JP2018107343A - 放射線撮像装置、その製造方法および撮像システム - Google Patents

放射線撮像装置、その製造方法および撮像システム Download PDF

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知貴 小松
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Hisashiro Saruta
尚志郎 猿田
石井 孝昌
Takamasa Ishii
孝昌 石井
知昭 市村
Tomoaki Ichimura
知昭 市村
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Tomoyuki Oike
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Abstract

【課題】2つのセンサパネルを備える放射線撮像装置において、それらの配線部の接続を適切に実現するのに有利な技術を提供する。【解決手段】放射線撮像装置は、第1基板上に第1放射線撮像部が配された第1パネルと、第2基板上に第2放射線撮像部が配された第2パネルとを備え、前記第1パネルと前記第2パネルとは、前記第1基板の上面に対する平面視において互いに重なる領域と互いに重ならない領域との双方を有するように、且つ、前記第1放射線撮像部の少なくとも一部と前記第2放射線撮像部の少なくとも一部とが前記平面視において前記重なる領域に位置するように、配されており、前記第1パネルは、前記平面視において前記第2パネルとは重ならない領域に、前記第1放射線撮像部から信号を読み出すための第1配線部が接続される第1接続部を有し、前記第2パネルは、前記平面視において前記第1パネルとは重ならない領域に、前記第2放射線撮像部から信号を読み出すための第2配線部が接続される第2接続部を有する。【選択図】図6

Description

本発明は、放射線撮像装置、その製造方法および撮像システムに関する。
放射線撮像装置のなかには、同一の被写体について2つの画像データを取得し、それらの差分に基づいて1つの放射線画像を形成する処理を可能にするものがある。具体的には、2つの画像データは互いに異なる放射線量の下で取得され、所定の係数を用いてそれらの差分をとることにより所望の対象部位を観察し、又は、係数を変えることにより観察対象を(例えば臓器から骨に)変更することができる。このような画像処理は、エネルギーサブトラクション処理等と称される。
特開2010−101805号公報
特許文献1には、互いに平行に配置された2つのセンサパネルを備える放射線撮像装置の構造が記載されており、特許文献1によれば、この構造により、2つの画像データを一度に取得することが可能となる。
ところで、各センサパネルには、その端部領域において、画像データを読み出すための配線部(例えばCOF)が接続され固定される。この固定は、例えば、圧着で貼り合わせること等によって実現され、所定の冶具を用いて為されうる。
しかしながら、特許文献1の構造によれば、一方のセンサパネルについて配線部の固定を行う際に、この固定に用いる冶具と他方のセンサパネルとの干渉等が生じ、この固定を適切に実施することが難しい場合がある。また、一方のセンサパネルにおいて配線部が剥離した場合にその配線部を再固定する際にも、同様の問題が生じる場合がある。
本発明の目的は、2つのセンサパネルを備える放射線撮像装置において、それらの配線部の接続を適切に実現するのに有利な技術を提供することにある。
本発明の一つの側面は放射線撮像装置にかかり、前記放射線撮像装置は、第1基板上に第1放射線撮像部が配された第1パネルと、第2基板上に第2放射線撮像部が配された第2パネルとを備え、前記第1パネルと前記第2パネルとは、前記第1基板の上面に対する平面視において互いに重なる領域と互いに重ならない領域との双方を有するように、且つ、前記第1放射線撮像部の少なくとも一部と前記第2放射線撮像部の少なくとも一部とが前記平面視において前記重なる領域に位置するように、配されており、前記第1パネルは、前記平面視において前記第2パネルとは重ならない領域に、前記第1放射線撮像部から信号を読み出すための第1配線部を接続するように構成された第1接続部を有し、前記第2パネルは、前記平面視において前記第1パネルとは重ならない領域に、前記第2放射線撮像部から信号を読み出すための第2配線部を接続するように構成された第2接続部を有することを特徴とする。
本発明によれば、2つのセンサパネルを備える放射線撮像装置において、それらの配線部の接続を適切に実現することができる。
放射線撮像装置の構成の参考例を説明するための図である。 参考例の構造のバリエーションを説明するための図である。 参考例の構造において配線部の固定を行う際の態様の例を説明するための図である。 参考例の構造において配線部が剥離した場合の態様の例を説明するための図である。 参考例の構造において配線部の固定を行う際の態様の例を説明するための図である。 実施形態に係る放射線撮像装置の構成の例を説明するための図である。 実施形態に係る放射線撮像装置の構造、及び、この構造において配線部の固定を行う際の態様の例を説明するための図である。 実施形態に係る放射線撮像装置の構造、及び、この構造において配線部の固定を行う際の態様の例を説明するための図である。 実施形態に係る放射線撮像装置の構造、及び、この構造において配線部の固定を行う際の態様の例を説明するための図である。 撮像システムの構成例を説明するための図である。
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明する。なお、各図は、構成ないし構造を説明する目的で記載された模式図に過ぎず、図示された各部材の寸法は必ずしも現実のものを反映するものではない。また、各図において、同一の部材または同一の構成要素には同一の参照番号を付しており、以下、重複する内容については説明を省略する。
(参考例)
本発明のいくつかの実施形態を説明するに先立って、本発明の理解を容易にするため、図1〜5を参照しながら参考例を述べる。図1(a)は、参考例として、放射線撮像装置1Rの構造を示す斜視図である。放射線撮像装置1Rは、互いに平行に配された2つのセンサパネル11及び12を備える。
