CN104903971A - 闪烁器面板的制造方法、闪烁器面板以及放射线检测器 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 44
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 claims description 21
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 claims description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 abstract 1
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 210000000481 breast Anatomy 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004918 carbon fiber reinforced polymer Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000001953 sensory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/202—Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
- H01L27/14663—Indirect radiation imagers, e.g. using luminescent members
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
Abstract
闪烁器面板的制造方法是用于将放射线转换成闪烁光的闪烁器面板的制造方法，包含：第1工序，在具有表面以及背面的基板的表面上形成在从背面朝向表面的规定的方向上突出的多个凸部、以及由凸部规定的凹部；第2工序，通过使闪烁器材料的柱状结晶结晶生长从而形成从基板的各个凸部沿着规定的方向进行延伸的第1闪烁器部；第3工序，通过沿着凹部扫描激光从而将激光照射于从互相相邻的凸部进行延伸的第1闪烁器部彼此的接触部分并将从互相相邻的凸部进行延伸的第1闪烁器部彼此互相分离。
Description
技术领域
本发明的一个侧面涉及闪烁器面板的制造方法、闪烁器面板以及放射线检测器。
背景技术
一直以来，已知有具备独立于二维光传感器的每个像素的闪烁器的装置。例如，在专利文献1中记载有具备多个像素被形成于基板的光检测面板并且在光检测面板上对于多个像素中的至少每1个像素形成多个凸状图案，闪烁器的柱状结晶在多个凸状图案的上面分别进行结晶生长的放射线检测装置。
另外，在专利文献2中记载有具备二维排列的多个像素单位并且该像素单位分别具有将从规定的输入面进行入射的X射线转换成光的闪烁器部，在所相邻的像素单位的闪烁器部彼此之间设置闪烁器部彼此不连续的中断区域的X射线平面检测器。该中断区域通过将激光照射于闪烁器层并形成遍及闪烁器层的全宽的沟槽来形成。在专利文献3中记载有由被激光烧蚀形成的沟槽而具备被分割成光学上独立的像素的闪烁器层的X射线成像装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第2547908号公报
专利文献2：日本专利申请公开2003-167060号公报
专利文献3：美国专利第6921909号说明书
发明内容
发明所要解决的问题
在专利文献1、2所记载的装置中，通过形成独立于二维光传感器的每个像素的闪烁器从而与将闪烁器形成于二维光传感器的整个面的情况相比较能够谋求由于在闪烁器部的串扰引起的MTF的降低的抑制等。
