조(500)를 형성한다.(도 5b)

연이어, 상기 리지 구조(500)를 감싸고, 상기 N-AlGaN 클래드층(480) 상부에 산화막(250)을 형성한다.(도 5c)

이어서, 상기 리지 구조(500) 상부의 산화막(250)을 제거하고, 상기 리지 구 조(500)를 감싸는 N-전극(210)을 형성한다.(도 5d)

그 다음, 상기 P-형 전도성 기판(410)의 하부를 연마하여 일부를 제거한다.(도 5e)

이 때, 상기 연마공정으로, 상기 P-형 전도성 기판(410)의 두께(T)는 120㎛ 미만이 되도록 하는 것이 바람직하다.

그 후, 상기 연마된 P-형 전도성 기판(410) 하부에 P-전극(220)을 형성한다.(도 5f)

도 6a 내지 6e는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 레이저 다이오드의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도로서, N-형 전도성 기판(510) 상부에 터널 정션(Tunnel junction)층(520), P-GaN층(530), P-AlGaN 클래드층(540), P-GaN 웨이브 가이드층(550), P-AlGaN 전자 범람 방지층(560), InGaN 양자 우물층(570), N-GaN 웨이브 가이드층(580), N-AlGaN 클래드층(590)과 N-GaN 전극층(600)을 순차적으로 적층한다.(도 6a)

그 후, 중앙 영역을 제외하고, 상기 N-GaN 전극층(600)에서 상기 N-AlGaN 클래드층(590)의 일부까지 식각하여 리지 구조(700)를 형성한다.(도 6b)

연이어, 상기 리지 구조(700)를 감싸고, 상기 N-AlGaN 클래드층(590) 상부에 산화막(250)을 형성한다.(도 6c)

이어서, 상기 리지 구조(700) 상부의 산화막(250)을 제거하고, 상기 리지 구조(700)를 감싸는 제 1 전극(710)을 형성하고, 상기 P-형 전도성 기판(510)의 하부를 연마하여 일부를 제거한다.(도 6d)

그 다음, 상기 연마된 N-형 전도성 기판(510) 하부에 제 2 전극(720)을 형성한다.(도 6e)

따라서, 본 발명은 레이저 다이오드를 기존 방법의 역순으로 성장시켜, 리지를 p-형층보다 상대적으로 저항이 작은 n-형층에 형성함으로써, 전류 흐름의 저항을 줄일 수 있어 소자의 동작 전압을 낮추어 소자의 수명을 증가시킬 수 있는 장점이 있다.

이상 상술한 바와 같이, 본 발명은 에피 구조를 기존의 역순서로 성장하여 리지를 n-형층에 형성하고, 작은 리지 구조로 인해 발생하는 저항 성분을 줄이고, p-형층의 구조 및 전극은 넓은 면적으로 제작하여 저항을 낮춤으로써, 소자의 동작 전압을 낮추어 소자의 수명을 증대시킬 수 있는 효과가 있다.

본 발명은 구체적인 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (4)

1. 기판 상부에 P-GaN 전극층, P-AlGaN 클래드층, P-GaN 웨이브 가이드층, P-AlGaN 전자 범람 방지층, InGaN 양자 우물층, N-GaN 웨이브 가이드층, N-AlGaN 클래드층과 N-GaN 전극층을 순차적으로 적층하는 단계와;

   상기 N-GaN 전극층에서 상기 N-AlGaN 클래드층의 일부까지 식각하여 리지 구조를 형성하는 단계와;

   상기 N-AlGaN 클래드층에서 상기 P-GaN 전극층의 일부까지 메사(Mesa) 식각하는 단계와;

   상기 리지 구조 상부 및 메사 식각된 P-GaN 전극층의 일부 영역을 노출시키고, 상기 P-AlGaN 클래드층 상부, 메사 식각된 측벽과 상기 P-GaN 전극층 상부에 산화막을 형성하는 단계와;

   상기 노출된 리지 구조를 감싸는 N-전극을 형성하고, 상기 노출된 P-GaN 전극층을 감싸는 P-전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 레이저 다이오드의 제조 방법.
2. 기판 상부에 P-GaN/AlGaN 초격자(Supper lattice)층, P-GaN 전극층, P-AlGaN 클래드층, P-GaN 웨이브 가이드층, P-AlGaN 전자 범람 방지층, InGaN 양자 우물층, N-GaN 웨이브 가이드층, N-AlGaN 클래드층과 N-GaN 전극층을 순차적으로 적층하는 단계와;

   상기 N-GaN 전극층에서 상기 N-AlGaN 클래드층의 일부까지 식각하여 리지 구조를 형성하고, 상기 N-AlGaN 클래드층에서 상기 P-GaN 전극층의 일부까지 메사(Mesa) 식각하는 단계와;

   상기 메사 식각된 영역에 있는 P-GaN 전극층의 중앙영역 외측의 가장자리 영역을 식각하여, 상기 P-GaN/AlGaN 초격자층을 노출시키는 단계와;

   상기 리지 구조 상부 및 상기 메사 식각된 영역에 있는 P-GaN 전극층의 중앙영역 상부를 노출시키고, 상기 P-GaN/AlGaN 초격자층 상부, 메사 식각된 측벽, 상기 상기 메사 식각된 영역에 있는 P-GaN 전극층의 중앙영역 측벽, 상기 리지 구조 측벽과 상기 N-AlGaN 클래드층 상부에 산화막을 형성하는 단계와;

   상기 리지 구조를 감싸는 N전극 및 상기 메사 식각된 영역에 있는 P-GaN 전극층의 중앙영역 상부에 P전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 레이저 다이오드의 제조 방법.
3. P-형 전도성 기판 상부에 P-GaN 전극층, P-AlGaN 클래드층, P-GaN 웨이브 가이드층, P-AlGaN 전자 범람 방지층, InGaN 양자 우물층, N-GaN 웨이브 가이드층, N-AlGaN 클래드층과 N-GaN 전극층을 순차적으로 적층하는 단계와;

   상기 N-GaN 전극층에서 상기 N-AlGaN 클래드층의 일부까지 식각하여 리지 구조를 형성하는 단계와;

   상기 리지 구조를 감싸고, 상기 N-AlGaN 클래드층 상부에 산화막을 형성하는 단계와;

   상기 리지 구조 상부의 산화막을 제거하고, 상기 리지 구조를 감싸는 N-전극을 형성하는 단계와;

   상기 P-형 전도성 기판의 하부를 연마하여 일부를 제거하는 단계와;

   상기 연마된 P-형 전도성 기판 하부에 P-전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 레이저 다이오드의 제조 방법.
4. N-형 전도성 기판 상부에 터널 정션(Tunnel junction)층, P-GaN층, P-AlGaN 클래드층, P-GaN 웨이브 가이드층, P-AlGaN 전자 범람 방지층, InGaN 양자 우물층, N-GaN 웨이브 가이드층, N-AlGaN 클래드층과 N-GaN 전극층을 순차적으로 적층하는 단계와;

   상기 N-GaN 전극층에서 상기 N-AlGaN 클래드층의 일부까지 식각하여 리지 구조를 형성하는 단계와;

   상기 리지 구조를 감싸고, 상기 N-AlGaN 클래드층 상부에 산화막을 형성하는 단계와;

   상기 리지 구조 상부의 산화막을 제거하고, 상기 리지 구조를 감싸는 제 1 전극을 형성하고, 상기 N-형 전도성 기판의 하부를 연마하여 일부를 제거하는 단계와;

   상기 연마된 N-형 전도성 기판 하부에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 레이저 다이오드의 제조 방법.

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