JP2002139569A - 大面積ファイバープレート、それを用いた放射線撮像装置、並びにそれらの製造方法 - Google Patents
大面積ファイバープレート、それを用いた放射線撮像装置、並びにそれらの製造方法Info
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Abstract
し、製造工程での作業性にもより優れた大面積のファイ
バープレート、放射線撮像装置及び放射線撮像システム
を提供する。 【解決手段】 厚さの等しい複数の個別ファイバープレ
ートが、一つの前記個別ファイバープレートの導光面よ
り面積の大きな導光面を提供するように、隣接配置され
たファイバープレートにおいて、前記複数の個別ファイ
バープレートは、それぞれ、互いに平行な軸を有する光
ファイバーの集合体からなり、前記複数の個別ファイバ
ープレートの側面同士が、それぞれの前記光ファイバー
の軸が平行になるように、接合されていることを特徴と
する。
Description
ト(ファイバーオプティックプレートともいう)、放射
線撮像装置、それらの製造方法、並びに、それを備えた
放射線撮像システムに関し、特に、放射線を光に変換す
る変換手段と、光を電気信号に変換する光電変換素子と
を備えた放射線撮像装置に用いられる、変換手段からの
光を光電変換素子へ導くためのファイバープレートに特
に関連するものである。
とするX線撮影装置ではX線動画の撮像が可能で画像品
位が優れ、且つ、薄型で大面積入力範囲を有するX線撮
像装置が求められている。また医療用のみならず、産業
用非破壊検査機などにも薄型で安価な大面積のX線撮像
装置が求められている。
ば、(1)ファイバープレートのファイバ繊維に傾斜を
設けCCDセンサの非受光部(周辺回路)が干渉しあう
ことを防ぎ大面積化したX線検出装置(例えば、米国特
許第5,563,414号)、(2)ファイバープレートの厚み
に段差をつけてCCDセンサの非受光部が干渉しないよ
うに大面積化したX線検出装置(例えば、米国特許第5,
834,782号)などがある。
断面図を図37に示す。図37は、X線を可視光に変換
するシンチレータなどからなる蛍光体3と、蛍光体3に
よって変換された可視光を撮像素子1側へ導く光ファイ
バーなどの個別ファイバープレート2Aと、個別ファイ
バープレート2Aによって導かれた可視光を電気信号に
変換する撮像素子1Aとを有するX線検出装置を示して
いる。
ート2Aを撮像素子1Aに対して傾斜を設けており、個
別ファイバープレート2A間には、各撮像素子1Aから
の電気信号を処理する処理回路等が設けられている。
斜視図を図38に示す。なお、図38において、図37
と同様の部分には、同一の符号を付している。図38に
示すように、ファイバープレート2の長さを部分的に変
えて、例えば3つの撮像素子1を一組として各組毎に段
差を設けることによって、各撮像素子1に処理回路等を
備えられるようにしている。
構成は、光ファイバーの軸に対して斜めに交差する導光
面(光入出射面)を有しており、それぞれのファイバー
プレートの光ファイバーの軸が互いに交差するように配
置されている。この構成では、X線撮像装置の更なる小
型化が困難である。
が更に大型化する。また、各段差部分と撮像素子との位
置合わせ精度が厳しいため、製造工数が多くなり、且つ
高精度な位置合わせ装置が必要になる。これらを鑑みる
と上記(2)の構成は現実的ではない。
は、X線撮像装置の大型化、低コスト化、製造工程での
作業性等の点で必ずしも十分なものではなかった。
の小型化、低コスト化に適し、製造工程での作業性にも
より優れた大面積のファイバープレート、放射線撮像装
置及び放射線撮像システムを提供することにある。
プレート、放射線撮像装置及び放射線撮像システムを安
価に提供することができるファイバープレートの製造方
法並びに放射線撮像装置の製造方法を提供することにあ
る。
等しい複数の個別ファイバープレートが、一つの前記個
別ファイバープレートの導光面より面積の大きな導光面
を提供するように、隣接配置されたファイバープレート
において、前記複数の個別ファイバープレートは、それ
ぞれ、互いに平行な軸を有する光ファイバーの集合体か
らなり、前記複数の個別ファイバープレートの側面同士
が、それぞれの前記光ファイバーの軸が平行になるよう
に、接合されていることを特徴とする。
軸が前記導光面の法線に平行或いは傾いていることが好
ましいものである。
側面のうち少なくともいずれか一方は研磨された面であ
ることが好ましいものである。
うち少なくともいずれか一方により、前記側面同士が接
合されていることが好ましいものである。
遮蔽性接合部であることが好ましいものである。
光面の法線に対して交差する面を有することが好ましい
ものである。
個別ファイバープレートが、一つの前記個別ファイバー
プレートの導光面より面積の大きな導光面を提供するよ
うに、隣接配置されたファイバープレートにおいて、前
記複数の個別ファイバープレートは、それぞれ、前記導
光面の法線に対して平行な軸を有する光ファイバーの集
合体からなり、前記複数の個別ファイバープレートの側
面同士が、それぞれの前記光ファイバーの軸が平行にな
るように、接合されており、前記ファイバープレートの
前記導光面となる表面と裏面の面積が等しいことを特徴
とする。
イバープレートの互いに平行な側面同士が接合されてい
ることが好ましいものである。
れた面であることが好ましいものである。
た面であることが好ましいものである。
うち少なくともいずれか一方により、前記側面同士が接
合されていることを特徴とすることが好ましいものであ
る。
遮蔽性接合部であることが好ましいものである。
イバープレートの接合される側面は、前記導光面の法線
に対して交差する面を有することが好ましいものであ
る。
換する波長変換体と、光を電気信号に変換する光電変換
素子と、前記波長変換体と前記光電変換素子との間に設
けられたファイバープレートとを備えた放射線撮像装置
において、前記ファイバープレートは、厚さの等しい複
数の個別ファイバープレートが一つの前記個別ファイバ
ープレートの導光面より面積の大きな導光面を提供する
ように隣接配置され、前記複数の個別ファイバープレー
トはそれぞれ互いに平行な軸を有する光ファイバーの集
合体からなり、前記複数の個別ファイバープレートの側
面同士がそれぞれの前記光ファイバーの軸が平行になる
ように接合されているファイバープレートであることを
特徴とする。
が前記導光面の法線に平行或いは傾いていることが好ま
しいものである。
側面のうち少なくともいずれか一方は研磨された面であ
ることが好ましいものである。
うち少なくともいずれか一方により、前記側面同士が接
合されていることが好ましいものである。
遮蔽性接合部であることが好ましいものである。
光面の法線に対して交差する面を有することが好ましい
ものである。
ァイバープレート同士の間隙の幅は、前記光電変換素子
の画素の幅より小さいことが好ましいものである。
は、互いに異なる受光面積を有する複数の画素を有して
おり、隣接する前記個別ファイバープレート同士の間隙
の幅は、前記光電変換素子の最小受光面積を有する画素
の幅より小さいことが好ましいものである。
ァイバープレート同士の間隙が、前記光電変換素子を構
成するチップの間隙上に位置していることが好ましいも
のである。
ァイバープレート同士の間隙が、前記光電変換素子を構
成するチップの有効画素領域上に位置していることが好
ましいものである。
ァイバープレート同士の間隙で形成される繋ぎ目線が、
前記光電変換素子を構成するチップの間隙で形成される
繋ぎ目線と0°より大きく90°より小さい角度で交差
していることが好ましいものである。
換する波長変換体と、光を電気信号に変換する光電変換
素子と、前記波長変換体と前記光電変換素子との間に設
けられたファイバープレートとを備えた放射線撮像装置
において、前記ファイバープレートは、厚さの等しい複
数の個別ファイバープレートが、一つの前記個別ファイ
バープレートの導光面より面積の大きな導光面を提供す
るように、隣接配置され、前記複数の個別ファイバープ
レートは、それぞれ、前記導光面の法線に平行な軸を有
する光ファイバーの集合体からなり、前記複数の個別フ
ァイバープレートの側面同士が、それぞれの前記光ファ
イバーの軸が平行になるように、接合されており、前記
ファイバープレートの前記導光面となる表面と裏面の面
積が等しいファイバープレートであることを特徴とす
る。
プレートの側面は研磨された面であることが好ましいも
のである。
れた面であることが好ましいものである。
うち少なくともいずれか一方により、前記側面同士が接
合されていることが好ましいものである。
遮蔽性接合部であることが好ましいものである。
プレートの側面は、前記導光面の法線に対して交差する
面を有することが好ましいものである。
ァイバープレート同士の間隙の幅は、前記光電変換素子
の画素の幅より小さいことが好ましいものである。
は、互いに異なる受光面積を有する複数の画素を有して
おり、隣接する前記個別ファイバープレート同士の間隙
の幅は、前記光電変換素子の最小受光面積を有する画素
の幅より小さいことが好ましいものである。
ァイバープレート同士の間隙が、前記光電変換素子を構
成するチップの間隙上に位置していることが好ましいも
のである。
ァイバープレート同士の間隙が、前記光電変換素子を構
成するチップの有効画素領域上に位置していることが好
ましいものである。
ァイバープレート同士の間隙で形成される繋ぎ目線が、
前記光電変換素子を構成するチップの間隙で形成される
繋ぎ目線と0°より大きく90°より小さい角度で交差
していることが好ましいものである。
換する波長変換体と、光を電気信号に変換する光電変換
素子チップと、前記波長変換体と前記光電変換素子との
間に設けられた個別ファイバープレートとを備えた放射
線撮像ユニットが複数配列された放射線撮像装置におい
て、複数の放射線撮像ユニットの前記個別ファイバープ
レートの側面同士がそれらの光ファイバーの軸が互いに
平行になるように接合されていることを特徴とする。
プレートの側面は研磨された面であることを特徴とす
る。
れた面であることが好ましいものである。
ットは、前記波長変換体と、前記光電変換素子チップ
と、前記個別ファイバープレートと、がほぼ同じサイズ
であることが好ましいものである。
ートの製造方法において、互いに平行な軸を有する光フ
ァイバーの集合体からなる、厚さの等しい複数の個別フ
ァイバープレートを、複数用意する工程、一つの前記個
別ファイバープレートの導光面より面積の大きな導光面
を提供するように、前記複数の個別ファイバープレート
を隣接配置する工程、隣接する前記個別ファイバープレ
