JP2853763B2 - 増幅回路 - Google Patents
増幅回路Info
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- JP2853763B2 JP2853763B2 JP8228004A JP22800496A JP2853763B2 JP 2853763 B2 JP2853763 B2 JP 2853763B2 JP 8228004 A JP8228004 A JP 8228004A JP 22800496 A JP22800496 A JP 22800496A JP 2853763 B2 JP2853763 B2 JP 2853763B2
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
- H03F1/22—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は増幅回路に関し、特
にカスコード接続されたバイポーラトランジスタを含む
増幅回路に関するものである。
にカスコード接続されたバイポーラトランジスタを含む
増幅回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】高周波で広帯域での増幅を必要とする用
途、例えば移動通信における移動体のＲＦ受信回路など
にはカスコード接続されたトランジスタを用いた増幅回
路がよく用いられる。図２は、代表的なカスコード接続
増幅回路の回路図であって、負帰還型と呼ばれるもので
ある（以下、この回路を第１の従来例という）。図２に
示されるように、ベースが入力端子１に接続され、エミ
ッタが接地されたトランジスタＱ１のコレクタには、ト
ランジスタＱ２のエミッタが接続されている。トランジ
スタＱ２のコレクタは、出力端子２に接続されるととも
に負荷Ｚｌ、抵抗Ｒ１２およびＲ１１を介して電源Ｖｃ
ｃに接続されている。トランジスタＱ２のベースは、抵
抗Ｒ１１と抵抗Ｒ１２との接続点に接続されるとともに
コンデンサＣを介して接地されている。また、トランジ
スタＱ１のベースは帰還抵抗Ｒ１３を介して負荷Ｚｌと
抵抗Ｒ１２との接続点に接続されている。この回路で
は、抵抗Ｒ１３を介してＱ１のベースに負帰還がかか
り、回路動作の安定化が図られている。
途、例えば移動通信における移動体のＲＦ受信回路など
にはカスコード接続されたトランジスタを用いた増幅回
路がよく用いられる。図２は、代表的なカスコード接続
増幅回路の回路図であって、負帰還型と呼ばれるもので
ある（以下、この回路を第１の従来例という）。図２に
示されるように、ベースが入力端子１に接続され、エミ
ッタが接地されたトランジスタＱ１のコレクタには、ト
ランジスタＱ２のエミッタが接続されている。トランジ
スタＱ２のコレクタは、出力端子２に接続されるととも
に負荷Ｚｌ、抵抗Ｒ１２およびＲ１１を介して電源Ｖｃ
ｃに接続されている。トランジスタＱ２のベースは、抵
抗Ｒ１１と抵抗Ｒ１２との接続点に接続されるとともに
コンデンサＣを介して接地されている。また、トランジ
スタＱ１のベースは帰還抵抗Ｒ１３を介して負荷Ｚｌと
抵抗Ｒ１２との接続点に接続されている。この回路で
は、抵抗Ｒ１３を介してＱ１のベースに負帰還がかか
り、回路動作の安定化が図られている。
【０００３】図３は、カレントミラー型と呼ばれる従来
のカスコード接続増幅器の回路図であって（以下、この
回路を第２の従来例という）、この従来例ではカレント
ミラー回路を用いてバイアス電流の安定化を図ってい
る。第３図に示されるように、ベースが入力端子１に接
続され、エミッタが接地されたトランジスタＱ１のコレ
クタには、トランジスタＱ２のエミッタが接続されてい
る。トランジスタＱ２のコレクタは、出力端子２に接続
されるとともに負荷Ｚｌを介して電源Ｖｃｃに接続され
ている。トランジスタＱ２のベースは、抵抗Ｒ２１を介
して電源Ｖｃｃに接続されるとともにコンデンサＣを介
して接地されている。
のカスコード接続増幅器の回路図であって（以下、この
回路を第２の従来例という）、この従来例ではカレント
ミラー回路を用いてバイアス電流の安定化を図ってい
る。第３図に示されるように、ベースが入力端子１に接
