JP2002164747A - トランジスタ回路 - Google Patents
トランジスタ回路Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 増幅回路、定電圧回路、逓倍回路などとして
構成されるトランジスタ回路において、より安定した温
度補償特性を得るとともに、回路の小型化を可能にす
る。 【解決手段】 能動素子を構成するバイポーラトランジ
スタと同じタイプのバイポーラトランジスタにより温度
補償素子を構成し、この温度補償素子が能動素子の温度
に対応した温度を受けるようにし、温度補償素子のベー
ス、エミッタ間電圧に基づいて能動素子のベースバイア
スを制御する。
構成されるトランジスタ回路において、より安定した温
度補償特性を得るとともに、回路の小型化を可能にす
る。 【解決手段】 能動素子を構成するバイポーラトランジ
スタと同じタイプのバイポーラトランジスタにより温度
補償素子を構成し、この温度補償素子が能動素子の温度
に対応した温度を受けるようにし、温度補償素子のベー
ス、エミッタ間電圧に基づいて能動素子のベースバイア
スを制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、増幅回路、定電
圧回路、逓倍回路などとして使用されるトランジスタ回
路に関し、特にその温度補償回路の改良に関する。
圧回路、逓倍回路などとして使用されるトランジスタ回
路に関し、特にその温度補償回路の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は例えば特開昭５４−１１６１５９
号公報に示されたトランジスタ回路であり、温度補償回
路を持ったＢ級増幅回路である。温度補償用トランジス
タ６は増幅用トランジスタ１の発熱による温度上昇を検
知し得る場所に設置されている。この温度補償用トラン
ジスタ６のコレクタ電圧は、増幅用トランジスタ１のコ
レクタ、エミッタ間の飽和電圧からダイオード順方向電
圧に相当する電圧より大きな電圧まで連続的に調整する
ことができる。
号公報に示されたトランジスタ回路であり、温度補償回
路を持ったＢ級増幅回路である。温度補償用トランジス
タ６は増幅用トランジスタ１の発熱による温度上昇を検
知し得る場所に設置されている。この温度補償用トラン
ジスタ６のコレクタ電圧は、増幅用トランジスタ１のコ
レクタ、エミッタ間の飽和電圧からダイオード順方向電
圧に相当する電圧より大きな電圧まで連続的に調整する
ことができる。
【０００３】バイポーラトランジスタは一般に温度上昇
に伴って、ベース、エミッタ間電圧ＶBEが低下するとと
もに、電流増幅率ｈFEが増大する傾向があるため、増幅
用トランジスタ１は自身の発熱等による温度上昇によ
り、そのベース、エミッタ間電圧ＶBEが低下し、これに
よりベース電流が増加するとともに、電流増幅率ｈFEの
増加により、トランジスタ１のコレクタ電流は適正値よ
り増大しようとする。また、増幅用トランジスタ１の温
度上昇を受けて、温度補償用トランジスタ６の温度も上
昇し、同様な理由によってそのコレクタ電流が増加す
る。このため、抵抗７、８の電圧降下が増加し、トラン
ジスタ１のベースバイアス、ベース電流が減少し、トラ
ンジスタ１のコレクタ電流を適正値に戻し、このコレク
タ電流が適正値に保持される。
に伴って、ベース、エミッタ間電圧ＶBEが低下するとと
もに、電流増幅率ｈFEが増大する傾向があるため、増幅
用トランジスタ１は自身の発熱等による温度上昇によ
り、そのベース、エミッタ間電圧ＶBEが低下し、これに
よりベース電流が増加するとともに、電流増幅率ｈFEの
増加により、トランジスタ１のコレクタ電流は適正値よ
り増大しようとする。また、増幅用トランジスタ１の温
度上昇を受けて、温度補償用トランジスタ６の温度も上
昇し、同様な理由によってそのコレクタ電流が増加す
る。このため、抵抗７、８の電圧降下が増加し、トラン
ジスタ１のベースバイアス、ベース電流が減少し、トラ
ンジスタ１のコレクタ電流を適正値に戻し、このコレク
タ電流が適正値に保持される。
【０００４】このようにして、増幅用トランジスタ１を
温度変化に基づき安定化することができる。また、バイ
アス調整用の可変抵抗９に流れる電流は、温度補償用ト
ランジスタ６のコレクタに流れる電流の１／ｈFE倍であ
るため、この可変抵抗９に流れる電流は小さく、可変抵
抗９の劣化が少なく、バイアス回路の信頼性も向上でき
