CN101013711A - 成像设备、放射线成像设备及其制造方法 - Google Patents

Abstract

提供了一种成像设备，包括以二维方式设置在绝缘基板上的多个像素，每个像素包括转换元件和薄膜晶体管；该光电转换元件设置在薄膜晶体管之上，其中用作层间绝缘膜的绝缘膜插入转换元件与薄膜晶体管之间；通过设置在绝缘膜中的接触孔使薄膜晶体管的源电极或漏电极与光电转换元件彼此连接。该成像设备具有其中通过激光束照射移除接触孔部分从而断开了转换元件与用作薄膜晶体管的源电极或漏电极的导电层之间的电连接的像素。

Description

成像设备、放射线成像设备及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种成像设备，其中分别具有开关元件如薄膜晶体管(TFT)和用于将光信号转换为电信号的转换元件的多个像素以二维方式排列，还涉及一种使用该成像设备和闪烁器的放射线成像设备。此外，本发明涉及一种使用将放射线转换为电信号的转换元件的放射线成像设备。另外，本发明涉及一种制造该成像设备和放射线成像设备的方法。

背景技术

近年来，其中在绝缘基板上形成了作为开关元件的TFT的TFT矩阵面板的扩大得到了迅猛的发展。此外，利用开关元件和传感器元件的面传感器的技术也已付诸实施。在作为成像设备使用的面传感器中，像素按照矩阵形式排列，在每个像素中TFT和作为光电转换元件的转换元件配成一对。在面传感器用作放射线成像设备的情况下，在作为成像设备的面传感器上设置将放射线转换为落入可以被光电转换元件感测到的波长带宽中的诸如可见光或红外光的光的闪烁器；由用作光电转换元件的转换元件对来自闪烁器的光进行光电转换。作为放射线成像设备的面传感器包括使用TFT和转换元件的面传感器，该转换元件由将放射线直接转换为电信号的半导体转换材料制成。

至于上述成像设备和放射线成像设备，转换元件的灵敏度的增强和开关元件的驱动速度也得到了提高。为了实现高的灵敏度和高的速度，理想地，其中将转换元件设置在开关元件上或者与开关元件连接的布线上的层叠结构像素。

在日本专利申请公开文献H11-097660中描述了具有前述层叠结构的像素的成像设备。

到此为止，在形成TFT之后形成转换元件的层叠结构成像设备或层叠结构放射线成像设备中，提出了在像素中产生缺陷的情况下，通过激光束电隔离缺陷像素，从而在不影响周围像素的情况下移除该缺陷像素。

在美国专利公开文本2004-159794(日本专利申请公开文献2004-179645)的说明书中作为传统例子公开的成像设备或放射线成像设备中，半导体转换元件设置在开关元件上。此外，描述了该成像设备或放射线成像设备按照以下方式形成：在激光束照射的区域内移除转换元件的部分电极。

此外，在对应的TFT上为转换元件的下部电极配备了开口。结果在像素的转换元件中引起缺陷的情况下，通过将激光束穿过对应开口照射到TFT上，将TFT与该转换元件电隔离。

在美国专利公开文本2004-159794(日本专利申请公开文献2004-179645)中公开的成像设备或放射线成像设备中，配置半导体转换元件的下部电极和第二半导体层按照避开对应TFT的上侧的方式设置。由于TFT既没有覆盖下部电极也没有覆盖第二半导体层，在进行该移除时增强了TFT部分的可见性，由此可以对准而不会将要移除的部分与错误的部分混淆。

发明内容

在美国专利公开文本2004-159794(日本专利申请公开文献2004-179645)中公开的配置降低了对入射到用作开关元件的TFT的上侧的光的电荷收集效率。这是因为即使光进入TFT上部的非晶硅层，由于以下原因还是会降低转换元件的功能：

