JP2002229237A - 電子写真感光体、画像形成装置及びプロセスカートリッジ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明の目的は黒ポチ等の画像欠陥を発生し
ない電子写真感光体を提供する事であり、更に詳しく
は、黒ポチ等の画像欠陥を防止できる中間層を有する電
子写真感光体、画像形成装置、プロセスカートリッジの
提供。 【解決手段】 導電性支持体と感光層の間に中間層を有
する電子写真感光体において、該中間層が粒子を含有し
ており、かつ中間層の膜厚１μｍ当たりの吸光度が、１
０００ｎｍの波長に対して０．２５以下である事を特徴
とする電子写真感光体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、複写機やプリンタ
ーの分野において用いられる電子写真感光体、及び該電
子写真感光体を用いた画像形成装置、プロセスカートリ
ッジに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】電子写真用の感光体はＳｅ、ヒ素、ヒ素
／Ｓｅ合金、ＣｄＳ、ＺｎＯ等の無機感光体から、環境
への負荷や製造の容易性等の利点に優れる有機感光体に
主流が移り、様々な材料を用いた有機感光体が開発され
ている。なかでも近年では、電荷発生と電荷輸送の機能
を異なる材料に担わせ、層構成としては電荷発生層と電
荷輸送層を積層した感光体が広く用いられている。

【０００３】また電子写真プロセスに目を向けると、潜
像画像形成方式は、ハロゲンランプを光源として原稿の
反射光を感光体上に結像させるアナログ画像形成と、原
稿から生成したデジタル電気信号をＬＥＤやレーザーに
より光信号に変え、これを感光体上に結像させるデジタ
ル方式の画像形成に大別される。最近はパソコン等から
のハードコピー用のプリンターとして、また通常の複写
機においても画像処理や複合機への展開の容易さから、
デジタル方式の潜像画像形成方式が急激に主流となりつ
つある。

【０００４】殆どの原稿では、現像部は非現像部よりも
面積的に小さい。よってデジタル方式の書き込みでは、
露光部分を現像する反転現像方式との組み合わせが主に
用いられている。この反転現像を用いた画像形成方法の
特有の問題として本来、白地部として画像が得られるべ
きところに、トナーが付着してカブリを生じる現象、即
ち、感光体の局部的な欠陥による黒ポチ等の発生が知ら
れている。これは、デジタルかつ反転現像方式において
は、高電位であるべき感光層表面が、リークによって部
分的に低電位となる為に生じる現象であり、近年のトナ
ーの微粒化やプロセスの改良によって高画質、高解像度
化が進み、ミクロンスケールの潜像欠陥ですら現像され
るようになった結果、顕在化し易くなっている問題であ
る。

【０００５】これらの問題を解決するため中間層を用い
る技術が開発されている。例えば、導電性支持体と感光
層の間に中間層を設け、該中間層には酸化チタン粒子を
樹脂中に分散した構成を有する電子写真感光体が知られ
ている。又、表面処理を行った酸化チタンを含有させた
中間層の技術も知られている。例えば、特開平４−３０
３８４６号の酸化鉄、酸化タングステンで表面処理され
た酸化チタン、特開平９−９６９１６号のアミノ基含有
カップリング剤で表面処理された酸化チタン、特開平９
−２５８４６９号の有機珪素化合物で表面処理された酸
化チタン、特開平８−３２８２８３号のメチルハイドロ
ジェンポリシロキサンで表面処理された酸化チタン等が
挙げられる。しかしこれらの技術を用いても高温高湿
や、低温低湿の厳しい環境下では尚、黒ポチの発生防止
が十分でなく、或いは、繰り返し使用に伴う残留電位の
上昇、露光部電位の上昇が起こり、画像濃度が十分得ら
れないといった問題が発生している。更に、特開平１１
−３４４８２６号には金属酸化物、或いは有機化合物で
表面処理された樹枝状酸化チタンを用いた中間層を有す
る電子写真感光体が提案されている。しかし、この特許
に示された実施例の追試を行った結果では、尚、高温高
湿での黒ポチ発生の防止効果が十分でない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の問題点に鑑み、黒ポチ等の画像欠陥を発生しない電
子写真感光体を提供する事であり、更に詳しくは、黒ポ
チ等の画像欠陥を防止できる中間層を有する電子写真感
光体、及び該電子写真感光体を用いた画像形成装置、プ
ロセスカートリッジを提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の目的は、下記構
成の何れかを採ることにより達成される。

【０００８】１．導電性支持体と感光層の間に中間層を
有する電子写真感光体において、該中間層が粒子を含有
しており、かつ中間層の膜厚１μｍ当たりの吸光度が、
１０００ｎｍの波長に対して０．２５以下であることを
特徴とする電子写真感光体。

【０００９】２．前記粒子の数平均一次粒径が１０ｎｍ
以上２００ｎｍ以下の金属酸化物粒子であることを特徴
とする前記１に記載の電子写真感光体。

【００１０】３．前記金属酸化物粒子がＮ型半導体粒子
であることを特徴とする前記２に記載の電子写真感光
体。

【００１１】４．前記Ｎ型半導体粒子が酸化チタン粒子
であることを特徴とする前記３に記載の電子写真感光
体。

【００１２】５．前記酸化チタン粒子が複数回の表面処
理を施されており、且つ最終表面処理が反応性有機ケイ
素化合物による表面処理であることを特徴とする前記４
に記載の電子写真感光体。

【００１３】６．前記反応性有機ケイ素化合物がメチル
ハイドロジェンポリシロキサンであることを特徴とする
前記５に記載の電子写真感光体。

【００１４】７．前記反応性有機ケイ素化合物が前記一
般式（１）で示される有機ケイ素化合物であることを特
徴とする前記５に記載の電子写真感光体。

【００１５】８．前記一般式（１）のＲが炭素数４から
８までのアルキル基であることを特徴とする前記７に記
載の電子写真感光体。

【００１６】９．前記複数回の表面処理のうち少なくと
も一回の表面処理がアルミナ、シリカ、及びジルコニア
から選択される１種以上の化合物の表面処理であること
を特徴とする前記５〜８の何れか１項に記載の電子写真
感光体。

【００１７】１０．前記酸化チタン粒子がシリカ及びア
ルミナの両方もしくはどちらか一方による表面処理を行
い、次いで反応性有機ケイ素化合物による表面処理を行
うことを特徴とする前記４〜９の何れか１項に記載の電
子写真感光体。

【００１８】１１．前記酸化チタン粒子がフッ素原子を
有する有機ケイ素化合物による表面処理を施されたこと
を特徴とする前記４に記載の電子写真感光体。

【００１９】１２．前記中間層がポリアミド樹脂を含有
していることを特徴とする前記１〜１１の何れか１項に
記載の電子写真感光体。

【００２０】１３．電子写真感光体の周辺に、少なくと
も帯電手段、露光手段、現像手段、転写手段を有し、繰
り返し画像形成を行う画像形成装置において、該電子写
真感光体が前記１〜１２の何れか１項に記載の電子写真
感光体であることを特徴とする画像形成装置。

