WO2020080231A1

WO2020080231A1 - 放射線撮像装置

Info

Publication number: WO2020080231A1
Application number: PCT/JP2019/039880
Authority: WO
Inventors: 竜次久嶋; 一樹藤田; 澤田　純一; 孝夫有竹; 実市河; 晴義岡田; 聖司深水; 秀平難波
Original assignee: 浜松ホトニクス株式会社
Priority date: 2018-10-18
Filing date: 2019-10-09
Publication date: 2020-04-23
Also published as: US20210389482A1; EP3869236A1; EP4215950A1; EP4215950B1; JP7185481B2; TW202022408A; JP2023026423A; JP2020064009A; CN112888969A; FI3869236T3; FI4215950T3; TWI828782B; TW202419897A; US11860323B2; KR20210076085A; EP3869236A4; EP3869236B1; US20240069223A1; JP7427066B2

Abstract

一実施形態の放射線撮像装置は、放射線検出パネルと、放射線検出パネルを支持する支持面を有するベース基板と、放射線検出パネル及びベース基板を収容する筐体と、を備え、筐体は、天壁と、底壁と、を有し、ベース基板は、支持面に直交する方向から見て、放射線検出パネルよりも外側に突出する突出部を有し、突出部の支持面には、第１延在部が設けられており、突出部の裏面には、突出部を挟んで第１延在部と対向する位置に配置された第２延在部が設けられており、ベース基板は、第１延在部を介して天壁に支持されると共に、第２延在部を介して底壁に支持されている。

Description

放射線撮像装置

　本開示は、放射線撮像装置に関する。

　特許文献１には、Ｘ線検出装置が記載されている。このＸ線検出装置は、筐体（外囲器）内に固定された支持部材と、支持部材上に固定されたＸ線検出パネルと、を備えている。

特開２０１０－１４５３４９号公報

　上記のように筐体内に支持部材を介してＸ線検出パネルを支持する構成においては、支持部材を筐体内に安定的に支持することが求められる。一方、上記特許文献１には、筐体内に支持部材を固定するための具体的な構造について記載されていない。

　本開示の一側面は、放射線検出パネルが支持されるベース基板を安定的に支持することが可能な放射線撮像装置を提供することを目的とする。

　本開示の一側面に係る放射線撮像装置は、放射線を検出する検出領域が形成された第１面と、第１面とは反対側の第２面と、を有する放射線検出パネルと、放射線検出パネルの第２面に対向すると共に放射線検出パネルを支持する支持面を有するベース基板と、放射線検出パネル及びベース基板を収容する筐体と、を備え、筐体は、第１面に対向する第１壁部と、第２面に対向する第２壁部と、を有し、ベース基板は、支持面に直交する第１方向から見て、放射線検出パネルよりも外側に突出する突出部を有し、突出部の支持面には、第１方向に延在する第１延在部が設けられており、突出部の支持面とは反対側の面には、突出部を挟んで第１延在部と対向する位置に配置され、第１方向に延在する第２延在部が設けられており、ベース基板は、第１延在部を介して第１壁部に支持されると共に、第２延在部を介して第２壁部に支持されている。

　上記放射線撮像装置によれば、ベース基板（突出部）が、第１延在部及び第２延在部を介して、互いに対向する筐体の一部（第１壁部及び第２壁部）によって挟持される。これにより、筐体に対してベース基板を安定的に支持することができる。ここで、ベース基板を筐体に対して支持する方法としては、例えば柱状の支持部材を介してベース基板の裏面（支持面とは反対側の面）を第２壁部に支持する方法がある。上記放射線撮像装置によれば、第１延在部及び第２延在部を介してベース基板が筐体に支持されるため、上記の支持方法を併用する場合においても、ベース基板の裏面に設けられる支持部材の数を削減することが可能となる。これにより、ベース基板の裏面に対する外部（特に第２壁部）からの衝撃を伝わり難くすることができる。その結果、ベース基板上に配置される放射線検出パネルへの衝撃を低減することが可能となる。

　第１延在部は、放射線検出パネルを位置決めする位置決め部材であってもよい。この構成によれば、第１延在部によってベース基板の支持面に対する放射線検出パネルの位置決めを容易に行うことが可能となるため、組立作業性を向上させることができる。

　第１延在部及び第２延在部は、ベース基板とは別体に形成されていてもよい。この構成によれば、ベース基板が第１延在部及び第２延在部の少なくとも一方と一体に形成されている場合と比較して、ベース基板の反りを低減することができる。

　第１延在部と第２延在部とは、共通の取付部材によって突出部に取り付けられていてもよい。この構成によれば、第１延在部と第２延在部との相対的な位置関係を精度良く維持することができ、ベース基板をより一層安定的に支持することができる。

　第２延在部は、第１方向から見て、第１延在部よりも大きく、第２延在部は、第１方向から見て、第１延在部と重ならない部分を有してもよい。筐体のうち、放射線検出パネルの検出領域が形成された第１面とは反対側に位置する（すなわち、第２面に対向する）第２壁部は、通常接地面（底壁）となる。このため、上記構成によれば、第２壁部に支持される第２延在部を第１延在部よりも大きくすることにより、ベース基板をより一層安定的に支持することができる。また、接地面側（第２壁部）からの衝撃を第２延在部で好適に吸収することが可能となるため、当該衝撃を放射線検出パネルに伝わり難くすることができる。

　突出部の支持面には、互いに離間して配置された複数の第１延在部が設けられると共に、複数の第１延在部に対応するように、互いに離間して配置された複数の第２延在部が設けられていてもよい。この構成によれば、互いに離間する複数の位置に点在する第１延在部及び第２延在部によってベース基板を筐体に対して支持することができる。これにより、例えばベース基板の縁部に沿って第１延在部及び第２延在部を壁状に形成する場合と比較して、第１延在部及び第２延在部を軽量化しつつ、ベース基板を筐体に対して安定的に支持することができる。

　ベース基板は、互いに離間して配置された複数の突出部を有し、複数の突出部の各々に、第１延在部及び第２延在部が設けられていてもよい。この構成によれば、突出部毎に第１延在部及び第２延在部を設けることにより、上述した効果を奏する構成を容易に実現できる。

　放射線検出パネルは、第１方向から見て矩形状に形成されており、複数の突出部は、放射線検出パネルの四隅に対応する位置に設けられていてもよい。この構成によれば、ベース基板の四隅を第１延在部及び第２延在部を介して第１壁部及び第２壁部によってバランス良く挟持することができるため、筐体に対してベース基板をより一層安定的に支持することができる。

　筐体は、第１方向に延在して第１壁部と第２壁部とを接続する第３壁部を有し、第３壁部は、第１方向から見て、矩形環状に形成されており、第３壁部の角部には、突出部、第１延在部、及び第２延在部との干渉を避けるための凹部が形成されており、凹部における第３壁部の厚さは、隣り合う第３壁部の角部同士を接続する第３壁部の辺部における第３壁部の厚さよりも小さくてもよい。第３壁部の厚みを一定にする（すなわち、角部における厚みを辺部における厚みと同一にする）場合には、角部において突出部との干渉を避ける必要がある分だけ、第１方向から見た筐体の外形を大きくする必要が生じる。この場合、第１方向から見た場合の放射線撮像装置における不感領域の割合（すなわち、放射線撮像装置全体の領域に対する検出領域以外の領域の割合）が大きくなってしまう。一方、上記構成によれば、凹部を形成することにより、不感領域の割合を低減することが可能となる。

　第１壁部は、第３壁部と面接触するように配置された電磁波を遮蔽するシールド部材を有し、第１壁部は、第３壁部の辺部及び第１延在部に対してネジ留めされていてもよい。この構成によれば、第１壁部が第３壁部の辺部及び第１延在部（すなわち、第３壁部の角部に近接した部分）に対してネジ留めされることにより、第１壁部に対向する第３壁部の面全体において、第１壁部と第３壁部との良好な面接触を図ることができる。これにより、電磁シールド効果を効果的に高めることができる。

　本開示の一側面によれば、放射線検出パネルが支持されるベース基板を安定的に支持することが可能な放射線撮像装置が提供され得る。

図１は、一実施形態の放射線撮像装置の平面図である。図２は、図１のII－II線に沿った断面図である。図３は、放射線検出パネルの一部を拡大した平面図である。図４は、図３のIV－IV線に沿った断面図である。図５は、受光部及びＩＣチップの内部構成を示す図である。図６は、接続領域とベース基板との位置関係を説明するための図である。図７は、放射線検出パネルにおけるヒータからの距離と温度との関係を示す図である。図８は、放射線撮像装置の製造工程の一例を示す図である。図９は、放射線撮像装置の製造工程の一例を示す図である。図１０は、放射線撮像装置の製造工程の一例を示す図である。図１１は、放射線撮像装置の製造工程の一例を示す図である。図１２は、電極パッドの配置例を示す図である。図１３は、ベース基板の変形例を示す図である。図１４は、第１延在部の配置例を示す図である。

　以下、添付図面を参照しながら本開示の実施形態が詳細に説明される。図面の説明において、同一又は同等の要素には同一符号が用いられ、重複する説明は省略される。本開示は、これらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。なお、理解の容易のために、図１～図４、図６、及び図８～図１１にはＸＹＺ直交座標系が示されている。

　図１は、本開示の一実施形態の放射線撮像装置１の平面図である。図２は、図１のII－II線に沿った断面図である。ただし、図１では、天壁１１及びネジ部材１４の図示が省略されている。放射線撮像装置１は、例えば医療用Ｘ線撮像システムに用いられる大面積フラットパネルセンサである。図１及び図２に示されるように、放射線撮像装置１は、筐体１０と、ベース基板２０と、放射線検出パネル３０と、可撓性回路基板４０と、制御基板５０と、放射線遮蔽部材６０と、を備える。

　筐体１０は、略直方体状の中空容器である。筐体１０は、天壁１１（第１壁部）と、底壁１２（第２壁部）と、側壁１３（第３壁部）と、を有する。天壁１１及び底壁１２は、それぞれＸＹ平面に沿って延びる矩形板状に形成されており、互いに対向している。側壁１３は、ＸＺ平面又はＹＺ平面に沿って延びており、天壁１１の縁部と底壁１２の縁部とを接続している。すなわち、側壁１３は、Ｚ方向から見て、矩形環状に形成されている。筐体１０は、ベース基板２０、放射線検出パネル３０、可撓性回路基板４０、制御基板５０、及び放射線遮蔽部材６０を収容している。

　天壁１１は、放射線撮像装置１の検出対象である放射線（例えばＸ線）を筐体１０の内部に透過する部材によって構成されている。天壁１１は、Ｚ方向に沿って入射する放射線を筐体１０の内側に導く。すなわち、Ｚ方向は、検出対象の放射線の入射方向である。本実施形態では、天壁１１は、２層構造を有する。具体的には、天壁１１は、放射線が入射する側（外側）に設けられたカーボンファイバプレート１１１と、カーボンファイバプレート１１１の内側表面に設けられた電磁波を遮蔽するためのシールド部材１１２と、を有する。シールド部材１１２は、例えば、カーボンファイバプレート１１１の内側表面にアルミ箔が接着されることにより形成されたアルミシールドである。

　底壁１２及び側壁１３は、放射線を遮る金属材料（例えば鉄等）によって形成されている。側壁１３の上面１３ａは、シールド部材１１２と面接触しており、シールド部材１１２と導通している。これにより、筐体１０外から筐体１０内へと向かう電磁波の遮蔽が図られている。また、側壁１３の上面１３ａには、複数のネジ孔１３ｂが設けられている。ネジ部材１４が、天壁１１に設けられた貫通孔１１ａに挿通されると共にネジ孔１３ｂに螺合されている。これにより、天壁１１は、側壁１３に固定されている。

