JP2002217222A - 半導体製造装置及び半導体製造方法 - Google Patents
半導体製造装置及び半導体製造方法Info
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- JP2002217222A JP2002217222A JP2001008421A JP2001008421A JP2002217222A JP 2002217222 A JP2002217222 A JP 2002217222A JP 2001008421 A JP2001008421 A JP 2001008421A JP 2001008421 A JP2001008421 A JP 2001008421A JP 2002217222 A JP2002217222 A JP 2002217222A
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- semiconductor manufacturing
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- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 コストを安価にするとともに、管理が容易な
半導体製造装置を提供する。 【解決手段】 下型可変キャビティ７上に基板１を載置
し、位置センサー９によって基板１の上面と下型６の上
面との位置合わせを行ない、上型可変キャビティ５によ
ってキャビティ深さを設定し、更に上型可変キャビティ
５と基板１の間にモールド樹脂３を注入する。
半導体製造装置を提供する。 【解決手段】 下型可変キャビティ７上に基板１を載置
し、位置センサー９によって基板１の上面と下型６の上
面との位置合わせを行ない、上型可変キャビティ５によ
ってキャビティ深さを設定し、更に上型可変キャビティ
５と基板１の間にモールド樹脂３を注入する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は一括モールドタイ
プの半導体の製造装置及び製造方法に関するものであ
り、特にキャビティ深さを変えることのできる金型に関
するものである。
プの半導体の製造装置及び製造方法に関するものであ
り、特にキャビティ深さを変えることのできる金型に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３，図４は従来からある半導体の製造
工程を示す斜視図であり、図４は図３から樹脂封止した
状態を示している。図において、１１はリードフレーム
又はガラスエポキシ基板、１２はＩＣチップ、１３はモ
ールド樹脂であり、まず図３に示すように、リードフレ
ーム又はガラスエポキシ基板１１にＩＣチップ１２をダ
イボンドするとともにワイヤボンドし、次に図４に示す
ように、モールド樹脂１３により一括で封止することに
より、半導体を構成していた。
工程を示す斜視図であり、図４は図３から樹脂封止した
状態を示している。図において、１１はリードフレーム
又はガラスエポキシ基板、１２はＩＣチップ、１３はモ
ールド樹脂であり、まず図３に示すように、リードフレ
ーム又はガラスエポキシ基板１１にＩＣチップ１２をダ
イボンドするとともにワイヤボンドし、次に図４に示す
ように、モールド樹脂１３により一括で封止することに
より、半導体を構成していた。
【０００３】次に、図５(ａ)(ｂ)は従来の半導体製造装
置及び製造方法を示す側面図であり、(ｂ)は(ａ)から上
型を下降させた状態を示している。図において、１４は
上型金型、１５は下型金型、ａはキャビティ深さ、ｂは
リードフレーム又は基板厚である。又、図６(ａ)(ｂ)も
他の例の半導体製造装置及び製造方法を示す側面図であ
るが、図５の場合に比べて、キャビティ深さａ及びリー
ドフレーム厚ｂを変えた場合を示している。
置及び製造方法を示す側面図であり、(ｂ)は(ａ)から上
型を下降させた状態を示している。図において、１４は
上型金型、１５は下型金型、ａはキャビティ深さ、ｂは
リードフレーム又は基板厚である。又、図６(ａ)(ｂ)も
他の例の半導体製造装置及び製造方法を示す側面図であ
るが、図５の場合に比べて、キャビティ深さａ及びリー
ドフレーム厚ｂを変えた場合を示している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体製造装置
は以上のように構成されており、半導体製品の基板厚又
はリードフレーム厚，及びモールド樹脂厚に合わせてモ
ールド金型を製作していた。例えば図５に示すように、
キャビティ深さａ及びリードフレーム厚ｂの金型の場
合、これら以外の深さ及び厚さを有する半導体製品を製
作することができず、キャビティ深さ及びリードフレー
ム厚さが変わった場合、新たな金型を製作することが必
要であった。このように半導体製品の寸法が変更される
毎に新たなモールド金型が必要になるという問題点があ
った。
は以上のように構成されており、半導体製品の基板厚又
はリードフレーム厚，及びモールド樹脂厚に合わせてモ
ールド金型を製作していた。例えば図５に示すように、
キャビティ深さａ及びリードフレーム厚ｂの金型の場
合、これら以外の深さ及び厚さを有する半導体製品を製
作することができず、キャビティ深さ及びリードフレー
ム厚さが変わった場合、新たな金型を製作することが必
要であった。このように半導体製品の寸法が変更される
毎に新たなモールド金型が必要になるという問題点があ
った。
【０００５】この発明は上記のような課題を解消するた
めになされたものであり、半導体製品のリードフレーム
厚等が変更になっても、モールド金型をその都度製作す
る必要性が生じず、コストを抑えるとともに管理も容易
な半導体製造装置及び製造方法を提供することを目的と
する。
めになされたものであり、半導体製品のリードフレーム
厚等が変更になっても、モールド金型をその都度製作す
る必要性が生じず、コストを抑えるとともに管理も容易
な半導体製造装置及び製造方法を提供することを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
る半導体製造装置は、半導体を載置する上下動可能な下
型可変キャビティと、半導体の枠部分をはさみ込む上型
と、キャビティ深さを設定できる上下動可能な上型可変