【００２１】１４．電子写真感光体の周辺に、少なくと
も帯電手段、露光手段、現像手段、転写手段を有し、繰
り返し画像形成を行う画像形成装置に用いられるプロセ
スカートリッジが、前記１〜１２の何れか１項に記載の
電子写真感光体と、帯電手段、露光手段、現像手段、転
写手段及びクリーニング手段の少なくとも１つを一体と
して有しており、該画像形成装置に出し入れ可能に構成
されたことを特徴とするプロセスカートリッジ。

【００２２】以下、本発明について詳細に説明する。本
発明の電子写真感光体（以下、単に感光体とも云う）は
導電性支持体と感光層の間に設ける中間層に粒子を含有
させること、及びその中間層の膜厚あたりの吸光度を一
定の数値以下に構成することを特徴としている。

【００２３】本発明者らは、黒ポチの大きな原因の一つ
は、中間層中に粗な部分のあること、例えば、一次粒径
自体が大、一次粒径まで分散されなかった粗大粒子、あ
るいは塗布時の凝集によって生成する凝集粒子等による
ことを見出した。従って、中間層の黒ポチ発生防止機能
を向上させるには、一次粒径の小さい粒子を用い、良く
分散し、均一な層を形成すればよい。この均一性の尺度
が、膜厚あたりの吸光度である。

【００２４】まず、本発明に用いられる粒子は、数平均
一次粒径が１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲が好まし
い。粒径が小さ過ぎると凝集力が大きくなって、分散に
要するエネルギーが大きくなったり、或いは凝集し易く
なる。粒径が大き過ぎると中間層が本質的に粗となる為
に、黒ポチ防止機能が低下する傾向にある。即ち、数平
均一次粒径が前記範囲の粒子を用いることが好ましい。

【００２５】本発明の範囲である、中間層に含まれる粒
子の数平均一次粒径が１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であ
るということ、及び中間層の膜厚１μｍ当たりの吸光度
が、１０００ｎｍの波長に対して０．２５以下であると
いう系は、波長が粒径よりも明らかに大きい、即ちＲａ
ｙｌｅｉｇｈ散乱領域であり、一般にこの領域では、光
の散乱は、粒径の６乗に比例して減少する事が知られて
いる。即ち、本発明の粒子が、均一に一次粒径近くまで
分散されると、散乱は非常に弱くなり、中間層の吸光度
は極めて０に近づくことになる。逆に凝集等による粗大
粒子が増加すると、散乱が急激に増加して、吸光度は増
大する。よって、膜厚あたりの吸光度が小さくなればな
るほど膜は均一であり、黒ポチ発生防止機能は大きくな
る。

【００２６】膜厚あたりの吸光度は、０．２５以下、好
ましくは０．０２０〜０．２０の範囲である。原理的に
下限を決定することは困難であるが、０．０２０未満と
する事は、現時点では分散時間が長大となる為に現実的
ではない。

【００２７】ここで、吸光度とは入射光量Ｉ₀が中間層
を通過後Ｉになったとしたとき、下記式で表される。

【００２８】吸光度＝ｌｏｇ₁₀（Ｉ₀／Ｉ） 数平均一次粒径は、中間層を透過型電子顕微鏡観察によ
って１０，０００倍に拡大し、ランダムに１００個の粒
子を一次粒子として観察し、画像解析によってフェレ方
向平均径としての測定値である。

【００２９】吸光度は、一般的な分光光度計によって測
定できる。中間層の粒子は有機物、無機物を問わない
が、特には金属酸化物が好ましく、更にＮ型半導体粒子
が好ましい。具体的には酸化チタン（ＴｉＯ₂）、酸化
亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ₂）等の微粒子が挙
げられるが、中でも酸化チタンが好ましく、更には、良
好な分散性を達成するために表面処理を施したＮ型半導
体粒子が好ましい。特に表面処理を施した酸化チタン粒
子が好ましい。中間層における粒子の含有率は、体積率
にして１０から９０％が好ましく、更には２５から７５
％が好ましい。

【００３０】ここで、Ｎ型半導体粒子とは、導電性キャ
リアを電子とする性質をもつ微粒子を示す。すなわち、
導電性キャリアを電子とする性質とは、該Ｎ型半導体粒
子を絶縁性バインダーに含有させることにより、基体か
らのホール注入を効率的にブロックし、また、感光層か
らの電子に対してはブロッキング性を示さない性質を有
するものをいう。

【００３１】前記Ｎ型半導体粒子の表面処理とは、Ｎ型
半導体粒子表面を金属酸化物や、反応性有機ケイ素化合
物、有機金属化合物等によって被覆することを意味す
る。本発明に用いられる特に好ましいＮ型半導体粒子の
表面処理を以下に記載する。

【００３２】好ましいＮ型半導体粒子の表面処理の１つ
は、複数回の表面処理が行われ、且つ該複数回の表面処
理の中で、最後の表面処理が反応性有機ケイ素化合物に
よる表面処理であることを特徴とする。

【００３３】又、好ましいＮ型半導体粒子の表面処理の
他の１つは、メチルハイドロジェンポリシロキサンによ
る表面処理であることを特徴としている。

【００３４】又、好ましいＮ型半導体粒子の表面処理の
他の１つは、フッ素原子を有する有機ケイ素化合物によ
る表面処理であることを特徴としている。

【００３５】上記３つのうちいずれか１つの表面処理を
施されたＮ型半導体粒子を含有させて導電性支持体と感
光層の間に中間層を設けることにより、残留電位や、帯
電電位等の電子写真特性を劣化させることなく、黒ポチ
の発生を著しく抑制することができ、更に、レーザー露
光によるモアレの発生も改善することができる。

【００３６】本発明に好ましく用いられる酸化チタン粒
子の平均粒径は数平均一次粒径が１０ｎｍ以上２００ｎ
ｍ以下の範囲が好ましい。数平均一次粒径が前記範囲の
酸化チタン粒子を用いた中間層塗布液は分散安定性が良
好で、且つこのような塗布液から形成された中間層は十
分な黒ポチ発生防止機能を有する。

【００３７】又、酸化チタン粒子の形状は、樹枝状、針
状および粒状等の形状があり、このような形状の酸化チ
タンは、結晶型としては、アナターゼ型、ルチル型およ
びアモルファス型などがあるが、いずれの形状、結晶型
を用いてもよく、また２種以上の形状、結晶型を混合し
て用いても構わない。

【００３８】本発明のＮ型半導体粒子に行われる表面処
理の１つは、複数回の表面処理を行うものであり、かつ
該複数回の表面処理の中で、最後の表面処理が反応性有
機ケイ素化合物による表面処理を行うものである。ま
た、該複数回の表面処理の中で、少なくとも１回の表面
処理がアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、シリカ（ＳｉＯ₂）、及
びジルコニア（ＺｒＯ₂）から選ばれる少なくとも１種
類以上の化合物を用いて行われ、最後に反応性有機ケイ
素化合物による表面処理を行うものであることが好まし
い。なお、これらの化合物は水和物を有するものも含ま
れる。

【００３９】また、本発明のＮ型半導体粒子に行われる
表面処理の他の方法としては、複数回の表面処理を行
い、かつ該複数回の表面処理の中で、最後の表面処理に
反応性有機チタン化合物や或いは反応性有機ジルコニウ
ム化合物を用いて表面処理を行うものである。また、該
複数回の表面処理の中で、少なくとも１回の表面処理が
上記同様アルミナ、シリカ、及びジルコニアから選ばれ
る少なくとも１種類以上の化合物を用いて行われ、最後
に反応性有機チタン化合物或いは反応性有機ジルコニウ
ム化合物による表面処理を行うものであることが好まし
い。

