JP3408098B2 - 固体撮像装置及びｘ線撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置及びｘ線撮像装置Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ファクシミリ・デ
ジタル複写機あるいはＸ線撮像装置などの１次元もしく
は２次元の固体撮像装置に関するものである。
ジタル複写機あるいはＸ線撮像装置などの１次元もしく
は２次元の固体撮像装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ファクシミリ・デジタル複写機あ
るいはＸ線撮像装置などの読み取り系は、縮小光学系と
ＣＣＤ型センサーとを組み合わせたシステムであった。
ところが、近年になり水素化アモルファスシリコン（以
下ａ−Ｓｉと記す）に代表される光電変換半導体材料の
開発により、光電変換素子及び信号処理部を、大面積の
基板に形成し、情報源と等倍の光学系で読み取る密着型
センサーが実用化されつつある。特に、ａ−Ｓｉは、光
電変換材料としてだけでなく、薄膜電界効果型トランジ
スタ（以下ＴＦＴと記す）の半導体材料としても用いる
ことができるので、同一基板上に光電変換半導体層とＴ
ＦＴの半導体層とを同時に形成することができ、構造的
にも都合がよい。
るいはＸ線撮像装置などの読み取り系は、縮小光学系と
ＣＣＤ型センサーとを組み合わせたシステムであった。
ところが、近年になり水素化アモルファスシリコン（以
下ａ−Ｓｉと記す）に代表される光電変換半導体材料の
開発により、光電変換素子及び信号処理部を、大面積の
基板に形成し、情報源と等倍の光学系で読み取る密着型
センサーが実用化されつつある。特に、ａ−Ｓｉは、光
電変換材料としてだけでなく、薄膜電界効果型トランジ
スタ（以下ＴＦＴと記す）の半導体材料としても用いる
ことができるので、同一基板上に光電変換半導体層とＴ
ＦＴの半導体層とを同時に形成することができ、構造的
にも都合がよい。
【０００３】しかし、基板の大面積化は、その加工の最
終段階まで待たないと、良品、不良品の判別ができない
ので、製造歩留まりが低く、また、基板サイズに応じた
専用の、成膜およびフォトレジストなどのプロセス・ラ
インを新規に構築しなければならず、多大な設備投資を
要するといった観点から、経済性の優れた製品を得るこ
とが甚だ困難である。
終段階まで待たないと、良品、不良品の判別ができない
ので、製造歩留まりが低く、また、基板サイズに応じた
専用の、成膜およびフォトレジストなどのプロセス・ラ
インを新規に構築しなければならず、多大な設備投資を
要するといった観点から、経済性の優れた製品を得るこ
とが甚だ困難である。
【０００４】そこで、小型基板を複数個配列させ、大版
化する方法の有用性が、製造歩留まりの向上を目的とし
て、注目をあびている。図１３の（ａ）および（ｂ）に
示されているのは、小型基板を複数個（ここでは、２×
２＝４個）、配列させた固体撮像素子装置である。ここ
で、符号２００１は回路基板、２００２はフレキシブル
回路基板、２０１０はセンサー基板上にある引き出し電
極部、２０１１は封止材である。
化する方法の有用性が、製造歩留まりの向上を目的とし
て、注目をあびている。図１３の（ａ）および（ｂ）に
示されているのは、小型基板を複数個（ここでは、２×
２＝４個）、配列させた固体撮像素子装置である。ここ
で、符号２００１は回路基板、２００２はフレキシブル
回路基板、２０１０はセンサー基板上にある引き出し電
極部、２０１１は封止材である。
【０００５】なお、引き出し電極部２０１０とフレキシ
ブル回路基板２００２との接合部において、封止材２０
１１は、引き出し電極部２０１０の腐食を防止するため
に用いられており、一般には、シリコーン樹脂を使用す
る。また、ここで、２００３〜２００６は上面にセンサ
ー素子２００７が形成されたセンサー基板、２００８は
センサー基板２００３〜２００６を保持するための基
台、２００９はセンサー基板２００３〜２００６と基台
２００８を固定する接着剤である。センサー基板２００
３〜２００６は、二次元方向に画素ピッチが合うように
位置合わせされ、基台２００８に固定されている。
ブル回路基板２００２との接合部において、封止材２０
１１は、引き出し電極部２０１０の腐食を防止するため
に用いられており、一般には、シリコーン樹脂を使用す
る。また、ここで、２００３〜２００６は上面にセンサ
ー素子２００７が形成されたセンサー基板、２００８は
センサー基板２００３〜２００６を保持するための基
台、２００９はセンサー基板２００３〜２００６と基台
２００８を固定する接着剤である。センサー基板２００
３〜２００６は、二次元方向に画素ピッチが合うように
位置合わせされ、基台２００８に固定されている。
【０００６】図１４は、図１３の、小型基板を複数個、
配列させた固体撮像素子装置を作製するためのプロセス
を示したものである。ステップ（２１０１）において、
薄膜半導体プロセスによって作製された４枚のセンサー
基板２１１０〜２１１３を、回転式のダイヤモンドブレ
ード２１１４を用いて、要求されるサイズにスライスす
る。
配列させた固体撮像素子装置を作製するためのプロセス
を示したものである。ステップ（２１０１）において、
薄膜半導体プロセスによって作製された４枚のセンサー
基板２１１０〜２１１３を、回転式のダイヤモンドブレ
ード２１１４を用いて、要求されるサイズにスライスす
る。
【０００７】次に、ステップ（２１０２）において、適
当な接合手段２１１５を介して、規定サイズとなったセ
ンサー基板２１１０〜２１１３の引き出し電極部２０１
０に、フレキシブル回路基板２００２を介して、回路基
板２００１を取り付ける。そして、ステップ（２１０
３）において、引き出し電極部２０１０上にフレキシブ
ル回路基板２００２が接合された状態で、ディスペンサ
ー２１１６で、接合部を包むように封止材２０１１を塗
布する。
当な接合手段２１１５を介して、規定サイズとなったセ
ンサー基板２１１０〜２１１３の引き出し電極部２０１
０に、フレキシブル回路基板２００２を介して、回路基
板２００１を取り付ける。そして、ステップ（２１０
３）において、引き出し電極部２０１０上にフレキシブ
ル回路基板２００２が接合された状態で、ディスペンサ
ー２１１６で、接合部を包むように封止材２０１１を塗
布する。
【０００８】また、ステップ（２１０４）において、封
止の終わった上述のセンサー基板を、画素ピッチが二次
元方向に合うように、位置合わせし、あらかじめ接着剤
２００９の塗布された基台２００８上に各基板を載せ、
固定する。
止の終わった上述のセンサー基板を、画素ピッチが二次
元方向に合うように、位置合わせし、あらかじめ接着剤
２００９の塗布された基台２００８上に各基板を載せ、