ートの側面同士を、それぞれの前記光ファイバーの軸が
平行になるように、接合する工程、を含むことを特徴と
する。
イバープレートのうち少なくとも2つを接合して個別フ
ァイバープレートの組を形成する工程、前記個別ファイ
バープレートの組を更に複数接合して前記ファイバープ
レートを形成する工程、を含むことが好ましい。
プレートの組の側面を研磨した後、複数の前記個別ファ
イバープレートの組を、該側面が隣接するように接合す
ることが好ましい。
ァイバープレートの側面同士を、金属又は接着材を用い
て接合することが好ましい。
ープレートを接合した後、それらの表面を研磨すること
が好ましい。
な軸を有する光ファイバーの集合体からなる、厚さの等
しい複数の個別ファイバープレートを、複数用意する工
程、一つの前記個別ファイバープレートの導光面より面
積の大きな導光面を提供するように、前記複数の個別フ
ァイバープレートを隣接配置する工程、隣接する前記個
別ファイバープレートの側面同士を、それぞれの前記光
ファイバーの軸が平行になるように、接合する工程、を
含むことが好ましい。
イバープレートのうち少なくとも2つを接合して個別フ
ァイバープレートの組を形成する工程、前記個別ファイ
バープレートの組を更に複数接合して前記ファイバープ
レートを形成する工程、を含むことを特徴とする。
プレートの組の側面を研磨した後、複数の前記個別ファ
イバープレートの組を、該側面が隣接するように接合す
ることが好ましい。
ァイバープレートの側面同士を、金属又は接着材を用い
て接合することが好ましい。
ープレートを接合した後、それらの表面を研磨すること
が好ましい。
する光ファイバーの集合体からなる、複数の個別ファイ
バープレートを、複数用意する工程、一つの前記個別フ
ァイバープレートの導光面より面積の大きな導光面を提
供するように、前記複数の個別ファイバープレートを隣
接配置する工程、隣接する前記個別ファイバープレート
の側面同士を接合した後、それらの表面を研磨すること
が好ましい。
の製造方法において、上述したファイバープレートを用
意する工程、光電変換素子に貼り合せる工程、を含むこ
とを特徴とする。
前記ファイバープレートと前記光電変換素子とを貼り合
わせた後に、該ファイバープレートにシート状の波長変
換体を貼ることが好ましい。
前記ファイバープレートにシート状の波長変換体を貼り
合わせた後に、前記光電変換素子とを貼り合わせること
が好ましい。
撮像装置からの信号を処理する信号処理手段と、前記信
号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、前
記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段
と、前記放射線を発生させるための放射線源とを具備す
ることを特徴とする放射線撮像システム。
して説明する。
の基本的な構成を説明するための模式的斜視図である。
らなる一つのファイバープレート(個別ファイバープレ
ート)であり、7は隣接する少なくとも2つの個別ファ
イバープレート2Aを接合する接合材である。
Aは、例えば、直径1μm〜100μm程度の光ファイ
バーを1千本〜1億本程度平行にして束ねて一体成形し
た光ファイバー束を、光ファイバーの軸と垂直な平面が
露出するように、厚さが1mm〜20mm程度の板状に
切断して得られるものである。
光面(光入出射面)を図1のxy平面とすると、全ての
光ファイバーの軸は図1のz軸とほぼ平行であるので、
光入出射面の法線と軸とは±1°程度の誤差範囲内で平
行であり、それらのなす角度は0°±1°となる。
プレート2Aをxy面に沿って、光入出射面が同一平面
となるように並べ、個別ファイバープレート2Aの側面
同士を、それぞれの光ファイバーの軸が平行になるよう
に、接合する。
面積の光入出射面を提供する大面積ファイバープレート
2となる。なお、厚さが同じといっても厳密に同じであ
る必要はなく、多少の誤差は許容範囲内である。
て傾いた光ファイバーの軸を備え、平行四辺形断面を有
する個別ファイバープレートを複数用意し、それらの軸
が互いに平行になるように、側面同士を接合した大面積
ファイバープレートであってもよい。
2Aのみ図示しているが、その数は特に限定されるもの
ではない。また個別ファイバープレート2Aの厚さは、
厳密に同じである必要はなく、多少の誤差は許容され
る。必要に応じて、個別ファイバープレート2A同士の
接合後にファイバープレート2の表面を研磨することも
好ましいものである。
材料から形成されるものであり、より好ましくは鉛ガラ
スのように、鉛のような放射線遮蔽材料を含む光透過性
材料からなるものであることが望ましい。
の接着材、又は無機物の接合材が用いられる。とりわ
け、ファイバープレートとの熱膨張係数等の特性が等し
いか、又は熱膨張係数等の特性が近似している材料が好
ましく用いられる。
ては、特に限定されるものではないが、例えば、その面
積が数十cm2〜数千cm2程度の大きさのものを用いる
ことができる。
いた放射線撮像装置の基本的な構成を示す模式図であ
る。
ンサチップ、CMOSイメージセンサチップ、バイポー
ラ型イメージセンサチップ、CMD型イメージセンサチ
ップ、薄膜トランジスタ型イメージセンサチップなどの
集積回路チップで構成された撮像素子であり、複数の撮
像素子が並べられて大面積の撮像素子(光電変換素子)
1が構成されている。
られて大面積のファイバープレート2が構成されてい
る。
S(Tb)のようなガドリニウム硫化酸化物、CsI
(Tl)のような沃化セシウムに代表されるハロゲン化
アルカリ金属などの、シンチレータ或いは蛍光体と呼ば
れる材料からなる層状部材である。
2の導光面積を、貼り合わされた大面積撮像素子1の有
効受光面積と同じか、それよりも大きなものとし、さら
に、波長変換体3の面積を貼り合わされた大面積ファイ
バープレート2の導光面積と同じか、それよりも大きな
ものとするとよい。
面に入射すると、波長変換体3は、可視光域の光を発光
する。波長変換体3と撮像素子1との間に配されたファ
イバープレート2が、この光を撮像素子1の受光部に導
く。受光部に入射した光はそこで画素毎に光電変換さ
れ、電気信号として読み出される。
射線遮蔽性ファイバープレートを用いれば、放射線の撮
像素子1への入射を妨げることができるので、撮像素子
の誤動作、ノイズの生成を抑制することができる。
数と、撮像素子チップ1Aの数を同数として描いている
が、本発明はこれらが同数に限定されることはなく、互
いに異なる数であってもよい。
の寸法が撮像素子チップ1Aの寸法より大きなものを選
択して、個別ファイバープレート2Aの数を撮像素子チ
ップ1Aの数より少なくするとよい。
X線撮像装置に好適に用いることができるが、特にその
用途はX線撮像装置に限定されるものではなく、α,
β,γ線等のX線以外の放射線像を検出する放射線撮像
装置にも用いることができる。
の電磁波であり、可視光を含む。さらに、例えば放射線
を含む電磁波を電気信号に変換する電磁波電気信号変換
装置にも適用することができる。
1のX線撮像装置の断面図である。図3には、X線を可
視光等の撮像素子(光電変換素子)で検知可能な波長の
光に変換するシンチレータとしての蛍光体(波長変換
体)3と、波長変換体3によって変換された光を撮像素
子側へ導く複数の光ファイバーからなる個別ファイバー
プレート2Aと、光を電気信号に変換する光電変換用受
光素子を備えた撮像素子1と、を有する装置が示されて
いる。
ート2Aを相互に接着する接着材7を有しており、更に
必要に応じて、大面積ファイバープレート2と複数の画
素を備えた撮像素子1とを接着する弾性に優れた透明接
着材6と、各撮像素子チップ1Aからの電気信号を外部
に出力するための配線を有するフレキシブル基板4と、
フレキシブル基板4と撮像素子チップ1Aとを電気的に
接続するバンプ5と、フレキシブル基板4が接続される
プリント基板12と、蛍光体3を保護するアルミ保護シ
ート8と、撮像素子1を搭載するベース基板10と、ベ
ース基板10を保持するためのベース筐体11と、ベー
ス筐体11に備えられた筐体カバー9と、撮像素子1と
ファイバープレート2との間に設けられた一定間隔を保
持するためのスペーサ13と、透明接着材6をファイバ
ープレート2と撮像素子1との間に介在させるための目
地うめ接着材14とを有している。
と、個別ファイバープレート2Aを複数備えた大面積フ
ァイバープレート2とを透明接着材6によって貼り合わ
せることによって、作製されている。
素子の概略的な構成の一例を示す平面図である。
を含む通常画素101と、駆動回路103の外側に設け
られた複数の周辺画素104と、各通常画素101及び
各周辺画素104を順次駆動する駆動回路103と、撮
像素子チップ1Aの入出力端子102とを示している。
Aの全面に配しており、通常画素101のピッチは、後
述するように、例えば160μmとしている。通常画素
101間には駆動回路103を分割して分散配置してい
る。なお、周辺画素104は、通常画素101に比べて
面積が小さいため、画素信号を補正処理することによっ
て、面積の相違がなくなるようにしている。
られる撮像素子の出力端子付近の構成を示している。図
5(a)は、撮像素子チップ1Aのバンプ5及びフレキ
シブル配線基板4付近の上面図、図5(b)は、図5
(a)の5B線による断面図である。
はバンプ5に接続されるフレキシブル基板4のインナー
リード、105は撮像素子チップ1Aの端部とインナー
リード401とのショートの防止及び撮像素子1の端部
欠損を防止するポリイミド樹脂層などの有機絶縁層であ
る。
バンプ5とフレキシブル基板4との電気的接続を行う方
法を説明するための模式図である。
えばポリイミド樹脂層を撮像素子チップ1Aの端部に2
5μmの厚さとなるように形成する。
の電気的接続を行うために、まず、撮像素子チップ1A
の入出力端子102に、スタッドバンプ方式やメッキな
どによりバンプ5を形成する。
とを、例えば超音波を用いたボンディングにより融着す
ると、バンプ5の金属とインナーリード401の金属と
の金属間接合により両者が電気的且つ物理的に接続され
る。
などをエッチングすることによって形成し、ニッケル及
び金を用いてメッキを施して、18μm程度の厚さとし
たものを利用し、またフレキシブル配線基板の総厚は、
50μm程度としたものを利用することができる。
7,18によって上下に挟んで保持した状態で、治具1
9を保持台17,18に向けて図6の矢印の方向に移動
させる。こうして、撮像素子チップ1Aの端部でインナ
ーリード401を図面下側に向けて90°程度に曲げ
る。
子のフレキシブル配線基板付近の断面図である。図7
(b)は、撮像素子のフレキシブル配線基板付近の上面
図である。
