TW202022408A - 放射線攝像裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之一實施形態之放射線攝像裝置具備：放射線檢測面板；基底基板，其具有支持放射線檢測面板之支持面；及框體，其收容放射線檢測面板及基底基板，且框體具有頂壁及底壁，基底基板自正交於支持面之方向觀察，具有較放射線檢測面板更向外側突出之突出部，於突出部之支持面設有第1延伸部，於突出部之背面設有配置於隔著突出部與第1延伸部對向位置之第2延伸部，基底基板經由第1延伸部被頂壁支持，且經由第2延伸部被底壁支持。

Description

放射線攝像裝置
本揭示係關於一種放射線攝像裝置。
於專利文獻1中記載一種X射線檢測裝置。該X射線檢測裝置具備固定於框體(外圍器)內之支持構件，及固定於支持構件上之X射線檢測面板。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2010-145349號公報
[發明所欲解決之問題]
如上所述，經由支持構件將X射線檢測面板支持於框體內之構成中，謀求將支持構件穩定地支持於框體內。另一方面，上述專利文獻1中，對於用以將支持構件固定於框體內之具體構造未作記載。
本揭示之一態樣之目的係提供一種可使支持放射線檢測面板之基底基板穩定地支持之放射線攝像裝置。 [解決問題之技術手段]
本揭示之一態樣之放射線攝像裝置具備：放射線檢測面板，其具有形成有檢測放射線之檢測區域之第1面，及與第1面為相反側之第2面；基底基板，其具有與放射線檢測面板之第2面對向、且支持放射線檢測面板之支持面；及框體，其收容放射線檢測面板及基底基板，且框體具有與第1面對向之第1壁部及與第2面對向之第2壁部，基底基板自正交於支持面之第1方向觀察，具有較放射線檢測面板更向外側突出之突出部，於突出部之支持面，設有於第1方向延伸之第1延伸部，在與突出部之支持面為相反側之面，設有隔著突出部配置於與第1延伸部對向之位置並於第1方向延伸之第2延伸部，基底基板經由第1延伸部被第1壁部支持，且經由第2延伸部被第2壁部支持。
根據上述放射線攝像裝置，基底基板(突出部)經由第1延伸部及第2延伸部，由互相對向之框體之一部分(第1壁部及第2壁部)挾持。藉此，可對框體穩定地支持基底基板。此處，作為將基底基板支持於框體之方法，例如有經由柱狀之支持構件將基底基板之背面(與支持面為相反側之面)支持於第2壁部之方法。根據上述放射線攝像裝置，由於將基底基板經由第1延伸部及第2延伸部支持於框體，故併用上述支持方法之情形時，亦可削減設置於基底基板之背面之支持構件之數量。藉此，可不易將來自外部(尤其第2壁部)之衝擊傳遞至基底基板之背面。其結果，可減低對配置於基底基板上之放射線檢測面板之衝擊。
第1延伸部亦可為將放射線檢測面板定位之定位構件。根據該構成，由於可容易地藉由第1延伸部將放射線檢測面板對基底基板之支持面定位，故可提高組裝作業性。
第1延伸部及第2延伸部亦可與基底基板單獨形成。根據該構成，相較於基底基板與第1延伸部及第2延伸部之至少一者一體形成之情形，可減低基底基板之翹曲。
第1延伸部及第2延伸部亦可藉由共通之安裝構件安裝於突出部。根據該構成，可精度良好地維持第1延伸部與第2延伸部之相對位置關係，可進而更穩定地支持基底基板。
亦可為第2延伸部自第1方向觀察大於第1延伸部，第2延伸部自第1方向觀察，具有不與第1延伸部重疊之部分。框體中，位於與放射線檢測面板之形成檢測區域之第1面為相反側(即，與第2面對向)之第2壁部成為通常接地面(底壁)。因此，根據上述構成，藉由使支持於第2壁部之第2延伸部較第1延伸部大，而可進而更穩定地支持基底基板。又，由於可以第2延伸部較佳地吸收來自接地面側(第2壁部)之衝擊，故可不易將該衝擊傳遞至放射線檢測面板。
亦可為，於突出部之支持面，設置互相隔開配置之複數個第1延伸部，且以與複數個第1延伸部對應之方式，設置互相隔開配置之複數個第2延伸部。根據該構成，藉由互相隔開之散佈於複數個位置之第1延伸部及第2延伸部，可將基底基板支持於框體。藉此，與例如沿基底基板之緣部將第1延伸部及第2延伸部形成為壁狀之情形相比，可使第1延伸部及第2延伸部輕量化，且將基底基板穩定地支持於框體。
亦可為，基底基板具有互相隔開配置之複數個突出部，於複數個突出部各者，設置第1延伸部及第2延伸部。根據該構成，藉由每突出部設置第1延伸部及第2延伸部，而可容易實現發揮上述效果之構成。
亦可為，放射線檢測面板自第1方向觀察形成矩形狀，複數個突出部設置於對應於放射線檢測面板之四角之位置。根據該構成，由於可藉由第1壁部及第2壁部，經由第1延伸部及第2延伸部均衡良好地挾持基底基板之四角，故可將基底基板進而更穩定地支持於框體。
亦可為，框體具有於第1方向延伸且將第1壁部及第2壁部連接之第3壁部，第3壁部自第1方向觀察，形成為矩形環狀，於第3壁部之角部，形成用以避免與突出部、第1延伸部及第2延伸部之干涉之凹部，凹部處之第3壁部之厚度小於將相鄰之第3壁部之角部彼此連接之第3壁部之邊部處之第3壁部之厚度。將第3壁部之厚度設為一定(即，使角部之厚度與邊部之厚度相同)之情形時，必須以角部中需要避免與突出部干涉之部分，增大自第1方向觀察之框體之外形。該情形時，導致自第1方向觀察之情形之放射線攝像裝置之不感應區域之比例(即，檢測區域以外之區域相對於放射線攝像裝置全體區域之比例)變大。另一方面，根據上述構成，藉由形成凹部，而可減低不感應區域之比例。
亦可為，第1壁部具有以與第3壁部面接觸之方式配置之遮蔽電磁波之遮蔽構件，第1壁部對第3壁部之邊部及第1延伸部以螺絲緊固。根據該構成，藉由第1壁部對第3壁部之邊部及第1延伸部(即，接近第3壁部之角部之部分)以螺絲緊固，而於對向於第1壁部之第3壁部之面全體中，可謀求第1壁部與第3壁部之良好的面接觸。藉此，可有效提高電磁遮蔽效果。 [發明之效果]
根據本揭示之一態樣，可提供一種可將支持放射線檢測面板之基底基板穩定地支持之放射線攝像裝置。
以下，一面參照隨附圖式，一面詳細說明本揭示之實施形態。圖式之說明中，對相同或同等要素使用相同符號，省略重複說明。本揭示並非限定於該等例示，意圖包含藉由申請專利範圍所示之、與申請專利範圍均等之含義及範圍內之所有變更。另，為容易理解，而於圖1～圖4、圖6、及圖8～圖11中顯示XYZ正交座標系。
圖1係本揭示之一實施形態之放射線攝像裝置1之俯視圖。圖2係沿圖1之Ⅱ-Ⅱ線之剖視圖。惟，於圖1中，省略頂壁11及螺絲構件14之圖示。放射線攝像裝置1例如係使用於醫療用X射線攝像系統之大面積平板感測器。如圖1及圖2所示，放射線攝像裝置1具備：框體10、基底基板20、放射線檢測面板30、可撓性電路基板40、控制基板50、及放射線遮蔽構件60。
框體10為大致長方體狀之中空容器。框體10具有頂壁11(第1壁部)、底壁12(第2壁部)、及側壁13(第3壁部)。頂壁11及底壁12分別形成為沿XY平面延伸之矩形板狀，並互相對向。側壁13係沿XZ平面或YZ平面延伸，並與頂壁11之緣部與底壁12之緣部連接。即，側壁13自Z方向觀察，形成為矩形環狀。框體10收容基底基板20、放射線檢測面板30、可撓性電路基板40、控制基板50、及放射線遮蔽構件60。
頂壁11係藉由使放射線攝像裝置1之檢測對象即放射線(例如X射線)透過至框體10內部之構件構成。頂壁11將沿Z方向入射之放射線向框體10之內側導入。即，Z方向為檢測對象的放射線之入射方向。本實施形態中，頂壁11具有2層構造。具體而言，頂壁11具有：碳纖維板111，其設置於放射線入射之側(外側)；及遮蔽構件112，其設置於碳纖維板111之內側表面，用以遮蔽電磁波。遮蔽構件112例如為藉由將鋁箔接著於碳纖維板111之內側表面而形成之鋁遮蔽物。
底壁12及側壁13係藉由遮蔽放射線之金屬材料(例如鐵等)形成。側壁13之上表面13a與遮蔽構件112面接觸，與遮蔽構件112導通。藉此，謀求自框體10外向框體10內之電磁波之遮蔽。又，於側壁13之上表面13a，設有複數個螺孔13b。螺絲構件14插通於設置在頂壁11之貫通孔11a，且與螺孔13b螺合。藉此，頂壁11固定於側壁13。
基底基板20為支持放射線檢測面板30、控制基板50及放射線遮蔽構件60之構件。基底基板20包含例如鐵、鋁、不鏽鋼、鎢合金、銅鎢等金屬。本實施形態中，作為一例，基底基板20係由比較輕量之鋁形成。基底基板20具有支持面20a、及與支持面20a為相反側之背面20b。支持面20a係與頂壁11對向之面，背面20b係與底壁12對向之面。支持面20a支持放射線檢測面板30之基板31。於背面20b，經由例如形成為於Z方向延伸之柱狀之一個以上支持構件55，固定控制基板50。
放射線檢測面板30具有形成為矩形板狀之基板31。基板31具有形成受光部32(受光面)之第1面31a，及與第1面31a為相反側之第2面31b。第1面31a係與頂壁11對向之面，第2面31b係與底壁12對向之面。於受光部32上，配置有閃爍器34(轉換部)。閃爍器34係藉由例如於受光部32上蒸鍍以CsI為主成分之閃爍器材料而形成。閃爍器34將經由頂壁11入射之放射線轉換成光。具體而言，閃爍器34將對應於放射線之入射強度之強度的閃爍光輸出至受光部32。藉此，第1面31a中形成受光部32之區域作為檢測放射線之檢測區域R發揮功能。檢測區域R具有例如一邊為30 cm～40 cm左右之受光面積(作為一例，為40cm×30 cm)。