一方のセンサパネル11は、本参考例では、2つのセンサパネル11及び12のうちの上方側の1つである。センサパネル11は、基板110および放射線撮像部111を有する。基板110には、本参考例ではガラス基板が用いられるが、他の例としてプラスチック基板が用いられてもよく、基板110は公知の絶縁材料で構成されればよい。本参考例では、基板110(又は、センサパネル11)は、平面視において矩形形状を有する。なお、本明細書において、「平面視」とは、基板110の上面(又はそれと平行な面)に対する平面視をいい、この上面と垂直な方向での正射影と表現されてもよい。
放射線撮像部111は、アモルファスシリコン等を用いて基板110上に設けられる。本参考例では、放射線撮像部111は、基板110上に行列状に(複数の行および複数の列を形成するように)配された複数の放射線検出素子を含む。本参考例では、センサパネル11は間接変換方式(放射線を光に変換し、その光を電気信号に変換することにより放射線を検出する方式)で放射線撮像を行うパネルである。本参考例では、各放射線検出素子にPINセンサが用いられるが、他の例として、MISセンサ等の公知の光電変換素子が用いられてもよい。或いは、他の例として、センサパネル11は、支持基板上に1以上のCCD/CMOSイメージセンサチップを配置して構成されてもよい。
また、本参考例では、各放射線検出素子は、上記電気信号を読み出すための1以上の薄膜トランジスタに接続されて単一の画素を形成し、放射線撮像部111は画素アレイとも表現されうる。或いは、放射線撮像部111はセンサアレイと表現されてもよい。
詳細は後述とするが、基板110の端部では複数の配線部141が接続される。本参考例では、配線部141には、COF(Chip On Film(Flexible))が用いられる。他の例として、FPC(Flexible Print Circuit)やTAB(Tape Automated Bonding)等の他の可撓性の配線が、配線部141として用いられてもよい。
他方のセンサパネル12は、本参考例では、2つのセンサパネル11及び12のうちの下方側の1つであり、センサパネル12は、上述のセンサパネル11同様の構成を有する。センサパネル12は、基板110に対応する基板120と、放射線撮像部111に対応する放射線撮像部121とを有する。また、詳細は後述とするが、センサパネル11同様、基板120の端部では複数の配線部142が接続される。
また、平面視において、放射縁撮像部111の放射線検出素子の個々と、放射縁撮像部121の放射線検出素子の個々とは、互いに重なる。
本参考例では不図示とするが、放射線撮像装置1Rは、各放射線検出素子を駆動するための駆動部(垂直走査回路等)、及び、各放射線検出素子から電気信号を読み出すための読出部(信号増幅器、サンプリング回路、水平走査回路等)を更に備える。これら駆動部および読出部は、センサパネル11については、配線部141を介して外部に(基板110上ではない他の位置に)配される。前述のとおり、本参考例では、配線部141にCOFが用いられる。よって、上記駆動部および読出部の一方もしくは双方は、配線部141及び142にそれぞれ配され、又は、それらの機能の一部もしくは全部は、配線部141及び142上で実現されうる。なお、他の例として、上記駆動部および読出部を、基板110上の隣り合う2辺(それらの間で角を形成する2辺)にそれぞれ沿って設けることも可能である。以上のことは、センサパネル12についても同様である。
放射線撮像装置1Rは、センサパネル11とセンサパネル12との間に配されたフィルタ13を更に備える。フィルタ13には、装置1Rに対して照射された放射線のエネルギーの一部を吸収する板材ないし薄膜が用いられる。フィルタ13には、例えばランタノイドを用いた材料(具体的には、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム等)が用いられる。これと共に又はこれに代替して、ランタノイドの化合物が用いられてもよいし、ランタノイド及び/又はその化合物の粒子が添加された樹脂が用いられてもよい。
放射線は、図1(a)において上方側から照射される。即ち、不図示の被写体(被検者)はセンサパネル11側に配され又は横臥し、被写体を透過(通過)した放射線は、まず、センサパネル11に入射し、検出される。その後、センサパネル11及びフィルタ13を透過した放射線がセンサパネル12に入射し、検出される。
上述の構成によれば、センサパネル11及び12により、1回の放射線撮影で一度に2つの画像データを取得することができる。このとき、センサパネル12に入射する放射線量(強度)は、フィルタ13で放射線のエネルギーの一部が吸収されるため、センサパネル11に入射する放射線量よりも小さくなる。よって、センサパネル11から得られる画像データと、センサパネル12から得られる画像データとは、いずれも同一の被写体についての画像情報を示すが、それらの間にはデータ値(信号値)に差が生じる。そして、これら2つの画像データを用いてエネルギーサブトラクション処理を行うことが可能となる。具体的には、これら2つの画像データに対して所定の係数を用いて演算処理を行うことによって検査対象の部位を観察することができ、また、この係数を変えることによって観察対象を他の部位に変更することもできる。
図1(b)は、放射線撮像装置1Rの上面図である。配線部141と配線部142とは、平面視において互いに重ならないように配される。本参考例では、基板110の外縁(又は、センサパネル11の外縁)と基板120の外縁(又は、センサパネル12の外縁)とは互いに実質的に重なっている。そして、複数の配線部141は、平面視において、基板110の隣り合う2辺のそれぞれに沿って配される。また、複数の配線部142は、平面視において、基板120の隣り合う2辺であって複数の配線部141が配された基板110の上記2辺とは重ならない2辺のそれぞれに沿って配される。
図1(b)から分かるように、平面視において、各配線部141は、基板120の外縁より内側になる部分を有し、また、各配線部142は、基板110の外縁より内側になる部分を有する。即ち、基板110の端部に配された各配線部141の一部は、基板120と重なり、また、基板120の端部に配された各配線部142の一部は、基板110と重なる。図中では、各配線部142のうち基板110と重なっている部分を破線で示す。