る。
温度変化に基づき安定化することができる。また、バイ
アス調整用の可変抵抗９に流れる電流は、温度補償用ト
ランジスタ６のコレクタに流れる電流の１／ｈFE倍であ
るため、この可変抵抗９に流れる電流は小さく、可変抵
抗９の劣化が少なく、バイアス回路の信頼性も向上でき
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし従来のトランジ
スタ回路では、温度補償のためにバイアス回路に定電圧
電源１０が必要であり、この電圧が例えば温度変動など
により変化すると、バイアス電圧の変化のために温度補
償が達成できなくなる不都合がある。
スタ回路では、温度補償のためにバイアス回路に定電圧
電源１０が必要であり、この電圧が例えば温度変動など
により変化すると、バイアス電圧の変化のために温度補
償が達成できなくなる不都合がある。
【０００６】また、バイアス回路に定電圧電源を用いる
ため、回路が大型化する。
ため、回路が大型化する。
【０００７】この発明は、かかる不都合を改善し、小型
化が可能であり、またより安定した温度補償を実現でき
るトランジスタ回路を提案するものである。
化が可能であり、またより安定した温度補償を実現でき
るトランジスタ回路を提案するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明によるトランジ
スタ回路は、ベース、エミッタ、コレクタを有する第１
のバイポーラトランジスタによって構成された能動素
子、および前記第１のバイポーラトランジスタと同じタ
イプの第２のバイポーラトランジスタによって構成され
ベース、エミッタ、コレクタを有する温度補償素子を備
え、前記温度補償素子のエミッタ、コレクタはともに基
準電位に接続されており、前記温度補償素子は前記能動
素子の温度に対応した温度を受け、そのベース、エミッ
タ間の電圧に基づいて前記能動素子のベースバイアスを
制御するように構成されたものである。
スタ回路は、ベース、エミッタ、コレクタを有する第１
のバイポーラトランジスタによって構成された能動素
子、および前記第１のバイポーラトランジスタと同じタ
イプの第２のバイポーラトランジスタによって構成され
ベース、エミッタ、コレクタを有する温度補償素子を備
え、前記温度補償素子のエミッタ、コレクタはともに基
準電位に接続されており、前記温度補償素子は前記能動
素子の温度に対応した温度を受け、そのベース、エミッ
タ間の電圧に基づいて前記能動素子のベースバイアスを
制御するように構成されたものである。
【０００９】またこの発明によるトランジスタ回路は、
前記能動素子は、エミッタが基準電位に接続され、その
コレクタに増幅出力を発生するように構成されており、
前記温度補償素子のベースが前記能動素子のベースに直
結されるものである。
前記能動素子は、エミッタが基準電位に接続され、その
コレクタに増幅出力を発生するように構成されており、
前記温度補償素子のベースが前記能動素子のベースに直
結されるものである。
【００１０】またこの発明によるトランジスタ回路は、
前記能動素子は、エミッタが抵抗を介して基準電位に接
続され、そのコレクタに増幅出力を発生するように構成
されており、前記温度補償素子のベースが前記能動素子
のベースにバイアス抵抗を介して接続されるものであ
る。
前記能動素子は、エミッタが抵抗を介して基準電位に接
続され、そのコレクタに増幅出力を発生するように構成
されており、前記温度補償素子のベースが前記能動素子
のベースにバイアス抵抗を介して接続されるものであ
る。
【００１１】またこの発明によるトランジスタ回路は、
前記能動素子は、そのエミッタに定電圧出力を発生する
ように構成されており、前記温度補償素子のベースがバ
イアス抵抗を介して前記能動素子のベースに接続される
ものである。
前記能動素子は、そのエミッタに定電圧出力を発生する
ように構成されており、前記温度補償素子のベースがバ
イアス抵抗を介して前記能動素子のベースに接続される
ものである。
【００１２】またこの発明によるトランジスタ回路は、
前記能動素子は、そのエミッタに定電圧出力を発生する
ように構成されており、前記温度補償素子は前記能動素
子と同じタイプの第２、第３のバイポーラトランジスタ
によって構成され、これらの第２、第３のバイポーラト
ランジスタのベース、エミッタ回路は、互いに直結さ
れ、バイアス抵抗を介して前記能動素子のベースに接続
されるものである。