方向においては、周辺画素104の幅S1が通常画素1
01の幅S2より小さくしている(S1<S2)。
ッチP2と、各通常画素101と各周辺画素104との
間のピッチP1が異なるように描かれているが、好まし
くは、これらが一定、すなわちP1=P2となり、更に
は通常画素間のピッチPとも同じ、すなわちP1=P2
=Pとなるように配置されることが望ましい。
画素に限らず、すべて等ピッチとなり、画像品位を向上
させることができる。
られる撮像素子とベース基板との接着工程を示す図であ
る。
撮像素子チップ1Aを、X,Y,Z方向及びθ(回転)
方向に可動するアライメントヘッド31及びアライメン
トカメラ33を用いて位置合わせしながらステージ32
上に載置する。
ージ32に形成されている孔32Aから図示しないバキ
ューム装置などで吸引されることによってステージ32
上に固定される(図8(a))。
の動作を行うかどうかの検査を行う。この検査では、検
査治具34を用いて、例えば静電気などによって各撮像
素子チップ1Aが破壊されているかどうかなどを調べる
(図8(b))。
1Aに欠陥が発見されれば、その撮像素子チップ1Aの
下方のバキューム装置をオフして、アライメントヘッド
31を用いて不良チップを交換する(図8(c))。
ディスペンサ34から紫外線硬化型樹脂又はシリコーン
樹脂などの接着材35をチップの上面に塗布する(図8
(d))。
10Aにフレキシブル基板4を挿入し、それから撮像素
子1とベース基板10とを密着させた後に、紫外線を照
射したり加圧することによって接着材35を硬化させ固
定する(図8(e))。
2Aの大きさと撮像素子チップ1Aとの大きさをほぼ同
じにして、これらを位置合わせするとよい。また、ここ
では、ベース基板10には、撮像素子1との間における
熱膨張率などを考量して、ガラス又はパーマアロイ(鉄
+ニッケル)合金を用いることが好ましい。
接着固定した後に、バキューム装置をオフにして、ステ
ージなどの治具36から撮像素子1及びベース基板10
を取り外す(図8(f))。
り合わされた大面積撮像素子1が得られる。
られる大面積撮像素子と、上述した大面積ファイバープ
レートとを貼り合わせる工程を説明するための模式図で
ある。
を、図9(b)及び図9(d)は平面を示している。
プ1A上に、各撮像素子チップ1Aと大面積ファイバー
プレート2との間隔を保持できるように、スペーサ13
を配置する(図9(a))。
い。
布し、また目地うめ接着材14を撮像素子1間の隙間を
埋めるように塗布する(図9(b))。
おり、後述するように、ここから真空注入の方式を用い
て透明接着材6を充填することになる。注入する際、真
空リークの原因とならぬように目地うめ接着材14をベ
ース基板10の上面の撮像素子チップ1A間の隙間にも
充填している。
面積撮像素子1上に、大面積ファイバープレート2を貼
り合わせる(図9(c))。
ト2を相互に接合している接合材7が、各撮像素子チッ
プ1A間の隙間若しくは各画素間の直上に配置されるよ
うにすることも好ましいものである。
Aとファイバープレートの間隔を均一にし、シール材3
7を硬化させる。そして、減圧チャンバー内で、大面積
ファイバープレート2と撮像素子1との隙間を減圧状態
にしたところで、透明接着材6を溜めたボート(図示せ
ず)に開口部分37Aをつけ減圧状態から大気圧に戻す
ことで、透明接着材がファイバープレート2と撮像素子
1との隙間に充填される。
38で封止する(図9(d))。
をファイバープレート2上に貼りつけることによって、
X線撮像装置が形成される。
2上に、その材料を蒸着する手法や粉末状の蛍光体を結
合材に混合させたものを塗布する手法によって設けるこ
ともできるが、この場合、図9(c)の工程の前に、フ
ァイバープレート2上に波長変換体3を設けておく。
動作について説明する。波長変換体3側に図示しないX
線源を設置し、さらに、X線源とX線撮像装置との間に
被写体を位置させた状態で、X線源からX線を照射する
と、そのX線は被写体に曝射される。すると、X線は被
写体を透過するときに強度差を有するレントゲン情報を
含んでX線撮像装置側に送られる。
て、X線の強度に応じた可視光等の光に変換される。変
換された光は、ファイバープレート2を通じて撮像素子
1側へ伝送される。このとき、ファイバープレート2と
撮像素子1とが透明接着材6によって接着されているた
め、光は透明接着材6を通過するときに減衰することな
く撮像素子1に入射される。
着材7に入射した光は、吸収又は反射等されて光の透過
率が小さくなる。この光が撮像素子1の画素上に入射さ
れるとライン欠陥になるが、上述したように、個別ファ
イバープレート2Aの大きさと撮像素子チップ1Aとの
大きさを同じにして、これらを位置合わせすると接着材
7からの光が撮像素子1の画素に影響を与えにくい構成
とすることができる。
を、光の強度に応じた電気信号に変換する。この電気信
号は、図示しない読み出し回路の指示に応じて、バンプ
5を介してフレキシブル基板4の配線つまりリード40
1に読み出される。フレキシブル基板4に読み出された
電気信号は、プリント基板12上に作製された外部回路
に送られ、A/D変換された後に画像処理がされる。
ここで本発明に用いられる大面積ファイバープレートの
製造方法について説明する。
用いられる大面積ファイバープレートの製造方法の一例
を示す模式図である。
個別ファイバープレート2Aを相互に、接合材により貼
り合わせる。このとき、図10(a)に示すように、個
別ファイバープレート2Aは、注意して貼っても、厳密
いうと相互に位置がずれて貼り合わされることが多い。
このまま全ての個別ファイバープレート2Aを貼り合せ
ると必要以上の隙間が発生する。
隙間の発生を防止するために、相互にずれて貼り合わさ
れたファイバープレート2の少なくとも1側面を点線部
分41まで研磨することにより、図10(b)に示すよ
うに、整列した平坦な側面2Bを得ている。
同様の手順によって、一側面が研磨されてそろえられた
2枚の個別ファイバープレート2Aをもう一組作製し、
それら2組のファイバープレートを相互にそれぞれの平
坦な研磨された側面2Bを突き合わせるように貼り合わ
せる(図10(c))。
ち一側面を点線41まで研磨する。さらに、図10
(d)に示すように必要に応じて残りの3つの側面も研
磨すれば、隣接する側面間の間隙を小さくでき且つ4つ
の側面全てが平坦な大面積ファイバープレートを作製す
ることができる。
レート2Aを貼り合わせて大面積ファイバープレート2
を製造する場合を例に説明したが、実際には、ファイバ
ープレート2が所望の大きさになるように、所定の枚数
の個別ファイバープレート2Aを貼り合わせる。
いられるファイバープレートの別の製造方法を示す模式
断面図である。ここでは、6枚のファイバープレート2
Aを貼り合わせて大面積ファイバープレート2を製造す
る場合を例に挙げているので、図11(a),図11
(b)ではそのうち3枚の個別ファイバープレート2A
のみが図示されている。実際には、大面積ファイバープ
レート2が所望の大きさになるように、所定の枚数のフ
ァイバープレート2Aを貼り合わせる。
で得られた大面積ファイバープレート2の断面をみる
と、図11(a)に示すように、角部には、側面を研磨
中や各工程での取り扱い中に起きたチッピングによる欠
け部43が生じる。
イバープレート2の導光面となる表面及び裏面を、それ
ぞれ欠け部43がなくなるまで両面を研磨して、図11
(b)に示すような欠け部のない大面積ファイバープレ
ート2を作る。
示したような大面積ファイバープレート2は、必要に応
じてスペーサ13を介して、大面積撮像素子1に貼り合
わせされる。
態2に係る大面積ファイバープレートの断面図である。
接合材7として鉛等のX線遮蔽部材7Aを含有したエポ
キシ樹脂等からなる接着材を用いた形態である。
・酢酸ビニル共重合体、カルボキシル変性エチレン・酢
酸ビニル共重合体、エチレン・イソブチルアクリレート
共重合体、ポリアミド、ポリエステル、ポリメチルメタ
クリレート、ポリビニルエーテル、ポリビニルブチラー
ル、ポリウレタン、スチレン・ブチレン・スチレン(S
BS)共重合体、カルボキシル変性SBS共重合体、ス
チレン・イソプレン・スチレン(SIS)共重合体、ス
チレン・エチレン・ブチレン・スチレン(SEBS)共
重合体、マレイン酸変性SEBS共重合体、ポリブタジ
エンゴム、クロロプレンゴム(CR)、カルボキシル変
性CR、スチレン・ブタジエンゴム、イソブチレン・イ
ソプレン共重合体、アクリロニトリル・ブタジエンゴム
(NBR)、カルボキシル変性NBR、エポキシ樹脂、
シリコーンゴム(SR)などが挙げられ、これらは一種
単独又は二種以上を組み合わせて使用される。
剤としてのフェノール樹脂、ポリオール類、イソシアネ
ート類、メラミン樹脂、尿素樹脂、ウロトロピン樹脂、
アミン類、酸無水物、過酸化物、金属酸化物、トリフル
オロ酢酸クロム塩などの有機金属塩、チタン、ジルコニ
ア、アルミニウムなどのアルコキシド、ジブチル錫ジオ
キサイドなどの有機金属化合物、2,2−ジエトシキア
セトフェノン、ベンジルなどの光開始剤、アミン類、リ
ン化合物、塩素化合物などの増感剤、さらには硬化剤、
加硫剤、制御剤、劣化防止剤、耐熱添加剤、熱伝導向上
剤、軟化剤、着色剤、各種カップリング剤、金属不活性
剤などを適宜添加してもよい。
ト、ニッケル、銅、亜鉛、銀、スズ、ガドリニウム、タ
ングステン、白金、金、鉛、ビスマスなどから選択され
る少なくとも一種の金属、或いは少なくともその一種を
含む合金、又は少なくともその一種の化合物、が用いら
れる。これらの金属、合金、化合物は、Pb−Snのよ
うな鉛含有ハンダペースト、鉛フリーハンダペースト、
銀ペーストなどと共に用いられてもよい。或いは、これ
らの金属、合金、化合物は、粒子状として用いられても
よく、その場合には、無機若しくは有機材からなる粒子
(カーボン粒子、プラスチックボール)にメッキ、スパ
ッタ等で被覆されたものを用いることもできる。
トによれば、接合部分、すなわち個別ファイバープレー
トの繋ぎ目部分に、放射線遮蔽性の結合材用いているの
で、繋ぎ目を通して放射線が制限なく透過してしまうこ
とを防止できる。
線撮像装置は、波長変換体3に入射したX線のうち、光
に変換されなかったものが撮像素子1に入射することを
防止できる。
うち、光に変換されないものは、鉛等を含有させた大面
積ファイバープレート2の材料自体、及び/又は、遮蔽
性接合材7によって遮られる。これにより、撮像素子1
へのX線の入射によるノイズ等の発生を抑制できる。
示した大面積ファイバープレートの製造方法を説明する
ための模式図である。
棒などを用いて撹拌する(図13(a))。
った後に、ディスペンサ46若しくはスクリーン印刷で