キャビティと、半導体の基板の上面と下型の上面との位
置合わせを行なうための位置センサーとを設けたもので
ある。
る半導体製造装置は、半導体を載置する上下動可能な下
型可変キャビティと、半導体の枠部分をはさみ込む上型
と、キャビティ深さを設定できる上下動可能な上型可変
キャビティと、半導体の基板の上面と下型の上面との位
置合わせを行なうための位置センサーとを設けたもので
ある。
【０００７】この発明の請求項２に係る半導体製造方法
は、位置センサーによって半導体の基板の上面と下型の
上面との位置合わせを行なう工程と、上型可変キャビテ
ィによってキャビティ深さを設定する工程と、上型可変
キャビティの下部にモールド樹脂を注入する工程とを有
するものである。
は、位置センサーによって半導体の基板の上面と下型の
上面との位置合わせを行なう工程と、上型可変キャビテ
ィによってキャビティ深さを設定する工程と、上型可変
キャビティの下部にモールド樹脂を注入する工程とを有
するものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】実施の形態１．以下、この発明の
実施形態を図に基づいて説明する。図１，図２はこの発
明の実施の形態１による半導体製造装置及び製造方法を
示す側面図であり、図１は上型が上昇している状態を示
し、図２は上型が下降した状態を示している。図におい
て、１はリードフレーム又はガラスエポキシ基板、２は
ＩＣチップ、３はモールド樹脂、４は上型、５は上下動
可能な上型可変キャビティ、６は下型、７は上下動可能
な下型可変キャビティ、８は上下可動ユニット（モー
タ）、９は位置センサーである。
実施形態を図に基づいて説明する。図１，図２はこの発
明の実施の形態１による半導体製造装置及び製造方法を
示す側面図であり、図１は上型が上昇している状態を示
し、図２は上型が下降した状態を示している。図におい
て、１はリードフレーム又はガラスエポキシ基板、２は
ＩＣチップ、３はモールド樹脂、４は上型、５は上下動
可能な上型可変キャビティ、６は下型、７は上下動可能
な下型可変キャビティ、８は上下可動ユニット（モー
タ）、９は位置センサーである。
【０００９】次に動作について説明する。リードフレー
ム又は基板１にＩＣチップ２をダイボンドするとともに
ワイヤボンドした半導体を下型可変キャビティ７上に搭
載する。次に上型４を下降させ、図２に示すように、リ
ードフレーム又は基板１の枠部分をはさみ込む。次に上
型可動キャビティ５が上下可動ユニット８のモータ制御
により所定のキャビティ深さａになるまで下降し、上型
可動キャビティ５の下部にある空間部にモールド樹脂を
注入して一括して封止する。
ム又は基板１にＩＣチップ２をダイボンドするとともに
ワイヤボンドした半導体を下型可変キャビティ７上に搭
載する。次に上型４を下降させ、図２に示すように、リ
ードフレーム又は基板１の枠部分をはさみ込む。次に上
型可動キャビティ５が上下可動ユニット８のモータ制御
により所定のキャビティ深さａになるまで下降し、上型
可動キャビティ５の下部にある空間部にモールド樹脂を
注入して一括して封止する。
【００１０】このキャビティ深さａは予め上下可動ユニ
ット８に入力しておく。又、下型可変キャビティ７に載
置されたリードフレーム又は基板１に関しては、予め所
定の寸法ｂをセットしておくが、リードフレーム厚又は
基板厚のばらつきがある場合がある。この場合、位置セ
ンサー９を用いることにより、下型６の上面とリードフ
レーム又は基板１の上面との位置合わせを、下型可変キ
ャビティ７を動作させて行なうことができる。
ット８に入力しておく。又、下型可変キャビティ７に載
置されたリードフレーム又は基板１に関しては、予め所
定の寸法ｂをセットしておくが、リードフレーム厚又は
基板厚のばらつきがある場合がある。この場合、位置セ
ンサー９を用いることにより、下型６の上面とリードフ
レーム又は基板１の上面との位置合わせを、下型可変キ
ャビティ７を動作させて行なうことができる。
【００１１】上記のように構成することにより、半導体
製品のフレーム厚、基板厚、及びモールド厚が変わって
も、モールド金型をその都度製作する必要がなく、金型
コストが低く抑えられるとともに、金型管理も容易とな
る。又、リードフレーム又は基板１の厚みバラツキも考
慮して、リードフレーム深さを自動設定できるため、寸
法精度の良い製品を提供できる。
製品のフレーム厚、基板厚、及びモールド厚が変わって
も、モールド金型をその都度製作する必要がなく、金型
コストが低く抑えられるとともに、金型管理も容易とな
る。又、リードフレーム又は基板１の厚みバラツキも考
慮して、リードフレーム深さを自動設定できるため、寸
法精度の良い製品を提供できる。
【００１２】
【発明の効果】この発明の請求項１に係る半導体製造装
置によれば、半導体を載置する上下動可能な下型可変キ
ャビティと、半導体の枠部分をはさみ込む上型と、キャ
ビティ深さを設定できる上下動可能な上型可変キャビテ
ィと、半導体の基板の上面と下型の上面との位置合わせ
を行なうための位置センサーとを設けたので、金型コス
トを抑えられるとともに、金型管理も容易にすることが
できる。
置によれば、半導体を載置する上下動可能な下型可変キ
ャビティと、半導体の枠部分をはさみ込む上型と、キャ
ビティ深さを設定できる上下動可能な上型可変キャビテ
ィと、半導体の基板の上面と下型の上面との位置合わせ
を行なうための位置センサーとを設けたので、金型コス
トを抑えられるとともに、金型管理も容易にすることが
できる。
【００１３】この発明の請求項２に係る半導体製造方法
によれば、位置センサーによって半導体の基板の上面と
下型の上面との位置合わせを行なう工程と、上型可変キ
ャビティによってキャビティ深さを設定する工程と、上
型可変キャビティの下部にモールド樹脂を注入する工程
とからなるので、寸法精度の良い製品を提供することが
できる。
によれば、位置センサーによって半導体の基板の上面と
下型の上面との位置合わせを行なう工程と、上型可変キ
ャビティによってキャビティ深さを設定する工程と、上
型可変キャビティの下部にモールド樹脂を注入する工程
とからなるので、寸法精度の良い製品を提供することが
できる。
【図１】 この発明の実施の形態１による半導体製造装
置を示す側面図である。
置を示す側面図である。
【図２】 この発明の実施の形態１による半導体製造装