前記能動素子は、そのエミッタに定電圧出力を発生する
ように構成されており、前記温度補償素子は前記能動素
子と同じタイプの第２、第３のバイポーラトランジスタ
によって構成され、これらの第２、第３のバイポーラト
ランジスタのベース、エミッタ回路は、互いに直結さ
れ、バイアス抵抗を介して前記能動素子のベースに接続
されるものである。
【００１３】またこの発明によるトランジスタ回路は、
前記能動素子は、そのコレクタが整合回路とろ波回路を
介して逓倍出力を発生するように構成されており、前記
温度補償素子のベースが前記能動素子のベースに直結さ
れるものである。
前記能動素子は、そのコレクタが整合回路とろ波回路を
介して逓倍出力を発生するように構成されており、前記
温度補償素子のベースが前記能動素子のベースに直結さ
れるものである。
【００１４】さらにこの発明によるトランジスタ回路
は、前記能動素子は、そのコレクタが整合回路とろ波回
路を介して逓倍出力を発生するように構成されており、
前記温度補償素子のベースが前記能動素子のベースにバ
イアス抵抗を介して接続されるものである。
は、前記能動素子は、そのコレクタが整合回路とろ波回
路を介して逓倍出力を発生するように構成されており、
前記温度補償素子のベースが前記能動素子のベースにバ
イアス抵抗を介して接続されるものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１はこの発明に
よるトランジスタ回路の実施の形態１を示す電気回路図
である。この実施の形態１はＢ級、またはＣ級の増幅回
路である。トランジスタ１は、ＮＰＮ型のバイポーラト
ランジスタであり、そのベースは入力信号端子１３に直
接接続され、そのエミッタは基準電位点に直接接続さ
れ、またそのコレクタは出力信号端子１４に直接接続さ
れ、Ｂ級またはＣ級の増幅能動素子として動作する。
よるトランジスタ回路の実施の形態１を示す電気回路図
である。この実施の形態１はＢ級、またはＣ級の増幅回
路である。トランジスタ１は、ＮＰＮ型のバイポーラト
ランジスタであり、そのベースは入力信号端子１３に直
接接続され、そのエミッタは基準電位点に直接接続さ
れ、またそのコレクタは出力信号端子１４に直接接続さ
れ、Ｂ級またはＣ級の増幅能動素子として動作する。
【００１６】温度補償用トランジスタ６は、トランジス
タ１のバイアス回路に設けられている。このトランジス
タ６は、トランジスタ１と同じタイプのＮＰＮ型のバイ
ポーラトランジスタであり、トランジスタ１と同じ温度
を受けるように、同じ回路基板に、トランジスタ１の近
傍に配置される。このトランジスタ６のベースはトラン
ジスタ１のベースとともに入力信号端子１３に直接接続
され、そのエミッタ、コレクタはともに基準電位点に直
接接続されている。
タ１のバイアス回路に設けられている。このトランジス
タ６は、トランジスタ１と同じタイプのＮＰＮ型のバイ
ポーラトランジスタであり、トランジスタ１と同じ温度
を受けるように、同じ回路基板に、トランジスタ１の近
傍に配置される。このトランジスタ６のベースはトラン
ジスタ１のベースとともに入力信号端子１３に直接接続
され、そのエミッタ、コレクタはともに基準電位点に直
接接続されている。
【００１７】直流電源端子１５はプラス電源であり、抵
抗１１を介してトランジスタ１のコレクタに接続され、
またトランジスタ１のコレクタとベースとの間には抵抗
１２が接続されている。
抗１１を介してトランジスタ１のコレクタに接続され、
またトランジスタ１のコレクタとベースとの間には抵抗
１２が接続されている。
【００１８】実施の形態１の動作において、トランジス
タ１のバイアス点はそのベース、エミッタ間電圧ＶBEの
近傍に設定され、トランジスタ１はＢ級またはＣ級の増
幅能動素子として動作する。このＢ級、Ｃ級の増幅回路
のバイアスを固定バイアスとした場合、トランジスタ１
のベース、エミッタ間電圧ＶBEの変動による増幅特性へ
の影響は非常に敏感なものとなる。
タ１のバイアス点はそのベース、エミッタ間電圧ＶBEの
近傍に設定され、トランジスタ１はＢ級またはＣ級の増
幅能動素子として動作する。このＢ級、Ｃ級の増幅回路
のバイアスを固定バイアスとした場合、トランジスタ１
のベース、エミッタ間電圧ＶBEの変動による増幅特性へ
の影響は非常に敏感なものとなる。
【００１９】実施の形態１において、トランジスタ１に
対する温度補償回路は、トランジスタ１と同じＮＰＮ型