なお、前述のとおり、他の例として、放射線撮像部111及び121は、それぞれ、複数の放射線検出素子の他、各放射線検出素子を駆動するための駆動部、及び、各放射線検出素子から電気信号を読み出すための読出部を更に含んでもよい。その場合、複数の配線部141が配された2辺の一方に沿って駆動部が配され、他方に沿って読出部が配され、同様に、複数の配線部142が配された2辺の一方に沿って駆動部が配され、他方に沿って読出部が配されればよい。
センサパネル11及び12は、それぞれ、表面照射型の構成をとってもよいし、裏面照射型の構成をとってもよい。図2(a)〜(c)は、図1(b)における線X−Xでの断面図を、参考例の第1〜第3の例として示す。
図2(a)に示される第1の例の放射線撮像装置1R(区別のため、「1R」とする)では、センサパネル11及び12は、いずれも表面照射型の構成を有する。具体的には、センサパネル11は、基板110上に放射線撮像部111を覆うように配された保護膜112と、保護膜112の上に配されたシンチレータ113と、保護膜112及びシンチレータ113を覆う保護膜114とを更に有する。また、センサパネル12は、基板120上に放射線撮像部121を覆うように配された保護膜122と、保護膜122の上に配されたシンチレータ123と、保護膜122及びシンチレータ123を覆う保護膜124とを更に有する。そして、センサパネル11及び12は、基板110及び放射線撮像部111に対してシンチレータ113が放射線の入射側に位置し、且つ、基板120及び放射線撮像部121に対してシンチレータ123が放射線の入射側に位置するように、それぞれ配される。即ち、センサパネル11及び12は、シンチレータ113と基板120との間に基板110及びシンチレータ123が位置するように、配される。また、フィルタ13は、基板110と保護膜124との間に配され、不図示の接着剤(例えば、アクリル系の粘着樹脂)を介して、センサパネル11及び12を互いに結合(固定)する。
このような構成によれば、センサパネル11では、被検者を透過した放射線は、シンチレータ113で光に変換され、この光は放射線撮像部111で検出され、それにより画像データが得られる。また、センサパネル12では、センサパネル11及びフィルタ13を透過した放射線が、シンチレータ123で光に変換され、この光は放射線撮像部121で検出され、それにより画像データが得られる。
シンチレータ113及び123には、放射線を受けて光を発生する蛍光体材料が用いられる。典型的な例として、CsI:Tl(タリウム添加ヨウ化セシウム)等が、シンチレータ113及び123の材料として用いられる。シンチレータ113及び123は、真空蒸着装置を用いて形成される(条件:圧力10-5[Pa]程度、温度180[℃]程度)。
保護膜112及び122には、センサパネル11及び12の上面をそれぞれ保護するのに有利であり且つ光透過性を有する材料が用いられる。これにより、シンチレータ113及び123からの光は、それぞれ、保護膜112及び122を透過して放射線撮像部111及び121に入射する。典型的な例として、シリコーン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、エポキシ系樹脂、パラキシリレンやアクリル等の有機物質を含む樹脂等が、保護膜112及び122の材料として用いられる。
保護膜114及び124には、シンチレータ113及び123の潮解をそれぞれ防止するのに有利であり且つ光反射性を有する材料が用いられる。これにより、保護膜114は、シンチレータ113で発生した光を放射線撮像部111に向けて反射し、また、保護膜124は、シンチレータ123で発生した光を放射線撮像部121に向けて反射する。典型的な例として、Ag、Cu、Au、Al、Ni等の金属薄膜に樹脂のフィルムを貼り合わせたものが、保護膜114及び124として用いられる。樹脂の材料には、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、塩化ビニル、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、アクリル等が用いられる。保護膜114及び124は、それぞれ、ラミネート加工により、シンチレータ113及び123の上面と側面とを覆うように形成される(条件:温度85〜95[℃]程度、圧力4[hPa]以下)。また、保護膜114及び124は、更に接着層を含み、この接着層には、例えば、ポリイミド系、エポキシ系、ポリオレフィン系、ポリエステル系、ポリウレタン系、ポリアミド系のホットメルト樹脂が用いられる。この接着層により、保護膜114及び124は、それぞれ、端部において圧着で固定されている。
センサパネル11は、基板110端部において接続部115を更に有する。配線部141は、接続部115において固定され、放射線撮像部111との間での信号の授受または放射線撮像部111への電力供給を可能に構成される。同様に、センサパネル12は、基板120端部において接続部125を更に有し、配線部142は、接続部125において固定され、放射線撮像部121との間での信号の授受または放射線撮像部121への電力供給を可能に構成される。接続部115及び125は、ここでは電極パッドであるが、外部の配線との電気接触を実現するものであればよい。
図2(b)に示される第2の例の放射線撮像装置1R(区別のため、「1R」とする)では、センサパネル12は表面照射型の構成を有する(第1の例同様)のに対して、センサパネル11は裏面照射型の構成を有する。具体的には、センサパネル11は、基板110及び放射線撮像部111に対してシンチレータ113が放射線の入射側とは反対側に位置するように配され、即ち、第1の例と比べて上下が反転した形で配される。即ち、センサパネル11及び12は、基板110と基板120との間にシンチレータ113及びシンチレータ123が位置するように、配される。この場合、フィルタ13は、保護膜114と保護膜124の間に配され、接着剤を介してセンサパネル11及び12を互いに結合する。
このような構成によれば、センサパネル11では、被検者を透過した放射線は、基板110及び放射線撮像部111を透過してシンチレータ113に入射し、シンチレータ113で光に変換される。そして、この光は、保護層114により放射線撮像部111に向かって反射され、放射線撮像部111で検出され、それにより画像データが得られる。センサパネル12については、第1の例同様である。