(1)在非晶硅层的上部和底部，施加了非晶硅耗尽电压的区域和没有施加非晶硅耗尽电压的区域混杂在一起。

(2)产生了不能通过作为转换元件的独特电极工作的下部电极收集电荷的区域。

(3)此外，在移除用于开关元件上的转换元件的非晶硅的情况下，在该开关元件上完全废除光电转换元件所拥有的功能，从而降低了灵敏度。

在这种情况下，当转换元件的下部电极和非晶硅层层叠在开关元件上时，极度地降低了开关元件的可见性。结果在转换元件中引起缺陷的情况下，即使为了电隔离缺陷部分而试图通过将激光束等照射到开关元件上来将转换元件与对应的开关元件分隔开，还是无法执行稳定的加工。因此TFT损坏，从而引起栅电极和源电极和/或漏电极之间的短路。

因此，需要这样一种方法，即使在转换元件中引起缺陷，也以稳定且精确的方式将该缺陷电隔离，而不损坏对应的开关元件，同时保持转换元件放置在TFT上并确保用于转换元件的给定孔径比的配置。因此，本发明的目的是提供一种可以容易地移除并具有高孔径比的成像设备。

提供了一种按照本发明的成像设备，其中多个像素设置在绝缘基板上，所述多个像素中的每一个都包括：源电极和漏电极的薄膜晶体管；设置在薄膜晶体管之上的转换元件；以及设置在薄膜晶体管与转换元件之间的绝缘膜，其中所述多个像素包括：其中通过设置在绝缘膜中的接触孔使薄膜晶体管的源电极或漏电极与转换元件彼此连接的像素；以及其中与薄膜晶体管的源电极或漏电极电连接的转换元件、绝缘膜和导电层被一同移除从而断开了薄膜晶体管与转换元件之间的电连接的像素。

按照本发明的放射线成像设备使用该成像设备，并且其特征在于在转换元件上设置了用于将放射线转换为光的闪烁器。

此外，提供了一种按照本发明的放射线成像设备，其中多个像素设置在绝缘基板上，每个像素具有将放射线转换为电信号的转换元件和与该转换元件连接的开关元件；该转换元件设置在开关元件之上，其间插入了层间绝缘膜；通过设置在层间绝缘膜中的接触孔部分，开关元件和转换元件彼此连接。该放射线成像设备的特征在于，该多个像素包括其中移除了接触孔部分从而断开了转换元件与开关元件之间的连接的像素。

此外，按照本发明的一种成像设备的制造方法，在该成像设备中，多个像素设置在绝缘基板上，每个像素具有将光信号转换为电信号的转换元件和与该转换元件连接的开关元件；该转换元件设置在开关元件之上，其间插入了层间绝缘膜；通过设置在层间绝缘膜中的接触孔部分，开关元件和转换元件彼此连接，该方法的特征在于，通过在该多个像素的一部分中移除每个接触孔来断开转换元件与开关元件之间的连接。

此外，按照本发明的辐射成像系统的特征在于包括：该放射线成像设备；信号处理装置，用于处理来自放射线成像设备的信号；记录装置，用于记录来自信号处理装置的信号；显示装置，用于显示来自信号处理装置的信号；传送装置，用于传送来自信号处理装置的信号；以及放射线产生源，用于产生放射线。

在本申请中提及的放射线包括粒子射线如α射线或β射线、X射线和γ射线。

按照本发明，即使在转换元件中引起缺陷，开关元件和转换元件仍然以稳定且精确的方式彼此电隔离，同时保持用于转换元件的给定孔径比，由此提高了制造成像设备或放射线成像设备时的产出率。因此，可以便宜而稳定地提供成像设备和放射线成像设备。

