CN103370637A - 辐射检测设备和辐射检测系统 - Google Patents

Abstract

一种辐射检测设备，包括：传感器面板，传感器面板包括传感器阵列，该传感器阵列包括二维排列的光电转换元件。闪烁体层被布置在传感器面板上。闪烁体保护构件在使闪烁体层的第一侧表面暴露的情况下覆盖闪烁体层。壳体包围闪烁体层和传感器面板。该壳体包括密封部分，第一侧表面和传感器面板的与第一侧表面相邻的侧表面通过树脂接合到密封部分。

Description

辐射检测设备和辐射检测系统

技术领域

本发明涉及一种在医学诊断设备、非破坏性检查设备等中使用的辐射检测设备和辐射检测系统。

背景技术

在一些辐射成像设备中，辐射检测器被包含在框架内以缩短从框架的外侧表面到辐射检测器的距离。日本专利公开No.2003-248093和No.2006-058171公开了用于缩短从检测器到该侧表面的距离的布置。

发明内容

本发明提供一种用于缩短辐射检测设备中从光电转换元件到壳体的外侧表面的距离的技术，在该辐射检测设备中，传感器面板包括光电转换元件。

本发明的第一方面提供一种辐射检测设备，包括：传感器面板，传感器面板包括传感器阵列，该传感器阵列包括二维排列的光电转换元件；闪烁体层，被布置在传感器面板上；闪烁体保护构件，在使闪烁体层的第一侧表面暴露的情况下覆盖闪烁体层；以及壳体，包围闪烁体层和传感器面板，其中该壳体包括密封部分，第一侧表面和传感器面板的与第一侧表面相邻的侧表面通过树脂接合到密封部分。

本发明的第二方面提供一种辐射检测系统，包括：辐射源，其将辐射发射到要检查的被检体；上面描述的辐射检测设备，其检测透过了要检查的被检体的辐射；信号处理装置，用于对由辐射检测设备检测到的信号执行图像处理；以及显示装置，用于显示经过由所述信号处理装置进行的图像处理的信号。

根据下面（参考附图）对示例性实施例的描述，本发明的更多特征将变得清楚。

附图说明

图1是示出根据本发明实施例的辐射检测设备的平面图；

图2是示出根据本发明实施例的辐射检测设备的截面图；

图3是示出根据本发明另一个实施例的辐射检测设备的平面图；

图4是示出根据本发明另一个实施例的辐射检测设备的截面图；

图5是示出根据本发明再一个实施例的辐射检测设备的截面图；以及

图6是示出根据本发明再一个实施例的辐射检测系统的结构的概念图。

具体实施方式

本发明涉及一种在医学诊断设备、非破坏性检查设备等中使用的辐射检测设备和辐射检测系统。在本说明书中，除了X射线之外，辐射还包括：诸如α射线、β射线以及γ射线之类的电磁波。

下面将参照附图来示例性说明本发明的实施例。

图1和图2是示出根据本发明实施例的辐射检测设备的视图。传感器面板101包括布线线路（未示出）和传感器阵列201，在传感器阵列201中，光电转换元件（未示出）和薄膜场效应晶体管（TFT，未示出）被二维地布置在由玻璃、耐热塑料等制成的绝缘基板上。布线线路例如包括：用于经由TFT读出由光电转换元件进行了光电转换的信号的信号线路的一部分、用于对光电转换元件施加偏压Vs的布线线路，或者用于驱动TFT的布线线路。由光电转换元件进行了光电转换的信号被TFT读出，并被经由信号线路输出到外部信号处理电路。沿着行方向排列的各TFT的栅极被连接到用于驱动每一行的TFT的布线线路，并且TFT驱动电路从每一行选择TFT。

柔性布线板等的每一外部布线线路104被经由焊料、各向异性导电胶膜（ACF）等电连接到连接端子202。电路107被经由外部布线线路104连接到传感器面板101。电路107和外部布线线路104形成外围电路。