可是，为了提高闪烁器面板的灵敏度特性，会有被要求增大闪烁器的膜厚的情况。然而，闪烁器的柱状结晶因为具有以其柱径随着远离结晶生长的基点而扩大的方式进行生长的性质，所以如专利文献1所记载的放射线检测装置那样在使闪烁器结晶生长于凸状图案的上面的情况下，如果闪烁器的膜厚变大的话则恐怕所相邻的闪烁器彼此会发生接触。为了保持闪烁器的独立性而考虑增大凸状图案的形成间距，但是在此情况下开口率会降低。另一方面，在专利文献2所记载的X射线平面检测器中因为形成遍及闪烁器层的全厚的沟槽，所以恐怕由激光的照射而产生的闪烁器的柱状结晶的劣化会遍及闪烁器层的全厚并且亮度降低变大。再有，如专利文献3所记载的那样在由激光烧蚀来加工厚膜的闪烁器层的情况下，闪烁器层的激光入射部分遍及比激光加工前端部分更宽范围来进行加工，其结果，会处于由激光形成的沟槽变成楔子形状的倾向。因此，闪烁器层的厚度越是增加则激光入射部分的加工范围越是宽阔，所以恐怕闪烁器层会在必要的沟槽宽度以上失去并且X射线吸收性能降低。
本发明的一个侧面是有鉴于这样的问题而完成的发明，其目的在于，提供一种能够抑制结晶的劣化并且能够进行厚膜化的闪烁器面板的制造方法、闪烁器面板以及放射线检测器。
解决问题的技术手段
为了解决上述问题，本发明的一个侧面所涉及的闪烁器面板的制造方法，其特征在于，是一种用于将放射线转换成闪烁光的闪烁器面板的制造方法，包含：第1工序，在具有表面以及背面的基板的表面上形成在从背面朝向表面的规定的方向上进行突出的多个凸部、以及由凸部规定的凹部；第2工序，通过使闪烁器材料的柱状结晶进行结晶生长从而形成从基板的各个凸部沿着规定的方向进行延伸的第1闪烁器部；第3工序，通过沿着凹部扫描激光从而将激光照射于从互相相邻的凸部进行延伸的第1闪烁器部彼此的接触部分并使从互相相邻的凸部进行延伸的第1闪烁器部彼此互相分离。
在该闪烁器面板的制造方法中，通过使闪烁器材料的柱状结晶进行结晶生长，从而形成从基板的各个凸部沿着规定的方向进行延伸的第1闪烁器部。因此，第1闪烁器部例如以直至将凸部的上面作为基点的规定的高度而互相分离的状态被形成并且在规定的高度以上则以在凹部上互相接触的状态被形成。因此，如果通过沿着凹部扫描激光从而将激光照射于第1闪烁器部彼此的接触部分并使第1闪烁器部彼此互相分离的话则可以获得被膜厚化了的第1闪烁器部。另外，因为在该第1闪烁器部的分离的时候可以将激光仅照射于其接触部分，所以能够抑制结晶的劣化。再有，能够抑制由激光加工而被形成的沟槽宽度大于抑制串扰所必要的沟槽宽度。
在一个方式所涉及的闪烁面板的制造方法中，在第3工序之前，能够还包含将第2闪烁器部形成于基板的凹部的底面上的第4工序。在此情况下，因为在凹部的底面上被形成的第2闪烁器部起到作为保护膜的功能，所以在照射激光的时候能够防止被设置于基板上的配线等的破损。
在一个方式所涉及的闪烁面板的制造方法中，在第1工序中，能够通过以在基板的表面上被排列成二维状的方式形成凸部从而在基板的表面上形成被规定成格子状的凹部，在第4工序中，使凹部的交叉区域中的第2闪烁器部的厚度大于除了交叉区域的位置上的第2闪烁器部的厚度。在此情况下，在沿着格子状的凹部扫描激光的时候，在激光被2次照射的凹部的交叉区域中，因为相对厚度大的第2闪烁器部起到作为保护膜的功能，所以能够更加可靠地防止被设置于基板上的配线等的破损。
本发明的一个侧面所涉及的闪烁器面板，其特征在于，是一种用于将放射线转换成闪烁光的闪烁器面板，具备：基板，具有表面以及背面并且形成有在从背面朝向表面的规定的方向上从表面突出的多个凸部、以及由凸部规定的凹部；以及多个第1闪烁器部，从各个凸部沿着规定的方向进行延伸并且互相分离；第1闪烁器部通过分别使多个柱状结晶在凸部上进行结晶生长来形成，构成第1闪烁器部的柱状结晶在凹部的底面上的至少一部分由激光的照射而互相熔接。
在该闪烁器面板中，多个柱状结晶被互相熔接的范围因为限于凹部的底面上的至少一部分，所以结晶的劣化少。
在一个方式所涉及的闪烁面板中，能够还具备在基板的凹部的底面上形成的第2闪烁器部。在该情况下，在其制造时，例如在沿着凹部扫描激光并将第1闪烁器部彼此分离的时候，因为在凹部的底面上形成的第2闪烁器部起到作为保护膜的功能，所以能够防止被设置于基板上的配线等的破损。