下面参照附图对示例性实施例的描述将使本发明的其它特征变得明显。

附图说明

图1A是按照本发明的第一实施例的像素在还没有进行通过激光束的修理的情况下的横截面图。

图1B是按照本发明的第一实施例的像素在已经进行通过激光束的修理的情况下的横截面图。

图2A是按照本发明的第一实施例的像素的平面图。

图2B是按照本发明的第一实施例的像素外观的平面图。

图2C是图1A所示像素在该像素中设置了具有大致平均膜厚度的第二绝缘层的情况下的外观的平面图。

图3是用于按照本发明第一实施例的成像设备的简化等价电路图。

图4A是按照本发明的第一实施例的像素在还没有进行通过激光束的修理的情况下的横截面图。

图4B是按照本发明的第一实施例的像素在已经进行通过激光束的修理的情况下的横截面图。

图5是按照本发明的第一实施例的像素的横截面图。

图6是示出设置按照本发明的第一实施例的像素的放射线成像设备的视图。

图7A是按照本发明的第二实施例的像素的平面图。

图7B是按照本发明的第二实施例的像素外观的平面图。

图8是按照本发明的第二实施例的像素的平面图。

图9A是按照本发明的第二实施例的仅TFT部分的平面图，并示出了接触孔基座部分的已移除部分。

图9B是按照本发明的第二实施例的仅TFT部分的平面图，其具有形状不同于图9A所示的源电极或漏电极，并示出了接触孔基座部分的已移除部分。

图9C是图9A所示TFT部分在已移除接触孔基座部分的情况下的视图。

图9D是图9B所示TFT部分在已移除接触孔基座部分的情况下的视图。

图10示出了说明将按照本发明的放射线成像设备应用于X射线诊断系统的例子的示意图。

具体实施方式

下面参照附图具体说明本发明的实施例。

在下面的每一个实施例中，将着重说明配置放射线成像设备的情况；然而，本发明不限于将放射线转换为电信号的放射线成像设备，而是也可以应用于将诸如可见光或红外光的光转换为电信号的成像设备。

[第一实施例]

首先说明本发明的第一实施例。

图1A和1B分别是作为按照本发明第一实施例的成像设备的放射线成像传感器面板的像素的横截面图；在该像素中，TFT、层间绝缘膜和转换元件按照该顺序层叠在基板上。图1A是还没有进行激光束修理的情况下的横截面图；图1B是已经进行了激光束修理的情况下的横截面图。

图2A至2C分别示出了具有图1A和1B的横截面结构的像素的顶视图结构。图2A是平面图；图2B是通过反射型光学显微镜观察具有图1A所示的横截面结构的像素情况下的假想外部视图。此外，图2C是通过反射型光学显微镜观察具有图1A所示横截面结构并且用没有扁平特性的绝缘层作第二绝缘层6的像素的假想外部视图。在此，图1A是该像素沿着图2A的平面1A-1A获得的横截面视图。

在按照第一实施例的放射线成像设备中使用的转换元件是将诸如可见光或红外光的光转换为电信号的元件(用作光电转换元件)，或者将放射线如粒子射线(例如α射线和β射线、X射线或γ射线)转换为电信号的元件。在使用不直接转换放射线、而将光(如可见光)转换为电信号的转换元件(光电转换元件)的情况下，在转换元件上设置将放射线转换为落入可以被转换元件感测的波长带宽中的诸如可见光或红外光的光的闪烁器(未示出)。在下面的描述中，将着重说明使用将光转换为电信号的转换元件(光电转换元件)的情况。

如图1A所示，在按照第一实施例的放射线成像设备的像素中，形成在基板上并用作开关元件的薄膜晶体管(TFT)具有用作栅电极的第一导电层1、用作栅极绝缘层的第一绝缘层2和用作沟道部分的第一半导体层3。此外，TFT具有用作欧姆接触层的第一杂质半导体层4和用作源电极和漏电极的第二导电层5。

此外，用作光电转换元件的转换元件配置为MIS(金属绝缘半导体)型元件，包括用作下部电极的第三导电层7、第三绝缘层8、用作光电转换层的第二半导体层9、第二杂质半导体层10、透明并用作上部电极的第四导电层11、用作偏压线的第五导电层12。附图标记13表示保护层。