のバイポーラトランジスタからなるトランジスタ６を用
い、このトランジスタ６のベースをトランジスタ１のベ
ースに直結するとともに、トランジスタ６のエミッタ、
コレクタをともに、基準電位点に直結したものである。
この構成に基づき、トランジスタ１の動作点は、温度補
償用トランジスタ６により設定される。
対する温度補償回路は、トランジスタ１と同じＮＰＮ型
のバイポーラトランジスタからなるトランジスタ６を用
い、このトランジスタ６のベースをトランジスタ１のベ
ースに直結するとともに、トランジスタ６のエミッタ、
コレクタをともに、基準電位点に直結したものである。
この構成に基づき、トランジスタ１の動作点は、温度補
償用トランジスタ６により設定される。
【００２０】トランジスタ１と温度補償用トランジスタ
６は、同様の温度特性をもつため、温度変動が起こって
も、トランジスタ１の温度特性を温度補償用トランジス
タ６の温度特性によって相殺することができ、増幅能動
素子として動作するトランジスタ１の動作点の変動を抑
えることができる。
６は、同様の温度特性をもつため、温度変動が起こって
も、トランジスタ１の温度特性を温度補償用トランジス
タ６の温度特性によって相殺することができ、増幅能動
素子として動作するトランジスタ１の動作点の変動を抑
えることができる。
【００２１】この実施の形態１によれば、従来回路のよ
うに、定電圧電源が必要でなく、またバイアス用の分圧
抵抗も不要であり、安定した温度補償特性が得られ、ま
た回路も小型化できる。また、従来回路のような抵抗分
圧回路も不要であり、この抵抗分圧回路の抵抗値の温度
変化による分圧比の変動に基づいて、温度補償特性が悪
くなる不都合もない。
うに、定電圧電源が必要でなく、またバイアス用の分圧
抵抗も不要であり、安定した温度補償特性が得られ、ま
た回路も小型化できる。また、従来回路のような抵抗分
圧回路も不要であり、この抵抗分圧回路の抵抗値の温度
変化による分圧比の変動に基づいて、温度補償特性が悪
くなる不都合もない。
【００２２】実施の形態２．図２はこの発明によるトラ
ンジスタ回路の実施の形態２を示す電気回路図である。
この実施の形態２はＡ級増幅回路として構成されたもの
である。
ンジスタ回路の実施の形態２を示す電気回路図である。
この実施の形態２はＡ級増幅回路として構成されたもの
である。
【００２３】この実施の形態２では、実施の形態１に比
べて、抵抗２１、２５が追加されている。抵抗２１は入
力信号端子１３と温度補償用トランジスタ６のベースと
の間に接続された抵抗であり、また抵抗２５はトランジ
スタ１のエミッタと基準電位点との間に接続されてお
り、トランジスタ１はＡ級増幅能動素子として動作する
ように構成されている。その他の構成は実施の形態１と
同じである。
べて、抵抗２１、２５が追加されている。抵抗２１は入
力信号端子１３と温度補償用トランジスタ６のベースと
の間に接続された抵抗であり、また抵抗２５はトランジ
スタ１のエミッタと基準電位点との間に接続されてお
り、トランジスタ１はＡ級増幅能動素子として動作する
ように構成されている。その他の構成は実施の形態１と
同じである。
【００２４】トランジスタ１がＡ級増幅能動素子として
動作する中で、温度補償用のトランジスタ６はトランジ
スタ１の動作点の変動を抑え、安定した温度補償特性を
与える。
動作する中で、温度補償用のトランジスタ６はトランジ
スタ１の動作点の変動を抑え、安定した温度補償特性を
与える。
【００２５】実施の形態３．図３はこの発明によるトラ
ンジスタ回路の実施の形態３を示す電気回路図である。
この実施の形態３のトランジスタ回路は、定電圧を出力
する定電圧回路として構成されている。
ンジスタ回路の実施の形態３を示す電気回路図である。
この実施の形態３のトランジスタ回路は、定電圧を出力
する定電圧回路として構成されている。
【００２６】図３において、トランジスタ１６が定電圧
を出力する定電圧能動素子であり、ＮＰＮ型のバイポー
ラトランジスタで構成されている。電源端子１５は直流
のプラス電圧端子であり、この電源端子１５には抵抗１
７、１８が直列に接続されている。
を出力する定電圧能動素子であり、ＮＰＮ型のバイポー
ラトランジスタで構成されている。電源端子１５は直流
のプラス電圧端子であり、この電源端子１５には抵抗１
７、１８が直列に接続されている。
【００２７】トランジスタ１６のベースは抵抗１７、１
８の接続点に接続され、そのエミッタは電源端子１５に