　ベース基板２０は、放射線検出パネル３０、制御基板５０、及び放射線遮蔽部材６０を支持する部材である。ベース基板２０は、例えば、鉄、アルミニウム、ステンレス、タングステン合金、銅タングステン等の金属からなる。本実施形態では一例として、ベース基板２０は、比較的軽量なアルミニウムによって形成されている。ベース基板２０は、支持面２０ａと、支持面２０ａとは反対側の裏面２０ｂと、を有する。支持面２０ａは、天壁１１に対向する面であり、裏面２０ｂは、底壁１２に対向する面である。支持面２０ａは、放射線検出パネル３０の基板３１を支持している。裏面２０ｂには、例えばＺ方向に延びる柱状に形成された一以上の支持部材５５を介して制御基板５０が固定されている。

　放射線検出パネル３０は、矩形板状に形成された基板３１を有する。基板３１は、受光部３２（受光面）が形成された第１面３１ａと、第１面３１ａとは反対側の第２面３１ｂと、を有する。第１面３１ａは、天壁１１に対向する面であり、第２面３１ｂは、底壁１２に対向する面である。受光部３２上には、シンチレータ３４（変換部）が配置されている。シンチレータ３４は、例えばＣｓＩを主成分とするシンチレータ材料を受光部３２上に蒸着することにより形成されている。シンチレータ３４は、天壁１１を介して入射した放射線を光に変換する。具体的には、シンチレータ３４は、放射線の入射強度に応じた強度のシンチレーション光を受光部３２に出力する。これにより、第１面３１ａにおいて受光部３２が形成された領域は、放射線を検出する検出領域Ｒとして機能する。検出領域Ｒは、例えば一辺３０ｃｍ～４０ｃｍ程度の受光面積（一例として、４０ｃｍ×３０ｃｍ）を有する。

　基板３１は、例えば透明なガラス基板である。基板３１の第２面３１ｂがベース基板２０の支持面２０ａに固定されることにより、基板３１はベース基板２０に固定されている。例えば、基板３１の第２面３１ｂは、両面テープ等の接着部材Ｇ（図６参照）を介して、ベース基板２０の支持面２０ａに固定されている。Ｚ方向から見て、少なくとも受光部３２及びシンチレータ３４が配置された領域は、支持面２０ａに含まれている。また、接着部材Ｇ（図６参照）は、Ｚ方向から見て、少なくとも受光部３２と重なる領域に設けられている。また、接着部材Ｇの外側端部は、Ｚ方向から見て、ベース基板２０の端部（後述する端部２１ａ）よりも内側に位置している。基板３１の第１面３１ａにおいて、検出領域Ｒの外側には、複数の電極パッド３３が形成されている。複数の電極パッド３３は、後述する配線（読出用配線及び行選択用配線）等を介して、受光部３２に形成された画素Ｐ_ｍ，ｎ（図３参照）と電気的に接続されている。本実施形態では一例として、Ｘ方向に沿った基板３１の周縁部に２２個（１１個×２辺）の電極パッド３３が形成されている。また、Ｙ方向に沿った基板３１の周縁部に１４個（７個×２辺）の電極パッド３３が形成されている。

　可撓性回路基板４０は、電極パッド３３と電気的に接続された回路部材である。可撓性回路基板４０は、折り曲げ等の変形が可能なフレキシブル基板４１と、フレキシブル基板４１に搭載されたＩＣチップ４２と、を有する。フレキシブル基板４１は、例えば、薄膜上の絶縁体（例えばポリイミド等）上に導体箔（例えば銅等）による回路パターンが形成された構造を有する。フレキシブル基板４１の一端部４１ａは、接続部材７０を介して電極パッド３３に接続されている。接続部材７０は、熱圧着によって接着力を生じさせる部材であり、例えばＡＣＦ（異方性導電フィルム）、ＡＣＰ（異方性導電ペースト）等の異方性導電材料である。フレキシブル基板４１の他端部４１ｂは、制御基板５０（コネクタ５１）に接続されている。

　制御基板５０は、ＩＣチップ４２の動作（例えば、後述する垂直シフトレジスタ４２ａ，４２ｂ、及び信号接続部４２ｃ，４２ｄの動作）の制御、及びＩＣチップ４２への電源の供給を行うための回路を含む。具体的には、例えば筐体１０の外側（例えば底壁１２の外側等）に配置された図示しない外部電源から制御基板５０に電力が供給され、当該電力が制御基板５０を介してＩＣチップ４２へと供給される。なお、上記外部電源は筐体１０の内部（例えば制御基板５０と底壁１２との間の空間）に配置されてもよい。ただし、上記外部電源に起因する測定ノイズの発生を抑制する観点等から、上記外部電源は筐体１０の外側に配置されることが好ましい。制御基板５０は、上述した一以上の支持部材５５を介してベース基板２０の裏面２０ｂに固定されている。また、制御基板５０は、支持部材５５と同様の支持部材５６を介して底壁１２にも固定されている。なお、支持部材５５と支持部材５６とは、Ｚ方向に制御基板５０を貫通しつつ制御基板５０を支持する柱状部材として、一体的に形成されていてもよい。このような柱状部材は、底壁１２に対してベース基板２０を支持すると共に、底壁１２及びベース基板２０に対して制御基板５０を支持する部材として機能する。

　ここで、可撓性回路基板４０に搭載されたＩＣチップ４２と制御基板５０に搭載されたＡＤコンバータ５２とは、特に発熱し易い部分（発熱部材）である。また、ＩＣチップ４２又はＡＤコンバータ５２からの熱が放射線検出パネル３０に伝わると、受光部３２により取得される画像にノイズが発生するおそれがある。そこで、本実施形態では、ＩＣチップ４２及びＡＤコンバータ５２からの発熱を効率良く筐体１０の底壁１２に逃がすために、ＩＣチップ４２及びＡＤコンバータ５２のそれぞれと底壁１２との間に放熱部材５７が配置されている。放熱部材５７は、例えばシリコーン等を主原料とするジェルシート等である。図２に示されるように、ＩＣチップ４２又はＡＤコンバータ５２と底壁１２との間の距離が大きい場合には、底壁１２の内面のうちＺ方向から見てＩＣチップ４２又はＡＤコンバータ５２と重なる部分に、天壁１１側に突出する凸部１２ａが設けられてもよい。このような凸部１２ａによれば、ＩＣチップ４２又はＡＤコンバータ５２からの発熱を放熱部材５７及び凸部１２ａを介して底壁１２へと適切に逃がすことができる。また、底壁１２の内面を部分的に底上げすることによって、凸部１２ａが設けられない部分を、各種部品等を収容するための空間として活用することが可能となる。

　制御基板５０は、Ｚ方向から見て、シンチレータ３４及びベース基板２０と重なっている。すなわち、天壁１１から入射して制御基板５０へと向かう放射線のほとんどは、シンチレータ３４及びベース基板２０によって遮蔽される。一方、本実施形態のように、可撓性回路基板４０に搭載されたＩＣチップ４２は、Ｚ方向から見て、シンチレータ３４及びベース基板２０と重ならない位置に配置される場合がある。すなわち、天壁１１から入射してＩＣチップ４２へと向かう放射線は、シンチレータ３４及びベース基板２０によって遮蔽されない場合がある。この場合、何らの対策も取らなければ、当該放射線によってＩＣチップ４２が損傷し、ＩＣチップ４２の誤作動等が引き起こされるおそれがある。そこで、本実施形態では、天壁１１から入射した放射線のうちＩＣチップ４２へと向かう放射線を遮蔽するために、放射線遮蔽部材６０が設けられている。

　放射線遮蔽部材６０は、例えば、鉛、タングステン等のＸ線遮蔽能の高い材料によって形成されている。本実施形態では一例として、放射線遮蔽部材６０は、短冊状に形成されており、ベース基板２０の裏面２０ｂの縁部に設けられている。放射線遮蔽部材６０の一部は、Ｚ方向から見て、ＩＣチップ４２と重なるように、ベース基板２０の外側にはみ出している。放射線遮蔽部材６０は、ＩＣチップ４２毎に設けられてもよいし、互いに隣接する複数のＩＣチップ４２に対して１つの放射線遮蔽部材６０（すなわち、Ｚ方向から見て当該複数のＩＣチップと重なる大きさに形成された部材）が設けられてもよい。本実施形態では、ベース基板２０を比較的軽量のアルミニウムにより形成する一方で、特に放射線を遮蔽する必要がある箇所に上述したような比較的重量の大きい材料で形成された放射線遮蔽部材６０を部分的に設けることにより、放射線撮像装置１の軽量化が図られている。

　ベース基板２０は、支持面２０ａに直交するＺ方向（第１方向）から見て矩形状に形成された本体部２１と、本体部２１の角部（四隅）のそれぞれに形成され、本体部２１の外側に突出する突出部２２と、を有する。本実施形態では一例として、突出部２２は、Ｚ方向から見て隅部が面取りされた略矩形状に形成されている。また、本体部２１と突出部２２とは一体的に形成されており、突出部２２の厚み（板厚）は本体部２１の厚みと同一である。すなわち、ベース基板２０は、略均等な厚みを有する一枚板として構成されている。

　Ｚ方向から見て、可撓性回路基板４０が電極パッド３３に接続された部分に対応するベース基板２０の端部は、放射線検出パネル３０の端部（すなわち、基板３１の端部３１ｃ）よりも内側（検出領域Ｒ側）に位置している。具体的には、本体部２１が、Ｚ方向から見て基板３１よりも小さい矩形状に形成されており、本体部２１の端部２１ａが、基板３１の端部３１ｃよりも内側に位置している。すなわち、放射線検出パネル３０の各辺部（電極パッド３３が形成された部分）に対応するベース基板２０の端部（すなわち、本体部２１の端部２１ａ）は、基板３１の端部３１ｃよりも内側に位置している。さらに、本実施形態では、ベース基板２０は、Ｚ方向から見て、電極パッド３３と接続部材７０と可撓性回路基板４０（フレキシブル基板４１の一端部４１ａ）とが重なる接続領域Ａと重ならないように形成されている。すなわち、本体部２１の端部２１ａは、接続領域Ａの内側端部Ａ１よりも内側に位置している。これにより、Ｚ方向から見てベース基板２０が接続領域Ａ（本実施形態では、３６個の接続領域Ａ）と重ならない構成が実現されている。

　突出部２２は、Ｚ方向から見て可撓性回路基板４０と重ならない位置（本実施形態では一例として、本体部２１の角部）において、放射線検出パネル３０よりも外側に突出している。すなわち、Ｚ方向から見て、突出部２２は、基板３１よりも外側にはみ出している。本実施形態では、突出部２２は、Ｚ方向から見て、フレキシブル基板４１の端部（折り曲げられた部分であって、ＸＹ平面に平行な方向において基板３１の端部３１ｃから最も離れた部分）よりも外側に突出している。

　突出部２２の支持面２０ａには、Ｚ方向に延在する第１延在部８１が設けられている。本実施形態では一例として、第１延在部８１は、アルミニウムからなる。ただし、第１延在部８１は、その他の材料によって形成されてもよい。例えば、第１延在部８１の材料は、鉄等のアルミニウム以外の金属、ポリアセタール（ＰＯＭ）及びポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等のエンジニアリングプラスチック等であってもよい。第１延在部８１は、例えば図示しない固定部材（例えばネジ等）を介して、突出部２２に固定されている。本実施形態では、第１延在部８１は、Ｚ方向に延びる柱状部材であり、放射線検出パネル３０（すなわち、基板３１）を位置決めする位置決め部材として機能する。具体的には、第１延在部８１は、基板３１の角部３１ｄを収容するためにＺ方向に延びるガイド溝８１ａを有する。ガイド溝８１ａは、Ｚ方向から見て、基板３１の角部３１ｄの形状に合うようにＬ字状に形成されている。すなわち、第１延在部８１は、四角柱状部材（後述する第２延在部８２と同様の形状を有する部材）の一部（ガイド溝８１ａによって形成される空間に相当する四角柱状の部分）を切り欠いたような形状を有している。本実施形態では、このような第１延在部８１が基板３１の四隅のそれぞれに対応して設けられている。すなわち、基板３１の各角部３１ｄを各第１延在部８１のガイド溝８１ａの内側に配置することにより、基板３１の位置決めを行うことが可能となっている。

