JP2018004590A - シンチレータ、シンチレータパネル、放射線検出器、およびシンチレータの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】実施形態に係るシンチレータは、基板の上に設けられ、タリウム賦活ヨウ化セシウムを含む第1層と、前記第1層の上に設けられ、タリウム賦活ヨウ化セシウムを含む第2層と、を有している。
EBSD法を用いて求められた、前記基板の面に垂直な方向と、前記第2層に含まれる結晶の[001]方位との間の角度の度数分布曲線において、測定点の数が最大値の半分になる時の角度と、前記測定点の数が最大になる時の角度との差が2.4°以下である。
【選択図】図5
Description
すなわち、柱状結晶は、発生した光の透過経路となる。そのため、ライトガイド効果を高めるために、直径寸法の小さい柱状結晶からなる層をシンチレータの基板側に設ける技術が提案されている。直径寸法の小さい柱状結晶からなる層をシンチレータの基板側に設ければ、基板の近傍における結晶方位の乱れを抑制することができる。
そこで、ライトガイド効果の向上を図ることができるシンチレータの開発が望まれていた。
EBSD法を用いて求められた、前記基板の面に垂直な方向と、前記第2層に含まれる結晶の[001]方位との間の角度の度数分布曲線において、測定点の数が最大値の半分になる時の角度と、前記測定点の数が最大になる時の角度との差が2.4°以下である。
また、本発明の実施形態に係るシンチレータは、X線のほかにもγ線などの各種放射線に適用させることができる。ここでは、一例として、放射線の中の代表的なものとしてX線に係る場合を例にとり説明をする。したがって、以下の実施形態の「X線」を「他の放射線」に置き換えることにより、他の放射線にも適用させることができる。
図1は、本実施の形態に係るシンチレータパネル50を例示するための模式断面図である。
図2は、本実施の形態に係るシンチレータ5を例示するための模式断面図である。
なお、図中の矢印は、[001]方位を表している。
シンチレータパネル50には、基板51、防湿体52、およびシンチレータ5が設けられている。
ここで、シンチレータにはナトリウム賦活ヨウ化セシウム(CsI:Na)を含むものもある。しかしながら、シンチレータパネル50やX線検出器1などのように大気中で用いられる機器に設けられたシンチレータがナトリウム賦活ヨウ化セシウムを含んでいると、時間の経過とともにナトリウムの濃度が低下して感度特性が低下するおそれがある。
この場合、タリウムの蒸気圧はヨウ化セシウムの蒸気圧よりも高いので、第1層5aを加熱処理する際にタリウムの濃度を調整することができる。すなわち、第1層5aにおけるタリウムの濃度を高くして加熱処理を開始し、加熱処理における加熱によりタリウムの濃度が適切な範囲内となるようにすることができる。
なお、ナトリウムの蒸気圧はヨウ化セシウムの蒸気圧と同等なので、ナトリウム賦活ヨウ化セシウムを含むシンチレータとすれば、加熱処理する際にナトリウムの濃度を調整することができない。
そのため、シンチレータ5は、タリウム賦活ヨウ化セシウムを含むものとしている。
第1層5aは、タリウム賦活ヨウ化セシウムを含む。第1層5aのタリウムの濃度は、第2層5bのタリウムの濃度よりも高い。第1層5aにおけるタリウムの濃度(後述する加熱処理後のタリウムの濃度)は3wt%以下となっている。後述する様に、第1層5aにおけるタリウムの濃度を3wt%以下とすれば、第2層5bにおいて柱状結晶同士の合体、または異常成長(結晶が柱状にならず、樹枝状になる)が生じ難くなる。この場合、第1層5aにおけるタリウムの濃度を2wt%以下とすれば、第2層5bにおいて柱状結晶同士の合体、又は異常成長がさらに生じ難くなる。