在一个方式所涉及的闪烁面板中，凸部在基板的表面上被排列成二维状，凹部在基板的表面上由凸部而被规定成格子状，凹部的交叉区域中的第2闪烁器部的厚度能够大于除了交叉区域的位置上的第2闪烁器部的厚度。在此情况下，如上所述，在其制造时，例如在沿着凹部扫描激光并将第1闪烁器部彼此分离的时候，在激光被2次照射的交叉区域中，通过相对厚度大的第2闪烁器部起到作为保护膜的功能，从而能够充分地保护基板。
在一个方式所涉及的闪烁面板中，第2闪烁器部的至少一部分能够在由激光的照射而发生熔融之后进行凝固。
本发明的一个侧面所涉及的放射线检测器具备上述的闪烁器面板，基板是一种具有以被光学性地耦合于第1闪烁器部的方式进行排列的多个光电转换元件的传感器面板。该放射线检测器因为具备如上所述能够抑制结晶的劣化并且能够进行厚膜化的闪烁器面板，所以能够提高MTF等的特性。特别是因为基板是包含光电转换元件的传感器面板，所以能够直接将凸部形成于该光电转换元件上并且能够将闪烁器部形成于该凸部的上面。因此，没有必要将另外准备的闪烁器面板和传感器面板贴合。
发明的效果
根据本发明的一个侧面，能够提供一种能够抑制结晶的劣化并且能够进行厚膜化的闪烁器面板的制造方法、闪烁器面板以及放射线检测器。
附图说明
图1是一个实施方式所涉及的闪烁器面板的立体图。
图2是图1所表示的闪烁器面板的部分平面图。
图3是沿着图2的III-III线的截面图。
图4是沿着图2的IV-IV线的截面图。
图5是表示一个实施方式所涉及的闪烁器面板的制造顺序的截面图。
图6是表示一个实施方式所涉及的闪烁器面板的制造顺序的部分平面图。
图7是表示一个实施方式所涉及的闪烁器面板的制造顺序的截面图。
图8是表示一个实施方式所涉及的闪烁器面板的制造顺序的部分平面图。
具体实施方式
以下，参照附图，对一个实施方式所涉及的闪烁器面板的制造方法以及由该制造方法进行制造的闪烁器面板进行详细的说明。还有，在各个附图中，将相同符号标注于相同或者相当部分，省略重复的说明。以下的实施方式所涉及的闪烁器面板是一种用于将入射的X射线等的放射线R转换成可见光等的闪烁光的装置，例如在乳腺X射线拍摄装置、胸部检查装置、CT装置、齿科口内摄影装置以及放射线照相机等中能够作为放射线成像用的装置来使用。
首先，对本实施方式所涉及的闪烁器面板进行说明。图1是本发明的一个实施方式所涉及的闪烁器面板的立体图。图2是图1所表示的闪烁器面板的部分平面图。图3是沿着图2所表示的闪烁器面板的III-III线的截面图。图4是沿着图2所表示的闪烁器面板的IV-IV线的截面图。如图1～4所示，闪烁器面板1具备矩形状的基板10。
基板10具有互相相对的表面10a以及背面10b。基板10具有被形成于表面10a的凹凸图案Pa。作为基板10的材料，能够使用例如Al或SUS(不锈钢)等的金属、聚酰亚胺或聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚萘二甲酸乙二醇酯等的树脂薄膜、无定形碳或碳纤维增强塑料等的碳类材料、FOP(光纤板：将直径为几微米的多根光纤束起来的光学装置(例如浜松光子学株式会社制J5734))等。作为凹凸图案Pa的材料，能够使用例如环氧类树脂(日本化药株式会社制KMPR或SU-8等)等的高深宽比抗蚀剂、硅以及玻璃等。
特别是构成凹凸图案Pa的凸部的材料能够作为相对于在后面所述的闪烁器部20产生的闪烁光具有透过性的材料，在此情况下，能够在基板10的背面10b侧贴合闪烁器面板1和具有光电转换元件的传感器面板来构成放射线检测器。另外，凹凸图案Pa均能够由与后面所述的闪烁器部20相同的闪烁器材料(例如，CsI(碘化铯))来进行构成。
凹凸图案Pa由多个凸部11、以及由凸部规定的凹部12所形成。即，在基板10的表面10a，形成有多个凸部11和凹部12。凸部11分别沿着从基板10的背面10b朝向表面10a的规定的方向(在此，放射线R的入射方向以及垂直于基板10的表面10a或背面10b的方向)从表面10a突出。凸部11分别被形成为长方体状。凸部11沿着平行于基板10并且互相垂直的X轴以及Y轴在基板10的表面10a上被周期性地排列成二维阵列状。因此，由凸部11规定的凹部12为在平面视图中呈现矩形的格子状的沟槽。以下，将凹部12的在X轴方向上进行延伸的区域与在Y轴方向上进行延伸的区域相交叉的区域称为交叉区域C。