　第１延在部８１は、天壁１１に支持されている。本実施形態では、第１延在部８１の天壁１１側の表面にネジ孔８１ｂが形成されている。そして、ネジ部材１４が、天壁１１に設けられた貫通孔１１ａに挿通されると共にネジ孔８１ｂに螺合されている。このように第１延在部８１は、天壁１１に支持されると共に、突出部２２に支持されている。すなわち、ベース基板２０は、第１延在部８１を介して天壁１１に支持されている。本実施形態では、ネジ留めによって、ベース基板２０（突出部２２）は、第１延在部８１を介して天壁１１に対してしっかりと固定されている。

　突出部２２の裏面２０ｂには、突出部２２を挟んで第１延在部８１と対向する位置に配置され、Ｚ方向に延在する第２延在部８２が設けられている。本実施形態では一例として、第２延在部８２は、アルミニウムからなる。ただし、第２延在部８２の材料としては、上述した第１延在部８１の材料と同様の材料を用いることができる。第２延在部８２は、例えば図示しない固定部材（例えばネジ等）を介して、突出部２２に支持されている。なお、第１延在部８１及び第２延在部８２は、第１延在部８１側又は第２延在部８２側から共通のネジを用いてネジ留めされることによって突出部２２に固定されてもよいし、互いに異なるネジを用いて個別にネジ留めされることによって突出部２２に固定されてもよい。また、第２延在部８２は、第１延在部８１と同様の固定手段により、底壁１２に支持されている。例えば、第２延在部８２の底壁１２側の表面には、図示しないネジ孔が形成されており、図示しないネジ部材が底壁１２に設けられた図示しない貫通孔に挿通されると共に当該ネジ孔に螺合されている。このように、第２延在部８２は、突出部２２及び底壁１２に支持されている。すなわち、ベース基板２０は、第２延在部８２を介して底壁１２に支持されている。本実施形態では、ネジ留めによって、ベース基板２０（突出部２２）は、第２延在部８２を介して底壁１２に対してしっかりと固定されている。

　なお、第２延在部８２には、第１延在部８１のガイド溝８１ａに対応する溝部を形成する必要がない。このため、本実施形態では、第２延在部８２は、四角柱状に形成されている。すなわち、第２延在部８２は、Ｚ方向から見て第１延在部８１と重なる部分を有すると共に、Ｚ方向から見てガイド溝８１ａによって形成された四角柱状の空間と重なる部分を有する。ただし、例えば部材の共通化等のために、第２延在部８２は、第１延在部８１と同一寸法のＬ字状の柱状部材に形成され、Ｚ方向から見て第１延在部８１と完全に重なるように配置されてもよい。

　上述したように、本実施形態では、第１延在部８１及び第２延在部８２は、本体部２１の角部（四隅）に設けられた突出部２２に設けられている。すなわち、第１延在部８１及び第２延在部８２は、放射線検出パネル３０（基板３１）の角部３１ｄに対応する位置に設けられている。そして、側壁１３は、Ｚ方向から見て、矩形環状に形成されており、側壁１３の角部には、突出部２２、第１延在部８１、及び第２延在部８２との干渉を避けるための凹部１３ｃが形成されている。凹部１３ｃにおける側壁１３の厚さｔ１は、隣り合う角部同士を接続する辺部における側壁１３の厚さｔ２よりも小さい。本実施形態では、側壁１３の角部において、側壁１３の内側面の一部が切り欠かれることにより、Ｚ方向から見て突出部２２の外縁から離間するように凹部１３ｃが形成されている。このように厚さの小さい凹部１３ｃが側壁１３の角部に形成されることにより、側壁１３の角部への応力集中が抑制されている。

　ここで、上述したネジ孔１３ｂは、厚さが小さい凹部１３ｃ（厚さｔ１の部分）には設けられておらず、厚さが大きい辺部（厚さｔ２の部分）にのみ設けられている。このため、Ｚ方向から見た筐体１０の角部（四隅）においては、天壁１１と側壁１３とは互いに固定されていない（ネジ留めされていない）。しかし、その代わりに、本実施形態では、上述したように天壁１１と第１延在部８１とがネジ部材１４によって互いに固定されている。すなわち、筐体１０の角部においても、天壁１１と側壁１３とが互いに強固に固定されている。これにより、筐体１０の角部（天壁１１と側壁１３とが直接ネジ留めされていない部分）においても、天壁１１のシールド部材１１２と側壁１３との良好な面接触を図ることができる。その結果、筐体１０外からの電磁波の漏洩（筐体１０内部への侵入）を効果的に抑制することができる。

　また、このような凹部１３ｃを形成することにより、Ｚ方向から見た筐体１０の外形をなるべく小さくすることができる。すなわち、筐体１０の角部において天壁１１と側壁１３とをネジ留めするためには、筐体１０の角部においてもネジ孔１３ｂを設けるために必要な側壁１３の厚みを確保するために、Ｚ方向から見た筐体１０の外形を大きくする必要がある。この場合、Ｚ方向から見た場合の放射線撮像装置１における不感領域の割合（すなわち、放射線撮像装置１全体の領域に対する有効受光エリア（検出領域Ｒ）以外の領域の割合）が大きくなってしまう。一方、本実施形態のように、凹部１３ｃを形成すると共に、筐体１０の角部において天壁１１と側壁１３とを固定する代わりに第１延在部８１と天壁１１とを互いに固定することにより、天壁１１と側壁１３との良好な面接触を確保しつつ、不感領域の割合を低減することが可能となる。

　次に、放射線撮像装置１の動作（放射線の検出）について説明する。本実施形態では、Ｘ方向に沿った基板３１の周縁部に形成された電極パッド３３に接続される可撓性回路基板４０のＩＣチップ４２には、垂直シフトレジスタ（垂直走査回路）が形成されている。具体的には、図１における基板３１の左側の周縁部（左辺）に設けられた可撓性回路基板４０のＩＣチップ４２によって、垂直シフトレジスタ４２ａが形成されており、基板３１の右側の周縁部（右辺）に設けられた可撓性回路基板４０のＩＣチップ４２によって、垂直シフトレジスタ４２ｂが形成されている。また、Ｙ方向に沿った基板３１の周縁部に形成された電極パッド３３に接続される可撓性回路基板４０のＩＣチップ４２には、信号読出用のアンプチップ（信号接続部）が形成されている。具体的には、図１における基板３１の上側の周縁部（上辺）に設けられた可撓性回路基板４０のＩＣチップ４２によって、信号接続部４２ｃが形成されており、基板３１の下側の周縁部（下辺）に設けられた可撓性回路基板４０のＩＣチップ４２によって、信号接続部４２ｄが形成されている。このように、本実施形態では、信号読出のノイズ低減及び速度向上を図るために、信号読出ライン（データライン）を上下に二分割した構成が採用されている。

　図３～図５を参照して、受光部３２及びＩＣチップ４２の詳細な構成（放射線撮像装置１の動作）について説明する。図３は、放射線検出パネル３０の一部を拡大した平面図である。図４は、図３のIV－IV線に沿った断面図である。図５は、受光部３２及びＩＣチップ４２の内部構成を示す図である。

　受光部３２は、Ｍ×Ｎ個の画素がＭ行Ｎ列に２次元配列されることにより構成されている。図３に示される画素Ｐ_ｍ，ｎは、第ｍ行第ｎ列に位置する画素である。ここで、ｍは１以上Ｍ以下の各整数であり、ｎは１以上Ｎ以下の各整数である。なお、図３において、列方向はＸ軸方向と一致し、行方向はＹ軸方向と一致する。受光部３２に含まれる複数の画素Ｐ_１，１～Ｐ_Ｍ，Ｎのそれぞれは、フォトダイオードＰＤ及び読出用スイッチＳＷ１を備えている。フォトダイオードＰＤのアノード端子にはバイアス電圧が印可されており、フォトダイオードＰＤのカソード端子には、読出用スイッチＳＷ１の一端（一方の電流端子）が接続されている。また、読出用スイッチＳＷ１の他端（他方の電流端子）は、対応する読出用配線（例えば画素Ｐ_ｍ，ｎの場合、第ｎ列読出用配線Ｌ_Ｏ，ｎ）に接続されている。読出用スイッチＳＷ１の制御端子は、対応する行選択用配線（例えば画素Ｐ_ｍ，ｎの場合、第ｍ行選択用配線Ｌ_Ｖ，ｍ）に接続されている。

　図４に示されるように、基板３１の第１面３１ａの全面には、シリコン膜３５が設けられている。そして、フォトダイオードＰＤ、読出用スイッチＳＷ１、及び第ｎ列読出用配線Ｌ_Ｏ，ｎは、このシリコン膜３５の表面に形成されている。フォトダイオードＰＤ、読出用スイッチＳＷ１、及び第ｎ列読出用配線Ｌ_Ｏ，ｎは、絶縁層３６によって覆われている。絶縁層３６の上には、シンチレータ３４が基板３１の第１面３１ａの検出領域Ｒの全体を覆うように設けられている。フォトダイオードＰＤは、例えば、アモルファスシリコンを含んで構成されている。

　本実施形態のフォトダイオードＰＤは、ｎ型多結晶シリコンからなるｎ型半導体層９１と、ｎ型半導体層９１上に設けられたｉ型アモルファスシリコンからなるｉ型半導体層９２と、ｉ型半導体層９２上に設けられたｐ型アモルファスシリコンからなるｐ型半導体層９３とを有する。また、読出用スイッチＳＷ１は、多結晶シリコンにより形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin　Film　Transistor）であり、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）としての構成を有する。すなわち、読出用スイッチＳＷ１は、チャネル領域９４と、チャネル領域９４の一方の側面に沿って配置されたソース領域９５と、チャネル領域９４の他方の側面に沿って配置されたドレイン領域９６と、チャネル領域９４上に形成されたゲート絶縁膜９７及びゲート電極９８とを有する。第ｎ列読出用配線Ｌ_Ｏ，ｎは、金属からなる。シンチレータ３４は、入射した放射線に応じてシンチレーション光を発生して放射線像を光像へと変換し、この光像を受光部３２へ出力する。

　図５には、Ｍ×Ｎ個の画素Ｐ_ｍ，ｎ（ｍ＝１，…，Ｍ、ｎ＝１，…，Ｎ）を代表して、４×４個の画素１００が示されている。画素１００のそれぞれは、フォトダイオードＰＤ及び読出用スイッチＳＷ１を含んで構成されている。フォトダイオードＰＤは、入射光の強度に応じた量の電荷を発生し、発生した電荷を接合容量部に蓄積する。上述した通り、読出用スイッチＳＷ１は、画素１００が属する行に対応する行選択用配線Ｌ_Ｖに接続されている。ここで、第ｍ行の画素Ｐ_ｍ，ｎに対応する行選択用配線Ｌ_Ｖは、上述した第ｍ行選択用配線Ｌ_Ｖ，ｍである。Ｍ本の行選択用配線Ｌ_Ｖは、垂直シフトレジスタ４２ａ及び４２ｂに接続されている。垂直シフトレジスタ４２ａ及び４２ｂのそれぞれは、読出用スイッチＳＷ１の導通状態／非導通状態を各行毎に制御するための行選択信号を生成し、当該行選択信号を、各行の行選択用配線Ｌ_Ｖに対して順次提供する。