第2層5bは、タリウム賦活ヨウ化セシウムを含む。第2層5bにおけるタリウムの濃度は、0.05wt%以上とすることができる。タリウムの濃度を0.05wt%以上とすれば、ピーク波長が550nm程度の蛍光を発生させることができる。柱状結晶の太さ寸法は、最表面で3μm〜10μm程度とすることができる。
なお、シンチレータ5の厚み寸法は、例えば、600μm程度とすることができる。
ヨウ化セシウムの柱状結晶は、CsCl型の結晶である。そのため、図3に示すように、立方体の単位胞にCsイオンが配置され、Iイオンが8つの角に配置された構造となっている。真空蒸着法によりシンチレータ5を形成すると、この単位胞が基板51(アレイ基板1)の垂直上方および平面方向に複数形成されて、ファイバープレート構造のシンチレータ5が形成される。
なお、図中の矢印は、[001]方位を表している。
図4は、第1層5aを設けずに、第2層5bに相当する複数の柱状結晶を基板51上に直接設けた場合である。
図4に示すように、複数の柱状結晶を基板51上に直接設けると、前述した理想的なファイバープレート構造を有するシンチレータは得られない。その要因としては、真空蒸着中における柱状結晶の結晶方位のばらつきが考えられる。
すなわち、図5は、適切なタリウムの濃度を有する第1層5aの上に第2層5bを設けた場合である。なお、図5は、第1層5aにおけるタリウムの濃度が2wt%の場合である。
図6は、比較例に係るシンチレータ15に含まれている複数の柱状結晶を例示するための電子顕微鏡写真である。
すなわち、図6は、適切なタリウムの濃度を有する第1層5aを設けずに、複数の柱状結晶を基板51上に直接設けた場合である。
そのため、ライトガイド効果の向上を図ることができる。
これに対して、図6から分かるように、適切なタリウムの濃度を有する第1層5aが設けられていなければ、柱状結晶同士の合体が生じ易くなる。
図8(a)、(b)は、比較例に係るシンチレータ15に含まれている複数の柱状結晶における[001]方位のずれを例示するためのグラフ図である。
図7(a)、(b)、図8(a)、(b)は、結晶方位をEBSD(Electron Backscattered Diffraction)法により測定したものである。すなわち、図7(a)、(b)は、EBSD法を用いて求められた、基板51(アレイ基板2)の面に垂直な方向と、第2層5bに含まれる結晶の[001]方位との間の角度の度数分布曲線である。図8(a)、(b)は、EBSD法を用いて求められた、基板51(アレイ基板2)の面に垂直な方向と、シンチレータ15に含まれている複数の柱状結晶における[001]方位との間の角度の度数分布曲線である。
図7(a)と図8(a)は、基板51(アレイ基板2)の面から50μm上方の位置において測定を行った結果である。
図7(b)と図8(b)は、シンチレータ5(シンチレータ15)の上端から50μm下方の位置において測定を行った結果である。
例えば、測定点の数が最大値の半分になる時の角度θ2と、ピーク角度θ1との差θに基づいて、結晶方位のばらつきを評価することができる。この場合、測定点の数が最大値の半分になる時の角度θ2と、ピーク角度θ1との差θが小さくなるほど、柱状結晶が延びる方向が揃っていることを意味する。柱状結晶が延びる方向が揃っていれば、柱状結晶同士の合体が生じるのを抑制することができるので、ライトガイド効果の向上を図ることができる。
図8(a)、(b)においては、測定点の数が最大値の半分になる時の角度θ2と、ピーク角度θ1との差θが7°程度となっている。
そのため、測定点の数が最大値の半分になる時の角度θ2と、ピーク角度θ1との差θが2.4°以下となるようにすれば、柱状結晶同士の合体が生じるのを効果的に抑制することができる。
例えば、図8(a)において、ピーク角度θ1は2°となっているが、これは多くの柱状結晶が基板面に垂直な方向に対して2°傾いていることを意味している。図7(a)の場合には、ピーク角度θ1は0°となっている。これは多くの柱状結晶が基板面に垂直な方向に延びていることを意味している。そのため、柱状結晶同士の合体が生じるのを抑制することができるので、ライトガイド効果の向上を図ることができる。
