CN102621574A - 闪烁体面板、其制造方法和放射线检测设备 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及闪烁体面板、其制造方法和放射线检测设备。一种闪烁体，包括具有第一表面和第二表面的闪烁体层，所述第一表面和第二表面是彼此相对的表面，其中，闪烁体层包含多个柱状部分，每个柱状部分包含用于将放射线转换成光的柱状晶体，并且，各柱状部分的柱状晶体具有从第一表面和第二表面之间的中间部分向着第一表面和第二表面增加的直径。
Description
技术领域
本发明涉及闪烁体面板、其制造方法和放射线检测设备。
背景技术
近年来，在具有多个光电转换器的传感器面板上层叠用于将诸如X射线的放射线转换成诸如可见光的光的闪烁体层的数字放射线检测设备已经在商业上可用。闪烁体材料主要是基于碱金属卤化物(alkalihalide)的材料，所述基于碱金属卤化物的材料以通过在CsI中掺杂Tl而制备的材料和通过在GdOS中掺杂Tb而制备的材料为代表(typify)。特别地，以CsI为代表的基于碱金属卤化物的闪烁体材料可通过气相沉积方法来形成和生长柱状晶体(columnar crystal)。在将放射线转换成可见光时，柱状晶体闪烁体表现出光引导效应，并且有助于提高锐度(sharpness)。
已尝试了各种方法来控制闪烁体的柱状晶体形状并提高锐度。例如，日本专利No.04345460公开了用于通过逐渐增加气相沉积中的柱状晶体形成速度以控制柱状晶体形状来提高锐度的方法。日本专利公开No.2005-337724公开了通过控制气相沉积中的蒸发源的分压(partial pressure)来提高锐度的方法。
为了提高闪烁体的亮度和DQE(检测量子效率，DetectiveQuantum Efficiency)，需要使得闪烁体膜是厚的。一般地，随着具有柱状晶体的闪烁体膜变厚，柱状晶体直径变大。作为增加闪烁体膜厚度的结果，锐度趋于降低。即使在日本专利No.04345460和日本专利公开No.2005-337724中公开的方法中，当为了高的闪烁体亮度和高的DQE而使得闪烁体膜是厚的时，柱状晶体直径也增加并且不能期望得到令人满意的锐度。
发明内容
本发明提供有利于在增加闪烁体膜厚度的同时防止锐度降低的技术。
本发明的第一方面提供一种闪烁体，该闪烁体包括具有第一表面和第二表面的闪烁体层，所述第一表面和第二表面是彼此相对的表面，其中，闪烁体层包含多个柱状部分，每个柱状部分包含用于将放射线转换成光的柱状晶体，并且，各柱状部分的柱状晶体具有从第一表面和第二表面之间的中间部分向着第一表面和第二表面增加的直径。
本发明的第二方面提供一种放射线检测设备，该放射线检测设备包括：作为第一方面被限定的闪烁体；和包含光电转换器的传感器面板，所述光电转换器检测通过闪烁体的闪烁体层被转换的光。
本发明的第三方面提供一种用于制造闪烁体的方法，该方法包括：第一生长步骤，在第一基板上生长多个第一柱状晶体以形成包含所述多个第一柱状晶体的第一闪烁体层；分离步骤，使第一基板与第一闪烁体层分离；以及第二生长步骤，沿与第一生长步骤中的生长所述多个第一柱状晶体的方向相反的方向，从在所述分离步骤之后露出的所述多个第一柱状晶体的部分生长多个第二柱状晶体，由此形成包含所述多个第二柱状晶体的第二闪烁体层。
本发明的第四方面提供一种用于制造闪烁体的方法，该方法包括：生长步骤，从基板的多个突出部分生长柱状晶体，以形成包含所述多个柱状晶体的闪烁体层；以及分离步骤，使所述基板与所述闪烁体层分离。
参照附图阅读示例性实施例的以下描述，本发明的其它特征将变得清晰。
附图说明
图1是示意性地表示根据本发明的优选实施例的闪烁体的闪烁体层中的柱状部分的结构的例子的表；
图2是用于解释根据第一实施例的放射线检测设备的结构的断面图；
