JPH05175747A - 高出力ｆｅｔ増幅器 - Google Patents
高出力ｆｅｔ増幅器Info
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- JPH05175747A JPH05175747A JP3359797A JP35979791A JPH05175747A JP H05175747 A JPH05175747 A JP H05175747A JP 3359797 A JP3359797 A JP 3359797A JP 35979791 A JP35979791 A JP 35979791A JP H05175747 A JPH05175747 A JP H05175747A
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Abstract
幅器において、バイアス回路を構成するトランジスタの
温度変化によるＦＥＴの利得変化をなくす。 【構成】 バイアス回路に組み込まれたトランジスタ１
０のコレクタ電圧を供給するラインにＰＮ接合を有する
ダイオード３０を追加し、トランジスタ１０のＰＮ接合
による温度特性を補償する。
Description
幅用として使用される高出力ＦＥＴ増幅器に関し、特に
その利得温度補償回路に関するものである。
報に示された、バイアス回路にサーミスタを含み、ＦＥ
Ｔ増幅回路の温度補償をするように構成されたＦＥＴ増
幅回路である。図において、１はＦＥＴ、２及び３はゲ
ートバイアス回路の抵抗、４はドレイン抵抗、５はサー
ミスタである。またＣ1 ，Ｃ 2はバイアス印加時に低周
波発振を防止するためのコンデンサである。２１は負電
圧供給端子（−ＶE ）、２２は正電圧供給端子（＋
ＶC ）であり、図３に示されるようなＦＥＴ増幅器の温
度補償回路は、ＦＥＴ増幅回路の周囲温度によって変化
するＦＥＴ自体のパラメータに対して、ゲートバイアス
電圧ＶGS及びドレイン電圧ＶDSを変化させて、ＦＥＴ増
幅回路の利得の変動を補償するものである。
償の機能を有するゲート側バイアス回路は、抵抗による
直流電圧の分圧回路であり、ＦＥＴ１のゲート電極に接
続される抵抗に電流が流れても所定のバイアス電圧が得
られるものではなく、一般にゲート電流の流れないＦＥ
Ｔ増幅回路に適したものと考えられる。
示されたバイアス回路にシリコンダイオードを含み、Ｆ
ＥＴ増幅器の温度補償をするように構成されたＦＥＴ増
幅器である。図において、１はＦＥＴ、２，３はゲート
バイアス抵抗、６はゲートバイアス回路中の可変抵抗、
７はダイオードであり、図４に示されるようなＦＥＴ増
幅器の温度補償回路は、図３の場合と同様に、ゲート側
バイアス回路に供給される直流電圧をシリコンダイオー
ド７の順方向電圧の温度特性によって、ＦＥＴ増幅器の
ゲートバイアス電圧ＶGSを変化させて温度補償機能を実
現しようとするものである。
償回路と同様に、ゲート側バイアス回路は抵抗による直
流電圧の分圧回路で、ＦＥＴ１のゲート電極に接続され
る抵抗には電流が流れることが想定されていない。
されるＦＥＴは一般に、素子の飽和レベルに近い動作点
において使用され、その場合、動作レベルに応じてＦＥ
Ｔのゲート側に電流（ゲート電流）が流れることが知ら
れている。
アス回路においては、ＦＥＴのゲート側に電流が流れる
ことを前提に回路設計をする必要があり、一方、ＦＥＴ
増幅器の利得を安定にするためには、ゲート電流によら
ず、ゲート電圧Ｖgsを一定にする工夫が必要である。そ
こで、図５に示すように、ゲート電圧の電源回路から抵
抗により分圧された定電圧をベース電圧としたトランジ
スタ回路を構成し、定電圧の分圧回路とゲート電流の流
れる回路とを分離している。
抵抗、８，９はゲートバイアス回路の抵抗、１０はトラ
ンジスタ、１１，１２及び１３はトランジスタ１０の動
作点を決めるバイアス抵抗、１４は動作点を可変にする
可変抵抗である。
レクタ電流は、抵抗１１，１２，１３及び１４で決定さ
れ、トランジスタ１０がＯＮ状態にある動作点に設定さ
れていれば、抵抗８及び抵抗９を流れる電流に対して抵
抗８と抵抗９の接続点の電圧ＶX はほぼ一定に保たれ
る。抵抗８の抵抗値をＦＥＴ２３が動作状態において流
れるゲート電流に対して電圧降下が無視できるくらいの
小さな値に設定すれば、ＦＥＴ２３のゲート電圧は動作
状態において流れるゲート電流に対して安定な値にする
ことができる。
幅器は以上のように構成されており、図５に示したバイ
アス回路においては、使用しているトランジスタ１０の
ＰＮジャンクションの温度特性のため、周囲温度の変化
に応じて、一定電圧であるべき点Ｖx の電圧が変動す
る。しかも、周囲温度が高くなったときにトランジスタ