固定する。
【０００９】なお、Ｘ線撮像装置として、上述の固体撮
像素子装置を用いる場合は、蛍光板を用いて、Ｘ線を可
視光に変換し、これをセンサーで読み取る構成とする。
即ち、図１５の（ａ）および（ｂ）には、Ｘ線撮像装置
が示してあり、ここでは、符号２００１は回路基板、２
００２はフレキシブル回路基板、２０１０はセンサー基
板２１１０〜２１１３上にある引き出し電極部、２０１
１は封止材である。
像素子装置を用いる場合は、蛍光板を用いて、Ｘ線を可
視光に変換し、これをセンサーで読み取る構成とする。
即ち、図１５の（ａ）および（ｂ）には、Ｘ線撮像装置
が示してあり、ここでは、符号２００１は回路基板、２
００２はフレキシブル回路基板、２０１０はセンサー基
板２１１０〜２１１３上にある引き出し電極部、２０１
１は封止材である。
【００１０】引き出し電極部２０１０とフレキシブル回
路基板２００２との接合部において、封止材２０１１
は、引き出し電極部２０１０の腐食を防止するために用
いられており、一般にはシリコーン樹脂を使用する。２
００３〜２００６は上面にセンサー素子２００７が形成
されたセンサー基板、２００８はセンサー基板２００３
〜２００６を保持するための基台、２００９はセンサー
基板２００３〜２００６と基台２００８とを固定する接
着剤である。センサー基板２００３〜２００６は、画素
ピッチが二次元方向に合うように、位置合わせされ、基
台２００８に固定されている。なお、２２０１はＸ線を
可視光に変換する蛍光板、２２０２はセンサー基板２０
０３〜２００６と蛍光板２２０１とを貼り合わせるため
の接着剤である。
路基板２００２との接合部において、封止材２０１１
は、引き出し電極部２０１０の腐食を防止するために用
いられており、一般にはシリコーン樹脂を使用する。２
００３〜２００６は上面にセンサー素子２００７が形成
されたセンサー基板、２００８はセンサー基板２００３
〜２００６を保持するための基台、２００９はセンサー
基板２００３〜２００６と基台２００８とを固定する接
着剤である。センサー基板２００３〜２００６は、画素
ピッチが二次元方向に合うように、位置合わせされ、基
台２００８に固定されている。なお、２２０１はＸ線を
可視光に変換する蛍光板、２２０２はセンサー基板２０
０３〜２００６と蛍光板２２０１とを貼り合わせるため
の接着剤である。
【００１１】図１６は、図１５のＸ線撮像装置を作製す
るためのプロセスを示したものである。ステップ（２３
０１）において、薄膜半導体プロセスによって作製され
たセンサー基板２１１０〜２１１３を、回転式のダイヤ
モンドブレード２１１４を用いて、要求されるサイズに
スライスする。次に、ステップ（２３０２）において、
適当な接合手段２１１５を介して、規定サイズとなった
４枚のセンサー基板２１１０〜２１１３の引き出し電極
部２０１０に、フレキシブル回路基板２００２を介し
て、回路基板２００１を取り付ける。
るためのプロセスを示したものである。ステップ（２３
０１）において、薄膜半導体プロセスによって作製され
たセンサー基板２１１０〜２１１３を、回転式のダイヤ
モンドブレード２１１４を用いて、要求されるサイズに
スライスする。次に、ステップ（２３０２）において、
適当な接合手段２１１５を介して、規定サイズとなった
４枚のセンサー基板２１１０〜２１１３の引き出し電極
部２０１０に、フレキシブル回路基板２００２を介し
て、回路基板２００１を取り付ける。
【００１２】また、ステップ（２３０３）において、引
き出し電極部２０１０上にフレキシブル回路基板２００
２が接合された状態で、ディスペンサー２１１６で、接
合部を包むように、封止材を塗布する。次に、ステップ
（２３０４）において、封止の終わった上述のセンサー
基板２１１０〜２１１３を、画素ピッチが二次元方向に
合うように、位置合わせし、あらかじめ接着剤の塗布さ
れた基台２００８上に各基板を載せ、固定する。その
後、センサー基板２１１０〜２１１３上に、スプレーな
どの手段で接着剤２２０２を全面塗布した蛍光板２２０
１を載せる。そして、ステップ（２３０５）において、
その上から、ローラー２２０３を用いて一定圧力を加え
ながら貼り合わせる。
き出し電極部２０１０上にフレキシブル回路基板２００
２が接合された状態で、ディスペンサー２１１６で、接
合部を包むように、封止材を塗布する。次に、ステップ
（２３０４）において、封止の終わった上述のセンサー
基板２１１０〜２１１３を、画素ピッチが二次元方向に
合うように、位置合わせし、あらかじめ接着剤の塗布さ
れた基台２００８上に各基板を載せ、固定する。その
後、センサー基板２１１０〜２１１３上に、スプレーな
どの手段で接着剤２２０２を全面塗布した蛍光板２２０
１を載せる。そして、ステップ（２３０５）において、
その上から、ローラー２２０３を用いて一定圧力を加え
ながら貼り合わせる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】このように、小型基板
を複数個、配列させた固体撮像素子装置では、二次元方
向に画素ピッチを合わせて、擬似的に一枚基板の撮像素
子を構成する。従って、小型基板が構成された段階で、
電気的な特性を検査し、その個々について、良品、不良
品の判断ができ、次のアッセンブリでの歩留まり向上を
図ることができるが、一方では、図１４におけるカット
工程、即ち、ステップ（２１０１）において、寸法精度
や切断時に生じたバリによる位置精度ずれの他に、切断
部の欠けによる素子破壊・腐食といった事柄に注意を払
わなくてはならない。
を複数個、配列させた固体撮像素子装置では、二次元方
向に画素ピッチを合わせて、擬似的に一枚基板の撮像素
子を構成する。従って、小型基板が構成された段階で、
電気的な特性を検査し、その個々について、良品、不良
品の判断ができ、次のアッセンブリでの歩留まり向上を
図ることができるが、一方では、図１４におけるカット
工程、即ち、ステップ（２１０１）において、寸法精度
や切断時に生じたバリによる位置精度ずれの他に、切断
部の欠けによる素子破壊・腐食といった事柄に注意を払
わなくてはならない。
【００１４】図１７は、隣り合う２つの基板の接続部を
示したものである。２４０１はセンサー画素部、２４０
２は薄膜トランジスタ部、２４０３はゲート線、２４０
５は信号線である。ゲート線および信号線の間隔は画素
ピッチに相当し、ピッチ間隔はαで示されている。図１
７のように、隣接した基板と画素ピッチを合わせてつな
ぐには、基板端からゲート線までの距離βがβ＜α／２
でなくてはならない。近年、画像の高精細化への要求と
半導体微細技術の進歩により、固体撮像素子の画素ピッ
チは、数１０〜数１００μｍオーダーとなっている。こ
のように画素の微細化が進むと、基板端からゲート線ま