基板31例如為透明玻璃基板。藉由將基板31之第2面31b固定於基底基板20之支持面20a，而使基板31固定於基底基板20。例如，基板31之第2面31b係經由雙面膠帶等接著構件G(參照圖6)，固定於基底基板20之支持面20a。自Z方向觀察，至少配置有受光部32及閃爍器34之區域包含於支持面20a中。又，接著構件G(參照圖6)自Z方向觀察，設置於至少與受光部32重疊之區域。又，接著構件G之外側端部自Z方向觀察，位於較基底基板20之端部(後述之端部21a)更內側。基板31之第1面31a中，於檢測區域R之外側，形成有複數個電極墊33。複數個電極墊33經由後述配線(讀出用配線及列選擇用配線)等，與形成於受光部32之像素Pm,n (參照圖3)電性連接。本實施形態中，作為一例，於沿X方向之基板31之周緣部，形成有22個(11個×2邊)電極墊33。又，於沿Y方向之基板31之周緣部，形成有14個(7個×2邊)電極墊33。
可撓性電路基板40係與電極墊33電性連接之電路構件。可撓性電路基板40具有可彎折等變形之可撓性基板41，及搭載於可撓性基板41之IC晶片42。可撓性基板41具有例如於薄膜上之絕緣體(例如聚醯亞胺等)上形成有導體箔(例如銅等)所成之電路圖案之構造。可撓性基板41之一端部41a係經由連接構件70連接於電極墊33。連接構件70係藉由熱壓接而產生接著力之構件，例如係ACF(各向異性導電膜)、ACP(各向異性導電膏)等之各向異性導電材料。可撓性基板41之另一端部41b連接於控制基板50(連接器51)。
控制基板50包含用以進行IC晶片42之動作(例如，後述之垂直位移暫存器42a、42b、及信號連接部42c、42d之動作)之控制，及對IC晶片42供給電源之電路。具體而言，例如自配置於框體10外側(例如底壁12之外側等)之未圖示之外部電源對控制基板50供給電力，經由控制基板50將該電力供給於IC晶片42。另，上述外部電源亦可配置於框體10之內部(例如，控制基板50與底壁12間之空間)。但，基於抑制因上述外部電源所致之測定雜訊產生之觀點等而言，較佳為將上述外部電源配置於框體10外側。控制基板50係經由上述一個以上支持構件55，固定於基底基板20之背面20b。又，控制基板50亦經由與支持構件55相同之支持構件56，固定於底壁12。另，支持構件55及支持構件56亦可作為一面於Z方向貫通控制基板50一面支持控制基板50之柱狀構件而一體形成。此種柱狀構件作為對底壁12支持基底基板20，且對底壁12及基底基板20支持控制基板50之構件發揮功能。
此處，搭載於可撓性電路基板40之IC晶片42，及搭載於控制基板50之AD轉換器52係尤其易發熱之部分(發熱構件)。又，若來自IC晶片42或AD轉換器52之熱傳遞至放射線檢測面板30，則有於藉由受光部32取得之圖像中產生雜訊之虞。因此，本實施形態中，為了將來自IC晶片42及AD轉換器52之發熱效率良好地朝框體10之底壁12釋放，而於IC晶片42及AD轉換器52之各者與底壁12間配置有散熱構件57。散熱構件57係例如以矽氧等為主原料之凝膠片等。如圖2所示，IC晶片42或AD轉換器52與底壁12間之距離較大之情形時，亦可於底壁12之內表面中自Z方向觀察與IC晶片42或AD轉換器52重疊之部分，設置向頂壁11側突出之凸部12a。根據此種凸部12a，可將來自IC晶片42或AD轉換器52之發熱經由散熱構件57及凸部12a，適當地朝底壁12釋放。又，藉由部分地抬高底壁12之內表面，而可將未設置凸部12a之部分作為用以收容各種零件等之空間活用。
控制基板50自Z方向觀察，與閃爍器34及基底基板20重疊。即，自頂壁11入射，朝向控制基板50之放射線大部分被閃爍器34及基底基板20遮蔽。另一方面，如本實施形態，有搭載於可撓性電路基板40之IC晶片42自Z方向觀察，配置於不與閃爍器34及基底基板20重疊之位置之情形。即，有自頂壁11入射，朝向IC晶片42之放射線未被閃爍器34及基底基板20遮蔽之情形。該情形時，若不採取任何對策，則有IC晶片42因該放射線而損傷，引起IC晶片42之誤作動等之虞。因此，本實施形態中，為了遮蔽自頂壁11入射之放射線中，朝向IC晶片42之放射線，而設有放射線遮蔽構件60。
放射線遮蔽構件60係藉由例如鉛、鎢等之X射線遮蔽能力較高之材料形成。本實施形態中，作為一例，放射線遮蔽構件60係形成為短條狀，設置於基底基板20之背面20b之緣部。放射線遮蔽構件60之一部分以自Z方向觀察，與IC晶片42重疊之方式，於基底基板20之外側露出。放射線遮蔽構件60可對每IC晶片42設置，亦可對互相鄰接之複數個IC晶片42設置1個放射線遮蔽構件60(即，自Z方向觀察，形成為與該複數個IC晶片重疊的大小之構件)。本實施形態中，藉由比較輕量之鋁形成基底基板20，另一方面，於尤其需要遮蔽放射線之部位，部分地設置如上述之以重量比較大之材料形成之放射線遮蔽構件60，藉此謀求放射線攝像裝置1之輕量化。
基底基板20具有：本體部21，其自正交於支持面20a之Z方向(第1方向)觀察，形成為矩形狀；及突出部22，其形成於本體部21之角部(四角)之各者，向本體部21之外側突出。本實施形態中，作為一例，突出部22自Z方向觀察，形成角部倒角之大致矩形形狀。又，本體部21及突出部22係一體形成，突出部22之厚度(板厚)與本體部21之厚度相同。即，基底基板20係作為具有大致均等厚度之一片板構成。
自Z方向觀察，與可撓性電路基板40連接於電極墊33之部分對應之基底基板20之端部係位於較放射線檢測面板30之端部(即，基板31之端部31c)更內側(檢測區域R側)。具體而言，本體部21自Z方向觀察，形成為較基板31小之矩形狀，本體部21之端部21a位於較基板31之端部31c更內側。即，對應於放射線檢測面板30之各邊部(形成電極墊33之部分)之基底基板20之端部(即，本體部21之端部21a)位於較基板31之端部31c更內側。再者，本實施形態中，基底基板20係形成為以自Z方向觀察，與電極墊33、連接構件70及可撓性電路基板40(可撓性基板41之一端部41a)重疊之連接區域A不重疊。即，本體部21之端部21a位於較連接區域A之內側端部A1更內側。藉此，實現自Z方向觀察，基底基板20不與連接區域A(本實施形態中，係36個連接區域A)重疊之構成。
突出部22於自Z方向觀察不與可撓性電路基板40重疊之位置(本實施形態中，作為一例，係本體部21之角部)，較放射線檢測面板30更向外側突出。即，自Z方向觀察，突出部22較基板31更向外側露出。本實施形態中，突出部22自Z方向觀察，較可撓性基板41之端部(係彎折部分，係與XY平面平行之方向上，最遠離基板31端部31c之部分)更向外側突出。
於突出部22之支持面20a，設有於Z方向延伸之第1延伸部81。本實施形態中，作為一例，第1延伸部81包含鋁。但，第1延伸部81亦可藉由其他材料形成。例如，第1延伸部81之材料亦可為鐵等之鋁以外之金屬、聚縮醛(POM)及聚醚醚酮(PEEK)等工程塑料等。第1延伸部81係經由例如未圖示之固定構件(例如螺絲等)，固定於突出部22。本實施形態中，第1延伸部81為於Z方向延伸之柱狀構件，作為用以定位放射線檢測面板30(即，基板31)之定位構件發揮功能。具體而言，第1延伸部81具有用以收容基板31之角部31d而於Z方向延伸之引導槽81a。引導槽81a以自Z方向觀察，與基板31之角部31d之形狀一致之方式形成為L字狀。即，第1延伸部81具有如將四角柱狀構件(具有與後述之第2延伸部82相同形狀之構件)之一部分(相當於藉由引導槽81a形成之空間之四角柱狀之部分)開槽之形狀。本實施形態中，此種第1延伸部81係與基板31之四角之各者對應設置。即，藉由將基板31之各角部31d配置於各第1延伸部81之引導槽81a之內側，而可進行基板31之定位。
第1延伸部81係支持於頂壁11。本實施形態中，於第1延伸部81之頂壁11側之表面，形成有螺孔81b。並且，螺絲構件14插通於設置在頂壁11之貫通孔11a，且與螺孔81b螺合。如此，第1延伸部81支持於頂壁11，且支持於突出部22。即，基底基板20係經由第1延伸部81支持於頂壁11。本實施形態中，藉由螺絲緊固，使基底基板20(突出部22)經由第1延伸部81對頂壁11緊固固定。
於突出部22之背面20b，設有第2延伸部82，其配置於隔著突出部22與第1延伸部81對向之位置，於Z方向延伸。本實施形態中，作為一例，第2延伸部82包含鋁。但，作為第2延伸部82之材料，可使用與上述第1延伸部81之材料相同之材料。第2延伸部82係經由例如未圖示之固定構件(例如螺絲等)，支持於突出部22。另，第1延伸部81及第2延伸部82可藉由使用共通之螺絲自第1延伸部81側或第2延伸部82側螺絲緊固，而固定於突出部22，亦可藉由使用彼此不同之螺絲個別地螺絲緊固而固定於突出部22。又，第2延伸部82係藉由與第1延伸部81相同之固定機構，支持於底壁12。例如，於第2延伸部82之底壁12側之表面，形成有未圖示之螺孔，未圖示之螺絲構件插通於設置於底壁12之未圖示之貫通孔，且與該螺孔螺合。如此，第2延伸部82支持於突出部22及底壁12。即，基底基板20係經由第2延伸部82支持於底壁12。本實施形態中，藉由螺絲緊固，而使基底基板20(突出部22)經由第2延伸部82對底壁12緊固固定。