図2(c)に示される第3の例の放射線撮像装置1R(区別のため、「1R」とする)では、センサパネル11は表面照射型の構成を有する(第1の例同様)のに対して、センサパネル12は裏面照射型の構成を有する(第2の例のセンサパネル11同様)。具体的には、センサパネル12は、第1の例と比べて上下が反転した形で配される。即ち、センサパネル11及び12は、シンチレータ113とシンチレータ123との間に基板110及び基板120が位置するように、配される。この場合、フィルタ13は、基板110と基板120との間に配され、接着剤を介してセンサパネル11及び12を互いに結合する。
このような構成によれば、センサパネル11では、第1の例同様にして画像データが得られる。そして、センサパネル12では、センサパネル11及びフィルタ13を透過した放射線が、基板120及び放射線撮像部121を透過してシンチレータ123に入射し、シンチレータ123で光に変換される。そして、この光は、保護層124により放射線撮像部121に向かって反射され、放射線撮像部121で検出され、それにより画像データが得られる。
ところで、上述の放射線撮像装置1R〜1Rを製造するのに際して、以下に例示される困難が生じる可能性がある。
図3(a)は、上記第1の例に対応し、放射線撮像装置1Rの製造時において、配線部141を接続部115に接続し固定する工程、及び、配線部142を接続部125に接続し固定する工程をそれぞれ行う様子を示す。なお、ここでは説明のため、これらの工程を行う様子を同時に図示するが、これらの工程は、互いに異なるタイミングで順に為されうる。
配線部141の接続部115への固定、及び、配線部142の接続部125への固定は、1つの例として、圧着で張り合わせることにより実現される(条件:温度180[℃]程度、圧力3[MPa]程度)。例えば、配線部141を接続部115に圧着により固定する場合、一般には、圧着ヘッド21を配線部141に押しつけ、その際、基板110(特に、固定対象である接続部115とは反対側の部分)をバックアップ部材22により支持することが好ましい。しかしながら、第1の例では、バックアップ部材22がセンサパネル12と干渉してしまう。また、例えば、配線部142を接続部125に圧着により固定する場合、一般には、圧着ヘッド21を配線部142に押しつけ、その際、基板120(特に、固定対象である接続部125とは反対側の部分)をバックアップ部材22により支持することが好ましい。しかしながら、第1の例では、圧着ヘッド21がセンサパネル11と干渉してしまう。
このことは、上記第2〜第3の例においても同様である。図3(b)〜(c)は、それぞれ上記第2〜第3の例に対応し、放射線撮像装置1R〜1Rの製造時において、配線部141を接続部115に接続し固定する工程、及び、配線部142を接続部125に接続し固定する工程を行う様子を、図3(a)同様に示す。第2の例では、配線部141を接続部115に圧着により固定する際に、圧着ヘッド21がセンサパネル12と干渉してしまい、また、配線部142を接続部125に圧着により固定する際に、圧着ヘッド21がセンサパネル11と干渉してしまう。また、第3の例では、配線部141を接続部115に圧着により固定する際に、バックアップ部材22がセンサパネル12と干渉してしまい、また、配線部142を接続部125に圧着により固定する際に、バックアップ部材22がセンサパネル11と干渉してしまう。
よって、上記第1〜第3の例のいずれにおいても、接続部115及び125に対する配線部141及び142の圧着をそれぞれ適切に実現することができない可能性がある(十分な圧力を加えることができない可能性がある。)。このことは、配線部141及び/又は142の剥離の原因となる可能性がある。
図4(a)は、第1の例において、配線部141及び142に剥離が発生し、修復が必要になった場合の様子を示している。図4(b)は、第2の例において、配線部141及び142に剥離が発生し、修復が必要になった場合の様子を示している。なお、ここでは説明を省略するが、第3の例においても同様である。
また、上記剥離が発生した箇所に対して再び圧着を行う場合にも同様のことが生じ得、他の冶具を用いて修復処理を行う際においても、その冶具のセンサパネル11又は12との干渉が同様に生じうる。
図5(a)〜(b)は、それぞれ、第1〜第2の例において、冶具30を用いて樹脂31及び32を形成し、配線部141及び142が固定された接続部115及び125をそれぞれ樹脂31及び32により封止する態様を示す。樹脂31は、配線部141及び接続部115を覆うように形成され、また、樹脂32は、配線部142及び接続部125を覆うように形成される。
しかしながら、図5(a)〜(b)の例では、冶具30がセンサパネル11と干渉してしまう可能性があり、このことは、封止処理を困難にする原因となりうる。
なお、このことは、前述の圧着による固定に代替して、配線部141及び142をそれぞれ接続部115及び125に接触させた状態で、それらをそれぞれ樹脂31及び32により固定する場合においても、上記冶具30の干渉が生じる可能性がある。その他、所定の締結具を用いて配線部141及び142を物理的に固定する場合においても同様である。
以下、いくつかの実施形態を参照しながら、配線部141及び142をそれぞれ接続部115及び125に適切に接続し固定することを実現可能にする放射線撮像装置(以下、放射線撮像装置1とする。)を述べる。なお、以下では、理解を容易にするため上記参考例と異なる点に着目して説明するものとし、ここで省略される内容は、適宜、上記参考例の内容に準拠するものとする。
(第1実施形態)
図6(a)は、本実施形態に係る放射線撮像装置1(後述の他の実施形態との区別のため「装置1」とする。)の構造を示す斜視図であり、図6(b)は、放射線撮像装置1の上面図である。本実施形態は、主に、センサパネル11及び12が、相対的にシフトした位置関係になるように配される、という点で前述の参考例と異なる。
具体的には、センサパネル11及び12は、いずれも矩形形状を有しており、互いに対角方向にシフトするように配される。対角方向とは、矩形形状における或る角から、それとは反対側の角に向かう方向である。本実施形態では、図6(b)を参照すると、平面視において、複数の配線部141が配された基板110の隣り合う2辺が形成する角C1は、複数の配線部142が配された基板120の隣り合う2辺が形成する角C2に対して、対角方向に位置する。そして、センサパネル11及び12は、これら角C1及びC2が互いに離れる方向に所定距離だけシフトして配されている。これにより、平面視において、各配線部141は基板120とは重ならないし、また、各配線部142は基板110とは重ならない。