在转换元件是用于将放射线直接转换为电信号的元件的情况下，用可以将放射线直接转换为电信号的材料作第二半导体层9。此外，可以采用以杂质半导体层代替第三绝缘层8的配置。此外，第四导电层11不必是半透明的，由此不需要使用具有比较高电阻值的透明导电层；因此可以省略第五导电层。

转换元件设置在TFT之上，其中第二绝缘层6插入它们之间，由此确保高孔径比。通过图2A至2C所示的接触孔部分26，将转换元件的下部电极与作为开关元件的TFT的漏电极连接，其中该下部电极由第三导电层7形成，该漏电极由第二导电层5形成。

在第一实施例中，在异物侵入转换元件或者出现光刻缺陷的情况下，转换元件与开关元件电隔离，由此防止相邻元素受到不利影响，因此该基板可以用作均匀体。因此通过将激光束照射到激光束照射区域14上以移除膜，使转换元件与开关元件电隔离。可以想到，在异物侵入转换元件或出现光刻缺陷的情况下，通过激光束移除作为开关元件的TFT的源电极或漏电极。然而，在如图1A所示的转换元件设置在TFT之上的配置中，通过该转换元件吸收显微镜光；因此，不能识别源电极或漏电极的位置，由此可能置于错误的加工位置。如果将TFT的高度差轮廓(level-difference contour)转移到转换元件上，则可以利用反射光识别源电极或漏电极的位置。然而，如果如图1A所示第二绝缘层6是具有扁平特性的绝缘膜(通过回流工艺形成的有机扁平膜)，或者是通过CMP扁平化的膜，则TFT的高度差轮廓不转移到转换元件上；因此，即使利用反射光也难以识别该位置。

与此相反，如图1A和2B所示，当通过显微镜光观察该外部轮廓时，将转换元件与TFT连接的接触孔部分使得可以容易地识别该高度差部分。接触孔部分是转换元件和TFT之间的连接部分；因此，通过照射激光束以移除膜，可以容易地隔离电连接而不会置于错误的加工位置。

图1B是在激光束已实际上照射到图1A所示的激光照射区域14上并且移除了膜之后的情况下的像素的横截面视图。如图1B所示，可以断开作为开关元件的TFT与转换元件的连接。然而实际上，已通过激光束移除的膜可能再次粘附在处理过的横截面上。因此，当第二绝缘层6的膜厚度很小时，再次粘附的导电膜可能在由第三导电层7形成的转换元件的下部电极和由第二导电层5形成的TFT的漏电极之间产生短路。因此，第二绝缘层6的膜厚度越大，隔离效果就越好；因此，尽管取决于介电常数，实际上理想的是，在激光束照射区域14的附近，第二绝缘层6的膜厚度等于或大于1.0μm。此外，在转换元件的下部电极不需要是低阻抗的情况下，可以通过将下部电极的膜厚度减小到例如0.1μm或更小而减少下部电极中要通过激光束移除的量；结果，可以减少在照射激光束之后再次粘附的膜的量，由此隔离效果更好。

在图1A和1B中，用MIS型的转换元件作为具有光电转换功能的转换元件(光电转换元件)；然而，也可以使用PIN型的转换元件。通过在光电转换元件上形成用于将放射线转换为落入可以被光电转换元件感测的波长带宽中的诸如可见光和红外光的光的闪烁器如CsI，可以配置放射线成像设备。此外，转换元件的电隔离层8可以由杂质半导体层代替，并且用于半导体层9的材料可以从用作光电转换材料的非晶硅变为将放射线直接转换为电信号的材料，如非晶硒、碘化铅和碲化镉。在这种情况下，可以在不提供任何闪烁器的情况下配置放射线成像设备。

就作为开关元件的TFT而言，使用底部栅极、间隙蚀刻型的TFT；然而，也可以使用蚀刻阻止器型的TFT、顶部栅极型的TFT或LDD结构多晶硅TFT。

此外，可以用具有扁平特性的有机扁平膜，如聚酰亚胺或丙烯酸膜、通过回流工艺制造的绝缘膜、通过有机硅系统硅氧烷材料气体制造的CVD膜、掺杂硼磷的氧化物膜等等作第二绝缘层6。此外，可以使用非扁平膜，如通过等离子CVD形成的氮化硅膜或氧化硅膜。