光电转换元件将由闪烁体层103根据辐射转换出的光转换为电荷。光电转换元件可以使用诸如非晶硅之类的材料。对光电转换元件的结构没有特别的限制，可以适当地使用MIS传感器、PIN传感器、TFT传感器等。

优选地在传感器面板101上形成保护层，以保护光电转换元件。保护层的材料的例子是SiN、TiO₂、LiF、Al₂O₃以及MgO。其它例子是聚苯硫醚树脂、氟树脂、聚醚醚酮树脂、液晶聚合物以及聚醚腈树脂。还有其它例子是聚砜树脂、聚醚砜树脂、多芳基化合物树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚醚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、环氧树脂以及硅树脂。特别地，因为在辐射照射时由闪烁体层103转换出的光通过保护层，所以期望保护层由在闪烁体层103辐射的光的波长具有高透射率的材料制成。

可以形成闪烁体层的衬里层（undercoat layer），以在闪烁体层的形成中保护传感器面板。闪烁体层的衬里层使用耐受闪烁体层形成步骤中的热工艺（例如，对具有柱状晶体结构的闪烁体层是200℃或更高）的材料。衬里层的材料的例子是聚酰胺酰亚胺树脂、聚醚酰亚胺树脂、聚酰亚胺树脂、环氧树脂以及硅树脂。

闪烁体保护构件102覆盖闪烁体层103的上表面。闪烁体保护构件102被形成为在接收到辐射时高效地将由闪烁体层103发出的光收集到传感器面板101。此外，闪烁体保护构件102被形成为保护闪烁体层103免受外部环境的影响，尤其是与湿气分离。闪烁体层103由例如多个柱状晶体形成。

闪烁体层103将辐射转换为可以由布置在传感器阵列201中的光电转换元件感测的光。因为在闪烁体层中生成的光以最小的散射经由柱状晶体传播，所以具有柱状晶体的闪烁体层可以增大分辨率。作为形成柱状晶体的闪烁体层103的材料，优选使用主要含有碱卤化物的材料。例如，使用CsI和Tl、CsI和Na、CsBr和Tl、NaI和Tl、LiI和Eu以及K和Tl中的至少一对。当采用CsI和Tl时，可以同时沉积CsI和Tl来形成闪烁体层103。

在本发明中，闪烁体保护构件102和密封部分105密封闪烁体层103。从光电转换元件的端部到被包括为壳的一部分的密封部分105的外侧表面的距离优选是5mm或更小，尤其优选为2mm或更小。

闪烁体保护构件102具有防止外部空气中的湿气进入闪烁体层103的防潮性，以及防止震动损坏的震动吸收功能。此外，闪烁体保护构件102具有增加光利用效率的功能，这是如下实现的：通过利用闪烁体反射层118反射由闪烁体层103转换并发射的光中沿与传感器阵列201相反的方向行进的光，并将该光引导到布置在传感器阵列201中的光电转换元件。根据实施例的闪烁体保护构件102在暴露闪烁体层103的侧表面中用作密封部分105侧的侧表面的侧表面（下面称为第一侧表面）的同时，覆盖闪烁体层103。在图1和图2中所示的形式中，闪烁体保护构件102包括闪烁体保护层117和闪烁体反射层118。闪烁体保护构件102覆盖闪烁体层103的除第一侧表面之外的侧表面和与传感器面板101侧的表面（下表面）相面对的表面（上表面）。相反，在图3和图4中所示的形式中，闪烁体保护构件由闪烁体保护层401构成，并覆盖闪烁体层103的除第一侧表面之外的侧表面和与基座301侧的表面（上表面）相面对的表面（下表面）。