直接接続され、またそのコレクタは定電圧出力端子１９
に直接接続されている。温度補償用トランジスタ６はト
ランジスタ１６と同じタイプのＮＰＮ型のバイポーラト
ランジスタであり、そのベースは抵抗１７、１８を介し
て電源端子１５に接続され、そのエミッタ、コレクタは
ともに基準電位点に直接接続されている。この温度補償
用トランジスタ６は、実施の形態１と同様、トランジス
タ１６と同じ温度を受けるように、例えば同じ回路基板
のトランジスタ１６の近傍に配置されている。
８の接続点に接続され、そのエミッタは電源端子１５に
直接接続され、またそのコレクタは定電圧出力端子１９
に直接接続されている。温度補償用トランジスタ６はト
ランジスタ１６と同じタイプのＮＰＮ型のバイポーラト
ランジスタであり、そのベースは抵抗１７、１８を介し
て電源端子１５に接続され、そのエミッタ、コレクタは
ともに基準電位点に直接接続されている。この温度補償
用トランジスタ６は、実施の形態１と同様、トランジス
タ１６と同じ温度を受けるように、例えば同じ回路基板
のトランジスタ１６の近傍に配置されている。
【００２８】この実施の形態３の定電圧回路は、電源端
子１５の電圧変動をトランジスタ１６のエミッタ、コレ
クタ間で吸収して、定電圧を出力端子１９に出力する。
このトランジスタ１６のベース、エミッタ間電圧ＶBEが
温度変化によって変動すれば定電圧特性が変動しようと
するが、温度補償用トランジスタ６のベース、エミッタ
間電圧ＶBEも同じに変動して、トランジスタ１６のＶBE
の変動を相殺するように動作し、安定した温度補償特性
を与える。
子１５の電圧変動をトランジスタ１６のエミッタ、コレ
クタ間で吸収して、定電圧を出力端子１９に出力する。
このトランジスタ１６のベース、エミッタ間電圧ＶBEが
温度変化によって変動すれば定電圧特性が変動しようと
するが、温度補償用トランジスタ６のベース、エミッタ
間電圧ＶBEも同じに変動して、トランジスタ１６のＶBE
の変動を相殺するように動作し、安定した温度補償特性
を与える。
【００２９】この実施の形態３のトランジスタ回路で
も、温度補償回路に定電圧電源を使用することなく、安
定した温度補償特性を得ることができる。
も、温度補償回路に定電圧電源を使用することなく、安
定した温度補償特性を得ることができる。
【００３０】実施の形態４．図４はこの発明によるトラ
ンジスタ回路の実施の形態４を示す電気回路図である。
この実施の形態４は実施の形態３をさらに改良した定電
圧回路である。
ンジスタ回路の実施の形態４を示す電気回路図である。
この実施の形態４は実施の形態３をさらに改良した定電
圧回路である。
【００３１】実施の形態４では、温度補償用トランジス
タ６として、２つのトランジスタ６Ａ、６Ｂを組み合わ
せたものが用いられる。これらのトランジスタ６Ａ、６
Ｂはともにトランジスタ１６と同じ温度を受ける場所に
配置されたＮＰＮ型のバイポーラトランジスタであり、
トランジスタ６Ａのエミッタはトランジスタ６Ｂのベー
スに直結されている。トランジスタ６Ａのベースは抵抗
１７、１８を介して電源端子１５に接続され、トランジ
スタ６Ａのコレクタ、トランジスタ６Ｂのエミッタ、コ
レクタはそれぞれ基準電位点に直接接続されている。他
は図３の実施の形態３と同じに構成される。
タ６として、２つのトランジスタ６Ａ、６Ｂを組み合わ
せたものが用いられる。これらのトランジスタ６Ａ、６
Ｂはともにトランジスタ１６と同じ温度を受ける場所に
配置されたＮＰＮ型のバイポーラトランジスタであり、
トランジスタ６Ａのエミッタはトランジスタ６Ｂのベー
スに直結されている。トランジスタ６Ａのベースは抵抗
１７、１８を介して電源端子１５に接続され、トランジ
スタ６Ａのコレクタ、トランジスタ６Ｂのエミッタ、コ
レクタはそれぞれ基準電位点に直接接続されている。他
は図３の実施の形態３と同じに構成される。
【００３２】実施の形態３では、温度補償用トランジス
タ６のベース、エミッタ間電圧ＶBEが抵抗１７，１８と
ともに分圧され、定電圧動作をするトランジスタ１６の
ベース、エミッタ間電圧ＶBEの温度特性を完全には相殺
ことができないが、実施の形態４では同じ型の２つのト
ランジスタ６Ａ、６Ｂを直結しているので、トランジス
タ１６のベース、エミッタ間電圧ＶBEの温度特性をトラ
ンジスタ６Ａ、６Ｂのベース、エミッタ間電圧ＶBEの温
度特性で充分に相殺し、より安定した温度補償特性を得
ることができる。