这样的凹凸图案Pa的各个尺寸，例如能够在将凸部11的间距(凸部11的形成周期)P设为127μm左右的情况下将凹部12的宽度(沟槽宽度)W设为45μm～200μm左右，并且在将凸部11的间距P设为200μm左右的情况下将凹部12的宽度W设为50μm～70μm左右。另外，凸部11的高度H能够设为2.5μm～50μm左右。特别是在本实施方式中，将凸部11的间距P设为200μm左右，将凹部12的宽度W设为70μm左右，将凸部11的高度H设为15μm左右。
闪烁器面板1具备在凸部11的各个上形成的多个闪烁器部(第1闪烁器部)20、被形成于凹部12内的闪烁器部(第2闪烁器部)30,30a。闪烁器部20彼此互相分离(即，闪烁器部面板1具有分离型闪烁器部)。闪烁器部20例如能够由CsI(碘化铯)等的形成柱状结晶的闪烁器材料来进行形成。闪烁器部20的高度(闪烁器膜厚)T例如能够设为100μm～600μm左右。
闪烁器部20从各个凸部11沿着规定的方向进行延伸并且互相分离。闪烁器部20具有第1部分21和第2部分22。第1部分21在平面视图中以对应于凸部11的形状的方式呈现矩形状。第2部分22在平面视图中以覆盖第1部分21的侧部的方式呈现矩形环状。第1部分21从凸部11的上面11a沿着放射线R的入射方向(相对于基板10大致垂直的方向)进行延伸。更加具体来说，第1部分21由从凸部11的上面11a沿着放射线R的入射方向进行结晶生长而被形成的闪烁器材料的多个柱状结晶C1所构成。
第2部分22从凸部11的侧面11b沿着放射线R的入射方向进行延伸并与第1部分21相接触。第2部分22以从凸部11的侧面11b向侧方突出的方式被形成，并且位于凹部12的底面上。第2部分22与第1部分21被形成为一体(与第1部分21相接合)。更加具体来说，第2部分22由从凸部11的侧面11b沿着与放射线R的入射方向(相对于基板10大致垂直的方向)交叉的方向(与规定的方向进行交叉的方向)进行结晶生长而被形成的闪烁器材料的多个柱状结晶C2所构成，作为整体沿着放射线R的入射方向进行延伸。柱状结晶C2被形成于凸部11的侧面11b的整体。
构成第1部分21的柱状结晶C1呈现随着远离凸部11的上面11a而扩径的锥状。即，柱状结晶C1的柱径随着远离凸部11的上面11a(即，从上面11a侧的基端部朝向相反侧的前端部)而扩大。构成第2部分22的柱状结晶C2呈现随着远离凸部11的侧面11b而扩径的锥状。即，柱状结晶C2的柱径随着远离凸部11的侧面11b(即，从侧面11b侧的基端部朝向相反侧的前端部)而扩径。
特别是柱状结晶C2的柱径的扩大率大于柱状结晶C1的柱径R1的扩大率。因此，例如在各个前端部，柱状结晶C2的柱径相对大于柱状结晶C1的柱径。还有，上述的凸部11的高度H至少大于构成第1部分21的柱状结晶C1以及构成第2部分22的柱状结晶C2的基端部上的柱径。因此，在凸部11的上面11a上或者侧面11b上形成有多个柱状结晶C1或者柱状结晶C2。
第2部分22具有上部22a和下部22b。上部22a在第2部分22中是构成比闪烁器部20的高度方向的中途位置即高度T1更前端侧的部分。下部22b在第2部分22中是构成比高度T1更基端侧的部分。上部22a的前端侧的一部分被作为熔接部22c。熔接部22c是由为了互相分离多个闪烁器部20而进行照射的激光进行形成的区域，并且被形成于上部22a的外侧面。在互相相邻的闪烁器部20，熔接部22c互相分离。另外，互相相邻的闪烁器部20的下部22b互相分离。在熔接部22c，多个柱状结晶C2互相熔接，并且柱状构造坍塌。另外，在熔接部22c，柱状结晶C2的前端部由激光的照射而坍塌。