密封部分105用于密封闪烁体层103，并作为壳106的一部分，因此密封部分105优选地用具有密封属性、防潮性以及令人满意的强度的材料制成。材料的例子是诸如聚酰亚胺树脂、聚醚醚酮树脂（PEEK）或碳纤维增强塑料（CFRP）之类的树脂材料，或者在不发生闪烁体层103或外部环境的劣化的情况下是金属材料。应注意：密封部分105中的连接到闪烁体层103的部分优选经过吸收由闪烁体层103发出的光的处理，例如，使用吸收发射的光的材料（非反射材料）或漆成黑色。通过使用这种材料或处理，可以预期抑制传感器面板的侧表面的反射，并维持传感器端部处的分辨率。在根据本发明的密封部分处，闪烁体层103的第一侧表面和传感器面板101的侧表面中与闪烁体层103的第一侧表面相邻的传感器面板101的侧表面通过密封树脂203接合。该结构可以在不使用闪烁体保护构件的情况下密封闪烁体层103的第一侧表面。另外，该结构可以缩短密封部分105的形成壳106的外侧到传感器阵列201的端部的距离。该结构可以被优选地使用作为引入到用于乳房x射线照相术的检查设备中的盒式辐射检测设备。

与闪烁体保护构件102和密封部分105类似，密封树脂203具有防止湿气进入闪烁体层103的防潮性。密封树脂203具有将传感器面板101、闪烁体层103的第一侧表面、以及传感器面板101的侧表面中与闪烁体层103的第一侧表面相邻的传感器面板101的侧表面接合到密封部分105的功能。密封树脂203优选是具有高抗潮性的材料，或具有低透水性的材料。优选的例子是树脂材料，诸如基于环氧的树脂或基于丙烯酸的树脂。也可以使用基于硅的树脂、基于聚酯的树脂、基于聚烯烃的树脂以及基于聚酰胺的树脂。

将分别说明闪烁体保护层117和闪烁体反射层118。当具有柱状晶体结构的闪烁体被用作闪烁体层103时，闪烁体保护层117的厚度优选是20μm到200μm。如果厚度小于20μm，则闪烁体保护层117可能不完全覆盖闪烁体层103的表面粗糙和斑点缺陷，且抗潮性可能劣化。如果厚度大于200μm，则由闪烁体层103生成的光和由闪烁体反射层118反射的光可能在闪烁体保护层内更多发散。结果，所获得图像的分辨率和MTF（调制传递函数）可能降低。闪烁体保护层117的材料的例子是一般的有机密封材料（例如，硅酮树脂、丙烯酸树脂和环氧树脂）和热熔树脂（例如，基于聚酯的树脂、基于聚烯烃的树脂和基于聚酰胺的树脂）。特别地，期望是具有低透水性的树脂。作为闪烁体保护层117，优选使用通过CVD形成的聚对亚苯基二亚甲基（polyparaxylylene）有机膜。下面描述的热熔树脂也优选用于闪烁体保护层117。

热熔树脂随着树脂温度上升而熔化，随着树脂温度下降而变硬。热熔树脂在加热熔融状态下呈现到其它有机和无机材料的粘附性，而在室温时变为固体并且不呈现粘附性。热熔树脂不包含极性溶剂、溶剂或水，并且即使接触闪烁体层103也不使闪烁体层103（例如，具有碱卤化物柱状晶体结构的闪烁体层）溶解。因此，将热熔树脂用作闪烁体保护层117。热熔树脂与通过使用溶解有热塑性树脂的溶剂的溶剂涂覆方法制备的挥发固化粘合剂不同。热熔树脂还与通过化学反应制备的化学反应粘合剂（以环氧树脂为代表）不同。热熔树脂材料根据用作主要成分的基体聚合物（基体材料）的类型来进行分类，并可以使用基于聚烯烃的材料、基于聚酯的材料以及基于聚酰胺的材料等。对于闪烁体保护层117，高抗潮性以及透射由闪烁体生成的可见光的高透光度是重要的。

