JP4917055B2 - 高純度ジルコニウム又はハフニウムの製造方法 - Google Patents
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Description
このため、従来のシリコンでは役に立たず、シリコンよりも誘電率の高い材料を用いなければならないが、このような材料として20前後の高い誘電率を持ち、Siと混ざりにくいZrO2及びHfO2使用が考えられる。
しかし、ZrO2及びHfO2は酸化剤を通過させ易いこと、また成膜時やその後のアニールにおいて誘電率の小さい界面層を形成させてしまう欠点があるので、ZrO2及びHfO2に替えてZrSi2及びHfSi2の使用も考えられる。
このようなゲート酸化膜又はシリサイド膜として使用する場合には、Zr若しくはHfターゲット又はこれらのシリサイドターゲットをアルゴン等の不活性ガス雰囲気中又は反応性ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって形成することが考えられるが、いずれの場合もZr及びHfが中心原料となる。
すなわち、
Na、K等のアルカリ金属元素
U、Th等の放射性元素
Fe、Ni、Co、Cr、Cu等の遷移金属若しくは重金属又は高融点金属元素
C、O、N、H等のガス成分元素
を極力減少させ、4Nすなわち99.99%(重量)以上の純度をもつことが必要である。なお、本明細書中で使用する%、ppm、ppbは全て重量%、重量ppm、重量ppbを示す。
上記半導体デバイス中に存在する不純物であるNa、K等のアルカリ金属は、ゲート絶縁膜中を容易に移動しMOS−LSI界面特性の劣化の原因となり、U、Th等の放射性元素は該元素より放出するα線によって素子のソフトエラーの原因となり、さらに不純物として含有されるFe、Ni、Co、Cr、Cu等の遷移金属若しくは重金属又は高融点金属元素は界面接合部のトラブルの原因となることが分かっている。
また、一般に無視されがちであるC、O、N、H等のガス成分もスパッタリングの際にパーティクル発生原因となるため、好ましくないと考えられる。
また、同様に一般に入手できる2Nレベルの純度のハフニウムスポンジについても表3に示すように、Cd:30ppm、Co:10ppm、Cr:150ppm、Cu:50ppm、Fe:300ppm、Mn:25ppm、Nb:30ppm、Ni:75ppm、Ta:100ppm、O:500ppm、N:60ppmなど大量の不純物が含有されている。
これらの不純物は、いずれも半導体としての動作機能を阻害するものばかりであり、このような半導体デバイスに対して有害である不純物を効率的に除去することが必要である。
しかし、従来はジルコニウム又はハフニウムを半導体デバイスにおけるゲート酸化膜として使用するという実績が少なく、またこれらの不純物を除去する精製技術が特殊でありコスト高になるために、考慮されずに放置されているに等しい状態であった。
また、酸素、炭素等のガス成分の発生を抑制してスパッタリング時のパーティクル発生を効果的に減少させることのできるガス成分の少ないジルコニウム又はハフニウムスパッタリングターゲットに有用である材料を得る。
1.2N〜3Nレベルのジルコニウムスポンジ原料の表面付着物を弗硝酸により除去した後、該スポンジ原料を原料の溶解時に揮発する揮発性元素の箔で包んでコンパクト材とし、このコンパクト材を電子ビーム溶解炉に投入しつつ電子ビーム溶解し、酸素、炭素などのガス成分を除く不純物含有量が100ppm未満であり、アルカリ金属元素の含有量が総計で1ppm以下、放射性元素の総計が5ppb以下、Hfを除く遷移金属若しくは重金属又は高融点金属元素が総計で50ppm以下、残部がジルコニウム及びその他の不可避不純物である高純度ジルコニウムの製造方法、を提供する。