ファイバープレート間にX線遮蔽部材7Aを含有する接
着材からなる接合材を充填する(図13(b))。
に減圧雰囲気内で行うとよい。
互に加圧しながら接着材を硬化させる。硬化には、UV
照射や、常温〜200℃の範囲で加熱するとよい。その
後、ファイバープレート2の上面よりはみ出した接着材
を削り取る(図13(c))。
得られる。
態3に係る大面積ファイバープレートの模式的断面図で
ある。本実施形態では、低融点金属(融点が330℃以
下の金属)及び液状フラックスを用いて個別ファイバー
プレート2Aを接合して大面積ファイバープレート2を
作製する。
Pb、Sn、Bi、Sb、In、Ag、Cdなどの金属
を2種以上含む合金、例えばSn−Pb(63:37w
t%)の共晶半田やSn−Pb(10:90wt%)の
高融点半田を用いることができる。また、低融点金属
は、液状フラックスに混ざりやすいように、粒形状であ
ることが望ましい。
フラックスでは、精製ロジン、水添ロジン、重合ロジン
等の樹脂成分及びアルコール類、例えばテルピネオー
ル、1,4−ブタンジオール、メチルセロソルブ等、又
はケトン類、例えばメチルエチルケトン、メチルイソプ
ロピルケトン、メチルイソブチルケトン等の溶剤成分を
必須成分とし、これに更にポリエチレングリコール、ポ
リビニルブチラール、石油樹脂等の粘度調整剤、マロン
酸、コハク酸、トリエタノールアミン等の活性剤などの
添加剤成分を適宜配合したものが用いられる。
ポリエチレングリコール、グリセリン、ポリビニルアル
コール等の多価アルコール成分、溶剤成分としての水を
必須成分とし、これに更にポリアクリル酸アミド等の粘
度調整剤、有機酸、有機若しくは無機ハロゲン化塩、塩
酸ジエチルアミン等の活性剤などの添加剤成分を適宜配
合したものが用いられる。中でも、水溶性の液状フラッ
クスが好ましく使用される。
示した大面積ファイバープレートの製造工程の説明する
ための模式図である。
ックス47とを混合する(図15(a))。
った後に、ディスペンサ若しくはスクリーン印刷でファ
イバープレート間にX線遮蔽性の低融点金属48を含有
する液状フラックス47を充填する(図15(b))。
圧雰囲気内で行うとよい。
加圧し、同時に融点以上の温度で加熱して低融点金属4
8を融着させる。その後、ファイバープレート2の上面
より低融点金属48がはみ出している場合には、それを
削り取る。
得られる(図15(c))。
態4に係る大面積ファイバープレートの模式的断面図で
ある。本実施形態では、第1の金属層49と第2の金属
層50によって個別ファイバープレート2Aを貼り合わ
せて大面積ファイバープレート2を作製する。
示した大面積ファイバープレートの製造工程を説明する
ための模式図である。
の両面に、感光性フィルムなどの耐酸性用エッチングレ
ジスト51をコーティングする(図17(a))。
ファイバープレート2Aに密着させる。それから、後述
する第1の金属層49とガラスとの密着性を上げるた
め、フッ酸、フッ化カリウム、酸性フッ化アンモニウム
などを用いて、ファイバープレート2の端面をエッチン
グして粗面52を形成する。(図17(b))。
2)にニッケルや銅などの第1の金属層49を無電解メ
ッキによって形成する(図17(c))。
の合金からなる第2の金属層50を電気メッキする(図
17(d))。
に直接メッキすることが難しい。そこで上述した第1の
金属層49を先に設けて下地を導電性に変更し、その後
に第2の金属層52を電気メッキ処理によって形成す
る。
イバープレート2Aを相互に加圧しながら、第2の金属
層50を融点以上330℃以下の温度で加熱する(図1
7(e))。
り、はみ出した第1,第2の金属層49,50がある場
合には、それらを削り取る。こうして、大面積ファイバ
ープレートが得られる。
は、X線を遮蔽する遮蔽性を有する接合材7によってフ
ァイバープレート2Aを相互に接続するようにしてい
る。よって、これら実施形態の大面積ファイバープレー
トを図2,図3に示したような放射線撮像装置に利用す
れば、波長変換体3で光に変換されずにファイバープレ
ート側へ出射したX線がファイバープレート基体で遮ら
れる。こうして、撮像素子1をX線から遮蔽でき、ノイ
ズ等の発生を抑制することができる。
装置の一実施形態の平面図、図19はこのX線撮像装置
の断面図である。
明した撮像装置と同じである。これらの装置と異なる点
は、個別ファイバープレート2Aの接合部7からなる繋
ぎ目線が、撮像素子チップ1Aの間隙部の上方に位置す
るように、大面積ファイバープレート2と大面積撮像素
子1とを位置合わせして貼りつけた点にある。
隣接する撮像素子チップ1Aの間隙よりも小さくして、
多少の位置ずれが生じても、繋ぎ目線が画素を覆わない
ようにしている。
はファイバープレートとの熱膨張係数等の特性が等しい
又は近い材質のものが好ましい。本実施形態ではファイ
バープレートの繋ぎ目と撮像素子の繋ぎ目との位置を合
せているので、接合材は透明でも不透明でもよい。
撮像装置の別の例を示す上面図及び断面図である。
ープレートの繋ぎ目であるファイバー接合部7が撮像素
子1の周辺画素104上を覆うように位置ずれした状態
で配置されてしまった場合には、接合部7の光透過率と
ファイバープレート2Aの光透過率との差から、この接
合部7下に配置された画素列、特に周辺画素104はそ
の寸法が小さいのでライン欠陥や画素欠陥となる。
あっても感度の低下はまぬがれない。更に蛍光体から光
に変換されないで透過された漏れX線が接合部7を通し
て撮像素子に入射するとライン状にショットノイズが生
じ画像品位を低下させることになり、更に素子の劣化を
引き起こす恐れもある。
像装置においては、ファイバープレートの繋ぎ目と撮像
素子の繋ぎ目との位置を合せている。かかる構成を採る
ことで、ファイバープレートの繋ぎ目から入射する蛍光
体からの光が撮像素子の画素列に入射しないようにして
ライン欠陥が生じないようにしている。また蛍光体から
の漏れX線がファイバープレートの繋ぎ目から撮像素子
に入射しないようにしてライン状にショットノイズが生
じないようにしている。
像素子チップの数とが異なる場合には、個別ファイバー
プレートの継ぎ目と、撮像素子チップの継ぎ目と、一致
させて位置合わせすることができない状況が生じる。
であっても、ライン欠陥の発生を回避できる放射線撮像
装置に関する。
置においては、個別ファイバープレートの接合部7から
なる繋ぎ目線と撮像素子の画素列線とを傾けて(角度θ
≠0°)配置している。かかる構成を採ることで、ファ
イバープレートの繋ぎ目から入射する光が一画素列上の
すべての画素に入射しないようにして、ライン欠陥の発
生を防止している。
一部にファイバー接合部7を通して光が入射しても一部
の画素から欠陥信号が生じるだけでライン欠陥とはなら
ない。かかる場合、波長変換体からの漏れX線が、ファ
イバープレートの繋ぎ目から撮像素子に入射しないよう
に、接合材として鉛含有接着材のようなX線遮蔽性接合
材を用いるとよい。
レートの繋ぎ目線が撮像素子の画素列ラインと平行に重
ならないようにするために、ファイバープレートの繋ぎ
目線と撮像素子の画素列ラインとを傾けて配置したが、
以下に述べるような構成を採ってもよい。
態によるX線撮像装置の上面図、図24はそのX線撮像
装置の断面図である。
プレートの繋ぎ目のラインが撮像素子1Aの撮像領域上
にあり、且つ隣接する画素列間にあるように配置されて
いる。かかる構成により、ファイバープレートの繋ぎ目
から入射する蛍光体からの光が撮像素子の画素に入射し
ないようになる。
法より接合部7の幅(継ぎ目線幅)を充分に大きくする
ことにより、通常画素間からファイバープレートの接合
部7が多少ずれても、ライン欠陥にならないようにして
いる。
繋ぎ目から撮像素子に入射しないように、接合部に用い
る接合材として鉛入り接着材のようなX線遮蔽性接合材
を用いることも好ましい。
ファイバープレート2Aを接合した大面積ファイバープ
レートと、9枚の撮像素子チップ1Aからなる大面積撮
像素子とを組み合わせているが、撮像素子チップの寸法
を小さくして撮像素子チップの数が個別ファイバープレ
ートの数より多くすることも好ましいものである。
態によるX線撮像装置の模式的断面図である。
における個別ファイバープレートの側面が斜めであり、
導光面の法線に対して交差する面となる。
ファイバープレートの繋ぎ目となる接合部7に入射した
漏れX線がファイバープレートの繋ぎ目側側面に入射す
るようにファイバープレートの端部(側面)を加工し、
撮像素子に漏れX線が入らないようにしている。
の側面を通過するようにするには、個別ファイバープレ
ート2Aの継ぎ目側の側面71が漏れX線に対して非平
行な面を有すればよく、ここではファイバープレートの
側面71をファイバープレートの導光面の法線方向、す
なわち光ファイバーの軸に対して、例えば数度〜数十度
程度の、一定の傾きを有するようにしている。
に、波長変換体3を透過した漏れX線はファイバープレ
ートに入射し、ファイバープレートによりX線が遮断さ
れる。このように、X線が継ぎ目を通って撮像素子に入
射しないので、ライン状のショットノイズの発生を抑制
できる。ここでは個別ファイバープレートとして放射線
遮蔽性のファイバープレートを用いるが、接合材は特に
放射線遮蔽性の接合材でなくてもよい。
トとの熱膨張係数等の特性が等しいか又は近似した材質
の接着材を用いることが好ましい。
レートの側面71の全てが漏れX線に対して一定の傾き
を有するようにしたが、ファイバープレートの側面71
の一部が漏れX線に対して一定の傾きを有するようにし
てもよい。
軸を個別ファイバープレート2Aの導光面の法線方向と
平行にする形態だけではなく、光ファイバーの軸が個別
ファイバープレート2Aの側面と平行にする形態であっ
てもよい。
切断した個別ファイバープレートを複数用意し、それぞ
れの光ファイバーの軸が平行になるように接合すればよ
い。そして、この場合には、光入射面となる導光面の位
置と光出射面となる導光面の位置とが光ファイバーの傾
き角に応じてずれることになる。
形態によるX線撮像装置の模式的断面図である。
における個別ファイバープレートの側面が折り返し点を
境に反対向きに斜めであり、導光面の法線に対して交差
する面となる。
の接合部7は「く」の字状(シェブロン状)としてお
り、ファイバープレートの側面72の厚さ方向における
一部分が漏れX線に対して一定の傾きを有するようにし
ている。
形態によるX線撮像装置の模式的断面図である。
の側面73はステップ状に加工されており、ファイバー
プレートの接合部7を段差状としている。この装置のフ
ァイバープレートは、接合部における個別ファイバープ
レートの側面が、ステップのところで、導光面の法線に
対して交差する面を有する構成にされている。