での距離βは小さくなり、切断部の欠けの大きさが、構
造上に悪影響を及ぼすことになる。
示したものである。２４０１はセンサー画素部、２４０
２は薄膜トランジスタ部、２４０３はゲート線、２４０
５は信号線である。ゲート線および信号線の間隔は画素
ピッチに相当し、ピッチ間隔はαで示されている。図１
７のように、隣接した基板と画素ピッチを合わせてつな
ぐには、基板端からゲート線までの距離βがβ＜α／２
でなくてはならない。近年、画像の高精細化への要求と
半導体微細技術の進歩により、固体撮像素子の画素ピッ
チは、数１０〜数１００μｍオーダーとなっている。こ
のように画素の微細化が進むと、基板端からゲート線ま
での距離βは小さくなり、切断部の欠けの大きさが、構
造上に悪影響を及ぼすことになる。
【００１５】図１８は、隣り合う２つの基板の接続部に
ついて、そこに欠けを生じた場合を示している。２５０
１は欠け、２５０２は絶縁膜（窒化シリコン膜）、２５
０３は保護膜（ポリイミド膜）、２５０５は透明絶縁基
板である。絶縁膜２５０２や保護膜２５０３は通常、セ
ンサー画素部２４０１、薄膜トランジスタ部２４０２、
ゲート線２４０３、信号線２４０５を覆うことにより、
水分や、ナトリウム、カリウム、塩素といった不純物イ
オンの侵入を妨げて、金属配線に腐食を生じさせない。
ところが、図のように、ゲート線近傍まで欠けがある
と、絶縁膜２５０２と透明絶縁基板２５０５との界面
で、水分や不純物イオンが侵入し、配線腐食を引き起こ
し、結果的に断線する。これは、画像についてライン欠
陥となり、著しい画質低下を招く。
ついて、そこに欠けを生じた場合を示している。２５０
１は欠け、２５０２は絶縁膜（窒化シリコン膜）、２５
０３は保護膜（ポリイミド膜）、２５０５は透明絶縁基
板である。絶縁膜２５０２や保護膜２５０３は通常、セ
ンサー画素部２４０１、薄膜トランジスタ部２４０２、
ゲート線２４０３、信号線２４０５を覆うことにより、
水分や、ナトリウム、カリウム、塩素といった不純物イ
オンの侵入を妨げて、金属配線に腐食を生じさせない。
ところが、図のように、ゲート線近傍まで欠けがある
と、絶縁膜２５０２と透明絶縁基板２５０５との界面
で、水分や不純物イオンが侵入し、配線腐食を引き起こ
し、結果的に断線する。これは、画像についてライン欠
陥となり、著しい画質低下を招く。
【００１６】また、従来のＸ線撮像装置のプロセスで
は、センサー基板の引き出し電極部上にフレキシブル回
路基板が接合された状態で、ディスペンサーで、接合部
を包むように封止材を塗布する。封止の終わった４枚の
センサー基板を、画素ピッチが合うように、二次元方向
に位置合わせを行い、あらかじめ、接着剤の塗布された
基台上に各基板を載せ、固定する。その後、スプレーな
どの手段で接着剤を全面塗布した蛍光板を、前記センサ
ー基板上に載せ、その上から、ローラーによって一定圧
力を加えながら、貼り合わせる。その際、蛍光板の端か
ら余剰な接着剤がはみだし、封止剤に包まれた引き出し
電極部上をさらに覆う。結果的に、引き出し電極部は二
重封止されたことになる。
は、センサー基板の引き出し電極部上にフレキシブル回
路基板が接合された状態で、ディスペンサーで、接合部
を包むように封止材を塗布する。封止の終わった４枚の
センサー基板を、画素ピッチが合うように、二次元方向
に位置合わせを行い、あらかじめ、接着剤の塗布された
基台上に各基板を載せ、固定する。その後、スプレーな
どの手段で接着剤を全面塗布した蛍光板を、前記センサ
ー基板上に載せ、その上から、ローラーによって一定圧
力を加えながら、貼り合わせる。その際、蛍光板の端か
ら余剰な接着剤がはみだし、封止剤に包まれた引き出し
電極部上をさらに覆う。結果的に、引き出し電極部は二
重封止されたことになる。
【００１７】引き出し電極部の表面はＡｌ膜で覆われて
おり、水分やナトリウム、カリウム、塩素といった不純
物イオンに対する防食がなされてない。そのため、上記
と同様に、不純物イオンの含有量が小さい有機樹脂、例
えば、シリコーン樹脂あるいはエポキシ樹脂で、引き出
し電極部を封止している。このような樹脂は、その初期
においては液状で加熱、湿気、紫外線、硬化剤の添加な
どによる化学反応により固体状になるもので、少なから
ず、接着性を持っている。また、センサー基板と蛍光板
間にも接着剤を使用しており、以下の特性が求められて
いる。
おり、水分やナトリウム、カリウム、塩素といった不純
物イオンに対する防食がなされてない。そのため、上記
と同様に、不純物イオンの含有量が小さい有機樹脂、例
えば、シリコーン樹脂あるいはエポキシ樹脂で、引き出
し電極部を封止している。このような樹脂は、その初期
においては液状で加熱、湿気、紫外線、硬化剤の添加な
どによる化学反応により固体状になるもので、少なから
ず、接着性を持っている。また、センサー基板と蛍光板
間にも接着剤を使用しており、以下の特性が求められて
いる。
【００１８】１．光学的に透明であること。
【００１９】２．両基板の密着性が良く、剥がれ難いこ
と。
と。
【００２０】３．両基板間に気泡を抱き込まないように
低粘度であること。
低粘度であること。
【００２１】４．熱膨張係数による両基板の剥がれを考
慮し、常温で硬化すること。
慮し、常温で硬化すること。
【００２２】上記の特性は、引き出し電極部の封止樹脂
にも存在し、同一の材料を用いることが可能である。
にも存在し、同一の材料を用いることが可能である。
【００２３】本発明の第１の目的は、チップ欠けによる
配線腐食の問題点を解決する点にあり、高信頼性をもっ
た、画像欠陥のない、接続部が１次元もしくは２次元配
列の固体撮像装置を提供することにある。
配線腐食の問題点を解決する点にあり、高信頼性をもっ
た、画像欠陥のない、接続部が１次元もしくは２次元配
列の固体撮像装置を提供することにある。
【００２４】本発明の第２の目的は、プロセスの簡素化
を解決する点にあり、低コストの、接続部が１次元もし
くは２次元配列の固体撮像装置を提供することにある。
を解決する点にあり、低コストの、接続部が１次元もし
くは２次元配列の固体撮像装置を提供することにある。
【００２５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明では、複数の撮像素子を形成した基板を保持
基板上に、平面的に複数配列した固体撮像装置におい
て、配列した該基板間に有機または無機材を充填してな
り、該有機または無機材は、塩素含有量、あるいは、ナ
トリウム及びカリウムが２００ｐｐｍ以下であることを
特徴とする。
め、本発明では、複数の撮像素子を形成した基板を保持
基板上に、平面的に複数配列した固体撮像装置におい
て、配列した該基板間に有機または無機材を充填してな
り、該有機または無機材は、塩素含有量、あるいは、ナ