【００４０】この様に、酸化チタン粒子の様なＮ型半導
体粒子の表面処理を少なくとも２回以上行うことによ
り、Ｎ型半導体粒子表面が均一に表面被覆（処理）さ
れ、該表面処理されたＮ型半導体粒子を中間層に用いる
と、中間層内における酸化チタン粒子等のＮ型半導体粒
子の分散性が良好で、かつ黒ポチ等の画像欠陥を発生さ
せない良好な感光体を得ることができるのである。

【００４１】また、該複数回の表面処理をアルミナ、シ
リカを用いて表面処理を行い、次いで反応性有機ケイ素
化合物による表面処理を行うものや、アルミナ、シリカ
を用いた表面処理の後に反応性有機チタン化合物或いは
反応性有機ジルコニウム化合物を用いた表面処理を行う
ものが特に好ましい。

【００４２】なお、前述のアルミナ、シリカの処理は同
時に行っても良いが、特にアルミナ処理を最初に行い、
次いでシリカ処理を行うことが好ましい。また、アルミ
ナとシリカの処理をそれぞれ行う場合のアルミナ及びシ
リカの処理量は、アルミナよりもシリカの多いものが好
ましい。

【００４３】前記酸化チタン等のＮ型半導体粒子のアル
ミナ、シリカ、及びジルコニア等の金属酸化物による表
面処理は湿式法で行うことができる。例えば、シリカ、
又はアルミナの表面処理を行ったＮ型半導体粒子は以下
の様に作製することができる。

【００４４】Ｎ型半導体粒子として酸化チタン粒子を用
いる場合、酸化チタン粒子（数平均一次粒子径：５０ｎ
ｍ）を５０〜３５０ｇ／Ｌの濃度で水中に分散させて水
性スラリーとし、これに水溶性のケイ酸塩又は水溶性の
アルミニウム化合物を添加する。その後、アルカリ又は
酸を添加して中和し、酸化チタン粒子の表面にシリカ、
又はアルミナを析出させる。続いて濾過、洗浄、乾燥を
行い目的の表面処理酸化チタンを得る。前記水溶性のケ
イ酸塩としてケイ酸ナトリウムを使用した場合には、硫
酸、硝酸、塩酸等の酸で中和することができる。一方、
水溶性のアルミニウム化合物として硫酸アルミニウムを
用いたときは水酸化ナトリウムや水酸化カリウム等のア
ルカリで中和することができる。

【００４５】なお、上記表面処理に用いられる金属酸化
物の量は、前記表面処理時の仕込量にて酸化チタン粒子
等のＮ型半導体粒子１００質量部に対して、０．１〜５
０質量部、更に好ましくは１〜１０質量部の金属酸化物
が用いられる。尚、前述のアルミナとシリカを用いた場
合も例えば酸化チタン粒子の場合、酸化チタン粒子１０
０質量部に対して各々１〜１０質量部用いることが好ま
しく、アルミナよりもシリカの量が多いことが好まし
い。

【００４６】上記の金属酸化物による表面処理の次に行
われる反応性有機ケイ素化合物による表面処理は以下の
様な湿式法で行うことが好ましい。

【００４７】即ち、有機溶剤や水に対して前記反応性有
機ケイ素化合物を溶解または懸濁させた液に前記金属酸
化物で処理された酸化チタンを添加し、この液を数分か
ら１時間程度撹拌する。そして場合によっては該液に加
熱処理を施した後に、濾過等の工程を経た後乾燥し、表
面を有機ケイ素化合物で被覆した酸化チタン粒子を得
る。なお、有機溶剤や水に対して酸化チタンを分散させ
た懸濁液に前記反応性有機ケイ素化合物を添加しても構
わない。

【００４８】尚、本発明において酸化チタン粒子表面が
反応性有機ケイ素化合物により被覆されていることは、
光電子分光法（ＥＳＣＡ）、オージェ電子分光法（Ａｕ
ｇｅｒ）、２次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）や拡散反
射ＦＩ−ＩＲ等の表面分析手法を複合することによって
確認されるものである。

【００４９】前記表面処理に用いられる反応性有機ケイ
素化合物の量は、前記表面処理時の仕込量にて前記金属
酸化物で処理された酸化チタン１００質量部に対し、反
応性有機ケイ素化合物を０．１〜５０質量部、更に好ま
しくは１〜１０質量部が好ましい。表面処理量が上記範
囲よりも少ないと表面処理効果が十分に付与されず、中
間層内における酸化チタン粒子の分散性等が悪くなる。
また、上記範囲を超えてしまうと電気性能を悪化させる
結果残留電位上昇や帯電電位の低下を招いてしまう。

【００５０】本発明で用いられる反応性有機ケイ素化合
物としては下記一般式（２）で表される化合物が挙げら
れるが、酸化チタン表面の水酸基等の反応性基と縮合反
応をする化合物であれば、下記化合物に限定されない。

【００５１】一般式（２） （Ｒ）_n−Ｓｉ−（Ｘ）_4-n （式中、Ｓｉはケイ素原子、Ｒは該ケイ素原子に炭素が
直接結合した形の有機基を表し、Ｘは加水分解性基を表
し、ｎは０〜３の整数を表す。） 一般式（２）で表される有機ケイ素化合物において、Ｒ
で示されるケイ素に炭素が直接結合した形の有機基とし
ては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、
ヘキシル、オクチル、ドデシル等のアルキル基、フェニ
ル、トリル、ナフチル、ビフェニル等のアリール基、γ
−グリシドキシプロピル、β−（３，４−エポキシシク
ロヘキシル）エチル等の含エポキシ基、γ−アクリロキ
シプロピル、γ−メタアクリロキシプロピルの含（メ
タ）アクリロイル基、γ−ヒドロキシプロピル、２，３
−ジヒドロキシプロピルオキシプロピル等の含水酸基、
ビニル、プロペニル等の含ビニル基、γ−メルカプトプ
ロピル等の含メルカプト基、γ−アミノプロピル、Ｎ−
β（アミノエチル）−γ−アミノプロピル等の含アミノ
基、γ−クロロプロピル、１，１，１−トリフロオロプ
ロピル、ノナフルオロヘキシル、パーフルオロオクチル
エチル等の含ハロゲン基、その他ニトロ、シアノ置換ア
ルキル基を挙げられる。また、Ｘの加水分解性基として
はメトキシ、エトキシ等のアルコキシ基、ハロゲン基、
アシルオキシ基が挙げられる。

【００５２】また、一般式（２）で表される有機ケイ素
化合物は、単独でも良いし、２種以上組み合わせて使用
しても良い。

【００５３】また、一般式（２）で表される有機ケイ素
化合物の具体的化合物で、ｎが２以上の場合、複数のＲ
は同一でも異なっていても良い。同様に、ｎが２以下の
場合、複数のＸは同一でも異なっていても良い。又、一
般式（２）で表される有機ケイ素化合物を２種以上を用
いるとき、Ｒ及びＸはそれぞれの化合物間で同一でも良
く、異なっていても良い。