続され、エミッタが接地されたトランジスタＱ１のコレ
クタには、トランジスタＱ２のエミッタが接続されてい
る。トランジスタＱ２のコレクタは、出力端子２に接続
されるとともに負荷Ｚｌを介して電源Ｖｃｃに接続され
ている。トランジスタＱ２のベースは、抵抗Ｒ２１を介
して電源Ｖｃｃに接続されるとともにコンデンサＣを介
して接地されている。
【０００４】トランジスタＱ１とカレントミラー回路を
構成するトランジスタＱ３のエミッタは接地され、コレ
クタは抵抗Ｒ２２を介して電源Ｖｃｃに接続されてい
る。トランジスタＱ３のコレクタ−ベース間は抵抗Ｒ２
３とＲ２４を介して接続され、抵抗Ｒ２３と抵抗Ｒ２４
との接続点はトランジスタＱ１のベースに接続されてい
る。この回路では、バイアス抵抗Ｒ２２〜Ｒ２４により
カレントミラー回路を流れる電流、すなわちトランジス
タＱ１のコレクタ電流Ｉｃを安定化させている。そし
て、カレントミラー回路を用いて増幅回路のバイアス電
流を供給するようにし図２のような帰還を用いないよう
にしたことにより、図２の回路より低電圧での駆動が可
能になっている。
構成するトランジスタＱ３のエミッタは接地され、コレ
クタは抵抗Ｒ２２を介して電源Ｖｃｃに接続されてい
る。トランジスタＱ３のコレクタ−ベース間は抵抗Ｒ２
３とＲ２４を介して接続され、抵抗Ｒ２３と抵抗Ｒ２４
との接続点はトランジスタＱ１のベースに接続されてい
る。この回路では、バイアス抵抗Ｒ２２〜Ｒ２４により
カレントミラー回路を流れる電流、すなわちトランジス
タＱ１のコレクタ電流Ｉｃを安定化させている。そし
て、カレントミラー回路を用いて増幅回路のバイアス電
流を供給するようにし図２のような帰還を用いないよう
にしたことにより、図２の回路より低電圧での駆動が可
能になっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】移動通信の移動体など
において用いられる回路では、駆動電圧が１Ｖ程度とほ
ぼ限界に近い程度にまで低電圧化、低電流化することが
要求されるようになってきているが、上述した従来例で
は、低電圧駆動化、低消費電力化を実施した場合には、
安定した動作ができなくなるという欠点があった。例え
ば製造プロセスのバラツキなどによりトランジスタのｈ
FEにバラツキが生じると低電圧化、低電流化により回路
を流れるコレクタ電流Ｉｃのバラツキが大きくなる。図
２に示した第１の従来例回路では、回路動作をより安定
化させるにはＱ１のベースへの帰還量を増大させるため
に、コレクタ電流Ｉｃを増大させたり、抵抗Ｒ１１、抵
抗Ｒ１２の抵抗値を大きくすることが必要となるが、抵
抗Ｒ１１、Ｒ１２を高抵抗化した場合には電源電圧を高
くしなければならず、いずれにしても低電流化、低電圧
化の要求に反することになる。
において用いられる回路では、駆動電圧が１Ｖ程度とほ
ぼ限界に近い程度にまで低電圧化、低電流化することが
要求されるようになってきているが、上述した従来例で
は、低電圧駆動化、低消費電力化を実施した場合には、
安定した動作ができなくなるという欠点があった。例え
ば製造プロセスのバラツキなどによりトランジスタのｈ
FEにバラツキが生じると低電圧化、低電流化により回路
を流れるコレクタ電流Ｉｃのバラツキが大きくなる。図
２に示した第１の従来例回路では、回路動作をより安定
化させるにはＱ１のベースへの帰還量を増大させるため
に、コレクタ電流Ｉｃを増大させたり、抵抗Ｒ１１、抵
抗Ｒ１２の抵抗値を大きくすることが必要となるが、抵
抗Ｒ１１、Ｒ１２を高抵抗化した場合には電源電圧を高
くしなければならず、いずれにしても低電流化、低電圧
化の要求に反することになる。
【０００６】図３に示した第２の従来例の回路では、バ
イアス抵抗Ｒ２２〜Ｒ２４を用いてトランジスタＱ３、
Ｑ１からなるカレントミラー回路の動作安定化を図って
いるが、例えばｈFEの変動に対し回路を安定に動作させ
るには、トランジスタＱ３には一定以上の電流を流す必
要がある。しかし、回路の増幅動作に直接寄与するトラ
ンジスタではないトランジスタＱ３の電流を増加させる
ことは消費電流の増大を招くことになり望ましくない。
イアス抵抗Ｒ２２〜Ｒ２４を用いてトランジスタＱ３、
Ｑ１からなるカレントミラー回路の動作安定化を図って