满足闪烁体保护层117的所要求的抗潮性的热熔树脂优选是基于聚烯烃的树脂和基于聚酯的树脂。优选使用具有低吸湿性的聚烯烃树脂。作为具有高透光度的树脂，基于聚烯烃的树脂是优选的。据此，对于闪烁体保护层117，包含基于聚烯烃的树脂的热熔树脂是更优选的。聚烯烃树脂的例子是：乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、以及乙烯-甲基丙烯酸共聚物。其它例子是乙烯甲基丙烯酸酯共聚物和离子键树脂。优选选择从这些聚烯烃树脂中选择的至少一个材料并将其包含为主要成分。

主要包含乙烯-醋酸乙烯酯共聚物的热熔树脂是Hirodine7544（可以从Hirodine Kogyo获得）。主要包含乙烯-丙烯酸酯共聚物的热熔树脂是O-4121（可以从Kurabo Industries获得）。主要包含乙烯-甲基丙烯酸酯共聚物的热熔树脂是W-4110（可以从KuraboIndustries获得）。主要包含乙烯-丙烯酸酯共聚物的热熔树脂是H-2500（可以从Kurabo Industries获得）。主要包含乙烯-丙烯酸共聚物的热熔树脂是P-2200（可以从Kurabo Industries获得）。主要包含乙烯-丙烯酸酯共聚物的热熔树脂可以是Z-2（可以从Kurabo Industries获得）。

闪烁体反射层118具有通过反射由闪烁体层103转换和发射的光中沿与传感器阵列201相反的方向行进的光并且将该光引导到布置在传感器阵列201中的光电转换元件，来增大光使用效率的功能。闪烁体反射层118还具有防止由闪烁体层103生成的光之外的外部光进入到传感器阵列201，并防止噪声进入到光电转换元件的功能。

闪烁体反射层118优选使用金属箔或金属薄膜，且其厚度优选是1至100μm。如果该厚度小于1μm，则在形成中容易产生针孔缺陷，且光遮蔽属性变差。如果厚度超过100μm，则辐射吸收变大，这可能增加对象暴露于辐射的剂量。此外，可能变得难以无间隙地覆盖传感器面板表面和闪烁体层103之间的阶梯。闪烁体反射层118的材料可以是诸如铝、金、铜或铝合金之类的金属材料。特别地，作为高反射率材料，铝和金是优选的。

[示例1]

将描述根据本发明示例1的辐射检测装置。

准备图1和图2中所示的传感器面板101。例如，如下形成传感器面板101。首先，在由玻璃等制成的绝缘基板上形成非晶硅半导体薄膜，并且在该膜上形成布线线路以及包括多个光电转换元件和多个TFT的传感器阵列201。然后，将氮化硅传感器保护层和聚酰亚胺树脂涂敷并固化在形成有光电转换元件的传感器面板的表面上，从而形成闪烁体衬里层。

在闪烁体衬里层经受提高粘合力的处理之后，形成由例如具有柱状晶体结构的碱卤化物荧光体（例如，CsITl（掺铊碘化铯））制成的闪烁体层103。这时，闪烁体层103在形成区域中被形成为具有0.2mm的平均膜厚度。闪烁体层103例如通过真空蒸发形成，并且形成位置被限制为覆盖整个传感器阵列201，并且不在要在后续步骤中形成闪烁体保护构件102和外部布线线路104的部分形成闪烁体层103。使用扫描电子显微镜（SEM）观察以这种方式形成的闪烁体层103的微结构，以查明多个柱状晶体被形成并且在各柱状晶体之间存在间隙。

之后，形成闪烁体保护构件102以覆盖闪烁体层103。如下形成闪烁体保护构件102。预先在PET（聚对苯二甲酸乙二醇酯）薄板上形成作为反射层的铝膜。由聚烯烃树脂制成的热熔树脂的闪烁体保护层被使用加热辊转印并粘附到由铝膜覆盖的膜片的反射层表面，从而获得三层的膜片。将三层的膜片布置为在三层的膜片的外围与传感器面板101的上表面交叠的同时覆盖传感器面板上的闪烁体层103。通过真空层压处理对所得的结构进行加热和挤压，从而熔接闪烁体保护构件。因此将用作闪烁体保护构件102的三层的膜片布置并固定在闪烁体层103上。这时，闪烁体层103被用作闪烁体保护构件102的三层的膜片以及传感器面板101覆盖。此外，闪烁体保护构件102的未形成有闪烁体层103的外围部分由条形热压接合头压接，从而提高了闪烁体保护构件102的密封性能。例如，在1kg/cm²至10kg/cm²的压力和比热熔树脂的熔化开始温度高10℃至50℃的温度下执行1至60秒的热压接合处理。