　垂直シフトレジスタ４２ａ又は４２ｂから行選択用配線Ｌ_Ｖに出力される行選択信号が非有意値（例えばローレベル）であるときに、読出用スイッチＳＷ１が開く。このとき、フォトダイオードＰＤで発生した電荷は、対応する列読出用配線Ｌ_Ｏへ出力されることなく、接合容量部に蓄積される。ここで、第ｎ列の画素Ｐ_ｍ，ｎに対応する列読出用配線Ｌ_Ｏは、上述した第ｎ列読出用配線Ｌ_Ｏ，ｎである。一方、行選択信号が有意値（例えばハイレベル）であるときに、読出用スイッチＳＷ１が閉じる。このとき、それまでフォトダイオードＰＤで発生して接合容量部に蓄積されていた電荷は、読出用スイッチＳＷ１を経て、対応する読出用配線Ｌ_Ｏへ出力される。出力された電荷は、読出用配線Ｌ_Ｏを介して積分回路１０１へ送られる。本実施形態では、受光部３２に形成された画素１００のうち、基板３１の上辺側の行に位置する画素１００の読出用スイッチＳＷ１は、対応する読出用配線Ｌ_Ｏを介して、信号接続部４２ｃの積分回路１０１に接続されている。一方、受光部３２に形成された画素１００のうち、基板３１の下辺側の行に位置する画素１００の読出用スイッチＳＷ１は、対応する読出用配線Ｌ_Ｏを介して、信号接続部４２ｄの積分回路１０１に接続されている。なお、基板３１の上辺側の行と下辺側の行との分割の仕方は任意である。例えば、基板３１の上辺側の行の数をＮ１とし、基板３１の下辺側の行の数をＮ２とした場合、「Ｎ１＝Ｎ２」、「Ｎ１＞Ｎ２」、及び「Ｎ１＜Ｎ２」のいずれの関係が成立してもよい。

　積分回路１０１は、アンプ１０１ａ、容量素子１０１ｂ、及び放電用スイッチ１０１ｃを含む、いわゆる電荷積分型の構成を備えている。容量素子１０１ｂ及び放電用スイッチ１０１ｃは、互いに並列に接続され、且つアンプ１０１ａの入力端子と出力端子との間に接続されている。アンプ１０１ａの入力端子は、列読出用配線Ｌ_Ｏに接続されている。放電用スイッチ１０１ｃには、リセット用配線Ｌ_Ｒを介してリセット制御信号ＲＥが提供される。

　リセット制御信号ＲＥは、Ｎ個の積分回路１０１それぞれの放電用スイッチ１０１ｃの開閉動作を指示する。例えば、リセット制御信号ＲＥが非有意値（例えばハイレベル）であるときに、放電用スイッチ１０１ｃが閉じて、容量素子１０１ｂが放電され、積分回路１０１の出力電圧値が初期化される。また、リセット制御信号ＲＥが有意値（例えばローレベル）であるときに、放電用スイッチ１０１ｃが開いて、積分回路１０１に入力された電荷が容量素子１０１ｂに蓄積され、その蓄積電荷量に応じた電圧値が積分回路１０１から出力される。

　信号接続部４２ｃ及び４２ｄのそれぞれは、Ｎ個の保持回路１０２及び水平シフトレジスタ１０３を更に有する。各保持回路１０２は、入力用スイッチ１０２ａ、出力用スイッチ１０２ｂ、及び電圧保持部１０２ｃを含む。電圧保持部１０２ｃの一端は、入力用スイッチ１０２ａを介して積分回路１０１の出力端に接続され、電圧保持部１０２ｃの他端は、出力用スイッチ１０２ｂを介して電圧出力用配線Ｌ_ＯＵＴと接続されている。入力用スイッチ１０２ａには、保持用配線Ｌ_Ｈを介して保持制御信号Ｈｄが与えられる。保持制御信号Ｈｄは、Ｎ個の保持回路１０２それぞれの入力用スイッチ１０２ａの開閉動作を指示する。保持回路１０２の出力用スイッチ１０２ｂには、水平シフトレジスタ１０３から列選択信号が与えられる。列選択信号は、対応する列の保持回路１０２の出力用スイッチ１０２ｂの開閉動作を指示する。

　保持制御信号Ｈｄがハイレベルからローレベルに転じると、入力用スイッチ１０２ａが閉状態から開状態に転じて、そのときに保持回路１０２に入力されている電圧値が電圧保持部１０２ｃに保持される。その後、水平シフトレジスタ１０３からの列選択信号が各列毎にローレベルからハイレベルに順に転じると、出力用スイッチ１０２ｂが順次閉じて、電圧保持部１０２ｃに保持されている電圧値が各列毎に電圧出力用配線Ｌ_ＯＵＴへ順次出力される。

　次に、図６を参照して、接続領域Ａとベース基板２０（本体部２１）の端部２１ａとの位置関係について説明する。図６に示されるように、可撓性回路基板４０の一端部４１ａは、当該一端部４１ａと電極パッド３３との間に接続部材７０を挟んだ状態で上下からヒータＨ１及びＨ２で挟み込んで加熱（熱圧着）することにより、接続部材７０を介して電極パッド３３に接続される。ヒータＨ１（第１ヒータ）は、可撓性回路基板４０を挟んで接続部材７０とは反対側に配置される圧着冶具である。ヒータＨ１は、例えば炭化タングステン及びコバルトからなる超硬合金である。ヒータＨ２（第２ヒータ）は、ヒータＨ１と放射線検出パネル３０（すなわち、基板３１）を挟んで接続部材７０とは反対側に配置される圧着冶具である。ヒータＨ２は、例えば石英ガラスである。

　可撓性回路基板４０を電極パッド３３に接続する際には、ヒータＨ１の表面Ｈ１ａ（一端部４１ａに対向する面）は、Ｚ方向から見て少なくとも接続領域Ａと重なるように、フレキシブル基板４１の一端部４１ａに接触させられる。また、ヒータＨ２の表面Ｈ２ａ（基板３１の第２面３１ｂに対向する面）は、Ｚ方向から見て少なくとも接続領域Ａと重なるように、基板３１の第２面３１ｂに接触させられる。この状態で、例えば、１９０℃まで昇温されたヒータＨ１及び４０℃に固定されたヒータＨ２によって数秒間加熱される。このような熱圧着（特に基板３１の第２面３１ｂに対するヒータＨ２の接触）を行うためには、作業時におけるヒータＨ２とベース基板２０との干渉を抑制するために、接続領域Ａの内側端部Ａ１からベース基板２０の端部（本体部２１の端部２１ａ）までの距離ｄは、１０μｍ以上であることが好ましい。

　一方、熱圧着の際にヒータＨ１，Ｈ２から発生した熱の一部は、基板３１を介して、受光部３２、シンチレータ３４、及び接着部材Ｇへと伝達され得る。このように伝達される熱は、これらの部材に悪影響を及ぼすおそれがある。ここで、上述したように、Ｚ方向から見て、受光部３２、シンチレータ３４、及び接着部材Ｇはいずれも、ベース基板２０の端部２１ａよりも内側に位置している。すなわち、接続領域Ａの内側端部Ａ１から受光部３２、シンチレータ３４、及び接着部材Ｇのそれぞれまでの距離（ＸＹ平面に沿った距離）は、距離ｄよりも長いことが保証される。従って、距離ｄを調整することにより、接続領域Ａから各部材（受光部３２、シンチレータ３４、及び接着部材Ｇ）までの距離（距離ｄよりも長い離間距離）を確保することができる。上述したようなヒータＨ１，Ｈ２から発生した熱が各部材に及ぼす悪影響を抑制する観点からは、距離ｄは、１ｍｍ以上であることが好ましい。

　さらに、シンチレータ３４として潮解性を有する材料が用いられる場合、シンチレータ３４の全体を覆うように、パリレン等によって成膜された防湿膜（保護膜）が設けられる場合がある。このような防湿膜の防湿性は、約５０℃程度で低下することが知られている。このような場合には、上記距離ｄは、シンチレータ３４（防湿膜）の温度が防湿性を維持するために必要な温度（ここでは５０℃以下）に抑えられるように設定されてもよい。

　図７は、ヒータＨ１を２００℃とすると共にヒータＨ２を４０℃とした状態で８秒間の熱圧着を行った場合のシミュレーション結果を示している。図７の（Ａ）は、基板３１がガラス基板（ここでは、熱伝導率が１．２Ｗ／ｍＫである無アルカリガラス）である場合における、ヒータＨ１からの距離（図６におけるＹ軸に沿った距離）と当該距離に対応する部分における基板３１の温度との関係を示している。図７の（Ｂ）は、基板３１がフレキシブル基板（ここでは、熱伝導率が０．３Ｗ／ｍＫであるフィルム材料）である場合における、ヒータＨ１からの距離と当該距離に対応する部分における基板３１の温度との関係を示している。基板３１がガラス基板である場合については、基板３１の厚さｔが０．３ｍｍ、０．５ｍｍ、０．７ｍｍ、及び０．９ｍｍである場合のそれぞれについてのシミュレーションが行われた。一方、基板３１がフレキシブル基板である場合については、基板３１の厚さｔが０．１ｍｍ及び０．２ｍｍである場合のそれぞれについてのシミュレーションが行われた。

　図７の（Ａ）に示されるように、基板３１が上述したガラス基板である場合には、ヒータＨ１からの距離が約３．５ｍｍ以上であれば、いずれの厚さ（０．３ｍｍ、０．５ｍｍ、０．７ｍｍ、０．９ｍｍ）についても、５０℃以下に抑えられることが確認された。また、図７の（Ｂ）に示されるように、基板３１が上述したフレキシブル基板である場合には、ヒータＨ１からの距離が約１．５ｍｍ以上であれば、いずれの厚さ（０．１ｍｍ、０．２ｍｍ）についても、５０℃以下に抑えられることが確認された。ここで、ヒータＨ１からの距離の基準とされた位置から接続領域Ａの内側端部Ａ１までの距離（Ｙ方向に沿った長さ）は、０．２７ｍｍである。また、上述したように、Ｚ方向から見て、シンチレータ３４の縁部は、ベース基板２０の端部２１ａよりも内側に位置している。従って、シンチレータ３４（防湿膜）の温度を５０℃以下に抑える観点からは、基板３１が上述したガラス基板である場合には、距離ｄは、３．２３ｍｍ以上であることが好ましく、基板３１が上述したフレキシブル基板である場合には、距離ｄは、１．２３ｍｍ以上であることが好ましい。

　次に、図８～図１１を参照して、放射線撮像装置１の製造方法の一例について説明する。

　まず、図８の（Ａ）に示されるように、シンチレータ３４が形成された放射線検出パネル３０が準備される。例えば、放射線検出パネル３０に対するプロービング等の画像検査を実施することにより、放射線検出パネル３０の良否判定が行われる。続いて、良品と判定された放射線検出パネル３０のピクセルエリア（受光部３２）上にＣｓＩ等のシンチレータ材料を蒸着することにより、シンチレータ３４が形成される。これにより、図８の（Ａ）に示される放射線検出パネル３０が準備される。

　また、図８の（Ｂ）に示されるように、第１延在部８１及び第２延在部８２が取り付けられたベース基板２０が準備される。例えば、金属の一枚板に対する平面形状加工が実施されることにより、上述した本体部２１及び突出部２２からなるベース基板２０が作製される。続いて、突出部２２（本実施形態では本体部２１の四隅に設けられた４つの突出部２２の各々）の支持面２０ａに、第１延在部８１がネジ留め等によって取り付けられる。また、突出部２２の裏面２０ｂに、第２延在部８２がネジ留め等によって取り付けられる。また、本体部２１の裏面２０ｂに、制御基板５０を固定するための支持部材５５が取り付けられる。なお、第１延在部８１と第２延在部８２とが互いに異なるネジを用いて個別にネジ留めされる場合には、第２延在部８２は、必ずしもこの段階で突出部２２に取り付けられなくてもよい。この場合、第２延在部８２は、後述する筐体の箱部に収容する工程（図１１参照）よりも前の任意の時点に突出部２２に取り付けられればよい。また、支持部材５５についても、必ずしもこの段階で本体部２１に取り付けられなくてもよく、後述する制御基板５０の取付工程（図９の（Ａ）参照）よりも前の任意の時点に本体部２１に取り付けられればよい。