图2A是图1A所示的像素的平面图。TFT24和转换元件25配成对；实践中，以矩阵方式排列多个图2A所示的像素。

TFT24、与TFT24连接的栅极线21和信号线22设置在转换元件25下面。转换元件24的上部电极与偏压线23连接。通过将转换元件设置在TFT24和该布线之上，可以确保用于转换元件25的、充足的孔径比；结果，该转换元件可以具有很高的灵敏度。

图2B是图1A所示的横截面结构的假想外部视图。如图2B所示，在通过反射型光学显微镜观察图1A所示的横截面结构的像素时，无法以光学方式识别TFT24和与TFT24连接的各布线。此外，当如图1A所示，用具有扁平特性的绝缘膜作第二绝缘层6时，TFT24的轮廓被绝缘膜扁平化，由此也无法识别高度差轮廓。

假定异物例如在制造过程中粘附于在上部形成的转换元件，从而产生缺陷。在这种情况下，即使为了断开TFT24与转换元件25的连接而需要通过激光束移除TFT24的源电极或漏电极或者布线，以电隔离缺陷部分，因为上述原因还是无法确定激光束照射的位置。由于上述原因等，在按照将转换元件设置在TFT24之上的方式配置的成像设备和放射线成像设备中，需要通过激光束移除很容易从上面识别的部分。

因此，将激光束照射到图2B的接触孔部分26上以分隔该连接部分的方法是在加工位置提供超精度并使得TFT24和转换元件25能够稳定且彼此电隔离的加工方法。

在这种情况下，如上所述，图1A所示的第二绝缘层6的膜厚度越大，TFT24和转换元件25就越容易彼此电隔离。此外，通过扩大第二绝缘层6的膜厚度，可以减小在转换元件25和TFT24之间形成的电容的容量，由此可以降低成像设备或放射线成像设备中的噪声。此外，通过扩大第二绝缘层6的膜厚度，可以提高接触孔部分26在通过反射型光学显微镜识别的外表中的外部对比度；因此进一步有利于在照射激光束时的位置识别。

图2C是在第二绝缘层6不具有扁平特性的情况下通过反射型光学显微镜观察的、图1A中横截面结构的假想外部视图。即使在这种情况下，由于TFT24中的高度差异，很难以光学方式识别TFT24和与TFT24连接的各布线；然而，由于该识别限于检测导电层的边缘，因此降低了检测每一部分的位置的精度，由此激光束照射位置不稳定。

如上所述，由于以下原因，膜厚度越大，则图1A所示的第二绝缘层6越好：

(1)为了防止由于已移除的膜的重新粘附而在激光照射之后形成短路

(2)为了减小在TFT24和转换元件25之间形成的电容的容量，以提供低噪声的转换元件

(3)为了提高通过反射型光学显微镜进行的位置识别的精度

因此，理想地，第二绝缘层6的膜厚度等于或大于1.0μm。因此，即使在如图2C所示第二绝缘层6不具有扁平特性的情况下，也很容易检测具有大绝对高度差异的接触孔部分26的位置。因此，通过用激光束移除接触孔部分26，可以稳定地电隔离缺陷部分。