また、平面視において、放射線撮像部111は、基板110上において偏心するように予め設けられ、即ち、複数の配線部141が配された基板110の隣り合う2辺から離れるように位置する。同様に、放射線撮像部121は、基板120上において偏心するように予め設けられ、即ち、複数の配線部142が配された基板120の隣り合う2辺から離れるように位置する。これにより、平面視において、放射縁撮像部111及び121が互いに重なるようにセンサパネル11及び12を配置した場合、各配線部141が基板120と重ならず且つ各配線部142が基板110と重ならないようにすることができる。
前述のとおり、放射縁撮像部111及び121は、それぞれ、行列状に配された複数の放射線検出素子を含む。放射縁撮像部111の放射線検出素子の個々は、平面視において、放射縁撮像部121の放射線検出素子の個々と重なる。これにより、センサパネル11から得られた画像データを構成する各画素値を、センサパネル12から得られた画像データを構成する各画素値に適切に関連付けることができ、エネルギーサブトラクション処理により放射線画像を適切に取得可能となる。
他の実施形態として、放射線撮像部111は基板110上の中央部に配され且つ放射線撮像部121は基板120上の中央部に配されてもよい。即ち、放射線撮像部111及び121はそれぞれ基板110及び120上において偏心していなくてもよい。この場合、平面視において、センサパネル11及び12は、放射線撮像部111(の複数の放射線検出素子)の一部と、放射線撮像部121(の複数の放射線検出素子)の一部とが互いに重なるように、互いに対角方向にシフトして配されればよい。また、この場合、センサパネル11及び12から得られた2つの画像データのうち、それぞれ放射線撮像部111及び121の上記互いに重なった一部に対応する部分を用いて、エネルギーサブトラクション処理を行えばよい。この例によれば、公知の構造のセンサパネルを2つ用いることが可能となる。
図7(a)は、図6(b)における線X−Xでの断面図を示す。本実施形態では、放射線撮像装置1において、センサパネル11及び12は、いずれも表面照射型の構成をとる。前述の第1の例(図2(a)参照)との関係では、本実施形態は主に以下の点で異なる。即ち、センサパネル11は、平面視において、センサパネル12と重なる領域R1と、センサパネル12とは重ならない領域R2との双方を有する。また、センサパネル12は、平面視において、センサパネル11と重なる領域R1と、センサパネル11とは重ならない領域R2との双方を有する。そして、接続部115は、基板110の基板120とは重ならない領域R2に設けられ、また、接続部125は、基板120の基板110とは重ならない領域R2に設けられる。
放射線撮像装置1は、以下の手順で得られる。まず、センサパネル11及び12をそれぞれ準備した後、平面視において、それらが互いに重なる領域R1と、それらが互いに重ならないR2及びR2とが形成されるように、それらを平行に配置し結合する。ここで、接続部115は領域R2に位置し、接続部125は領域R2に位置する。センサパネル11及び12の間には、フィルタ13が配置され、接着剤を介してセンサパネル11及び12を結合する。その後、領域R2において配線部141を接続部115に接続し、また、領域R2において配線部142を接続部125に接続する。
図7(b)は、本実施形態について、配線部141を接続部115に圧着で固定する工程、及び、配線部142を接続部125に圧着で固定する工程をそれぞれ行う様子を示す。本実施形態によれば、配線部141の接続部115への固定を圧着により行う場合、センサパネル11のセンサパネル12と重ならない領域R2に接続部115が設けられているため、バックアップ部材22のセンサパネル12との干渉を防ぐことができる。同様に、配線部142の接続部125への固定を圧着により行う場合、センサパネル12のセンサパネル11と重ならない領域R2に接続部125が設けられているため、圧着ヘッド21のセンサパネル11との干渉を防ぐことができる。よって、図7(c)に示されるように、仮に配線部141及び/又は142の剥離が発生し、修復が必要になった場合でも、圧着ヘッド21及びバックアップ部材22を用いて圧着により再固定する際には上記干渉を防ぐことできる。
図7(d)は、冶具30を用いて樹脂31及び32を形成し、配線部141及び142が固定された接続部115及び125をそれぞれ樹脂31及び32により封止する場合の態様を示す。本実施形態によれば、前述の冶具30の干渉(図5(a)参照)を防ぐことが可能となる。
本実施形態によれば、2つのセンサパネル11及び12を備える放射線撮像装置1において、それらの配線部141及び142をそれぞれ接続部115及び125に対して適切に接続し固定することが可能となる。例えば、配線部141を接続部115に圧着で固定する場合、基板110の接続部115とは反対側の部分をバックアップ部材22で支持しながら、圧着ヘッド21で配線部141を接続部115に基板110の上面に対して垂直方向に押し付ける。ここで、接続部115が領域R2に設けられていることにより、バックアップ部材22のセンサパネル12との干渉を防ぐことができる。また、配線部142を接続部125に圧着で固定する場合、基板120の接続部125とは反対側の部分をバックアップ部材22で支持しながら、圧着ヘッド21で配線部142を接続部125に基板120の上面に対して垂直方向に押し付ける。ここで、接続部125が領域R2に設けられていることにより、圧着ヘッド21のセンサパネル11との干渉を防ぐことができる。更に、配線部142が固定された接続部125を樹脂32で封止する場合には、冶具30を接続部125に近接させる際、冶具30のセンサパネル11との干渉を防ぐこともできる。ここでは、圧着による固定および樹脂による封止を行う場合を例示したが、本実施形態の構成によれば、その他の如何なる固定方法を実施する場合においても、それを実現する冶具の干渉を防ぐことが可能となる。
(第2実施形態)
図8(a)〜(d)を参照しながら第2実施形態に係る放射線撮像装置1を述べる。本実施形態によっても、第1実施形態同様の効果が得られうる。