いるが、例えばｈFEの変動に対し回路を安定に動作させ
るには、トランジスタＱ３には一定以上の電流を流す必
要がある。しかし、回路の増幅動作に直接寄与するトラ
ンジスタではないトランジスタＱ３の電流を増加させる
ことは消費電流の増大を招くことになり望ましくない。
【０００７】よって、本発明の解決すべき課題は、トラ
ンジスタのｈFEなどのプロセス変動に対して安定度の高
い、低電圧動作、低消費電流の増幅回路を提供できるよ
うにすることである。
ンジスタのｈFEなどのプロセス変動に対して安定度の高
い、低電圧動作、低消費電流の増幅回路を提供できるよ
うにすることである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述した本発明の課題
は、カスコード接続の増幅回路のバイアス電流をカレン
トミラー回路により供給するように構成し、このカレン
トミラー回路にカスコード接続増幅回路より帰還をかけ
ることにより、解決することができる。
は、カスコード接続の増幅回路のバイアス電流をカレン
トミラー回路により供給するように構成し、このカレン
トミラー回路にカスコード接続増幅回路より帰還をかけ
ることにより、解決することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明による増幅回路は、エミッ
タが接地された第１のトランジスタ（Ｑ１）と、前記第
１のトランジスタのコレクタにエミッタが接続され、コ
レクタが負荷（Ｚｌ）および第１のバイアス抵抗回路網
（Ｒ１、Ｒ２）を介して電源に接続された第２のトラン
ジスタ（Ｑ２）と、前記第１のトランジスタとカレント
ミラー回路を構成し、第２のバイアス抵抗回路網（Ｒ
３、Ｒ４、Ｒ５）を介してバイアス電流の供給を受ける
第３のトランジスタ（Ｑ３）と、を有するものであっ
て、前記第２のバイアス抵抗回路網の電源側の端子は前
記負荷と前記第１のバイアス抵抗回路網との接続点に接
続されていることを特徴としている。
タが接地された第１のトランジスタ（Ｑ１）と、前記第
１のトランジスタのコレクタにエミッタが接続され、コ
レクタが負荷（Ｚｌ）および第１のバイアス抵抗回路網
（Ｒ１、Ｒ２）を介して電源に接続された第２のトラン
ジスタ（Ｑ２）と、前記第１のトランジスタとカレント
ミラー回路を構成し、第２のバイアス抵抗回路網（Ｒ
３、Ｒ４、Ｒ５）を介してバイアス電流の供給を受ける
第３のトランジスタ（Ｑ３）と、を有するものであっ
て、前記第２のバイアス抵抗回路網の電源側の端子は前
記負荷と前記第１のバイアス抵抗回路網との接続点に接
続されていることを特徴としている。
【００１０】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。図１は、本発明による増幅回路の一
実施例を示す回路図である。図１に示す増幅回路は、カ
スコード接続増幅回路部Ａとカレントミラーバイアス回
路部Ｂにより構成されている。カスコード接続増幅回路
部Ａでは、ベースが入力端子１に接続されたトランジス
タＱ１のコレクタにコレクタが出力端子２に接続された
トランジスタＱ２のエミッタが接続されている。トラン
ジスタＱ１のエミッタは接地され、トランジスタＱ２の
コレクタは負荷Ｚｌ、帰還抵抗Ｒ２を介してＱ２のベー
スに接続されている。また、Ｑ２のベースは抵抗Ｒ１を
介し電源Ｖｃｃに接続されるとともにコンデンサＣを介
して接地されている。
て詳細に説明する。図１は、本発明による増幅回路の一
実施例を示す回路図である。図１に示す増幅回路は、カ
スコード接続増幅回路部Ａとカレントミラーバイアス回
路部Ｂにより構成されている。カスコード接続増幅回路
部Ａでは、ベースが入力端子１に接続されたトランジス
タＱ１のコレクタにコレクタが出力端子２に接続された
トランジスタＱ２のエミッタが接続されている。トラン
ジスタＱ１のエミッタは接地され、トランジスタＱ２の
コレクタは負荷Ｚｌ、帰還抵抗Ｒ２を介してＱ２のベー
スに接続されている。また、Ｑ２のベースは抵抗Ｒ１を
介し電源Ｖｃｃに接続されるとともにコンデンサＣを介
して接地されている。
【００１１】カレントミラー型バイアス回路部Ｂは、ト
ランジスタＱ３と抵抗Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５から成り、Ｑ３