トリウム及びカリウムが２００ｐｐｍ以下であることを
特徴とする。
【００２６】また、本発明では、複数の光電変換素子と
薄膜トランジスタを有するセンサー基板上に、Ｘ線を可
視光に変換する蛍光体を接着剤あるいは粘着剤を用いて
貼り合わせた構造を取るＸ線撮像装置において、センサ
ー基板上に設けられた走査駆動及び画像信号出力の引き
出し電極部と集積回路基板との電気接続部を、該接着剤
あるいは粘着剤で封止してなり、該接着剤あるいは粘着
剤は、塩素含有量、あるいは、ナトリウム及びカリウム
が２００ｐｐｍ以下であることを特徴とする。
薄膜トランジスタを有するセンサー基板上に、Ｘ線を可
視光に変換する蛍光体を接着剤あるいは粘着剤を用いて
貼り合わせた構造を取るＸ線撮像装置において、センサ
ー基板上に設けられた走査駆動及び画像信号出力の引き
出し電極部と集積回路基板との電気接続部を、該接着剤
あるいは粘着剤で封止してなり、該接着剤あるいは粘着
剤は、塩素含有量、あるいは、ナトリウム及びカリウム
が２００ｐｐｍ以下であることを特徴とする。
【００２７】
（実施の形態１）図１は第１の発明の特徴を表す固体撮
像装置を示したものであり、図２は該装置の断面図であ
る。ここで、１０１は回路基板、１０２はフレキシブル
回路基板、１１０はセンサー基板上にある引き出し電極
部、１１１は封止材である。引き出し電極部１１０とフ
レキシブル回路基板１０２の接合部において、封止材１
１１は引き出し電極部１１０の腐食を防止するために用
いられており、一般には、シリコーン樹脂を使用する。
１０３〜１０６は、その上面にセンサー素子１０７が形
成された４枚のセンサー基板、１０８はセンサー基板１
０３〜１０６を保持するための基台、１０９はセンサー
基板１０３〜１０６と基台１０８とを固定する接着剤で
ある。センサー基板１０３〜１０６は、画素ピッチが二
次元方向に合うように位置合わせされ、基台１０８に固
定されている。また、１１２はセンサー基板１０３〜１
０６の接続箇所を埋める充填剤である。なお、この実施
の形態では、充填剤１１２は、その塩素含有量が２００
ｐｐｍ以下の有機樹脂である。
像装置を示したものであり、図２は該装置の断面図であ
る。ここで、１０１は回路基板、１０２はフレキシブル
回路基板、１１０はセンサー基板上にある引き出し電極
部、１１１は封止材である。引き出し電極部１１０とフ
レキシブル回路基板１０２の接合部において、封止材１
１１は引き出し電極部１１０の腐食を防止するために用
いられており、一般には、シリコーン樹脂を使用する。
１０３〜１０６は、その上面にセンサー素子１０７が形
成された４枚のセンサー基板、１０８はセンサー基板１
０３〜１０６を保持するための基台、１０９はセンサー
基板１０３〜１０６と基台１０８とを固定する接着剤で
ある。センサー基板１０３〜１０６は、画素ピッチが二
次元方向に合うように位置合わせされ、基台１０８に固
定されている。また、１１２はセンサー基板１０３〜１
０６の接続箇所を埋める充填剤である。なお、この実施
の形態では、充填剤１１２は、その塩素含有量が２００
ｐｐｍ以下の有機樹脂である。
【００２８】図３は、図１の固体撮像装置を作製するた
めのプロセスを示したものである。ステップ（３０１）
において、薄膜半導体プロセスによって作製されたセン
サー基板３１０〜３１３を、回転式のダイヤモンドブレ
ード３１４を用いて、要求されるサイズにスライスす
る。ステップ（３０２）においては、適当な接合手段３
１５を介して、規定サイズとなったセンサー基板１０３
〜１０６の引き出し電極部１１０に、フレキシブル回路
基板１０２を介して、回路基板１０１を取り付ける。
めのプロセスを示したものである。ステップ（３０１）
において、薄膜半導体プロセスによって作製されたセン
サー基板３１０〜３１３を、回転式のダイヤモンドブレ
ード３１４を用いて、要求されるサイズにスライスす
る。ステップ（３０２）においては、適当な接合手段３
１５を介して、規定サイズとなったセンサー基板１０３
〜１０６の引き出し電極部１１０に、フレキシブル回路
基板１０２を介して、回路基板１０１を取り付ける。
【００２９】次に、ステップ（３０３）において、引き
出し電極部１１０上にフレキシブル回路基板１０２が接
合された状態で、ディスペンサー３１６によって、その
接合部を包むように封止材１１１を塗布する。ステップ
（３０４）においては、封止の終わったセンサー基板３
１０ないし３１３を、画素ピッチが二次元方向に合うよ
うに、位置合わせされる。ステップ（３０４）では、セ
ンサー基板固定用の接着剤１０９とセンサー基板の接続
部とが基台１０８に接触する箇所で、基台１０８上に有
機樹脂１１２を塗布する。そして、ステップ（３０５）
において、位置合わせされたセンサー基板３１０〜３１
３を基台１０８の上に載せ、固定する。その際、有機樹
脂は毛細管現象で、その接続部に導かれ、充填される。
出し電極部１１０上にフレキシブル回路基板１０２が接
合された状態で、ディスペンサー３１６によって、その
接合部を包むように封止材１１１を塗布する。ステップ
（３０４）においては、封止の終わったセンサー基板３
１０ないし３１３を、画素ピッチが二次元方向に合うよ
うに、位置合わせされる。ステップ（３０４）では、セ
ンサー基板固定用の接着剤１０９とセンサー基板の接続
部とが基台１０８に接触する箇所で、基台１０８上に有
機樹脂１１２を塗布する。そして、ステップ（３０５）
において、位置合わせされたセンサー基板３１０〜３１
３を基台１０８の上に載せ、固定する。その際、有機樹
脂は毛細管現象で、その接続部に導かれ、充填される。
【００３０】（実施の形態２）図４は第１の発明の特徴
を表す別の固体撮像装置を示しており、図５は該装置の
断面図である。ここで、１０１は回路基板、１０２はフ
レキシブル回路基板、１０３〜１０６は上面にセンサー
素子１０７が形成されたセンサー基板、１１０はセンサ
ー基板上にある引き出し電極部、また、１１１は封止材
である。引き出し電極部１１０とフレキシブル回路基板
１０２の接合部において、封止材１１１は引き出し電極
部１１０の腐食を防止するために用いられており、一般
にはシリコーン樹脂を使用する。また、１０８はセンサ
ー基板１０３〜１０６を保持するための基台、更に、１
０９はセンサー基板１０３〜１０６と基台１０８を固定
する接着剤である。センサー基板１０３〜１０６は、画
素ピッチが二次元方向に合うように、位置合わせされ、
基台１０８に固定されている。なお、１１２は４枚のセ
ンサー基板の接続箇所を埋める充填剤である。充填剤は
ナトリウム及びカリウムの各含有量が２００ｐｐｍ以下
の有機樹脂である。
を表す別の固体撮像装置を示しており、図５は該装置の
断面図である。ここで、１０１は回路基板、１０２はフ
レキシブル回路基板、１０３〜１０６は上面にセンサー