　続いて、図８の（Ｃ）に示されるように、シンチレータ３４が形成された放射線検出パネル３０（図８の（Ａ）参照）が、第１延在部８１及び第２延在部８２が取り付けられたベース基板２０（図８の（Ｂ）参照）の支持面２０ａに固定される。ここでは、ベース基板２０の四隅（突出部２２）に設けられた第１延在部８１のガイド溝８１ａを用いることにより、放射線検出パネル３０（基板３１）が位置決めされる。続いて、例えば予め基板３１の第２面３１ｂに設けられた両面テープ等の接着部材Ｇ（図６参照）によって、基板３１がベース基板２０の支持面２０ａに固定される。ここでは、Ｚ方向から見て、電極パッド３３と接続部材７０と可撓性回路基板４０とが重なる予定の接続領域Ａ（図２及び図６参照）と重ならないように、放射線検出パネル３０に対してベース基板２０が配置される。本実施形態では、第１延在部８１のガイド溝８１ａによって基板３１が位置決めされる結果、ベース基板２０の本体部２１の端部２１ａが基板３１の端部３１ｃよりも内側に配置される。これにより、ベース基板２０は、接続領域Ａと重ならないように配置される。なお、図８の（Ｃ）に示される状態において、突出部２２が設けられた部分（本実施形態では、突出部２２、第１延在部８１、及び第２延在部８２の少なくとも１つ）を把持することにより、放射線検出パネル３０及びベース基板２０を容易に持ち運ぶことができる。すなわち、突出部２２が設けられた部分によって、放射線検出パネル３０及びベース基板２０のハンドリング性が向上している。

　続いて、図９の（Ａ）に示されるように、ベース基板２０の裏面２０ｂに、支持部材５５を介して制御基板５０が固定される。

　続いて、図９の（Ｂ）に示されるように、可撓性回路基板４０の一端部４１ａが、接続部材７０を介して電極パッド３３に接続される。例えば、予め、各ＩＣチップ４２の検査が実施され、検査において良品と判定されたＩＣチップ４２がフレキシブル基板４１に搭載される。続いて、ＩＣチップ４２がフレキシブル基板４１に搭載された状態で、更に検査（例えばＩＣチップ４２及びフレキシブル基板４１の導通確認等）が実施される。このような検査を経て、基板３１の電極パッド３３（本実施形態では３６個の電極パッド３３）に取り付けるための可撓性回路基板４０が準備される。なお、制御基板５０及び可撓性回路基板４０の取付順序は上記とは逆でもよい。すなわち、可撓性回路基板４０が放射線検出パネル３０に取り付けられた後に、制御基板５０がベース基板２０に取り付けられてもよい。

　続いて、可撓性回路基板４０（一端部４１ａ）を挟んで接続部材７０とは反対側に配置されるヒータＨ１と放射線検出パネル３０（基板３１）を挟んで接続部材７０とは反対側に配置されるヒータＨ２とによって、接続部材７０が加熱（熱圧着）される。上述したように、ベース基板２０が接続領域Ａと重ならないように配置されていることにより、ヒータＨ２とベース基板２０との干渉が防止されている。また、本実施形態では、基板３１が透明なガラス基板であるため、基板３１の裏面（第２面３１ｂ）側から電極パッド３３の位置を確認することができる。これにより、ヒータＨ２の位置合わせを容易に行うことができる。以上の処理により、各電極パッド３３と各可撓性回路基板４０とが電気的に接続される。なお、基板３１の各辺部に配置された電極パッド３３に可撓性回路基板４０が取り付けられた後には、基板３１の各辺部を把持することが困難となるが、上述したように突出部２２が設けられた部分を把持することにより、放射線検出パネル３０及びベース基板２０を容易に持ち運ぶことができる。

　続いて、図１０の（Ａ）に示されるように、各可撓性回路基板４０に搭載されたＩＣチップ４２へと向かう放射線を遮蔽するための放射線遮蔽部材６０が、ベース基板２０の裏面２０ｂの縁部に設けられる。

　続いて、図１０の（Ｂ）に示されるように、各可撓性回路基板４０の他端部４１ｂが、制御基板５０（コネクタ５１）に接続される。これにより、各可撓性回路基板４０と制御基板５０とが電気的に接続される。その結果、図１０の（Ｂ）に示されるように、筐体１０に取り付けられる前の検出ユニット１ａが完成する。

　続いて、図１０の（Ｂ）に示される状態で動作確認が実施される。ここで、ある可撓性回路基板４０の不具合（例えば、当該可撓性回路基板４０に搭載されたＩＣチップ４２の動作不良等）が発見された場合、以下の手順によるリペア作業（一実施形態の修復方法）が実施される。

　まず、不具合が発見された可撓性回路基板４０（以下「第１の可撓性回路基板」）の他端部４１ｂがコネクタ５１から取り外されると共に、第１の可撓性回路基板に対応して設けられた放射線遮蔽部材６０がベース基板２０の裏面２０ｂから取り外される。ここで、放射線遮蔽部材６０は一又は複数のＩＣチップ４２毎に部分的に設けられているため、一部の放射線遮蔽部材６０のみを取り外せばよく、作業性が向上している。続いて、放射線検出パネル３０がベース基板２０に支持された状態で、第１の可撓性回路基板（一端部４１ａ）が電極パッド３３から取り外される。具体的には、接続部材７０が加熱されることにより、接続部材７０が電極パッド３３から取り外される。このように接続部材７０を電極パッド３３から取り外すことにより、第１の可撓性回路基板（一端部４１ａ）を電極パッド３３から取り外すことができる。その結果、図９の（Ａ）に示される状態となる。なお、第１の可撓性回路基板を取り外す際における接続部材７０の加熱は、取付時と同様にヒータＨ１，Ｈ２とによって行われてもよいし、他の方法によって行われてもよい。例えば、ヒータＨ１，Ｈ２を用いる代わりに、エアガン等を用いて接続部材７０の片側（例えば第１の可撓性回路基板（一端部４１ａ）側）に対して熱風を吹き付けることにより、接続部材７０を加熱してもよい。

　続いて、放射線検出パネル３０に取り付けるための可撓性回路基板４０（第２の可撓性回路基板）が準備される。例えば、上述した第１の可撓性回路基板の修復が可能な場合（例えば、第１の可撓性回路基板に搭載されたＩＣチップ４２を他のＩＣチップに交換することにより修復可能な場合）には、第１の可撓性回路基板の修復作業が実行されてもよい。この場合、修復された第１の可撓性回路基板が、第２の可撓性回路基板として用いられる。一方、第１の可撓性回路基板の修復が不可能な場合には、予め用意されている可撓性回路基板の予備品が、第２の可撓性回路基板として用いられてもよい。

　続いて、放射線検出パネル３０がベース基板２０に支持された状態で、第２の可撓性回路基板が、電極パッド３３に取り付けられる。すなわち、図９の（Ｂ）に示されるように、第２の可撓性回路基板（一端部４１ａ）を挟んで接続部材７０とは反対側に配置されるヒータＨ１と放射線検出パネル３０（基板３１）を挟んで接続部材７０とは反対側に配置されるヒータＨ２とによって接続部材７０を加熱（熱圧着）することにより、第２の可撓性回路基板が接続部材７０を介して電極パッド３３に接続される。以上の手順により、可撓性回路基板４０のリペア（すなわち、故障した第１の可撓性回路基板の取り外し、及び第２の可撓性回路基板（例えば、修理後の第１の可撓性回路基板又は予備品等）の再取付）が完了する。その後、可撓性回路基板４０のリペアのために一旦取り外された放射線遮蔽部材６０を再度ベース基板２０の裏面２０ｂの縁部に取り付けると共に、第２の可撓性回路基板の他端部４１ｂをコネクタ５１に取り付けることにより、図１０の（Ｂ）に示される状態となる。このように、ベース基板２０が接続領域Ａと重ならないように配置されていることにより、ベース基板２０から放射線検出パネル３０を取り外すことなく、可撓性回路基板４０のリペア作業を実施することができる。

　続いて、図１１に示されるように、図１０の（Ｂ）に示される検出ユニット１ａが、筐体の箱部（底壁１２及び側壁１３）に収容（固定）される。具体的には、第２延在部８２が底壁１２に固定される。また、支持部材５６を介して制御基板５０が底壁１２に固定される。また、ＩＣチップ４２又はＡＤコンバータ５２と底壁１２の凸部１２ａとの間には、放熱部材５７が配置される。続いて、図２に示されるように、筐体の蓋部（天壁１１）が側壁１３及び第１延在部８１にネジ留めされる。以上により、放射線撮像装置１が製造される。なお、上述した可撓性回路基板４０のリペア作業は、放射線撮像装置１が完成した後に実施されてもよい。この場合、天壁１１を側壁１３及び第１延在部８１から取り外すと共に、検出ユニット１ａを底壁１２から取り外すことによって図１０の（Ｂ）に示される状態にした後に、上述したリペア作業が実施されればよい。

　次に、放射線撮像装置１の作用効果について説明する。

　放射線撮像装置１によれば、ベース基板２０（突出部２２）が、第１延在部８１及び第２延在部８２を介して、互いに対向する筐体１０の一部（天壁１１及び底壁１２）によって挟持される。これにより、筐体１０に対してベース基板２０を安定的に支持することができる。ここで、ベース基板２０を筐体１０に対して支持する方法としては、上記実施形態で示したように、例えば柱状の支持部材５５，５６（或いは、Ｚ方向に制御基板５０を貫通しつつ制御基板５０を支持するように支持部材５５，５６が一体化された支持部材）を介してベース基板２０の裏面２０ｂを底壁１２に支持する方法がある。上記実施形態では、上記の支持方法が併用されているが、第１延在部８１及び第２延在部８２を介してベース基板２０が筐体１０に支持されるため、第１延在部８１及び第２延在部８２が設けられない場合と比較して、ベース基板２０の裏面２０ｂに設けられる支持部材の数を削減することが可能となる。これにより、ベース基板２０の裏面２０ｂに対する外部（特に底壁１２）からの衝撃を伝わり難くすることができる。その結果、ベース基板２０に支持される放射線検出パネル３０への衝撃を低減することが可能となる。また、底壁１２に対して制御基板５０を支持するための支持部材５６の数を削減することが可能になることにより、制御基板５０に対する外部（特に底壁１２）からの衝撃を伝わり難くすることができる。また、制御基板５０を貫通する支持部材の数を削減することが可能になることにより、制御基板５０のレイアウト（制御基板５０内に実装された回路及び配線等のレイアウト）の設計自由度を向上させることができる。

　また、第１延在部８１は、放射線検出パネル３０（基板３１）を位置決めする位置決め部材として機能する。この構成によれば、第１延在部８１によってベース基板２０の支持面２０ａに対する放射線検出パネル３０（基板３１）の位置決めを容易に行うことが可能となるため、組立作業性を向上させることができる。

　また、第１延在部８１及び第２延在部８２は、ベース基板２０と一体的に形成されていてもよいが、上記実施形態では、第１延在部８１及び第２延在部８２は、ベース基板２０とは別体に形成されている。この構成によれば、ベース基板２０が第１延在部８１及び第２延在部８２の少なくとも一方と一体に形成されている場合と比較して、ベース基板２０の反りを低減することができる。また、第１延在部８１又は第２延在部８２をベース基板２０と一体的に形成する場合には、比較的厚い金属板を削り出す作業が必要となり、材料コスト及び作業工数が増大するデメリットが生じる。一方、第１延在部８１及び第２延在部８２をベース基板２０とは別体に形成することにより、このようなデメリットを回避できる。

　また、上述したように、第１延在部８１と第２延在部８２とは、共通の取付部材（ネジ等）によって突出部２２に取り付けられていてもよい。この構成によれば、第１延在部８１と第２延在部８２との相対的な位置関係を精度良く維持することができ、ベース基板２０をより一層安定的に支持することができる。

　また、第２延在部８２は、Ｚ方向から見て、第１延在部８１よりも大きく、第２延在部８２は、Ｚ方向から見て、第１延在部８１と重ならない部分を有している。本実施形態では、第２延在部８２は、第１延在部８１のガイド溝８１ａに対応する溝部が設けられていない分だけ、第１延在部８１よりも大きい。筐体１０のうち、放射線検出パネル３０の検出領域Ｒが形成された第１面３１ａとは反対側に位置する（すなわち、第２面３１ｂに対向する）底壁１２は、通常接地面となる。このため、上記構成によれば、底壁１２に支持される第２延在部８２を第１延在部８１よりも大きくすることにより、ベース基板２０をより一層安定的に支持することができる。また、接地面側（底壁１２）からの衝撃を第２延在部８２で好適に吸収することが可能となるため、当該衝撃を放射線検出パネル３０に伝わり難くすることができる。