に用いられるファイバープレートの側面(接合部7)の
形状の例をいくつか示した。
側面の形状は、導光面の法線に対して交差する面を有す
る構成であればよく、つまり、接合部7に入射した漏れ
X線がファイバープレートの側面を通過するようなもの
であれば、図示した以外の形状、例えば、ジグザグ状、
円弧状等いかなる形状であってもよい。
ファイバープレートの繋ぎ目である接合部7が撮像素子
の周辺画素上に重なるように配置された場合には、個別
ファイバープレート2Aを貼り合わせる接合部7がファ
イバープレート2Aと異なる光透過率を有するため、こ
の接合部7の下に撮像素子1の画素列が配置され、且つ
接合部7の幅が広いと複数ラインにわたるライン欠陥と
なる。
透過された漏れX線が接合部を通して撮像素子に入射す
るとライン状にショットノイズが生じ画像品位を低下さ
せる。
さよりも小さくしている。
示すように、ファイバープレート2Aの接合部7の幅d
が撮像素子1の画素101の幅Pよりも小さくなるよう
にして(d<P)、接合部7下に撮像素子1の画素列が
配置されても1ラインのライン欠陥に抑えられる。
料を含んだ接着材などの接合材を用いれば、波長変換体
3から漏れたX線を遮蔽することが可能となる。
素101の遮光層により形成される開口部の幅aよりも
小さくする(d<a)ことが望ましい。
周辺画素104の幅よりもファイバープレートの接合部
7の幅dを小さくすること、すなわち、ファイバープレ
ート2Aの接合部7の幅dを撮像素子1内で最小の画素
の幅よりも小さくすることも、好ましいものである。
との熱膨張係数等の特性が等しい又は近い材質のものが
好ましい。
施形態によるX線撮像装置を構成している一撮像ユニッ
トの模式的断面図である。図30の装置は、X線を可視
光等の撮像素子で検知可能な波長の光に変換する波長変
換手段3と、波長変換体3によって変換された光を撮像
素子1A側へ導く複数の光ファイバーの束からなるファ
イバープレート2Aと、ファイバープレート2Aと複数
の画素101を備えた撮像素子1Aとを接着する弾性に
優れた透明接着材6と、光を電気信号に変換する受光部
を備えた撮像素子1Aと、撮像素子1Aからの電気信号
を外部に出力する配線を有するフレキシブル基板4と、
フレキシブル基板4と撮像素子1Aとを電気的に接続す
るバンプ5と、波長変換体3を保護するアルミ保護シー
ト8と、撮像素子1Aを搭載するベース基板10と、透
明接着材6をファイバープレート2Aと撮像素子1Aと
の間に介在させるためのシール材14とを具備してい
る。
用意して、隣接するファイバープレート2Aの側面同士
或いはユニットの側面同士を接合すれば、大面積の放射
線受容面を有する大面積撮像装置を構成できる。
ユニットの製造方法を説明するための模式図である。な
お、図31(a)及び図31(c)は断面を、図31
(b)及び図31(d)は平面を示している。
れ、ファイバープレート2Aの縦横の寸法が撮像素子1
Aの寸法とほぼ合致しており、それぞれの面積はほぼ等
しい。
されているので導光面(光入出射面)も平坦な研磨面と
なる。なお、研磨手法については後述する。
撮像素子1Aを接着し固定する。撮像素子1Aの撮像面
上に、各撮像素子とファイバープレートとの間隔を保持
するための球状又は円柱状のスペーサ13を配置する
(図31(a))。
塗布する(図31(b))。
部に開口部37Aを有する。また、103は垂直シフト
レジスタや水平シフトレジスタなどを含む、画素の駆動
回路である。
ート2Aをスペーサ13上に、位置決めした後にファイ
バープレート2Aと撮像素子1Aを互いに加圧、加熱し
て貼り合わせる(図31(c))。
ープレート2Aと各撮像素子1Aとの隙間を真空状態に
したところで、図示しない透明接着材を溜めたボートに
開口部37Aをつけ真空状態を大気圧に戻すことで、透
明接着材が隙間に充填される。その後、開口部37Aを
封止材38によって封止する(図31(d))。
面が同一平面となるように並べて、接合することにより
大面積のX線撮像装置が得られる。
ール材37は、撮像素子チップ1Aの端部から一周辺画
素分内方の位置にのみ付与されているが、図30に示す
ように端部に至るところまで付与されていてもよい。
2Aの光入射面側に在る波長変換体3は蒸着、塗布、ま
たは印刷などにより形成されるが、その工程はファイバ
ープレート2の研磨後であることが好ましい。或いは、
撮像素子1Aにファイバープレート2Aを貼り合わせた
後であってもよい。
(e)は、本発明の一実施形態によるX線撮像ユニット
の別の製造方法を説明するための模式図である。なお、
図32(a)、図32(c)、及び図32(d)は断面
を、図32(b)、及び図32(e)は平面を示してい
る。
に、撮像素子1Aとファイバープレート2Aとの間隔を
保持できるように、スペーサ13を配置する(図32
(a))。
め光入出射面も両面研磨して平坦化されたものを使用す
る。
塗布する(図32(b))。
に一部に開口部37Aが設けられており、後述するよう
に、ここから真空注入の方式を用いて透明接着材を充填
する。
ーサ13上に、位置決めした後に貼り合わせる(図32
(c))。
2Aと撮像素子1Aとの隙間を真空状態にしたところ
で、透明接着材を溜めたボートに開口部37Aをつけ真
空状態を大気圧に戻すことで、透明接着材6が隙間に充
填される。その後、開口部分37Aを封止材38で封止
する。
素子1Aの面積に合わせて研磨して、ファイバープレー
ト2Aの側面と撮像素子チップ1Aの側面とが、ほぼ面
一となるように整合させる(図32(d))。
リウム、アンモニア、過酸化水素水等の研磨溶液を使用
する化学研磨は行わず、機械研磨とすることで、撮像素
子1Aの損傷を防ぐ。
ープレート2Aと同じ面積の波長変換体3としての蛍光
体3を貼布するか、又はファイバープレート2Aの上
に、それより大きな面積の蛍光体3を貼布して、これを
ファイバープレート2Aと同じ面積になるようにカット
する。
(図32(e))。
面が同一平面となるように並べて、接合することにより
大面積のX線撮像装置が得られる。
(f)は、本発明の一実施形態による大面積ファイバー
プレートの製造方法を説明するための模式図である。
数、貼り合わせ用ステージ500の表面上に載置する。
図示しないディスペンサなどを用いてファイバープレー
ト2A間に接合材7を充填する。このとき、各ファイバ
ープレート2Aの貼り合わせ用ステージ500側が、基
準面53となる(図33(a))。
化した後に、基準面53が吸着穴54側になるように、
貼り合わされた大面積ファイバープレート2を、研磨ス
テージ800に載置する。また、研磨円板600に、フ
ェルトなどの研磨パッド700を取り付ける(図33
(b))。
上に、研磨剤55を付与して、研磨円板600と研磨ス
テージ800とを相互に接触させ圧力を加えながら逆回
転させて、各個別ファイバープレート2A及び接合部7
を研磨する(図33(c))。
ア、過酸化水素等から選択される少なくとも一種を含む
溶液中にシリカ系、セリア系、アルミナ系の砥粒を分散
させた所謂スラリーを用いるとよい。
及び接合部7が同一平面を呈するように平坦化された大
面積ファイバープレート2が得られる(図33
(d))。
ェルト900を取り付ける。そして、研磨円板600を
回転させながら大面積ファイバープレート2の側面に押
し付けると共に、研磨ステージ800を図面の表方向か
ら裏方向に向けて移動させる(図33(e))。
側面を研磨する。つぎに、例えば研磨した面をスプレー
ノズル55から供給された洗浄液56でスピン洗浄して
から、研磨ステージ800を高速回転させることによっ
て、各ファイバープレート2A及び接合部7を乾燥させ
る。
することによって、両導光面が研磨された大面積ファイ
バープレートが得られる。
施形態による放射線撮像装置の上面図である。
0枚の長方形(例えば60mm×150mm)の個別フ
ァイバープレート2Aを2列5行に並べて作製された大
面積ファイバープレートと、28枚の長方形(例えば2
0mm×143mm)の撮像素子チップ1Aを2列14
行に並べて作製された大面積撮像素子と、を具備する。
子とを、図34の左右の個別ファイバープレート2Aの
接合部7が、左右の撮像素子チップ1Aの間隙上に位置
するように、組み立てている。
ート2Aの接合部7と上下の撮像素子チップ1Aの間隙
とは、特に重なっていない。必要に応じて、少なくとも
上下に隣接する個別ファイバープレート2Aの接合部7
の幅(繋ぎ目線幅)を、撮像素子チップ1Aの画素の幅
より小さくすることも好ましいものである。
の行又は列の少なくともいずれか一方を2とすれば、全
ての撮像素子チップ1Aの外部接続端子をチップ間では
なく、自由端(大面積撮像素子の四辺のいずれか)に配
置することも可能である。そうすると、隣接する撮像素
子チップの間隔を更に狭められる。
バープレート2Aを接着材などによって接合して大判化
し、さらに、大判化したファイバープレートに複数の額
縁を有しない撮像素子を搭載するベース基板を貼付け、
波長変換体と組み合わせた装置によれば、以下の効果が
期待できる。
きる。
作できる。
しないので光の利用効率が高い。
る。
要がない。
容易である。
長ムラが生じやすい波長変換体を良好に成長させること
ができるので、得られる画像にもそれによる不均一性の
少ない良好な画質が得られる。
能で画像品位に優れ、且つ、薄型で信頼性の高い大面積
入力範囲を有するX線撮像装置を提供することができ
る。しかも安価となる。
線撮像システムの形態は、上述した各実施形態の撮像装
置を用いたシステムである。
査システムの構成を示す概念図である。
像装置1000と、例えば電気機器に組み込まれる非破
壊検査対象物である被写体2000と、被写体2000
にX線を照射する放射線源としてのマイクロフォーカス
X線発生器3000と、X線撮像装置1000から出力
される信号を処理する画像処理装置6000と、画像処
理装置6000によって処理された画像を表示する表示
手段としてのモニタ4000と、画像処理装置6000
及びモニタ4000を操作するコントローラ5000と
を示している。
クロフォーカスX線発生器3000によって発生された
X線を、非破壊検査を行いたい被写体2000に照射す
ると、被写体2000の内部における破壊の有無の情報
が、X線撮像装置1000を通じて、画像処理装置60
00に出力される。画像処理装置6000では、出力さ
れた信号を、前述している各撮像素子1の周辺画素間の
画像信号を処理し、必要に応じて、暗信号補正などをも
施して、モニタ4000に画像として表示する。
コントローラ5000によって指示を入力することで、
例えば拡大又は縮小したり、濃淡の制御等を行うことが
できる。こうして、モニタ4000に表示された画像を