素子１０７が形成されたセンサー基板、１１０はセンサ
ー基板上にある引き出し電極部、また、１１１は封止材
である。引き出し電極部１１０とフレキシブル回路基板
１０２の接合部において、封止材１１１は引き出し電極
部１１０の腐食を防止するために用いられており、一般
にはシリコーン樹脂を使用する。また、１０８はセンサ
ー基板１０３〜１０６を保持するための基台、更に、１
０９はセンサー基板１０３〜１０６と基台１０８を固定
する接着剤である。センサー基板１０３〜１０６は、画
素ピッチが二次元方向に合うように、位置合わせされ、
基台１０８に固定されている。なお、１１２は４枚のセ
ンサー基板の接続箇所を埋める充填剤である。充填剤は
ナトリウム及びカリウムの各含有量が２００ｐｐｍ以下
の有機樹脂である。
【００３１】図６は、図４の固体撮像素子装置を作製す
るためのプロセスを示したものである。ここでは、ステ
ップ（４０１）において、薄膜半導体プロセスによって
作製されたセンサー基板３１０〜３１３を、回転式のダ
イヤモンドブレード３１４を用いて、要求されるサイズ
にスライスする。ステップ（４０２）においては、適当
な接合手段３１５を介して、規定サイズとなったセンサ
ー基板１０３〜１０６の引き出し電極部１１０に、フレ
キシブル回路基板１０２を介して、回路基板１０１を取
り付ける。
るためのプロセスを示したものである。ここでは、ステ
ップ（４０１）において、薄膜半導体プロセスによって
作製されたセンサー基板３１０〜３１３を、回転式のダ
イヤモンドブレード３１４を用いて、要求されるサイズ
にスライスする。ステップ（４０２）においては、適当
な接合手段３１５を介して、規定サイズとなったセンサ
ー基板１０３〜１０６の引き出し電極部１１０に、フレ
キシブル回路基板１０２を介して、回路基板１０１を取
り付ける。
【００３２】次に、ステップ（４０３）において、引き
出し電極部１１０上にフレキシブル回路基板１０２が接
合された状態で、ディスペンサー３１６によって、その
接合部を包むように、封止材１１１を塗布する。ステッ
プ（４０４）においては、封止の終わった４枚のセンサ
ー基板１０３〜１０６を、画素ピッチが二次元方向に合
うように、位置合わせされる。
出し電極部１１０上にフレキシブル回路基板１０２が接
合された状態で、ディスペンサー３１６によって、その
接合部を包むように、封止材１１１を塗布する。ステッ
プ（４０４）においては、封止の終わった４枚のセンサ
ー基板１０３〜１０６を、画素ピッチが二次元方向に合
うように、位置合わせされる。
【００３３】また、ステップ（４０４）では、センサー
基板固定用の接着剤とセンサー基板の接続部とが基台１
０８に接触する箇所で、基台１０８上に有機樹脂１１２
を塗布する。ステップ（４０５）においては、位置合わ
せされたセンサー基板を基台の上に載せ、固定する。そ
の際、有機樹脂１１２は、毛細管現象で接続部に導か
れ、充填される。
基板固定用の接着剤とセンサー基板の接続部とが基台１
０８に接触する箇所で、基台１０８上に有機樹脂１１２
を塗布する。ステップ（４０５）においては、位置合わ
せされたセンサー基板を基台の上に載せ、固定する。そ
の際、有機樹脂１１２は、毛細管現象で接続部に導か
れ、充填される。
【００３４】（実施の形態３）図７は、第２の発明の特
徴を表すＸ線撮像装置を示しており、図８は該装置の断
面図である。ここでは、１０１は回路基板、１０２はフ
レキシブル回路基板、１１０はセンサー基板上にある引
き出し電極部である。１０３〜１０６は上面にセンサー
素子１０７が形成されたセンサー基板、１０８はセンサ
ー基板１０３〜１０６を保持するための基台、１０９
は、センサー基板１０３〜１０６および基台１０８を固
定する接着剤である。センサー基板１０３〜１０６は画
素ピッチが二次元方向に合うように、位置合わせされ、
基台１０８に固定されている。なお、７０１はＸ線を可
視光に変換する蛍光板、７０２はセンサー基板１０３〜
１０６と蛍光板７０１を貼り合わせるための接着剤であ
り、引き出し電極部１１０の封止も兼ねている。なお、
この実施の形態では、接着剤はその塩素含有量が２００
ｐｐｍ以下の有機樹脂である。
徴を表すＸ線撮像装置を示しており、図８は該装置の断
面図である。ここでは、１０１は回路基板、１０２はフ
レキシブル回路基板、１１０はセンサー基板上にある引
き出し電極部である。１０３〜１０６は上面にセンサー
素子１０７が形成されたセンサー基板、１０８はセンサ
ー基板１０３〜１０６を保持するための基台、１０９
は、センサー基板１０３〜１０６および基台１０８を固
定する接着剤である。センサー基板１０３〜１０６は画
素ピッチが二次元方向に合うように、位置合わせされ、
基台１０８に固定されている。なお、７０１はＸ線を可
視光に変換する蛍光板、７０２はセンサー基板１０３〜
１０６と蛍光板７０１を貼り合わせるための接着剤であ
り、引き出し電極部１１０の封止も兼ねている。なお、
この実施の形態では、接着剤はその塩素含有量が２００
ｐｐｍ以下の有機樹脂である。
【００３５】図９は、図７のＸ線撮像装置を作製するた
めのプロセスを示したものである。ここでは、ステップ
（９０１）において、薄膜半導体プロセスによって作製
されたセンサー基板３１０〜３１３を、回転式のダイヤ
モンドブレード３１４を用いて、要求されるサイズにス
ライスする。ステップ（９０２）においては、適当な接
合手段３１５を介して、規定サイズとなったセンサー基
板１０３〜１０６の引き出し電極部１１０に、フレキシ
ブル回路基板１０２を介して、回路基板１０１を取り付
ける。
めのプロセスを示したものである。ここでは、ステップ
（９０１）において、薄膜半導体プロセスによって作製
されたセンサー基板３１０〜３１３を、回転式のダイヤ
モンドブレード３１４を用いて、要求されるサイズにス
ライスする。ステップ（９０２）においては、適当な接
合手段３１５を介して、規定サイズとなったセンサー基
板１０３〜１０６の引き出し電極部１１０に、フレキシ
ブル回路基板１０２を介して、回路基板１０１を取り付
ける。
【００３６】ステップ（９０３）において、４枚のセン
サー基板を、画素ピッチが二次元方向に合うように、位
置合わせして、あらかじめ接着剤の塗布された基台１０
８上に各センサー基板１０３〜１０６を載せ、固定す
る。また、ステップ（９０４）においては、フレキシブ
ル回路基板１０２の封止を必要としないエリアに、ポリ
イミドテープ９１１によりマスキングを施す。その後、
スプレーなどにより接着剤を全面塗布した蛍光板７０１
を、４枚のセンサー基板上に載せる。
サー基板を、画素ピッチが二次元方向に合うように、位
置合わせして、あらかじめ接着剤の塗布された基台１０
８上に各センサー基板１０３〜１０６を載せ、固定す
る。また、ステップ（９０４）においては、フレキシブ