另，無需於第2延伸部82，形成與第1延伸部81之引導槽81a對應之槽部。因此，本實施形態中，第2延伸部82形成為四角柱狀。即，第2延伸部82具有自Z方向觀察與第1延伸部81重疊之部分，且具有自Z方向觀察與藉由引導槽81a形成之四角柱狀之空間重疊之部分。但，例如為了構件之共通化等，第2延伸部82亦可形成為與第1延伸部81相同尺寸之L字狀之柱狀構件，以自Z方向觀察與第1延伸部81完全重疊之方式配置。
如上所述，本實施形態中，第1延伸部81及第2延伸部82係設置於在本體部21之角部(四角)設置之突出部22。即，第1延伸部81及第2延伸部82係設置於與放射線檢測面板30(基板31)之角部31d對應之位置。並且，側壁13自Z方向觀察，形成為矩形環狀，於側壁13之角部，形成有用以避免與突出部22、第1延伸部81及第2延伸部82之干涉之凹部13c。凹部13c之側壁13之厚度t1較連接相鄰角部彼此之邊部之側壁13之厚度t2小。本實施形態中，於側壁13之角部，藉由將側壁13之內側面之一部分開槽，而以自Z方向觀察與突出部22之外緣隔開之方式形成凹部13c。藉由如此將厚度較小之凹部13c形成於側壁13之角部，而抑制對側壁13角部之應力集中。
此處，上述螺孔13b非設置於厚度較小之凹部13c(厚度t1之部分)，而僅設置於厚度較大之邊部(厚度t2之部分)。因此，於自Z方向觀察之框體10之角部(四角)，頂壁11與側壁13未互相固定(未以螺絲緊固)。但，取而代之，於本實施形態中，如上所述，將頂壁11及第1延伸部81藉由螺絲構件14而互相固定。即，即使於框體10之角部，頂壁11及側壁13亦互相牢固固定。藉此，於框體10之角部(頂壁11及側壁13未直接以螺絲緊固之部分)，亦可謀求頂壁11之遮蔽構件112與側壁13良好之面接觸。其結果，可有效抑制來自框體10外之電磁波洩漏(向框體10之內部侵入)。
又，藉由形成此種凹部13c，可儘可能縮小自Z方向觀察之框體10之外形。即，於框體10之角部，為了將頂壁11與側壁13螺絲緊固，且為了於框體10之角部亦確保用以設置螺孔13b所需要之側壁13之厚度，故必須增大自Z方向觀察之框體10之外形。該情形時，導致自Z方向觀察之情形下放射線攝像裝置1之不感應區域之比例(即，有效受光區域(檢測區域R)以外的區域相對於放射線攝像裝置1全體區域之比例)變大。另一方面，如本實施形態，藉由形成凹部13c，且於框體10之角部，將第1延伸部81及頂壁11相互固定來取代將頂壁11及側壁13固定，可確保頂壁11與側壁13良好之面接觸，且減低不感應區域之比例。
接著，針對放射線攝像裝置1之動作(放射線之檢測)進行說明。本實施形態中，於連接於於沿X方向之基板31之周緣部形成之電極墊33之可撓性電路基板40之IC晶片42，形成垂直移位暫存器(垂直掃描電路)。具體而言，藉由於圖1之基板31左側之周邊部(左邊)設置之可撓性電路基板40之IC晶片42，而形成垂直位移暫存器42a，藉由於基板31右側之周邊部(右邊)設置之可撓性電路基板40之IC晶片42，而形成垂直位移暫存器42b。又，於連接於形成於沿Y方向之基板31之周緣部之電極墊33的可撓性電路基板40之IC晶片42，形成有信號讀出用之放大器晶片(信號連接部)。具體而言，藉由設置於圖1之基板31上側之周邊部(上邊)之可撓性電路基板40之IC晶片42，而形成信號連接部42c，藉由設置於基板31下側之周邊部(下邊)之可撓性電路基板40之IC晶片42，而形成信號連接部42d。如此，本實施形態中，為謀求信號讀出之雜訊減低及速度提高，而採用將信號讀出線(資料線)上下分割為二之構成。
參照圖3～圖5，針對受光部32及IC晶片42之詳細構成(放射線攝像裝置1之動作)進行說明。圖3係將放射線檢測面板30之一部分放大之俯視圖。圖4係沿圖3之Ⅳ-Ⅳ線之剖視圖。圖5係顯示受光部32及IC晶片42之內部構成之圖。
受光部32係藉由將M×N個像素二維排列成M列N行而構成。圖3所示之像素Pm,n 係位於第m列第n行之像素。此處，m為1以上M以下之各整數，n為1以上N以下之各整數。另，於圖3中，行方向與X軸方向一致，列方向與Y軸方向一致。受光部32中所含之複數個像素P1,1 ～PM,N 之各者具備光電二極體PD及讀出用開關SW1。對光電二極體PD之陽極端子施加偏壓電壓，於光電二極體PD之陰極端子連接讀出用開關SW1之一端(一電流端子)。又，讀出用開關SW1之另一端(另一電流端子)係連接於對應之讀出用配線(例如，像素Pm,n 之情形時，為第n行讀出用配線LO,n )。讀出用開關SW1之控制端子係連接於對應之列選擇用配線(例如，像素Pm,n 之情形時，為第m列選擇用配線LV,m )。
如圖4所示，於基板31之第1面31a之全面，設有矽膜35。並且，光電二極體PD、讀出用開關SW1、及第n行讀出用配線LO,n 係形成於該矽膜35之表面。光電二極體PD、讀出用開關SW1、及第n行讀出用配線LO,n 被絕緣層36覆蓋。閃爍器34以覆蓋基板31之第1面31a之檢測區域R全體之方式，設置於絕緣層36之上。光電二極體PD係包含例如非晶矽而構成。
本實施形態之光電二極體PD具有：n型半導體層91，其包含n型多晶矽；i型半導體層92，其設置於n型半導體層91上而包含i型非晶矽；及p型半導體層93，其設置於i型半導體層92上而包含p型非晶矽。又，讀出用開關SW1係藉由多晶矽形成之薄膜電晶體(TFT：Thin Film Transistor)，具有作為場效電晶體(FET)之構成。即，讀出用開關SW1具有：通道區域94；源極區域95，其係沿通道區域94之一側面配置；汲極區域96，其係沿通道區域94之另一側面配置；閘極絕緣膜97及閘極電極98，其形成於通道區域94上。第n行讀出用配線LO,n 包含金屬。閃爍器34係根據入射之放射線產生閃爍光，將放射線像轉換成光像，將該光像輸出至受光部32。
圖5係以M×N個像素Pm,n (m=1，…，M、n＝1，…，N)為代表，顯示4×4個像素100。像素100之各者係包含光電二極體PD及讀出用開關SW1而構成。光電二極體PD係產生與入射光之強度相應量之電荷，並將產生之電荷蓄積於接合電容部。如上所述，讀出用開關SW1係連接於與像素100所屬之列對應之列選擇用配線LV 。此處，對應於第m列像素Pm,n 之列選擇用配線LV 係上述第m列選擇用配線LV,m 。M條列選擇用配線LV 係連接於垂直位移暫存器42a及42b。垂直位移暫存器部42a及42b之各者產生用以對每列控制讀出用開關SW1之導通狀態/非導通狀態之列選擇信號，對各列之列選擇用配線LV 依序提供該列選擇信號。
自垂直位移暫存器42a或42b輸出至列選擇用配線LV 之列選擇信號為非有意值(例如低位準)時，讀出用開關SW1打開。此時，光電二極體PD產生之電荷不輸出至對應之行讀出用配線LO ，而蓄積於接合電容部。此處，對應於第n行像素Pm , n 之行讀出用配線LO 係上述第n行讀出用配線LO,n 。另一方面，列選擇信號為有意值(例如高位準)時，讀出用開關SW1關閉。此時，將目前為止光電二極體PD產生並蓄積於接合電容部之電荷經由讀出用開關SW1，輸出至對應之讀出用配線LO 。將輸出之電荷經由讀出用配線LO ，送往積分電路101。本實施形態中，形成於受光部32之像素100中，位於基板31之上邊側之列的像素100之讀出用開關SW1係經由對應之讀出用配線LO ，連接於信號連接部42c之積分電路101。另一方面，形成於受光部32之像素100中，位於基板31之下邊側之列的像素100之讀出用開關SW1係經由對應之讀出用配線LO ，連接於信號連接部42d之積分電路101。另，基板31之上邊側之列及下邊側之列之分割方式為任意。例如，將基板31之上邊側之列數設為N1，將基板31之下邊側之列數設為N2之情形時，「N1=N2」、「N1＞N2」及「N1＜N2」之任一關係均可成立。
積分電路101具備包含放大器101a、電容元件101b、及放電用開關101c之所謂電荷積分型之構成。電容元件101b及放電用開關101c係彼此並聯連接，且連接於放大器101a之輸入端子與輸出端子之間。放大器101a之輸入端子連接於行讀出用配線LO 。對放電用開關101c，經由重設用配線LR 提供重設控制信號RE。
重設控制信號RE指示N個積分電路101各者之放電用開關101c之開閉動作。例如，重設控制信號RE為非有意值(例如高位準)時，放電用開關101c關閉，使電容元件101b放電，將積分電路101之輸出電壓值初始化。又，重設控制信號RE為有意值(例如低位準)時，放電用開關101c打開，將輸入於積分電路101之電荷蓄積於電容元件101b，自積分電路101輸出對應於該蓄積電荷量之電壓值。
信號連接部42c及42d之各者進而具有N個保持電路102及水平位移暫存器103。各保持電路102包含輸入用開關102a、輸出用開關102b及電壓保持部102c。電壓保持部102c之一端係經由輸入用開關102a連接於積分電路101之輸出端，電壓保持部102c之另一端係經由輸出用開關102b與電壓輸出用配線LOUT 連接。對輸入用開關102a，經由保持用配線LH 賦予保持控制信號Hd。保持控制信號Hd指示N個保持電路102各者之輸入用開關102a之開閉動作。自水平位移暫存器103對保持電路102之輸出用開關102b賦予行選擇信號。行選擇信號指示對應之行的保持電路102之輸出用開關102b之開閉動作。