タリウム賦活ヨウ化セシウムを含むシンチレータ5は、使用条件により、いわゆるゴースト現象(焼きつき現象、メモリー効果などとも称される)が起こる場合がある。ゴースト現象は、被写体に対して複数回X線を照射することにより発生する。例えば、1回目のX線の照射により得られた画像が、2回目のX線の照射により得られた画像にぼんやりと重なって見える場合がある。この様な状態は、ゴースト現象と呼ばれている。また、1回目のX線の照射による情報が、2回目のX線の照射にまで保存されたということから、メモリー効果と呼ぶこともある。
なお、ゴースト現象は、X線照射をやめた後に発生する寿命の長い発光のことを指す残像やアフターグローとは区別される。
以上のように、シンチレータのタリウムの濃度をパラメータに取ると、ゴースト現象の抑制とX線耐性がトレードオフの関係となり、両者を同時に解決する工夫が必要であった。
これに対して、図2に例示をした本実施の形態に係るシンチレータ5は、図4に例示をした比較例に係るシンチレータ15に比べて結晶格子の欠陥が少ないと言える。
例えば、加熱処理を施した比較例に係るシンチレータ15では、60秒後の感度ゴーストは0.014、感度ゴースト残存率(5分後の感度ゴースト/1分後の感度ゴースト)は0.45であった。
これに対して、加熱処理を施した本実施の形態に係るシンチレータ5では、60秒後の感度ゴーストは0.010、感度ゴースト残存率(5分後の感度ゴースト/1分後の感度ゴースト)は0.42となり、ゴースト現象の抑制を図ることができた。
シンチレータ5の製造には、シンチレータ形成装置100を用いることができる。
図9は、シンチレータ形成装置100を例示するための模式図である。
図9に示すように、シンチレータ形成装置100には、チャンバ101、第1のるつぼ102、第2のるつぼ103、シャッター104、および回転機構105が設けられている。
第1のるつぼ102、第2のるつぼ103、および回転機構105は、チャンバ101の内部に設けられている。
回転機構105は、基板51(アレイ基板2)を回転させる。
第2のるつぼ103には、所定の量のタリウムが収納される。
第1のるつぼ102および第2のるつぼ103は、基板51(アレイ基板2)と対向するように設けられている。
シャッター104は、第1のるつぼ102および第2のるつぼ103と、基板51(アレイ基板2)との間に設けられている。
まず、基板51(アレイ基板2)の一方の面に第1層5aを成膜する。
すなわち、基板51(アレイ基板2)の一方の面に、タリウム賦活ヨウ化セシウムを含む第1層5aを形成する。
図示しないポンプによりチャンバ101の内部のガスを排気して、内部圧力が5×10−4Pa程度となるようにする。
回転機構105により基板51(アレイ基板2)を回転させる。この際、基板51(アレイ基板2)の温度が80℃以下となるようにする。
第1のるつぼ102に収納されたヨウ化セシウム、および第2のるつぼ103に収納されたタリウムの蒸発が安定した場合には、シャッター104を除去する。ヨウ化セシウムの蒸気とタリウムの蒸気がチャンバ101の内部の空間で混合され、混合された蒸気が基板51(アレイ基板2)の表面に到達する。
すなわち、第1層5aを大気圧よりも減圧された雰囲気で加熱する。
基板51(アレイ基板2)の温度が80℃以下の状態で形成された第1層5aは、結晶性を有さない。そのため、加熱処理を行うことで、柱状結晶を所望の結晶方位に揃えるようにする。
第1層5aの加熱処理は、例えば、既知のベーキング炉などを用いて行うことができる。
この場合、圧力は10−3Pa程度、加熱温度は120℃程度〜200℃、加熱時間は0.5時間〜5時間程度とすることができる。
ところが、一般的に行われる加熱処理においては、加熱温度が200℃〜450℃程度とされる。そのため、光電変換素子2b1が破損するおそれがある。また、一般的に行われる加熱処理においては、200℃近傍で24時間程度加熱する必要がある。