　また、突出部２２の支持面２０ａには、互いに離間して配置された複数の第１延在部８１が設けられると共に、複数の第１延在部８１に対応するように、互いに離間して配置された複数の第２延在部８２が設けられている。本実施形態では、互いに離間して配置された４つの第１延在部８１と、当該４つの第１延在部８１に対応する４つの第２延在部８２と、が設けられている。この構成によれば、互いに離間する複数の位置（本実施形態では、ベース基板２０の四隅）に点在する第１延在部８１及び第２延在部８２によってベース基板２０を筐体１０に対して支持することができる。これにより、例えばベース基板２０の縁部に沿って第１延在部及び第２延在部を壁状に形成する場合と比較して、第１延在部８１及び第２延在部８２を軽量化しつつ、ベース基板２０を筐体１０に対して安定的に支持することができる。

　また、ベース基板２０は、互いに離間して配置された複数（本実施形態では４つ）の突出部２２を有し、複数の突出部２２の各々に、第１延在部８１及び第２延在部８２が設けられている。この構成によれば、突出部２２毎に第１延在部８１及び第２延在部８２を設けることにより、上述した効果を奏する構成を容易に実現できる。なお、上記実施形態とは異なり、１つの突出部２２に対して、互いに離間する複数の第１延在部８１及び互いに離間する複数の第２延在部８２が設けられてもよい。この場合でも、上述した効果を奏することができる。ただし、本実施形態のように、分散して配置された複数の突出部２２の各々に対して、第１延在部８１及び第２延在部８２を１つずつ設けることにより、突出部２２における無駄な領域（第１延在部８１及び第２延在部８２が設けられない領域）を減らすことができ、突出部２２の小型化及び軽量化を図ることができる。

　また、放射線検出パネル３０は、Ｚ方向から見て矩形状に形成されている。複数の突出部２２は、放射線検出パネル３０の四隅に対応する位置に設けられている。この構成によれば、ベース基板２０の四隅を第１延在部８１及び第２延在部８２を介して天壁１１及び底壁１２によってバランス良く挟持することができるため、筐体１０に対してベース基板２０をより一層安定的に支持することができる。

　また、側壁１３は、Ｚ方向から見て、矩形環状に形成されている。側壁１３の角部には、突出部２２、第１延在部８１、及び第２延在部８２との干渉を避けるための凹部１３ｃが形成されている。凹部１３ｃにおける側壁１３の厚さｔ１は、隣り合う側壁１３の角部同士を接続する辺部における側壁１３の厚さｔ２よりも小さい。側壁１３の厚みを一定にする（すなわち、角部における厚みを辺部における厚みと同一にする）場合には、角部において突出部２２との干渉を避ける必要がある分だけ、Ｚ方向から見た筐体１０の外形を大きくする必要が生じる。この場合、Ｚ方向から見た場合の放射線撮像装置１における不感領域の割合が大きくなってしまう。一方、上記構成によれば、凹部１３ｃを形成することにより、不感領域の割合を低減することが可能となる。

　また、天壁１１は、側壁１３と面接触するように配置されたシールド部材１１２を有しており、天壁１１は、側壁１３の辺部（側壁１３の辺部に設けられたネジ孔１３ｂ）及び第１延在部８１（第１延在部８１に設けられたネジ孔８１ｂ）に対してネジ留めされている。この構成によれば、天壁１１が側壁１３の辺部及び第１延在部８１（すなわち、側壁１３の角部に近接した部分）に対してネジ留めされることにより、側壁１３の上面１３ａ全体において、天壁１１と側壁１３との良好な面接触を図ることができる。これにより、電磁シールド効果を効果的に高めることができる。

　また、上述した放射線撮像装置１の製造方法は、放射線検出パネル３０を準備する工程（図８の（Ａ））と、放射線検出パネル３０の第２面３１ｂをベース基板２０の支持面２０ａに支持させる工程（図８の（Ｃ））と、接続部材７０を介して電極パッド３３に可撓性回路基板４０を接続する工程（図９の（Ｂ））と、を含む。そして、支持させる工程では、Ｚ方向から見て、ベース基板２０の端部２１ａが電極パッド３３と接続部材７０と可撓性回路基板４０とが重なる予定の接続領域Ａ（図６参照）の内側端部Ａ１よりも内側に位置するように、放射線検出パネル３０に対してベース基板２０が配置される。また、接続する工程では、可撓性回路基板４０を挟んで接続部材７０とは反対側に配置されるヒータＨ１と放射線検出パネル３０を挟んで接続部材７０とは反対側に配置されるヒータＨ２とによって接続部材７０が加熱される。このような製造方法によれば、支持させる工程において、接続領域Ａと重ならないようにベース基板２０が配置されることにより、ヒータＨ１とヒータＨ２とで可撓性回路基板４０、接続部材７０、及び放射線検出パネル３０を挟んで熱圧着することが可能となる。すなわち、可撓性回路基板４０と電極パッド３３とを接続する際に、ヒータＨ２とベース基板２０とが互いに干渉することを防止できる。これにより、放射線検出パネル３０をベース基板２０によって安定的に支持した状態で、可撓性回路基板４０を放射線検出パネル３０に接続することができる。また、このようにヒータＨ１，Ｈ２で接続部材７０の両側（可撓性回路基板４０側及び放射線検出パネル３０側）から加熱することにより、接続部材７０の片側から加熱する場合と比較して、低い加熱温度（ヒータの温度）で十分な接続強度を確保することができる。従って、上記製造方法によれば、加熱時の熱が放射線検出パネル３０等（例えば、シンチレータ３４等）に及ぼす悪影響を抑制しつつ、接続強度を確保することもできる。

　ただし、放射線撮像装置１の製造手順は上記手順に限られず、例えば、放射線検出パネル３０をベース基板２０に支持させる前に、放射線検出パネル３０の電極パッド３３に可撓性回路基板４０を接続してもよい。すなわち、放射線検出パネル３０がベース基板２０に支持されていない状態で、放射線検出パネル３０に可撓性回路基板４０が接続されてもよい。いずれにしても、ベース基板２０の形状及び配置が、接続領域Ａと重ならないように設計されていることにより、放射線撮像装置１の製造時における作業手順の自由度が向上している。具体的には、放射線検出パネル３０に可撓性回路基板４０を接続する工程を実施するタイミングを、任意に選択することが可能となる。すなわち、放射線検出パネル３０をベース基板２０に支持させる前後のいずれにおいても、放射線検出パネル３０に可撓性回路基板４０を接続することが可能となる。

　また、上述した放射線撮像装置１の修復方法は、放射線検出パネル３０がベース基板２０に支持された状態で、第１の可撓性回路基板を電極パッド３３から取り外す工程と、放射線検出パネル３０がベース基板２０に支持された状態で、第２の可撓性回路基板（修理後の第１の可撓性回路基板、又は他の可撓性回路基板）を挟んで接続部材７０とは反対側に配置されるヒータＨ１と放射線検出パネル３０を挟んで接続部材７０とは反対側に配置されるヒータＨ２とによって接続部材７０を加熱することにより、第２の可撓性回路基板を接続部材７０を介して電極パッド３３に接続する工程と、を含む。このような修復方法によれば、接続領域Ａと重ならないようにベース基板２０が配置されていることにより、放射線検出パネル３０をベース基板２０から取り外すことなく、可撓性回路基板４０のリペア（取り外す工程及び接続する工程）を行うことができる。従って、上記修復方法によれば、可撓性回路基板４０のリペア作業を容易に行うことができる。

（付記１）
　放射線撮像装置１は、放射線を検出する検出領域Ｒが形成されると共に検出領域Ｒの外側に電極パッド３３が形成された第１面３１ａと、第１面３１ａとは反対側の第２面３１ｂと、を有する放射線検出パネル３０と、放射線検出パネル３０の第２面３１ｂに対向すると共に放射線検出パネル３０を支持する支持面２０ａを有するベース基板２０と、接続部材７０を介して電極パッド３３に接続された可撓性回路基板４０と、を備えている。ベース基板２０の端部２１ａは、支持面２０ａに直交するＺ方向から見て、電極パッド３３と接続部材７０と可撓性回路基板４０とが重なる接続領域Ａの内側端部Ａ１よりも内側に位置している。放射線撮像装置１においては、可撓性回路基板４０を電極パッド３３に接続する際に、可撓性回路基板４０、接続部材７０、及び放射線検出パネル３０をＺ方向における両側からヒータＨ１，Ｈ２で加熱する必要が生じる場合がある。すなわち、例えば異方性導電材料のように熱圧着によって接着力を生じさせる部材を接続部材７０として用いる場合、上記のヒータＨ１，Ｈ２による熱圧着が必要となる。一方、放射線撮像装置１では、ベース基板２０の端部２１ａが、Ｚ方向から見て接続領域Ａ（本実施形態では全ての接続領域Ａ）の内側端部Ａ１よりも内側に位置している。このため、放射線検出パネル３０の第２面３１ｂ側に配置されるヒータＨ２とベース基板２０との干渉を回避することができる。これにより、可撓性回路基板４０のリペア（修理、交換等）が必要になった場合において、放射線検出パネル３０をベース基板２０から取り外すことなく、可撓性回路基板４０のリペアを行うことができる。従って、放射線撮像装置１によれば、可撓性回路基板４０のリペア作業を容易化することができる。

　また、仮に、Ｚ方向から見てベース基板２０の端部２１ａが放射線検出パネル３０の端部３１ｃよりも外側に位置する場合には、可撓性回路基板４０をベース基板２０の端部２１ａよりも外側に引き回す必要が生じる。このような引き回しが必要となる分だけ可撓性回路基板４０が長くなり、可撓性回路基板４０を介して伝達される信号にノイズが乗りやすくなってしまう。一方、放射線撮像装置１においては、Ｚ方向から見てベース基板２０の端部２１ａが接続領域Ａの内側端部Ａ１よりも内側に位置している（すなわち、放射線検出パネル３０の端部３１ｃよりも内側に位置している）。このため、上述したような可撓性回路基板４０の引き回しが不要となり、可撓性回路基板４０の全体長を短くすることができる。その結果、可撓性回路基板４０を介して伝達される信号におけるノイズを抑制することが可能となる。

　また、放射線検出パネル３０は、Ｚ方向から見て矩形状に形成されており、放射線検出パネル３０の少なくとも１つの辺部に、一以上の接続領域Ａが形成されている。本実施形態では一例として、全て（４つ）の辺部のそれぞれに、複数の接続領域Ａが形成されている。ベース基板２０の端部２１ａは、Ｚ方向から見て、少なくとも１つの辺部（本実施形態では全ての辺部のそれぞれ）に形成された全ての接続領域Ａの内側端部Ａ１よりも内側に位置している。この構成によれば、上記少なくとも１つの辺部における接続領域Ａに接続された可撓性回路基板４０のＺ方向から見た外側端部４０ａの位置を、ベース基板２０の端部２１ａに干渉させることなく、放射線検出パネル３０の端部３１ｃに近づけることができる。すなわち、上記少なくとも１つの辺部における可撓性回路基板４０の外側端部４０ａをなるべく内側に位置させることができる。これにより、Ｚ方向から見た場合の筐体１０の寸法を小さくすることができ、放射線撮像装置１の小型化を図ることができる。

　また、放射線撮像装置１は、第１面３１ａ上に配置され、検出領域Ｒを構成する、放射線を光に変換するシンチレータ３４を備えており、Ｚ方向から見て、ベース基板２０の端部２１ａは、検出領域Ｒよりも外側に位置しており、ＸＹ平面に沿った方向（第２方向）における接続領域Ａの内側端部Ａ１とベース基板２０の端部２１ａとの距離ｄ（図６参照）は、１ｍｍ以上であってもよい。上記構成によれば、可撓性回路基板４０を電極パッド３３に接続する際に接続部材７０を加熱するヒータＨ１とシンチレータ３４との距離を、一定以上（少なくとも１ｍｍ以上）確保することができる。その結果、ヒータＨ１からの熱がシンチレータ３４に与える悪影響を抑制することができる。また、上述したように、シンチレータ３４には、防湿性を有する防湿膜が設けられる場合がある。このような防湿膜は特に熱に弱い性質を有する。上記構成によれば、ヒータＨ１からの熱がこのように特に熱に弱い性質を有するシンチレータ３４（防湿膜を含む）に与える悪影響を抑制することができる。