図8(a)は、放射線撮像装置1の断面図を、図7(a)同様に示す。本実施形態では、放射線撮像装置1において、センサパネル11は裏面照射型の構成をとり、センサパネル12は表面照射型の構成をとる。即ち、本実施形態は、前述の第2の例(図2(b)参照)の構成から、領域R1、R2及びR2が形成されるようにセンサパネル11及び12の相対的な位置がシフトされた形になっている。
図8(b)は、本実施形態について、配線部141を接続部115に圧着で固定する工程、及び、配線部142を接続部125に圧着で固定する工程をそれぞれ行う様子を、図7(b)同様に示す。本実施形態によれば、配線部141の接続部115への固定を圧着により行う場合、センサパネル11のセンサパネル12と重ならない領域R2に接続部115が設けられているため、圧着ヘッド21のセンサパネル12との干渉を防ぐことができる。同様に、配線部142の接続部125への固定を圧着により行う場合、センサパネル12のセンサパネル11と重ならない領域R2に接続部125が設けられているため、圧着ヘッド21のセンサパネル11との干渉を防ぐことができる。よって、図8(c)に示されるように、仮に配線部141及び/又は142の剥離が発生し、修復が必要になった場合でも、圧着ヘッド21及びバックアップ部材22を用いて圧着により再固定する際には上記干渉を防ぐことできる。
図8(d)は、冶具30を用いて樹脂31及び32を形成し、配線部141及び142が固定された接続部115及び125をそれぞれ樹脂31及び32により封止する場合の態様を、図7(d)同様に示す。本実施形態によれば、前述の冶具30の干渉(図5(b)参照)を防ぐことが可能となる。
(第3実施形態)
図9(a)〜(d)を参照しながら第3実施形態に係る放射線撮像装置1を述べる。本実施形態によっても、第1実施形態同様の効果が得られうる。
図9(a)は、放射線撮像装置1の断面図を、図7(a)同様に示す。本実施形態では、放射線撮像装置1において、センサパネル11は表面照射型の構成をとり、センサパネル12は裏面照射型の構成をとる。即ち、本実施形態は、前述の第3の例(図2(c)参照)の構成から、領域R1、R2及びR2が形成されるようにセンサパネル11及び12の相対的な位置がシフトされた形になっている。
図9(b)は、本実施形態について、配線部141を接続部115に圧着で固定する工程、及び、配線部142を接続部125に圧着で固定する工程をそれぞれ行う様子を、図7(b)同様に示す。本実施形態によれば、配線部141の接続部115への固定を圧着により行う場合、センサパネル11のセンサパネル12と重ならない領域R2に接続部115が設けられているため、バックアップ部材22のセンサパネル12との干渉を防ぐことができる。同様に、配線部142の接続部125への固定を圧着により行う場合、センサパネル12のセンサパネル11と重ならない領域R2に接続部125が設けられているため、バックアップ部材22のセンサパネル11との干渉を防ぐことができる。よって、図9(c)に示されるように、仮に配線部141及び/又は142の剥離が発生し、修復が必要になった場合でも、圧着ヘッド21及びバックアップ部材22を用いて圧着により再固定する際には上記干渉を防ぐことできる。
図9(d)は、冶具30を用いて樹脂31及び32を形成し、配線部141及び142が固定された接続部115及び125をそれぞれ樹脂31及び32により封止する場合の態様を、図7(d)同様に示す。本実施形態では、前述の冶具30の干渉が生じる可能性が低い。そのため、上記圧着により配線部141等の接続部115等への固定が適切に為された後、それらを封止すると共に、それらの剥離が発生しないように樹脂31及び32によりそれらの固定を補強することが可能である。
(変形例)
以上の内容は、実施形態及び参考例の態様に限られない。例えば、実施形態及び参考例では、各センサパネル11及び12が間接変換方式の構成を示した。しかしながら、以上の内容は、直接変換方式(放射線を直接的に電気信号に変換する方式)の構成にも適用可能である。
また、実施形態及び参考例では、配線部141又は142が平面視において基板110又は120の隣り合う2辺に沿って配された構成を示した。しかしながら、以上の内容は、配線部141又は142が互いに対向する2辺に沿って配された構成、或いは、配線部141又は142が1辺のみに配された構成にも適用可能である。
また、実施形態及び参考例では、配線部141及び142は、可撓性を有するものとして例示された。しかしながら、以上の内容は、配線部141及び142が可撓性を有しない構成(例えばリジッド配線板)の場合にも適用可能である。
(放射線撮像システム)
図10に例示されるように、上述の実施形態で述べた放射線撮像装置は、いわゆるレントゲン撮影を行うための撮像システムに適用されうる。放射線には、典型的にはX線が用いられるが、アルファ線、ベータ線等が用いられてもよい。X線チューブ610(放射線源)で発生したX線611は、被検者620(患者)の胸部621を透過し、放射線撮像装置630に入射する。装置630に入射したX線611には患者620の体内の情報が含まれており、装置630によりX線611に応じた電気的情報が得られる。この電気的情報は、ディジタル信号に変換された後、例えばイメージプロセッサ640(信号処理部)によって所定の信号処理が為される。ユーザ(医師等)は、この電気的情報に応じた放射線画像を、例えばコントロールルームのディスプレイ650(表示部)で観察することができる。ユーザは、放射線画像又はそのデータを、所定の通信手段660により遠隔地へ転送することができ、この放射線画像を、例えばドクタールーム等の他の場所のディスプレイ651で観察することもできる。また、ユーザは、この放射線画像又はそのデータを所定の記録媒体に記録することもでき、例えば、フィルムプロセッサ670によってフィルム671に記録することもできる。
(その他)
以上、いくつかの好適な態様を例示したが、本発明はこれらの例に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、その一部が変更されてもよい。また、本明細書に記載された個々の用語は、本発明を説明する目的で用いられたものに過ぎず、本発明は、その用語の厳密な意味に限定されるものでないことは言うまでもなく、その均等物をも含みうる。
1:放射線撮像装置、11:第1センサパネル、110:第1基板、111:第1放射線撮像部、115:第1接続部、141:第1配線部、12:第2センサパネル、120:第2基板、121:第2放射線撮像部、125:第2接続部、142:第2配線部。