这样，多个闪烁器部20由激光的照射而被互相分离，在互相相邻的闪烁器部20之间形成间隙S。间隙S由互相相邻的闪烁器部20以及凹部12的底面来进行划定。间隙S在经由间隙S进行相对的上部22a之间具有间隔D1，在经由间隙S进行相对的下部22b之间具有比间隔D1宽的间隔D2。但是，间隙S呈现在激光入射位置(闪烁器部20的前端部之间的位置)A随着朝向闪烁器部20的前端部而间隔变宽的楔子型形状。即，间隙S作为整体而呈现高度方向的中途位置(经由间隙S进行相对的上部22a之间的位置)越来越窄的沙漏形状。
闪烁器部30,30a在凹部12内特别是被形成于凹部12的底面12a上。闪烁器部30被形成于在平面视图中为格子状的凹部12中与对应于格子点的区域不同的区域内、即除了凹部12的交叉区域C的区域。闪烁器部30a被形成于在平面视图中为格子状的凹部12中对应于格子点的区域内、即凹部12的交叉区域C。闪烁器部30,30a遍及凹部12的整体而被一体地形成。闪烁器部30的高度H1以低于凸部11的高度H的方式被形成。另外，闪烁器部30a的高度H2以高于凸部11的高度H的方式被形成。即，闪烁器部30a的厚度被形成为大于闪烁器部30的厚度。闪烁器部30,30a起到作为从后面所述的激光的照射保护基板10的保护膜的功能。
闪烁器部30,30a与闪烁器部20的第1部分21以及第2部分22相同，由CsI等的闪烁器材料的多个柱状结晶构成。构成闪烁器部30,30a的各个柱状结晶从凹部12的底面12a沿着放射线R的入射方向进行结晶生长而被形成。闪烁器部30呈现厚度从凹部12的角落(凸部11的侧面11b与凹部12的底面12a的连接部分)朝向凹部12的宽度方向的中心增加那样的凸状(截面大致三角形状)。闪烁器部30a呈现在凹部12的交叉区域C的中心点最厚，并且厚度对于远离该中心点来说降低那样的凸状(大致圆锥形状)。还有，闪烁器部30,30a也可以以从凹部12的底面12a侧支撑从凸部11的侧面11b进行延伸的第2部分22的柱状结晶C2的方式与第2部分22相接触。顺便说一下，第2部分22中的与闪烁器部30相接触的部分的柱状结晶的柱径小于第1部分21的柱状结晶C1的柱径R1。闪烁器部30,30a也可以在其一部分或者整体由激光的照射而发生熔融之后进行凝固。
接着，参照图5～8，对闪烁器面板1的制造方法进行说明。首先，在基板10的表面10a上，形成多个凸部11和由凸部11规定的凹部12(第1工序)。在形成该凹凸图案Pa的时候，准备成为基板10的基础的基材，如图5所示，通过在基材上涂布干燥凹凸图案Pa的材料来形成。接着，由光刻法将凹凸图案Pa形成于该基材上而制作出具有所希望的尺寸的凹凸图案Pa的基板10(第1工序)。此时，以凸部11在从基板10的背面10b朝向表面10a的规定的方向(在此，放射线R的入射方向以及垂直于基板10的表面10a或者背面10b的方向)上进行突出的方式形成凹凸图案Pa。另外，通过将凸部11排列成沿着X轴方向、Y轴方向的二维状，从而如图6所示形成在平面视图中呈现矩形的格子状的凹部。还有，也可以由丝网印刷将凹凸图案Pa形成于基材上。
接着，如图7所示，通过使CsI等的闪烁器材料的柱状结晶C1,C2进行结晶生长，从而形成从基板10的各个凸部11沿着规定的方向(在此，放射线R的入射方向以及垂直于基板10的表面10a或者背面10b的方向)进行延伸的闪烁器部40(第2工序)。与此同时，由结晶生长使闪烁器部30,30a形成于基板10的凹部12的底面12a上(第4工序)。闪烁器部40被形成为包含在平面视图中以对应于凸部11的形状的方式呈现矩形状的第1部分41、以及在平面视图中以覆盖第1部分21的侧部的方式呈现矩形环状的第2部分42。闪烁器部40是之后成为上述的闪烁器部20的部分。
此时，直至凸部11的上面11a上的闪烁器部成为规定的高度(例如100μm～600μm)为止，使闪烁器材料进行结晶生长。由此，如图7所示，形成在比高度T1更基端侧的部分(之后成为上述的下部22b的部分)互相分离并且在比高度T1更前端侧的部分(之后成为上述的上部22a的部分)互相接触的多个闪烁器部40。这样，形成边界面被作为接触部分43的多个闪烁器部40。闪烁器部30被形成于除了交叉区域C的凹部12内。闪烁器部30a被形成于交叉区域C内的凹部12内。闪烁器部30a相比于闪烁器部30被形成为壁厚。