タ６のベース、エミッタ間電圧ＶBEが抵抗１７，１８と
ともに分圧され、定電圧動作をするトランジスタ１６の
ベース、エミッタ間電圧ＶBEの温度特性を完全には相殺
ことができないが、実施の形態４では同じ型の２つのト
ランジスタ６Ａ、６Ｂを直結しているので、トランジス
タ１６のベース、エミッタ間電圧ＶBEの温度特性をトラ
ンジスタ６Ａ、６Ｂのベース、エミッタ間電圧ＶBEの温
度特性で充分に相殺し、より安定した温度補償特性を得
ることができる。
【００３３】実施の形態５．図５はこの発明によるトラ
ンジスタ回路の実施の形態５を示す電気回路図である。
この実施の形態５のトランジスタ回路は周波数逓倍回路
として構成されている。
ンジスタ回路の実施の形態５を示す電気回路図である。
この実施の形態５のトランジスタ回路は周波数逓倍回路
として構成されている。
【００３４】図５において、ＮＰＮ型のバイポーラトラ
ンジスタ１のベースは整合回路２２を介して入力信号端
子１３に接続され、そのコレクタは整合回路２３、ろ波
回路２４を介して出力信号端子１４に接続されている。
電源端子１５は抵抗１１を介してトランジスタ１のコレ
クタに接続され、トランジスタ１のベース、コレクタ間
には抵抗１２が接続されている。
ンジスタ１のベースは整合回路２２を介して入力信号端
子１３に接続され、そのコレクタは整合回路２３、ろ波
回路２４を介して出力信号端子１４に接続されている。
電源端子１５は抵抗１１を介してトランジスタ１のコレ
クタに接続され、トランジスタ１のベース、コレクタ間
には抵抗１２が接続されている。
【００３５】温度補償用トランジスタ６は、トランジス
タ１と同じ温度を受ける場所に配置されたＮＰＮ型のバ
イポーラトランジスタであり、そのベースはトランジス
タ１のベースに直結され、それらのエミッタ、コレクタ
は基準電位点に直結されている。
タ１と同じ温度を受ける場所に配置されたＮＰＮ型のバ
イポーラトランジスタであり、そのベースはトランジス
タ１のベースに直結され、それらのエミッタ、コレクタ
は基準電位点に直結されている。
【００３６】この実施の形態５では、トランジスタ１は
入力信号端子１３に入力された入力信号の周波数を逓倍
して出力信号端子１４に出力するが、温度補償用トラン
ジスタ６はそのベース、エミッタ間電圧ＶBEの温度特性
により、トランジスタ１のベース、エミッタ間電圧Ｖ
B E の温度特性を相殺し、安定した温度補償特性を得る
ことができる。
入力信号端子１３に入力された入力信号の周波数を逓倍
して出力信号端子１４に出力するが、温度補償用トラン
ジスタ６はそのベース、エミッタ間電圧ＶBEの温度特性
により、トランジスタ１のベース、エミッタ間電圧Ｖ
B E の温度特性を相殺し、安定した温度補償特性を得る
ことができる。
【００３７】実施の形態６．図６はこの発明によるトラ
ンジスタ回路の実施の形態６を示す電気回路図である。
この実施の形態６は実施の形態５と同様の周波数逓倍回
路であり、トランジスタ６のベースとトランジスタ１の
ベースとの間に抵抗２１を付加した点以外、実施の形態
５と同じに構成されており、同様の効果が得られる。
ンジスタ回路の実施の形態６を示す電気回路図である。
この実施の形態６は実施の形態５と同様の周波数逓倍回
路であり、トランジスタ６のベースとトランジスタ１の
ベースとの間に抵抗２１を付加した点以外、実施の形態
５と同じに構成されており、同様の効果が得られる。
【００３８】
【発明の効果】以上のようにこの発明は、能動素子を構
成する第１のバイポーラトランジスタと同じタイプの第
２のバイポーラトランジスタによって温度補償素子を構
成し、この温度補償素子は能動素子の温度に対応した温
度を受け、そのベース、エミッタ間電圧に基づいて能動
素子のベースバイアスを制御するので、定電圧電源を使
うことなく、安定した温度補償特性を得ることができ、
また温度補償回路の小型化を図ることができる。
成する第１のバイポーラトランジスタと同じタイプの第
２のバイポーラトランジスタによって温度補償素子を構
成し、この温度補償素子は能動素子の温度に対応した温
度を受け、そのベース、エミッタ間電圧に基づいて能動
素子のベースバイアスを制御するので、定電圧電源を使
うことなく、安定した温度補償特性を得ることができ、
また温度補償回路の小型化を図ることができる。
【００３９】またこの発明で能動素子が増幅素子として
動作するように構成したものでは、安定した温度補償特
性を持った増幅回路を得ることができ、またこの増幅回