图3A～3E是用于解释根据第一实施例的闪烁体和放射线检测设备的制造方法的断面图；
图4A～4E是用于解释根据第二实施例和第三实施例的闪烁体和放射线检测设备的制造方法的断面图；
图5A～5C是用于解释根据第四实施例、第五实施例和第六实施例的放射线检测设备的结构的断面图；
图6A～6C是用于解释根据第四实施例、第五实施例和第六实施例的放射线检测设备的制造方法的断面图；
图7A～7E是用于解释根据第七实施例的闪烁体和放射线检测设备的制造方法的断面图；以及
图8是用于解释放射线成像系统的示图。
具体实施方式
现在将参照附图详细描述本发明的优选实施例。
根据本发明的优选实施例的闪烁体包含具有第一和第二表面的闪烁体层，所述第一表面和第二表面是彼此相对的表面。闪烁体可仅由闪烁体层形成，或者可进一步包含诸如保护膜和/或保护基板的其它要素。闪烁体层包含多个柱状部分，并且，每个柱状部分包含用于将放射线转换成光的柱状晶体。柱状晶体的直径从第一表面和第二表面之间的中间部分向着第一表面和第二表面增加。每个柱状部分的柱状晶体可具有这样的结构：在该结构中，第一柱状晶体和第二柱状晶体被接合，使得第一柱状晶体和第二柱状晶体之间的接合部分位于所述中间部分。每个柱状部分可具有通过粘接剂材料来接合第一柱状晶体和第二柱状晶体的结构、或者直接地(即，其间没有其他材料或部件)接合第一柱状晶体和第二柱状晶体的结构。
图1是示意性地表示根据本发明的优选实施例的闪烁体的闪烁体层中的柱状部分的结构的例子的表。形成闪烁体层的各柱状部分包含用于将放射线转换成光(例如，可见光)的柱状晶体。柱状晶体可通过气相沉积方法在基板上生长。在本说明书中，使用气相沉积方法作为包含化学气相沉积方法的概念。柱状晶体具有生长开始部分和生长结束部分。生长结束部分处的柱状晶体的平均直径比生长开始部分处的柱状晶体的平均直径大。认为当柱状晶体的平均直径大时，光引导效果比当柱状晶体的直径小时获得的光引导效果变差，由此降低锐度。参照图1，结构例1～4中的柱状部分中的每一个包含第一柱状晶体a和第二柱状晶体b。柱状部分的上表面和下表面可分别被视为第一表面和第二表面。
柱状晶体a和b的直径从第一和第二表面之间的中间部分向着第一和第二表面增加。各柱状部分的柱状晶体可具有第一柱状晶体a和第二柱状晶体b被接合使得第一柱状晶体a和第二柱状晶体b之间的接合部分位于该中间部分的结构。在结构例1和2中，柱状晶体包含生长开始部分，并且，在结构例3和4中，生长开始部分被去除。生长开始部分是晶体大大地变化的部分，并且，由于它散射通过柱状晶体传播的光，因此，可降低锐度。结构例3和4对于锐度是有利的，但是，需要用于去除生长开始部分的处理。相对照地，结构例1和2对于锐度是不利的，但是对于容易制造是有利的。
在结构例1和3中，通过粘接剂材料c来接合第一柱状晶体a和第二柱状晶体b。在结构例2和4中，直接地接合第一柱状晶体a和第二柱状晶体b。接合第一柱状晶体a和第二柱状晶体b的结构可有利地减小柱状晶体的最大直径。当通过一个连续的生长过程形成第一柱状晶体a和第二柱状晶体b的总厚度时，与本发明不同，柱状晶体的直径与生长过程对应地增加。
作为用于形成柱状晶体的材料，主要包含碱金属卤化物的材料是可用的。优选的例子是CsI:Tl、CsI:Na、CsBr:Tl、NaI:Tl、LiI:Eu和KI:Tl。当采用CsI:Tl时，可通过同时沉积CsI和TlI形成柱状晶体。
将参照图2描述根据第一实施例的放射线检测设备的结构。放射线检测设备可包含闪烁体(闪烁体面板)208和传感器面板203。可通过例如粘接剂层215粘接闪烁体208和传感器面板203。闪烁体208包括包含具有多个第一柱状晶体的第一闪烁体层201和具有多个第二柱状晶体的第二闪烁体层202的闪烁体层230。闪烁体208可进一步包含支撑闪烁体层230的支撑基板210。可通过例如粘接剂209粘接闪烁体层230和支撑基板210。闪烁体层230具有其中布置了多个柱状部分211的结构。各柱状部分包含第一和第二柱状晶体。多个光电转换器213被布置于传感器面板203上。