使用诸如金刚石锯之类的切割工具切割传感器面板101的形成有闪烁体层103和闪烁体保护构件102的、要接合到密封部分105的一侧。闪烁体层103在切割之后暴露的部分被限定为第一侧表面108。闪烁体保护构件102保护闪烁体层103的其余侧表面109、110和111。密封树脂203把密封部分105与闪烁体层的第一侧表面108和作为传感器面板101的侧表面之一的与第一侧表面108相邻且平行的第二侧表面112接合，从而保护闪烁体层103的暴露部分。当从传感器面板上方观看（图2中从顶到底）时，密封部分105和密封树脂203密封直到图2中的虚线B的部分，如图2所示。虚线C指示光电转换元件的端部。传感器面板101的切割位置和密封部分105的形状可以被设计为把被密封的部分设置在被密封的部分不与形成在传感器面板101上的传感器阵列201交叠的位置。即，从图2中壳体的外侧表面到密封部分105和密封树脂203的端部B的距离b、以及从该壳体的外侧表面到传感器阵列201的端部C的距离c可以被设计为具有b<c的关系。

其后，电部件被安装在连接到密封部分105的传感器面板101上。外部布线线路104和安装部件被连接到用作传感器面板的信号输入/输出部分的连接端子202。最终，壳体106被布置为保护传感器面板101。壳体106可以被形成为包围闪烁体层和传感器面板的外围，特别具有用于放置密封部分105的开口，并在闪烁体层的上表面和壳体之间形成空间。通过将密封部分105放置在开口中，密封部分105可以被用作壳体106的一部分。密封部分105和壳体106用粘合剂接合。通过这些步骤，制造了根据本发明的辐射检测设备。

在示例1中，从把密封部分105作为一部分的壳体106的外侧表面到传感器面板101上的传感器阵列201的端部的距离是1.5mm。该辐射检测设备能够被用作被引入到用于乳房x射线照相术的检查设备中的盒式辐射检测设备。

[示例2]

示例2将举例说明在闪烁体层和闪烁体保护构件被形成直到面板端部之后，用与示例1中的方法相同的方法来制造辐射检测设备，而不对传感器面板进行（在示例1中执行的）切割。

当将闪烁体层沉积在形成有保护层的传感器面板101上时，图2中A’侧的闪烁体层被形成到传感器面板在A’侧的侧表面的端部。在将掩模设置在不需要进行沉积的部分之后沉积闪烁体层。示例2足以在不在传感器面板的侧表面的用作密封部分侧的那一侧的表面上设置掩模的情况下执行沉积。然后，形成闪烁体保护构件102。这时，闪烁体保护构件102被形成为使得在不用闪烁体保护构件覆盖侧表面的一侧上的闪烁体层的情况下，最终暴露闪烁体层的第一侧表面108。

其后，利用与示例1中相同的方法来接合密封部分105，从而密封暴露出闪烁体层103的第一侧表面108。在这一点上，为了防止由于潮湿引起的劣化，优选在低湿度环境中执行从闪烁体层103的形成处理到密封部分105的接合处理的这些处理，并且从闪烁体层103的形成处理到密封部分105的接合处理所需的时间应该保持在180分钟内。

与示例1中的设备类似，示例2中制造的辐射检测设备可以将从壳体在密封部分105侧的外侧表面到传感器阵列201的端部的距离缩短为1.5mm。因为抑制了闪烁体层端部的劣化，所以可以获得高分辨率的检查图像。

[示例3]

