JP2002105202A - ビス(3−アミノ−5−アリール−4−ヒドロキシアリール)フルオロアルカン誘導体 - Google Patents

ビス(3−アミノ−5−アリール−4−ヒドロキシアリール)フルオロアルカン誘導体

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JP2002105202A
JP2002105202A JP2000303464A JP2000303464A JP2002105202A JP 2002105202 A JP2002105202 A JP 2002105202A JP 2000303464 A JP2000303464 A JP 2000303464A JP 2000303464 A JP2000303464 A JP 2000303464A JP 2002105202 A JP2002105202 A JP 2002105202A
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JP
Japan
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carbon atoms
bis
group
acid
aryl
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Application number
JP2000303464A
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English (en)
Inventor
Kenji Adachi
健二 足達
Yutaka Ohira
豊 大平
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Daikin Industries Ltd
Original Assignee
Daikin Industries Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 種々のポリマーにおいて重要なモノマーであ
るビス(3-アミノ-5-アリール-4-ヒドロキシアリール)
フルオロアルカン誘導体を提供する。 【解決手段】 一般式(1) で表されるビス(3-アミノ-5-アリール-4-ヒドロキシア
リール)フルオロアルカン誘導体。 (式中、Xは、 である。RfおよびRfは、同一または異なって、
炭素数1〜10個のペルフルオロアルキル基であり、直
鎖状または分枝鎖状の鎖状構造でも環状構造でもよい。
また、このRfおよびRfは、これらが結合する炭
素原子と共に互いに結合して炭素数3〜8個のフルオロ
シクロアルキルを形成してもよい。R、R、R
およびRは、同一または異なって、水素原子、炭
素数1〜20個のアルコキシ基、炭素数6〜30個のア
リールオキシ基、置換基を有することのある炭素数1〜
20個のアルキル基または置換基を有することのある炭
素数6〜30個のアリール基である。)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、種々のポリマーに
おいて重要なモノマーであるビス(3-アミノ-5-アリー
ル-4-ヒドロキシアリール)フルオロアルカン誘導体、
およびそれを用いたポリマーに関する。
【0002】
【従来の技術と発明が解決しようとする課題】ビス(3-
アミノ-4-ヒドロキシアリール)フルオロアルカン誘導
体は種々のポリマーの重要なモノマーであることが知ら
れている(特開2000-109558号;特開2000-219742号;特
開2000-212281号;フッ素ポリマーの開発と用途展開,
高薄一弘,株式会社技術情報協会,pp211-234)。しか
しながら、このモノマーからなる種々のポリマーは耐熱
性、電気絶縁性、低誘電率化に対して必ずしも十分では
なく、今後さらに発展した高性能な材料としていくため
には、現在の化合物よりもより一層高い耐熱性、電気絶
縁性、低誘電率化が要求されることは必至である。
【0003】本発明の目的は、ビス(3-アミノ-4-ヒド
ロキシアリール)フルオロアルカン誘導体をモノマーと
して合成されるポリマーにおける耐熱性、電気絶縁性、
低誘電率化をより一層高め、従来技術の問題点を解決す
るために、新規なビス(3-アミノ-5-アリール-4-ヒドロ
キシアリール)フルオロアルカン誘導体を提供すること
にある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意研究