如在图5A～5C中所例示的那样，闪烁体层230的全部或一部分可被保护层501覆盖。保护层501具有防止水分从外部进入闪烁体层230的防湿功能和防止由冲击导致的结构损伤的抗冲击功能。保护层501的厚度优选为20～200μm。如果厚度小于20μm，则保护层501可能不能完全覆盖闪烁体层230的表面粗糙(roughness)和飞溅(splash)缺陷，并且，防湿功能可能劣化。如果厚度大于200μm，由闪烁体层230产生的光或由反射层反射的光可能在保护层501内更多地散射，并且，所获得的图像的分辨率和MTF(调制传递函数，Modulation Transfer Function)可能降低。
保护层501的材料的例子是一般的有机密封材料(例如，硅树脂(silicone resin)、丙烯酸树脂和环氧树脂)和基于聚酯(polyester-based)的、基于聚烯烃(polyolefin-based)的和基于聚酰胺(polyamide-based)的热熔性树脂。特别是，具有低的透湿性(moisture permeability)的树脂是所希望的。作为保护层501，优选地使用由聚对亚二甲苯(polyparaxylylene)、聚脲(polyurea)或聚氨酯(polyurethane)等制成的有机膜。只要热熔性树脂可耐受制造期间的加热工艺，则也被优选地使用。
热熔性树脂随着树脂温度上升而熔融，并且随着树脂温度降低而硬化。热熔性树脂在热熔状态中表现出对于其它的有机和无机材料的粘接性，并且，在室温变为固体并且不表现粘接性。热熔性树脂不包含极性溶剂(polar solvent)、溶剂和水分中的任一种，并且即使它接触闪烁体层230(例如，具有碱金属卤化物柱状晶体结构的闪烁体层)也不溶解该闪烁体层。因此，对于保护层501优选使用热熔性树脂。热熔性树脂与通过使用热塑性树脂-溶解溶剂的溶剂涂敷方法制备的溶剂挥发固化型的粘接剂树脂不同。热熔性树脂也与以环氧树脂为代表的通过化学反应制备的化学反应型的粘接剂树脂不同。
按照用作主要成分的基本聚合物(base polymer)(基料(basematerial))的类型将热熔性树脂材料分类，并且，基于聚烯烃、聚酯和聚酰胺的材料等是可用的。对于保护层501，高的防湿性和高的透射由闪烁体产生的可见射线的透光性是重要的。优选地，满足保护层501所需要的防湿性的热熔性树脂是基于聚烯烃的树脂和基于聚酯的树脂。优选使用具有低的吸湿性的基于聚烯烃的树脂。作为具有高的透光性的树脂，基于聚烯烃的树脂是优选的。由此，对于保护层501而言，基于聚烯烃树脂的热熔性树脂是更优选的。
聚烯烃树脂优选地主要包含选自乙烯-醋酸乙烯共聚物(ethylene-vinyl acetate copolymer)、乙烯-丙烯酸共聚物(ethylene-acrylic acid copolymer)、乙烯-丙烯酸酯共聚物(ethylene-acrylic acid ester copolymer)、乙烯-甲基丙烯酸共聚物(ethylene-methacrylic acid copolymer)、乙烯-甲基丙烯酸酯共聚物(ethylene-methacrylic acid ester copolymer)和离聚物树脂(ionomerresin)的至少一种材料。
主要包含乙烯-醋酸乙烯共聚物的热熔性树脂可以为Hirodine7544(可从Hirodine Kogyo得到)。
主要包含乙烯-丙烯酸酯共聚物的热熔性树脂可以为O-4121(可从Kurabo Industries得到)。
