JP2002222589A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2002222589A5
JP2002222589A5 JP2001341365A JP2001341365A JP2002222589A5 JP 2002222589 A5 JP2002222589 A5 JP 2002222589A5 JP 2001341365 A JP2001341365 A JP 2001341365A JP 2001341365 A JP2001341365 A JP 2001341365A JP 2002222589 A5 JP2002222589 A5 JP 2002222589A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data line
dummy
data lines
multiplexer
current mirror
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001341365A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP4066638B2 (ja
JP2002222589A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2001341365A priority Critical patent/JP4066638B2/ja
Priority claimed from JP2001341365A external-priority patent/JP4066638B2/ja
Publication of JP2002222589A publication Critical patent/JP2002222589A/ja
Publication of JP2002222589A5 publication Critical patent/JP2002222589A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4066638B2 publication Critical patent/JP4066638B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

JP2001341365A 2000-11-27 2001-11-07 半導体装置 Expired - Fee Related JP4066638B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001341365A JP4066638B2 (ja) 2000-11-27 2001-11-07 半導体装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000-364543 2000-11-27
JP2000364543 2000-11-27
JP2001341365A JP4066638B2 (ja) 2000-11-27 2001-11-07 半導体装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007179193A Division JP4577334B2 (ja) 2000-11-27 2007-07-09 半導体装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2002222589A JP2002222589A (ja) 2002-08-09
JP2002222589A5 true JP2002222589A5 (cg-RX-API-DMAC7.html) 2005-07-07
JP4066638B2 JP4066638B2 (ja) 2008-03-26

Family

ID=26604920

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001341365A Expired - Fee Related JP4066638B2 (ja) 2000-11-27 2001-11-07 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4066638B2 (cg-RX-API-DMAC7.html)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4679036B2 (ja) * 2002-09-12 2011-04-27 ルネサスエレクトロニクス株式会社 記憶装置
AU2003280582A1 (en) * 2002-11-01 2004-05-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for driving non-volatile flip-flop circuit using resistance change element
JP2004241013A (ja) * 2003-02-03 2004-08-26 Renesas Technology Corp 半導体記憶装置
JP4170108B2 (ja) 2003-02-20 2008-10-22 株式会社ルネサステクノロジ 磁気記憶装置
JP4407828B2 (ja) 2003-04-21 2010-02-03 日本電気株式会社 データの読み出し方法が改善された磁気ランダムアクセスメモリ
JP4689973B2 (ja) * 2004-06-09 2011-06-01 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体記憶装置
US7321507B2 (en) * 2005-11-21 2008-01-22 Magic Technologies, Inc. Reference cell scheme for MRAM
US7495971B2 (en) * 2006-04-19 2009-02-24 Infineon Technologies Ag Circuit and a method of determining the resistive state of a resistive memory cell
JP5076175B2 (ja) * 2007-09-20 2012-11-21 ルネサスエレクトロニクス株式会社 不揮発性半導体記憶装置
JP4679627B2 (ja) * 2008-10-29 2011-04-27 ルネサスエレクトロニクス株式会社 薄膜磁性体記憶装置
WO2011055420A1 (ja) * 2009-11-04 2011-05-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US8446753B2 (en) * 2010-03-25 2013-05-21 Qualcomm Incorporated Reference cell write operations at a memory
JP5283724B2 (ja) * 2011-03-25 2013-09-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 薄膜磁性体記憶装置
CN103748631B (zh) * 2011-08-31 2016-08-17 松下知识产权经营株式会社 读出电路及使用该读出电路的非易失性存储器
JP5929268B2 (ja) * 2012-02-06 2016-06-01 凸版印刷株式会社 不揮発性メモリセルアレイ、および不揮発性メモリ
US9147457B2 (en) * 2012-09-13 2015-09-29 Qualcomm Incorporated Reference cell repair scheme
JP2015053096A (ja) 2013-09-09 2015-03-19 マイクロン テクノロジー, インク. 半導体装置、及び誤り訂正方法
US10381102B2 (en) 2014-04-30 2019-08-13 Micron Technology, Inc. Memory devices having a read function of data stored in a plurality of reference cells
JP6341795B2 (ja) 2014-08-05 2018-06-13 ルネサスエレクトロニクス株式会社 マイクロコンピュータ及びマイクロコンピュータシステム

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2455711C2 (ru) Устройство магниторезистивной оперативной памяти с совместно используемой линией истока
JP2002222589A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
KR100592458B1 (ko) 자기 랜덤 액세스 메모리와 그 판독 방법
JP4758554B2 (ja) Mram装置
JP4656720B2 (ja) 薄膜磁性体記憶装置
KR101777802B1 (ko) 스핀 전달 토크 랜덤 엑세스 메모리에 계층적 데이터 경로를 제공하는 방법 및 시스템
JP4726290B2 (ja) 半導体集積回路
JP4033690B2 (ja) 半導体装置
US7573767B2 (en) Semiconductor memory device
CN108630263B (zh) 存储设备及其控制方法
TWI666637B (zh) Semiconductor memory device
JP2011501342A (ja) ビット線をグランドレベルにプリチャージする構成のスピントランスファートルク磁気ランダムアクセスメモリにおける読み出し動作
JP2001291389A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
US20050157541A1 (en) Magnetic random access memory
CN107818805A (zh) 存储装置和存储系统
JP5093234B2 (ja) 磁気ランダムアクセスメモリ
JP2019057348A (ja) メモリデバイス
JP2014229328A (ja) 半導体記憶装置
JP2003346473A (ja) 薄膜磁性体記憶装置
JP6822657B2 (ja) 抵抗変化型記憶素子のデータ書き込み装置
JP2006294179A (ja) 不揮発性記憶装置
JP4262969B2 (ja) 薄膜磁性体記憶装置
US9761293B2 (en) Semiconductor storage device
JP5036854B2 (ja) 半導体装置
JP4689973B2 (ja) 半導体記憶装置