若保持控制信號Hd自高位準轉為低位準，則輸入用開關102a自關閉狀態轉為打開狀態，此時輸入至保持電路102之電壓值保持於電壓保持部102c。其後，若來自水平位移暫存器103之行選擇信號於每各行依序自低位準轉為高位準，則輸出用開關102b依序關閉，保持於電壓保持部102c之電壓值於每各行依序輸出至電壓輸出用配線LOUT 。
其次，參照圖6，針對連接區域A與基底基板20(本體部21)之端部21a之位置關係進行說明。如圖6所示，可撓性電路基板40之一端部41a藉由於該一端部41a與電極墊33間夾著連接構件70之狀態下，自上下以加熱器H1及H2夾住進行加熱(熱壓接)，而經由連接構件70連接於電極墊33。加熱器H1(第1加熱器)係隔著可撓性電路基板40配置於與連接構件70為相反側之壓接冶具。加熱器H1係例如包含碳化鎢及鈷之超硬合金。加熱器H2(第2加熱器)係隔著加熱器H1及放射線檢測面板30(即，基板31)配置於與連接構件70為相反側之壓接冶具。加熱器H2例如為石英玻璃。
將可撓性電路基板40連接於電極墊33時，加熱器H1之表面H1a(與一端部41a對向之面)以自Z方向觀察，至少與連接區域A重疊之方式，與可撓性基板41之一端部41a接觸。又，加熱器H2之表面H2a(與基板31之第2面31b對向之面)以自Z方向觀察，至少與連接區域A重疊之方式，與基板31之第2面31b接觸。於該狀態下，例如藉由升溫至190°C之加熱器H1及固定在40°C之加熱器H2，進行數秒加熱。為了進行此種熱壓接(尤其加熱器H2對於基板31之第2面31b之接觸)，為了抑制作業時加熱器H2與基底基板20之干涉，連接區域A之內側端部A1至基底基板20之端部(本體部21之端部21a)之距離d較佳為10 μm以上。
另一方面，熱壓接時自加熱器H1、H2產生之熱之一部分可經由基板31，傳遞至受光部32、閃爍器34及接著構件G。如此傳遞之熱有對該等構件帶來不良影響之虞。此處，如上所述，自Z方向觀察，受光部32、閃爍器34及接著構件G均位於較基底基板20之端部21a更靠內側。即，保證連接區域A之內側端部A1至受光部32、閃爍器34及接著構件G各者之距離(沿XY平面之距離)較距離d長。因此，藉由調整距離d，而可確保連接區域A至各構件(受光部32、閃爍器34及接著構件G)之距離(較距離d長之相隔距離)。基於抑制如上述之自加熱器H1、H2產生之熱對各構件帶來之不良影響之觀點而言，距離d較佳為1 mm以上。
再者，使用具有潮解性之材料作為閃爍器34之情形時，有以覆蓋閃爍器34全體之方式，設置藉由聚對二甲苯等而成膜之防濕膜(保護膜)之情形。已知此種防濕膜之防濕性於約50°C左右降低。此種情形時，上述距離d亦可設定為將閃爍器34(防濕膜)之溫度抑制在用以維持防濕性所需要之溫度(此處為50°C以下)。
圖7係顯示於將加熱器H1設為200°C，且將加熱器H2設為40°C之狀態下進行8秒熱壓接之情形之模擬結果。圖7(A)係顯示基板31為玻璃基板(此處，係熱傳導率為1.2 W/mK之無鹼玻璃)之情形之、與加熱器H1之距離(圖6之沿Y軸之距離)與對應於該距離之部分之基板31之溫度的關係。圖7(B)係顯示基板31為可撓性基板(此處，係熱傳導率為0.3 W/mK之薄膜材料)之情形之、與加熱器H1之距離與對應於該距離之部分之基板31之溫度的關係。對於基板31為玻璃基板之情形，進行針對基板31之厚度t為0.3 mm、0.5 mm、0.7 mm及0.9 mm之情形各者之模擬。另一方面，對於基板31為可撓性基板之情形，進行針對基板31之厚度t為0.1 mm及0.2 mm之情形各者之模擬。
如圖7(A)所示，基板31為上述玻璃基板之情形時，若與加熱器H1之距離為約3.5 mm以上，則確認對於任一厚度(0.3 mm、0.5 mm、0.7 mm及0.9 mm)，均抑制在50°C以下。又，如圖7(B)所示，基板31為上述可撓性基板之情形時，若與加熱器H1之距離為約1.5 mm以上，則確認對於任一厚度(0.1 mm、0.2 mm)，均抑制在50°C以下。此處，作為與加熱器H1之距離基準之位置至連接區域A之內側端部A1之距離(沿Y方向之長度)為0.27 mm。又，如上所述，自Z方向觀察，閃爍器34之緣部位於較基底基板20之端部21a更內側。因此，基於將閃爍器34(防濕膜)之溫度抑制在50°C以下之觀點而言，基板31為上述玻璃基板之情形時，距離d較佳為3.23 mm以上，基板31為上述可撓性基板之情形時，距離d較佳為1.23 mm以上。
接著，參照圖8～圖11，針對放射線攝像裝置1之製造方法之一例進行說明。
首先，如圖8(A)所示，準備形成有閃爍器34之放射線檢測面板30。例如藉由實施對於放射線檢測面板30之探測等之圖像檢查，而進行放射線檢測面板30之良否判定。接著，藉由於判定為良品之放射線檢測面板30之像素區域(受光部32)上蒸鍍CsI等閃爍器材料，而形成閃爍器34。藉此，準備圖8(A)所示之放射線檢測面板30。
又，如圖8(B)所示，準備安裝有第1延伸部81及第2延伸部82之基底基板20。例如，藉由實施對金屬一塊板之平面形狀加工，而製作包含上述本體部21及突出部22之基底基板20。接著，於突出部22(本實施形態中，係設置於本體部21之四角之4個突出部22之各者)之支持面20a，藉由螺絲緊固等安裝第1延伸部81。又，於突出部22之背面20b，藉由螺絲緊固等安裝第2延伸部82。又，於本體部21之背面20b，安裝用以固定控制基板50之支持構件55。另，第1延伸部81及第2延伸部82使用彼此不同之螺絲個別地螺絲緊固之情形時，第2延伸部82未必於該階段安裝於突出部22。該情形時，只要於較後述之收容於框體之箱部之步驟(參照圖11)前之任意時點，將第2延伸部82安裝於突出部22即可。又，對於支持構件55，未必於該階段安裝於本體部21，只要於較後述之控制基板50之安裝步驟(參照圖9(A))前之任意時點安裝於本體部21即可。
接著，如圖8(C)所示，將形成有閃爍器34之放射線檢測面板30(參照圖8(A))固定於安裝有第1延伸部81及第2延伸部82之基底基板20(參照圖8(B))之支持面20a。此處，藉由使用設置於基底基板20之四角(突出部22)之第1延伸部81之引導槽81a，而將放射線檢測面板30(基板31)定位。接著，藉由例如預先設置於基板31之第2面31b之雙面膠帶等接著構件G(參照圖6)，將基板31固定於基底基板20之支持面20a。此處，自Z方向觀察，以與電極墊33、連接構件70及可撓性電路基板40重疊之預定連接區域A(參照圖2及圖6)不重疊之方式，對放射線檢測面板30配置基底基板20。本實施形態中，藉由第1延伸部81之引導槽81a將基板31定位之結果，基底基板20之本體部21之端部21a配置於較基板31之端部31c更內側。藉此，基底基板20以不與連接區域A重疊之方式配置。另，於圖8(C)所示之狀態下，藉由握持設有突出部22之部分(本實施形態中，係突出部22、第1延伸部81及第2延伸部82之至少一者)，而可容易搬運放射線檢測面板30及基底基板20。即，藉由設有突出部22之部分，放射線檢測面板30及基底基板20之操作性提高。
接著，如圖9(A)所示，經由支持構件55，於基底基板20之背面20b固定控制基板50。
接著，如圖9(B)所示，將可撓性電路基板40之一端部41a經由連接構件70連接於電極墊33。例如，預先實施各IC晶片42之檢查，將檢查中判定為良品之IC晶片42搭載於可撓性基板41。接著，於IC晶片42搭載於可撓性基板41之狀態下，進而實施檢查(例如，IC晶片42及可撓性基板41之導通確認等)。經由此種檢查，準備用以安裝於基板31之電極墊33(本實施形態中為36個電極墊33)之可撓性電路基板40。另，控制基板50及可撓性電路基板40之安裝順序亦可與上述相反。即，亦可於將可撓性電路基板40安裝於放射線檢測面板30後，將控制基板50安裝於基底基板20。
接著，藉由隔著可撓性電路基板40(一端部41a)配置於與連接構件70為相反側之加熱器H1，及隔著放射線檢測面板30(基板31)配置於與連接構件70為相反側之加熱器H2，將連接構件70加熱(熱壓接)。如上所述，藉由將基底基板20以不與連接區域A重疊之方式配置，而防止加熱器H2與基底基板20之干涉。又，本實施形態中，由於基板31為透明玻璃基板，故可自基板31之背面(第2面31b)側確認電極墊33之位置。藉此，可容易進行加熱器H2之對位。藉由以上處理，將各電極墊33與各可撓性電路基板40電性連接。另，於配置於基板31之各邊部之電極墊33安裝可撓性電路基板40後，難以握持基板31之各邊部，但藉由如上述般握持設有突出部22之部分，而可容易搬運放射線檢測面板30及基底基板20。
接著，如圖10(A)所示，將用以遮蔽放射線朝向搭載於各可撓性電路基板40之IC晶片42之放射線遮蔽構件60設置於基底基板20之背面20b之緣部。
接著，如圖10(B)所示，將各可撓性電路基板40之另一端部41b連接於控制基板50(連接器51)。藉此，各可撓性電路基板40與控制基板50電性連接。其結果，如圖10(B)所示，完成安裝於框體10前之檢測單元1a。