　また、ベース基板２０は、Ｚ方向から見て、可撓性回路基板４０と重ならない位置において放射線検出パネル３０（基板３１）よりも外側に突出した突出部２２を有している。この構成によれば、放射線検出パネル３０がベース基板２０に支持された状態で、突出部２２を把持部として利用することができるため、放射線撮像装置１の製造時又はリペア時におけるハンドリング性を向上させることができる。

（付記２）
　放射線撮像装置１は、放射線を検出する検出領域Ｒが形成された第１面３１ａと、第１面３１ａとは反対側の第２面３１ｂと、を有する放射線検出パネル３０と、放射線検出パネル３０の第２面３１ｂに対向すると共に放射線検出パネル３０を支持する支持面２０ａを有するベース基板２０と、放射線検出パネル３０に接続された可撓性回路基板４０と、を備えている。支持面２０ａに直交するＺ方向から見て、可撓性回路基板４０が接続された部分に対応するベース基板２０の端部２１ａは、放射線検出パネル３０の端部３１ｃよりも内側に位置しており、ベース基板２０は、Ｚ方向から見て、可撓性回路基板４０と重ならない位置において放射線検出パネル３０よりも外側に突出した突出部２２を有する。放射線撮像装置１では、可撓性回路基板４０が接続された部分に対応するベース基板２０の端部２１ａは、放射線検出パネル３０（基板３１）の端部３１ｃよりも内側に位置している。これにより、本実施形態のように、可撓性回路基板４０の他端部４１ｂをベース基板２０の裏面２０ｂに配置された制御基板５０に接続する必要がある場合に、可撓性回路基板４０とベース基板２０との干渉を適切に防止することができる。

　また、上述した不感領域の割合（すなわち、放射線撮像装置１全体の領域に対する有効受光エリア（検出領域Ｒ）以外の領域の割合）を低減する観点から、Ｚ方向から見た場合の可撓性回路基板４０の基板３１の端部３１ｃからの突出長さをなるべく小さくすることが好ましい。ここで、上記突出長さは、Ｚ方向から見た場合の可撓性回路基板４０の外側端部４０ａ（折り曲げられた部分であって、ＸＹ平面に平行な方向において基板３１の端部３１ｃから最も離れた部分）と基板３１の端部３１ｃとの離間距離である。ベース基板２０の端部２１ａが放射線検出パネル３０（基板３１）の端部３１ｃよりも内側に位置していることにより、上記突出長さをなるべく小さくすることができる。具体的には、仮にベース基板２０の端部２１ａが端部３１ｃよりも外側に位置している場合には、上記突出長さは、端部３１ｃとベース基板２０の端部２１ａとの間の距離よりも大きくしなければならないという制約が生じる。一方、ベース基板２０の端部２１ａが放射線検出パネル３０（基板３１）の端部３１ｃよりも内側に位置していることにより、上記制約が生じない。

　また、ベース基板２０は、Ｚ方向から見て、可撓性回路基板４０と重ならない位置において放射線検出パネル３０（基板３１）よりも外側に突出した突出部２２を有している。これにより、放射線検出パネル３０がベース基板２０に支持された状態で、突出部２２を把持部として利用することができるため、ベース基板２０のハンドリング性を向上させることができる。

　また、突出部２２は、少なくとも２箇所に形成されている。この場合、ベース基板２０を２箇所で安定して把持することが可能となる。また、突出部２２は、少なくとも３箇所に形成されていてもよいし、少なくとも４箇所に形成されていてもよい。本実施形態では、突出部２２は、４箇所に形成されている。この場合、ベース基板２０をより一層安定して把持することが可能となる。

　また、基板３１（放射線検出パネル３０）は、Ｚ方向から見て矩形状に形成されている。突出部２２は、放射線検出パネル３０の角部に対応する位置に設けられている。基板３１の角部に対応する位置に突出部２２を設けることにより、基板３１の各辺部を可撓性回路基板４０と接続されるスペース（すなわち、電極パッド３３が形成される領域）として利用しつつ、ベース基板２０のハンドリング性を向上させることができる。本実施形態では、ベース基板２０の四隅に突出部２２が形成され、これらの突出部２２が第１延在部８１及び第２延在部８２を介して筐体１０に固定されている。これにより、ベース基板２０は、その四隅に形成された突出部２２を介して筐体１０に対してバランス良く支持される。また、この場合、Ｚ方向から見て放射線検出パネル３０からなるべく離れた位置に形成された上記突出部２２によってベース基板２０が筐体１０に支持される。これにより、例えば筐体１０に外力が加わって筐体１０が変形したとしても、当該筐体１０の変形の影響がベース基板２０を介して放射線検出パネル３０へと波及することを好適に抑制することができる。

　また、放射線検出パネル３０は、Ｚ方向から見て矩形状に形成されており、放射線検出パネル３０の少なくとも１つの辺部に、一以上の可撓性回路基板４０が接続されている。本実施形態では一例として、全て（４つ）の辺部のそれぞれに、複数の可撓性回路基板４０が接続されている。少なくとも１つの辺部における全ての可撓性回路基板４０が接続された部分に対応するベース基板２０の端部２１ａは、放射線検出パネル３０の端部３１ｃよりも内側に位置している。この構成によれば、上記少なくとも１つの辺部における全ての可撓性回路基板４０のＺ方向から見た外側端部４０ａの位置を、ベース基板２０の端部２１ａに干渉させることなく、放射線検出パネル３０の端部３１ｃに近づけることができる。すなわち、上記少なくとも１つの辺部における可撓性回路基板４０の外側端部４０ａをなるべく内側に位置させることができる。これにより、Ｚ方向から見た場合の筐体１０の寸法を小さくすることができ、放射線撮像装置１の小型化を図ることができる。

　以上、本開示の好適な実施形態について詳細に説明されたが、本開示は上記実施形態に限定されない。例えば、各部の材料及び形状には、上述した材料及び形状に限らず、様々な材料及び形状を採用することができる。

　上記実施形態では、垂直シフトレジスタ４２ａ，４２ｂ、及び信号接続部４２ｃ，４２ｄは、いずれも可撓性回路基板４０を介して外付けされていた。また、読出性能（ノイズ及び読出速度等）を考慮して、検出領域Ｒの左右両側に垂直シフトレジスタ４２ａ，４２ｂを接続するための電極パッド３３が配置され、検出領域Ｒの上下両側に信号接続部４２ｃ，４２ｄを接続するための電極パッド３３が配置されている。すなわち、上記実施形態では、図１２の（Ａ）に示されるように、検出領域Ｒを取り囲む４辺に複数の電極パッド３３が配置されている。しかし、電極パッド３３は、必ずしも４辺全てに配置されていなくてもよい。また、各辺に配置される電極パッド３３の個数及び配置間隔も特に限定されない。

　例えば、垂直シフトレジスタ４２ａ，４２ｂの一方、又は信号接続部４２ｃ，４２ｄの一方が省略されてもよい。この場合、図１２の（Ｂ）に示されるように、基板３１の３辺に沿って電極パッド３３が配置される。また、垂直シフトレジスタ４２ａ，４２ｂの一方、及び信号接続部４２ｃ，４２ｄの一方が省略されてもよい。この場合、図１２の（Ｃ）に示されるように、基板３１の２辺に沿って電極パッド３３が配置される。また、例えば、垂直シフトレジスタ４２ａ，４２ｂに対応する回路が、外付けのＩＣチップ４２ではなく基板３１に作り込まれてもよい。さらに、信号接続部４２ｃ，４２ｄの一方が省略されてもよい。この場合、図１２の（Ｄ）に示されるように、基板３１の一辺に沿って電極パッド３３が配置される。例えば、基板３１を低温ポリシリコンを用いたＴＦＴパネルとして構成することにより、このような回路の作り込みを容易に行うことができる。

　また、図１２の（Ｅ）に示されるように、基板３１において電極パッド３３が設けられる辺部（ここでは左右両側の２辺）には、比較的広い間隔で複数（ここでは一例として２つ）の電極パッド３３が配置されていてもよい。この例では、左右両側の２辺の中央部に、電極パッド３３が配置されていない比較的広いスペースが形成されている。また、図１２の（Ｆ）に示されるように、基板３１において電極パッド３３が設けられる辺部（ここでは左右両側の２辺）には、１つの電極パッド３３のみが配置され、当該電極パッド３３の両側に比較的広いスペースが形成されていてもよい。そして、図１２の（Ｂ）～（Ｆ）に示されるように、基板３１において電極パッド３３が形成されない辺部、又は電極パッド３３が設けられていない比較的広いスペースが設けられる場合には、当該辺部又は当該スペースに対応する部分に、突出部２２（例えば図１３の（Ｅ）～（Ｉ）参照）が配置されてもよい。

　上記実施形態では、突出部２２は、本体部２１の四隅に設けられたが、突出部２２の配置及び個数は上記例に限られない。例えば、突出部２２は、図１３の（Ａ）に示されるように１つの角部に設けられてもよいし、図１３の（Ｂ）に示されるように互いに隣接する２つの角部に設けられてもよいし、図１３の（Ｃ）に示されるように互いに対角関係にある２つの角部に設けられてもよいし、図１３の（Ｄ）に示されるように、３つの角部に設けられてもよい。

　また、突出部２２が設けられる位置は、本体部２１の角部に限られず、本体部２１の辺部であってもよい。この場合、例えば、突出部２２は、図１３の（Ｅ）に示されるように１辺に設けられてもよいし、図１３の（Ｆ）に示されるように互いに隣接する２辺に設けられてもよいし、図１３の（Ｇ）に示されるように互いに対向する２辺に設けられてもよいし、図１３の（Ｈ）に示されるように３辺に設けられてもよいし、図１３の（Ｉ）に示されるように４辺に設けられてもよい。また、図１３の（Ｆ）～（Ｉ）の例では、突出部２２は各辺の中央部に設けられているが、突出部２２は各辺の中央部からずれた位置に設けられてもよいし、１辺に対して２以上の突出部２２が設けられてもよい（例えば、図１４の（Ｄ）参照）。なお、図１３の（Ａ）及び（Ｅ）に示されるように、突出部２２が１つのみであったとしても、当該突出部２２を把持することにより、放射線検出パネル３０及びベース基板２０を容易に持ち運ぶことができる。すなわち、突出部２２が設けられた部分によって、放射線検出パネル３０及びベース基板２０のハンドリング性が向上する。一方、複数の突出部２２を設けた場合には、ベース基板２０を複数個所で安定して把持することが可能となるため、上記ハンドリング性をより一層向上させることができる。

　また、突出部２２は、本体部２１の角部及び辺部の両方に設けられていてもよい。すなわち、上記実施形態及び図１３等に示される突出部２２の配置は、任意に組み合わせられてもよい。

　上記実施形態では、位置決め部材としての第１延在部８１（ガイド溝８１ａが設けられた第１延在部８１）が、基板３１の四隅のそれぞれに対応する位置に設けられたが、位置決め部材としての第１延在部８１は、少なくとも１つ設けられればよい。この場合でも、基板３１の角部を挟んで互いに隣接する２辺（互いに直交する２辺）の位置決めを行うことができるため、基板３１の位置決めを行うことができる。ただし、図１４の（Ａ）～（Ｃ）に示されるように、位置決め部材としての第１延在部８１は、基板３１の２カ所以上の角部に対応する位置に設けられることが好ましい。これにより、基板３１をベース基板２０の支持面２０ａに配置する際の作業性を向上させることができる。