2.2N〜3Nレベルのハフニウムスポンジ原料の表面付着物を弗硝酸により除去した後、該スポンジ原料を原料の溶解時に揮発する揮発性元素の箔で包んでコンパクト材とし、このコンパクト材を電子ビーム溶解炉に投入しつつ電子ビーム溶解し、酸素、炭素などのガス成分を除く不純物含有量が100ppm未満であり、アルカリ金属元素の含有量が総計で1ppm以下、放射性元素の総計が5ppb以下、Zrを除く遷移金属若しくは重金属又は高融点金属元素が総計で50ppm以下、残部がハフニウム及びその他の不可避不純物である高純度ハフニウムの製造方法、を提供する。
また、酸素、炭素等のガス成分の発生を抑制してスパッタリング時のパーティクル発生を効果的に減少させることのできるガス成分の少ないジルコニウム又はハフニウムスパッタリングターゲットを得ることができ、半導体デバイスにおけるゲート酸化膜等の製造に有用である材料を得ることができる著しい特徴を有している。
スポンジの表面を清浄にした後電子ビーム溶解ができるように、通常は該スポンジ原料をプレスにより圧縮してコンパクトにするが、この場合ジルコニウム又はハフニウムスポンジ原料が非常に脆いためにぼろぼろと崩れてしまう問題がある。
このため、Al、Zn、Cu、Mg等の揮発性元素の箔で包んでコンパクト材とする。このコンパクト材を電子ビーム溶解炉に投入しつつ電子ビーム溶解する。
電子ビーム溶解は真空中で実施するため、前記揮発性金属元素は溶解直後に、ガス成分や溶湯またはそこに浮上しているその他の不純物と共に揮発除去されるので、汚染物質とはならない。
以上により、高純度ジルコニウムにおいては、半導体材料の機能を低下させる不純物、すなわちNa、Kなどのアルカリ金属元素の含有量が総計で1ppm以下、U、Thなどの放射性元素の含有量が総計で5ppb以下、Hfを除くFe、Ni、Co、Cr、Cuなどの遷移金属若しくは重金属又は高融点金属元素が総計で50ppm以下となり、問題となるレベル以下に低減することができる。
酸素、炭素などのガス成分の含有量を低減することは難しいのであるがそれでも1000ppm未満にすることが可能であり、原材料に比べてはるかに低いガス成分の含有量の高純度ジルコニウムを得ることができる。
高純度ハフニウムにおいてはZrを減少させることは非常に難しい。しかし、その含有量は0.5%以下にまで達成できる。また、高純度ハフニウムにおいてはZrが混入すること自体、半導体の特性を悪化させることはないので、問題となるレベルではない。
(実施例1)
表1に示す純度(3Nレベル)の原料ジルコニウムスポンジを弗硝酸で洗浄し、表面に付着している不純物を除去した後、これをZn箔で包んでコンパクトとした。
次に、このコンパクトを電子ビーム溶解炉に導入し電子ビーム溶解を実施した。この時の電子ビーム溶解の条件は次の通りである。
真空度: 2×10−4Torr
電流: 1.25A
鋳造速度: 20kg/hr
電力源単位: 4kwh/kg
以上により得られた高純度ジルコニウムの不純物分析結果を表2に示す。
特に、Na、Kなどのアルカリ金属元素の含有量が総計で1ppm以下、U、Thなどの放射性元素の含有量が総計で5ppb以下、Hfを除くFe、Ni、Cr、Zrなどの遷移金属若しくは重金属又は高融点金属元素が総計で50ppm以下、残部がジルコニウム及びその他の不可避不純物である高純度ジルコニウムが得られた。
また、表2に表示していないその他の不純物については、そられの殆どが0.1ppm未満であった。
上記表2に示す通り、一般にジルコニウムに含有されるハフニウムは高濃度となるが、それでもハフニウムは原料の半分以下、すなわち27ppmに減少した。
上記の通り、電子ビーム溶解する際、ジルコニウムスポンジのコンパクトはZn箔で包んでコンパクトにし、これを溶解炉に導入したものであるが、Zn箔は電子ビーム溶解時に揮発し、ジルコニウムに含有される量は0.1ppm未満であり、不純物としては問題とならない混入量であった。