主要包含乙烯-甲基丙烯酸酯共聚物的热熔性树脂可以为W-4210(可从Kurabo Industries得到)。
主要包含乙烯-丙烯酸酯共聚物的热熔性树脂可以为H-2500(可从Kurabo Industries得到)。
主要包含乙烯-丙烯酸共聚物的热熔性树脂可以为P-2200(可从Kurabo Industries得到)。
主要包含乙烯-丙烯酸酯共聚物的热熔性树脂可以为Z-2(可从Kurabo Industries得到)。
支撑基板210支撑闪烁体层230，并且，当形成反射层时，甚至充当反射层。反射层具有通过反射由闪烁体层230转换的光中的沿与光电转换器213相反的方向行进的光并且将所述光引导到光电转换器213来增加光使用效率的功能。反射层防止由闪烁体层230产生的光以外的光(外部射线)进入光电转换器213，并且防止由外部射线引起的噪声进入光电转换器213。支撑基板210可以为例如金属基板或在基料的表面上具有金属膜的基板。厚的支撑基板210具有大的辐射剂量(radiological dose)，并且可能导致大的曝光被检体的放射线剂量(radiation dose)。当支撑基板210由金属薄板形成时，其材料优选为铝等。当在不具有反射层的支撑基板上形成反射层时，支撑基板优选为耐热并且几乎不吸收X射线的碳基或树脂基基板。反射层可由诸如铝、金或银的金属材料制成。特别地，作为高反射率材料，铝和金是优选的。
当在支撑基板210上形成反射层时，为了有效地使用从闪烁体层230产生的光，粘接剂层209可优选使用在闪烁体的发光波长区域中具有高的透射率的材料。此外，当在支撑基板210上形成金属反射层时，优选使用耐腐蚀性好的材料。此外，X射线耐久性好的材料是优选的。较薄的粘接剂层209是优选的，原因是锐度下降较少。但是，过薄的粘接剂层209降低粘接剂材料自身的粘接力，并且，粘接剂层209可能从粘接剂层209和保护层之间的界面或者从粘接剂层209和支撑基板之间的界面剥落。相对照地，当粘接剂层厚度超过200μm时，与闪烁体保护层的情况类似，分辨率和MTF可能下降。
传感器面板203包含在由玻璃等制成的绝缘基板204上二维地排列光电转换器213和TFT(未示出)的光电转换部分(图像感测区域)216。每个信号配线214与光电转换器213或TFT连接。使用连接引线部分205来连接外部配线207和传感器面板203。连接引线部分205通过诸如焊料或各向异性导电膜(ACF)的配线连接部分206与诸如柔性配线板的外部配线207电连接，由此使传感器面板203与外部电路连接。传感器面板203可包含由硅氮化物等制成的保护层217。光电转换器213通过闪烁体层230将从放射线转换的光转换成电荷。光电转换器213可使用诸如非晶硅的材料。光电转换器213的结构不被特别限制，并且，可以适当地使用MIS传感器、PIN传感器或TFT传感器等。信号配线214是用于经由TFT而读出由光电转换器213光电转换的信号的信号配线的一部分、用于向光电转换器213施加电压Vs的偏压配线、或用于驱动TFT的驱动配线。由光电转换器213光电转换的信号经由TFT被读出，并且通过周边电路(未示出)和信号配线214被输出到外部信号处理电路。沿行方向布置的TFT的栅极针对各行与驱动配线连接，并且，TFT驱动电路从各行选择TFT。