【００５４】ｎが０の化合物例としては下記の化合物が
挙げられる。テトラクロロシラン、ジエトキシジクロロ
シラン、テトラメトキシシラン、フェノキシトリクロロ
シラン、テトラアセトキシシラン、テトラエトキシシラ
ン、テトラアリロキシシラン、テトラプロポキシシラ
ン、テトライソプロポキシシラン、テトラキス（２−メ
トキシエトキシ）シラン、テトラブトキシシラン、テト
ラフェノキシシラン、テトラキス（２−エチルブトキ
シ）シラン、テトラキス（２−エチルヘキシロキシ）シ
ラン等が挙げられる。

【００５５】ｎが１の化合物例としては下記の化合物が
挙げられる。即ち、トリクロロシラン、メチルトリクロ
ロシラン、ビニルトリクロロシラン、エチルトリクロロ
シラン、アリルトリクロロシラン、ｎ−プロピルトリク
ロロシラン、ｎ−ブチルトリクロロシラン、クロロメチ
ルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メ
ルカプトメチルトリメトキシシラン、トリメトキシビニ
ルシラン、エチルトリメトキシシラン、３，３，４，
４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルトリク
ロロシラン、フェニルトリクロロシラン、３、３、３−
トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、３−クロロ
プロピルトリメトキシシラン、トリエトキシシラン、３
−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノ
プロピルトリメトキシシラン、２−アミノエチルアミノ
メチルトリメトキシシラン、ベンジルトリクロロシラ
ン、メチルトリアセトキシシラン、クロロメチルトリエ
トキシシラン、エチルトリアセトキシシラン、フェニル
トリメトキシシラン、３−アリルチオプロピルトリメト
キシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシ
ラン、３−ブロモプロピルトリエトキシシラン、３−ア
リルアミノプロピルトリメトキシシラン、プロピルトリ
エトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、３−ア
ミノプロピルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシ
プロピルトリメトキシシラン、ビス（エチルメチルケト
オキシム）メトキシメチルシラン、ペンチルトリエトキ
シシラン、オクチルトリエトキシシラン、ドデシルトリ
エトキシシラン等が挙げられる。

【００５６】ｎが２の化合物例としては下記の化合物が
挙げられる。ジメチルジクロロシラン、ジメトキシメチ
ルシラン、ジメトキシジメチルシラン、メチル−３，
３，３−トリフルオロプロピルジクロロシラン、ジエト
キシシラン、ジエトキシメチルシラン、ジメトキシメチ
ル−３，３，３−トリフルオロプロピルシラン、３−ク
ロロプロピルジメトキシメチルシラン、クロロメチルジ
エトキシシラン、ジエトキシジメチルシラン、ジメトキ
シ−３−メルカプトプロピルメチルシラン、３，３，
４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルメ
チルジクロロシラン、メチルフェニルジクロロシラン、
ジアセトキシメチルビニルシラン、ジエトキシメチルビ
ニルシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジクロ
ロシラン、３−アミノプロピルジエトキシメチルシラ
ン、３−（２−アミノエチルアミノプロピル）ジメトキ
シメチルシラン、ｔ−ブチルフェニルジクロロシラン、
３−メタクリロキシプロピルジメトキシメチルシラン、
３−（３−シアノプロピルチオプロピル）ジメトキシメ
チルシラン、３−（２−アセトキシエチルチオプロピ
ル）ジメトキシメチルシラン、ジメトキシメチル−２−
ピペリジノエチルシラン、ジブトキシジメチルシラン、
３−ジメチルアミノプロピルジエトキシメチルシラン、
ジエトキシメチルフェニルシラン、ジエトキシ−３−グ
リシドキシプロピルメチルシラン、３−（３−アセトキ
シプロピルチオ）プロピルジメトキシメチルシラン、ジ
メトキシメチル−３−ピペリジノプロピルシラン、ジエ
トキシメチルオクタデシルシラン等が挙げられる。

【００５７】ｎが３の化合物例としては下記の化合物が
挙げられる。トリメチルクロロシラン、メトキシトリメ
チルシラン、エトキシトリメチルシラン、メトキシジメ
チル−３，３，３−トリフルオロプロピルシラン、３−
クロロプロピルメトキシジメチルシラン、メトキシ−３
−メルカプトプロピルメチルメチルシラン等が挙げられ
る。

【００５８】また、一般式（２）で表される有機ケイ素
化合物は、好ましくは下記一般式（１）で示される有機
ケイ素化合物が用いられる。

【００５９】一般式（１） Ｒ−Ｓｉ−（Ｘ）₃ 式中、Ｒはアルキル基、アリール基、Ｘはメトキシ基、
エトキシ基、ハロゲン基を表す。

【００６０】一般式（１）で表される有機ケイ素化合物
においては、更に好ましくはＲが炭素数４から８までの
アルキル基である有機ケイ素化合物が好ましく、具体的
な好ましい化合物例としては、トリメトキシｎ−ブチル
シラン、トリメトキシｉ−ブチルシラン、トリメトキシ
ヘキシルシラン、トリメトキシオクチルシランが挙げら
れる。

【００６１】又、最後の表面処理に用いる好ましい反応
性有機ケイ素化合物としてはハイドロジェンポリシロキ
サン化合物が挙げられる。該ハイドロジェンポリシロキ
サン化合物の分子量は１０００〜２００００のものが一
般に入手しやすく、又、黒ポチ発生防止機能も良好であ
る。特にメチルハイドロジェンポリシロキサンを最後の
表面処理に用いると良好な効果が得られる。

【００６２】本発明の酸化チタンの表面処理の他の１つ
はフッ素原子を有する有機ケイ素化合物により表面処理
を施された酸化チタン粒子である。該フッ素原子を有す
る有機ケイ素化合物による表面処理、前記した湿式法で
行うのが好ましい。

【００６３】即ち、有機溶剤や水に対して前記フッ素原
子を有する有機ケイ素化合物を溶解または懸濁させ、こ
の中に未処理の酸化チタンを添加し、このような溶液を
数分から１時間程度撹拌して混合し、場合によっては加
熱処理を施した後に、濾過などの工程を経て乾燥し、酸
化チタン表面をフッ素原子を有する有機ケイ素化合物で
被覆する。なお、有機溶剤や水に対して酸化チタンを分
散した懸濁液に前記フッ素原子を有する有機ケイ素化合
物を添加しても構わない。

【００６４】尚、前記酸化チタン表面がフッ素原子を有
する有機ケイ素化合物によって被覆されていることは、
光電子分光法（ＥＳＣＡ）、オージェ電子分光法（Ａｕ
ｇｅｒ）、２次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）や拡散反
射ＦＩ−ＩＲ等の表面分析装置を用いて複合的に確認す
ることができる。

【００６５】本発明に用いられるフッ素原子を有する有
機ケイ素化合物としては、３，３，４，４，５，５，
６，６，６−ノナフルオロヘキシルトリクロロシラン、
３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラ
ン、メチル−３，３，３−トリフルオロプロピルジクロ
ロシラン、ジメトキシメチル−３，３，３−トリフルオ
ロプロピルシラン、３，３，４，４，５，５，６，６，
６−ノナフルオロヘキシルメチルジクロロシラン等が挙
げられる。