示例3将举例说明由这样的方法制造的辐射检测设备：将闪烁体层103形成在图3和图4中所示的用于支撑闪烁体层的一个表面的闪烁体形成基座301上，并且然后将闪烁体层103和基座301安装在传感器面板101上。

首先，通过与示例1的方法相同的方法来制备形成有闪烁体保护构件的传感器面板101。然后，如图3和图4所示，制备用于形成闪烁体的基座301。铝板被用作基座301，且基座301还用作图2中的闪烁体反射层118。保护层（未示出）被形成在基座301上。基座301用作闪烁体保护层。

通过与示例1的方法相同的方法在基座301的一个表面上形成闪烁体层103，从而制造闪烁体面板。此时，类似于示例1，掩模被用来仅在需要的区域中形成闪烁体层103。之后，闪烁体保护层401被形成在闪烁体层103与基座301侧的表面相反的表面上，以及闪烁体层103的侧表面上。对于闪烁体保护层401来说，可以使用20μm厚的热熔树脂。

在形成闪烁体面板之后，闪烁体层103的、与闪烁体层130的由形成基座301支撑的表面404相反的表面403被粘合到传感器面板101。对于粘合，可以使用诸如丙烯酸粘合剂之类的粘合层402。粘合层402的厚度优选是25μm。在粘合之后，执行排气处理，并去除闪烁体面板和传感器面板之间存在的气泡。

接下来，切割作为闪烁体面板的要被接合到密封部分105的侧的第一侧表面108侧，并切割与所述第一侧表面108相邻并平行的第二侧表面112侧，所述第二侧表面112是通过粘合层402附着到闪烁体面板的传感器面板101的侧面之一。例如使用诸如金刚石锯之类的切割工具执行切割。利用密封部分105和密封树脂203来密封切割之后的侧表面。

之后，用与示例1的方法相同的方法来制造辐射检测设备。

[示例4]

示例4将举例说明通过这样的方式制造的辐射检测设备：利用与示例3的方法相同的方法在闪烁体形成基座上形成闪烁体，然后在不执行切割步骤的情况下接合密封部分。首先，利用与示例3的方法相同的方法在闪烁体形成基座301上形成闪烁体层103。在这种情况下，闪烁体层被形成到基座301的用作稍后被接合到密封部分105的侧表面的端部，并且，限制闪烁体层的形成以使得稍后在安装时可以将部件安装在其余的三侧上。

然后，闪烁体保护层401被形成在闪烁体层103上。类似于示例3，热熔树脂被用于闪烁体保护层401。这时，闪烁体保护层401在暴露闪烁体层103的第一侧表面108的情况下覆盖闪烁体层103。之后，通过与示例3的各步骤相同的步骤制造如图4中所示的辐射检测设备。

[示例5]

示例5将举例说明密封部分105、闪烁体层103和传感器面板101被更强地接合的结构。

如图2中所示，第一侧表面108和与第一侧表面108相邻并平行的第二侧表面112通过密封树脂203接合到密封部分105，闪烁体层103在第一侧表面108上暴露，所述第二侧表面112是传感器面板101的侧面之一。此外，与闪烁体的第一侧表面108相邻的外表面116和传感器面板101的第二侧表面112被利用树脂接合到密封部分。

[示例6]

示例6将举例说明密封部分501还用作用于支撑传感器面板101的支撑面板的结构，如图5中所示。

通过与示例1的方法相同的方法将闪烁体层103和闪烁体保护构件102形成在传感器面板101上。之后，与上面形成有闪烁体层103传感器面板表面504不同的表面503被通过粘合层502粘合到密封部分501，密封部分501也用作传感器面板101的支撑面板。粘合层502可以用与诸如环氧树脂之类的密封树脂203的材料相同的材料制成，或者用诸如片状粘合材料（粘合片）之类的其它材料制成。

然后，通过与示例1的步骤相同的步骤制造具有图5中所示形状的辐射检测设备。因为在示例6中制造的辐射检测设备中省略了支撑面板形成步骤，所示可以简化制造工艺。

[示例7]