のＰＮ接合部の順方向電圧が低下し、ゲート電圧が深く
なる方向になって、ＦＥＴの利得を低下させるように働
き、ＦＥＴ素子が有する温度特性を強調する結果とな
る。逆に、周囲温度が低くなった場合には、トランジス
タのＰＮ接合部の順方向電圧が上昇し、ゲート電圧を浅
くする方向に変化して、ＦＥＴ素子の利得を上昇させる
ように働き、ＦＥＴの利得温度特性を強調する結果とな
る等、充分な温度補償がなされていないという問題点が
あった。
ためになされたもので、増幅器のＦＥＴにゲート電流が
流れることを許容するとともに、バイアス回路のトラン
ジスタの温度特性を補償して、周囲温度に対して変動す
るＦＥＴの利得温度特性を補償することができる高出力
ＦＥＴ増幅器を得ることを目的とする。
ＥＴ増幅器は、バイアス回路を構成する素子の温度変化
による特性変化を補償する温度補償機能を備えたもので
ある。
を、シリコンダイオードの順方向電圧の温度特性により
実現したものである。
を、サーミスタ等の温度非直線素子の温度特性により実
現したものである。
機能として設けられたシリコンダイオードのＰＮ接合部
の順方向電圧の温度変化が、バイアス回路のトランジス
タのＰＮ接合部の順方向電圧の温度変化を打ち消すよう
に働くことにより、また、サーミスタ等の温度非直線素
子の温度特性により打ち消される。
Ｔ増幅器を図について説明する。図１において、図５と
同一符号は同一または相当部分を示し、２３は高出力Ｆ
ＥＴ素子、３０はトランジスタ１０のベース電圧を取り
出すダイオードである。
定化された負電源電圧２１から、抵抗分圧されたベース
電圧及びコレクタ，エミッタ間電圧によって、トランジ
スタ１０の動作点が決定され、コレクタ電流によって抵
抗９の電圧が決まり、高出力ＦＥＴ素子２３のゲート電
圧が決まる。そして動作時において、周囲温度が変化、
例えば上昇した場合にはトランジスタ１０のＰＮ接合部
の順方向電圧が低下して電圧ＶX が負側に傾こうとする
が、同時にダイオード３０のＰＮ接合において順方向電
圧が低下してトランジスタ１０のベース電極がそれまで
よりも正電圧側に傾いてトランジスタ１０のベース電圧
を保持することで、抵抗８と抵抗９の接続点の電圧ＶX
は一定に保たれる。逆に周囲温度は低下してトランジス
タ１０のＰＮ接合部の順方向電圧が上昇して電圧ＶX が
正側に傾こうとするが、同時にダイオード３０のＰＮ接
合において順方向電圧が上昇してトランジスタ１０のベ
ース電極がそれまでよりも負電圧側に傾いてベース電圧
を保持することで、抵抗８と抵抗９の接続点の電圧ＶX
は一定に保たれる。
路のトランジスタ１０のベース電極にダイオード３０を
接続したから、バイアス回路を構成するトランジスタ１
０のＰＮ接合部の電圧が変化してもダイオード３０のＰ
Ｎ接合部の電圧が連動して変化し、その変化量がほぼ等
しいことから、トランジスタ１０の温度特性が補償さ
れ、ＦＥＴ１のゲート電圧を一定としてその利得特性の
変化をなくすことができる。
り、この実施例ではバイアス回路を構成するトランジス
タ１０のゲート電圧をサーミスタを用いて補償するよう
にしたものである。図において、３１はダイオード３０
の前段に挿入されたサーミスタであり、該サーミスタ３
１の温度特性によって、低温時にはゲート電圧を深くし
て、ＦＥＴ素子の利得を低下させるように働き、高温時
にはゲート電圧を浅くして、ＦＥＴ素子の利得を補償す
るように働かせることができる。なお図２ではサーミス
タ３１と抵抗１３との間にダイオード３０が設けられて
いるがダイオード３０は削除してもよい。
ＥＴ増幅器によれば、バイアス回路に該回路を構成する
素子の温度変化による特性変化を補償する温度補償機能
を設けたので、ゲート電流が流れることを許容すること
ができ、かつ周辺温度の変化に対して増幅用のＦＥＴの
ゲート電圧に変動がなき、利得の温度特性が安定な高出
力ＦＥＴ増幅器が得られるという効果がある。
のバイアス回路を示す回路図である。
器のバイアス回路を示す回路図である。
を示す回路図である。
を示す回路図である。
す回路図である。
Claims (3)
- 【請求項１】 電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）をその
飽和出力に近い動作点で使用し、マイクロ波帯信号を高
出力増幅するＦＥＴ増幅器と、高出力増幅時にＦＥＴの
ゲート側に流れる電流に係わらずＦＥＴのゲート電圧を
一定に保持するバイアス回路とを備えた高出力ＦＥＴ増
幅器において、 上記バイアス回路は、該回路を構成する素子の温度変化
による利得変化を補償する温度補償機能を有することを
特徴とする高出力ＦＥＴ増幅器。 - 【請求項２】 上記請求項１記載の高出力ＦＥＴ増幅器
において、 上記バイアス回路は、抵抗により分圧された電圧をベー