【００６６】なお、本発明では、上記のＮ型半導体粒子
に最後に行われる表面処理を反応性有機チタン化合物や
反応性有機ジルコニウム化合物を用いて行われるものも
含まれるが、具体的な表面処理方法は、上記反応性有機
ケイ素化合物による表面処理方法に準ずる方法によって
行われるものである。

【００６７】また、前記Ｎ型半導体粒子表面が反応性有
機チタン化合物や反応性有機ジルコニウム化合物によっ
て被覆されていることは、光電子分光法（ＥＳＣＡ）、
オージェ電子分光法（Ａｕｇｅｒ）、２次イオン質量分
析法（ＳＩＭＳ）や拡散反射ＦＩ−ＩＲ等の表面分析手
法を複合的に用いることにより高精度に確認されるもの
である。

【００６８】前記Ｎ型半導体粒子の表面処理に用いられ
る具体的な反応性有機チタン化合物としては、テトラプ
ロポキシチタン、テトラブトキシチタン等の金属アルコ
キシド化合物やジイソプロポキシチタニウムビス（アセ
チルアセテート）、ジイソプロポキシチタニウムビス
（エチルアセトアセテート）、ジイソプロポキシチタニ
ウムビス（ラクテート）、ジブトキシチタニウムビス
（オクチレングリコレート）、ジイソプロポキシチタニ
ウムビス（トリエタノールアミナート）等の金属キレー
ト化合物が挙げられる。また、反応性有機ジルコニウム
化合物としては、テトラブトキシジルコニウムやブトキ
シジルコニウムトリ（アセチルアセテート）等の金属ア
ルコキシド化合物や金属キレート化合物が挙げられる。

【００６９】次に、前記表面処理が施された酸化チタン
粒子等のＮ型半導体粒子（以下、表面処理Ｎ型半導体粒
子ともいう。また、特に、表面処理が施された酸化チタ
ン粒子を表面処理酸化チタンとも云う）を用いた中間層
の構成について説明する。

【００７０】本発明の中間層は、前記複数回の表面処理
を行って得られた表面処理酸化チタン等の表面処理Ｎ型
半導体粒子をバインダー樹脂とともに溶媒中に分散させ
た液を導電性支持体上に塗布することにより作製され
る。

【００７１】本発明の中間層は導電性支持体と感光層の
間に設けられ、該導電性支持体と感光層との良好な接着
性、感光層から導電性支持体への良好な電子注入、移動
性、及び該支持体からの正孔注入を防止するバリア機能
を有する。該中間層のバインダー樹脂としては、ポリア
ミド樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリビニ
ルアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビ
ニルアルコール樹脂やメラミン樹脂、エポキシ樹脂、ア
ルキッド樹脂等の熱硬化性樹脂やこれらの樹脂の繰り返
し単位のうちの２つ以上を含む共重合体樹脂が挙げられ
る。これらバインダー樹脂の中でポリアミド樹脂が特に
好ましく、特には共重合、メトキシメチロール化等のア
ルコール可溶性ポリアミドが好ましい。前記バインダー
樹脂中に分散される本発明の表面処理Ｎ型半導体粒子の
量は、例えば表面処理酸化チタンの場合では、該バイン
ダー樹脂１００質量部に対し、１０〜１０，０００質量
部、好ましくは５０〜１，０００質量部である。該表面
処理酸化チタンをこの範囲で用いることにより、該酸化
チタンの分散性を良好に保つことができ、黒ポチの発生
しない、良好な中間層を形成することができる。

【００７２】本発明の中間層の膜厚は０．５〜１５μｍ
が好ましい。膜厚を前記範囲で用いることにより、黒ポ
チの発生しない、電子写真特性の良好な中間層を形成で
きる。

【００７３】本発明の中間層を形成するために作製する
中間層塗布液は前記表面処理酸化チタン等の表面処理Ｎ
型半導体粒子、バインダー樹脂、分散溶媒等から構成さ
れるが、分散溶媒としては他の感光層の作製に用いられ
る溶媒と同様なものが適宜用いられる。

【００７４】即ち、本発明の中間層、感光層、その他樹
脂層の形成に用いられる溶媒又は分散媒としては、ｎ−
ブチルアミン、ジエチルアミン、エチレンジアミン、イ
ソプロパノールアミン、トリエタノールアミン、トリエ
チレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセ
トン、メチルエチルケトン、メチルイソプロピルケト
ン、シクロヘキサノン、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、クロロホルム、ジクロロメタン、１，２−ジクロロ
エタン、１，２−ジクロロプロパン、１，１，２−トリ
クロロエタン、１，１，１−トリクロロエタン、トリク
ロロエチレン、テトラクロロエタン、テトラヒドロフラ
ン、ジオキソラン、ジオキサン、メタノール、エタノー
ル、ブタノール、イソプロパノール、酢酸エチル、酢酸
ブチル、ジメチルスルホキシド、メチルセロソルブ等が
挙げられる。

【００７５】中間層塗布液溶媒としては、これらに限定
されるものではないが、メタノール、エタノール、ブタ
ノール、１−プロパノール、イソプロパノール等が好ま
しく用いられる。また、これらの溶媒は単独或いは２種
以上の混合溶媒として用いることもできる。

【００７６】また、中間層塗布溶媒としては、中間層塗
布時の乾燥ムラの発生を防止するために高い樹脂溶解性
を有するメタノールと直鎖アルコールとの混合溶媒を用
いることが好ましく、好ましい溶媒の比率は、体積比で
メタノール１に対して直鎖アルコールを０．０５〜０．
６の比率で混合したものがよい。この様に塗布溶媒を混
合溶媒とすることで溶媒の蒸発速度が適切に保たれ、塗
布時の乾燥ムラに伴う画像欠陥の発生を抑えることがで
きる。

【００７７】中間層塗布液の作製に用いられる表面処理
酸化チタンの分散手段としてはサンドミル、ボールミ
ル、超音波分散等いずれの分散手段を用いても良い。

【００７８】前記中間層を含め、本発明の電子写真感光
体を製造するための塗布加工方法としては、浸漬塗布、
スプレー塗布、円形量規制型塗布等の塗布加工法が用い
られるが、感光層の上層側の塗布加工は下層の膜を極力
溶解させないため、又、均一塗布加工を達成するためス
プレー塗布又は円形量規制型（円形スライドホッパ型が
その代表例）塗布等の塗布加工方法を用いるのが好まし
い。なお前記スプレー塗布については例えば特開平３−
９０２５０号及び特開平３−２６９２３８号公報に詳細
に記載され、前記円形量規制型塗布については例えば特
開昭５８−１８９０６１号公報に詳細に記載されてい
る。

【００７９】以下に本発明に好ましく用いられる感光体
の構成について記載する。 導電性支持体 本発明の感光体に用いられる導電性支持体としてはシー
ト状、円筒状のどちらを用いても良いが、画像形成装置
をコンパクトに設計するためには円筒状導電性支持体の
方が好ましい。

