JP2002109773A - レーザ光強度制御装置 - Google Patents
レーザ光強度制御装置Info
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- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
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- G—PHYSICS
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- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
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- Optical Head (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光ピックアップ装置の光源から発せられるレ
ーザビームの偏光面が回転してもそのレーザビームの光
強度を簡単な構成で安定に制御することができるレーザ
光強度制御装置を提供する。 【解決手段】 光源から発せられたレーザビームの進行
方向に垂直なｘ方向偏光成分及びその進行方向に平行な
ｙ方向偏光成分のいずれか一方の方向偏光成分の大部分
を通過させその一方の方向偏光成分の一部分をモニタ光
として反射する偏光分離手段と、偏光分離手段によって
反射されたモニタ光を受光して受光強度を示す第１光強
度信号を生成する第１受光手段と、第１光強度信号に応
じて光源を駆動する駆動手段と、を備え、第１受光手段
はｘ方向偏光成分及びｙ方向偏光成分の他方の方向偏光
成分を反射してこれに感応せず、一方の方向偏光成分を
吸収してこれに感応する。
ーザビームの偏光面が回転してもそのレーザビームの光
強度を簡単な構成で安定に制御することができるレーザ
光強度制御装置を提供する。 【解決手段】 光源から発せられたレーザビームの進行
方向に垂直なｘ方向偏光成分及びその進行方向に平行な
ｙ方向偏光成分のいずれか一方の方向偏光成分の大部分
を通過させその一方の方向偏光成分の一部分をモニタ光
として反射する偏光分離手段と、偏光分離手段によって
反射されたモニタ光を受光して受光強度を示す第１光強
度信号を生成する第１受光手段と、第１光強度信号に応
じて光源を駆動する駆動手段と、を備え、第１受光手段
はｘ方向偏光成分及びｙ方向偏光成分の他方の方向偏光
成分を反射してこれに感応せず、一方の方向偏光成分を
吸収してこれに感応する。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、光ピックアップ装
置に適用されるレーザ光強度制御装置に関する。
置に適用されるレーザ光強度制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクからの情報読み取り又はディ
スクへの情報の書き込みに用いられる光ピックアップ装
置においては、光源から発せられたレーザビームの一部
分をモニタしてディスクに対して適切な光強度でレーザ
ビームの照射がおこなわれるようにレーザ光強度制御装
置が備えられている。
スクへの情報の書き込みに用いられる光ピックアップ装
置においては、光源から発せられたレーザビームの一部
分をモニタしてディスクに対して適切な光強度でレーザ
ビームの照射がおこなわれるようにレーザ光強度制御装
置が備えられている。
【０００３】かかるレーザ光強度制御装置においては、
温度変化が光源等の光学部品に影響してレーザビームの
偏光面が回転してディスクに照射されるレーザビームの
光強度が低下してしまうことを防止するために、ディス
クに照射されるレーザビームがＰ偏光成分であるなら
ば、光源から発せられたレーザビーム中のＰ偏光成分の
一部分を偏光ビームスプリッタで分離して受光手段であ
るフロントモニタで受光し、そのフロントモニタの出力
信号に応じて光源を駆動することが行われている（特開
平７−３２６０６４号公報）。
温度変化が光源等の光学部品に影響してレーザビームの
偏光面が回転してディスクに照射されるレーザビームの
光強度が低下してしまうことを防止するために、ディス
クに照射されるレーザビームがＰ偏光成分であるなら
ば、光源から発せられたレーザビーム中のＰ偏光成分の
一部分を偏光ビームスプリッタで分離して受光手段であ
るフロントモニタで受光し、そのフロントモニタの出力
信号に応じて光源を駆動することが行われている（特開
平７−３２６０６４号公報）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
レーザ光強度制御装置においては、光学部品が多くなっ
たり、また光学系が複雑になるという問題点があった。
そこで、本発明の目的は、光ピックアップ装置の光源か
ら発せられるレーザビームの偏光面が回転してもそのレ
ーザビームの光強度を簡単な構成で安定に制御すること
ができるレーザ光強度制御装置を提供することである。
レーザ光強度制御装置においては、光学部品が多くなっ
たり、また光学系が複雑になるという問題点があった。
そこで、本発明の目的は、光ピックアップ装置の光源か
ら発せられるレーザビームの偏光面が回転してもそのレ
ーザビームの光強度を簡単な構成で安定に制御すること
ができるレーザ光強度制御装置を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のレーザ光強度制
御装置は、光ピックアップ装置の光源の発光レーザビー
ムの光強度を制御するレーザ光強度制御装置であって、
光源から発せられたレーザビームの進行方向に垂直なｘ
方向偏光成分及びその進行方向に平行なｙ方向偏光成分
のいずれか一方の方向偏光成分の大部分を通過させその
一方の方向偏光成分の一部分をモニタ光として反射する
偏光分離手段と、偏光分離手段によって反射されたモニ
タ光を受光して受光強度を示す第１光強度信号を生成す
る第１受光手段と、第１光強度信号に応じて光源を駆動
する駆動手段と、を備え、第１受光手段はｘ方向偏光成
分及びｙ方向偏光成分の他方の方向偏光成分を反射して
これに感応せず、一方の方向偏光成分を吸収してこれに
感応することを特徴としている。
御装置は、光ピックアップ装置の光源の発光レーザビー