を重ねた結果、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシアリー
ル)フルオロアルカン誘導体をモノマーとして合成され
るポリマーにおける耐熱性、電気絶縁性、低誘電率化を
改善するためには、アリール基をビス(3-アミノ-4-ヒ
ドロキシアリール)フルオロアルカン誘導体の2つのア
リール基の5位にそれぞれ1つずつ導入し、ビス(3-ア
ミノ-5-アリール-4-ヒドロキシアリール)フルオロアル
カン誘導体とする方法が、優れていることを見い出し、
本発明を完成させた。
【0005】すなわち、本発明は、下記に示すとおりの
ビス(3-アミノ-5-アリール-4-ヒドロキシアリール)フ
ルオロアルカン誘導体およびそれを用いて得られるポリ
マーを提供するものである。 項1. 一般式(1)
【0006】
【化7】
【0007】(式中、Xは、
【0008】
【化8】
【0009】である。Rf1およびRf2は、同一または異な
って、炭素数1〜10個のペルフルオロアルキル基であ
り、直鎖状または分枝鎖状の鎖状構造でも環状構造でも
よい。また、このRf1およびRf2は、これらが結合する炭
素原子と共に互いに結合して炭素数3〜8個のフルオロ
シクロアルキルを形成してもよい。R1、R2、R3、R4およ
びR5は、同一または異なって、水素原子、炭素数1〜2
0個のアルコキシ基、炭素数6〜30個のアリールオキ
シ基、置換基を有することのある炭素数1〜20個のア
ルキル基または置換基を有することのある炭素数6〜3
0個のアリール基である。)で表されるビス(3-アミノ
-5-アリール-4-ヒドロキシアリール)フルオロアルカン
誘導体。 項2. 一般式(2)
【0010】
【化9】
【0011】(式中、Xは、
【0012】
【化10】
【0013】である。Rf1およびRf2は、同一または異な
って、炭素数1〜10個のペルフルオロアルキル基であ
り、直鎖状または分枝鎖状の鎖状構造でも環状構造でも
よい。また、このRf1およびRf2は、これらが結合する炭
素原子と共に互いに結合して炭素数3〜8個のフルオロ
シクロアルキルを形成してもよい。R1、R2、R3、R4およ
びR5は、同一または異なって、水素原子、炭素数1〜2
0個のアルコキシ基、炭素数6〜30個のアリールオキ
シ基、置換基を有することのある炭素数1〜20個のア
ルキル基または置換基を有することのある炭素数6〜3
0個のアリール基である。)で表されるビス(3-アリー
ル-4-ヒドロキシアリール)フルオロアルカン誘導体。 項3. Rf1およびRf2がトリフルオロメチル基である項
1または2に記載の化合物。 項4. 項1〜3のいずれかに記載の化合物をモノマー
として少なくとも1種含むポリマー。 項5. 一般式(3)
【0014】
【化11】
【0015】(式中、Yは単結合またはXである。Xは、
【0016】
【化12】
【0017】である。Rf1およびRf2は、同一または異な
って、炭素数1〜10個のペルフルオロアルキル基であ
り、直鎖状または分枝鎖状の鎖状構造でも環状構造でも
よい。また、このRf1およびRf2は、これらが結合する炭
素原子と共に互いに結合して炭素数3〜8個のフルオロ
シクロアルキルを形成してもよい。R1、R2、R3、R4およ
びR5は、同一または異なって、水素原子、炭素数1〜2
0個のアルコキシ基、炭素数6〜30個のアリールオキ
シ基、置換基を有することのある炭素数1〜20個のア
ルキル基または置換基を有することのある炭素数6〜3
0個のアリール基である。nは3〜200である。)で
表される含フッ素ポリベンゾオキサゾール樹脂。 項6. 項4または5に記載のポリマーを成形してな
る、半導体の多層配線用層間絶縁膜。
【0018】
【発明の実施の形態】炭素数1〜10個のペルフルオロ
アルキル基としては、直鎖または分枝鎖状の鎖状構造ま
たは環状構造のペルフルオロアルキル基が挙げられ、ト
リフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、n-ヘプタフ
ルオロプロピル、ヘプタフルオロイソプロピル、n-ノナ
フルオロブチル、ノナフルオロイソブチル、sec-ノナフ
ルオロブチル、tert-ノナフルオロブチル、ウンデカフ
ルオロペンチル、ノナフルオロシクロペンチル、トリデ
カフルオロヘキシル、ウンデカフルオロシクロヘキシ
ル、ペンタデカフルオロヘプチル、トリデカフルオロシ
クロヘキシルメチル、ヘプタデカフルオロオクチル、ノ
ナデカフルオロノニル、ヘンエイコサフルオロデシル基
などのペルフルオロアルキル基が挙げられる。Rf1とRf2
が、これらが結合する炭素原子と共に互いに結合してフ