置を示す側面図であり、図１の状態から上型を下降させ
た状態を示している。
置を示す側面図であり、図１の状態から上型を下降させ
た状態を示している。
【図３】 従来の半導体を示す斜視図である。
【図４】 従来の半導体を示す斜視図であり、図３の状
態から樹脂封止した状態を示している。
態から樹脂封止した状態を示している。
【図５】 (ａ)(ｂ)は従来の半導体製造装置を示す側面
図である。
図である。
【図６】 (ａ)(ｂ)は従来の半導体製造装置を示す側面
図である。
図である。
１ 半導体の基板、３ モールド樹脂、４ 上型、５
上型可変キャビティ、６ 下型、７ 下型可変キャビテ
ィ、９ 位置センサー。
上型可変キャビティ、６ 下型、７ 下型可変キャビテ
ィ、９ 位置センサー。
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体を載置する上下動可能な下型可変
キャビティと、上記半導体の枠部分をはさみ込む上型
と、キャビティ深さを設定できる上下動可能な上型可変
キャビティと、上記半導体の基板の上面と下型の上面と
の位置合わせを行なうための位置センサーとを設けたこ
とを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体製造装置による半
導体製造方法であって、位置センサーによって半導体の
基板の上面と下型の上面との位置合わせを行なう工程
と、上型可変キャビティによってキャビティ深さを設定
する工程と、上記上型可変キャビティの下部にモールド
樹脂を注入する工程とを有することを特徴とする半導体
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001008421A JP2002217222A (ja) | 2001-01-17 | 2001-01-17 | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001008421A JP2002217222A (ja) | 2001-01-17 | 2001-01-17 | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002217222A true JP2002217222A (ja) | 2002-08-02 |
Family
ID=18876043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001008421A Withdrawn JP2002217222A (ja) | 2001-01-17 | 2001-01-17 | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002217222A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006049697A (ja) * | 2004-08-06 | 2006-02-16 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法及び成形金型 |
| JP2008235488A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Fujitsu Ltd | 電子部品の樹脂封止方法、樹脂封止用金型及び半導体装置の製造方法 |
| JP2008277470A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Asahi Engineering Kk | 半導体パッケージの製造方法及び製造装置 |
| JP2010173083A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Towa Corp | 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置 |
| JP2015000520A (ja) * | 2013-06-14 | 2015-01-05 | アピックヤマダ株式会社 | 樹脂モールド金型及び樹脂モールド装置 |
-
2001
- 2001-01-17 JP JP2001008421A patent/JP2002217222A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006049697A (ja) * | 2004-08-06 | 2006-02-16 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法及び成形金型 |
| JP4503391B2 (ja) * | 2004-08-06 | 2010-07-14 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
| JP2008235488A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Fujitsu Ltd | 電子部品の樹脂封止方法、樹脂封止用金型及び半導体装置の製造方法 |
| JP2008277470A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Asahi Engineering Kk | 半導体パッケージの製造方法及び製造装置 |
| JP2010173083A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Towa Corp | 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置 |
| JP2015000520A (ja) * | 2013-06-14 | 2015-01-05 | アピックヤマダ株式会社 | 樹脂モールド金型及び樹脂モールド装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20060123 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20071101 |
|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080401 |