ル回路基板１０２の封止を必要としないエリアに、ポリ
イミドテープ９１１によりマスキングを施す。その後、
スプレーなどにより接着剤を全面塗布した蛍光板７０１
を、４枚のセンサー基板上に載せる。
【００３７】更に、ステップ（９０５）において、その
上からローラー９１２によって一定圧力を加えながら、
貼り合わせる。また、ステップ（９０６）においては、
貼り合わせ後、はみ出した接着剤のかかったマスキング
テープ９１１を取り外す。
上からローラー９１２によって一定圧力を加えながら、
貼り合わせる。また、ステップ（９０６）においては、
貼り合わせ後、はみ出した接着剤のかかったマスキング
テープ９１１を取り外す。
【００３８】（実施の形態４）図１０は、第２の発明の
特徴を表す別のＸ線撮像装置であり、図１１は該装置の
断面図である。ここで、１０１は回路基板、１０２はフ
レキシブル回路基板、１１０はセンサー基板上にある引
き出し電極部、１１１は封止材である。引き出し電極部
１１０とフレキシブル回路基板１０２の接合部におい
て、封止材１１１は引き出し電極部１１０の腐食を防止
するために用いてられており、一般にはシリコーン樹脂
を使用する。１０３〜１０６は上面にセンサー素子１０
７が形成されたセンサー基板、１０８はセンサー基板１
０３〜１０６を保持するための基台、１０９はセンサー
基板と基台とを固定する接着剤である。
特徴を表す別のＸ線撮像装置であり、図１１は該装置の
断面図である。ここで、１０１は回路基板、１０２はフ
レキシブル回路基板、１１０はセンサー基板上にある引
き出し電極部、１１１は封止材である。引き出し電極部
１１０とフレキシブル回路基板１０２の接合部におい
て、封止材１１１は引き出し電極部１１０の腐食を防止
するために用いてられており、一般にはシリコーン樹脂
を使用する。１０３〜１０６は上面にセンサー素子１０
７が形成されたセンサー基板、１０８はセンサー基板１
０３〜１０６を保持するための基台、１０９はセンサー
基板と基台とを固定する接着剤である。
【００３９】センサー基板１０３〜１０６は、画素ピッ
チが二次元方向に合うように、位置合わせされ、基台１
０８に固定されている。この実施の形態では、７０１は
Ｘ線を可視光に変換する蛍光板、７０２は該センサー基
板と蛍光板を貼り合わせるための接着剤であり、４枚の
センサー基板の接続箇所を埋める充填剤の役割も果た
す。なお、接着剤は塩素含有量が２００ｐｐｍ以下であ
る。あるいは、接着剤はナトリウム及びカリウムの各含
有量が２００ｐｐｍ以下である。
チが二次元方向に合うように、位置合わせされ、基台１
０８に固定されている。この実施の形態では、７０１は
Ｘ線を可視光に変換する蛍光板、７０２は該センサー基
板と蛍光板を貼り合わせるための接着剤であり、４枚の
センサー基板の接続箇所を埋める充填剤の役割も果た
す。なお、接着剤は塩素含有量が２００ｐｐｍ以下であ
る。あるいは、接着剤はナトリウム及びカリウムの各含
有量が２００ｐｐｍ以下である。
【００４０】図１２は、図１０のＸ線撮像装置を作製す
るためのプロセスを示したものである。ここで、ステッ
プ（１２０１）において、薄膜半導体プロセスによって
作製されたセンサー基板３１０〜３１３を、回転式のダ
イヤモンドブレード３１４を用いて、要求されるサイズ
にスライスする。ステップ（１２０２）においては、適
当な接合手段３１５を介して、規定サイズとなったセン
サー基板１０３〜１０６の引き出し電極部１１０に、フ
レキシブル回路基板１０２を介して、回路基板１０１を
取り付ける。
るためのプロセスを示したものである。ここで、ステッ
プ（１２０１）において、薄膜半導体プロセスによって
作製されたセンサー基板３１０〜３１３を、回転式のダ
イヤモンドブレード３１４を用いて、要求されるサイズ
にスライスする。ステップ（１２０２）においては、適
当な接合手段３１５を介して、規定サイズとなったセン
サー基板１０３〜１０６の引き出し電極部１１０に、フ
レキシブル回路基板１０２を介して、回路基板１０１を
取り付ける。
【００４１】次に、ステップ（１２０３）において、４
枚のセンサー基板を、画素ピッチが二次元方向に合うよ
うに位置合わせし、あらかじめ接着剤の塗布された基台
上に各センサー基板を載せ、固定する。また、ステップ
（１２０４）において、フレキシブル回路基板１０２の
封止を必要としないエリアにポリイミドテープ９１１で
マスキングを施す。また、スプレーなどで接着剤７０２
を全面塗布した蛍光板７０１を４枚のセンサー基板上に
載せる。
枚のセンサー基板を、画素ピッチが二次元方向に合うよ
うに位置合わせし、あらかじめ接着剤の塗布された基台
上に各センサー基板を載せ、固定する。また、ステップ
（１２０４）において、フレキシブル回路基板１０２の
封止を必要としないエリアにポリイミドテープ９１１で
マスキングを施す。また、スプレーなどで接着剤７０２
を全面塗布した蛍光板７０１を４枚のセンサー基板上に
載せる。
【００４２】更に、ステップ（１２０５）において、そ
の上からローラー９１２により一定圧力を加えながら、
貼り合わせる。その際、接着剤は４枚のセンサー基板の
接続箇所に充填される。ステップ（１２０６）において
は、貼り合わせ後、はみ出した接着剤のかかったマスキ
ングテープ９１１を取り外す。
の上からローラー９１２により一定圧力を加えながら、
貼り合わせる。その際、接着剤は４枚のセンサー基板の
接続箇所に充填される。ステップ（１２０６）において
は、貼り合わせ後、はみ出した接着剤のかかったマスキ
ングテープ９１１を取り外す。
【００４３】
【実施例】（実施例１）本発明の実施の形態１につい
て、その具体例を以下に示す。ここでは、塩素含有量の
異なる５種類の有機樹脂を用いた固体撮像装置につい
て、４０℃、９０％ＲＨ、１０００Ｈｒの環境試験を行
い、配線腐食に関しての調査を行った。その結果、以下
の表１で示すように、塩素含有量が２００ｐｐｍ以下の
有機樹脂には配線腐食が見られなかった。なお、実施例
では、有機樹脂の場合のみに関して記載したが、塩素含
有量が２００ｐｐｍ以下のものであれば、有機材でも無
機材でもかまわない。
て、その具体例を以下に示す。ここでは、塩素含有量の
異なる５種類の有機樹脂を用いた固体撮像装置につい
て、４０℃、９０％ＲＨ、１０００Ｈｒの環境試験を行
い、配線腐食に関しての調査を行った。その結果、以下
の表１で示すように、塩素含有量が２００ｐｐｍ以下の
有機樹脂には配線腐食が見られなかった。なお、実施例
では、有機樹脂の場合のみに関して記載したが、塩素含
有量が２００ｐｐｍ以下のものであれば、有機材でも無
機材でもかまわない。
【００４４】
【表１】
（実施例２）また、本発明の実施の形態２について、そ
の具体例を以下に示す。ここでは、ナトリウム及びカリ
ウムの各含有量の異なる５種類の有機樹脂を用いた固体