ルオロシクロアルキルを形成するものとしては、Rf1
よびRf2がテトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロト
リメチレン、オクタフルオロテトラメチレン、デカフル
オロペンタメチレン、ドデカフルオロヘキサメチレン、
オクタフルオロメチルトリメチレン、デカフルオロジメ
チルトリメチレン、ドデカフルオロメチルペンタメチレ
ン、テトラデカフルオロジメチルペンタメチレン基であ
るものなどが挙げられる。
【0019】置換基を有することのある炭素数1〜20
個のアルキル基としては、直鎖または分枝鎖状の鎖状構
造または環状構造のアルキル基、直鎖または分枝鎖状の
鎖状構造または環状構造のハロアルキル基、直鎖または
分枝鎖状の鎖状構造または環状構造のアルコキシアルキ
ル基が挙げられる。直鎖または分枝鎖状の鎖状構造また
は環状構造のアルキル基としては、メチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル、tert-ブチル、ペンチ
ル、へプチル、オクチル、ノニル、デシル、シクロプロ
ピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチ
ル、アミル、ベンジル、ニトロベンジル、シアノベンジ
ル、ハロベンジル基などのアルキル基が挙げられる。直
鎖または分枝鎖状の鎖状構造または環状構造のハロアル
キル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロ
ピル、ブチル、tert-ブチル、ペンチル、へプチル、オ
クチル、ノニル、デシル、シクロプロピル、シクロペン
チル、シクロヘキシル、シクロヘプチル基などのアルキ
ル基の水素原子の少なくとも1つが、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子、ヨウ素原子などで置換されたハロアル
キル基が挙げられる。直鎖または分枝鎖状の鎖状構造ま
たは環状構造のアルコキシアルキル基としては、メトキ
シメチル、メトキシエチル、メトキシプロピル、メトキ
シブチル、エトキシメチル、エトキシエチル、エトキシ
プロピル、プロポキシエチル、t-ブトキシメチル、ベン
ジルオキシメチル、2,2,2-トリクロロエトキシメチル、
テトラヒドロピラニル、テトラヒドロフラニル、1-エト
キシエチル、1-メチル-1-メトキシエチル、1-(イソプロ
ポキシ)エチルなどのアルコキシアルキル基が挙げられ
る。
【0020】置換基を有することのある炭素数6〜30
個のアリール基としては、フェニル、ナフチル、ビフェ
ニル、ターフェニル、ジフェニルフェニル、p-クロロフ
ェニル、p-フルオロフェニル、ニトロフェニル、シアノ
フェニル、トリフルオロメチルフェニル基などのアリー
ル基が挙げられる。
【0021】本発明における一般式(1)で表されるビ
ス(3-アミノ-5-アリール-4-ヒドロキシアリール)フル
オロアルカン誘導体は、幾何異性体を示したものではな
く、下記の一般式(A)の化合物と一般式(B)の化合
物が存在する場合、その両方を示すものである。
【0022】
【化13】
【0023】本発明におけるビス(3-アミノ-5-アリー
ル-4-ヒドロキシアリール)フルオロアルカン誘導体を
以下に例示する(化合物1〜30)が、これらに限定さ
れるものではない。
【0024】
【化14】
【0025】
【化15】
【0026】
【化16】
【0027】一般式(1)で表されるビス(3-アミノ-5
-アリール-4-ヒドロキシアリール)フルオロアルカン誘
導体の合成中間体は、一般式(2)で表されるビス(3-
アリール-4-ヒドロキシアリール)フルオロアルカン誘
導体である。
【0028】この一般式(2)で表されるビス(3-アリ
ール-4-ヒドロキシアリール)フルオロアルカン誘導体
の製造方法としては、Xが下記式である場合(化合物1
〜25)は、下記の式(4)で示されるように、対応す
る2-アリールフェノール誘導体と対応するパーフルオロ
アルキルケトンを、酸共存下に反応させればよい。
【0029】
【化17】
【0030】一般式(2)で表されるビス(3-アリール
-4-ヒドロキシアリール)フルオロアルカン誘導体の製
造方法としては、Xが下記式である場合(化合物26〜
30)は、下記の式(5)で示されるように、対応する
2-アリールフェノール誘導体と対応するアリールフルオ
ロアルカノールを、酸共存下に反応させればよい。
【0031】
【化18】
【0032】さらに、一般式(2)で表されるビス(3-
アリール-4-ヒドロキシアリール)フルオロアルカン誘