保护层217的材料的例子是SiN、TiO2、LiF、Al2O3和MgO。保护层217的材料的其它例子是聚亚苯基硫醚树脂(polyphenylenesulfide resin)、氟塑料(fiuoroplastic)、聚醚醚酮树脂(polyether etherketone resin)和液晶聚合物(liquid crystal polymer)。保护层217的材料的又一些例子是聚醚腈树脂(polyether nitrile resin)、聚砜树脂(polysulfone resin)、聚醚砜树脂(polyether sulfone resin)、聚烯丙树脂(polyallylate resin)、聚酰胺-酰亚胺树脂(polyamide-imideresin)、聚醚酰亚胺树脂(polyetherimide resin)、聚酰亚胺树脂(polyimide resin)、环氧树脂和硅树脂。由于在放射线照射时由闪烁体层230转换的光通过保护层，因此保护层希望在通过闪烁体层230而辐射的光的波长处具有高的透射率。与后面要描述的闪烁体保护层类似，密封闪烁体层230的密封材料212具有防止水分进入光电转换部分216的防湿功能。密封材料212优选地是具有高的防湿性的材料或具有低的透湿性的材料。优选的例子是诸如环氧树脂或丙烯酸树脂的树脂材料。基于硅的树脂、基于聚酯的树脂、基于聚烯烃的树脂和基于聚酰胺的树脂也是可用的。
将参照图3A～3E解释根据第一实施例的闪烁体和放射线检测设备的制造方法。在图3A所示的第一生长过程中，通过利用气相沉积方法在第一基板301上生长第一柱状晶体a，形成包含多个第一柱状晶体a的第一闪烁体层201。例如，当使用CsI:Tl时，通过同时沉积CsI(碘化铯)和TlI(碘化铊)形成第一闪烁体层201。例如，用充当气相沉积材料的CsI和TlI填充电阻加热舟(resistance heatingboat)，并且，第一基板301被放在支撑保持器上。抽空气相沉积设备的内部，引入Ar气体，将真空度调整到0.1Pa，并然后执行气相沉积。
在图3B所示的支撑过程中，第一闪烁体层201的与生长开始部分105相对的一侧，即生长结束部分106侧，通过20μm厚的诸如丙烯酸粘接层的耐热粘接层209粘附于0.3mm厚的支撑基板(Al基板)210上。在图3C所示的分离过程中，第一基板301与第一闪烁体层201分离。在分离过程中，可从第一闪烁体层201去除第一基板301。通过在去除之后执行图3D所示的第二生长过程而获得的结构与图1所示的结构例1或结构例2对应。作为替代方案，在分离过程中，第一闪烁体层201(第一柱状晶体a)可在切割平面302上被切割，使得第一闪烁体层201(第一柱状晶体a)在第一基板301侧即生长开始部分105侧被去除预定厚度的部分(将被称为目标去除部分)。该切割可通过例如激光切割被实现。当通过扫描电子显微镜(SEM)观察切割平面302时，可以确认出现柱状晶体的断面的状态。通过在切割之后执行图3D所示的第二生长过程而获得的结构与图1所示的结构例3或结构例4对应。可基于第一闪烁体层201的生长条件、或者闪烁体或放射线检测设备所需要的规格(specification)而任意地确定目标去除部分的厚度。
在图3D所示的第二生长过程中，通过沿与第一生长过程的方向相反的方向、从在图3C所示的分离过程之后露出的第一柱状晶体a生长第二柱状晶体b，形成包含多个第二柱状晶体b的第二闪烁体层202。第二闪烁体层202的形成方法和材料可与第一闪烁体层201的相同。形成第二闪烁体层202的第二柱状晶体b可在继承形成第一闪烁体层201的第一柱状晶体a的形状的同时生长。作为结果，第一闪烁体层201的第一柱状晶体a和第二闪烁体层202的第二柱状晶体b可最终形成连续的柱状晶体。通过这些过程，获得闪烁体208。该闪烁体也可被称为闪烁体面板或闪烁体板。
在图3E所示的组装过程中，闪烁体208通过使用基于丙烯酸树脂的粘接层215被粘附于传感器面板203(也可被称为“光电传感器”或“光电转换面板”)上。可通过在绝缘基板204上形成非晶硅(a-Si)并且通过使用非晶硅形成包含光电传感器和TFT(薄膜晶体管)的多个光电转换器213，制造传感器面板203。可通过去泡处理去除在粘接时产生的气泡。去泡处理可以是加压/加热去泡处理。然后，通过使用诸如基于环氧树脂的密封材料的密封材料212，密封端部。外部配线207的端子通过配线连接部分206热接触-接合到传感器面板203上的连接引线部分205上。由此，获得放射线检测设备。