接著，於圖10(B)所示之狀態下實施動作確認。此處，發現某可撓性電路基板40之缺陷(例如，搭載於該可撓性電路基板40之IC晶片42之動作不良等)之情形時，實施以下順序之修復作業(一實施形態之修復方法)。
首先，將發現缺陷之可撓性電路基板40(以下為「第1可撓性電路基板」)之另一端部41b自連接器51卸下，且將與第1可撓性電路基板對應設置之放射線遮蔽構件60自基底基板20之背面20b卸下。此處，放射線遮蔽構件60係每1個或每複數個IC晶片42部分地設置，故僅卸下一部分放射線遮蔽構件60即可，作業性提高。接著，於放射線檢測面板30支持於基底基板20之狀態下，將第1可撓性電路基板(一端部41a)自電極墊33卸下。具體而言，藉由加熱連接構件70，而將連接構件70自電極墊33卸下。如此，藉由將連接構件70自電極墊33卸下，而可將第1可撓性電路基板(一端部41a)自電極墊33卸下。其結果，成為圖9(A)所示之狀態。另，卸下第1可撓性電路基板時之連接構件70之加熱可與安裝時相同，藉由加熱器H1、H2進行，亦可藉由其他方法進行。例如，亦可替代使用加熱器H1、H2，而藉由使用空氣槍等對連接構件70之單側(例如第1可撓性電路基板(一端部41a)側)噴吹熱風，加熱連接構件70。
接著，準備用以安裝於放射線檢測面板30之可撓性電路基板40(第2可撓性電路基板)。例如，上述第1可撓性電路基板可修復之情形時(例如，藉由將搭載於第1可撓性電路基板之IC晶片42更換成其他IC晶片而可修復之情形)，亦可執行第1可撓性電路基板之修復作業。該情形時，使用經修復之第1可撓性電路基板作為第2可撓性電路基板。另一方面，第1可撓性電路基板不可修復之情形時，亦可使用預先準備之可撓性電路基板之預備品，作為第2可撓性電路基板。
接著，於放射線檢測面板30支持於基底基板20之狀態下，將第2可撓性電路基板安裝於電極墊33。即，如圖9(B)所示，藉由隔著第2可撓性電路基板(一端部41a)配置於與連接構件70為相反側之加熱器H1，及隔著放射線檢測面板30(基板31)配置於與連接構件70為相反側之加熱器H2，加熱(熱壓接)連接構件70，而將第2可撓性電路基板經由連接構件70連接於電極墊33。藉由以上順序，可撓性電路基板40之修復(即，故障之第1可撓性電路基板之拆卸，及第2可撓性電路基板(例如，修理後之第1可撓性電路基板或預備品等)之再安裝)完成。其後，將為了可撓性電路基板40之修復而暫時卸下之放射線遮蔽構件60再次安裝於基底基板20之背面20b之緣部，且將第2可撓性電路基板之另一端部41b安裝於連接器51，藉此成為圖10(B)所示之狀態。如此，藉由將基底基板20以不與連接區域A重疊之方式配置，而可不自基底基板20卸下放射線檢測面板30，而實施可撓性電路基板40之修復作業。
接著，如圖11所示，將圖10(B)所示之檢測單元1a收容(固定)於框體之箱部(底壁12及側壁13)。具體而言，第2延伸部82固定於底壁12。又，將控制基板50經由支持構件56固定於底壁12。又，於IC晶片42或AD轉換器52與底壁12之凸部12a間，配置散熱構件57。接著，如圖2所示，將框體之蓋部(頂壁11)以螺絲緊固於側壁13及第1延伸部81。藉此，製造放射線攝像裝置1。另，上述可撓性電路基板40之修復作業亦可於放射線攝像裝置1完成後實施。該情形時，藉由將頂壁11自側壁13及第1延伸部81卸下，且將檢測單元1a自底壁12卸下，成為圖10(B)所示之狀態後，實施上述修復作業即可。
接著，針對放射線攝像裝置1之作用效果進行說明。
根據放射線攝像裝置1，基底基板20(突出部22)經由第1延伸部81及第2延伸部82，由互相對向之框體10之一部分(頂壁11及底壁12)挾持。藉此，可對框體10穩定地支持基底基板20。此處，作為將基底基板20支持於框體10之方法，有如下方法：如上述實施形態所示，例如經由柱狀支持構件55、56(或者，以於Z方向貫通控制基板50，且支持控制基板50之方式，使支持構件55、56一體化之支持構件)，將基底基板20之背面20b支持於底壁12。上述實施形態中，係併用上述支持方法，但由於基底基板20係經由第1延伸部81及第2延伸部82支持於框體10，故與未設置第1延伸部81及第2延伸部82之情形相比，可削減設置於基底基板20背面20b之支持構件之數量。藉此，可不易將來自外部(尤其底壁12)之衝擊傳遞至基底基板20之背面20b。其結果，可減低對支持於基底基板20之放射線檢測面板30之衝擊。又，藉由可削減用以對底壁12支持控制基板50之支持構件56之數量，可不易將來自外部(尤其底壁12)之衝擊傳遞至控制基板50。又，藉由可削減貫通控制基板50之支持構件之數量，而可提高控制基板50之佈局(安裝於控制基板50內之電路及配線等之佈局)之設計自由度。
又，第1延伸部81作為定位放射線檢測面板30(基板31)之定位構件發揮功能。根據該構成，由於可藉由第1延伸部81，容易進行放射線檢測面板30(基板31)對基底基板20之支持面20a之定位，故可提高組裝作業性。
又，第1延伸部81及第2延伸部82亦可與基底基板20一體形成，但在上述實施形態中，將第1延伸部81及第2延伸部82與基底基板20單獨形成。根據該構成，與將基底基板20與第1延伸部81及第2延伸部82之至少一者一體形成之情形相比，可減低基底基板20之翹曲。又，將第1延伸部81或第2延伸部82與基底基板20一體形成之情形時，需要削出比較厚之金屬板之作業，產生材料成本及作業工時增大之缺點。另一方面，藉由將第1延伸部81及第2延伸部82與基底基板20單獨形成，可避免此種缺點。
又，如上所述，第1延伸部81及第2延伸部82亦可藉由共通之安裝構件(螺絲等)安裝於突出部22。根據該構成，可精度良好地維持第1延伸部81與第2延伸部82之相對位置關係，可進而更穩定地支持基底基板20。
又，第2延伸部82自Z方向觀察，大於第1延伸部81，第2延伸部82自Z方向觀察，具有不與第1延伸部81重疊之部分。本實施形態中，第2延伸部82較第1延伸部81大出未設置對應於第1延伸部81之引導槽81a之槽部之部分。框體10中，位於與放射線檢測面板30之形成有檢測區域R之第1面31a為相反側(即，與第2面31b對向)之底壁12成為通常接地面。因此，根據上述構成，藉由使支持於底壁12之第2延伸部82較第1延伸部81大，而可進而更穩定地支持基底基板20。又，由於可以第2延伸部82較佳地吸收來自接地面側(底壁12)之衝擊，故可不易將該衝擊傳遞至放射線檢測面板30。
又，於突出部22之支持面20a，設有互相隔開配置之複數個第1延伸部81，且設有以與複數個第1延伸部81對應之方式，互相隔開配置之複數個第2延伸部82。本實施形態中，設有互相隔開配置之4個第1延伸部81，及對應於該4個第1延伸部81之4個第2延伸部82。根據該構成，可藉由互相隔開之散佈於複數個位置(本實施形態中，係基底基板20之四角)之第1延伸部81及第2延伸部82，將基底基板20支持於框體10。藉此，與例如沿基底基板20之緣部將第1延伸部及第2延伸部形成為壁狀之情形相比，可使第1延伸部81及第2延伸部82輕量化，且將基底基板20穩定地支持於框體10。
又，基底基板20具有互相隔開配置之複數個(本實施形態中為4個)突出部22，於複數個突出部22之各者，設有第1延伸部81及第2延伸部82。根據該構成，藉由對每突出部22設置第1延伸部81及第2延伸部82，而可容易實現發揮上述效果之構成。另，與上述實施形態不同，亦可對1個突出部22，設置互相隔開之複數個第1延伸部81及互相隔開之複數個第2延伸部82。該情形亦可發揮上述效果。但，如本實施形態，藉由對分散配置之複數個突出部22之各者，設置各1個第1延伸部81及第2延伸部82，而可減少突出部22之浪費區域(未設置第1延伸部81及第2延伸部82之區域)，可謀求突出部22之小型化及輕量化。
又，放射線檢測面板30自Z方向觀察形成為矩形狀。複數個突出部22係設置於與放射線檢測面板30之四角對應之位置。根據該構成，由於可藉由頂壁11及底壁12，經由第1延伸部81及第2延伸部82均衡良好地挾持基底基板20之四角，故可將基底基板20進而更穩定地支持於框體10。
又，側壁13自Z方向觀察，形成為矩形環狀。於側壁13之角部，形成有用以避免與突出部22、第1延伸部81及第2延伸部82之干涉之凹部13c。凹部13c之側壁13之厚度t1較連接相鄰側壁13之角部彼此之邊部之側壁13之厚度t2小。將側壁13之厚度設為一定(即，將角部之厚度設為與邊部之厚度相同)之情形時，必須以角部中需要避免與突出部22干涉之部分，增大自Z方向觀察之框體10之外形。該情形時，導致自Z方向觀察之情形之放射線攝像裝置1之不感應區域之比例變大。另一方面，根據上述構成，藉由形成凹部13c，而可減低不感應區域之比例。
又，頂壁11具有以與側壁13面接觸之方式配置之遮蔽構件112，頂壁11對側壁13之邊部(設置於側壁13之邊部之螺孔13b)及第1延伸部81(設置於第1延伸部81之螺孔81b)以螺絲緊固。根據該構成，藉由頂壁11對側壁13之邊部及第1延伸部81(即，接近側壁13之角部之部分)以螺絲緊固，而於側壁13之上表面13a全體，可謀求頂壁11與側壁13良好之面接觸。藉此，可有效提高電磁遮蔽效果。