图3是用于成像设备的简化等价电路图，包括分别具有图1A的横截面结构的像素。

图3是用于按照本发明的成像设备的简化等价电路图。在基板50上，像素以矩阵形式排列，在每个像素中，用作开关元件的TFT24和用作光电转换元件的转换元件25配成对。此外，与TFT24连接的栅极线21和信号线22以及与转换元件25连接的偏压线23分别与栅极驱动电路单元52、信号处理电路单元51和公共电极驱动电路单元53连接。通过对由栅极驱动电路单元52控制的栅极线21施加TFT导通电压，可以将振幅与在可见光通过未示出的闪烁器进入成像设备时所产生的载波的数量成正比的信号传送给信号处理电路单元51。按照施加恒定电位的方式控制与公共电极驱动电路单元53连接的偏压线23。此外，在转换元件25是MIS型的光电转换元件的情况下，通过控制施加到偏压线23的电位，可以移除积累的空穴和电子。在转换元件25是将放射线直接转换为电信号的元件的情况下，不在转换元件上设置闪烁器。此外，转换元件可以具有诸如蜂窝的其它形状，而不是具有图2A至2C所示的四边形状。此外，图3示出了以矩阵方式排列、每一个都包括转换元件和交换元件的像素；然而，该排列只需要是二维，例如，该排列可以是蜂窝形状的。至于闪烁器，可以将诸如CsI的闪烁器材料直接设置在保护层13上，或者可以将在碳板或碳膜上设置的诸如CsI的闪烁器层粘附在如图1A和1B所示的放射线成像传感器面板上，其中粘附层插在它们之间。

图6是示出放射线成像设备的例子的视图，其中使用按照本发明的像素，在像素上设置将放射线转换为光(如可见光)的闪烁器54，栅极驱动电路单元52和信号处理电路单元51设置在像素的周围部分。未示出的公共电极驱动电路单元53设置在放射线成像设备的、设置了信号处理电路单元51的一侧。在用将放射线转换为光(如可见光)的元件作为转换元件的情况下，不需要闪烁器54。

下面说明不同于图1A和图1B所示的激光束照射区域例子。

图4A是与图1A中的像素相同的像素的横截面视图，示出了激光束照射区域14小于图1A中所示的例子；图4A示出了激光束照射之前的横截面视图，而图4B示出了激光束照射之后的横截面视图。图5是示出激光束照射区域大于图1B所示的情况下的例子的横截面视图。此外，用相同的附图标记表示与图1中相同的组成部分，并省略其说明。

如图4A所示，当激光束照射区域变窄并移除了接触孔部分26的锥形部分上的膜时，位于已经移除了膜的位置的TFT部分与转换元件之间的距离D变小；因此如图4B所示，已移除的膜可能作为重新粘附膜15而粘附。在这种情况下，可以想到，即使移除了该膜，仍然会因为重新粘附膜15而形成电短路，由此导致产出率下降。因此，理想地，使原来通过第二绝缘膜确保的、TFT与转换元件之间的距离足够大，而在接触孔部分26的难以控制距离的部分、尤其是在接触孔部分的锥形部分上不进行激光束膜移除。如上所述，理想地，第二绝缘膜的膜厚度等于或大于1.0μm；第二绝缘膜的膜厚度越大，就越容易通过激光束膜移除来使TFT与转换元件彼此电隔离。此外，理想地，按照要移除的接触孔部分26包括其锥形部分的方式进行该移除。

图5是沿着与图1A所示情况相同平面获得的横截面图，其中激光束照射区域14比图1A中的更宽，而且TFT漏电极的膜确实已被移除。因此，尽管通过激光束移除的膜的量增加，但是剩余漏电极的面积减少，由此即使例如产生已移除膜的重新粘附，也会减小在TFT与转换元件之间形成短路的可能性，从而提高产出率。

如上所述，通过用激光束移除连接TFT与转换元件的接触孔部分26中的膜，即使在该转换元件中产生了缺陷，也能将该缺陷电隔离，从而可以在不影响相邻的像素的情况下执行加工。

[第二实施例]

首先，说明本发明的第二实施例。

图7A至9D分别示出了用作按照本发明第二实施例的成像设备的放射线成像传感器面板的像素的平面图。

图7A和7B分别示出了按照本发明第二实施例的顶视图结构；图7A是平面图，而图7B是具有图7A所示的顶视图结构的像素在通过反射型光学显微镜观察该像素的情况下的假想外部视图。图8是示出激光束照射区域的视图。