このことは、タリウムにより、ヨウ化セシウムの結晶の融点が低下することが関係していると考えられる。タリウム賦活ヨウ化セシウムにおいては、タリウムの濃度が1wt%増加すると、ヨウ化セシウムの結晶の融点が約10℃程度低下する。例えば、純粋なヨウ化セシウムの結晶の融点は621℃であるが、タリウムの濃度が1wt%増加する毎に融点が10℃程度低下する。
本発明者の得た知見によれば、加熱処理前の第1層5aにおけるタリウムの濃度を1.2wt%以上とすれば、加熱温度を200℃以下にすることができる。また、加熱時間も5時間程度とすることができる。
この場合、タリウムの蒸気圧はヨウ化セシウムの蒸気圧よりも高いので、第1層5aを加熱処理する際にタリウムの濃度を調整することができる。すなわち、第1層5aを形成した際のタリウムの濃度(加熱処理前の第1層5aにおけるタリウムの濃度)を5wt%以上とし、加熱処理により第1層5aにおけるタリウムの濃度が3wt%以下、好ましくは2wt%以下となるようにする。
そのため、加熱処理後の第1層5aにおけるタリウムの濃度は、1.5wt%以下とすることがさらに好ましい。
なお、加熱処理後の第1層5aにおけるタリウムの濃度は、加熱温度と加熱時間により制御することができる。
すなわち、加熱処理された第1層5aの上に、タリウム賦活ヨウ化セシウムを含む第2層5bを形成する。
第1層5aの形成と同様に、第2層5bは、シンチレータ形成装置100を用いて形成することができる。
基板51(アレイ基板2)の温度は、例えば、80℃以下とすることができる。
第1のるつぼ102の温度は、例えば、700℃程度とすることができる。
第2のるつぼ103の温度は、例えば、410℃程度とすることができる。
第2層5bの厚みは、例えば、600μm程度とすることができる。
以上の様にすることで、第1層5aおよび第2層5bを有するシンチレータ5を製造することができる。
シンチレータ5の加熱処理は、例えば、大気中や窒素ガス雰囲気中において行うことができる。シンチレータ5の加熱処理は、例えば、既知のアニール炉などを用いて行うことができる。
加熱温度は、例えば、200℃程度とすることができる。加熱時間は、例えば、5時間程度とすることができる。
シンチレータ5の加熱処理を行うことで、60秒後の感度ゴーストを0.012から0.010に改善することができた。感度ゴースト残存率(5分後の感度ゴースト/1分後の感度ゴースト)を0.52から0.42に改善することができた。
図10は、本実施の形態に係るX線検出器1を例示するための模式斜視図である。
なお、煩雑となるのを避けるために、図1においては、保護層2f、反射層6、防湿体7、接合層8などを省いて描いている。
図11は、X線検出器1の模式断面図である。
なお、煩雑となるのを避けるために、図2においては、回路基板3、画像伝送部4などを省いて描いている。
放射線検出器であるX線検出器1は、放射線画像であるX線画像を検出するX線平面センサである。X線検出器1は、例えば、一般医療用途などに用いることができる。ただし、X線検出器1の用途は、一般医療用途に限定されるわけではない。
アレイ基板2は、基板2a、光電変換部2b、制御ライン(又はゲートライン)2c1、データライン(又はシグナルライン)2c2、配線パッド2d1、配線パッド2d2および保護層2fを有する。
光電変換部2bは、基板2aの一方の表面に複数設けられている。
光電変換部2bは、矩形状を呈し、複数の制御ライン2c1と複数のデータライン2c2とで画された領域に設けられている。複数の光電変換部2bは、マトリクス状に並べられている。
なお、1つの光電変換部2bは、1つの画素(pixel)に対応する。
また、光電変換部2bには、光電変換素子2b1において変換した信号電荷を蓄積する図示しない蓄積キャパシタを設けることができる。