又，上述放射線攝像裝置1之製造方法包含如下步驟：準備放射線檢測面板30之步驟(圖8(A))；使放射線檢測面板30之第2面31b被基底基板20之支持面20a支持之步驟(圖8(C))；及經由連接構件70將可撓性電路基板40連接於電極墊33之步驟(圖9(B))。並且，支持步驟中，以自Z方向觀察，基底基板20之端部21a位於較電極墊33、連接構件70及可撓性電路基板40重疊之預定連接區域A(參照圖6)之內側端部A1更內側之方式，對放射線檢測面板30配置基底基板20。再者，於連接步驟中，藉由隔著可撓性電路基板40配置於與連接構件70相反側之加熱器H1，及隔著放射線檢測面板30配置於與連接構件70相反側之加熱器H2，將連接構件70加熱。根據此種製造方法，於支持步驟中，藉由以不與連接區域A重疊之方式配置基底基板20，可藉由加熱器H1及加熱器H2夾著可撓性電路基板40、連接構件70及放射線檢測面板30而進行熱壓接。即，連接可撓性電路基板40及電極墊33時，可防止加熱器H2與基底基板20互相干涉。藉此，可在藉由基底基板20穩定地支持放射線檢測面板30之狀態下，將可撓性電路基板40連接於放射線檢測面板30。又，藉由如此以加熱器H1、H2自連接構件70之兩側(可撓性電路基板40側及放射線檢測面板30側)加熱，與自連接構件70之單側加熱之情形相比，能以較低的加熱溫度(加熱器溫度)確保充分的連接強度。因此，根據上述製造方法，亦可抑制加熱時之熱對放射線檢測面板30等(例如閃爍器34等)帶來之不良影響，並確保連接強度。
惟放射線攝像裝置1之製造順序不限於上述順序，亦可例如於使放射線檢測面板30被基底基板20支持前，將可撓性電路基板40連接於放射線檢測面板30之電極墊33。即，亦可於放射線檢測面板30未支持於基底基板20之狀態下，將可撓性電路基板40連接於放射線檢測面板30。無論哪一者，基底基板20之形狀及配置皆以不與連接區域A重疊之方式設計，藉此，放射線攝像裝置1製造時之作業順序之自由度提高。具體而言，可任意選擇實施將可撓性電路基板40連接於放射線檢測面板30之步驟之時序。即，將放射線檢測面板30支持於基底基板20之前後之任一者，皆可將可撓性電路基板40連接於放射線檢測面板30。
又，上述放射線攝像裝置1之修復方法包含如下步驟：於放射線檢測面板30支持於基底基板20之狀態下，將第1可撓性電路基板自電極墊33卸下之步驟；於放射線檢測面板30支持於基底基板20之狀態下，藉由隔著第2可撓性電路基板(修理後之第1可撓性電路基板，或其他可撓性電路基板)配置於與連接構件70為相反側之加熱器H1，及隔著放射線檢測面板30配置於與連接構件70為相反側之加熱器H2，將連接構件70加熱，藉此將第2可撓性電路基板經由連接構件70連接於電極墊33之步驟。根據此種修復方法，藉由以不與連接區域A重疊之方式配置基底基板20，而可不將放射線檢測面板30自基底基板20卸下地進行可撓性電路基板40之修復(拆卸步驟及連接步驟)。因此，根據上述修復方法，可容易進行可撓性電路基板40之修復作業。
(附記1) 放射線攝像裝置1具備：放射線檢測面板30，其具有形成檢測放射線之檢測區域R且於檢測區域R之外側形成電極墊33之第1面31a，及與第1面31a為相反側之第2面31b；基底基板20，其具有與放射線檢測面板30之第2面31b對向，且支持放射線檢測面板30之支持面20a；及可撓性電路基板40，其經由連接構件70連接於電極墊33。基底基板20之端部21a自正交於支持面20a之Z方向觀察，位於較電極墊33、連接構件70及可撓性電路基板40重疊之連接區域A之內側端部A1更內側。放射線攝像裝置1中，將可撓性電路基板40連接於電極墊33時，有需要將可撓性電路基板40、連接構件70及放射線檢測面板30自Z方向之兩側以加熱器H1、H2加熱之情形。即，例如使用如各向異性導電材料般，藉由熱壓接產生接著力之構件作為連接構件70之情形時，需要上述加熱器H1、H2之熱壓接。另一方面，放射線攝像裝置1中，基底基板20之端部21a自Z方向觀察，位於較連接區域A(本實施形態中為所有連接區域A)之內側端部A1更內側。因此，可避免配置於放射線檢測面板30之第2面31b側之加熱器H2與基底基板20之干涉。藉此，於需要可撓性電路基板40之修復(修理、更換等)之情形時，可不將放射線檢測面板30自基底基板20卸下，而進行可撓性電路基板40之修復。因此，根據放射線攝像裝置1，可使可撓性電路基板40之修復作業容易化。
又，假設自Z方向觀察，基底基板20之端部21a位於較放射線檢測面板30之端部31c更外側之情形時，需要將可撓性電路基板40拉繞至較基底基板20之端部21a更外側。使可撓性電路基板40拉長此需要拉繞之部分，導致經由可撓性電路基板40傳遞之信號中容易夾帶雜訊。另一方面，放射線攝像裝置1中，自Z方向觀察，基底基板20之端部21a位於較連接區域A之內側端部A1更內側(即，位於較放射線檢測面板30之端部31c更內側)。因此，無需如上述之可撓性電路基板40之拉繞，可縮短可撓性電路基板40之全體長度。其結果，可抑制經由可撓性電路基板40傳遞之信號中之雜訊。
又，放射線檢測面板30自Z方向觀察形成為矩形狀，於放射線檢測面板30之至少1個邊部，形成一個以上之連接區域A。本實施形態中，作為一例，於所有(4個)邊部之各者，形成複數個連接區域A。基底基板20之端部21a自Z方向觀察，位於較至少形成於1個邊部(本實施形態中，為所有邊部之各者)之所有連接區域A之內側端部A1更內側。根據該構成，可不與基底基板20之端部21a干涉，而使連接於上述至少1個邊部之連接區域A之可撓性電路基板40之自Z方向觀察之外側端部40a之位置靠近放射線檢測面板30之端部31c。即，可使上述至少1個邊部之可撓性電路基板40之外側端部40a儘可能位於內側。藉此，可縮小自Z方向觀察之情形之框體10之尺寸，可謀求放射線攝像裝置1之小型化。
又，放射線攝像裝置1具備閃爍器34，其配置於第1面31a上，構成檢測區域R，將放射線轉換成光，自Z方向觀察，基底基板20之端部21a位於較檢測區域R更外側，沿XY平面之方向(第2方向)之連接區域A之內側端部A1與基底基板20之端部21a之距離d(參照圖6)亦可為1 mm以上。根據上述構成，可使將可撓性電路基板40連接於電極墊33時加熱連接構件70之加熱器H1與閃爍器34之距離確保一定以上(至少1 mm以上)。其結果，可抑制來自加熱器H1之熱對閃爍器34帶來之不良影響。又，如上所述，有於閃爍器34設置具有防濕性之防濕膜之情形。此種防濕膜具有尤其不耐熱之性質。根據上述構成，可抑制來自加熱器H1之熱對如此具有尤其不耐熱之性質之閃爍器34(包含防濕膜)帶來之不良影響。
又，基底基板20自Z方向觀察，具有於不與可撓性電路基板40重疊之位置較放射線檢測面板30(基板31)更向外側突出之突出部22。根據該構成，由於可於放射線檢測面板30支持於基底基板20之狀態下，利用突出部22作為握持部，故可提高放射線攝像裝置1之製造時或修復時之操作性。
[附記2] 放射線攝像裝置1具備：放射線檢測面板30，其具有形成檢測放射線之檢測區域R之第1面31a，及與第1面31a為相反側之第2面31b；基底基板20，其具有與放射線檢測面板30之第2面31b對向且支持放射線檢測面板30之支持面20a；及可撓性電路基板40，其連接於放射線檢測面板30。自正交於支持面20a之Z方向觀察，與連接有可撓性電路基板40之部分對應之基底基板20之端部21a位於較放射線檢測面板30之端部31c更內側，基底基板20自Z方向觀察，具有於不與可撓性電路基板40重疊之位置向較放射線檢測面板30更外側突出之突出部22。放射線攝像裝置1中，與連接有可撓性電路基板40之部分對應之基底基板20之端部21a位於較放射線檢測面板30(基板31)之端部31c更內側。藉此，如本實施形態，需要將可撓性電路基板40之另一端部41b連接於於基底基板20之背面20b配置之控制基板50之情形時，可適當防止可撓性電路基板40與基底基板20之干涉。
又，基於減低上述不感應區域之比例(即，有效受光區域(檢測區域R)以外之區域相對於放射線攝像裝置1全體區域之比例)之觀點而言，較佳為儘可能縮小自Z方向觀察之情形之可撓性電路基板40自基板31之端部31c之突出長度。此處，上述突出長度為自Z方向觀察之情形之可撓性電路基板40之外側端部40a(係彎折部分，係與XY平面平行之方向上，最遠離基板31端部31c之部分)與基板31之端部31c之相隔距離。藉由基底基板20之端部21a位於較放射線檢測面板30(基板31)之端部31c更內側，而可儘可能縮小上述突出長度。具體而言，假設基底基板20之端部21a位於較端部31c更外側之情形時，上述突出長度產生必須較端部31c與基底基板20之端部21a間之距離大之制約。另一方面，藉由基底基板20之端部21a位於較放射線檢測面板30(基板31)之端部31c更內側，則不會產生上述制約。
又，基底基板20自Z方向觀察，具有於不與可撓性電路基板40重疊之位置較放射線檢測面板30(基板31)更向外側突出之突出部22。藉此，由於可於放射線檢測面板30支持於基底基板20之狀態下，利用突出部22作為握持部，故可提高基底基板20之操作性。