路を小型化できる。
動作するように構成したものでは、安定した温度補償特
性を持った増幅回路を得ることができ、またこの増幅回
路を小型化できる。
【００４０】またこの発明で能動素子が定電圧素子とし
て動作するように構成したものでは、安定した温度補償
特性を持った定電圧回路を得ることができ、またこの定
電圧回路を小型化できる。
て動作するように構成したものでは、安定した温度補償
特性を持った定電圧回路を得ることができ、またこの定
電圧回路を小型化できる。
【００４１】またこの発明で能動素子が逓倍素子として
動作するように構成したものでは、安定した温度補償特
性を持った逓倍回路を得ることができ、またこの逓倍回
路を小型化できる。
動作するように構成したものでは、安定した温度補償特
性を持った逓倍回路を得ることができ、またこの逓倍回
路を小型化できる。
【図１】 この発明によるトランジスタ回路の実施の形
態１を示す電気回路図。
態１を示す電気回路図。
【図２】 この発明によるトランジスタ回路の実施の形
態２を示す電気回路図。
態２を示す電気回路図。
【図３】 この発明によるトランジスタ回路の実施の形
態３を示す電気回路図。
態３を示す電気回路図。
【図４】 この発明によるトランジスタ回路の実施の形
態４を示す電気回路図。
態４を示す電気回路図。
【図５】 この発明によるトランジスタ回路の実施の形
態５を示す電気回路図。
態５を示す電気回路図。
【図６】 この発明によるトランジスタ回路の実施の形
態６を示す電気回路図。
態６を示す電気回路図。
【図７】従来のトランジスタ回路を示す電気回路図。
１、１６ 能動素子 ６、６Ａ、６Ｂ 温
度補償素子、１１、１２、１７、１８、２１、２５ 抵
抗 １３ 入力信号端子 １４ 出力信号端子 １５ 電源端子 １９ 出力電圧端子 ２２、２３ 整合回路 ２４ ろ波回路
度補償素子、１１、１２、１７、１８、２１、２５ 抵
抗 １３ 入力信号端子 １４ 出力信号端子 １５ 電源端子 １９ 出力電圧端子 ２２、２３ 整合回路 ２４ ろ波回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池松 寛 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5J090 AA01 AA58 AA62 AA64 AA65 CA02 CA92 CN02 FA07 FA10 FN05 HA02 HA25 HA26 HA29 HA33 HA43 KA11 KA29 KA41 MA21
Claims (7)
- 【請求項１】 ベース、エミッタ、コレクタを有する第
１のバイポーラトランジスタによって構成された能動素
子、および前記第１のバイポーラトランジスタと同じタ
イプの第２のバイポーラトランジスタによって構成され
ベース、エミッタ、コレクタを有する温度補償素子を備
え、前記温度補償素子のエミッタ、コレクタはともに基
準電位に接続されており、前記温度補償素子は前記能動
素子の温度に対応した温度を受け、そのベース、エミッ
タ間の電圧に基づいて前記能動素子のベースバイアスを
制御するように構成されているトランジスタ回路。 - 【請求項２】 前記能動素子は、エミッタが基準電位に
接続され、そのコレクタに増幅出力を発生するように構
成されており、前記温度補償素子のベースが前記能動素
子のベースに直結されている請求項１記載のトランジス
タ回路。 - 【請求項３】 前記能動素子は、エミッタが抵抗を介し
て基準電位に接続され、そのコレクタに増幅出力を発生
するように構成されており、前記温度補償素子のベース
が前記能動素子のベースにバイアス抵抗を介して接続さ
れている請求項１記載のトランジスタ回路。 - 【請求項４】 前記能動素子は、そのエミッタに定電圧
出力を発生するように構成されており、前記温度補償素
子のベースがバイアス抵抗を介して前記能動素子のベー
スに接続されている請求項１記載のトランジスタ回路。 - 【請求項５】 前記能動素子は、そのエミッタに定電圧
出力を発生するように構成されており、前記温度補償素
子は前記能動素子と同じタイプの第２、第３のバイポー
ラトランジスタによって構成され、これらの第２、第３
のバイポーラトランジスタのベース、エミッタ回路は、
互いに直結され、バイアス抵抗を介して前記能動素子の
ベースに接続されている請求項１記載のトランジスタ回
路。 - 【請求項６】 前記能動素子は、そのコレクタが整合回