通じて、被写体2000の内部における破壊の有無を検
査する。そして、被写体2000に破壊が発見されなけ
れば、それを良品とみなして電気機器に組み込む。一
方、被写体2000に破壊が発見されれば、それを不良
品とみなして製造工程から除外する。
撮像装置を備えたX線診断システムの構成を示す概念図
である。
たベッドと、被写体2000にX線を照射するための放
射線源としてのX線発生装置7000と、X線撮像装置
1000から出力される画像信号の処理及びX線発生装
置7000からのX線の照射時期等を制御するイメージ
プロセッサー8000と、イメージプロセッサー800
0によって処理された画像信号を表示する表示手段とし
てのモニタ4000とを示している。なお、図36にお
いて、図35で示した部分と同様の部分には、同一の符
号を付している。
生装置7000は、イメージプロセッサー8000から
の指示に基づいてX線を発生させ、このX線をベッド上
の被写体2000に照射すると、被写体2000のレン
トゲン情報がX線撮像装置1000を通じてイメージプ
ロセッサー8000に出力される。イメージプロセッサ
ー8000では、出力された信号を、前述している各撮
像素子1の周辺画素間の画像信号を処理したり、ダーク
補正などを施して、図示しないメモリに格納したり、モ
ニタ4000に画像として表示する。
イメージプロセッサー8000によって指示を入力する
ことで、例えば拡大又は縮小したり、濃淡の制御等を行
うことができる。こうして、モニタ4000に表示され
た画像を通じて、医師が被写体2000を診察する。
のレントゲン情報は、本システムの記録手段を設けて、
ディスク状の記録媒体などに記録するようにしてもよ
い。
小型で低コスト、且つ製造工程での作業性に優れた大面
積のファイバープレート、放射線撮像装置及び放射線撮
像システムを提供することができる。
図である。
ための模式図である。
的断面図である。
ある。
図である。
ための模式図である。
る。
ある。
めの模式図である。
の一例を説明するための模式図である。
の、別の例を説明するための模式図である。
トの構成を説明するための模式図である。
製造方法を説明するための模式図である。
ートの模式的断面図である。
製造方法を説明するための模式図である。
プレートの模式的断面図である。
製造方法を説明するための模式図である。
模式的平面図である。
である。
置の模式的平面図である。
である。
模式的平面図である。
置の模式的平面図である。
である。
置の模式的断面図である。
置の模式的断面図である。
置の模式的断面図である。
置の模式的断面図である。
バープレートの接合部との関係を説明するための模式的
断面図である。
置の模式的断面図である。
製造方法を説明するための模式図である。
の製造方法を説明するための模式図である。
トの製造方法を説明するための模式図である。
の模式的平面図である。
ステムの構成を示す模式図である。
テムの構成を示す模式図である。
像装置の模式的断面図である。
た撮像装置の模式的断面図である。
Claims (54)
- 【請求項1】 厚さの等しい複数の個別ファイバープレ
ートが、一つの前記個別ファイバープレートの導光面よ
り面積の大きな導光面を提供するように、隣接配置され
たファイバープレートにおいて、 前記複数の個別ファイバープレートは、それぞれ、互い
に平行な軸を有する光ファイバーの集合体からなり、 前記複数の個別ファイバープレートの側面同士が、それ
ぞれの前記光ファイバーの軸が平行になるように、接合
されていることを特徴とするファイバープレート。 - 【請求項2】 請求項1記載のファイバープレートにお
いて、 前記光ファイバーの軸が前記導光面の法線に平行或いは
傾いていることを特徴とするファイバープレート。 - 【請求項3】 請求項1記載のファイバープレートにお
いて、 前記導光面又は前記側面のうち少なくともいずれか一方
は研磨された面であることを特徴とするファイバープレ
ート。 - 【請求項4】 請求項1記載のファイバープレートにお
いて、 接着材、又は金属のうち少なくともいずれか一方によ
り、前記側面同士が接合されていることを特徴とするフ
ァイバープレート。 - 【請求項5】 請求項1記載のファイバープレートにお
いて、 前記接合部は放射線遮蔽性接合部であることを特徴とす
るファイバープレート。 - 【請求項6】 請求項1記載のファイバープレートにお
いて、 前記側面は、前記導光面の法線に対して交差する面を有
することを特徴とするファイバープレート。 - 【請求項7】 厚さの等しい複数の個別ファイバープレ
ートが、一つの前記個別ファイバープレートの導光面よ
り面積の大きな導光面を提供するように、隣接配置され
たファイバープレートにおいて、 前記複数の個別ファイバープレートは、それぞれ、前記
導光面の法線に対して平行な軸を有する光ファイバーの
集合体からなり、 前記複数の個別ファイバープレートの側面同士が、それ
ぞれの前記光ファイバーの軸が平行になるように、接合
されており、 前記ファイバープレートの前記導光面となる表面と裏面
の面積が等しいことを特徴とするファイバープレート。 - 【請求項8】 請求項7記載のファイバープレートにお
いて、 前記複数の個別ファイバープレートの互いに平行な側面
同士が接合されていることを特徴とするファイバープレ
ート。 - 【請求項9】 請求項7記載のファイバープレートにお
いて、 前記導光面は研磨された面であることを特徴とするファ
イバープレート。 - 【請求項10】 請求項7記載のファイバープレートに
おいて、 前記側面は研磨された面であることを特徴とするファイ
バープレート。 - 【請求項11】 請求項7記載のファイバープレートに
おいて、 接着材、又は金属のうち少なくともいずれか一方によ
り、前記側面同士が接合されていることを特徴とするフ
ァイバープレート。 - 【請求項12】 請求項7記載のファイバープレートに
おいて、 前記接合部は放射線遮蔽性接合部であることを特徴とす
るファイバープレート。 - 【請求項13】 請求項7記載のファイバープレートに
おいて、 前記複数の個別ファイバープレートの接合される側面
は、前記導光面の法線に対して交差する面を有すること
を特徴とするファイバープレート。 - 【請求項14】 放射線を光に変換する波長変換体と、
光を電気信号に変換する光電変換素子と、前記波長変換
体と前記光電変換素子との間に設けられたファイバープ
レートとを備えた放射線撮像装置において、 前記ファイバープレートは、 厚さの等しい複数の個別ファイバープレートが一つの前
記個別ファイバープレートの導光面より面積の大きな導
光面を提供するように隣接配置され、前記複数の個別フ
ァイバープレートはそれぞれ互いに平行な軸を有する光
ファイバーの集合体からなり、前記複数の個別ファイバ
ープレートの側面同士がそれぞれの前記光ファイバーの
軸が平行になるように接合されているファイバープレー
トであることを特徴とする放射線撮像装置。 - 【請求項15】 請求項14記載の放射線撮像装置にお
いて、 前記光ファイバーの軸が前記導光面の法線に平行或いは
傾いていることを特徴とする放射線撮像装置。 - 【請求項16】 請求項14記載の放射線撮像装置にお
いて、 前記導光面又は前記側面のうち少なくともいずれか一方
は研磨された面であることを特徴とするファイバープレ
ート。 - 【請求項17】 請求項14記載の放射線撮像装置にお
いて、 接着材、又は金属のうち少なくともいずれか一方によ
り、前記側面同士が接合されていることを特徴とする放
射線撮像装置。 - 【請求項18】 請求項14記載の放射線撮像装置にお
いて、 前記接合部は放射線遮蔽性接合部であることを特徴とす
る放射線撮像装置。 - 【請求項19】 請求項14記載の放射線撮像装置にお
いて、 前記側面は、前記導光面の法線に対して交差する面を有
することを特徴とする放射線撮像装置。 - 【請求項20】 請求項14記載の放射線撮像装置にお
いて、 隣接する前記個別ファイバープレート同士の間隙の幅
は、前記光電変換素子の画素の幅より小さいことを特徴
とする放射線撮像装置。 - 【請求項21】 請求項14記載の放射線撮像装置にお
いて、 前記光電変換素子は、互いに異なる受光面積を有する複
数の画素を有しており、 隣接する前記個別ファイバープレート同士の間隙の幅
は、前記光電変換素子の最小受光面積を有する画素の幅
より小さいことを特徴とする放射線撮像装置。 - 【請求項22】 請求項14記載の放射線撮像装置にお
いて、 隣接する前記個別ファイバープレート同士の間隙が、前
記光電変換素子を構成するチップの間隙上に位置してい
ることを特徴とする放射線撮像装置。 - 【請求項23】 請求項14記載の放射線撮像装置にお
いて、 隣接する前記個別ファイバープレート同士の間隙が、前
記光電変換素子を構成するチップの有効画素領域上に位
置していることを特徴とする放射線撮像装置。 - 【請求項24】 請求項14記載の放射線撮像装置にお
いて、 隣接する前記個別ファイバープレート同士の間隙で形成
される繋ぎ目線が、前記光電変換素子を構成するチップ
の間隙で形成される繋ぎ目線と0°より大きく90°よ
り小さい角度で交差していることを特徴とする放射線撮
像装置。 - 【請求項25】 放射線を光に変換する波長変換体と、
光を電気信号に変換する光電変換素子と、前記波長変換
体と前記光電変換素子との間に設けられたファイバープ
レートとを備えた放射線撮像装置において、 前記ファイバープレートは、 厚さの等しい複数の個別ファイバープレートが、一つの
前記個別ファイバープレートの導光面より面積の大きな
導光面を提供するように、隣接配置され、 前記複数の個別ファイバープレートは、それぞれ、前記
導光面の法線に平行な軸を有する光ファイバーの集合体
からなり、 前記複数の個別ファイバープレートの側面同士が、それ
ぞれの前記光ファイバーの軸が平行になるように、接合
されており、 前記ファイバープレートの前記導光面となる表面と裏面
の面積が等しいファイバープレートであることを特徴と
する放射線撮像装置。 - 【請求項26】 請求項25記載の放射線撮像装置にお
いて、 前記個別ファイバープレートの側面は研磨された面であ
ることを特徴とする放射線撮像装置。 - 【請求項27】 請求項25記載の放射線撮像装置にお
いて、 前記導光面は研磨された面であることを特徴とする放射
線撮像装置。 - 【請求項28】 請求項25記載の放射線撮像装置にお
いて、 接着材、又は金属のうち少なくともいずれか一方によ
り、前記側面同士が接合されていることを特徴とする放
射線撮像装置。 - 【請求項29】 請求項25記載の放射線撮像装置にお
いて、 前記接合部は放射線遮蔽性接合部であることを特徴とす