撮像装置について、４０℃、９０％ＲＨ、１０００Ｈｒ
の環境試験を行い、配線腐食に関しての調査を行った。
その結果、以下の表２で示すように、ナトリウム及びカ
リウムの各含有量が２００ｐｐｍ以下の有機樹脂には配
線腐食が見られなかった。なお、この実施例では、有機
樹脂の場合のみに関して記載したが、ナトリウム及びカ
リウムの各含有量が２００ｐｐｍ以下のものであれば、
有機材でも無機材でもかまわない。
の具体例を以下に示す。ここでは、ナトリウム及びカリ
ウムの各含有量の異なる５種類の有機樹脂を用いた固体
撮像装置について、４０℃、９０％ＲＨ、１０００Ｈｒ
の環境試験を行い、配線腐食に関しての調査を行った。
その結果、以下の表２で示すように、ナトリウム及びカ
リウムの各含有量が２００ｐｐｍ以下の有機樹脂には配
線腐食が見られなかった。なお、この実施例では、有機
樹脂の場合のみに関して記載したが、ナトリウム及びカ
リウムの各含有量が２００ｐｐｍ以下のものであれば、
有機材でも無機材でもかまわない。
【００４５】
【表２】
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
複数個の撮像素子を形成した基板を、該基板を保持する
ことを目的とした保持基板上に、平面的に複数個配列し
た固体撮像装置において、配列した該基板間のつなぎ部
に有機または無機材を充填してなり、該有機または無機
材は、その塩素含有量、あるいは、そのナトリウム及び
カリウムの各含有量を２００ｐｐｍ以下であることよ
り、チップ欠けから発生する配線腐食を解消し、高信頼
性のある無欠陥のパネルを提供することができる。
複数個の撮像素子を形成した基板を、該基板を保持する
ことを目的とした保持基板上に、平面的に複数個配列し
た固体撮像装置において、配列した該基板間のつなぎ部
に有機または無機材を充填してなり、該有機または無機
材は、その塩素含有量、あるいは、そのナトリウム及び
カリウムの各含有量を２００ｐｐｍ以下であることよ
り、チップ欠けから発生する配線腐食を解消し、高信頼
性のある無欠陥のパネルを提供することができる。
【００４７】また、本発明によれば、複数個の光電変換
素子と薄膜トランジスタを有するセンサー基板上に、Ｘ
線を可視光に変換する蛍光体を接着剤あるいは粘着剤を
用いて貼り合わせた構造を取るＸ線撮像装置において、
センサー基板上に設けられた走査駆動及び画像信号出力
の引き出し電極部と集積回路基板との電気接続部を、該
接着剤あるいは粘着剤で封止してなり、該接着剤あるい
は粘着剤は、その塩素含有量、あるいは、そのナトリウ
ム及びカリウムの各含有量が２００ｐｐｍ以下であるこ
とより、プロセスの簡素化をはかり、低コストのパネル
を提供することが可能となる。
素子と薄膜トランジスタを有するセンサー基板上に、Ｘ
線を可視光に変換する蛍光体を接着剤あるいは粘着剤を
用いて貼り合わせた構造を取るＸ線撮像装置において、
センサー基板上に設けられた走査駆動及び画像信号出力
の引き出し電極部と集積回路基板との電気接続部を、該
接着剤あるいは粘着剤で封止してなり、該接着剤あるい
は粘着剤は、その塩素含有量、あるいは、そのナトリウ
ム及びカリウムの各含有量が２００ｐｐｍ以下であるこ
とより、プロセスの簡素化をはかり、低コストのパネル
を提供することが可能となる。
【図１】本発明の第１の特徴を表す第１の実施の形態に
係わる固体撮像装置の構成図である。
係わる固体撮像装置の構成図である。
【図２】図１の固体撮像装置の断面図である。
【図３】図１の固体撮像装置の作製プロセス図である。
【図４】本発明の第１の特徴を表す第２の実施の形態に
係わる固体撮像装置の構成図である。
係わる固体撮像装置の構成図である。
【図５】図４の固体撮像装置の断面図である。
【図６】図４の固体撮像装置の作製プロセス図である。
【図７】本発明の第２の特徴を表す第３の実施の形態に
係わるＸ線撮像装置の構成図である。
係わるＸ線撮像装置の構成図である。
【図８】図７の固体撮像装置の断面図である。
【図９】図７の固体撮像装置の作製プロセス図である。
【図１０】本発明の第２の特徴を表す第４の実施の形態
に係わるＸ線撮像装置の構成図である。
に係わるＸ線撮像装置の構成図である。
【図１１】図１０の固体撮像装置の断面図である。
【図１２】図１０の固体撮像装置の作製プロセス図であ
る。
る。
【図１３】従来の固体撮像装置の構成図である。
【図１４】図１３の固体撮像装置の断面図である。
【図１５】図１３の固体撮像装置の作製プロセス図であ
る。
る。
【図１６】従来のＸ線撮像装置の構成図である。
【図１７】隣り合う二枚のセンサー基板の接続部の図で
ある。
ある。
【図１８】接続部周辺の基板欠けの図である。
１０１ 回路基板
１０２ フレキシブル回路基板
１０３〜１０６ センサー基板
１０７ センサー素子
１０８ 基台
１０９ 基台固定用接着剤
１１０ 引き出し電極
１１１ 封止剤
１１２ 充填剤
３１０〜３１３ 未切断のセンサー基板
３１４ ダイヤモンドスライス
３１５ ヒーター
３１６ ディスペンサー
７０１ 蛍光板
７０２ 蛍光板固定用接着剤
９０１ マスキング
９０２ ローラー
２４０１ センサー部
２４０２ 薄膜トランジスタ
２４０３ ゲート線
２４０５ 信号線
２５０１ 欠け
２５０２ 窒化シリコン膜
２５０３ ポリイミド膜
２５０５ 透明絶縁基板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 27/14
A61B 6/00
G01T 1/24
Claims (7)
- 【請求項１】 複数の撮像素子を形成した基板を保持基
板上に、平面的に複数配列した固体撮像装置において、
配列した該基板間に有機または無機材を充填してなり、
該有機または無機材は、塩素含有量が２００ｐｐｍ以下
であることを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項２】 複数の撮像素子を形成した基板を保持基
板上に、平面的に複数配列した固体撮像装置において、
配列した該基板間に有機または無機材を充填してなり、
該有機または無機材は、ナトリウム及びカリウムの各含
有量が２００ｐｐｍ以下であることを特徴とする固体撮
像装置。 - 【請求項３】 複数の光電変換素子と薄膜トランジスタ
を有するセンサー基板上に、Ｘ線を可視光に変換する蛍
光体を接着剤あるいは粘着剤を用いて貼り合わせた構造
を取るＸ線撮像装置において、センサー基板上に設けら
れた走査駆動及び画像信号出力の引き出し電極部と集積
回路基板との電気接続部を、該接着剤あるいは粘着剤で
封止してなり、該接着剤あるいは粘着剤は、塩素含有量
が２００ｐｐｍ以下であることを特徴とするＸ線撮像装
置。 - 【請求項４】 複数の光電変換素子と薄膜トランジスタ