のエミッタは接地されベースは抵抗Ｒ５を介しカスコー
ド接続増幅回路部ＡのＱ１のベースに接続されている。
トランジスタＱ３のコレクタは、抵抗Ｒ３を介して帰還
抵抗Ｒ２と負荷Ｚｌとの接続点に接続されるとともに抵
抗Ｒ４を介してトランジスタＱ１のベースに接続されて
いる。
ランジスタＱ３と抵抗Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５から成り、Ｑ３
のエミッタは接地されベースは抵抗Ｒ５を介しカスコー
ド接続増幅回路部ＡのＱ１のベースに接続されている。
トランジスタＱ３のコレクタは、抵抗Ｒ３を介して帰還
抵抗Ｒ２と負荷Ｚｌとの接続点に接続されるとともに抵
抗Ｒ４を介してトランジスタＱ１のベースに接続されて
いる。
【００１２】次に、本発明の実施例の動作について説明
する。まずＤＣ帰還について説明する。図１の増幅回路
の回路電流は、Ｑ１のベース電位で決まる。Ｑ１のベー
ス電位をＶB 、Ｑ１のコレクタ電流をＩｃ、トランジス
タのサイズをＱ１：Ｑ３＝Ｎ：１とすると、ベース電流
がコレクタ電流に比較して無視でき、Ｎ≫１であるもの
とすると、近似的に（１）式で表される。 ＶB ＝Ｖｃｃ−（Ｒ１＋Ｒ２）Ｉｃ−Ｒ３・Ｉｃ／Ｎ ＝Ｖｃｃ−（Ｒ１＋Ｒ２＋Ｒ３／Ｎ）Ｉｃ ・・・（１） よって、回路電流（コレクタ電流）が増加すればＶB は
小さくなり、回路電流を下げる作用が働く。逆に、回路
電流が低下すればＶB が大きくなり、回路電流を上昇さ
せる作用が働く。
する。まずＤＣ帰還について説明する。図１の増幅回路
の回路電流は、Ｑ１のベース電位で決まる。Ｑ１のベー
ス電位をＶB 、Ｑ１のコレクタ電流をＩｃ、トランジス
タのサイズをＱ１：Ｑ３＝Ｎ：１とすると、ベース電流
がコレクタ電流に比較して無視でき、Ｎ≫１であるもの
とすると、近似的に（１）式で表される。 ＶB ＝Ｖｃｃ−（Ｒ１＋Ｒ２）Ｉｃ−Ｒ３・Ｉｃ／Ｎ ＝Ｖｃｃ−（Ｒ１＋Ｒ２＋Ｒ３／Ｎ）Ｉｃ ・・・（１） よって、回路電流（コレクタ電流）が増加すればＶB は
小さくなり、回路電流を下げる作用が働く。逆に、回路
電流が低下すればＶB が大きくなり、回路電流を上昇さ
せる作用が働く。
【００１３】次に、カレントミラー部の作用について説
明する。いま、製造プロセスのバラツキによりｈFEが小
さく形成されたものとすると、トランジスタＱ３のコレ
クタ電流が低下しベース電流が増大する。Ｑ３のベース
電流が増大すると抵抗Ｒ５による電圧降下によりトラン
ジスタＱ１のベース電位ＶB が上昇してＩｃを増加させ
ｈFEの低下を補償する。ｈFEが大きく形成された場合に
は、逆にＱ１のベース電位ＶB が低下してＩｃを減少さ
せる。この回路では、Ｑ３のバイアス回路（Ｒ３〜Ｒ
５）を負荷ＺｌとＲ２との接続点に接続したことにより
帰還がかかり、Ｑ３に大電流を流さなくても安定した動
作が可能になる。
明する。いま、製造プロセスのバラツキによりｈFEが小
さく形成されたものとすると、トランジスタＱ３のコレ
クタ電流が低下しベース電流が増大する。Ｑ３のベース
電流が増大すると抵抗Ｒ５による電圧降下によりトラン
ジスタＱ１のベース電位ＶB が上昇してＩｃを増加させ
ｈFEの低下を補償する。ｈFEが大きく形成された場合に
は、逆にＱ１のベース電位ＶB が低下してＩｃを減少さ
せる。この回路では、Ｑ３のバイアス回路（Ｒ３〜Ｒ
５）を負荷ＺｌとＲ２との接続点に接続したことにより
帰還がかかり、Ｑ３に大電流を流さなくても安定した動
作が可能になる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による増幅
回路は、カスコード接続増幅回路にバイアス電流を供給
するカレントミラー回路のバイアス回路にカスコード接
続増幅回路から負帰還がかかるようにしたものであるの
で、負帰還とカレントミラーのベース補償抵抗の２つの
効果を合わせ利用することができ、低駆動電圧、低消費
電流で安定した動作を行う増幅回路を実現できる。
回路は、カスコード接続増幅回路にバイアス電流を供給
するカレントミラー回路のバイアス回路にカスコード接
続増幅回路から負帰還がかかるようにしたものであるの
で、負帰還とカレントミラーのベース補償抵抗の２つの
