KR960032820A - 단파장 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 단파장 반도체 레이저 소자 및 그 제조방벙에 관한 것이다.

본 발명은 기판상에 p-버퍼층, p-클래드층, 활성층, 제1, 제2n-클래드층, n-통전용이층 및 n-캡층을 순차적으로 적층 성장하는 단계; 상기 적층 성장 후, 아연확산 방지용 마스크를 상기 n-캡층 상면에 형성하고 선택적 식각에 의해 소정 패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크의 패턴 형성 후, 아연을 확산시키는 단계; 및 상기 아연확산 완료 후, 아연 확산 방지용 마스크를 제거하고 상,하부 전극을 마련하여 소자를 완성하는 단계를 포함하고 있다.

이와 같이, 1단계 성장만으로 소자가 완성되므로 종래의 복수 성장에 따른 오염을 방지하여 소자의 특성저하를 막을 수 있고, 공정이 단순화되어 생산원가를 절감할 수 있는 한편 생산성을 한층 증진시킬 수 있는 장점이 있다.

Description

단파장 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제5도는 본 발명에 따른 단파장 반도체 레이저 소자의 제조과정에 있어서, 1차성장 후의 단면도,

제6도는 본 발명에 따른 단파장 반도체 레이저 소자의 제조과정에 있어서, 선택적 식각에 의해 소정 패턴의 아연확산 방지용 마스크가 형성된 상태도,

제7도는 본 발명에 따른 단파장 반도체 레이저 소자의 제조과정에 있어서, 아연확산법에 의해 p-클래드층을 형성한 상태도,

제8도는 본 발명에 따른 단파장 반도체 레이저 소자의 제조과정에 있어서, 상,하부 전극을 마련하여 소자를 완성한 상태의 단면도.

Claims (5)

1. 그 저면에 전극이 마련되는 기판과, 상기 기판의 상부에 형성되는 것으로 그 상,하부에는 클래드층이 마련되어 있으며 레이저를 발진시키는 활성층과, 상기 활성층의 방부에 형성되는 것으로 전류를 차단하는 전류 차단층을 구비하는 반도체 레이저 소자에 있어서, 상기 활성층의 상부에는 n형의 제1클래드층이 형성되어 있고, 그 제1클래드층의 중앙부위에는 n형의 제2클래드층과 통전용이층 및 캡층으로 적층형성된 메사형 리지 스트라이프가 형성되어 있으며, 그 리지 스트라이프의 양측으로는 전류차단층 역할을 하는 p형의 클래드층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 단파장 반도체 레이저 소자.
2. 제1항에 있어서, 상기 제1클래드층 및 제2클래드층은 n-AlGaInP의 화학적 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 단파장 반도체 레이저 소자.
3. 제1항에 있어서, 상기 p형의 클래드층은 AlGaInP의 화학적 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 단파장 반도체 레이저 소자.
4. 기판상에 p-버퍼층, p-클래드층, 활성층, 제1, 제2n-클래드층, n-통전용이층 및 n-캡층을 순차적으로 적층 성장하는 단계; 상기 적층 성장 후, 아연확산 방지용 마스크를 상기 n-캡층 상면에 형성하고 선택적 식각에 의해 소정 패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크의 패턴 형성 후, 아연을 확산시키는 단계; 및 상기 아연확산 완료 후, 아연 확산 방지용 마스크를 제거하고 상,하부 전극을 마련하여 소자를 완성하는 단계를 포함하여 된 것을 특징으로 하는 단파장 반도체 레이저 소자의 제조방법.
5. 제4항에 있어서, 상기 아연확산 시의 분위기 온도는 약700℃정도를 유지시키는 것을 특징으로 하는 단파장 반도체 레이저 소자의 제조방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.