图6举例说明将根据本发明的辐射检测设备到X射线诊断系统的应用。辐射检测设备包括作为向要检查的被检体发射辐射的辐射源的X射线管6050。产生的X射线6060穿过病人或被检体6061的胸6062，并进入辐射检测设备（图像传感器）6040，如图6所示。进入的X射线包含病人或被检体6061的内部信息。闪烁体（闪烁体层）与X射线的进入相对应地发光，并且传感器面板的光电转换元件对光进行光电转换，从而获得电信息。该信息被数字地转换，由用作信号处理装置的图像处理器6070进行图像处理，并可以在用作控制室中的显示装置的显示器6080上进行观察。

该信息可以被诸如电话线6090之类的传输处理装置传输到远程位置，并可以被显示在用作另一个位置的医生房间等中的显示装置的显示器6081上，或者保存在诸如光盘之类的记录装置上，从而允许远程位置的医生进行诊断。该信息还可以通过用作记录装置的影片处理器6100记录在影片6110上。这样，可以构成辐射检测系统。

工业实用性

如上所述，本发明能够应用于医药领域等，并且也高效地应用于诸如非破坏性检查之类的其它目的。

虽然参考示例性实施例描述了本发明，但应该理解本发明不限于所公开的示例性实施例。所附的权利要求的范围要被赋予最宽的解释，以便包含所有这种修改以及等同结构和功能。

本申请要求2011年2月16日提交的日本专利申请2011-031261号的优先权，其全部内容通过引用而包含于此。

Claims (8)

1.一种辐射检测设备，包括：

传感器面板（101），包括传感器阵列（201），所述传感器阵列包括二维排列的光电转换元件；

闪烁体层（103），被布置在所述传感器面板上；

闪烁体保护构件（102），在使所述闪烁体层的第一侧表面（108）暴露的情况下覆盖所述闪烁体层；以及

壳体（106），包围所述闪烁体层和所述传感器面板，

其中，所述壳体（106）包括密封部分（105），所述第一侧表面（108）和所述传感器面板的与所述第一侧表面（108）相邻的第二侧表面（112）通过树脂接合到所述密封部分（105）。

2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述闪烁体保护构件覆盖所述闪烁体层的除所述第一侧表面之外的侧表面和所述闪烁体层的与所述闪烁体层在传感器面板侧的第二表面相面对的第一表面。

3.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述闪烁体保护构件包括用于支撑所述闪烁体层的与所述闪烁体层在传感器面板侧的第二表面相面对的第一表面的基座，并且包括覆盖所述第二表面和所述闪烁体层的除所述第一侧表面之外的侧表面的层，并且所述第二表面被粘合到所述传感器面板。

4.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述闪烁体层和所述传感器面板的与所述第一侧表面和所述第二侧表面相邻的外表面被利用树脂接合到所述密封部分。

5.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，当所述密封部分被连接到所述传感器面板时，从所述传感器面板在所述密封部分侧的端部到所述壳体在所述密封部分侧的外侧表面的距离不大于5mm。

6.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，当所述密封部分被连接到所述传感器面板时，从所述传感器面板在所述密封部分侧的端部到所述壳体在所述密封部分侧的外侧表面的距离不大于2mm。

7.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述闪烁体层具有柱状晶体结构，并且所述柱状晶体结构主要由从以下中选择的至少一对组成：CsI和Tl、CsI和Na、CsBr和Tl、NaI和Tl、LiI和Eu，以及K和Tl。

8.一种辐射检测系统，包括：

辐射源（6050），将辐射发射到要被检查的被检体；

根据权利要求1所述的辐射检测设备（6040），检测已经透过要检查的被检体的辐射；

信号处理装置（6070），用于对由所述辐射检测设备检测到的信号执行图像处理；以及

显示装置（6080、6081），用于显示经过由所述信号处理装置进行的图像处理的信号。

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