導体は、下記の式(6)で示される方法によっても製造
できる。すなわち、ビス(4-ヒドロキシアリール)フル
オロアルカン誘導体の水酸基を保護し、3,3'位をハロゲ
ン化し、無置換または置換アリールボロン酸でC−アリ
ール化後、水酸基の脱保護を行うことにより得られる。
【0033】
【化19】
【0034】一般式(1)で表されるビス(3-アミノ-5
-アリール-4-ヒドロキシアリール)フルオロアルカン誘
導体は、下記の式(7)で示されるように、一般式
(2)で表されるビス(3-アリール-4-ヒドロキシアリ
ール)フルオロアルカン誘導体をニトロ化し、次いで還
元することにより得られる。
【0035】
【化20】
【0036】上記の式(4)および(5)に示す反応に
おいて用いられる酸としては、例えば、硫酸、硝酸、リ
ン酸、ポリリン酸、フッ化水素、フッ酸、塩酸、臭化水
素、沃化水素、次亜塩素酸、亜塩素酸、塩素酸、過塩素
酸、過臭素酸、過沃素酸等のハロゲン化水素またはハロ
ゲン化水素酸、次亜ハロゲン酸、亜ハロゲン酸、ハロゲ
ン酸、または過ハロゲン酸:フルオロスルホン酸、クロ
ロスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、
トリフルオロメタンスルホン酸、ジフルオロメタンスル
ホン酸、トリクロロメタンスルホン酸、パーフルオロブ
タンスルホン酸、パーフルオロオクタンスルホン酸、ベ
ンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、ニトロベンゼ
ンスルホン酸等のスルホン酸またはポリスチレンスルホ
ン酸、フッ素化スルホン酸樹脂(Nafion-H)等のポリマ
ー担持スルホン酸:ギ酸、酢酸、プロピオン酸、クロル
酢酸、ブロム酢酸、ジクロル酢酸、トリクロル酢酸、ト
リフルオロ酢酸、グリコール酸、乳酸、安息香酸、シュ
ウ酸、コハク酸等のカルボン酸:SO3、BF3、BCl3、B(OC
H3)3、B(OCOCH3)3、AlCl3、AlBr3、SbF3、SbCl3、Sb
F5、PF3、PF5、AsF3、AsCl3、AsF5、TiCl4、NbF5、TaF5
等のルイス酸またはそのエーテル等との錯体:HBF4、HP
F6、HAsF6、HSbF6、HSbCl6等のルイス酸とハロゲン化水
素とからなる酸またはこれらのエーテル等との錯体:ま
たはこれらの2種以上の混合物を例示することができ
る。またここで使用する酸は、さまざまな担体に担持さ
れていてもよい。担体としては、SiO2、メチル化SiO2
Al2O3、Al2O3-WB、MoO3、ThO2、Cr2O3、SiO2-Al2O3、Si
O2-TiO2、SiO2-ZrO2、TiO2-ZrO2、Al2O3-B2O3、SiO2-WO
3、SiO2-NH4F、HSO3Cl-Al2O3、HF-NH4-Y、HF-Al2O3、NH
4F-SiO2-Al2O3、AlF3-Al2O3、Ru-F-Al2O3、F-Al2O3、KF
-Al2O3、AlPO4、AlF3、ボーキサイト、カオリン、活性
炭、グラファイト、Pt-グラファイト、イオン交換樹
脂、金属硫酸塩、塩化物、Alなどの金属、Al-Mg、Ni-Mo
などの合金、ポリスチレンなどのポリマーなどが挙げら
れる。
【0037】酸の量としては、触媒量から大過剰であ
り、反応溶媒として用いることもできる。その他の溶媒
は用いない方が好ましいが、必要とあれば、酸との配位
力の低い溶媒を用いることが好ましい。例えば、クロロ
ホルム、ジクロロメタン、クロロメタン、四塩化炭素、
クロロエタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テ
トラクロロエタン、トリクロロトリフルオロエタン、テ
トラフルオロエタン、クロロトリフルオロエタン、パー
フルオロペンタン、パーフルオロヘキサン、パーフルオ
ロオクタンなどのハロゲン化炭化水素が挙げられる。
【0038】反応温度は、20〜250℃の範囲内であ
ればよく、好ましくは60〜150℃である。
【0039】ハロゲン化反応(上記の式(6))、C−ア
リール化反応(上記の式(6))、水酸基の脱保護(上記
の式(6))、ニトロ化反応(上記の式(7))、ニトロ基
のアミノ基への還元反応(上記の式(7))は、すべて公
知の方法であり、通常の有機化学的手法を用いて、実施
することができる。公知の方法としては、例えば、Orga
nofluorine Chemistry, Principles and Commercial Ap
plications, Banks, R. E., Smart, B. E., Tatlow, J.