ムの光強度を制御するレーザ光強度制御装置であって、
光源から発せられたレーザビームの進行方向に垂直なｘ
方向偏光成分及びその進行方向に平行なｙ方向偏光成分
のいずれか一方の方向偏光成分の大部分を通過させその
一方の方向偏光成分の一部分をモニタ光として反射する
偏光分離手段と、偏光分離手段によって反射されたモニ
タ光を受光して受光強度を示す第１光強度信号を生成す
る第１受光手段と、第１光強度信号に応じて光源を駆動
する駆動手段と、を備え、第１受光手段はｘ方向偏光成
分及びｙ方向偏光成分の他方の方向偏光成分を反射して
これに感応せず、一方の方向偏光成分を吸収してこれに
感応することを特徴としている。
【０００６】本発明のレーザ光強度制御装置は、光ピッ
クアップ装置の光源の発光レーザビームの光強度を制御
するレーザ光強度制御装置であって、光源から発せられ
たレーザビームの進行方向に垂直なｘ方向偏光成分及び
その進行方向に平行なｙ方向偏光成分のいずれか一方の
方向偏光成分の大部分と他方の方向偏光成分の一部分と
を通過させその一方の方向偏光成分の一部分と他方の方
向偏光成分の大部分とをモニタ光として反射する第１偏
光分離手段と、モニタ光から一方の方向偏光成分と他方
の方向偏光成分とを分離する第２分離手段と、第２偏光
分離手段によって分離された一方の方向偏光成分を受光
して受光強度を示す第１光強度信号を生成する第１受光
手段と、第２偏光分離手段によって分離された他方の方
向偏光成分を受光して受光強度を示す第２光強度信号を
生成する第２受光手段と、第１光強度信号に応じて光源
を駆動する駆動手段と、第１及び第２光強度信号に応じ
て光源の実出力レーザビームパワーを算出してその実出
力レーザビームパワーが光源の最大定格パワーより小さ
くなるように駆動手段を制御する制御手段と、を備えた
ことを特徴としている。
クアップ装置の光源の発光レーザビームの光強度を制御
するレーザ光強度制御装置であって、光源から発せられ
たレーザビームの進行方向に垂直なｘ方向偏光成分及び
その進行方向に平行なｙ方向偏光成分のいずれか一方の
方向偏光成分の大部分と他方の方向偏光成分の一部分と
を通過させその一方の方向偏光成分の一部分と他方の方
向偏光成分の大部分とをモニタ光として反射する第１偏
光分離手段と、モニタ光から一方の方向偏光成分と他方
の方向偏光成分とを分離する第２分離手段と、第２偏光
分離手段によって分離された一方の方向偏光成分を受光
して受光強度を示す第１光強度信号を生成する第１受光
手段と、第２偏光分離手段によって分離された他方の方
向偏光成分を受光して受光強度を示す第２光強度信号を
生成する第２受光手段と、第１光強度信号に応じて光源
を駆動する駆動手段と、第１及び第２光強度信号に応じ
て光源の実出力レーザビームパワーを算出してその実出
力レーザビームパワーが光源の最大定格パワーより小さ
くなるように駆動手段を制御する制御手段と、を備えた
ことを特徴としている。
【０００７】本発明のレーザ光強度制御装置は、光ピッ
クアップ装置の光源の発光レーザビームの光強度を制御
するレーザ光強度制御装置であって、光源から発せられ
たレーザビームの進行方向に垂直なｘ方向偏光成分及び
その進行方向に平行なｙ方向偏光成分のいずれか一方の
方向偏光成分の大部分を通過させその一方の方向偏光成
分の一部分を偏光分離面にてモニタ光として反射する偏
光ビームスプリッタと、偏光ビームスプリッタ内のモニ
タ光の経路に当たる面に形成されモニタ光を反射してそ
の反射モニタ光を偏光分離面を経て偏光ビームスプリッ
タから出力させる反射部材と、偏光ビームスプリッタか
ら出力されたモニタ光を受光して受光強度を示す光強度
信号を生成する受光手段と、光強度信号に応じて光源を
駆動する駆動手段と、を備えたことを特徴している。
クアップ装置の光源の発光レーザビームの光強度を制御
するレーザ光強度制御装置であって、光源から発せられ
たレーザビームの進行方向に垂直なｘ方向偏光成分及び
その進行方向に平行なｙ方向偏光成分のいずれか一方の
方向偏光成分の大部分を通過させその一方の方向偏光成
分の一部分を偏光分離面にてモニタ光として反射する偏
光ビームスプリッタと、偏光ビームスプリッタ内のモニ
タ光の経路に当たる面に形成されモニタ光を反射してそ
の反射モニタ光を偏光分離面を経て偏光ビームスプリッ
タから出力させる反射部材と、偏光ビームスプリッタか
ら出力されたモニタ光を受光して受光強度を示す光強度
信号を生成する受光手段と、光強度信号に応じて光源を
駆動する駆動手段と、を備えたことを特徴している。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を参
照しつつ詳細に説明する。図１は本発明によるレーザ光
強度制御装置を適用した光ピックアップ装置の構成を示
している。この光ピックアップ装置は、半導体レーザ素
子１１が発するレーザビームによって光ディスク１０に
情報を書き込んだり、或いは光ディスク１０に記録され
た情報を読み取るものである。光ディスク１０は、例え
ば、ＤＶＤ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−Ｒ
Ｗ、ＣＤ、ＣＤ−Ｒである。
照しつつ詳細に説明する。図１は本発明によるレーザ光
強度制御装置を適用した光ピックアップ装置の構成を示
している。この光ピックアップ装置は、半導体レーザ素
子１１が発するレーザビームによって光ディスク１０に
情報を書き込んだり、或いは光ディスク１０に記録され
た情報を読み取るものである。光ディスク１０は、例え
ば、ＤＶＤ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−Ｒ
Ｗ、ＣＤ、ＣＤ−Ｒである。
【０００９】半導体レーザ素子１１は２つの互いに異な
る波長のレーザビームを発するものでも良い。例えば、
ＤＶＤ用の波長６５０ｎｍのレーザビームとＣＤ用の波
長７８０ｎｍのレーザビームとが後述するＬＤドライバ
２３によって選択的に発せられる。半導体レーザ素子１
１から発せられたレーザビームはコリメータレンズ１２
を介して偏光板付きＰＢＳ（偏光ビームスプリッタ）１
３に平行光として到達する。ＰＢＳ１３の偏光板１３ａ
は半導体レーザ素子１１側とは反対側、すなわち、光デ
ィスク１０側に位置するようにＰＢＳ１３は配置されて
いる。ＰＢＳ１３はコリメータレンズ１２を介して入射