闪烁器部30,30a,40例如通过由真空蒸镀将CsI等的闪烁器材料蒸镀于基板10之上来进行形成。通过控制各种蒸镀条件(真空度、蒸镀速率、基板加热温度、蒸汽流的角度等)从而将上述那样的闪烁器部30,30a,40形成于凹凸图案Pa上。闪烁器部30,30a,40也能够使用真空蒸镀法以外的气相沉积法来进行形成。
接着，通过沿着凹部12扫描激光L从而将激光照射于从互相相邻的凸部11进行延伸的闪烁器部40彼此的接触部分43，并使闪烁器部40彼此互相分离(第3工序)。图8是表示使用激光L来分离闪烁器部40的工序的示意图。如图8所示，通过沿着闪烁器部40彼此的接触部分43在X轴方向以及Y轴方向上扫描激光L，从而将激光L照射于从互相相邻的凸部11进行延伸的闪烁器部40的接触部分43。由该激光L的照射来切断并除去闪烁器部40的第2部分42的一部分从而使闪烁器部40彼此互相分离。在扫描该激光L的时候，通过在凹部12的交叉区域C，在X轴方向以及Y轴方向上扫描激光L，从而激光L被2次照射。在闪烁器部40彼此的接触部分43，通过照射激光L从而多个柱状结晶C互相熔接。由此，在闪烁器部40的第2部分42的一部分形成熔接部22c。这样，通过照射激光L并使多个闪烁器部40互相分离从而形成闪烁器部20并制作出闪烁器面板1。
作为在此被使用的激光L，例如能够使用使波长为515nm、脉冲宽为1ps、重复频率为20kHz的激光二次谐波发生(SHG)后的激光、或使波长为258nm、脉冲宽为1ps、重复频率为20kHz的激光四次谐波发生(SHG)后的激光。
这样，通过沿着互相相邻的闪烁器部20彼此的接触部分扫描激光，从而能够使由结晶生长形成的闪烁器部20彼此互相分离(即，能够实现闪烁器部的像素化)。因为以闪烁器部20的下部22b之间分离的状态进行结晶生长，所以在扫描该激光的时候激光仅被照射于互相相邻的闪烁器部20的上部22a的一部分。
如以上所说明的那样，在本实施方式所涉及的闪烁器面板1的制造方法中，通过使闪烁器材料的柱状结晶进行结晶生长从而形成从基板10的各个凸部11沿着规定的方向进行延伸的闪烁器部40。因此，闪烁器部40以直至将凸部11的上面11a作为基点的规定的高度为止互相分离的状态被形成，并且在规定的高度以上以在凹部12上互相接触的状态被形成。因此，如果通过沿着凹部12扫描激光L从而将激光L照射于闪烁器部40彼此的接触部分43并使闪烁器部40彼此互相分离的话则能够获得被厚膜化了的闪烁器部20。另外，在分离该闪烁器部40的时候，因为可以将激光仅照射于该接触部分43，所以能够抑制结晶的劣化。
另外，在本实施方式所涉及的闪烁器面板1的制造方法中，因为在凹部12的底面12a上形成的闪烁器部30起到作为保护膜的功能，所以例如在基板10为传感器面板的情况下能够防止在照射激光L的时候被设置于传感器面板上的配线等的破损。特别是在本实施方式所涉及的闪烁器面板1的制造方法中因为在沿着格子状的凹部12扫描激光L的时候在激光L被2次照射的凹部12的交叉区域C上相对厚度大的闪烁器部30a起到作为保护膜的功能，所以能够进一步可靠地防止被设置于基板(传感器面板)10上的配线等的破损。
以上的实施方式是说明本发明的一个侧面所涉及的闪烁器面板的一个实施方式的方式。因此，本发明的一个侧面并不限定于上述的闪烁器面板1～1C。本发明的一个侧面在不变更各权利要求的宗旨的范围内能够对上述的闪烁面板1任意地变更或者应用于其他装置。
例如，在上述实施方式中，对将本发明的一个侧面应用于闪烁器面板的情况进行了说明，但是本发明的一个侧面能够应用于具备上述的闪烁器面板等的放射线检测器。在此情况下，放射线检测器能够作为具备上述的闪烁器面板1的任意一个并且具备以将这些基板10光学性地耦合于闪烁器部20的方式被排列的多个光电转换元件的传感器面板(TFT面板或CMOS图像传感器面板)。