图9A至9D分别是图7A所示像素的仅TFT部分的平面图；图9A是普通TFT的平面图，而图9B是另一例子中的TFT的平面图。

图7A示出了其中转换元件25和作为开关元件的两个TFT34、37配成一组的像素。与第一栅极线31和信号线22连接的第一TFT34将转换元件25中累积的电荷传送给设置在放射线成像传感器面板的外围部分中的信号处理电路单元51。第二TFT37通过复位线33向转换元件25施加复位电位。附图标记38表示与第二TFT37的栅电极连接的第二栅极线。转换元件25设置在第一TFT34和第二TFT37之上，其间插有层间绝缘膜。第一接触孔部分36连接转换元件25与第一TFT34；第二接触孔部分39连接转换元件25与第二TFT37。

图7B是图7A所示像素在通过反射型光学显微镜观察该像素的情况下的假想外部视图。因为可见光被设置在上部的转换元件吸收，所以无法识别第一TFT34、第二TFT37和与TFT34、37连接的各布线的位置。此外，当用具有扁平特性的扁平膜作为设置在转换元件25和第一、第二TFT34、37之间的层间绝缘膜时，无法识别TFT的高度差异；因此，如图7B所示，无法识别TFT和布线的位置。

在这种情况下，当由于异物的侵入而在转换元件25中引起缺陷时，需要使TFT和转换元件25彼此电隔离。为此，如图8所示，通过将激光束照射到作为激光束照射区域14的第一和第二接触孔部分36、39以移除配置转换元件25和TFT的膜，可以使TFT和转换元件25彼此电隔离。在第二实施例中，由于两个TFT与转换元件25连接，并且存在第一和第二接触孔部分36、39，因此各激光束照射到两个部分。然而在这点上，还可以用公共导电层形成第一TFT的漏电极和第二TFT的漏电极，并将该公共导电层在单个接触孔部分处与转换元件25连接；在这种情况下，只需要移除该单个接触孔部分。

图9A至9D分别示出了图7A所示TFT的源电极或漏电极的形状，以及TFT的源电极或漏电极与激光束照射部分14之间的关系。尽管在该图中未示出，实际上光电转换元件设置在TFT的源电极或漏电极和激光束照射部分14之上。

图9A是图7A所示TFT的源电极和漏电极的形状发生改变的图，图9B是该TFT的源电极或漏电极的形状发生改变的图。此外，图9C和9D是图9A和9B中的激光束照射区域14已分别被激光束加工的图。

如图9A所示，在这种情况下，对于激光束照射区域，移除了在接触孔部分处连接的整个基座部分。通过移除接触孔基座部分中的所有膜，即使已在激光束加工中移除的膜再次粘附，转换元件和TFT也可以进一步稳定地彼此隔离。然而在这点上，只要转换元件和TFT可以彼此隔离，可以留下接触孔基座部分中的部分膜。

接下来，图9B中具有与图9A中的不同的形状的源电极或漏电极按照这样的方式形成：在照射激光束以移除整个接触孔基座部分之后，在已移除区域的末端暴露的金属膜的横截面长度变短。图9C和9D是在已经进行了加工的情况下的图；在图9D中，在加工末端部分暴露的、TFT的源电极或漏电极的横截面长度大约等于图9C中的一半到三分之一。结果，即使在照射激光束以移除膜的情况下已被移除的膜再次粘附，也可以降低重新粘附膜在TFT和设置在上部的未示出转换元件25之间形成短路的可能性。此外，尽管在图中未示出，为了降低形成短路的可能性，理想地，在激光束照射区域14附近，在TFT和转换元件25之间形成的层间绝缘膜的厚度等于或大于1.0μm。此外，理想地，按照移除包括其锥形部分的接触孔部分26的方式进行激光束照射。

[第三实施例]