効果を合わせ利用することができ、低駆動電圧、低消費
電流で安定した動作を行う増幅回路を実現できる。
【図１】本発明の一実施例を示す回路図。
【図２】負帰還型と呼ばれる従来例の回路図。
【図３】カレントミラー型と呼ばれる従来例の回路図。
１ 入力端子 ２ 出力端子 Ａ カスコード接続増幅回路部 Ｂ カレントミラー型バイアス回路部
Claims (3)
- 【請求項１】 エミッタが接地された第１のトランジス
タと、前記第１のトランジスタのコレクタにエミッタが
接続され、コレクタが負荷および第１のバイアス抵抗回
路網を介して電源に接続された第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタとカレントミラー回路を構成
し、第２のバイアス抵抗回路網を介してバイアス電流の
供給を受ける第３のトランジスタと、を有する増幅回路
であって、前記第２のバイアス抵抗回路網の電源側の端
子は前記負荷と前記第１のバイアス抵抗回路網との接続
点に接続され、前記第１のバイアス抵抗回路網は、第２
のトランジスタのベースと電源との間に接続された第１
の抵抗と、前記第２のトランジスタのベースと前記負荷
との間に接続された第２の抵抗と、によって構成され、
かつ、前記第２のバイアス抵抗回路網は、第２の抵抗と
負荷との接続点と前記第３のトランジスタのコレクタと
の間に接続された第３の抵抗と、前記第３のトランジス
タのコレクタと前記第１のトランジスタのベースとの間
に接続された第４の抵抗と、前記第３のトランジスタの
ベースと前記第１のトランジスタのベースとの間に接続
された第５の抵抗と、により構成されていることを特徴
とする増幅回路。 - 【請求項２】 前記第１のトランジスタのサイズＳ１と
前記第３のトランジスタのサイズＳ２との比Ｓ１／Ｓ２
は１より十分大きいことを特徴とする請求項１記載の増
幅回路。 - 【請求項３】 前記第２のトランジスタのベースは、コ
ンデンサを介して接地されていることを特徴とする請求
項１記載の増幅回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8228004A JP2853763B2 (ja) | 1996-08-29 | 1996-08-29 | 増幅回路 |
| US08/917,766 US5963096A (en) | 1996-08-29 | 1997-08-27 | Amplifier circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8228004A JP2853763B2 (ja) | 1996-08-29 | 1996-08-29 | 増幅回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1070419A JPH1070419A (ja) | 1998-03-10 |
| JP2853763B2 true JP2853763B2 (ja) | 1999-02-03 |
Family
ID=16869678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8228004A Expired - Fee Related JP2853763B2 (ja) | 1996-08-29 | 1996-08-29 | 増幅回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5963096A (ja) |
| JP (1) | JP2853763B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000323938A (ja) * | 1999-05-10 | 2000-11-24 | Alps Electric Co Ltd | 信号レベル調整回路 |
| US6313705B1 (en) | 1999-12-20 | 2001-11-06 | Rf Micro Devices, Inc. | Bias network for high efficiency RF linear power amplifier |