将参照图4A～4E解释根据第二实施例的闪烁体和放射线检测设备的制造方法。注意，在第二实施例中没有提到的事项可符合第一实施例中的事项。在第二实施例中，在图3A所示的第一生长过程中形成第一闪烁体层201。在图4A所示的支撑过程中，作为第一实施例中的支撑基板210的替代，使用传感器面板203作为支撑第一闪烁体层201的基板。然后，与第一实施例中的图3B和图3C所示的分离过程和第二生长过程类似地执行图4B和图4C所示的分离过程和第二生长过程。
在图4D所示的组装过程中，具有反射层的铝基板401通过粘接层215被粘附于包含第一闪烁体层201和第二闪烁体层202的闪烁体层230上。随后的处理与第一实施例中的相同。
将再次参照图4A～4E解释根据第三实施例的闪烁体和放射线检测设备的制造方法。一直到图4C所示的第二生长过程，第三实施例与第二实施例相同。在第二生长过程之后，在图4E所示的组装过程中，制备在由PET制成的反射层保护层上具有被形成为反射层403的Al膜的膜片(sheet)。然后，由包含聚烯烃树脂的热熔性树脂制成的闪烁体保护层402通过使用加热辊被转印并与膜片的反射层形成表面接合。作为结果，形成三层的片。该片然后被布置为覆盖闪烁体层230。加热辊对该片进行加热和加压，以通过焊接闪烁体保护层402将该片固定于闪烁体层230和传感器面板203上。随后的处理与第一实施例中的相同。
图5A是表示根据第四实施例的放射线检测设备的示意性断面图。与第一实施例类似，如图3A所示，在第一基板301上沉积第一闪烁体层201。然后，如图6A所示，在第一闪烁体层201上层叠防湿保护层(聚对二甲苯(parylene))501。聚对二甲苯沉积方法不被特别限制，例如为气相聚合(vapor phase polymerization)。然后，执行与第一实施例中的过程相同的过程，获得图5A所示的放射线检测设备。
图5B是表示根据第五实施例的放射线检测设备的示意性断面图。在与第二实施例类似地形成直到图3C中的状态的结构之后，如图6B所示，在第一闪烁体层201上层叠防湿保护层(聚对二甲苯)501。然后，执行与第二实施例中的过程相同的过程，获得图5B所示的放射线检测设备。
图5C是表示根据第六实施例的放射线检测设备的示意性断面图。在与第一实施例类似地形成直到图3D中的状态的结构之后，如图6C所示，在第一闪烁体层201和第二闪烁体层202上层叠防湿保护层(聚对二甲苯)501。然后，执行与第一实施例中的过程相同的过程，获得图5C所示的放射线检测设备。
将参照图7A～7E解释根据第七实施例的闪烁体和放射线检测设备的制造方法。注意，在第七实施例中没有提到的事项可符合第一实施例中的事项。在图7A所示的生长过程中，通过从具有突出部分702的基板701的各突出部分702生长柱状晶体710，形成包含多个柱状晶体710的闪烁体层720。除了柱状晶体在突出部分702上生长以外，该生长过程可与图3A所示的第一生长过程相同。在该生长过程中，对于一个放射线检测设备，制造两个闪烁体层720。在图7B所示的支撑过程中，与图3B所示的支撑过程类似，一个闪烁体层720的与生长开始部分相对的一侧即生长结束部分侧通过粘接层209被粘附于支撑基板(Al基板)210上。在该支撑过程中，与图4A所示的过程类似，另一闪烁体层720的与生长开始部分相对的一侧即生长结束部分侧通过粘接层209被粘附于传感器面板203上。
在图7C所示的分离过程中，与图3C和4B所示的分离过程类似，基板701与粘附于支撑基板210上的闪烁体层720分离。另外，基板701与粘附于传感器面板203上的闪烁体层720分离。此时，可从闪烁体层720去除基板701，或者，可在切割平面302上切割形成闪烁体层720的柱状晶体710。