图10示出了按照本发明的放射线成像设备应用于X射线诊断系统的例子。

如图10所示，在用作放射线产生源的X射线管6050中产生的X射线6060穿透患者或对象6061的胸肌区6062，然后进入在其顶部安装有闪烁器(磷)的放射线成像设备6040。入射X射线包括患者6061的体内信息。响应于X射线的入射，闪烁器发射光；该光被光电转换从而获得电信息。该信息转换为数字信号，然后由用作信号处理装置的图像处理器6070进行图像处理，由此可以在位于控制室并用作显示器的显示装置6080上观察该信息。

此外，该信息可以通过传送装置如电话线6090传送到远处。此外，该信息可以在安装于例如位于其它地方的医生室并用作显示器的显示装置6081上显示，或者可以存储在诸如光盘的记录装置上，由此医生可以在远处进行诊断。此外，该信息可以通过用作记录装置的胶片处理器6100记录在用作记录介质的胶片6110上。

虽然参照示例性实施例描述了本发明，但是应当理解，本发明不限于所公开的示例性实施例。所附权利要求的范围与最宽泛的解释一致，从而涵盖所有修改和等价结构与功能。

Claims (10)

1.一种成像设备，包括：

设置在绝缘基板上的多个像素，所述多个像素中的每一个都包括：

具有源电极和漏电极的薄膜晶体管；

设置在薄膜晶体管之上的转换元件；以及

设置在薄膜晶体管与转换元件之间的绝缘膜，

其中所述多个像素包括：其中通过设置在绝缘膜中的接触孔使薄膜晶体管的源电极或漏电极与转换元件彼此连接的像素；以及其中与薄膜晶体管的源电极或漏电极电连接的转换元件、绝缘膜和导电层被一同移除从而断开了薄膜晶体管与转换元件之间的电连接的像素。

2.根据权利要求1所述的成像设备，其中所述断开像素中的薄膜晶体管与转换元件之间的电连接是通过移除所述接触孔内部分的至少一部分而实现的。

3.根据权利要求2所述的成像设备，其中所述电连接断开的像素具有接触孔部分，其中该接触孔的锥形部分被移除。

4.根据权利要求2所述的成像设备，其中在所述电连接断开的像素中，移除了接触孔部分和邻接所述源电极或漏电极的接触孔部分的至少一部分区域。

5.根据权利要求1所述的成像设备，其中所述薄膜晶体管包括：信号发送薄膜晶体管，用于发送来自转换元件的电信号；以及复位薄膜晶体管，用于复位光电转换元件。

6.一种放射线成像设备，包括：

根据权利要求1所述的成像设备；以及

设置在转换元件上的闪烁器，用于将放射线转换为光。

7.一种包括根据权利要求1所述的成像设备的放射线成像设备，其中所述光电转换元件是用于将放射线直接转换为电荷的元件。

8.一种成像设备制造方法，包括：

像素形成方法，用于形成设置在绝缘基板上的多个像素，该像素形成方法包括以下步骤：

形成薄膜晶体管；

在薄膜晶体管上形成绝缘膜；

在该绝缘膜中形成接触孔；以及

在该绝缘膜上形成转换元件，并通过接触孔连接该薄膜晶体管与转换元件，

缺陷像素识别步骤，用于在所述多个像素中识别缺陷像素；

接触孔识别步骤，用于在该缺陷像素中识别接触孔；以及

断开连接步骤，用于通过移除缺陷像素中的接触孔的至少一部分来断开转换元件与薄膜晶体管之间的连接。

9.一种放射线成像设备制造方法，包括：

根据权利要求8所述的成像设备制造方法；以及

移除所述接触孔部分、然后在转换元件上设置用于将放射线转换为光的闪烁器的步骤。

10.一种放射线成像系统，包括：

根据权利要求6或7所述的放射线成像设备；

信号处理装置，用于处理来自放射线成像设备的信号；

记录装置，用于记录来自信号处理装置的信号；

显示装置，用于显示来自信号处理装置的信号；

传送装置，用于传送来自信号处理装置的信号；以及放射线产生源，用于产生放射线。

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