る放射線撮像装置。 - 【請求項30】 請求項25記載の放射線撮像装置にお
いて、 前記個別ファイバープレートの側面は、前記導光面の法
線に対して交差する面を有することを特徴とする放射線
撮像装置。 - 【請求項31】 請求項25記載の放射線撮像装置にお
いて、 隣接する前記個別ファイバープレート同士の間隙の幅
は、前記光電変換素子の画素の幅より小さいことを特徴
とする放射線撮像装置。 - 【請求項32】 請求項25記載の放射線撮像装置にお
いて、 前記光電変換素子は、互いに異なる受光面積を有する複
数の画素を有しており、 隣接する前記個別ファイバープレート同士の間隙の幅
は、前記光電変換素子の最小受光面積を有する画素の幅
より小さいことを特徴とする放射線撮像装置。 - 【請求項33】 請求項25記載の放射線撮像装置にお
いて、 隣接する前記個別ファイバープレート同士の間隙が、前
記光電変換素子を構成するチップの間隙上に位置してい
ることを特徴とする放射線撮像装置。 - 【請求項34】 請求項25記載の放射線撮像装置にお
いて、 隣接する前記個別ファイバープレート同士の間隙が、前
記光電変換素子を構成するチップの有効画素領域上に位
置していることを特徴とする放射線撮像装置。 - 【請求項35】 請求項25記載の放射線撮像装置にお
いて、 隣接する前記個別ファイバープレート同士の間隙で形成
される繋ぎ目線が、前記光電変換素子を構成するチップ
の間隙で形成される繋ぎ目線と0°より大きく90°よ
り小さい角度で交差していることを特徴とする放射線撮
像装置。 - 【請求項36】 放射線を光に変換する波長変換体と、
光を電気信号に変換する光電変換素子チップと、前記波
長変換体と前記光電変換素子との間に設けられた個別フ
ァイバープレートとを備えた放射線撮像ユニットが複数
配列された放射線撮像装置において、 複数の放射線撮像ユニットの前記個別ファイバープレー
トの側面同士がそれらの光ファイバーの軸が互いに平行
になるように接合されていることを特徴とする放射線撮
像装置。 - 【請求項37】 請求項36記載の放射線撮像装置にお
いて、 前記個別ファイバープレートの側面は研磨された面であ
ることを特徴とする放射線撮像装置。 - 【請求項38】 請求項36記載の放射線撮像装置にお
いて、 前記導光面は研磨された面であることを特徴とする放射
線撮像装置。 - 【請求項39】 請求項36記載の放射線撮像装置にお
いて、 前記放射線撮像ユニットは、前記波長変換体と、前記光
電変換素子チップと、前記個別ファイバープレートと、
がほぼ同じサイズであることを特徴とする放射線撮像装
置。 - 【請求項40】 ファイバープレートの製造方法におい
て、 互いに平行な軸を有する光ファイバーの集合体からな
る、厚さの等しい複数の個別ファイバープレートを、複
数用意する工程、 一つの前記個別ファイバープレートの導光面より面積の
大きな導光面を提供するように、前記複数の個別ファイ
バープレートを隣接配置する工程、 隣接する前記個別ファイバープレートの側面同士を、そ
れぞれの前記光ファイバーの軸が平行になるように、接
合する工程、 を含むことを特徴とするファイバープレートの製造方
法。 - 【請求項41】 請求項40記載のファイバープレート
の製造方法において、 前記複数の個別ファイバープレートのうち少なくとも2
つを接合して個別ファイバープレートの組を形成する工
程、 前記個別ファイバープレートの組を更に複数接合して前
記ファイバープレートを形成する工程、 を含むことを特徴とするファイバープレートの製造方
法。 - 【請求項42】 請求項40記載のファイバープレート
の製造方法において、 前記個別ファイバープレートの組の側面を研磨した後、
複数の前記個別ファイバープレートの組を、該側面が隣
接するように接合することを特徴とするファイバープレ
ートの製造方法。 - 【請求項43】 請求項40記載のファイバープレート
の製造方法において、 隣接する前記個別ファイバープレートの側面同士を、金
属又は接着材を用いて接合することを特徴とするファイ
バープレートの製造方法。 - 【請求項44】 請求項40記載のファイバープレート
の製造方法において、 複数の個別ファイバープレートを接合した後、それらの
表面を研磨することを特徴とするファイバープレートの
製造方法。 - 【請求項45】 ファイバープレートの製造方法におい
て、 導光面の法線と平行な軸を有する光ファイバーの集合体
からなる、厚さの等しい複数の個別ファイバープレート
を、複数用意する工程、 一つの前記個別ファイバープレートの導光面より面積の
大きな導光面を提供するように、前記複数の個別ファイ
バープレートを隣接配置する工程、 隣接する前記個別ファイバープレートの側面同士を、そ
れぞれの前記光ファイバーの軸が平行になるように、接
合する工程、 を含むことを特徴とするファイバープレートの製造方
法。 - 【請求項46】 請求項45記載のファイバープレート
の製造方法において、 前記複数の個別ファイバープレートのうち少なくとも2
つを接合して個別ファイバープレートの組を形成する工
程、 前記個別ファイバープレートの組を更に複数接合して前
記ファイバープレートを形成する工程、 を含むことを特徴とするファイバープレートの製造方
法。 - 【請求項47】 請求項45記載のファイバープレート
の製造方法において、 前記個別ファイバープレートの組の側面を研磨した後、
複数の前記個別ファイバープレートの組を、該側面が隣
接するように接合することを特徴とするファイバープレ
ートの製造方法。 - 【請求項48】 請求項45記載のファイバープレート
の製造方法において、 隣接する前記個別ファイバープレートの側面同士を、金
属又は接着材を用いて接合することを特徴とするファイ
バープレートの製造方法。 - 【請求項49】 請求項41記載のファイバープレート
の製造方法において、 複数の個別ファイバープレートを接合した後、それらの
表面を研磨することを特徴とするファイバープレートの
製造方法。 - 【請求項50】 ファイバープレートの製造方法におい
て、 互いに平行な軸を有する光ファイバーの集合体からな
る、複数の個別ファイバープレートを、複数用意する工
程、 一つの前記個別ファイバープレートの導光面より面積の
大きな導光面を提供するように、前記複数の個別ファイ
バープレートを隣接配置する工程、 隣接する前記個別ファイバープレートの側面同士を接合
した後、それらの表面を研磨することを特徴とするファ
イバープレートの製造方法。 - 【請求項51】 放射線撮像装置の製造方法において、 請求項1又は7に記載のファイバープレートを用意する
工程、 光電変換素子に貼り合せる工程、 を含むことを特徴とする放射線撮像装置の製造方法。 - 【請求項52】 請求項51記載の放射線撮像装置の製
造方法において、 表面が平坦化された前記ファイバープレートと前記光電
変換素子とを貼り合わせた後に、該ファイバープレート
にシート状の波長変換体を貼ることを特徴とする放射線
撮像装置の製造方法。 - 【請求項53】 請求項51記載の放射線撮像装置の製
造方法において、 表面が平坦化された前記ファイバープレートにシート状
の波長変換体を貼り合わせた後に、前記光電変換素子と
を貼り合わせることを特徴とする放射線撮像装置の製造
方法。 - 【請求項54】 請求項14、25、又は36のいずれ
かに記載の放射線撮像装置と、 前記放射線撮像装置からの信号を処理する信号処理手段
と、 前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段
と、 前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段
と、 前記放射線を発生させるための放射線源とを具備するこ
とを特徴とする放射線撮像システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001236572A JP4693297B2 (ja) | 2000-08-10 | 2001-08-03 | 放射線撮像装置および放射線撮像システム |
Applications Claiming Priority (22)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000243184 | 2000-08-10 | ||
JP2000243186 | 2000-08-10 | ||
JP2000243185 | 2000-08-10 | ||
JP2000-243185 | 2000-08-10 | ||
JP2000243180 | 2000-08-10 | ||
JP2000243182 | 2000-08-10 | ||
JP2000243186 | 2000-08-10 | ||
JP2000243185 | 2000-08-10 | ||
JP2000243184 | 2000-08-10 | ||
JP2000-243182 | 2000-08-10 | ||
JP2000243183 | 2000-08-10 | ||
JP2000243183 | 2000-08-10 | ||
JP2000-243180 | 2000-08-10 | ||
JP2000-243186 | 2000-08-10 | ||
JP2000243180 | 2000-08-10 | ||
JP2000243181 | 2000-08-10 | ||
JP2000-243184 | 2000-08-10 | ||
JP2000243182 | 2000-08-10 | ||
JP2000-243181 | 2000-08-10 | ||
JP2000243181 | 2000-08-10 | ||
JP2000-243183 | 2000-08-10 | ||
JP2001236572A JP4693297B2 (ja) | 2000-08-10 | 2001-08-03 | 放射線撮像装置および放射線撮像システム |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002139569A true JP2002139569A (ja) | 2002-05-17 |
JP2002139569A5 JP2002139569A5 (ja) | 2008-09-18 |
JP4693297B2 JP4693297B2 (ja) | 2011-06-01 |
Family
ID=27573710
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