したレーザビームのＰ偏光成分（入射面に平行な電界成
分、すなわちｘ方向偏光成分）の大部分（例えば、９０
％）を通過させ、Ｐ偏光成分の一部分（例えば、１０
％）を偏光分離面１３ｂで反射する。また、コリメータ
レンズ１２を介して入射したレーザビームのＳ偏光成分
（入射面に垂直な電界成分、すなわちｙ方向偏光成分）
の一部分（例えば、１０％）を通過させ、Ｓ偏光成分の
大部分（例えば、９０％）を偏光分離面１３ｂで反射す
る。ＰＢＳ１３で反射されたレーザビームの方向は通過
レーザビーム方向とほぼ垂直な方向である。偏光板１３
ａは通過したレーザビームの直線偏光を円偏光に変換す
る。
る波長のレーザビームを発するものでも良い。例えば、
ＤＶＤ用の波長６５０ｎｍのレーザビームとＣＤ用の波
長７８０ｎｍのレーザビームとが後述するＬＤドライバ
２３によって選択的に発せられる。半導体レーザ素子１
１から発せられたレーザビームはコリメータレンズ１２
を介して偏光板付きＰＢＳ（偏光ビームスプリッタ）１
３に平行光として到達する。ＰＢＳ１３の偏光板１３ａ
は半導体レーザ素子１１側とは反対側、すなわち、光デ
ィスク１０側に位置するようにＰＢＳ１３は配置されて
いる。ＰＢＳ１３はコリメータレンズ１２を介して入射
したレーザビームのＰ偏光成分（入射面に平行な電界成
分、すなわちｘ方向偏光成分）の大部分（例えば、９０
％）を通過させ、Ｐ偏光成分の一部分（例えば、１０
％）を偏光分離面１３ｂで反射する。また、コリメータ
レンズ１２を介して入射したレーザビームのＳ偏光成分
（入射面に垂直な電界成分、すなわちｙ方向偏光成分）
の一部分（例えば、１０％）を通過させ、Ｓ偏光成分の
大部分（例えば、９０％）を偏光分離面１３ｂで反射す
る。ＰＢＳ１３で反射されたレーザビームの方向は通過
レーザビーム方向とほぼ垂直な方向である。偏光板１３
ａは通過したレーザビームの直線偏光を円偏光に変換す
る。
【００１０】偏光板１３ａ付きのＰＢＳ１３を通過した
レーザビームは対物レンズ１４を介してディスク１０に
達してその記録面で反射される。ディスク１０の記録面
で反射されたレーザビームは、対物レンズ１４及び偏光
板１３ａを介してＰＢＳ１３まで戻る。偏光板１３ａは
反射されたレーザビームの円偏光を直線偏光に変換す
る。ＰＢＳ１３は戻りのレーザビームを偏光分離面１３
ｂで反射し、その反射レーザビームは集光レンズ１５、
マルチレンズ１６を介して光検出器１７の受光面に到達
する。
レーザビームは対物レンズ１４を介してディスク１０に
達してその記録面で反射される。ディスク１０の記録面
で反射されたレーザビームは、対物レンズ１４及び偏光
板１３ａを介してＰＢＳ１３まで戻る。偏光板１３ａは
反射されたレーザビームの円偏光を直線偏光に変換す
る。ＰＢＳ１３は戻りのレーザビームを偏光分離面１３
ｂで反射し、その反射レーザビームは集光レンズ１５、
マルチレンズ１６を介して光検出器１７の受光面に到達
する。
【００１１】一方、ＰＢＳ１３によって反射されたレー
ザビームの方向にはフロントモニタ１８が備えられてい
る。フロントモニタ１８は透明なアクリル平板で表面が
覆われたフォトダイオードからなる。フロントモニタ１
８の入射面は反射レーザビームの方向に垂直ではなく、
傾けられている。この傾斜角度θはレーザビームのＰ偏
光成分に対しては上記のアクリル平板に入射し、Ｓ偏光
成分を上記のアクリル平板表面で反射してしまうブルー
スター角度(Brewster's angle)である。よって、フロン
トモニタ１８は入射したレーザビームの光強度に応じた
電気信号、すなわちフロントモニタ信号を生成する。
ザビームの方向にはフロントモニタ１８が備えられてい
る。フロントモニタ１８は透明なアクリル平板で表面が
覆われたフォトダイオードからなる。フロントモニタ１
８の入射面は反射レーザビームの方向に垂直ではなく、
傾けられている。この傾斜角度θはレーザビームのＰ偏
光成分に対しては上記のアクリル平板に入射し、Ｓ偏光
成分を上記のアクリル平板表面で反射してしまうブルー
スター角度(Brewster's angle)である。よって、フロン
トモニタ１８は入射したレーザビームの光強度に応じた
電気信号、すなわちフロントモニタ信号を生成する。
【００１２】フロントモニタ１８にはヘッドアンプ２１
を介してＡＰＣ（オートパワーコントローラ）２２が接
続されている。ＡＰＣ２２はヘッドアンプ２１で増幅さ
れたフロントモニタ信号のレベルが基準レベルになるよ
うにＬＤドライバ２３の駆動信号レベルを制御する。基
準レベルはディスク１０からデータ読み取り時とディス
ク１０へのデータ書き込み時とでは異なり、マイクロコ
ンピュータ２４によって指定される。
を介してＡＰＣ（オートパワーコントローラ）２２が接
続されている。ＡＰＣ２２はヘッドアンプ２１で増幅さ
れたフロントモニタ信号のレベルが基準レベルになるよ
うにＬＤドライバ２３の駆動信号レベルを制御する。基
準レベルはディスク１０からデータ読み取り時とディス
ク１０へのデータ書き込み時とでは異なり、マイクロコ
ンピュータ２４によって指定される。
【００１３】書き込み時にはメモリ２５から記録データ
が読み出され、スイッチ信号生成回路２７に供給され
る。スイッチ信号生成回路２７は記録データに応じてＬ
Ｄドライバ２３の駆動パワーを制御する。すなわち、デ
ィスク１０にピットを形成させる部分でＬＤドライバ２
３の駆動パワーを高レベルに切り換えさせ、ピットを形
成しない部分ではＬＤドライバ２３の駆動パワーを低レ
ベル（読み取り時の駆動パワー）に切り換えさせる。
が読み出され、スイッチ信号生成回路２７に供給され
る。スイッチ信号生成回路２７は記録データに応じてＬ
Ｄドライバ２３の駆動パワーを制御する。すなわち、デ
ィスク１０にピットを形成させる部分でＬＤドライバ２
３の駆動パワーを高レベルに切り換えさせ、ピットを形
成しない部分ではＬＤドライバ２３の駆動パワーを低レ
ベル（読み取り時の駆動パワー）に切り換えさせる。
【００１４】かかる構成の光ピックアップ装置において
は、ＬＤドライバ２３の駆動信号が半導体レーザ素子１
１に供給され、その駆動信号レベルに応じた強度のレー
ザビームが半導体レーザ素子１１から発射される。発射
されたレーザビームのＰ偏光成分の一部分及びＳ偏光成
分の大部分がＰＢＳ１３で反射されて、フロントモニタ
１８に向かう。フロントモニタ１８では上記したように