C., Eds,; Plenum: New York, 1994; pp413-429.;Jou
rnal of Organic Chemistry, 1999, 64, 4220で示され
た方法が、挙げられる。
【0040】ビス(3-アミノ-5-アリール-4-ヒドロキシ
アリール)フルオロアルカン誘導体は、通常のカラムク
ロマトグラフィー、蒸留または再結晶、活性炭などの吸
着剤を用いる方法、あるいはこれらの方法を組み合わせ
ることにより、精製することができる。
【0041】一般式(1)で表されるビス(3-アミノ-5
-アリール-4-ヒドロキシアリール)フルオロアルカン誘
導体を用いて得られるポリマーとしては、例えば、ポリ
ベンゾオキサゾールが挙げられる。
【0042】以下にポリマーを例示するが、これらのポ
リマーに限定されるものではない。
【0043】例えば、ポリベンゾオキサゾールであれ
ば、
【0044】
【化21】
【0045】
【化22】
【0046】
【化23】
【0047】などを例示することができる。
【0048】これらのポリマーを合成するにあたって
は、公知の方法(最新耐熱性高分子,三田達,株式会社
総合技術センター,pp14-39;特開2000-109558号;特開
2000-219742号;特開2000-212281号)を用いることがで
きる。
【0049】これらのポリマーの用途としては、例え
ば、電子材料(層間絶縁膜、プリント基板、電線の絶縁
材、LSIの表面保護膜、コネクター、スイッチ)、光学
用途(光ファイバー、光学接着剤)、航空機部品、自動
車部品、記録媒体基板、耐熱接着剤、耐熱摺動材、機械
部品、電気部品、配管材料、塗料、レジスト材料などを
挙げることができるが、特に半導体の多層配線用層間絶
縁膜に用いるのが好ましい。
【0050】
【発明の効果】本発明は、有用なモノマーである新規な
ビス(3-アミノ-5-アリール-4-ヒドロキシアリール)フ
ルオロアルカン誘導体を提供する。これらのモノマーを
用いて、より耐熱性、電気絶縁性、低誘電率化に優れた
ポリマーを提供することができる。
【0051】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例によってなんら限定
されるものではない。
【0052】実施例1 2,2-ビス(4-ヒドロキシ-3-フ
ェニルフェニル)ヘキサフルオロプロパンの合成
【0053】
【化24】
【0054】o-フェニルフェノール1.36g(8.0
mmol)を50cc耐圧反応管に仕込み、−75℃に冷却
したトラップ管にヘキサフルオロアセトン0.5ml
(0.65g:4.0mmol)を捕捉して、−75℃に冷
却した耐圧反応管に移した。次いで、同温度で無水フッ
化水素6g(300mmol)を充填した。混合物を80℃
で12時間撹拌後、−70℃に冷却した。反応混合物を
炭酸水素ナトリウム35g−水300g−酢酸エチル1
00mlの混合物へ注ぎ、有機層を分離した。水層を酢酸
エチル50mlで2回抽出し、有機層を合して飽和炭酸水
素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄、硫酸ナトリウ
ムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。
【0055】残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー(展開溶媒;ヘキサン:酢酸エチル=3:1)に付して2,2
-ビス(4-ヒドロキシ-3-フェニルフェニル)ヘキサフル
オロプロパン0.433g(22.6%)を融点149
〜152℃の白色固体として得た。 Rf=0.24(n-hexane:AcOEt=3:1). IR(KBr) cm-1 : 3548, 1616, 1506, 1489, 1253, 1206,
1168, 1133, 1025, 971, 960, 820, 772, 730, 716, 7
02.1 H-NMR(CDCl3; TMS)δ: 5.7(bs, 2H, OH), 7.0 (d, J=
9.6Hz, 2H, Ar-H), 7.2-7.6(m, 14H, Ar-H).19 F-NMR(CDCl3; CFCl3)δ : -64.5(s,6F). Low Mass : 488(M+), 419(M-CF3)+. High Mass : 488.12161(実測値); 488.12110(C27H
18F6O2に対する計算値)。
【0056】実施例2 2,2-ビス(4-ヒドロキシ-3-ニ