Claims (16)

  1. 第1基板上に第1放射線撮像部が配された第1パネルと、第2基板上に第2放射線撮像部が配された第2パネルとを備え、
    前記第1パネルと前記第2パネルとは、前記第1基板の上面に対する平面視において互いに重なる領域と互いに重ならない領域との双方を有するように、且つ、前記第1放射線撮像部の少なくとも一部と前記第2放射線撮像部の少なくとも一部とが前記平面視において前記重なる領域に位置するように、配されており、
    前記第1パネルは、前記平面視において前記第2パネルとは重ならない領域に、前記第1放射線撮像部から信号を読み出すための第1配線部が接続される第1接続部を有し、
    前記第2パネルは、前記平面視において前記第1パネルとは重ならない領域に、前記第2放射線撮像部から信号を読み出すための第2配線部が接続される第2接続部を有する
    ことを特徴とする放射線撮像装置。
  2. 前記第1パネルと前記第2パネルとの間に配され、放射線を吸収するフィルタを更に備える
    ことを特徴とする請求項1に記載の放射線撮像装置。
  3. 前記第1配線部および前記第2配線部はそれぞれ可撓性を有する
    ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の放射線撮像装置。
  4. 前記第1配線部は前記第1接続部に対して圧着され、
    前記第2配線部は前記第2接続部に対して圧着された
    ことを特徴とする請求項3に記載の放射線撮像装置。
  5. 前記第1配線部は前記第1接続部において樹脂で固定され、
    前記第2配線部は前記第2接続部において樹脂で固定された
    ことを特徴とする請求項3または請求項4に記載の放射線撮像装置。
  6. 前記第1放射線撮像部は、前記第1基板上に行列状に配された複数の第1放射線検出素子を含み、
    前記第2放射線撮像部は、前記第2基板上に行列状に配された複数の第2放射線検出素子を含み、
    前記平面視において、前記複数の第1放射線検出素子の少なくとも一部と、前記複数の第2放射線検出素子の少なくとも一部とが重なっている
    ことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。
  7. 前記第1パネルは、前記第1基板上に前記第1放射線撮像部を覆うように配された第1シンチレータを更に有し、
    前記第2パネルは、前記第2基板上に前記第2放射線撮像部を覆うように配された第2シンチレータを更に有し、
    前記第1パネルと前記第2パネルとは、前記第1シンチレータと前記第2基板との間に前記第1基板および前記第2シンチレータが位置するように配された
    ことを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。
  8. 前記第1パネルは、前記第1基板上に前記第1放射線撮像部を覆うように配された第1シンチレータを更に有し、
    前記第2パネルは、前記第2基板上に前記第2放射線撮像部を覆うように配された第2シンチレータを更に有し、
    前記第1パネルと前記第2パネルとは、前記第1基板と前記第2基板との間に前記第1シンチレータおよび前記第2シンチレータが位置するように配された
    ことを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。
  9. 前記第1パネルは、前記第1基板上に前記第1放射線撮像部を覆うように配された第1シンチレータを更に有し、
    前記第2パネルは、前記第2基板上に前記第2放射線撮像部を覆うように配された第2シンチレータを更に有し、
    前記第1パネルと前記第2パネルとは、前記第1シンチレータと前記第2シンチレータとの間に前記第1基板および前記第2基板が位置するように配された
    ことを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。
  10. 前記第1パネル及び前記第2パネルは、前記平面視において、いずれも矩形形状であり、互いに対角方向にシフトした位置になるように配されている
    ことを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。
  11. 請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の放射線撮像装置と、
    前記放射線撮像装置からの画像データを処理するプロセッサと、を具備する
    ことを特徴とする撮像システム。
  12. 第1基板上に第1放射線撮像部が配された第1パネルと、第2基板上に第2放射線撮像部が配された第2パネルとを備える放射線撮像装置の製造方法であって、
    前記第1パネルと前記第2パネルとを、前記第1基板の上面に対する平面視において互いに重なる領域と互いに重ならない領域との双方を有するように、且つ、前記第1放射線撮像部の少なくとも一部と前記第2放射線撮像部の少なくとも一部とが前記平面視において前記重なる領域に位置するように、配置して結合する工程を含み、
    前記第1パネルは、前記平面視において前記第2パネルとは重ならない領域に、前記第1放射線撮像部から信号を読み出すための第1配線部が接続される第1接続部を有し、
    前記第2パネルは、前記平面視において前記第1パネルとは重ならない領域に、前記第2放射線撮像部から信号を読み出すための第2配線部が接続される第2接続部を有する
    ことを特徴とする放射線撮像装置の製造方法。
  13. 前記結合する工程の後に、前記第1配線部を前記第1接続部に対して圧着で固定する工程と、
    前記結合する工程の後に、前記第2配線部を前記第2接続部に対して圧着で固定する工程と、を更に含む
    ことを特徴とする請求項12に記載の放射線撮像装置の製造方法。
  14. 前記第1配線部を固定する工程では、圧着ヘッドにより前記第1配線部を前記第1接続部に対して押し付けると共にバックアップ部材により前記第1パネルの前記第1接続部とは反対側の部分を支持することによって前記第1配線部を固定し、
    前記第2配線部を固定する工程では、圧着ヘッドにより前記第2配線部を前記第2接続部に対して押し付けると共にバックアップ部材により前記第2パネルの前記第2接続部とは反対側の部分を支持することによって前記第2配線部を固定する