路とろ波回路を介して逓倍出力を発生するように構成さ
れており、前記温度補償素子のベースが前記能動素子の
ベースに直結されている請求項１記載のトランジスタ回
路。 - 【請求項７】 前記能動素子は、そのコレクタが整合回
路とろ波回路を介して逓倍出力を発生するように構成さ
れており、前記温度補償素子のベースが前記能動素子の
ベースにバイアス抵抗を介して接続されている請求項１
記載のトランジスタ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000358011A JP2002164747A (ja) | 2000-11-24 | 2000-11-24 | トランジスタ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000358011A JP2002164747A (ja) | 2000-11-24 | 2000-11-24 | トランジスタ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002164747A true JP2002164747A (ja) | 2002-06-07 |
Family
ID=18829988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000358011A Pending JP2002164747A (ja) | 2000-11-24 | 2000-11-24 | トランジスタ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002164747A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007134768A (ja) * | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Mitsubishi Electric Corp | 電力増幅器用バイアス回路 |
| JP2009207015A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Fujitsu Ten Ltd | 誤動作防止装置および電子機器 |
| JP2009534778A (ja) * | 2006-03-10 | 2009-09-24 | イグザー コーポレイション | 入力コモンモードフィードバックを用いた光学検出器におけるダミー検出器の排除 |
| CN110048675A (zh) * | 2019-05-06 | 2019-07-23 | 西安微电子技术研究所 | 一种提高双极型轨对轨运放输入偏置电流性能的电路 |
-
2000
- 2000-11-24 JP JP2000358011A patent/JP2002164747A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007134768A (ja) * | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Mitsubishi Electric Corp | 電力増幅器用バイアス回路 |
| JP4567577B2 (ja) * | 2005-11-08 | 2010-10-20 | 三菱電機株式会社 | 電力増幅器用バイアス回路 |
| JP2009534778A (ja) * | 2006-03-10 | 2009-09-24 | イグザー コーポレイション | 入力コモンモードフィードバックを用いた光学検出器におけるダミー検出器の排除 |
| JP2009207015A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Fujitsu Ten Ltd | 誤動作防止装置および電子機器 |
| CN110048675A (zh) * | 2019-05-06 | 2019-07-23 | 西安微电子技术研究所 | 一种提高双极型轨对轨运放输入偏置电流性能的电路 |
| CN110048675B (zh) * | 2019-05-06 | 2023-03-21 | 西安微电子技术研究所 | 一种提高双极型轨对轨运放输入偏置电流性能的电路 |
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