なお、このようなZn等の箔で包まずプレスによりジルコニウムスポンジだけで押し固めコンパクトにしようとしたが、プレスの作業の途中でボロボロと崩れてしまい、コンパトとすることができなかった。したがって、Al、Zn、Cu、Mg等の揮発性元素の箔で包んでコンパクトにすることは、上記高純度ジルコニウムを製造するための必要かつ望ましい条件である。
表3に示す純度(2Nレベル)のハフニウムスポンジを実施例1と同様に弗硝酸で洗い、表面に付着している不純物を除去した後、これをZn箔で包んでコンパクトとした。
次に、このコンパクトを電子ビーム溶解炉に導入し、電子ビーム溶解を実施した。この時の電子ビーム溶解の条件は実施例1と同様で、次の通りである。
真空度: 2×10−4Torr
電流: 1.25A
鋳造速度: 20kg/hr
電力源単位: 4kwh/kg
以上により得られた高純度ハフニウムの不純物分析結果を表4に示す。
特に、Na、Kなどのアルカリ金属元素の含有量が総計で1ppm以下、U、Thなどの放射性元素の含有量が総計で5ppb以下、Hfを除くFe、Ni、Cr、Zrなどの遷移金属若しくは重金属又は高融点金属元素が総計で50ppm以下、残部がハフニウム及びその他の不可避不純物である高純度ハフニウムが得られた。表4に表示していないその他の不純物については、そられの殆どが0.1ppm未満であった。
上記の通り、電子ビーム溶解する際、ハフニウムスポンジのコンパクトはZn箔で包んでコンパクトにし、これを溶解炉に導入したものであるが、Zn箔は電子ビーム溶解時に揮発し、ハフニウムに含有される量は0.1ppm未満であり、不純物としては問題とならない混入量であった。
なお、このようなZn等の箔で包まずプレスによりハフニウムスポンジだけで押し固めコンパクトにしようとしたが、プレスの作業の途中でボロボロと崩れてしまい、コンパトとすることができなかった。したがって、Al、Zn、Cu、Mg等の揮発性元素の箔で包んでコンパクトにすることは、上記高純度ハフニウムを製造するための必要かつ望ましい条件である。
上記表4に示す通り、一般にハフニウムに含有されるジルコニウムは高濃度となるが、それでもハフニウムは原料の1/7程度、すなわち3500ppmに減少した。
また、酸素、炭素等のガス成分の発生を抑制してスパッタリング時のパーティクル発生を効果的に減少させることのできるガス成分の少ないジルコニウム又はハフニウムスパッタリングターゲットを得ることができ、半導体デバイスにおけるゲート酸化膜等の製造に有用である。
Claims (2)
- 2N〜3Nレベルのジルコニウムスポンジ原料の表面付着物を弗硝酸により除去した後、該スポンジ原料を原料の溶解時に揮発する揮発性元素の箔で包んでコンパクト材とし、このコンパクト材を電子ビーム溶解炉に投入しつつ電子ビーム溶解し、酸素、炭素などのガス成分を除く不純物含有量が100ppm未満であり、アルカリ金属元素の含有量が総計で1ppm以下、放射性元素の総計が5ppb以下、Hfを除く遷移金属若しくは重金属又は高融点金属元素が総計で50ppm以下、残部がジルコニウム及びその他の不可避不純物である高純度ジルコニウムの製造方法。
- 2N〜3Nレベルのハフニウムスポンジ原料の表面付着物を弗硝酸により除去した後、該スポンジ原料を原料の溶解時に揮発する揮発性元素の箔で包んでコンパクト材とし、このコンパクト材を電子ビーム溶解炉に投入しつつ電子ビーム溶解し、酸素、炭素などのガス成分を除く不純物含有量が100ppm未満であり、アルカリ金属元素の含有量が総計で1ppm以下、放射性元素の総計が5ppb以下、Zrを除く遷移金属若しくは重金属又は高融点金属元素が総計で50ppm以下、残部がハフニウム及びその他の不可避不純物である高純度ハフニウムの製造方法。
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