在此情况下，例如，形成分别对应于基板10即TFT面板或CMOS图像传感器的各个像素的凸部11，在其上形成闪烁器部20,30。凸部11的材料或形成方法如上所述。此时，优选由相对于在闪烁器部20产生的闪烁光具有透过性的材料来构成各个凸部11。
根据这样的放射线检测器，因为具备上述的闪烁器面板1，所以能够提高特性。另外，基板10因为是包含光电转换元件的传感器面板，所以如果在该光电转换元件之上直接形成凸部11并设置闪烁器部20的话则没有必要贴合另外准备的闪烁器面板和传感器面板。
符号的说明
1…闪烁器面板、10…基板(传感器面板)、11…凸部、11a…上面、11b…侧面、12…凹部、12a…底面、20,40…闪烁器部(第1闪烁器部)、22c…熔接部、30…闪烁器部(第2闪烁器部)、30a…闪烁器部、43…接触部分、C…交叉区域、C1,C2…柱状结晶、R…放射线。
Claims (8)
1.一种闪烁器面板的制造方法，其特征在于：
是用于将放射线转换成闪烁光的闪烁器面板的制造方法，
包含：
第1工序，在具有表面以及背面的基板的所述表面上形成在从所述背面朝向所述表面的规定的方向上突出的多个凸部、以及由所述凸部规定的凹部；
第2工序，通过使闪烁器材料的柱状结晶进行结晶生长从而形成从所述基板的各个所述凸部沿着所述规定的方向进行延伸的第1闪烁器部；
第3工序，通过沿着所述凹部扫描激光从而将所述激光照射于从互相相邻的所述凸部进行延伸的所述第1闪烁器部彼此的接触部分并将从互相相邻的所述凸部进行延伸的所述第1闪烁器部彼此互相分离。
2.如权利要求1所述的闪烁器面板的制造方法，其特征在于：
在所述第3工序之前，还包含将第2闪烁器部形成于所述基板的所述凹部的底面上的第4工序。
3.如权利要求2所述的闪烁器面板的制造方法，其特征在于：
在所述第1工序中，通过以在所述基板的所述表面上排列成二维状的方式形成所述凸部，从而在所述基板的所述表面上形成被规定成格子状的所述凹部，
在所述第4工序中，使所述凹部的交叉区域中的所述第2闪烁器部的厚度大于除了所述交叉区域的位置上的所述第2闪烁器部的厚度。
4.一种闪烁器面板，其特征在于：
是用于将放射线转换成闪烁光的闪烁器面板，
具备：
基板，具有表面以及背面并且形成有在从所述背面朝向所述表面的规定的方向上从所述表面突出的多个凸部、以及由所述凸部规定的凹部；以及
多个第1闪烁器部，从各个所述凸部沿着所述规定的方向进行延伸并且互相分离，
所述第1闪烁器部通过分别使多个柱状结晶在所述凸部上进行结晶生长来形成，
构成所述第1闪烁器部的所述柱状结晶在所述凹部的底面上的至少一部分由激光的照射而互相熔接。
5.如权利要求4所述的闪烁器面板，其特征在于：
还具备在所述基板的所述凹部的所述底面上形成的第2闪烁器部。
6.如权利要求5所述的闪烁器面板，其特征在于：
所述凸部在所述基板的所述表面上被排列成二维状，
所述凹部在所述基板的所述表面上由所述凸部而被规定成格子状，
所述凹部的交叉区域中的所述第2闪烁器部的厚度大于除了所述交叉区域的位置上的所述第2闪烁器部的厚度。
7.如权利要求5或者6所述的闪烁器面板，其特征在于：
所述第2闪烁器部的至少一部分在由所述激光的照射而发生熔融之后进行凝固。
8.一种放射线检测器，其特征在于：
具备权利要求4～7中的任意一项所述的闪烁器面板，
所述基板是具有以被光学性地耦合于所述第1闪烁器部的方式进行排列的多个光电转换元件的传感器面板。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013001908A JP6133059B2 (ja) | 2013-01-09 | 2013-01-09 | シンチレータパネルの製造方法、シンチレータパネル、及び放射線検出器 |
| JP2013-001908 | 2013-01-09 | ||
| PCT/JP2013/079914 WO2014109116A1 (ja) | 2013-01-09 | 2013-11-05 | シンチレータパネルの製造方法、シンチレータパネル、及び放射線検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104903971A true CN104903971A (zh) | 2015-09-09 |