又，突出部22至少形成於2處。該情形時，可於2處穩定地握持基底基板20。又，突出部22可至少形成於3處，亦可至少形成於4處。本實施形態中，突出部22形成於4處。該情形時，可進而更穩定地握持基底基板20。
又，基板31(放射線檢測面板30)自Z方向觀察形成為矩形狀。突出部22係設置於與放射線檢測面板30之角部對應之位置。藉由於對應於基板31之角部之位置設置突出部22，而可使用基板31之各邊部作為與可撓性電路基板40連接之空間(即，形成電極墊33之區域)，且提高基底基板20之操作性。本實施形態中，於基底基板20之四角形成突出部22，該等突出部22經由第1延伸部81及第2延伸部82固定於框體10。藉此，基底基板20經由形成於其四角之突出部22，對框體10均衡良好地支持。又，該情形時，藉由自Z方向觀察形成於儘可能遠離放射線檢測面板30之位置之上述突出部22，將基底基板20支持於框體10。藉此，例如即使對框體10施加外力從而框體10變形，亦可較佳地抑制該框體10變形之影響經由基底基板20而波及放射線檢測面板30。
又，放射線檢測面板30自Z方向觀察形成為矩形狀，於放射線檢測面板30之至少1個邊部，連接一個以上可撓性電路基板40。本實施形態中，作為一例，於所有(4個)邊部之各個，連接複數個可撓性電路基板40。與於至少1個邊部連接所有可撓性電路基板40之部分對應之基底基板20之端部21a，位於較放射線檢測面板30之端部31c更內側。根據該構成，可不與基底基板20之端部21a干涉，而使上述至少1個邊部之所有可撓性電路基板40自Z方向觀察之外側端部40a之位置靠近放射線檢測面板30之端部31c。即，可使上述至少1個邊部之可撓性電路基板40之外側端部40a儘可能位於內側。藉此，可縮小自Z方向觀察時之框體10之尺寸，可謀求放射線攝像裝置1之小型化。
以上，雖已針對本揭示之較佳實施形態詳細說明，但本揭示並非限定於上述實施形態。例如，各部之材料及形狀不限於上述材料及形狀，可採用各種材料及形狀。
上述實施形態中，垂直位移暫存器42a、42b及信號連接部42c、42d係均可經由可撓性電路基板40而外接。又，考慮讀出性能(雜訊及讀出速度等)，於檢測區域R之左右兩側配置有用以連接垂直位移暫存器42a、42b之電極墊33，於檢測區域R之上下兩側配置有用以連接信號連接部42c、42d之電極墊33。即，上述實施形態中，如圖12(A)所示，於包圍檢測區域R之4邊配置有複數個電極墊33。但，電極墊33未必配置於所有4邊。又，配置於各邊之電極墊33之個數及配置間隔亦未特別限定。
例如，亦可省略垂直位移暫存器42a、42b之一者，或信號連接部42c、42d之一者。該情形時，如圖12(B)所示，沿基板31之3邊配置電極墊33。又，亦可省略垂直位移暫存器42a、42b之一者，及信號連接部42c、42d之一者。該情形時，如圖12(C)所示，沿基板31之2邊配置電極墊33。又，例如對應於垂直位移暫存器42a、42b之電路亦可並非外接IC晶片42而是製作於基板31。再者，亦可省略信號連接部42c、42d之一者。該情形時，如圖12(D)所示，沿基板31之一邊配置電極墊33。例如，藉由將基板31構成為使用低溫多晶矽之TFT面板，而可容易進行此種電路製作。
又，如圖12(E)所示，於基板31中，設有電極墊33之邊部(此處為左右兩側之2邊)，以比較廣之間隔配置有複數(此處，作為一例為2個)電極墊33。該例中，於左右兩側2邊之中央部，形成有未配置電極墊33之比較廣之空間。又，如圖12(F)所示，亦可於基板31中，設有電極墊33之邊部(此處為左右兩側之2邊)，僅配置1個電極墊33，於該電極墊33之兩側，形成比較廣之空間。並且，如圖12(B)～(F)所示，於基板31中，設置未形成電極墊33之邊部，或設置未設置電極墊33之比較廣空間之情形時，亦可在與該邊部或該空間對應之部分，配置突出部22(例如參照圖13(E)～(I))。
上述實施形態中，突出部22係設置於本體部21之四角，但突出部22之配置及個數不限於上述例。例如，突出部22可如圖13(A)所示，設置於1個角部，可如圖13(B)所示，設置於互相鄰接之2個角部，可如圖13(C)所示，設置於互相為對角關係之2個角部，亦可如圖13(D)所示，設置於3個角部。
又，設置突出部22之位置不限於本體部21之角部，亦可為本體部21之邊部。該情形時，例如，突出部22可如圖13(E)所示，設置於1邊，可如圖13(F)所示，設置於互相鄰接之2邊，可如圖13(G)所示，設置於互相對向之2邊，可如圖13(H)所示，設置於3邊，亦可如圖13(I)所示，設置於4邊。又，圖13(F)～(I)之例中，突出部22係設置於各邊之中央部，但突出部22可設置於自各邊之中央部偏離之位置，亦可對於1邊設置2個以上突出部22(例如參照圖14(D))。另，如圖13(A)及(E)所示，即使突出部22僅為1個，亦可藉由握持該突出部22，而容易搬運放射線檢測面板30及基底基板20。即，藉由設有突出部22之部分，放射線檢測面板30及基底基板20之操作性提高。另一方面，設有複數個突出部22之情形時，可以複數部位穩定地握持基底基板20，故可進而更提高上述操作性。
又，突出部22亦可設置於本體部21之角部及邊部之兩者。即，上述實施形態及圖13等所示之突出部22之配置亦可任意組合。
上述實施形態中，作為定位構件之第1延伸部81(設有引導槽81a之第1延伸部81)係設置於對應於基板31之四角各者之位置，但作為定位構件之第1延伸部81只要設置至少1個即可。該情形時，由於可隔著基板31之角部進行互相鄰接2邊(互相正交2邊)之定位，故可進行基板31之定位。但，如圖14(A)～(C)所示，作為定位構件之第1延伸部81較佳設置於與基板31之2處以上角部對應之位置。藉此，可提高將基板31配置於基底基板20之支持面20a時之作業性。
又，如圖14(D)～(F)所示，突出部22設置於本體部21之邊部之情形時，第1延伸部81亦可具有用以定位基板31之邊部之引導面81c(自Z方向觀察，與對應之基板31之邊部成平行之面)。又，該情形時，第1延伸部81只要於互相正交之2邊至少各設置1個(合計2個)即可。但，如圖14(D)～(F)所示，作為定位構件之第1延伸部81較佳設置於3處以上。藉此，可提高將基板31配置於基底基板20之支持面20a時之作業性。
又，作為定位構件之第1延伸部81亦可設置於本體部21之角部及邊部之兩者。
作為定位構件使用之第1延伸部81亦可於基板31固定於支持面20a後卸下。但，藉由基板31固定於支持面20a後仍留下第1延伸部81，可防止卸下第1延伸部81時之操作錯誤產生，防止因操作錯誤所致之基底基板20等構件之損傷(即，放射線攝像裝置1之良率降低)。又，藉由留下第1延伸部81，而可使該第1延伸部81作為保護基板31之端部(上述實施形態中，為基板31之角部31d)之保護構件發揮功能。再者，如上述實施形態，可將第1延伸部81作為連接突出部22及頂壁11之支持構件加以活用。
上述實施形態中，第1延伸部81作為將基板31定位之定位構件發揮功能，且作為對頂壁11支持突出部22之支持構件發揮功能，但第1延伸部81亦可僅具有定位構件及支持構件之一者之功能。即，亦可不於第1延伸部81設置將基板31定位之部分(本實施形態中，為引導槽81a)。或者，第1延伸部81亦可不固定於頂壁11。或者，第1延伸部81亦可省略。又，設有複數個突出部22之情形時，第1延伸部81亦可僅設置於一部分突出部22。同樣地，第2延伸部82亦可省略。又，設有複數個突出部22之情形時，第2延伸部82亦可僅設置於一部分突出部22。
突出部22亦可省略。即，基底基板20亦可為僅包含上述本體部21之構件。該情形時，對於固定於突出部22之第1延伸部81及第2延伸部82亦可省略。
上述實施形態中，基底基板20係以自Z方向觀察，不與所有連接區域A重疊之方式形成，但基底基板20只要以不與至少1個連接區域A重疊之方式形成即可，未必以不與所有連接區域A重疊之方式形成。例如，基底基板20亦可以不與對應於搭載有故障發生率尤其高(即，易產生修復作業)之IC晶片42之可撓性電路基板40之連接區域A重疊之方式形成，另一方面，以與其他連接區域A重疊之方式形成。該情形時，將無法實施上述實施形態所示順序(即，將放射線檢測面板30支持於基底基板20後，將各可撓性電路基板40連接於各電極墊33之順序)，但可藉由將各可撓性電路基板40連接於放射線檢測面板30後，將放射線檢測面板30支持於基底基板20，而製造放射線攝像裝置1。又，藉由基底基板20以不與對應於搭載有故障發生率較高之IC晶片之可撓性電路基板40之連接區域A重疊之方式形成，而於該IC晶片42產生故障之情形時，不將放射線檢測面板30自基底基板20卸下，而可實施該可撓性電路基板40之修復作業。藉此，如此基底基板20以僅不與一部分連接區域A重疊之方式形成之情形時，亦與上述實施形態同樣地，發揮可使對應於該連接區域A之可撓性電路基板40之修復作業容易化，可抑制經由該可撓性電路基板40傳遞之信號之雜訊等效果。
上述實施形態中，僅使用可撓性電路基板40作為與各電極墊33之電性連接機構，但亦可併用可撓性電路基板40以外之連接機構(例如引線接合等)。例如，亦可將一部分電極墊33經由可撓性電路基板40連接於控制基板50，將其他電極墊33藉由引線接合連接於控制基板50(或另外設置之控制電路)。