    ことを特徴とする請求項13に記載の放射線撮像装置の製造方法。
  15. 前記結合する工程の後に、前記第1配線部と前記第1接続部とを樹脂で封止する工程と、
    前記結合する工程の後に、前記第1配線部と前記第1接続部とを樹脂で封止する工程と、を更に含む
    ことを特徴とする請求項12から請求項14のいずれか1項に記載の放射線撮像装置の製造方法。
  16. 前記第1配線部を封止する工程では、前記第1配線部を前記第1接続部に接触させた状態で、樹脂を形成するための冶具を前記第1接続部に近接させ、該樹脂を前記第1配線部および前記第1接続部を覆うように形成し、
    前記第2配線部を封止する工程では、前記第2配線部を前記第2接続部に接触させた状態で、樹脂を形成するための冶具を前記第2接続部に近接させ、該樹脂を前記第2配線部および前記第2接続部を覆うように形成する
    ことを特徴とする請求項15に記載の放射線撮像装置の製造方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020080231A1 (ja) * 2018-10-18 2020-04-23 浜松ホトニクス株式会社 放射線撮像装置
JP2020064007A (ja) * 2018-10-18 2020-04-23 浜松ホトニクス株式会社 放射線撮像装置、放射線撮像装置の製造方法、及び放射線撮像装置の修復方法
WO2020250978A1 (ja) * 2019-06-14 2020-12-17 キヤノン株式会社 放射線検出装置及び放射線撮影システム
JP2022506008A (ja) * 2018-09-10 2022-01-17 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ デュアルセンササブピクセル放射線検出器

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3818359B2 (ja) * 2000-07-18 2006-09-06 セイコーエプソン株式会社 半導体装置、回路基板及び電子機器
JP2002217356A (ja) * 2001-01-19 2002-08-02 Nec Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2004335581A (ja) * 2003-05-01 2004-11-25 Canon Inc 放射線撮像装置の実装方法
KR101495823B1 (ko) * 2007-11-26 2015-02-25 각고호우징 게이오기주크 전자회로
JP5376897B2 (ja) * 2008-10-24 2013-12-25 富士フイルム株式会社 放射線画像撮影装置

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022506008A (ja) * 2018-09-10 2022-01-17 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ デュアルセンササブピクセル放射線検出器
JP7309858B2 (ja) 2018-09-10 2023-07-18 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ デュアルセンササブピクセル放射線検出器
EP4215950A1 (en) * 2018-10-18 2023-07-26 Hamamatsu Photonics K.K. Radiation imaging device
JP7185481B2 (ja) 2018-10-18 2022-12-07 浜松ホトニクス株式会社 放射線撮像装置
US11996434B2 (en) 2018-10-18 2024-05-28 Hamamatsu Photonics K.K. Radiation imaging device, production method for radiation imaging device, and repair method for radiation imaging device
TWI830792B (zh) * 2018-10-18 2024-02-01 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 放射線攝像裝置、放射線攝像裝置之製造方法、及放射線攝像裝置之修復方法
WO2020080233A1 (ja) * 2018-10-18 2020-04-23 浜松ホトニクス株式会社 放射線撮像装置、放射線撮像装置の製造方法、及び放射線撮像装置の修復方法
EP3869236A4 (en) * 2018-10-18 2022-07-20 Hamamatsu Photonics K.K. RADIATION IMAGING DEVICE
JP7181049B2 (ja) 2018-10-18 2022-11-30 浜松ホトニクス株式会社 放射線撮像装置、放射線撮像装置の製造方法、及び放射線撮像装置の修復方法
JP2020064009A (ja) * 2018-10-18 2020-04-23 浜松ホトニクス株式会社 放射線撮像装置
US11860323B2 (en) 2018-10-18 2024-01-02 Hamamatsu Photonics K.K. Radiation imaging device
JP2020064007A (ja) * 2018-10-18 2020-04-23 浜松ホトニクス株式会社 放射線撮像装置、放射線撮像装置の製造方法、及び放射線撮像装置の修復方法
WO2020080231A1 (ja) * 2018-10-18 2020-04-23 浜松ホトニクス株式会社 放射線撮像装置
JP7196020B2 (ja) 2019-06-14 2022-12-26 キヤノン株式会社 放射線検出装置及び放射線撮影システム
JP2020204488A (ja) * 2019-06-14 2020-12-24 キヤノン株式会社 放射線検出装置及び放射線撮影システム
WO2020250978A1 (ja) * 2019-06-14 2020-12-17 キヤノン株式会社 放射線検出装置及び放射線撮影システム

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