トロ-5-フェニルフェニル)ヘキサフルオロプロパンの
合成
【0057】
【化25】
【0058】2,2-ビス(4-ヒドロキシ-3-フェニルフェ
ニル)ヘキサフルオロプロパン0.41g(0.84mm
ol)を4.6mlの酢酸に溶解し、室温撹拌下、60%硝
酸0.38mlを加えた。室温で5分間撹拌することで、
黄色の結晶が析出した。同温度で30分撹拌した後、6
0℃で2時間撹拌した。水50mlで希釈して、ジクロロ
メタン50mlで2回抽出した。有機層を合して飽和食塩
水で洗浄後、硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。
【0059】残渣の黄色結晶をヘキサン:酢酸エチル=4:
1から再結晶して2,2-ビス(4-ヒドロキシ-3-ニトロ-5-
フェニルフェニル)ヘキサフルオロプロパン0.47g
(96%)を融点174.5〜175.0℃の黄色結晶
として得た。 Rf=0.54(n-hexane:AcOEt=4:1). IR(KBr) cm-1 : 3206, 1621, 1541, 1469, 1414, 1332,
1255, 1215, 1186, 1148, 1136, 1006, 992, 967, 89
6, 779, 722, 697, 659.1 H-NMR(CDCl3; TMS)δ : 7.7-7.8(m, 10H, Ar-H), 7.6
(bd, J=1.8Hz, 2H, Ar-H), 8.3(bd, J=2.6Hz, 2H, Ar-
H), 11.2(bs, 2H, OH).19 F-NMR(CDCl3; CFCl3)δ : -64.5(s, 6F). Low Mass : 578(M+), 509(M-CF3)+. High Mass : 578.08979(実測値); 578.09126(C27H
16F6N2O6に対する計算値)。
【0060】実施例3 2,2-ビス(3-アミノ-4-ヒドロ
キシ-5-フェニルフェニル)ヘキサフルオロプロパンの
合成
【0061】
【化26】
【0062】2,2-ビス(4-ヒドロキシ-3-ニトロ-5-フェ
ニルフェニル)ヘキサフルオロプロパン0.24g
(0.42mmol)をメタノール10mlに溶解し、アルゴ
ン雰囲気下10%パラジウム/炭素0.11gを加えた
後、常圧水素雰囲気下で、30分室温で撹拌を行った。
不溶の原料が溶解しないので、60℃に加温しながら2
4時間激しく撹拌した。雰囲気を窒素に代えた後に反応
混合物をセライト濾過し、次いでメタノールで洗浄し
た。濾液および洗浄液を合して、減圧濃縮後の固体を酢
酸エチルに熱時溶解させた後、ヘキサンを加えて室温放
置することにより2,2-ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシ-5-
フェニルフェニル)ヘキサフルオロプロパン0.102
gを融点301〜308℃(分解)の白色結晶として得
た。
【0063】結晶母液をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー(展開溶媒;ヘキサン:酢酸エチル=3:2)に付し
て2,2-ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシ-5-フェニルフェニ
ル)ヘキサフルオロプロパン0.070gを白色固体と
して得た。
【0064】合計で0.172g(80.0%)を得
た。 Rf=0.14(n-hexane:AcOEt=2:1). IR(KBr) cm-1 : 3404, 3330, 1614, 1505, 1488, 1434,
1255, 1236, 1203, 1161, 1132, 1088, 965, 774, 72
6, 711.1 H-NMR((CD3)2CO; TMS)δ : 6.6(bs, 2H, Ar-H), 7.0(b
s, 2H, Ar-H), 7.2-7.7(m, 10H, Ar-H), 7.9(bs, 3H, N
H2およびOH).19 F-NMR((CD3)2CO; CFCl3)δ : -63.0(s, 6F). Low Mass : 518(M+), 449(M-CF3)+, High Mass : 518.14152(実測値); 518.14290(C27H
20F6N2O2に対する計算値)。
【0065】実施例4 2,2-ビス(4-ヒドロキシフェニ
ル)ヘキサフルオロプロパンのメトキシメチル化反応
【0066】
【化27】
【0067】水素化ナトリウム(50%)1.6g(3