| DE10046640C1 (de) * | 2000-09-20 | 2002-04-18 | Infineon Technologies Ag | Ruhestrom-Kompensationsschaltung |
| DE10220520A1 (de) * | 2002-05-08 | 2003-11-20 | Sap Ag | Verfahren zur Erkennung von Sprachinformation |
| JP2004343739A (ja) | 2004-04-23 | 2004-12-02 | Matsushita Electric Works Ltd | テレビスイッチモジュール |
| US7274275B2 (en) * | 2005-06-10 | 2007-09-25 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bandpass filter network and method for bandpass filtering signals using multiple acoustic resonators |
| JP2008103889A (ja) * | 2006-10-18 | 2008-05-01 | Niigata Seimitsu Kk | 低雑音増幅器 |
| JP5299093B2 (ja) * | 2009-05-29 | 2013-09-25 | 株式会社村田製作所 | バイアス回路、ハイパワーアンプ及び携帯情報端末 |
| US9621118B2 (en) * | 2014-12-30 | 2017-04-11 | Skyworks Solutions, Inc. | Compression control through power amplifier voltage adjustment |
| US10230332B2 (en) * | 2016-08-18 | 2019-03-12 | Skyworks Solutions, Inc. | Apparatus and methods for biasing low noise amplifiers |
| US10171045B2 (en) | 2016-08-18 | 2019-01-01 | Skyworks Solutions, Inc. | Apparatus and methods for low noise amplifiers with mid-node impedance networks |
| CN111682851B (zh) * | 2020-08-13 | 2020-12-04 | 成都嘉纳海威科技有限责任公司 | 一种5g通信抗失配宽带低噪声放大器 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3891316A (en) * | 1974-03-18 | 1975-06-24 | Xerox Corp | Multi-process control system for an electrophotographic printing machine |
| US4663599A (en) * | 1985-05-21 | 1987-05-05 | General Electric Company | Integrated circuit amplifier module |
| JPH0636484B2 (ja) * | 1988-09-08 | 1994-05-11 | 日本電気株式会社 | 電流電圧変換回路 |
-
1996
- 1996-08-29 JP JP8228004A patent/JP2853763B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-08-27 US US08/917,766 patent/US5963096A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5963096A (en) | 1999-10-05 |
| JPH1070419A (ja) | 1998-03-10 |
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