在图7D所示的接合处理中，两个闪烁体层720被接合，使得粘附于支撑基板210上的闪烁体层720的柱状晶体710与粘附于传感器面板203上的闪烁体层720的柱状晶体710被接合。此时，粘附于支撑基板210上的闪烁体层720的柱状晶体710和粘附于传感器面板203上的闪烁体层720的柱状晶体710可通过粘接层被接合，或者可通过压力接触接合等被接合。前一结构与图1所示的结构例1或结构例3对应，后一结构与图1所示的结构例2或结构例4对应。在图7E所示的密封过程中，通过使用密封材料212密封闪烁体层720的侧部。
图8例示了将上述的放射线检测设备应用于放射线诊断系统。通过X射线管6050产生的X射线6060通过病人或被检体6061的胸部6062，并且进入图8所示的放射线检测设备(图像传感器)6040。进入的X射线包含病人或被检体6061的内部信息。闪烁体(闪烁体层)与X射线的进入对应地发光，并且，传感器面板的光电转换器对光进行光电转换，从而获得电信息。该信息被数字地转换，通过充当信号处理装置的图像处理器6070经受图像处理，并且可在控制室内的充当显示装置的显示器6080上被观察。该信息可通过诸如电话线6090的传送处理装置被传输到远程位置，并且可在另一位置处的医生诊室等内的充当显示装置的显示器6081上被显示，或者被保存于诸如光盘的记录装置上，从而允许位于远程位置的医生进行诊断。信息也可通过充当记录装置的胶片处理器6100被记录于胶片6110上。
虽然已参照示例性实施例描述了本发明，但应理解，本发明不限于所公开的示例性实施例。所附权利要求的范围应被赋予最宽的解释以包含所有这样的变更方式以及等同的结构和功能。
Claims (9)
1.一种闪烁体，包括具有第一表面和第二表面的闪烁体层，所述第一表面和第二表面是彼此相对的表面，其中，
所述闪烁体层包含多个柱状部分，每个柱状部分包含用于将放射线转换成光的柱状晶体，并且，每个柱状部分的柱状晶体具有从第一表面和第二表面之间的中间部分向着第一表面和第二表面增大的直径。
2.根据权利要求1的闪烁体，其中，每个柱状部分具有其中第一柱状晶体和第二柱状晶体被接合并且第一柱状晶体和第二柱状晶体之间的接合部分位于所述中间部分的结构。
3.根据权利要求2的闪烁体，其中，每个柱状部分具有其中第一柱状晶体和第二柱状晶体通过粘接剂材料被接合的结构。
4.根据权利要求2的闪烁体，其中，每个柱状部分具有其中第一柱状晶体和第二柱状晶体被直接地接合的结构。
5.一种放射线检测设备，包括：
在权利要求1～4中的任一项中限定的闪烁体；和
包含光电转换器的传感器面板，所述光电转换器检测由闪烁体的闪烁体层转换的光。
6.一种用于制造闪烁体的方法，所述方法包括：
第一生长步骤，在第一基板上生长多个第一柱状晶体，以形成包含所述多个第一柱状晶体的第一闪烁体层；
分离步骤，使第一基板与第一闪烁体层分离；和
第二生长步骤，沿与第一生长步骤中的生长所述多个第一柱状晶体的方向相反的方向，从在分离步骤之后露出的所述多个第一柱状晶体的部分生长多个第二柱状晶体，由此形成包含所述多个第二柱状晶体的第二闪烁体层。
7.根据权利要求6的方法，其中，在分离步骤中，切割所述多个第一柱状晶体，以将所述多个第一柱状晶体在第一基板侧去除预定的厚度。
8.一种用于制造闪烁体的方法，所述方法包括：
生长步骤，从基板的多个突出部分生长柱状晶体，以形成包含所述多个柱状晶体的闪烁体层；和
分离步骤，使所述基板与所述闪烁体层分离。
9.根据权利要求8的方法，其中，还包括：
接合步骤，接合通过所述生长步骤和所述分离步骤获得的两个闪烁体层的表面，所述基板是从所述表面被分离的。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20120801 |