【００８０】本発明の円筒状導電性支持体とは回転する
ことによりエンドレスに画像を形成できることが必要な
円筒状の支持体を意味し、真直度で０．１ｍｍ以下、振
れ０．１ｍｍ以下の範囲にある導電性の支持体が好まし
い。この真直度及び振れの範囲を超えると、良好な画像
形成が困難になる。

【００８１】導電性の材料としてはアルミニウム、ニッ
ケルなどの金属ドラム、又はアルミニウム、酸化錫、酸
化インジュウムなどを蒸着したプラスチックドラム、又
は導電性物質を塗布した紙・プラスチックドラムを使用
することができる。導電性支持体としては常温で比抵抗
１０³Ωｃｍ以下が好ましい。

【００８２】以下、本発明の電子写真感光体の好ましい
感光層構成について記載する。 感光層 本発明の感光体の感光層構成は前記下引層上に電荷発生
機能と電荷輸送機能を１つの層に持たせた単層構造の感
光層構成でも良いが、より好ましくは感光層の機能を電
荷発生層（ＣＧＬ）と電荷輸送層（ＣＴＬ）に分離した
構成をとるのがよい。機能を分離した構成を取ることに
より繰り返し使用に伴う残留電位増加を小さく制御で
き、その他の電子写真特性を目的に合わせて制御しやす
い。負帯電用の感光体では下引き層の上に電荷発生層
（ＣＧＬ）、その上に電荷輸送層（ＣＴＬ）の構成を取
ることが好ましい。正帯電用の感光体では前記層構成の
順が負帯電用感光体の場合の逆となる。本発明の最も好
ましい感光層構成は前記機能分離構造を有する負帯電感
光体構成である。

【００８３】以下に機能分離負帯電感光体の感光層構成
について説明する。 電荷発生層 電荷発生層：電荷発生層には電荷発生物質（ＣＧＭ）を
一種又は複数種含有する。その他の物質としては必要に
よりバインダー樹脂、その他添加剤を含有しても良い。

【００８４】電荷発生物質（ＣＧＭ）としては公知の電
荷発生物質（ＣＧＭ）を用いることができる。例えばフ
タロシアニン顔料、アゾ顔料、ペリレン顔料、アズレニ
ウム顔料などを用いることができる。これらの中で繰り
返し使用に伴う残留電位増加を最も小さくできるＣＧＭ
は複数の分子間で安定な凝集構造をとりうる立体、電位
構造を有するものであり、具体的には特定の結晶構造を
有するフタロシアニン顔料、ペリレン顔料のＣＧＭが挙
げられる。例えばＣｕ−Ｋα線に対するブラッグ角２θ
が２７．２°に最大ピークを有するチタニルフタロシア
ニン、同２θが１２．４に最大ピークを有するベンズイ
ミダゾールペリレン等のＣＧＭは繰り返し使用に伴う劣
化がほとんどなく、残留電位の増加を小さくすることが
できる。

【００８５】電荷発生層にＣＧＭの分散媒としてバイン
ダーを用いる場合、バインダーとしては公知の樹脂を用
いることができるが、最も好ましい樹脂としてはホルマ
ール樹脂、ブチラール樹脂、シリコン樹脂、シリコン変
性ブチラール樹脂、フェノキシ樹脂等が挙げられる。バ
インダー樹脂と電荷発生物質との割合は、バインダー樹
脂１００質量部に対し２０〜６００質量部が好ましい。
これらの樹脂を用いることにより、繰り返し使用に伴う
残留電位増加を最も小さくできる。電荷発生層の膜厚は
０．０１μｍ〜２μｍが好ましい。

【００８６】電荷輸送層 電荷輸送層：電荷輸送層には電荷輸送物質（ＣＴＭ）及
びＣＴＭを分散し製膜するバインダー樹脂を含有する。
その他の物質としては必要により酸化防止剤等の添加剤
を含有しても良い。

【００８７】電荷輸送物質（ＣＴＭ）としては公知の電
荷輸送物質（ＣＴＭ）を用いることができる。例えばト
リフェニルアミン誘導体、ヒドラゾン化合物、スチリル
化合物、ベンジジン化合物、ブタジエン化合物などを用
いることができる。これら電荷輸送物質は通常、適当な
バインダー樹脂中に溶解して層形成が行われる。これら
の中で繰り返し使用に伴う残留電位増加を最も小さくで
きるＣＴＭは１０^-5ｃｍ²／Ｖ・ｓｅｃ以上の高移動度
を有するものであって、且つ組み合わされるＣＧＭとの
イオン化ポテンシャル差が０．５（ｅＶ）以下の特性を
有するものが好ましく、更に好ましくは０．２５（ｅ
Ｖ）以下である。

【００８８】ＣＧＭ、ＣＴＭのイオン化ポテンシャルは
表面分析装置ＡＣ−１（理研計器社製）で測定される。

【００８９】電荷輸送層（ＣＴＬ）に用いられる樹脂と
しては、例えばポリスチレン、アクリル樹脂、メタクリ
ル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリビニル
ブチラール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フ
ェノール樹脂、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポ
リカーボネート樹脂、シリコン樹脂、メラミン樹脂並び
に、これらの樹脂の繰り返し単位のうちの２つ以上を含
む共重合体樹脂。又これらの絶縁性樹脂の他、ポリ−Ｎ
−ビニルカルバゾール等の高分子有機半導体が挙げられ
る。

【００９０】これらＣＴＬのバインダーとして最も好ま
しいものはポリカーボネート樹脂である。ポリカーボネ
ート樹脂は耐摩耗性、ＣＴＭの分散性、電子写真特性を
同時に良好にすることにおいて、最も好ましい。バイン
ダー樹脂と電荷輸送物質との割合は、バインダー樹脂１
００質量部に対し１０〜２００質量部が好ましい。又、
電荷輸送層の膜厚は１０〜４０μｍが好ましい。

【００９１】上記では本発明の最も好ましい感光体の層
構成を例示したが、本発明では上記以外の感光体層構成
でも良い。

【００９２】図１は本発明の画像形成方法の１例として
の画像形成装置の断面図である。図１に於いて５０は像
担持体である感光体ドラム（感光体）で、有機感光層を
ドラム上に塗布し、その上に本発明の樹脂層を塗設した
感光体で、接地されて時計方向に駆動回転される。５２
はスコロトロンの帯電器で、感光体ドラム５０周面に対
し一様な帯電をコロナ放電によって与えられる。この帯
電器（帯電手段）５２による帯電に先だって、前画像形
成での感光体の履歴をなくすために発光ダイオード等を
用いた帯電前露光部５１による露光を行って感光体周面
の除電をしてもよい。

【００９３】感光体への一様帯電ののち像露光器（露光
手段）５３により画像信号に基づいた像露光が行われ
る。この図の像露光器５３は図示しないレーザーダイオ
ードを露光光源とする。回転するポリゴンミラー５３
１、ｆθレンズ等を経て反射ミラー５３２により光路を
曲げられた光により感光体ドラム上の走査がなされ、静
電潜像が形成される。