レーザビームのＰ偏光成分が入射し、Ｓ偏光成分は反射
されてしまう。フロントモニタ１８は入射したレーザビ
ームのＰ偏光成分に感応し、そのＰ偏光成分の光強度に
応じたフロントモニタ信号がフロントモニタ１８から生
成される。そのフロントモニタ信号はヘッドアンプ２１
によって増幅された後、ＡＰＣ２２に供給される。
は、ＬＤドライバ２３の駆動信号が半導体レーザ素子１
１に供給され、その駆動信号レベルに応じた強度のレー
ザビームが半導体レーザ素子１１から発射される。発射
されたレーザビームのＰ偏光成分の一部分及びＳ偏光成
分の大部分がＰＢＳ１３で反射されて、フロントモニタ
１８に向かう。フロントモニタ１８では上記したように
レーザビームのＰ偏光成分が入射し、Ｓ偏光成分は反射
されてしまう。フロントモニタ１８は入射したレーザビ
ームのＰ偏光成分に感応し、そのＰ偏光成分の光強度に
応じたフロントモニタ信号がフロントモニタ１８から生
成される。そのフロントモニタ信号はヘッドアンプ２１
によって増幅された後、ＡＰＣ２２に供給される。
【００１５】ＡＰＣ２２はフロントモニタ信号が基準レ
ベルに等しくなるように制御信号を発生する。すなわ
ち、フロントモニタ信号が基準レベルより低い場合には
制御信号はＬＤドライバ２３による半導体レーザ素子１
１に対する駆動信号レベルを増加させ、フロントモニタ
信号が基準レベルより高い場合には制御信号はＬＤドラ
イバ２３による半導体レーザ素子１１に対する駆動信号
レベルを低下させる。この結果、レーザビームの偏光面
の回転が起きてもＰＢＳ１３を通過してディスク１０に
到達するレーザビームのＰ偏光成分を所望の強度に維持
することができる。
ベルに等しくなるように制御信号を発生する。すなわ
ち、フロントモニタ信号が基準レベルより低い場合には
制御信号はＬＤドライバ２３による半導体レーザ素子１
１に対する駆動信号レベルを増加させ、フロントモニタ
信号が基準レベルより高い場合には制御信号はＬＤドラ
イバ２３による半導体レーザ素子１１に対する駆動信号
レベルを低下させる。この結果、レーザビームの偏光面
の回転が起きてもＰＢＳ１３を通過してディスク１０に
到達するレーザビームのＰ偏光成分を所望の強度に維持
することができる。
【００１６】図２は本発明の他の実施例を示している。
この実施例の光ピックアップ装置においては、図１の光
ピックアップ装置の構成に更にＳ偏光用フロントモニタ
３１が備えられている。Ｓ偏光用フロントモニタ３１
は、フロントモニタ１８の入射面で反射されたＳ偏光成
分を受光するように配置されている。フロントモニタ３
１は入射したレーザビームの光強度に応じた電気信号、
すなわちＳ偏光成分フロントモニタ信号を生成する。
この実施例の光ピックアップ装置においては、図１の光
ピックアップ装置の構成に更にＳ偏光用フロントモニタ
３１が備えられている。Ｓ偏光用フロントモニタ３１
は、フロントモニタ１８の入射面で反射されたＳ偏光成
分を受光するように配置されている。フロントモニタ３
１は入射したレーザビームの光強度に応じた電気信号、
すなわちＳ偏光成分フロントモニタ信号を生成する。
【００１７】Ｓ偏光用フロントモニタ３１はヘッドアン
プ３２を介してマイクロコンピュータ２４に接続されて
いる。マイクロコンピュータ２４にはヘッドアンプ２１
の出力も接続されており、Ｓ偏光用及びＰ偏光用フロン
トモニタ信号双方が供給される。その他の構成は図１に
示した光ピックアップ装置と同様である。
プ３２を介してマイクロコンピュータ２４に接続されて
いる。マイクロコンピュータ２４にはヘッドアンプ２１
の出力も接続されており、Ｓ偏光用及びＰ偏光用フロン
トモニタ信号双方が供給される。その他の構成は図１に
示した光ピックアップ装置と同様である。
【００１８】かかる図２の構成の光ピックアップ装置に
おいては、ＬＤドライバ２３の駆動信号が半導体レーザ
素子１１に供給され、その駆動信号レベルに応じた強度
のレーザビームが半導体レーザ素子１１から発射され
る。発射されたレーザビームのＰ偏光成分の一部分及び
Ｓ偏光成分の大部分がＰＢＳ１３で反射されて、フロン
トモニタ１８に向かう。フロントモニタ１８では上記し
たようにレーザビームのＰ偏光成分が入射し、Ｓ偏光成
分は反射されてＳ偏光用フロントモニタ３１に向かう。
フロントモニタ１８からは入射したレーザビームのＰ偏
光成分の光強度に応じたＰ偏光成分フロントモニタ信号
が生成され、そのＰ偏光成分フロントモニタ信号はヘッ
ドアンプ２１によって増幅された後、ＡＰＣ２２及びマ
イクロコンピュータ２４に供給される。一方、Ｓ偏光用
フロントモニタ３１からは入射したレーザビームのＳ偏
光成分の光強度に応じたＳ偏光成分フロントモニタ信号
が生成され、そのＳ偏光成分フロントモニタ信号はヘッ
ドアンプ２１によって増幅された後、マイクロコンピュ
ータ２４に供給される。
おいては、ＬＤドライバ２３の駆動信号が半導体レーザ
素子１１に供給され、その駆動信号レベルに応じた強度
のレーザビームが半導体レーザ素子１１から発射され
る。発射されたレーザビームのＰ偏光成分の一部分及び
Ｓ偏光成分の大部分がＰＢＳ１３で反射されて、フロン
トモニタ１８に向かう。フロントモニタ１８では上記し
たようにレーザビームのＰ偏光成分が入射し、Ｓ偏光成
分は反射されてＳ偏光用フロントモニタ３１に向かう。
フロントモニタ１８からは入射したレーザビームのＰ偏
光成分の光強度に応じたＰ偏光成分フロントモニタ信号
が生成され、そのＰ偏光成分フロントモニタ信号はヘッ
ドアンプ２１によって増幅された後、ＡＰＣ２２及びマ
イクロコンピュータ２４に供給される。一方、Ｓ偏光用
フロントモニタ３１からは入射したレーザビームのＳ偏
光成分の光強度に応じたＳ偏光成分フロントモニタ信号
が生成され、そのＳ偏光成分フロントモニタ信号はヘッ
ドアンプ２１によって増幅された後、マイクロコンピュ
ータ２４に供給される。
【００１９】ＡＰＣ２２はＰ偏光成分フロントモニタ信
号が基準レベルに等しくなるように制御信号を発生す
る。すなわち、Ｐ偏光成分フロントモニタ信号が基準レ
ベルより低い場合には制御信号はＬＤドライバ２３によ
る半導体レーザ素子１１に対する駆動信号レベルを増加
させ、Ｐ偏光成分フロントモニタ信号が基準レベルより
高い場合には制御信号はＬＤドライバ２３による半導体
レーザ素子１１に対する駆動信号レベルを低下させる。
一方、マイクロコンピュータ２４はＰ偏光成分フロント
モニタ信号とＳ偏光成分フロントモニタ信号とに応じて
半導体レーザ素子１１による実出力レーザビームパワー
を算出する。例えば、Ｐ偏光成分フロントモニタ信号の
自乗値とＳ偏光成分フロントモニタ信号の自乗値とを加
算し、その加算結果の平方根を実出力レーザビームパワ
ーとする。
号が基準レベルに等しくなるように制御信号を発生す
る。すなわち、Ｐ偏光成分フロントモニタ信号が基準レ
ベルより低い場合には制御信号はＬＤドライバ２３によ
る半導体レーザ素子１１に対する駆動信号レベルを増加
させ、Ｐ偏光成分フロントモニタ信号が基準レベルより
高い場合には制御信号はＬＤドライバ２３による半導体
レーザ素子１１に対する駆動信号レベルを低下させる。
一方、マイクロコンピュータ２４はＰ偏光成分フロント
モニタ信号とＳ偏光成分フロントモニタ信号とに応じて
半導体レーザ素子１１による実出力レーザビームパワー
を算出する。例えば、Ｐ偏光成分フロントモニタ信号の
自乗値とＳ偏光成分フロントモニタ信号の自乗値とを加
算し、その加算結果の平方根を実出力レーザビームパワ
ーとする。
【００２０】マイクロコンピュータ２４は実出力レーザ
ビームパワーが最大定格パワーより低いリミット値に達
すると、基準レベルを低下させてＡＰＣ２２に対して供
給する。基準レベルの低下によってＡＰＣ２２から発生
される制御信号はＬＤドライバ２３による半導体レーザ
素子１１に対する駆動信号レベルを低下させる。この結
果、Ｐ偏光成分フロントモニタ信号のみに応じた半導体
レーザ素子１１の出力レーザビームパワー制御のため
に、レーザビームの偏光面の回転時に半導体レーザ素子
１１が最大定格パワーを越える光強度のレーザビームを
発するという不具合が回避され、半導体レーザ素子１１
の劣化を防止することができる。
ビームパワーが最大定格パワーより低いリミット値に達
すると、基準レベルを低下させてＡＰＣ２２に対して供
給する。基準レベルの低下によってＡＰＣ２２から発生
される制御信号はＬＤドライバ２３による半導体レーザ
素子１１に対する駆動信号レベルを低下させる。この結
果、Ｐ偏光成分フロントモニタ信号のみに応じた半導体
レーザ素子１１の出力レーザビームパワー制御のため
に、レーザビームの偏光面の回転時に半導体レーザ素子
１１が最大定格パワーを越える光強度のレーザビームを
発するという不具合が回避され、半導体レーザ素子１１
の劣化を防止することができる。
【００２１】図３は本発明の実施例を更に示している。
この実施例の光ピックアップ装置においては、図２の光
ピックアップ装置の構成に更にＰＢＳ３３が設けられて
いる。ＰＢＳ３３はコリメータレンズ１２から入射され
たレーザビームをＰＢＳ１３が反射する方向に配置され
ている。すなわち、ＰＢＳ３３にはＰＢＳ１３からのフ
ロントモニタ用の反射レーザビームが入射する。ＰＢＳ
３３は入射したレーザビームのＰ偏光成分をほぼ１００
％通過させ、そのレーザビームのＳ偏光成分を偏光分離
面３３ａでほぼ１００％反射する。Ｐ偏光成分の反射及
びＳ偏光成分の通過はほぼ０％である。
この実施例の光ピックアップ装置においては、図２の光
ピックアップ装置の構成に更にＰＢＳ３３が設けられて
いる。ＰＢＳ３３はコリメータレンズ１２から入射され
たレーザビームをＰＢＳ１３が反射する方向に配置され
ている。すなわち、ＰＢＳ３３にはＰＢＳ１３からのフ
ロントモニタ用の反射レーザビームが入射する。ＰＢＳ
３３は入射したレーザビームのＰ偏光成分をほぼ１００
％通過させ、そのレーザビームのＳ偏光成分を偏光分離
面３３ａでほぼ１００％反射する。Ｐ偏光成分の反射及
びＳ偏光成分の通過はほぼ０％である。
【００２２】ＰＢＳ３３をレーザビームが通過する方向
には、Ｐ偏光用フロントモニタ１８が備えられている。
ＰＢＳ３３で反射されたレーザビームが進む方向には、
Ｓ偏光用フロントモニタ３１が備えられている。Ｐ偏光
用フロントモニタ１８及びＳ偏光用フロントモニタ３１
共に入射レーザビームに対して受光面が垂直となるよう
に配置されている。
には、Ｐ偏光用フロントモニタ１８が備えられている。
ＰＢＳ３３で反射されたレーザビームが進む方向には、
Ｓ偏光用フロントモニタ３１が備えられている。Ｐ偏光
用フロントモニタ１８及びＳ偏光用フロントモニタ３１
共に入射レーザビームに対して受光面が垂直となるよう
に配置されている。
【００２３】その他の構成は図２に示した光ピックアッ
プ装置と同様である。かかる図３の構成の光ピックアッ
プ装置においては、ＬＤドライバ２３の駆動信号が半導
体レーザ素子１１に供給され、その駆動信号レベルに応
じた強度のレーザビームが半導体レーザ素子１１から発
射される。発射されたレーザビーム中のＰ偏光成分の一
部分及びＳ偏光成分の大部分がＰＢＳ１３で反射され
る。反射されたＰ偏光成分はＰＢＳ３３を通過してＰ偏
光用フロントモニタ１８に向かう。一方、反射されたＳ
偏光成分はＰＢＳ３３の偏光分離面３３ａで反射されて
Ｓ偏光用フロントモニタ３１に向かう。
プ装置と同様である。かかる図３の構成の光ピックアッ
プ装置においては、ＬＤドライバ２３の駆動信号が半導
体レーザ素子１１に供給され、その駆動信号レベルに応
じた強度のレーザビームが半導体レーザ素子１１から発
射される。発射されたレーザビーム中のＰ偏光成分の一
部分及びＳ偏光成分の大部分がＰＢＳ１３で反射され
る。反射されたＰ偏光成分はＰＢＳ３３を通過してＰ偏
光用フロントモニタ１８に向かう。一方、反射されたＳ
偏光成分はＰＢＳ３３の偏光分離面３３ａで反射されて
Ｓ偏光用フロントモニタ３１に向かう。
【００２４】フロントモニタ１８では入射したレーザビ
ームのＰ偏光成分の光強度に応じたＰ偏光成分フロント
モニタ信号が生成され、そのＰ偏光成分フロントモニタ
信号はヘッドアンプ２１によって増幅された後、ＡＰＣ
２２及びマイクロコンピュータ２４に供給される。一
方、Ｓ偏光用フロントモニタ３１からは入射したレーザ
ビームのＳ偏光成分の光強度に応じたＳ偏光成分フロン
トモニタ信号が生成され、そのＳ偏光成分フロントモニ
タ信号はヘッドアンプ３１によって増幅された後、マイ
クロコンピュータ２４に供給される。ＡＰＣ２２及びマ
イクロコンピュータ２４の動作は上記した図２の装置の
場合と同一であるので、ここでの説明は省略する。
ームのＰ偏光成分の光強度に応じたＰ偏光成分フロント
モニタ信号が生成され、そのＰ偏光成分フロントモニタ
信号はヘッドアンプ２１によって増幅された後、ＡＰＣ