　また、図１４の（Ｄ）～（Ｆ）に示されるように、突出部２２が本体部２１の辺部に設けられる場合には、第１延在部８１は、基板３１の辺部を位置決めするためのガイド面８１ｃ（Ｚ方向から見て、対応する基板３１の辺部に平行となる面）を有してもよい。また、この場合、第１延在部８１は、互いに直交する２辺に少なくとも１つずつ（計２つ）設けられればよい。ただし、図１４の（Ｄ）～（Ｆ）に示されるように、位置決め部材としての第１延在部８１は、３カ所以上に設けられることが好ましい。これにより、基板３１をベース基板２０の支持面２０ａに配置する際の作業性を向上させることができる。

　また、位置決め部材としての第１延在部８１は、本体部２１の角部及び辺部の両方に設けられてもよい。

　位置決め部材として利用された第１延在部８１は、基板３１が支持面２０ａに固定された後に取り外されてもよい。ただし、基板３１が支持面２０ａに固定された後も第１延在部８１を残しておくことにより、第１延在部８１を取り外す際におけるハンドリングミスの発生を防止し、ハンドリングミスに起因するベース基板２０等の部材の損傷（すなわち、放射線撮像装置１の歩留まりの低下）を防止できる。また、第１延在部８１を残しておくことにより、当該第１延在部８１を基板３１の端部（上記実施形態では、基板３１の角部３１ｄ）を保護する保護部材として機能させることができる。さらに、上記実施形態のように、第１延在部８１を突出部２２と天壁１１とを接続する支持部材として活用することもできる。

　上記実施形態では、第１延在部８１は、基板３１を位置決めする位置決め部材として機能すると共に、天壁１１に対して突出部２２を支持する支持部材として機能したが、第１延在部８１は、位置決め部材及び支持部材の一方の機能のみを有してもよい。すなわち、第１延在部８１には、基板３１を位置決めする部分（本実施形態では、ガイド溝８１ａ）が設けられていなくてもよい。或いは、第１延在部８１は、天壁１１に固定されていなくてもよい。もしくは、第１延在部８１は、省略されてもよい。また、複数の突出部２２が設けられる場合において、第１延在部８１は、一部の突出部２２にのみ設けられてもよい。同様に、第２延在部８２は、省略されてもよい。また、複数の突出部２２が設けられる場合において、第２延在部８２は、一部の突出部２２にのみ設けられてもよい。

　突出部２２は、省略されてもよい。すなわち、ベース基板２０は、上述した本体部２１からのみなる部材であってもよい。この場合には、突出部２２に固定される第１延在部８１及び第２延在部８２についても省略される。

　上記実施形態では、ベース基板２０は、Ｚ方向から見て全ての接続領域Ａと重ならないように形成されたが、ベース基板２０は、少なくとも１つの接続領域Ａと重ならないように形成されていればよく、必ずしも全ての接続領域Ａと重ならないように形成されていなくてもよい。例えば、ベース基板２０は、特に故障の発生率が高い（すなわち、リペア作業が発生し易い）ＩＣチップ４２が搭載された可撓性回路基板４０に対応する接続領域Ａと重ならないように形成される一方で、他の接続領域Ａと重なるように形成されてもよい。この場合、上記実施形態で示した手順（すなわち、放射線検出パネル３０をベース基板２０に支持させた後に、各可撓性回路基板４０を各電極パッド３３に接続する手順）を実施することはできなくなるが、放射線検出パネル３０に各可撓性回路基板４０を接続した後に放射線検出パネル３０をベース基板２０に支持させることにより、放射線撮像装置１を製造することができる。また、ベース基板２０が故障の発生率が高いＩＣチップ４２が搭載された可撓性回路基板４０に対応する接続領域Ａと重ならないように形成されていることにより、当該ＩＣチップ４２が故障した場合には、ベース基板２０から放射線検出パネル３０を取り外すことなく、当該可撓性回路基板４０のリペア作業を実施することができる。よって、このようにベース基板２０が一部の接続領域Ａのみと重ならないように形成されている場合においても、上記実施形態と同様に、当該接続領域Ａに対応する可撓性回路基板４０のリペア作業を容易化でき、当該可撓性回路基板４０を介して伝達される信号におけるノイズを抑制することができるという効果が奏される。

　上記実施形態では、各電極パッド３３との電気的な接続手段として可撓性回路基板４０のみが用いられたが、可撓性回路基板４０以外の接続手段（例えば、ワイヤボンディング等）が併用されてもよい。例えば、一部の電極パッド３３が、可撓性回路基板４０を介して制御基板５０に接続され、他の電極パッド３３が、ワイヤボンディングによって制御基板５０（或いは別途設けられる制御回路）に接続されてもよい。

　また、上記実施形態では、外付けのＩＣチップ４２と電極パッド３３とは、可撓性回路基板４０を介して電気的に接続されているが、例えば筐体１０内にチップ搭載用の基板が収容され、当該基板にＩＣチップが搭載されてもよい。また、当該ＩＣチップと電極パッド３３とは、可撓性回路基板４０以外の接続手段（例えば、上述したワイヤボンディング等）のみによって電気的に接続されてもよい。また、このような場合には、上記実施形態で説明したような接続領域Ａは存在しないため、Ｚ方向から見て、ベース基板２０の端部２１ａは、放射線検出パネル３０（基板３１）の端部３１ｃよりも内側に配置されなくてもよい。すなわち、Ｚ方向から見て、基板３１を完全に内包する大きさのベース基板２０（すなわち、Ｚ方向から見て、ベース基板２０の周縁部全体が基板３１よりも外側に位置するベース基板２０）が用いられてもよい。この場合、ベース基板２０の周縁部全体が、上記実施形態における突出部２２に対応する。

　さらに、上述したように、ベース基板２０と可撓性回路基板４０との干渉を防止する観点、及び不感領域の割合を低減する観点からは、可撓性回路基板４０が接続された部分に対応するベース基板２０の端部２１ａは、放射線検出パネル３０（基板３１）の端部３１ｃよりも内側に位置していればよく、ベース基板２０は、Ｚ方向から見て接続領域Ａと重ならないように形成されていなくてもよい。

　上記実施形態では、検出領域Ｒは、シンチレータ３４によって放射線像を光像に変換した後に受光部３２によって当該光像を撮像して画像を得る間接変換方式が適用された領域であったが、検出領域Ｒは、放射線像を直接的に撮像して画像を得る直接変換方式が適用された領域であってもよい。例えば、基板３１の第１面３１ａにおいて、受光部３２の代わりに、電荷の蓄積及び転送を行うように構成された画素回路が設けられると共に、シンチレータ３４の代わりに、放射線を直接的に電荷に変換する固体材料（変換部）（例えば、ＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＴｌＢｒ、ＨｇＩ２、ＰｂＩ２、Ｓｉ、Ｇｅ、及びａ－Ｓｅ等）が設けられてもよい。これにより、直接変換方式が適用された検出領域Ｒが得られる。この場合の検出領域Ｒは、放射線が入射する領域であって、且つバイアス電圧が印加される領域（すなわち、画像を取得する対象となる領域）である。なお、このような固体材料も、シンチレータ３４と同様に高温に弱い性質を有するため、固体材料と接続領域Ａとの距離（すなわち、ベース基板２０の端部２１ａと接続領域Ａの内側端部Ａ１との距離ｄ）をなるべく大きくとることが好ましい。具体的には、固体材料が設けられる場合（直接変換方式）においても、シンチレータ３４が設けられる場合（間接変換方式）と同様に、上記距離ｄは、１ｍｍ以上に設定されることが好ましい。これにより、可撓性回路基板４０を電極パッド３３に接続するために接続部材７０を加熱するヒータＨ１と固体材料との距離を、一定以上（少なくとも１ｍｍ以上）確保することができる。その結果、ヒータＨ１からの熱が固体材料に与える悪影響を抑制することができる。

　上記実施形態では、ガラス基板である基板３１上に多結晶シリコン又はアモルファスシリコン等が成膜されてなる放射線検出パネル３０について説明したが、放射線検出パネル３０は、上記構成に限られず、例えば単結晶シリコン基板上に受光部を形成してなる構成を有していてもよい。また、基板３１は、ガラス基板に限られず、例えばフィルム状の基板（フレキシブル基板）等であってもよい。

　１…放射線撮像装置、１０…筐体、１１…天壁（第１壁部）、１２…底壁（第２壁部）、１３…側壁（第３壁部）、１３ｃ…凹部、２０…ベース基板、２０ａ…支持面、２０ｂ…裏面、２１ａ…端部、２２…突出部、３０…放射線検出パネル、３１ｃ…端部、３２…受光部、３３…電極パッド、３４…シンチレータ（変換部）、４０…可撓性回路基板、７０…接続部材、８１…第１延在部、８２…第２延在部、１１２…シールド部材、Ａ…接続領域、Ａ１…内側端部、Ｈ１…ヒータ（第１ヒータ）、Ｈ２…ヒータ（第２ヒータ）。

Claims

　放射線を検出する検出領域が形成された第１面と、前記第１面とは反対側の第２面と、を有する放射線検出パネルと、
　前記放射線検出パネルの前記第２面に対向すると共に前記放射線検出パネルを支持する支持面を有するベース基板と、
　前記放射線検出パネル及び前記ベース基板を収容する筐体と、を備え、
　前記筐体は、前記第１面に対向する第１壁部と、前記第２面に対向する第２壁部と、を有し、
　前記ベース基板は、前記支持面に直交する第１方向から見て、前記放射線検出パネルよりも外側に突出する突出部を有し、
　前記突出部の前記支持面には、前記第１方向に延在する第１延在部が設けられており、
　前記突出部の前記支持面とは反対側の面には、前記突出部を挟んで前記第１延在部と対向する位置に配置され、前記第１方向に延在する第２延在部が設けられており、
　前記ベース基板は、前記第１延在部を介して前記第１壁部に支持されると共に、前記第２延在部を介して前記第２壁部に支持されている、放射線撮像装置。
　前記第１延在部は、前記放射線検出パネルを位置決めする位置決め部材である、請求項１に記載の放射線撮像装置。
　前記第１延在部及び前記第２延在部は、前記ベース基板とは別体に形成されている、請求項１又は２に記載の放射線撮像装置。
　前記第１延在部と前記第２延在部とは、共通の取付部材によって前記突出部に取り付けられている、請求項１～３のいずれか一項に記載の放射線撮像装置。
　前記第２延在部は、前記第１方向から見て、前記第１延在部よりも大きく、
　前記第２延在部は、前記第１方向から見て、前記第１延在部と重ならない部分を有する、請求項１～４のいずれか一項に記載の放射線撮像装置。
　前記突出部の支持面には、互いに離間して配置された複数の前記第１延在部が設けられると共に、前記複数の前記第１延在部に対応するように、互いに離間して配置された複数の前記第２延在部が設けられている、請求項１～５のいずれか一項に記載の放射線撮像装置。
　前記ベース基板は、互いに離間して配置された複数の前記突出部を有し、
　前記複数の前記突出部の各々に、前記第１延在部及び前記第２延在部が設けられている、請求項６に記載の放射線撮像装置。
　前記放射線検出パネルは、前記第１方向から見て矩形状に形成されており、
　前記複数の前記突出部は、前記放射線検出パネルの四隅に対応する位置に設けられている、請求項７に記載の放射線撮像装置。
　前記筐体は、前記第１方向に延在して前記第１壁部と前記第２壁部とを接続する第３壁部を有し、
　前記第３壁部は、前記第１方向から見て、矩形環状に形成されており、
　前記第３壁部の角部には、前記突出部、前記第１延在部、及び前記第２延在部との干渉を避けるための凹部が形成されており、
　前記凹部における前記第３壁部の厚さは、隣り合う前記第３壁部の角部同士を接続する前記第３壁部の辺部における前記第３壁部の厚さよりも小さい、請求項８に記載の放射線撮像装置。
　前記第１壁部は、前記第３壁部と面接触するように配置された電磁波を遮蔽するシールド部材を有し、
　前記第１壁部は、前記第３壁部の辺部及び前記第１延在部に対してネジ留めされている、請求項９に記載の放射線撮像装置。