薄膜トランジスタ2b2は、蛍光が光電変換素子2b1に入射することで生じた電荷の蓄積および放出のスイッチングを行う。薄膜トランジスタ2b2のゲート電極は、対応する制御ライン2c1と電気的に接続される。薄膜トランジスタ2b2のソース電極は、対応するデータライン2c2と電気的に接続される。薄膜トランジスタ2b2のドレイン電極は、対応する光電変換素子2b1と図示しない蓄積キャパシタとに電気的に接続される。
回路基板3には、図示しない読み出し回路、および図示しない増幅・変換回路が設けられている。
読み出し回路は、薄膜トランジスタ2b2のオン状態とオフ状態を切り替える。
積分アンプは、光電変換部2bからの画像データ信号S2を順次受信する。積分アンプは、一定時間内に流れる電流を積分し、その積分値に対応した電圧を並列−直列変換回路へ出力する。並列−直列変換回路は、電位情報へと変換された画像データ信号S2を順次直列信号に変換する。アナログ−デジタル変換回路は、直列信号に変換された画像データ信号S2をデジタル信号に順次変換する。
画像構成部4は、X線画像を構成する。画像構成部4は、アナログ−デジタル変換回路によりデジタル信号に変換された画像データ信号S2に基づいて、X線画像信号を作成する。作成されたX線画像信号は、画像構成部4から外部の機器に向けて出力される。
反射層6は、シンチレータ5の表面側(X線の入射面側)を覆うように設けられている。反射層6は、蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善するために設けられる。反射層6は、例えば、酸化チタン(TiO2)などの光散乱性粒子を含む樹脂をシンチレータ5上に塗布することで形成することができる。
基板2a上の複数の光電変換部2bが設けられた領域Aに前述したシンチレータパネル50を接合することもできる。この場合、シンチレータパネル50の、基板51側とは反対側の面を領域Aに接合する。シンチレータパネル50は、例えば、光学両面テープ(Optical Clear Adhesive Tape)、光学接着剤、光学ジェルなどを用いて領域Aに接合することができる。
領域Aにシンチレータパネル50を接合する場合には、反射層6および防湿体7を省略することができる。
Claims (7)
- 基板の上に設けられ、タリウム賦活ヨウ化セシウムを含む第1層と、
前記第1層の上に設けられ、タリウム賦活ヨウ化セシウムを含む第2層と、
を有し、
EBSD法を用いて求められた、前記基板の面に垂直な方向と、前記第2層に含まれる結晶の[001]方位との間の角度の度数分布曲線において、測定点の数が最大値の半分になる時の角度と、前記測定点の数が最大になる時の角度との差が2.4°以下であるシンチレータ。 - 前記第1層のタリウムの濃度は、前記第2層のタリウムの濃度よりも高い請求項1記載のシンチレータ。
- 前記第1層のタリウムの濃度は、3wt%以下である請求項1または2に記載のシンチレータ。
- 放射線を透過させる基板と、
前記基板の上に設けられた請求項1〜3のいずれか1つに記載のシンチレータと、
を備えたシンチレータパネル。 - 複数の光電変換素子を有する基板と、
前記基板の前記複数の光電変換素子が設けられた領域の上に設けられた請求項1〜3のいずれか1つに記載のシンチレータ、または、請求項4に記載のシンチレータパネルと、
を備えた放射線検出器。 - 基板の一方の面に、タリウム賦活ヨウ化セシウムを含む第1層を形成する工程と、
前記第1層を大気圧よりも減圧された雰囲気で加熱する工程と、
前記加熱された第1層の上に、タリウム賦活ヨウ化セシウムを含む第2層を形成する工程と、
を備えたシンチレータの製造方法。 - 前記第1層を加熱する工程において、加熱温度が200℃以下とされる請求項6記載のシンチレータの製造方法。
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