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JP (1) | JP4693297B2 (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005539232A (ja) * | 2002-09-18 | 2005-12-22 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 複数の検出器ユニットを有するx線検出器 |
JP2006513411A (ja) * | 2003-01-06 | 2006-04-20 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | コンピュータ断層撮影のためのシールドエレクトロニクスを有する放射線検出装置 |
CN100407432C (zh) * | 2003-01-08 | 2008-07-30 | 浜松光子学株式会社 | 配线基板以及使用该配线基板的放射线检测器 |
JP2008533484A (ja) * | 2005-03-16 | 2008-08-21 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 画素内処理回路を有するx線検出器 |
JP2011145212A (ja) * | 2010-01-15 | 2011-07-28 | Hitachi Metals Ltd | 放射線検出器およびその製造方法 |
JP2012126990A (ja) * | 2010-12-14 | 2012-07-05 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 薄膜蒸着用マスクフレーム組立体及びその製造方法 |
JP2012154982A (ja) * | 2011-01-24 | 2012-08-16 | Kuraray Co Ltd | 大口径ファイバデバイスの製造方法 |
JP2014153213A (ja) * | 2013-02-08 | 2014-08-25 | Shimadzu Corp | 放射線検出器および放射線検出器の製造方法 |
JP2016156735A (ja) * | 2015-02-25 | 2016-09-01 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、放射線撮像システム、及び中間体の製造方法 |
JP2016176722A (ja) * | 2015-03-18 | 2016-10-06 | キヤノン株式会社 | センサパネル及び放射線撮像システム |
JP2017150868A (ja) * | 2016-02-23 | 2017-08-31 | キヤノン株式会社 | シンチレータプレート、放射線検出器及び放射線計測システム |
JP2022091864A (ja) * | 2018-04-24 | 2022-06-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出器、放射線検出器の製造方法、及び画像処理方法 |
JP2023054687A (ja) * | 2021-10-04 | 2023-04-14 | オー・エイチ・ティー株式会社 | 容量センサ装置及び容量センサ装置の製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08603A (ja) * | 1994-06-24 | 1996-01-09 | Morita Mfg Co Ltd | 医療用x線画像検出装置 |
JPH08215190A (ja) * | 1995-02-09 | 1996-08-27 | Morita Mfg Co Ltd | 画像検出装置および医療用x線撮影装置 |
JPH09153606A (ja) * | 1995-09-05 | 1997-06-10 | Canon Inc | 光電変換装置及びそれを用いた撮像装置 |
JPH09326479A (ja) * | 1996-06-04 | 1997-12-16 | Hamamatsu Photonics Kk | 固体撮像装置 |
JPH1012851A (ja) * | 1996-06-18 | 1998-01-16 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線撮像装置 |
WO2000036436A1 (fr) * | 1998-12-14 | 2000-06-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Element optique et detecteur de rayonnement mettant ce dernier en application |
-
2001
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08603A (ja) * | 1994-06-24 | 1996-01-09 | Morita Mfg Co Ltd | 医療用x線画像検出装置 |
JPH08215190A (ja) * | 1995-02-09 | 1996-08-27 | Morita Mfg Co Ltd | 画像検出装置および医療用x線撮影装置 |
JPH09153606A (ja) * | 1995-09-05 | 1997-06-10 | Canon Inc | 光電変換装置及びそれを用いた撮像装置 |
JPH09326479A (ja) * | 1996-06-04 | 1997-12-16 | Hamamatsu Photonics Kk | 固体撮像装置 |
JPH1012851A (ja) * | 1996-06-18 | 1998-01-16 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線撮像装置 |
WO2000036436A1 (fr) * | 1998-12-14 | 2000-06-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Element optique et detecteur de rayonnement mettant ce dernier en application |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005539232A (ja) * | 2002-09-18 | 2005-12-22 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 複数の検出器ユニットを有するx線検出器 |
JP2006513411A (ja) * | 2003-01-06 | 2006-04-20 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | コンピュータ断層撮影のためのシールドエレクトロニクスを有する放射線検出装置 |
JP4833554B2 (ja) * | 2003-01-06 | 2011-12-07 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 放射線検出器モジュールと該放射線検出器モジュールを用いたコンピュータ断層撮影用スキャナ、および放射線検出方法 |
CN100407432C (zh) * | 2003-01-08 | 2008-07-30 | 浜松光子学株式会社 | 配线基板以及使用该配线基板的放射线检测器 |
JP2008533484A (ja) * | 2005-03-16 | 2008-08-21 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 画素内処理回路を有するx線検出器 |
JP2011145212A (ja) * | 2010-01-15 | 2011-07-28 | Hitachi Metals Ltd | 放射線検出器およびその製造方法 |
JP2012126990A (ja) * | 2010-12-14 | 2012-07-05 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 薄膜蒸着用マスクフレーム組立体及びその製造方法 |
JP2012154982A (ja) * | 2011-01-24 | 2012-08-16 | Kuraray Co Ltd | 大口径ファイバデバイスの製造方法 |
JP2014153213A (ja) * | 2013-02-08 | 2014-08-25 | Shimadzu Corp | 放射線検出器および放射線検出器の製造方法 |
JP2016156735A (ja) * | 2015-02-25 | 2016-09-01 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、放射線撮像システム、及び中間体の製造方法 |
JP2016176722A (ja) * | 2015-03-18 | 2016-10-06 | キヤノン株式会社 | センサパネル及び放射線撮像システム |
JP2017150868A (ja) * | 2016-02-23 | 2017-08-31 | キヤノン株式会社 | シンチレータプレート、放射線検出器及び放射線計測システム |
US10725186B2 (en) | 2016-02-23 | 2020-07-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Scintillator plate, radiation detector, and radiation measurement system |
JP2022091864A (ja) * | 2018-04-24 | 2022-06-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出器、放射線検出器の製造方法、及び画像処理方法 |
JP7206431B2 (ja) | 2018-04-24 | 2023-01-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出器、放射線検出器の製造方法、及び画像処理方法 |
JP2023054687A (ja) * | 2021-10-04 | 2023-04-14 | オー・エイチ・ティー株式会社 | 容量センサ装置及び容量センサ装置の製造方法 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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