| CN104903971B CN104903971B (zh) | 2017-08-18 |
Family
ID=51166781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201380070006.XA Active CN104903971B (zh) | 2013-01-09 | 2013-11-05 | 闪烁器面板的制造方法、闪烁器面板以及放射线检测器 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9405020B2 (zh) |
| EP (2) | EP3240031B1 (zh) |
| JP (1) | JP6133059B2 (zh) |
| KR (1) | KR102059230B1 (zh) |
| CN (1) | CN104903971B (zh) |
| WO (1) | WO2014109116A1 (zh) |
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-
2013
- 2013-01-09 JP JP2013001908A patent/JP6133059B2/ja active Active
- 2013-11-05 US US14/759,739 patent/US9405020B2/en active Active
- 2013-11-05 WO PCT/JP2013/079914 patent/WO2014109116A1/ja active Application Filing
- 2013-11-05 EP EP17175327.0A patent/EP3240031B1/en active Active
- 2013-11-05 CN CN201380070006.XA patent/CN104903971B/zh active Active
- 2013-11-05 KR KR1020157018040A patent/KR102059230B1/ko active IP Right Grant
- 2013-11-05 EP EP13871088.4A patent/EP2945166B1/en active Active
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Also Published As
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|---|---|
| EP3240031A1 (en) | 2017-11-01 |
| EP2945166B1 (en) | 2018-02-28 |
| JP6133059B2 (ja) | 2017-05-24 |
| KR102059230B1 (ko) | 2019-12-24 |
| EP2945166A4 (en) | 2016-07-20 |
| EP2945166A1 (en) | 2015-11-18 |
| KR20150103042A (ko) | 2015-09-09 |
| US20150355342A1 (en) | 2015-12-10 |
| WO2014109116A1 (ja) | 2014-07-17 |
| JP2014134430A (ja) | 2014-07-24 |
| CN104903971B (zh) | 2017-08-18 |
| EP3240031B1 (en) | 2019-07-10 |
| US9405020B2 (en) | 2016-08-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |