JP2002105552A - 高純度ジルコニウム又はハフニウム及びこれらの製造方法 - Google Patents
高純度ジルコニウム又はハフニウム及びこれらの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 酸素、炭素などのガス成分を除く不純物含有
量が１００ｐｐｍ未満であることを特徴とする高純度ジ
ルコニウムを得る。 【解決手段】 ２Ｎ〜３Ｎレベルのジルコニウム又はハ
フニウムスポンジ原料の表面付着物を弗硝酸により除去
した後、該スポンジ原料をＡｌ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｍｇ等の
揮発性元素の箔で包んでコンパクト材とし、このコンパ
クト材を電子ビーム溶解炉に投入しつつ電子ビーム溶解
して、上記高純度ジルコニウム又はハフニウムを製造す
る。
量が１００ｐｐｍ未満であることを特徴とする高純度ジ
ルコニウムを得る。 【解決手段】 ２Ｎ〜３Ｎレベルのジルコニウム又はハ
フニウムスポンジ原料の表面付着物を弗硝酸により除去
した後、該スポンジ原料をＡｌ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｍｇ等の
揮発性元素の箔で包んでコンパクト材とし、このコンパ
クト材を電子ビーム溶解炉に投入しつつ電子ビーム溶解
して、上記高純度ジルコニウム又はハフニウムを製造す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、不純物の少な
い、特にＮａ、Ｋなどのアルカリ金属元素、Ｕ、Ｔｈな
どの放射性元素、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍ
ｏ，Ｔａ、Ｖなどの遷移金属若しくは重金属又は高融点
金属元素、さらにはＣ、Ｏ等のガス成分の含有量を極め
て低減させた高純度ジルコニウム又はハフニウム及びこ
れらを安価に得ることのできる高純度ジルコニウム又は
ハフニウムの製造方法に関する。
い、特にＮａ、Ｋなどのアルカリ金属元素、Ｕ、Ｔｈな
どの放射性元素、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍ
ｏ，Ｔａ、Ｖなどの遷移金属若しくは重金属又は高融点
金属元素、さらにはＣ、Ｏ等のガス成分の含有量を極め
て低減させた高純度ジルコニウム又はハフニウム及びこ
れらを安価に得ることのできる高純度ジルコニウム又は
ハフニウムの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体デバイスにおけるゲート酸
化膜としてシリコン（ＳｉＯ２）膜使用されているが、
半導体デバイスの最近の傾向として薄膜化小型化傾向が
著しく、特にこのようなゲート酸化膜を薄膜化していく
と、絶縁耐性、ボロンの突き抜け、ゲートリーク、ゲー
ト空乏化等の問題が発生してくる。このため、従来のシ
リコンでは役に立たず、シリコンよりも誘電率の高い材
料を用いなければならないが、このような材料として２
０前後の高い誘電率を持ち、Ｓｉと混ざりにくいＺｒＯ
２及びＨｆＯ２使用が考えられる。しかし、ＺｒＯ２及
びＨｆＯ２は酸化剤を通過させ易いこと、また成膜時や
その後のアニールにおいて誘電率の小さい界面層を形成
させてしまう欠点があるので、ＺｒＯ２及びＨｆＯ２に
替えてＺｒＳｉ２及びＨｆＳｉ２の使用も考えられる。
このようなゲート酸化膜又はシリサイド膜として使用す
る場合には、Ｚｒ若しくはＨｆターゲット又はこれらの
シリサイドターゲットをアルゴン等の不活性ガス雰囲気
中又は反応性ガス雰囲気中でスパッタリングすることに
よって形成することが考えられるが、いずれの場合もＺ
ｒ及びＨｆが中心原料となる。
化膜としてシリコン（ＳｉＯ２）膜使用されているが、
半導体デバイスの最近の傾向として薄膜化小型化傾向が
著しく、特にこのようなゲート酸化膜を薄膜化していく
と、絶縁耐性、ボロンの突き抜け、ゲートリーク、ゲー
ト空乏化等の問題が発生してくる。このため、従来のシ
リコンでは役に立たず、シリコンよりも誘電率の高い材
料を用いなければならないが、このような材料として２
０前後の高い誘電率を持ち、Ｓｉと混ざりにくいＺｒＯ
２及びＨｆＯ２使用が考えられる。しかし、ＺｒＯ２及
びＨｆＯ２は酸化剤を通過させ易いこと、また成膜時や
その後のアニールにおいて誘電率の小さい界面層を形成
させてしまう欠点があるので、ＺｒＯ２及びＨｆＯ２に
替えてＺｒＳｉ２及びＨｆＳｉ２の使用も考えられる。
このようなゲート酸化膜又はシリサイド膜として使用す
る場合には、Ｚｒ若しくはＨｆターゲット又はこれらの
シリサイドターゲットをアルゴン等の不活性ガス雰囲気
中又は反応性ガス雰囲気中でスパッタリングすることに
よって形成することが考えられるが、いずれの場合もＺ
ｒ及びＨｆが中心原料となる。
【０００３】一方、半導体デバイスに使用される材料と
して、信頼性のある半導体としての動作性能を保証する
ためには、スパッタリング後に形成される上記のような
材料中に半導体デバイスに対して有害である不純物を極
力低減させることが重要である。すなわち、 （１） Ｎａ、Ｋ等のアルカリ金属元素 （２） Ｕ、Ｔｈ等の放射性元素 （３） Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ等の遷移金属
若しくは重金属又は高融点金属元素 （４） Ｃ、Ｏ、Ｎ、Ｈ等のガス成分元素 を極力減少させ、４Ｎすなわち９９．９９％（重量）以
上の純度をもつことが必要である。なお、本明細書中で
使用する％、ｐｐｍ、ｐｐｂは全て重量％、重量ｐｐ
ｍ、重量ｐｐｂを示す。上記半導体デバイス中に存在す
る不純物であるＮａ、Ｋ等のアルカリ金属は、ゲート絶
縁膜中を容易に移動しＭＯＳ−ＬＳＩ界面特性の劣化の
原因となり、Ｕ、Ｔｈ等の放射性元素は該元素より放出
するα線によって素子のソフトエラーの原因となり、さ
らに不純物として含有されるＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、
Ｃｕ等の遷移金属若しくは重金属又は高融点金属元素は
界面接合部のトラブルの原因となることが分かってい
る。また、一般に無視されがちであるＣ、Ｏ、Ｎ、Ｈ等
のガス成分もスパッタリングの際にパーティクル発生原
因となるため、好ましくないと考えられる。
して、信頼性のある半導体としての動作性能を保証する
ためには、スパッタリング後に形成される上記のような
材料中に半導体デバイスに対して有害である不純物を極
力低減させることが重要である。すなわち、 （１） Ｎａ、Ｋ等のアルカリ金属元素 （２） Ｕ、Ｔｈ等の放射性元素 （３） Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ等の遷移金属
若しくは重金属又は高融点金属元素 （４） Ｃ、Ｏ、Ｎ、Ｈ等のガス成分元素 を極力減少させ、４Ｎすなわち９９．９９％（重量）以
上の純度をもつことが必要である。なお、本明細書中で
使用する％、ｐｐｍ、ｐｐｂは全て重量％、重量ｐｐ
ｍ、重量ｐｐｂを示す。上記半導体デバイス中に存在す
る不純物であるＮａ、Ｋ等のアルカリ金属は、ゲート絶
縁膜中を容易に移動しＭＯＳ−ＬＳＩ界面特性の劣化の
原因となり、Ｕ、Ｔｈ等の放射性元素は該元素より放出
するα線によって素子のソフトエラーの原因となり、さ
らに不純物として含有されるＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、
Ｃｕ等の遷移金属若しくは重金属又は高融点金属元素は
界面接合部のトラブルの原因となることが分かってい
る。また、一般に無視されがちであるＣ、Ｏ、Ｎ、Ｈ等
のガス成分もスパッタリングの際にパーティクル発生原
因となるため、好ましくないと考えられる。
【０００４】一般に入手される３Ｎレベルの純度の原料
ジルコニウムスポンジは表１に示すように、Ｃｏ：１０
ｐｐｍ、Ｃｒ：５０ｐｐｍ、Ｃｕ：１０ｐｐｍ、Ｆｅ：
５０ｐｐｍ、Ｍｎ：２５ｐｐｍ、Ｎｂ：５０ｐｐｍ、Ｎ
ｉ：３５ｐｐｍ、Ｔａ：５０ｐｐｍ、Ｃ：２０００ｐｐ
ｍ、Ｏ：５０００ｐｐｍ、Ｎ：２００ｐｐｍなど大量の
不純物が含有されている。また、同様に一般に入手でき
る２Ｎレベルの純度のハフニウムスポンジについても表
３に示すように、Ｃｄ：３０ｐｐｍ、Ｃｏ：１０ｐｐ
ｍ、Ｃｒ：１５０ｐｐｍ、Ｃｕ：５０ｐｐｍ、Ｆｅ：３
００ｐｐｍ、Ｍｎ：２５ｐｐｍ、Ｎｂ：３０ｐｐｍ、Ｎ
ｉ：７５ｐｐｍ、Ｔａ：１００ｐｐｍ、Ｏ：５００ｐｐ
ｍ、Ｎ：６０ｐｐｍなど大量の不純物が含有されてい
る。これらの不純物は、いずれも半導体としての動作機
能を阻害するものばかりであり、このような半導体デバ
イスに対して有害である不純物を効率的に除去すること
が必要である。しかし、従来はジルコニウム又はハフニ
ウムを半導体デバイスにおけるゲート酸化膜として使用
するという実績が少なく、またこれらの不純物を除去す
る精製技術が特殊でありコスト高になるために、考慮さ
れずに放置されているに等しい状態であった。
ジルコニウムスポンジは表１に示すように、Ｃｏ：１０
ｐｐｍ、Ｃｒ：５０ｐｐｍ、Ｃｕ：１０ｐｐｍ、Ｆｅ：
５０ｐｐｍ、Ｍｎ：２５ｐｐｍ、Ｎｂ：５０ｐｐｍ、Ｎ
ｉ：３５ｐｐｍ、Ｔａ：５０ｐｐｍ、Ｃ：２０００ｐｐ
ｍ、Ｏ：５０００ｐｐｍ、Ｎ：２００ｐｐｍなど大量の
不純物が含有されている。また、同様に一般に入手でき
る２Ｎレベルの純度のハフニウムスポンジについても表
３に示すように、Ｃｄ：３０ｐｐｍ、Ｃｏ：１０ｐｐ
ｍ、Ｃｒ：１５０ｐｐｍ、Ｃｕ：５０ｐｐｍ、Ｆｅ：３
００ｐｐｍ、Ｍｎ：２５ｐｐｍ、Ｎｂ：３０ｐｐｍ、Ｎ
ｉ：７５ｐｐｍ、Ｔａ：１００ｐｐｍ、Ｏ：５００ｐｐ
ｍ、Ｎ：６０ｐｐｍなど大量の不純物が含有されてい
る。これらの不純物は、いずれも半導体としての動作機
能を阻害するものばかりであり、このような半導体デバ
イスに対して有害である不純物を効率的に除去すること
が必要である。しかし、従来はジルコニウム又はハフニ
ウムを半導体デバイスにおけるゲート酸化膜として使用
するという実績が少なく、またこれらの不純物を除去す
る精製技術が特殊でありコスト高になるために、考慮さ
れずに放置されているに等しい状態であった。
【０００５】
【発明が解決しょうとする課題】本発明は、上記のよう
な半導体の動作性能を保証するために障害となる不純物
を低減する、すなわち特にＮａ、Ｋなどのアルカリ金属
元素、Ｕ、Ｔｈなどの放射性元素、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、
Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｏ，Ｔａ、Ｖなどの遷移金属若しくは重
金属又は高融点金属元素、さらにはＣ、Ｏ等のガス成分
の含有量を極めて低減させた高純度ジルコニウム又はハ
フニウム及びこれらを安価に得ることのできる高純度ジ
ルコニウム又はハフニウムの製造方法を得る。また、酸
素、炭素等のガス成分の発生を抑制してスパッタリング
時のパーティクル発生を効果的に減少させることのでき
るガス成分の少ないジルコニウム又はハフニウムスパッ
タリングターゲットに有用である材料を得る。
な半導体の動作性能を保証するために障害となる不純物
を低減する、すなわち特にＮａ、Ｋなどのアルカリ金属
元素、Ｕ、Ｔｈなどの放射性元素、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、
Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｏ，Ｔａ、Ｖなどの遷移金属若しくは重
金属又は高融点金属元素、さらにはＣ、Ｏ等のガス成分
の含有量を極めて低減させた高純度ジルコニウム又はハ
フニウム及びこれらを安価に得ることのできる高純度ジ
ルコニウム又はハフニウムの製造方法を得る。また、酸
素、炭素等のガス成分の発生を抑制してスパッタリング
時のパーティクル発生を効果的に減少させることのでき
るガス成分の少ないジルコニウム又はハフニウムスパッ
タリングターゲットに有用である材料を得る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、 １．酸素、炭素などのガス成分を除く不純物含有量が１
００ｐｐｍ未満であることを特徴とする高純度ジルコニ
ウム ２．Ｎａ、Ｋなどのアルカリ金属元素の含有量が総計で
１ｐｐｍ以下、Ｕ、Ｔｈなどの放射性元素の含有量が総
計で５ｐｐｂ以下、Ｈｆを除くＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃ
ｒ、Ｃｕなどの遷移金属若しくは重金属又は高融点金属
元素が総計で５０ｐｐｍ以下、残部がジルコニウム及び
その他の不可避不純物であることを特徴とする上記１記
載の高純度ジルコニウム ３．酸素、炭素などのガス成分の含有量が１０００ｐｐ
ｍ未満であることを特徴とする上記１又は２記載の高純
度ジルコニウム ４．Ｚｒ及びガス成分を除く不純物含有量が１００ｐｐ
ｍ未満であることを特徴とする高純度ハフニウム ５．Ｎａ、Ｋなどのアルカリ金属元素の含有量が総計で
１ｐｐｍ以下、Ｕ、Ｔｈなどの放射性元素の含有量が総
計で５ｐｐｂ以下、Ｚｒを除くＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃ
ｒ、Ｃｕなどの遷移金属若しくは重金属又は高融点金属
元素が総計で５０ｐｐｍ以下、残部がハフニウム及びそ
の他の不可避不純物であることを特徴とする上記４記載
の高純度ハフニウム ６．酸素、炭素などのガス成分の含有量が５００ｐｐｍ
以下であることを特徴とする上記４又は５記載の高純度
ハフニウム ７．Ｚｒ含有量が０．５％以下であることを特徴とする
上記４〜６のそれぞれに記載の高純度ハフニウムを提供
する。
００ｐｐｍ未満であることを特徴とする高純度ジルコニ
ウム ２．Ｎａ、Ｋなどのアルカリ金属元素の含有量が総計で
１ｐｐｍ以下、Ｕ、Ｔｈなどの放射性元素の含有量が総
計で５ｐｐｂ以下、Ｈｆを除くＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃ
ｒ、Ｃｕなどの遷移金属若しくは重金属又は高融点金属
元素が総計で５０ｐｐｍ以下、残部がジルコニウム及び
その他の不可避不純物であることを特徴とする上記１記
載の高純度ジルコニウム ３．酸素、炭素などのガス成分の含有量が１０００ｐｐ
ｍ未満であることを特徴とする上記１又は２記載の高純
度ジルコニウム ４．Ｚｒ及びガス成分を除く不純物含有量が１００ｐｐ
ｍ未満であることを特徴とする高純度ハフニウム ５．Ｎａ、Ｋなどのアルカリ金属元素の含有量が総計で
１ｐｐｍ以下、Ｕ、Ｔｈなどの放射性元素の含有量が総
計で５ｐｐｂ以下、Ｚｒを除くＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃ
ｒ、Ｃｕなどの遷移金属若しくは重金属又は高融点金属
元素が総計で５０ｐｐｍ以下、残部がハフニウム及びそ
の他の不可避不純物であることを特徴とする上記４記載
の高純度ハフニウム ６．酸素、炭素などのガス成分の含有量が５００ｐｐｍ
以下であることを特徴とする上記４又は５記載の高純度
ハフニウム ７．Ｚｒ含有量が０．５％以下であることを特徴とする
上記４〜６のそれぞれに記載の高純度ハフニウムを提供
する。
【０００７】さらに、本発明は ８．２Ｎ〜３Ｎレベルのジルコニウム又はハフニウムス
ポンジ原料の表面付着物を弗硝酸により除去した後、該
スポンジ原料をＡｌ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｍｇ等の揮発性元素
の箔で包んでコンパクト材とし、このコンパクト材を電
子ビーム溶解炉に投入しつつ電子ビーム溶解することを
特徴とする高純度ジルコニウム又はハフニウムの製造方
法。 ９．酸素、炭素などのガス成分を除く不純物含有量が１
００ｐｐｍ未満であることを特徴とする上記８記載の高
純度ジルコニウムの製造方法 １０．Ｎａ、Ｋなどのアルカリ金属元素の含有量が総計
で１ｐｐｍ以下、Ｕ、Ｔｈなどの放射性元素の含有量が
総計で５ｐｐｂ以下、Ｈｆを除くＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃ
ｒ、Ｃｕなどの遷移金属若しくは重金属又は高融点金属
元素が総計で５０ｐｐｍ以下、残部がジルコニウム及び
その他の不可避不純物であることを特徴とする上記９記
載の高純度ジルコニウムの製造方法 １１．酸素、炭素などのガス成分の含有量が１０００ｐ
ｐｍ未満であることを特徴とする上記８〜１０のそれぞ
れに記載の高純度ジルコニウムの製造方法 １２．Ｚｒ及びガス成分を除く不純物含有量が１００ｐ
ｐｍ未満であることを特徴とする上記８記載の高純度ハ
フニウムの製造方法 １３．Ｎａ、Ｋなどのアルカリ金属元素の含有量が総計
で１ｐｐｍ以下、Ｕ、Ｔｈなどの放射性元素の含有量が
総計で５ｐｐｂ以下、Ｚｒを除くＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃ
ｒ、Ｃｕなどの遷移金属若しくは重金属又は高融点金属
元素が総計で５０ｐｐｍ以下、残部がハフニウム及びそ
の他の不可避不純物であることを特徴とする上記８又は
１２記載の高純度ハフニウムの製造方法 １４．酸素、炭素などのガス成分の含有量が５００ｐｐ
ｍ以下であることを特徴とする上記８、１２又は１３の
それぞれに記載の高純度ハフニウムの製造方法 １５．Ｚｒ含有量が０．５％以下であることを特徴とす
る上記８、１２〜１３のそれぞれに記載の高純度ハフニ
ウムの製造方法を提供する。
ポンジ原料の表面付着物を弗硝酸により除去した後、該
スポンジ原料をＡｌ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｍｇ等の揮発性元素
の箔で包んでコンパクト材とし、このコンパクト材を電
子ビーム溶解炉に投入しつつ電子ビーム溶解することを
特徴とする高純度ジルコニウム又はハフニウムの製造方
法。 ９．酸素、炭素などのガス成分を除く不純物含有量が１
００ｐｐｍ未満であることを特徴とする上記８記載の高
純度ジルコニウムの製造方法 １０．Ｎａ、Ｋなどのアルカリ金属元素の含有量が総計
で１ｐｐｍ以下、Ｕ、Ｔｈなどの放射性元素の含有量が
総計で５ｐｐｂ以下、Ｈｆを除くＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃ
ｒ、Ｃｕなどの遷移金属若しくは重金属又は高融点金属
元素が総計で５０ｐｐｍ以下、残部がジルコニウム及び
その他の不可避不純物であることを特徴とする上記９記
載の高純度ジルコニウムの製造方法 １１．酸素、炭素などのガス成分の含有量が１０００ｐ
ｐｍ未満であることを特徴とする上記８〜１０のそれぞ
れに記載の高純度ジルコニウムの製造方法 １２．Ｚｒ及びガス成分を除く不純物含有量が１００ｐ
ｐｍ未満であることを特徴とする上記８記載の高純度ハ
フニウムの製造方法 １３．Ｎａ、Ｋなどのアルカリ金属元素の含有量が総計
で１ｐｐｍ以下、Ｕ、Ｔｈなどの放射性元素の含有量が
総計で５ｐｐｂ以下、Ｚｒを除くＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃ
ｒ、Ｃｕなどの遷移金属若しくは重金属又は高融点金属
元素が総計で５０ｐｐｍ以下、残部がハフニウム及びそ
の他の不可避不純物であることを特徴とする上記８又は
１２記載の高純度ハフニウムの製造方法 １４．酸素、炭素などのガス成分の含有量が５００ｐｐ
ｍ以下であることを特徴とする上記８、１２又は１３の
それぞれに記載の高純度ハフニウムの製造方法 １５．Ｚｒ含有量が０．５％以下であることを特徴とす
る上記８、１２〜１３のそれぞれに記載の高純度ハフニ
ウムの製造方法を提供する。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明は、まず一般に市販されて
いる２Ｎ〜３Ｎレベルのジルコニウム又はハフニウムス
ポンジ原料を使用するが、これらの表面には有機物（不
純物Ｃの増加となる）や無機物等の多量の汚染物質が付
着しているが、これを強力な洗浄効果を持つ弗硝酸によ
り除去する。スポンジの表面を清浄にした後電子ビーム
溶解ができるように、通常は該スポンジ原料をプレスに
より圧縮してコンパクトにするが、この場合ジルコニウ
ム又はハフニウムスポンジ原料が非常に脆いためにぼろ
ぼろと崩れてしまう問題がある。このため、Ａｌ、Ｚ
ｎ、Ｃｕ、Ｍｇ等の揮発性元素の箔で包んでコンパクト
材とする。このコンパクト材を電子ビーム溶解炉に投入
しつつ電子ビーム溶解する。電子ビーム溶解は真空中で
実施するため、前記揮発性金属元素は溶解直後に、ガス
成分や溶湯またはそこに浮上しているその他の不純物と
共に揮発除去されるので、汚染物質とはならない。
いる２Ｎ〜３Ｎレベルのジルコニウム又はハフニウムス
ポンジ原料を使用するが、これらの表面には有機物（不
純物Ｃの増加となる）や無機物等の多量の汚染物質が付
着しているが、これを強力な洗浄効果を持つ弗硝酸によ
り除去する。スポンジの表面を清浄にした後電子ビーム
溶解ができるように、通常は該スポンジ原料をプレスに
より圧縮してコンパクトにするが、この場合ジルコニウ
ム又はハフニウムスポンジ原料が非常に脆いためにぼろ
ぼろと崩れてしまう問題がある。このため、Ａｌ、Ｚ
ｎ、Ｃｕ、Ｍｇ等の揮発性元素の箔で包んでコンパクト
材とする。このコンパクト材を電子ビーム溶解炉に投入
しつつ電子ビーム溶解する。電子ビーム溶解は真空中で
実施するため、前記揮発性金属元素は溶解直後に、ガス
成分や溶湯またはそこに浮上しているその他の不純物と
共に揮発除去されるので、汚染物質とはならない。
【０００９】この電子ビーム溶解による精製によって、
酸素、炭素などのガス成分を除く不純物含有量が１００
ｐｐｍ未満である高純度ジルコニウム又はＺｒ及びガス
成分を除く不純物含有量が１００ｐｐｍ未満である高純
度ハフニウムを得ることができる。すなわち、４Ｎ（９
９．９９％）の高純度ジルコニウム及び高純度ハフニウ
ムを製造することができる。なお、ジルコニウムにはハ
フニウムが、ハフニウムにはジルコニウムが相互にかな
りの量で含有されており、これらの間の分離精製が難し
くということがあるが、それぞれの材料の使用目的から
して害とならないもので無視し得る。
酸素、炭素などのガス成分を除く不純物含有量が１００
ｐｐｍ未満である高純度ジルコニウム又はＺｒ及びガス
成分を除く不純物含有量が１００ｐｐｍ未満である高純
度ハフニウムを得ることができる。すなわち、４Ｎ（９
９．９９％）の高純度ジルコニウム及び高純度ハフニウ
ムを製造することができる。なお、ジルコニウムにはハ
フニウムが、ハフニウムにはジルコニウムが相互にかな
りの量で含有されており、これらの間の分離精製が難し
くということがあるが、それぞれの材料の使用目的から
して害とならないもので無視し得る。
【００１０】以上により、高純度ジルコニウムにおいて
は、半導体材料の機能を低下させる不純物、すなわちＮ
ａ、Ｋなどのアルカリ金属元素の含有量が総計で１ｐｐ
ｍ以下、Ｕ、Ｔｈなどの放射性元素の含有量が総計で５
ｐｐｂ以下、Ｈｆを除くＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ
などの遷移金属若しくは重金属又は高融点金属元素が総
計で５０ｐｐｍ以下となり、問題となるレベル以下に低
減することができる。酸素、炭素などのガス成分の含有
量を低減することは難しいのであるがそれでも１０００
ｐｐｍ未満にすることが可能であり、原材料に比べては
るかに低いガス成分の含有量の高純度ジルコニウムを得
ることができる。
は、半導体材料の機能を低下させる不純物、すなわちＮ
ａ、Ｋなどのアルカリ金属元素の含有量が総計で１ｐｐ
ｍ以下、Ｕ、Ｔｈなどの放射性元素の含有量が総計で５
ｐｐｂ以下、Ｈｆを除くＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ
などの遷移金属若しくは重金属又は高融点金属元素が総
計で５０ｐｐｍ以下となり、問題となるレベル以下に低
減することができる。酸素、炭素などのガス成分の含有
量を低減することは難しいのであるがそれでも１０００
ｐｐｍ未満にすることが可能であり、原材料に比べては
るかに低いガス成分の含有量の高純度ジルコニウムを得
ることができる。
【００１１】また、高純度ハフニウムについても同様
に、不純物となるＮａ、Ｋなどのアルカリ金属元素の含
有量が総計で１ｐｐｍ以下、Ｕ、Ｔｈなどの放射性元素
の含有量が総計で５ｐｐｂ以下、Ｚｒを除くＦｅ、Ｎ
ｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕなどの遷移金属若しくは重金属又
は高融点金属元素が総計で５０ｐｐｍ以下、残部がハフ
ニウム及びその他の不可避不純物である高純度ハフニウ
ムを得ることができる。この場合、酸素、炭素などのガ
ス成分の含有量を５００ｐｐｍ以下に低減できる。高純
度ハフニウムにおいてはＺｒを減少させることは非常に
難しい。しかし、その含有量は０．５％以下にまで達成
できる。また、高純度ハフニウムにおいてはＺｒが混入
すること自体、半導体の特性を悪化させることはないの
で、問題となるレベルではない。
に、不純物となるＮａ、Ｋなどのアルカリ金属元素の含
有量が総計で１ｐｐｍ以下、Ｕ、Ｔｈなどの放射性元素
の含有量が総計で５ｐｐｂ以下、Ｚｒを除くＦｅ、Ｎ
ｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕなどの遷移金属若しくは重金属又
は高融点金属元素が総計で５０ｐｐｍ以下、残部がハフ
ニウム及びその他の不可避不純物である高純度ハフニウ
ムを得ることができる。この場合、酸素、炭素などのガ
ス成分の含有量を５００ｐｐｍ以下に低減できる。高純
度ハフニウムにおいてはＺｒを減少させることは非常に
難しい。しかし、その含有量は０．５％以下にまで達成
できる。また、高純度ハフニウムにおいてはＺｒが混入
すること自体、半導体の特性を悪化させることはないの
で、問題となるレベルではない。
【００１２】
【実施例】次に、実施例に基づいて本発明を説明する。
実施例は発明を容易に理解するためのものであり、これ
によって本発明を制限されるものではない。すなわち、
本発明は本発明の技術思想に基づく他の実施例及び変形
を包含するものである。 （実施例１）表１に示す純度（３Ｎレベル）の原料ジル
コニウムスポンジを弗硝酸で洗浄し、表面に付着してい
る不純物を除去した後、これをＺｎ箔で包んでコンパク
トとした。次に、このコンパクトを電子ビーム溶解炉に
導入し電子ビーム溶解を実施した。この時の電子ビーム
溶解の条件は次の通りである。 真空度： ２×１０−４Ｔｏｒｒ 電流： １．２５Ａ 鋳造速度： ２０ｋｇ／ｈｒ 電力源単位： ４ｋｗｈ／ｋｇ 以上により得られた高純度ジルコニウムの不純物分析結
果を表２に示す。
実施例は発明を容易に理解するためのものであり、これ
によって本発明を制限されるものではない。すなわち、
本発明は本発明の技術思想に基づく他の実施例及び変形
を包含するものである。 （実施例１）表１に示す純度（３Ｎレベル）の原料ジル
コニウムスポンジを弗硝酸で洗浄し、表面に付着してい
る不純物を除去した後、これをＺｎ箔で包んでコンパク
トとした。次に、このコンパクトを電子ビーム溶解炉に
導入し電子ビーム溶解を実施した。この時の電子ビーム
溶解の条件は次の通りである。 真空度： ２×１０−４Ｔｏｒｒ 電流： １．２５Ａ 鋳造速度： ２０ｋｇ／ｈｒ 電力源単位： ４ｋｗｈ／ｋｇ 以上により得られた高純度ジルコニウムの不純物分析結
果を表２に示す。
【００１３】
【表１】
【００１４】
【表２】
【００１５】表２に示すように、表１に示す純度（３Ｎ
レベル）のジルコニウムスポンジが、弗硝酸による洗浄
と電子ビーム溶解により、酸素、炭素などのガス成分を
除く不純物含有量が１００ｐｐｍ未満となり、４Ｎ（９
９．９９％）レベルの高純度ジルコニウムが得られた。
特に、Ｎａ、Ｋなどのアルカリ金属元素の含有量が総計
で１ｐｐｍ以下、Ｕ、Ｔｈなどの放射性元素の含有量が
総計で５ｐｐｂ以下、Ｈｆを除くＦｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｚ
ｒなどの遷移金属若しくは重金属又は高融点金属元素が
総計で５０ｐｐｍ以下、残部がジルコニウム及びその他
の不可避不純物である高純度ジルコニウムが得られた。
また、表２に表示していないその他の不純物について
は、そられの殆どが０．１ｐｐｍ未満であった。上記表
２に示す通り、一般にジルコニウムに含有されるハフニ
ウムは高濃度となるが、それでもハフニウムは原料の半
分以下、すなわち２７ｐｐｍに減少した。
レベル）のジルコニウムスポンジが、弗硝酸による洗浄
と電子ビーム溶解により、酸素、炭素などのガス成分を
除く不純物含有量が１００ｐｐｍ未満となり、４Ｎ（９
９．９９％）レベルの高純度ジルコニウムが得られた。
特に、Ｎａ、Ｋなどのアルカリ金属元素の含有量が総計
で１ｐｐｍ以下、Ｕ、Ｔｈなどの放射性元素の含有量が
総計で５ｐｐｂ以下、Ｈｆを除くＦｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｚ
ｒなどの遷移金属若しくは重金属又は高融点金属元素が
総計で５０ｐｐｍ以下、残部がジルコニウム及びその他
の不可避不純物である高純度ジルコニウムが得られた。
また、表２に表示していないその他の不純物について
は、そられの殆どが０．１ｐｐｍ未満であった。上記表
２に示す通り、一般にジルコニウムに含有されるハフニ
ウムは高濃度となるが、それでもハフニウムは原料の半
分以下、すなわち２７ｐｐｍに減少した。
【００１６】また、酸素：５３０ｐｐｍ、炭素：１７０
ｐｐｍ、Ｎ：２０ｐｐｍ、Ｈ：１０ｐｐｍであり、これ
らのガス成分の含有量は総計で１０００ｐｐｍ未満であ
り、ガス成分も少ない高純度ジルコニウムが得られた。
上記の通り、電子ビーム溶解する際、ジルコニウムスポ
ンジのコンパクトはＺｎ箔で包んでコンパクトにし、こ
れを溶解炉に導入したものであるが、Ｚｎ箔は電子ビー
ム溶解時に揮発し、ジルコニウムに含有される量は０．
１ｐｐｍ未満であり、不純物としては問題とならない混
入量であった。なお、このようなＺｎ等の箔で包まずプ
レスによりジルコニウムスポンジだけで押し固めコンパ
クトにしようとしたが、プレスの作業の途中でボロボロ
と崩れてしまい、コンパトとすることができなかった。
したがって、Ａｌ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｍｇ等の揮発性元素の
箔で包んでコンパクトにすることは、上記高純度ジルコ
ニウムを製造するための必要かつ望ましい条件である。
ｐｐｍ、Ｎ：２０ｐｐｍ、Ｈ：１０ｐｐｍであり、これ
らのガス成分の含有量は総計で１０００ｐｐｍ未満であ
り、ガス成分も少ない高純度ジルコニウムが得られた。
上記の通り、電子ビーム溶解する際、ジルコニウムスポ
ンジのコンパクトはＺｎ箔で包んでコンパクトにし、こ
れを溶解炉に導入したものであるが、Ｚｎ箔は電子ビー
ム溶解時に揮発し、ジルコニウムに含有される量は０．
１ｐｐｍ未満であり、不純物としては問題とならない混
入量であった。なお、このようなＺｎ等の箔で包まずプ
レスによりジルコニウムスポンジだけで押し固めコンパ
クトにしようとしたが、プレスの作業の途中でボロボロ
と崩れてしまい、コンパトとすることができなかった。
したがって、Ａｌ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｍｇ等の揮発性元素の
箔で包んでコンパクトにすることは、上記高純度ジルコ
ニウムを製造するための必要かつ望ましい条件である。
【００１７】（実施例２）表３に示す純度（２Ｎレベ
ル）のハフニウムスポンジを実施例１と同様に弗硝酸で
洗い、表面に付着している不純物を除去した後、これを
Ｚｎ箔で包んでコンパクトとした。次に、このコンパク
トを電子ビーム溶解炉に導入し、電子ビーム溶解を実施
した。この時の電子ビーム溶解の条件は実施例１と同様
で、次の通りである。 真空度： ２×１０−４Ｔｏｒｒ 電流： １．２５Ａ 鋳造速度： ２０ｋｇ／ｈｒ 電力源単位： ４ｋｗｈ／ｋｇ 以上により得られた高純度ハフニウムの不純物分析結果
を表４に示す。
ル）のハフニウムスポンジを実施例１と同様に弗硝酸で
洗い、表面に付着している不純物を除去した後、これを
Ｚｎ箔で包んでコンパクトとした。次に、このコンパク
トを電子ビーム溶解炉に導入し、電子ビーム溶解を実施
した。この時の電子ビーム溶解の条件は実施例１と同様
で、次の通りである。 真空度： ２×１０−４Ｔｏｒｒ 電流： １．２５Ａ 鋳造速度： ２０ｋｇ／ｈｒ 電力源単位： ４ｋｗｈ／ｋｇ 以上により得られた高純度ハフニウムの不純物分析結果
を表４に示す。
【００１８】
【表３】
【００１９】
【表４】
【００２０】表４に示すように、表３に示す純度（２Ｎ
レベル）のハフニウムスポンジが、弗硝酸による洗浄と
電子ビーム溶解により、ジルコニウム及び酸素、炭素な
どのガス成分を除く不純物含有量が１００ｐｐｍ未満と
なり、ジルコニウム及び酸素、炭素などのガス成分を除
き４Ｎ（９９．９９％）レベルの高純度ハフニウムが得
られた。特に、Ｎａ、Ｋなどのアルカリ金属元素の含有
量が総計で１ｐｐｍ以下、Ｕ、Ｔｈなどの放射性元素の
含有量が総計で５ｐｐｂ以下、Ｈｆを除くＦｅ、Ｎｉ、
Ｃｒ、Ｚｒなどの遷移金属若しくは重金属又は高融点金
属元素が総計で５０ｐｐｍ以下、残部がハフニウム及び
その他の不可避不純物である高純度ハフニウムが得られ
た。表４に表示していないその他の不純物については、
そられの殆どが０．１ｐｐｍ未満であった。
レベル）のハフニウムスポンジが、弗硝酸による洗浄と
電子ビーム溶解により、ジルコニウム及び酸素、炭素な
どのガス成分を除く不純物含有量が１００ｐｐｍ未満と
なり、ジルコニウム及び酸素、炭素などのガス成分を除
き４Ｎ（９９．９９％）レベルの高純度ハフニウムが得
られた。特に、Ｎａ、Ｋなどのアルカリ金属元素の含有
量が総計で１ｐｐｍ以下、Ｕ、Ｔｈなどの放射性元素の
含有量が総計で５ｐｐｂ以下、Ｈｆを除くＦｅ、Ｎｉ、
Ｃｒ、Ｚｒなどの遷移金属若しくは重金属又は高融点金
属元素が総計で５０ｐｐｍ以下、残部がハフニウム及び
その他の不可避不純物である高純度ハフニウムが得られ
た。表４に表示していないその他の不純物については、
そられの殆どが０．１ｐｐｍ未満であった。
【００２１】また、酸素：１２０ｐｐｍ、炭素：３０ｐ
ｐｍ、Ｎ：１０ｐｐｍ未満、Ｈ：１０ｐｐｍ未満であ
り、これらのガス成分の含有量は総計で５００ｐｐｍ以
下であり、ガス成分も少ない高純度ハフニウムが得られ
た。上記の通り、電子ビーム溶解する際、ハフニウムス
ポンジのコンパクトはＺｎ箔で包んでコンパクトにし、
これを溶解炉に導入したものであるが、Ｚｎ箔は電子ビ
ーム溶解時に揮発し、ハフニウムに含有される量は０．
１ｐｐｍ未満であり、不純物としては問題とならない混
入量であった。なお、このようなＺｎ等の箔で包まずプ
レスによりハフニウムスポンジだけで押し固めコンパク
トにしようとしたが、プレスの作業の途中でボロボロと
崩れてしまい、コンパトとすることができなかった。し
たがって、Ａｌ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｍｇ等の揮発性元素の箔
で包んでコンパクトにすることは、上記高純度ハフニウ
ムを製造するための必要かつ望ましい条件である。上記
表４に示す通り、一般にハフニウムに含有されるジルコ
ニウムは高濃度となるが、それでもハフニウムは原料の
１／７程度、すなわち３５００ｐｐｍに減少した。
ｐｍ、Ｎ：１０ｐｐｍ未満、Ｈ：１０ｐｐｍ未満であ
り、これらのガス成分の含有量は総計で５００ｐｐｍ以
下であり、ガス成分も少ない高純度ハフニウムが得られ
た。上記の通り、電子ビーム溶解する際、ハフニウムス
ポンジのコンパクトはＺｎ箔で包んでコンパクトにし、
これを溶解炉に導入したものであるが、Ｚｎ箔は電子ビ
ーム溶解時に揮発し、ハフニウムに含有される量は０．
１ｐｐｍ未満であり、不純物としては問題とならない混
入量であった。なお、このようなＺｎ等の箔で包まずプ
レスによりハフニウムスポンジだけで押し固めコンパク
トにしようとしたが、プレスの作業の途中でボロボロと
崩れてしまい、コンパトとすることができなかった。し
たがって、Ａｌ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｍｇ等の揮発性元素の箔
で包んでコンパクトにすることは、上記高純度ハフニウ
ムを製造するための必要かつ望ましい条件である。上記
表４に示す通り、一般にハフニウムに含有されるジルコ
ニウムは高濃度となるが、それでもハフニウムは原料の
１／７程度、すなわち３５００ｐｐｍに減少した。
【００２２】
【発明の効果】電子ビーム溶解法により、半導体の動作
機能を保証するために障害となる不純物、すなわちＮ
ａ、Ｋなどのアルカリ金属元素、Ｕ、Ｔｈなどの放射性
元素、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｏ，Ｔａ、Ｖ
などの遷移金属若しくは重金属又は高融点金属元素、さ
らにはＣ、Ｏ等のガス成分の含有量を極めて低減させた
高純度ジルコニウム又は高純度ハフニウムを安価に製造
することができるという優れた効果を有する。また、酸
素、炭素等のガス成分の発生を抑制してスパッタリング
時のパーティクル発生を効果的に減少させることのでき
るガス成分の少ないジルコニウム又はハフニウムスパッ
タリングターゲットを得ることができ、半導体デバイス
におけるゲート酸化膜等の製造に有用である材料を得る
ことができる著しい特徴を有している。
機能を保証するために障害となる不純物、すなわちＮ
ａ、Ｋなどのアルカリ金属元素、Ｕ、Ｔｈなどの放射性
元素、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｏ，Ｔａ、Ｖ
などの遷移金属若しくは重金属又は高融点金属元素、さ
らにはＣ、Ｏ等のガス成分の含有量を極めて低減させた
高純度ジルコニウム又は高純度ハフニウムを安価に製造
することができるという優れた効果を有する。また、酸
素、炭素等のガス成分の発生を抑制してスパッタリング
時のパーティクル発生を効果的に減少させることのでき
るガス成分の少ないジルコニウム又はハフニウムスパッ
タリングターゲットを得ることができ、半導体デバイス
におけるゲート酸化膜等の製造に有用である材料を得る
ことができる著しい特徴を有している。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２２Ｃ 27/00 Ｃ２２Ｃ 27/00
Claims (15)
- 【請求項１】 酸素、炭素などのガス成分を除く不純物
含有量が１００ｐｐｍ未満であることを特徴とする高純
度ジルコニウム。 - 【請求項２】 Ｎａ、Ｋなどのアルカリ金属元素の含有
量が総計で１ｐｐｍ以下、Ｕ、Ｔｈなどの放射性元素の
含有量が総計で５ｐｐｂ以下、Ｈｆを除くＦｅ、Ｎｉ、
Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕなどの遷移金属若しくは重金属又は高
融点金属元素が総計で５０ｐｐｍ以下、残部がジルコニ
ウム及びその他の不可避不純物であることを特徴とする
請求項１記載の高純度ジルコニウム。 - 【請求項３】 酸素、炭素などのガス成分の含有量が１
０００ｐｐｍ未満であることを特徴とする請求項１又は
２記載の高純度ジルコニウム。 - 【請求項４】 Ｚｒ及びガス成分を除く不純物含有量が
１００ｐｐｍ未満であることを特徴とする高純度ハフニ
ウム。 - 【請求項５】 Ｎａ、Ｋなどのアルカリ金属元素の含有
量が総計で１ｐｐｍ以下、Ｕ、Ｔｈなどの放射性元素の
含有量が総計で５ｐｐｂ以下、Ｚｒを除くＦｅ、Ｎｉ、
Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕなどの遷移金属若しくは重金属又は高
融点金属元素が総計で５０ｐｐｍ以下、残部がハフニウ
ム及びその他の不可避不純物であることを特徴とする請
求項４記載の高純度ハフニウム。 - 【請求項６】 酸素、炭素などのガス成分の含有量が５
００ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項４又は５
記載の高純度ハフニウム。 - 【請求項７】 Ｚｒ含有量が０．５％以下であることを
特徴とする請求項４〜６のそれぞれに記載の高純度ハフ
ニウム。 - 【請求項８】 ２Ｎ〜３Ｎレベルのジルコニウム又はハ
フニウムスポンジ原料の表面付着物を弗硝酸により除去
した後、該スポンジ原料をＡｌ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｍｇ等の
揮発性元素の箔で包んでコンパクト材とし、このコンパ
クト材を電子ビーム溶解炉に投入しつつ電子ビーム溶解
することを特徴とする高純度ジルコニウム又はハフニウ
ムの製造方法。 - 【請求項９】 酸素、炭素などのガス成分を除く不純物
含有量が１００ｐｐｍ未満であることを特徴とする請求
項８記載の高純度ジルコニウムの製造方法。 - 【請求項１０】 Ｎａ、Ｋなどのアルカリ金属元素の含
有量が総計で１ｐｐｍ以下、Ｕ、Ｔｈなどの放射性元素
の含有量が総計で５ｐｐｂ以下、Ｈｆを除くＦｅ、Ｎ
ｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕなどの遷移金属若しくは重金属又
は高融点金属元素が総計で５０ｐｐｍ以下、残部がジル
コニウム及びその他の不可避不純物であることを特徴と
する請求項９記載の高純度ジルコニウムの製造方法。 - 【請求項１１】 酸素、炭素などのガス成分の含有量が
１０００ｐｐｍ未満であることを特徴とする請求項８〜
１０のそれぞれに記載の高純度ジルコニウムの製造方
法。 - 【請求項１２】 Ｚｒ及びガス成分を除く不純物含有量
が１００ｐｐｍ未満であることを特徴とする請求項８記
載の高純度ハフニウムの製造方法。 - 【請求項１３】 Ｎａ、Ｋなどのアルカリ金属元素の含
有量が総計で１ｐｐｍ以下、Ｕ、Ｔｈなどの放射性元素
の含有量が総計で５ｐｐｂ以下、Ｚｒを除くＦｅ、Ｎ
ｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕなどの遷移金属若しくは重金属又
は高融点金属元素が総計で５０ｐｐｍ以下、残部がハフ
ニウム及びその他の不可避不純物であることを特徴とす
る請求項８又は１２記載の高純度ハフニウムの製造方
法。 - 【請求項１４】 酸素、炭素などのガス成分の含有量が
５００ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項８、１
２又は１３のそれぞれに記載の高純度ハフニウムの製造
方法。 - 【請求項１５】 Ｚｒ含有量が０．５％以下であること
を特徴とする請求項８、１２〜１３のそれぞれに記載の
高純度ハフニウムの製造方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000302392A JP4104039B2 (ja) | 2000-10-02 | 2000-10-02 | 高純度ジルコニウム又はハフニウムの製造方法 |
| DE60130477T DE60130477T2 (de) | 2000-10-02 | 2001-06-29 | Hochreines Zirkonium oder Hafnium, diese beinhaltendes Sputtering Target und mit diesesm hergestellte dünnen Filme, Verfahren zur Herstellung von hochreinem Zirkonium oder Hafnium und Herstellungsverfahren für Pulver aus hochreinem Zirkonium oder Hafnium |
| KR1020037004600A KR100572262B1 (ko) | 2000-10-02 | 2001-06-29 | 고순도 지르코늄 또는 하프늄의 제조방법 |
| US10/182,764 US6861030B2 (en) | 2000-10-02 | 2001-06-29 | Method of manufacturing high purity zirconium and hafnium |
| EP06020719A EP1743949B1 (en) | 2000-10-02 | 2001-06-29 | High-purity zirconium or hafnium metal for sputter targets and thin film applications |
| EP01947791A EP1329526B1 (en) | 2000-10-02 | 2001-06-29 | Method for producing high-purity zirconium and hafnium for sputtering targets |
| PCT/JP2001/005612 WO2002029125A1 (fr) | 2000-10-02 | 2001-06-29 | Zirconium ou hafnium extremement purs, cible de pulverisation composee de ce zirconium ou hafnium extremement purs, couche mince obtenue au moyen de cette cible, procede de preparation de zirconium ou de hafnium extremement purs et procede de fabrication d'une poudre de zirconium ou de hafnium extremement purs |
| TW090122569A TWI224145B (en) | 2000-10-02 | 2001-09-12 | Method for producing high purity zirconium or hafnium and method for producing powder of high purity zirconium or hafnium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000302392A JP4104039B2 (ja) | 2000-10-02 | 2000-10-02 | 高純度ジルコニウム又はハフニウムの製造方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008028638A Division JP4917055B2 (ja) | 2008-02-08 | 2008-02-08 | 高純度ジルコニウム又はハフニウムの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002105552A true JP2002105552A (ja) | 2002-04-10 |
| JP4104039B2 JP4104039B2 (ja) | 2008-06-18 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000302392A Expired - Lifetime JP4104039B2 (ja) | 2000-10-02 | 2000-10-02 | 高純度ジルコニウム又はハフニウムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4104039B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JPWO2005010220A1 (ja) * | 2003-07-25 | 2006-09-07 | 日鉱金属株式会社 | 高純度ハフニウム材料、同材料からなるターゲット及び薄膜並びに高純度ハフニウムの製造方法 |
| JP2007527839A (ja) * | 2004-03-01 | 2007-10-04 | プラクスエア・テクノロジー・インコーポレイテッド | 低ジルコニウムのハロゲン化ハフニウム組成物 |
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| WO2010110064A1 (ja) | 2009-03-23 | 2010-09-30 | 日鉱金属株式会社 | ジルコニウムるつぼ |
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| CN115109939A (zh) * | 2022-07-11 | 2022-09-27 | 上海交通大学四川研究院 | 一种低放射性本底金属材料的冶炼方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9637809B2 (en) | 2009-11-24 | 2017-05-02 | Ge-Hitachi Nuclear Energy Americas Llc | Zirconium alloys exhibiting reduced hydrogen absorption |
-
2000
- 2000-10-02 JP JP2000302392A patent/JP4104039B2/ja not_active Expired - Lifetime
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|---|---|---|---|---|
| JP4519773B2 (ja) * | 2003-07-25 | 2010-08-04 | 日鉱金属株式会社 | 高純度ハフニウム、同ハフニウムからなるターゲット及び薄膜並びに高純度ハフニウムの製造方法 |
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| JP2010196172A (ja) * | 2003-11-19 | 2010-09-09 | Nippon Mining & Metals Co Ltd | 高純度ハフニウムの製造方法 |
| JP4749862B2 (ja) * | 2003-11-19 | 2011-08-17 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 高純度ハフニウム、同ハフニウムからなるターゲット及び同ターゲットを使用して形成された薄膜 |
| JPWO2005049882A1 (ja) * | 2003-11-19 | 2008-06-12 | 日鉱金属株式会社 | 高純度ハフニウム、同高純度ハフニウムからなるターゲット及び薄膜並びに高純度ハフニウムの製造方法 |
| KR100766275B1 (ko) * | 2003-11-19 | 2007-10-15 | 닛코킨조쿠 가부시키가이샤 | 고순도 하프늄, 동 고순도 하프늄으로 이루어진 타겟트 및박막과 고순도 하프늄의 제조방법 |
| WO2005049882A1 (ja) * | 2003-11-19 | 2005-06-02 | Nikko Materials Co., Ltd. | 高純度ハフニウム、同高純度ハフニウムからなるターゲット及び薄膜並びに高純度ハフニウムの製造方法 |
| JP2007527839A (ja) * | 2004-03-01 | 2007-10-04 | プラクスエア・テクノロジー・インコーポレイテッド | 低ジルコニウムのハロゲン化ハフニウム組成物 |
| JP4852527B2 (ja) * | 2004-03-01 | 2012-01-11 | プラクスエア・テクノロジー・インコーポレイテッド | 低ジルコニウムのハロゲン化ハフニウム組成物 |
| JP5032316B2 (ja) * | 2005-07-07 | 2012-09-26 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 高純度ハフニウム、高純度ハフニウムからなるターゲット及び薄膜並びに高純度ハフニウムの製造方法 |
| JPWO2007007498A1 (ja) * | 2005-07-07 | 2009-01-29 | 日鉱金属株式会社 | 高純度ハフニウム、高純度ハフニウムからなるターゲット及び薄膜並びに高純度ハフニウムの製造方法 |
| JP2011090010A (ja) * | 2006-05-26 | 2011-05-06 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 分析試料の融解用ジルコニウムるつぼ、分析試料の作製方法及び分析方法 |
| EP2194564B1 (en) * | 2008-12-04 | 2013-05-22 | Varian Medical Systems, Inc. | X-ray target assembly and methods for manufacturing same |
| WO2010110064A1 (ja) | 2009-03-23 | 2010-09-30 | 日鉱金属株式会社 | ジルコニウムるつぼ |
| JPWO2010110064A1 (ja) * | 2009-03-23 | 2012-09-27 | Jx日鉱日石金属株式会社 | ジルコニウムるつぼ |
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| JP4104039B2 (ja) | 2008-06-18 |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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