を有するセンサー基板上に、Ｘ線を可視光に変換する蛍
光体を接着剤あるいは粘着剤を用いて貼り合わせた構造
を取るＸ線撮像装置において、センサー基板上に設けら
れた走査駆動及び画像信号出力の引き出し電極部と集積
回路基板との電気接続部を、該接着剤あるいは粘着剤で
封止してなり、該接着剤あるいは粘着剤は、ナトリウム
及びカリウムの各含有量が２００ｐｐｍ以下であること
を特徴とするＸ線撮像装置。 - 【請求項５】 前記センサー基板は保持基板上に複数配
され、隣接する該センサー基板間に充填材を有すること
を特徴とする請求項３又は４記載のＸ線撮像装置。 - 【請求項６】 前記充填材は前記蛍光体と前記センサー
基板とを貼り合わせる接着剤または粘着剤であることを
特徴とする請求項５記載の固体撮像装置。 - 【請求項７】 前記充填材は、塩素またはナトリウムま
たはカリウムからなる群から選ばれる元素の、それぞれ
の含有量が２００ｐｐｍ以下であることを特徴とする請
求項６記載の固体撮像装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03613297A JP3408098B2 (ja) | 1997-02-20 | 1997-02-20 | 固体撮像装置及びｘ線撮像装置 |
| US09/027,294 US5990505A (en) | 1997-02-20 | 1998-02-20 | Solid-state image pickup device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03613297A JP3408098B2 (ja) | 1997-02-20 | 1997-02-20 | 固体撮像装置及びｘ線撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10233496A JPH10233496A (ja) | 1998-09-02 |
| JP3408098B2 true JP3408098B2 (ja) | 2003-05-19 |
Family
ID=12461267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03613297A Expired - Fee Related JP3408098B2 (ja) | 1997-02-20 | 1997-02-20 | 固体撮像装置及びｘ線撮像装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5990505A (ja) |
| JP (1) | JP3408098B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP3805100B2 (ja) * | 1997-04-10 | 2006-08-02 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| JP4621161B2 (ja) * | 2000-05-08 | 2011-01-26 | キヤノン株式会社 | 半導体装置 |
| JP4532782B2 (ja) | 2000-07-04 | 2010-08-25 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及びシステム |
| JP4871629B2 (ja) * | 2006-04-12 | 2012-02-08 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置の製造方法及び放射線撮像システム |
| FR2916575B1 (fr) * | 2007-05-23 | 2009-09-18 | Trixell Sas Soc Par Actions Si | Procede de realisation d'un detecteur de rayonnement |
| JP5376897B2 (ja) * | 2008-10-24 | 2013-12-25 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像撮影装置 |
| WO2010058335A2 (en) * | 2008-11-21 | 2010-05-27 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Assembly method for a tiled radiation detector |
| US9012859B2 (en) * | 2012-05-18 | 2015-04-21 | General Electric Company | Tiled X-ray imager panel and method of forming the same |
| JP6099620B2 (ja) | 2014-03-03 | 2017-03-22 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像撮影装置 |
Family Cites Families (2)
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|---|---|---|---|---|
| US4113512A (en) * | 1976-10-28 | 1978-09-12 | International Business Machines Corporation | Technique for preventing forward biased epi-isolation degradation |
| FR2693005B1 (fr) * | 1992-06-26 | 1995-03-31 | Thomson Lcd | Disposition d'encapsulation et de passivation de circuit pour écrans plats. |
-
1997
- 1997-02-20 JP JP03613297A patent/JP3408098B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-02-20 US US09/027,294 patent/US5990505A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5990505A (en) | 1999-11-23 |
| JPH10233496A (ja) | 1998-09-02 |
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