【００９４】その静電潜像は次いで現像器（現像手段）
５４で現像される。感光体ドラム５０周縁にはトナーと
キャリアとから成る現像剤を内蔵した現像器５４が設け
られていて、マグネットを内蔵し現像剤を保持して回転
する現像スリーブ５４１によって現像が行われる。現像
器５４内部は現像剤攪拌部材５４４、現像剤搬送部材５
４３、搬送量規制部材５４２等から構成されており、現
像剤は攪拌、搬送されて現像スリーブに供給されるが、
その供給量は該搬送量規制部材５４２により制御され
る。該現像剤の搬送量は適用される有機電子写真感光体
の線速、現像剤比重によっても異なるが、一般的には２
０〜２００ｍｇ／ｃｍ²の範囲である。

【００９５】現像剤は、例えば前述のフェライトをコア
としてそのまわりに絶縁性樹脂をコーティングしたキャ
リアと、前述のスチレンアクリル系樹脂を主材料として
カーボンブラック等の着色剤と荷電制御剤と本発明の低
分子量ポリオレフィンからなる着色粒子に、シリカ、酸
化チタン等を外添したトナーとからなるもので、現像剤
は搬送量規制部材によって現像スリーブ５４１上に１０
０〜６００μｍの層厚に規制されて現像域へと搬送さ
れ、現像が行われる。この時通常は感光体ドラム５０と
現像スリーブ５４１の間に直流バイアス、必要に応じて
交流バイアス電圧をかけて現像が行われる。また、現像
剤は感光体に対して接触あるいは非接触の状態で現像さ
れる。

【００９６】記録紙Ｐは画像形成後、転写のタイミング
の整った時点で給紙ローラー５７の回転作動により転写
域へと給紙される。

【００９７】転写域においては転写のタイミングに同期
して感光体ドラム５０の周面に転写手段としての転写ロ
ーラー（転写器）５８が圧接され、給紙された記録紙Ｐ
を挟着して転写される。

【００９８】次いで記録紙Ｐは転写ローラーとほぼ同時
に圧接状態とされた分離ブラシ（分離器）５９によって
除電がなされ、感光体ドラム５０の周面により分離して
定着装置６０に搬送され、熱ローラー６０１と圧着ロー
ラー６０２の加熱、加圧によってトナーを溶着したのち
排紙ローラー６１を介して装置外部に排出される。なお
前記の転写ローラー５８及び分離ブラシ５９は記録紙Ｐ
の通過後感光体ドラム５０の周面より退避離間して次な
るトナー像の形成に備える。

【００９９】一方記録紙Ｐを分離した後の感光体ドラム
５０は、クリーニング器（クリーニング手段）６２のブ
レード６２１の圧接により残留トナーを除去・清掃し、
再び帯電前露光部５１による除電と帯電器５２による帯
電を受けて次なる画像形成のプロセスに入る。

【０１００】尚、７０は感光体、帯電器、転写器、分離
器及びクリーニング器が一体化されている着脱可能なプ
ロセスカートリッジである。

【０１０１】本発明の有機電子写真感光体は電子写真複
写機、レーザープリンター、ＬＥＤプリンター及び液晶
シャッター式プリンター等の電子写真装置一般に適応す
るが、更に、電子写真技術を応用したディスプレー、記
録、軽印刷、製版及びファクシミリ等の装置にも幅広く
適用することができる。

【０１０２】

【実施例】以下、実施例をあげて本発明を詳細に説明す
るが、本発明の様態はこれに限定されない。なお、文中
「部」とは「質量部」を表す。

【０１０３】以下のようにして各実施例、比較例の中間
層分散液を作製した。 （中間層分散液１の作製）ポリアミド樹脂ＣＭ８０００
（東レ社製）１部をメタノール６．５部、１−プロパノ
ール３．５部の混合溶媒中に加えて溶解し、これにテイ
カ社製酸化チタンＳＭＴ５００ＳＡＳ（表面処理は、シ
リカ処理、アルミナ処理、及びメチルハイドロジェンポ
リシロキサン処理、平均粒径５８ｎｍ）３．５部を加
え、分散機としてサンドミル（芦沢製作所社製サンドミ
ルハードクロームメッキ仕様、ビーズ；オハラ社製ハイ
ビーＤ２４、充填率６０％、回転数７００ｒｐｍ、１Ｌ
当たりの実分散時間１０時間、冷却水温；１５±５℃）
を用いてバッチ式にて分散して、中間層分散液１を作製
した。

【０１０４】（中間層分散液２の作製）酸化チタンの表
面処理を、シリカ処理、アルミナ処理、及びヘキシルト
リメトキシシラン処理とした他は中間層分散液１と同様
にして中間層分散液２を作製した。

【０１０５】（中間層分散液３の作製）分散機として撹
拌ホモジナイザー（エム・テクニック社製クレアミック
スＣＬＭ−０．８Ｓ、回転数１００００ｒｐｍ、１Ｌ当
たりの実分散時間１ｈｒ）を用いた他は中間層分散液１
と同様にして、中間層分散液３を作製した。

【０１０６】（中間層分散液４の作製）分散機として循
環式に改造した超音波ホモジナイザー（日本精機製作所
製ＵＳ−６００、定格出力６００Ｗ、１Ｌ当たりの実分
散時間１０ｈｒ）を用いた他は中間層分散液１と同様に
して、中間層分散液４を作製した。

【０１０７】（中間層分散液５の作製）分散機として撹
拌ホモジナイザー（エム・テクニック社製クレアミック
スＣＬＭ−０．８Ｓ、回転数１００００ｒｐｍ、１Ｌ当
たりの実分散時間１ｈｒ）を用いた他は中間層分散液２
と同様にして、中間層分散液５を作製した。

【０１０８】（中間層分散液６の作製）分散機として循
環式に改造した超音波ホモジナイザー（日本精機製作所
製ＵＳ−６００、定格出力６００Ｗ、１Ｌ当たりの実分
散時間１０ｈｒ）を用いた他は中間層分散液２と同様に
して、中間層分散液６を作製した。

【０１０９】実施例１ 中間層分散液１を同じ混合溶媒にて二倍に希釈し、一夜
静置後に濾過（フィルター；日本ポール社製リジメッシ
ュフィルター公称濾過精度：５ミクロン、圧力；０．５
ｋｇｆ／ｃｍ²）した液を用いた浸漬塗布を行い、円筒
形アルミニウム基体上に２μｍの乾燥膜厚で中間層を設
けた。その上にＣｕ−Ｋα線のＸ線回折スペクトル（ブ
ラッグ角２θ±０．２度）が２７．２度に最大回折ピー
クを有するチタニルフタロシアニン化合物２部、ブチラ
ール樹脂１部、酢酸ｔ−ブチル７０部、４−メトキシ−
４−メチル−２−ペンタノン３０部をサンドミルを用い
て分散した液を浸漬塗布し、乾燥膜厚約０．３μｍの電
荷発生層を形成した。次いで電荷輸送剤（化合物Ａ）；
０．７５部、ポリカーボネート樹脂「ユーピロン−Ｚ３
００」（三菱ガス化学社製）１部を塩化メチレン７．５
部に溶解した液を電荷発生層上に浸漬塗布して乾燥膜厚
約２４μｍの電荷輸送層を形成し、１００℃にて７０分
乾燥して感光体１を作製した。