又，上述實施形態中，外接之IC晶片42與電極墊33係經由可撓性電路基板40電性連接，但亦可例如於框體10內收容晶片搭載用基板，於該基板搭載IC晶片。又，該IC晶片及電極墊33亦可僅藉由可撓性電路基板40以外之連接機構(例如上述引線接合等)電性連接。又，此種情形時，由於不存在如上述實施形態中說明之連接區域A，故自Z方向觀察，基底基板20之端部21a亦可配置於較放射線檢測面板30(基板31)之端部31c更內側。即，亦可使用自Z方向觀察完全內包基板31之大小之基底基板20(即，自Z方向觀察，基底基板20之周緣部全體位於較基板31更外側之基底基板20)。該情形時，基底基板20之周緣部全體與上述實施形態之突出部22對應。
再者，如上所述，基於防止基底基板20與可撓性電路基板40干涉之觀點，及減低不感應區域之比例之觀點而言，對應於連接有可撓性電路基板40之部分之基底基板20之端部21a只要位於較放射線檢測面板30(基板31)之端部31c更內側即可，基底基板20亦可形成為自Z方向觀察不與連接區域A重疊。
上述實施形態中，檢測區域R係應用藉由閃爍器34將放射線像轉換成光像後，藉由受光部32拍攝該光像，而獲得圖像之間接轉換方式之區域，但檢測區域R亦可為應用直接拍攝放射線像，而獲得圖像之直接轉換方式之區域。例如，基板31之第1面31a中，亦可替代受光部32，而設置以進行電荷蓄積及傳送之方式構成之像素電路，且替代閃爍器34，而設置將放射線直接轉換成電荷之固體材料(轉換部)(例如CdTe、CdZnTe、GaAs、InP、TlBr、HgI2、PbI2、Si、Ge及a-Se等)。藉此，獲得應用直接轉換方式之檢測區域R。該情形之檢測區域R係放射線入射之區域，且係施加偏壓電壓之區域(即，成為取得圖像之對象之區域)。另，由於此種固體材料亦與閃爍器34同樣地，具有不耐高溫之性質，故較佳為儘可能增大固體材料與連接區域A之距離(即，基底基板20之端部21a與連接區域A之內側端部A1之距離d)。具體而言，設有固體材料之情形(直接轉換方式)時，亦與設有閃爍器34之情形(間接轉換方式)同樣地，上述距離d較佳設定為1 mm以上。藉此，可令用以將可撓性電路基板40連接於電極墊33而加熱連接構件70之加熱器H1與固體材料之距離確保一定以上(至少1 mm以上)。其結果，可抑制來自加熱器H1之熱對固體材料帶來之不良影響。
上述實施形態中，已針對於玻璃基板即基板31上成膜多晶矽或非晶矽等之放射線檢測面板30進行說明，但放射線檢測面板30不限於上述構成，亦可具有例如於單晶矽基板上形成受光部之構成。又，基板31不限於玻璃基板，亦可為例如薄膜狀基板(可撓性基板)等。
1:放射線攝像裝置 10:框體 11:頂壁(第1壁部) 11a:貫通孔 12:底壁(第2壁部) 12a:凸部 13:側壁(第3壁部) 13a:上表面 13b:螺孔 13c:凹部 14:螺絲構件 20:基底基板 20a:支持面 20b:背面 21:本體部 21a:端部 22:突出部 30:放射線檢測面板 31:基板 31a:第1面 31b:第2面 31c:端部 31d:角部 32:受光部 33:電極墊 34:閃爍器(轉換部) 35:矽膜 36:絕緣層 40:可撓性電路基板 40a:外側端部 41:可撓性基板 41a:一端部 41b:另一端部 42:IC晶片 42a、42b:垂直位移暫存器 42c、42d:信號連接部 50:控制基板 51:連接器 52:AD轉換器 55:支持構件 56:支持構件 57:散熱構件 60:放射線遮蔽構件 70:連接構件 81:第1延伸部 81a:引導槽 81b:螺孔 82:第2延伸部 91:n型半導體層 92:i型半導體層 93:p型半導體層 94:通道區域 95:源極區域 96:汲極區域 97:閘極絕緣膜 98:閘極電極 100:像素 102:保持電路 102a:輸入用開關 102b:輸出用開關 102c:電壓保持部 103:水平位移暫存器 111:碳纖維板 112:遮蔽構件 A:連接區域 A1:內側端部 d:距離 G:接著構件 H1:加熱器(第1加熱器) H1a:表面 H2:加熱器(第2加熱器) H2a:表面 Hd:保持控制信號 LH:保持用配線 LO:讀出用配線 LO,n:第n行讀出用配線 LOUT:電壓輸出用配線 LR:重設用配線 LV:列選擇用配線 LV,m:第m列選擇用配線 PD:光電二極體 Pm,n:像素 R:檢測區域 RE:重設控制信號 SW1:讀出用開關 t:厚度 t1:厚度 t2:厚度 X:方向 Y:方向 Z:方向
圖1係一實施形態之放射線攝像裝置之俯視圖。 圖2係沿圖1之Ⅱ-Ⅱ線之剖視圖。 圖3係將放射線檢測面板之一部分放大之俯視圖。 圖4係沿圖3之Ⅳ-Ⅳ線之剖視圖。 圖5係顯示受光部及IC晶片之內部構成之圖。 圖6係用以說明連接區域與基底基板之位置關係之圖。 圖7(A)、(B)係顯示放射線檢測面板之與加熱器的距離與溫度之關係之圖。 圖8(A)～(C)係顯示放射線攝像裝置之製造步驟之一例之圖。 圖9(A)、(B)係顯示放射線攝像裝置之製造步驟之一例之圖。 圖10(A)、(B)係顯示放射線攝像裝置之製造步驟之一例之圖。 圖11係顯示放射線攝像裝置之製造步驟之一例之圖。 圖12(A)～(F)係顯示電極墊之配置例之圖。 圖13(A)～(I)係顯示基底基板之變化例之圖。 圖14(A)～(F)係顯示第1延伸部之配置例之圖。
1:放射線攝像裝置
11:頂壁(第1壁部)
11a:貫通孔
12:底壁(第2壁部)
12a:凸部
13:側壁(第3壁部)
13a:上表面
13b:螺孔
14:螺絲構件
20:基底基板
20a:支持面
20b:背面
21:本體部
21a:端部
22:突出部
30:放射線檢測面板
31:基板
31a:第1面
31b:第2面
31c:端部
31d:角部
32:受光部
33:電極墊
34:閃爍器(轉換部)
40:可撓性電路基板
40a:外側端部
41:可撓性基板
41a:一端部
41b:另一端部
42:IC晶片
50:控制基板
51:連接器
52:AD轉換器
55:支持構件
56:支持構件
57:散熱構件
60:放射線遮蔽構件
70:連接構件
81:第1延伸部
81a:引導槽
81b:螺孔
82:第2延伸部
111:碳纖維板
112:遮蔽構件
A:連接區域
A1:內側端部
R:檢測區域
X:方向
Y:方向
Z:方向

Claims (10)

  1. 一種放射線攝像裝置，其具備：放射線檢測面板，其具有形成有檢測放射線之檢測區域之第1面，及與上述第1面為相反側之第2面； 基底基板，其具有與上述放射線檢測面板之上述第2面對向、且支持上述放射線檢測面板之支持面；及 框體，其收容上述放射線檢測面板及上述基底基板，且 上述框體具有與上述第1面對向之第1壁部、及與上述第2面對向之第2壁部， 上述基底基板自正交於上述支持面之第1方向觀察，具有較上述放射線檢測面板更向外側突出之突出部， 於上述突出部之上述支持面，設有於上述第1方向延伸之第1延伸部， 在與上述突出部之上述支持面為相反側之面，設有隔著上述突出部配置於與上述第1延伸部對向之位置並於上述第1方向延伸之第2延伸部， 上述基底基板經由上述第1延伸部被上述第1壁部支持，且經由上述第2延伸部被上述第2壁部支持。
  2. 如請求項1之放射線攝像裝置，其中上述第1延伸部係將上述放射線檢測面板定位之定位構件。
  3. 如請求項1或2之放射線攝像裝置，其中將上述第1延伸部及上述第2延伸部與上述基底基板單獨形成。
  4. 如請求項1至3中任一項之放射線攝像裝置，其中上述第1延伸部與上述第2延伸部係藉由共通之安裝構件安裝於上述突出部。
  5. 如請求項1至4中任一項之放射線攝像裝置，其中上述第2延伸部自上述第1方向觀察大於上述第1延伸部， 上述第2延伸部自上述第1方向觀察，具有不與上述第1延伸部重疊之部分。
  6. 如請求項1至5中任一項之放射線攝像裝置，其中於上述突出部之支持面，設置互相隔開配置之複數個上述第1延伸部，且以與上述複數個第1延伸部對應之方式，設置互相隔開配置之複數個上述第2延伸部。
  7. 如請求項6之放射線攝像裝置，其中上述基底基板具有互相隔開配置之複數個上述突出部， 於複數個上述突出部各者，設置上述第1延伸部及上述第2延伸部。
  8. 如請求項7之放射線攝像裝置，其中上述放射線檢測面板自上述第1方向觀察形成為矩形狀， 上述複數個上述突出部設置於對應於上述放射線檢測面板之四角之位置。
  9. 如請求項8之放射線攝像裝置，其中上述框體具有於上述第1方向延伸且將上述第1壁部及上述第2壁部連接之第3壁部， 上述第3壁部自上述第1方向觀察，形成為矩形環狀， 於上述第3壁部之角部，形成用以避免與上述突出部、上述第1延伸部及上述第2延伸部干涉之凹部， 上述凹部處之上述第3壁部之厚度，小於將相鄰之上述第3壁部之角部彼此連接之上述第3壁部之邊部處之上述第3壁部之厚度。
  10. 如請求項9之放射線攝像裝置，其中上述第1壁部具有以與上述第3壁部面接觸之方式配置之遮蔽電磁波之遮蔽構件， 上述第1壁部對上述第3壁部之邊部及上述第1延伸部以螺絲緊固。
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