２２及びマイクロコンピュータ２４に供給される。一
方、Ｓ偏光用フロントモニタ３１からは入射したレーザ
ビームのＳ偏光成分の光強度に応じたＳ偏光成分フロン
トモニタ信号が生成され、そのＳ偏光成分フロントモニ
タ信号はヘッドアンプ３１によって増幅された後、マイ
クロコンピュータ２４に供給される。ＡＰＣ２２及びマ
イクロコンピュータ２４の動作は上記した図２の装置の
場合と同一であるので、ここでの説明は省略する。
【００２５】図４は本発明の他の実施例を更に示してい
る。この実施例の光ピックアップ装置においては、図２
の光ピックアップ装置の構成に加えてウォラストンプリ
ズム３４が設けられている。また、図２の装置に備えら
れたフロントモニタ１８及び３１に代わってフロントモ
ニタ３５が備えられている。ウォラストンプリズム３４
は、コリメータレンズ１２から入射されたレーザビーム
をＰＢＳ１３が反射する方向に配置されている。すなわ
ち、ウォラストンプリズム３４にはＰＢＳ１３からのフ
ロントモニタ用の反射レーザビームが入射する。ウォラ
ストンプリズム３４は入射するレーザビームをＰ偏光成
分とＳ偏光成分とに分離して互いに異なる方向に出射す
る。Ｐ偏光成分とＳ偏光成分との出射方向は入射線を中
心にして対称である。
る。この実施例の光ピックアップ装置においては、図２
の光ピックアップ装置の構成に加えてウォラストンプリ
ズム３４が設けられている。また、図２の装置に備えら
れたフロントモニタ１８及び３１に代わってフロントモ
ニタ３５が備えられている。ウォラストンプリズム３４
は、コリメータレンズ１２から入射されたレーザビーム
をＰＢＳ１３が反射する方向に配置されている。すなわ
ち、ウォラストンプリズム３４にはＰＢＳ１３からのフ
ロントモニタ用の反射レーザビームが入射する。ウォラ
ストンプリズム３４は入射するレーザビームをＰ偏光成
分とＳ偏光成分とに分離して互いに異なる方向に出射す
る。Ｐ偏光成分とＳ偏光成分との出射方向は入射線を中
心にして対称である。
【００２６】フロントモニタ３５は２分割の受光面を有
して受光面毎の個別の出力を生成する。一方の受光面に
はウォラストンプリズム３４からＰ偏光成分が照射さ
れ、他方の受光面にはウォラストンプリズム３４からＳ
偏光成分が照射される。なお、フロントモニタ３５に代
えてＰ偏光用及びＳ偏光用フロントモニタを個別に備え
ても良い。
して受光面毎の個別の出力を生成する。一方の受光面に
はウォラストンプリズム３４からＰ偏光成分が照射さ
れ、他方の受光面にはウォラストンプリズム３４からＳ
偏光成分が照射される。なお、フロントモニタ３５に代
えてＰ偏光用及びＳ偏光用フロントモニタを個別に備え
ても良い。
【００２７】その他の構成は図２に示した光ピックアッ
プ装置と同様である。かかる図４の構成の光ピックアッ
プ装置においては、ＬＤドライバ２３の駆動信号が半導
体レーザ素子１１に供給され、その駆動信号レベルに応
じた強度のレーザビームが半導体レーザ素子１１から発
射される。発射されたレーザビーム中のＰ偏光成分の一
部分及びＳ偏光成分の大部分がＰＢＳ１３で反射され、
ウォラストンプリズム３４でＰ偏光成分とＳ偏光成分と
に分離される。Ｐ偏光成分はフロントモニタ３５の一方
の受光面に向かい、Ｓ偏光成分はフロントモニタ３５の
他方の受光面に向かう。
プ装置と同様である。かかる図４の構成の光ピックアッ
プ装置においては、ＬＤドライバ２３の駆動信号が半導
体レーザ素子１１に供給され、その駆動信号レベルに応
じた強度のレーザビームが半導体レーザ素子１１から発
射される。発射されたレーザビーム中のＰ偏光成分の一
部分及びＳ偏光成分の大部分がＰＢＳ１３で反射され、
ウォラストンプリズム３４でＰ偏光成分とＳ偏光成分と
に分離される。Ｐ偏光成分はフロントモニタ３５の一方
の受光面に向かい、Ｓ偏光成分はフロントモニタ３５の
他方の受光面に向かう。
【００２８】フロントモニタ３５では入射したレーザビ
ームのＰ偏光成分の光強度に応じたＰ偏光成分フロント
モニタ信号と、Ｓ偏光成分の光強度に応じたＰ偏光成分
フロントモニタ信号とが個別に生成される。そのＰ偏光
成分フロントモニタ信号はヘッドアンプ２１によって増
幅された後、ＡＰＣ２２及びマイクロコンピュータ２４
に供給される。一方、Ｓ偏光成分フロントモニタ信号は
ヘッドアンプ３１によって増幅された後、マイクロコン
ピュータ２４に供給される。ＡＰＣ２２及びマイクロコ
ンピュータ２４の動作は上記した図２の装置の場合と同
一であるので、ここでの説明は省略する。
ームのＰ偏光成分の光強度に応じたＰ偏光成分フロント
モニタ信号と、Ｓ偏光成分の光強度に応じたＰ偏光成分
フロントモニタ信号とが個別に生成される。そのＰ偏光
成分フロントモニタ信号はヘッドアンプ２１によって増
幅された後、ＡＰＣ２２及びマイクロコンピュータ２４
に供給される。一方、Ｓ偏光成分フロントモニタ信号は
ヘッドアンプ３１によって増幅された後、マイクロコン
ピュータ２４に供給される。ＡＰＣ２２及びマイクロコ
ンピュータ２４の動作は上記した図２の装置の場合と同
一であるので、ここでの説明は省略する。
【００２９】図５は本発明の実施例を更に示している。
この実施例の光ピックアップ装置においては、図１の偏
光板付きＰＢＳ１３に代えて偏光板及び反射膜付きＰＢ
Ｓ３６が備えられ、また、図１の光検出器１７に代えて
フロントモニタ付きの光検出器３７が備えられている。
ＰＢＳ３６は偏光板３６ａと反射膜３６ｂとを有してい
る。偏光板３６ａは半導体レーザ素子１１側とは反対
側、すなわち、光ディスク１０側に位置するようにＰＢ
Ｓ３６は配置されている。ＰＢＳ３６は反射膜３６ｂを
有する面が傾斜して台形状に形成されている。その反射
膜３６ｂを有する面はコリメータレンズ１２から入射さ
れたレーザビームをＰＢＳ３６本体が反射する方向に位
置している。
この実施例の光ピックアップ装置においては、図１の偏
光板付きＰＢＳ１３に代えて偏光板及び反射膜付きＰＢ
Ｓ３６が備えられ、また、図１の光検出器１７に代えて
フロントモニタ付きの光検出器３７が備えられている。
ＰＢＳ３６は偏光板３６ａと反射膜３６ｂとを有してい
る。偏光板３６ａは半導体レーザ素子１１側とは反対
側、すなわち、光ディスク１０側に位置するようにＰＢ
Ｓ３６は配置されている。ＰＢＳ３６は反射膜３６ｂを
有する面が傾斜して台形状に形成されている。その反射
膜３６ｂを有する面はコリメータレンズ１２から入射さ
れたレーザビームをＰＢＳ３６本体が反射する方向に位
置している。
【００３０】半導体レーザ素子１１から発せられたレー
ザビームはコリメータレンズ１２を介してＰＢＳ３６に
到達する。ＰＢＳ３６は入射したレーザビームのＰ偏光
成分の大部分（例えば、９０％）を通過させ、Ｐ偏光成
分の一部分（例えば、１０％）を偏光分離面３６ｃで反
射する。また、入射したレーザビームのＳ偏光成分の一
部分（例えば、１０％）を通過させ、Ｓ偏光成分の大部
分（例えば、９０％）を偏光分離面３６ｃで反射する。
偏光板３６ａは通過したレーザビームの直線偏光を円偏
光に変換する。
ザビームはコリメータレンズ１２を介してＰＢＳ３６に
到達する。ＰＢＳ３６は入射したレーザビームのＰ偏光
成分の大部分（例えば、９０％）を通過させ、Ｐ偏光成
分の一部分（例えば、１０％）を偏光分離面３６ｃで反
射する。また、入射したレーザビームのＳ偏光成分の一
部分（例えば、１０％）を通過させ、Ｓ偏光成分の大部
分（例えば、９０％）を偏光分離面３６ｃで反射する。
偏光板３６ａは通過したレーザビームの直線偏光を円偏
光に変換する。
【００３１】偏光板３６ａ付きのＰＢＳ３６を通過した
レーザビームは対物レンズ１４を介してディスク１０に
達してその記録面で反射される。ディスク１０の記録面
で反射されたレーザビームは、対物レンズ１４及び偏光
板３６ａを介してＰＢＳ３６まで戻る。偏光板３６ａは
反射されたレーザビームの円偏光を直線偏光に変換す
る。ＰＢＳ３６は戻りのレーザビームを偏光分離面３６
ｃで反射し、その反射レーザビームは集光レンズ１５、
マルチレンズ１６を介して光検出器３７のＲＦ検出用受
光面に到達する。
レーザビームは対物レンズ１４を介してディスク１０に
達してその記録面で反射される。ディスク１０の記録面
で反射されたレーザビームは、対物レンズ１４及び偏光
板３６ａを介してＰＢＳ３６まで戻る。偏光板３６ａは
反射されたレーザビームの円偏光を直線偏光に変換す
る。ＰＢＳ３６は戻りのレーザビームを偏光分離面３６
ｃで反射し、その反射レーザビームは集光レンズ１５、
マルチレンズ１６を介して光検出器３７のＲＦ検出用受
光面に到達する。
【００３２】コリメータレンズ１２を介してＰＢＳ３６
に入射したレーザビームのＰ偏光成分の一部分及びＳ偏
光成分の大部分がＰＢＳ３６本体で反射される。その反
射されたレーザビームは反射膜３６ｂによって反射さ
れ、ＰＢＳ３６内の偏光分離面３６ｃを通過し、更に集
光レンズ１５を介して光検出器３７のフロントモニタ用
受光面に達する。反射膜３６ｂによって反射されたレー
ザビームのＳ偏光成分はＰＢＳ３６内を通過する際に１
／１０程度に減衰されてほとんど無視できるようにな
る。フロントモニタ用受光面に照射されたほぼＰ偏光成
分だけのレーザビームの光強度に応じたフロントモニタ
信号が光検出器３７では生成される。そのフロントモニ
タ信号はヘッドアンプ２１によって増幅された後、ＡＰ
Ｃ２２に供給される。
に入射したレーザビームのＰ偏光成分の一部分及びＳ偏
光成分の大部分がＰＢＳ３６本体で反射される。その反
射されたレーザビームは反射膜３６ｂによって反射さ
れ、ＰＢＳ３６内の偏光分離面３６ｃを通過し、更に集
光レンズ１５を介して光検出器３７のフロントモニタ用
受光面に達する。反射膜３６ｂによって反射されたレー
ザビームのＳ偏光成分はＰＢＳ３６内を通過する際に１
／１０程度に減衰されてほとんど無視できるようにな
る。フロントモニタ用受光面に照射されたほぼＰ偏光成
分だけのレーザビームの光強度に応じたフロントモニタ
信号が光検出器３７では生成される。そのフロントモニ
タ信号はヘッドアンプ２１によって増幅された後、ＡＰ
Ｃ２２に供給される。
【００３３】ＡＰＣ２２及びマイクロコンピュータ２４
の動作は上記した図１の装置の場合と同一であるので、
ここでの説明は省略する。なお、上記した本発明の各実
施例では、光源から発せられた発散光であるレーザビー
ムをコリメータレンズにより平行光に変換する、いわゆ
る無限光学系の場合について説明したが、この例に限ら
れることなく、コリメータレンズを省いて平行光への変
換を行わない有限光学系の場合であっても本発明を適用
することは可能である。
の動作は上記した図１の装置の場合と同一であるので、
ここでの説明は省略する。なお、上記した本発明の各実
施例では、光源から発せられた発散光であるレーザビー
ムをコリメータレンズにより平行光に変換する、いわゆ
る無限光学系の場合について説明したが、この例に限ら
れることなく、コリメータレンズを省いて平行光への変
換を行わない有限光学系の場合であっても本発明を適用
することは可能である。
【００３４】
【発明の効果】以上の如く、本発明によれば、光源から
発せられるレーザビームの偏光面が回転してもそのレー
ザビームの光強度を簡単な構成で安定に制御することが
できる。
発せられるレーザビームの偏光面が回転してもそのレー
ザビームの光強度を簡単な構成で安定に制御することが
できる。
【図１】本発明の実施例を示す図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す図である。
【図３】本発明の実施例を示す図である。
【図４】本発明の他の実施例を示す図である。
【図５】本発明の実施例を示す図である。
１１ 半導体レーザ素子 １２ コリメータレンズ １３，３３，３６ ＰＢＳ １４ 対物レンズ １５ 集光レンズ １６ マルチレンズ １７，３７ 光検出器 ２２ ＡＰＣ ２４ マイクロコンピュータ ３４ ウォラストンプリズム ３５ フロントモニタ
Claims (18)
- 【請求項１】 光ピックアップ装置の光源の発光レーザ
ビームの光強度を制御するレーザ光強度制御装置であっ
て、 前記光源から発せられたレーザビームの進行方向に垂直
なｘ方向偏光成分及びその進行方向に平行なｙ方向偏光
成分のいずれか一方の方向偏光成分の大部分を通過させ
その一方の方向偏光成分の一部分をモニタ光として反射
する偏光分離手段と、 前記偏光分離手段によって反射された前記モニタ光を受
光して受光強度を示す第１光強度信号を生成する第１受
光手段と、 前記第１光強度信号に応じて前記光源を駆動する駆動手
段と、を備え、 前記第１受光手段は前記ｘ方向偏光成分及び前記ｙ方向
偏光成分の他方の方向偏光成分を反射してこれに感応せ
ず、前記一方の方向偏光成分を吸収してこれに感応する
ことを特徴とするレーザ光強度制御装置。 - 【請求項２】 前記光源と前記偏光分離手段との間に前
記光源から発せられたレーザビームを平行ビームに変換
する変換手段を有することを特徴とする請求項１記載の
レーザ光強度制御装置。 - 【請求項３】 前記偏光分離手段は、前記変換手段の出
力平行ビーム中の前記他方の方向偏光成分の大部分を前
記モニタ光の方向に反射し前記他方の方向偏光成分の一
部分を通過させ、 前記第１受光手段によって反射された前記他方の方向偏
光成分を受光して受光強度を示す第２光強度信号を生成
する第２受光手段と、 前記第１及び第２光強度信号に応じて前記光源の実出力
レーザビームパワーを算出してその実出力レーザビーム
パワーが前記光源の最大定格パワーより小さくなるよう
に前記駆動手段を制御する制御手段と、を含むことを特
徴とする請求項１記載のレーザ光強度制御装置。 - 【請求項４】 前記変換手段は、コリメータレンズであ
ることを特徴とする請求項１記載のレーザ光強度制御装
置。 - 【請求項５】 前記偏光分離手段は、偏光ビームスプリ
ッタであることを特徴とする請求項１記載のレーザ光強
度制御装置。 - 【請求項６】 前記第１受光手段は、透明なアクリル平
板で表面が覆われたフォトダイオードからなることを特
徴とする請求項１記載のレーザ光強度制御装置。 - 【請求項７】 前記駆動手段は、前記第１光強度信号が
基準レベルになるように前記光源を駆動することを特徴
とする請求項１記載のレーザ光強度制御装置。 - 【請求項８】 前記基準レベルは可変にされていること
を特徴とする請求項７記載のレーザ光強度制御装置。 - 【請求項９】 前記一方の方向偏光成分はＰ偏光成分で
あり、前記他方の偏光成分はＳ偏光成分であることを特
徴とする請求項１記載のレーザ光強度制御装置。 - 【請求項１０】 光ピックアップ装置の光源の発光レー
ザビームの光強度を制御するレーザ光強度制御装置であ
って、 前記光源から発せられたレーザビームの進行方向に垂直
なｘ方向偏光成分及びその進行方向に平行なｙ方向偏光
成分のいずれか一方の方向偏光成分の大部分と他方の方
向偏光成分の一部分とを通過させその一方の方向偏光成
分の一部分と他方の方向偏光成分の大部分とをモニタ光
として反射する第１偏光分離手段と、 前記モニタ光から前記一方の方向偏光成分と前記他方の
方向偏光成分とを分離する第２分離手段と、 前記第２偏光分離手段によって分離された前記一方の方
向偏光成分を受光して受光強度を示す第１光強度信号を
生成する第１受光手段と、 前記第２偏光分離手段によって分離された前記他方の方
向偏光成分を受光して受光強度を示す第２光強度信号を
生成する第２受光手段と、 前記第１光強度信号に応じて前記光源を駆動する駆動手
段と、 前記第１及び第２光強度信号に応じて前記光源の実出力
レーザビームパワーを算出してその実出力レーザビーム
パワーが前記光源の最大定格パワーより小さくなるよう
に前記駆動手段を制御する制御手段と、を備えたことを
特徴とするレーザ光強度制御装置。 - 【請求項１１】 前記光源と前記第１偏光分離手段との
間に前記光源から発せられたレーザビームを平行ビーム
に変換する変換手段を有することを特徴とする請求項１
０記載のレーザ光強度制御装置。 - 【請求項１２】 前記第２分離手段は、偏光ビームスプ
リッタであることを特徴とする請求項１０記載のレーザ
光強度制御装置。 - 【請求項１３】 前記第２分離手段は、ウォラストンプ
リズムであることを特徴とする請求項１０記載のレーザ
光強度制御装置。 - 【請求項１４】 光ピックアップ装置の光源の発光レー
ザビームの光強度を制御するレーザ光強度制御装置であ
って、 前記光源から発せられたレーザビームの進行方向に垂直
なｘ方向偏光成分及びその進行方向に平行なｙ方向偏光
成分のいずれか一方の方向偏光成分の大部分を通過させ
その一方の方向偏光成分の一部分を偏光分離面にてモニ
タ光として反射する偏光ビームスプリッタと、 前記偏光ビームスプリッタ内の前記モニタ光の経路に当
たる面に形成され前記モニタ光を反射してその反射モニ
タ光を前記偏光分離面を経て前記偏光ビームスプリッタ
から出力させる反射部材と、 前記偏光ビームスプリッタから出力された前記モニタ光
を受光して受光強度を示す光強度信号を生成する受光手
段と、 前記光強度信号に応じて前記光源を駆動する駆動手段
と、を備えたことを特徴とするレーザ光強度制御装置。 - 【請求項１５】 前記光源と前記偏光ビームスプリッタ
との間に前記光源から発せられたレーザビームを平行ビ
ームに変換する変換手段を有することを特徴とする請求
項１４記載のレーザ光強度制御装置。 - 【請求項１６】 前記反射部材は、前記偏光ビームスプ
リッタ内の前記モニタ光の経路に当たる面に形成された
反射膜からなることを特徴とする請求項１４記載のレー
ザ光強度制御装置。 - 【請求項１７】 前記偏光ビームスプリッタ内の前記モ
ニタ光の経路に当たる面は、その対称面に対して傾斜さ
れていることを特徴とする請求項１４又は１６記載のレ
ーザ光強度制御装置。 - 【請求項１８】 前記受光手段は、前記光ピックアップ
装置の光検出器と一体に形成されていることを特徴とす
る請求項１４記載のレーザ光強度制御装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000303075A JP4157265B2 (ja) | 2000-10-03 | 2000-10-03 | レーザ光強度制御装置 |
| EP01123680A EP1195751A3 (en) | 2000-10-03 | 2001-10-02 | Laser light intensity controller |
| US09/968,907 US6731662B2 (en) | 2000-10-03 | 2001-10-03 | Laser light intensity controller |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000303075A JP4157265B2 (ja) | 2000-10-03 | 2000-10-03 | レーザ光強度制御装置 |
Publications (3)
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