【０１１０】

【化１】

【０１１１】実施例２ 実施例１で用いた中間層分散液１の代わりに中間層分散
液２を使用した他は実施例１と同様にして感光体２を作
製した。

【０１１２】比較例１〜４ 実施例１で用いた中間層分散液１の代わりに中間層分散
液３〜６を使用した他は実施例１と同様にして感光体３
〜６を作製した。

【０１１３】評価 各感光体をデジタル複写機Ｋｏｎｉｃａ７８２３改造機
に取り付け、帯電器のグリッド電圧を１０００Ｖ、反転
現像の現像バイアスを８００Ｖに設定して、高温高湿
（３０℃、８０％ＲＨ）環境でＡ４紙、１万枚の画像複
写を行い、スタート時及び２千コピー毎に白画像の出力
を行い、黒ポチ画像欠陥の有無を確認した。表１に、各
感光体中間層の膜厚１ミクロンあたり吸光度と併せて結
果を示す。

【０１１４】黒ポチ画像欠陥の評価基準 黒ポチの評価は、長径が０．４ｍｍ以上の黒ポチがＡ４
紙当たり何個あるかで判定した。尚、黒ポチ長径はビデ
オプリンター付き顕微鏡等で測定できる。黒ポチ評価の
判定基準は、下記に示す通りである。

【０１１５】黒ポチ（１万枚の画像だしを通して） ○・・・０．４ｍｍ以上の黒ポチ頻度：全ての複写画像
が３個／Ａ４以下 ×・・・０．４ｍｍ以上の黒ポチ頻度：４個／Ａ４以
上、１９個／Ａ４以下が１枚以上発生 ××・・０．４ｍｍ以上の黒ポチ頻度：２０個／Ａ４以
上が１枚以上発生 中間層膜厚１ミクロン当たりの吸光度の測定方法 中間層分散液を透明なポリエチレンテレフタレートシー
ト状にワイヤーバー等で塗布し、５分間以上の常温乾燥
を行う。乾燥膜厚はＤｅｋｔａｋ３０３０（ＳＬＯＡＮ
ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ Ｃｏ．製）、吸光度はＵ−３
５００（日立製作所）にて測定した。

【０１１６】

【表１】

【０１１７】表１に示した通り、中間層の膜厚１μｍあ
たり吸光度と反転現像プロセスにおける黒ポチ発生には
相関関係が存在し、０．０８及び０．１３の感光体１、
２では、顕著に改善され、吸光度が０．３５以上の感光
体３〜６では黒ポチの発生が感光体１、２に比し多い。

【０１１８】又、本発明の感光体１、２は上記１万枚の
連続コピー終了後も、良好な帯電特性、感度特性を維持
しており、電子写真特性も良好であった。

【０１１９】

【発明の効果】実施例からも明らかなように、本発明に
より、最も厳しいと思われる高温高湿の使用環境におい
て、黒ポチなどの画像欠陥の発生が著しく改良され、且
つ電子写真特性の良好な電子写真感光体を得ることがで
き、且つ該感光体を用いた画像形成装置、及びプロセス
カートリッジを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の画像形成方法の１例としての画像形成
装置の断面図。

【符号の説明】

５０ 感光体ドラム（又は感光体） ５１ 帯電前露光部 ５２ 帯電器 ５３ 像露光器 ５４ 現像器 ５４１ 現像スリーブ ５４２ 搬送量規制部材 ５４３ 現像剤搬送部材 ５４４ 現像剤攪拌部材 ５７ 給紙ローラー ５８ 転写ローラー（転写器） ５９ 分離ブラシ（分離器） ６０ 定着装置 ６１ 排紙ローラー ６２ クリーニング器 ７０ プロセスカートリッジ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三宅 千草 東京都八王子市石川町2970番地コニカ株式 会社内 Ｆターム(参考） 2H068 AA43 AA44 AA48 BA58 BB28 CA06 CA29 CA32 FA27

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電性支持体と感光層の間に中間層を有
   する電子写真感光体において、該中間層が粒子を含有し
   ており、かつ中間層の膜厚１μｍ当たりの吸光度が、１
   ０００ｎｍの波長に対して０．２５以下であることを特
   徴とする電子写真感光体。
2. 【請求項２】 前記粒子の数平均一次粒径が１０ｎｍ以
   上２００ｎｍ以下の金属酸化物粒子であることを特徴と
   する請求項１に記載の電子写真感光体。
3. 【請求項３】 前記金属酸化物粒子がＮ型半導体粒子で
   あることを特徴とする請求項２に記載の電子写真感光
   体。
4. 【請求項４】 前記Ｎ型半導体粒子が酸化チタン粒子で
   あることを特徴とする請求項３に記載の電子写真感光
   体。
5. 【請求項５】 前記酸化チタン粒子が複数回の表面処理
   を施されており、且つ最終表面処理が反応性有機ケイ素
   化合物による表面処理であることを特徴とする請求項４
   に記載の電子写真感光体。
6. 【請求項６】 前記反応性有機ケイ素化合物がメチルハ
   イドロジェンポリシロキサンであることを特徴とする請
   求項５に記載の電子写真感光体。
7. 【請求項７】 前記反応性有機ケイ素化合物が下記一般
   式（１）で示される有機ケイ素化合物であることを特徴
   とする請求項５に記載の電子写真感光体。 一般式（１） Ｒ−Ｓｉ−（Ｘ）₃ （Ｒはアルキル基、アリール基、Ｘはメトキシ基、エト
   キシ基、ハロゲン基を示す）
8. 【請求項８】 前記一般式（１）のＲが炭素数４から８
   までのアルキル基であることを特徴とする請求項７に記
   載の電子写真感光体。
9. 【請求項９】 前記複数回の表面処理のうち少なくとも
   一回の表面処理がアルミナ、シリカ、及びジルコニアか
   ら選択される１種以上の化合物の表面処理であることを
   特徴とする請求項５〜８の何れか１項に記載の電子写真
   感光体。
10. 【請求項１０】 前記酸化チタン粒子がシリカ及びアル
    ミナの両方もしくはどちらか一方による表面処理を行
    い、次いで反応性有機ケイ素化合物による表面処理を行
    うことを特徴とする請求項４〜９の何れか１項に記載の
    電子写真感光体。
11. 【請求項１１】 前記酸化チタン粒子がフッ素原子を有
    する有機ケイ素化合物による表面処理を施されたことを
    特徴とする請求項４に記載の電子写真感光体。
12. 【請求項１２】 前記中間層がポリアミド樹脂を含有し
    ていることを特徴とする請求項１〜１１の何れか１項に
    記載の電子写真感光体。
13. 【請求項１３】 電子写真感光体の周辺に、少なくとも
    帯電手段、露光手段、現像手段、転写手段を有し、繰り
    返し画像形成を行う画像形成装置において、該電子写真
    感光体が請求項１〜１２の何れか１項に記載の電子写真
    感光体であることを特徴とする画像形成装置。
14. 【請求項１４】 電子写真感光体の周辺に、少なくとも
    帯電手段、露光手段、現像手段、転写手段を有し、繰り
    返し画像形成を行う画像形成装置に用いられるプロセス
    カートリッジが、請求項１〜１２の何れか１項に記載の
    電子写真感光体と、帯電手段、露光手段、現像手段、転
    写手段及びクリーニング手段の少なくとも１つを一体と
    して有しており、該画像形成装置に出し入れ可能に構成
    されたことを特徴とするプロセスカートリッジ。