ス電圧としたトランジスタを有し、 上記バイアス回路の温度補償機能は、シリコンダイオー
ドの順方向電圧の温度特性により実現されたものである
ことを特徴とする高出力ＦＥＴ増幅器。 - 【請求項３】 請求項１記載の高出力ＦＥＴ増幅器にお
いて、 上記バイアス回路は、抵抗により分圧された電圧をベー
ス電圧としたトランジスタを有し、 上記バイアス回路の温度補償機能は、サーミスタ等の温
度非直線素子の温度特性により実現されたものであるこ
とを特徴とする高出力ＦＥＴ増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3359797A JPH05175747A (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | 高出力ｆｅｔ増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3359797A JPH05175747A (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | 高出力ｆｅｔ増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05175747A true JPH05175747A (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=18466341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3359797A Pending JPH05175747A (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | 高出力ｆｅｔ増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05175747A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6087888A (en) * | 1997-11-18 | 2000-07-11 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Field effect transistor gate bias voltage application circuit and semiconductor apparatus having field effect transistor gate bias voltage application circuit |
| US6486724B2 (en) | 2000-02-23 | 2002-11-26 | Japan Radio Co., Ltd. | FET bias circuit |
| JP2007228399A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Toshiba Corp | 電圧制御電流源および可変利得増幅器 |
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| CN113872541A (zh) * | 2021-08-23 | 2021-12-31 | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 | 一种超宽带微波温度补偿电路 |
-
1991
- 1991-12-25 JP JP3359797A patent/JPH05175747A/ja active Pending
Cited By (9)
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| CN112019172B (zh) * | 2020-09-03 | 2023-08-08 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 一种氮化镓器件栅极驱动电路 |
| CN113872541A (zh) * | 2021-08-23 | 2021-12-31 | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 | 一种超宽带微波温度补偿电路 |
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| JPH0537530Y2 (ja) | ||
| JP3963251B2 (ja) | 電子回路 |
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