3.3mmol)をn-ヘキサン20mlで2回洗浄して鉱油を
除去した後、脱水DMF30mlを加えた。0℃に冷却
し、アルゴン雰囲気下、懸濁撹拌しながら2,2-ビス(4-
ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン4.24
g(12.6mmol)と脱水DMF30mlとの溶液を加え
た。室温に昇温して、1時間撹拌した。再度0℃に冷却
して、クロロメチルメチルエーテル2.0ml(26.6
mmol)を加えた。室温で1時間撹拌後、水5mlを0℃で
滴下することにより反応を終了させた。室温において、
さらに水で希釈後、酢酸エチルで抽出した。有機層を合
して飽和食塩水で洗浄、硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒
を減圧留去した。
【0068】残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー(展開溶媒;ヘキサン:ジエチルエーテル=3:1)に付
して2,2-ビス(4-メトキシメチルオキシフェニル)ヘキ
サフルオロプロパン4.65g(86.9%)を得た。 Rf=0.50(n-hexane:Et2O=3:1).1 H-NMR(CDCl3; TMS)δ: 3.5(s, 6H, CH3×2), 5.2(s, 4
H, CH2×2), 6.9-7.4(m,8H, Ar-H).19 F-NMR(CDCl3; CFCl3)δ : -64.6(s, 6F). Low Mass : 424(M+), 393(M-CH3O)+, 355(M-CF3)+. High Mass : 424.11041(実測値); 424.11093(C19H
18F6O4に対する計算値)。
【0069】実施例5 2,2-ビス(3-ブロモ-4-メトキ
シメチルオキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンの合
【0070】
【化28】
【0071】2,2-ビス(4-メトキシメチルオキシフェニ
ル)ヘキサフルオロプロパン2.27g(5.35mmo
l)を、アルゴン雰囲気下、脱水ジエチルエーテル50m
lに溶解し、n-ブチルリチウム11ml(1.5M,1
6.5mmol)を室温撹拌下で加えた。同温度で3時間撹
拌後、0℃に冷却し、ジブロモテトラフルオロエタン
2.3ml(19.4mmol)とTHF(脱水)20mlとの
混合溶液を加えた。1.5時間要して室温に昇温後、同
温度で13時間撹拌した後に飽和塩化アンモニウム水溶
液で後処理し、酢酸エチルで2回抽出した。有機層を合
して飽和食塩水で洗浄後、硫酸ナトリウムで乾燥し、減
圧濃縮した。
【0072】残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー(展開溶媒;ヘキサン:酢酸エチル=4:1)に付して、
減圧濃縮後の残渣をジエチルエーテル−n-ヘキサンより
結晶化させることにより、2,2-ビス(3-ブロモ-4-メト
キシメチルオキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン
1.13g(36.3%)を得た。 Rf=0.48(n-hexane:AcOEt=3:1). IR(KBr) cm-1 : 2961, 2926, 1603, 1500, 1268, 1254,
1206, 1171, 1151, 1089, 1051, 983, 969, 926, 812,
744, 678.1 H-NMR(CDCl3; TMS)δ: 3.5(s, 6H, CH3×2), 5.2(s, 4
H, CH2×2), 7.1-7.6(m,6H, Ar-H).19 F-NMR(CDCl3; CFCl3)δ : -64.6(s, 6F). Low Mass : 582(M+), 551(M-CH3O)+, 501(M-Br)+. High Mass : 581.93039(実測値); 581.93003(C19H
16Br2F6O4に対する計算値)。
【0073】実施例6 2,2-ビス(3-ビフェニル-4-ヒ
ドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンの合成
【0074】
【化29】
【0075】テトラキス(トリフェニルホスフィン)パ
ラジウム0.107g(0.09mmol)をジメトキシエ
タン4mlにアルゴン雰囲気下懸濁し、2,2-ビス(3-ブロ
モ-4-メトキシメチルオキシフェニル)ヘキサフルオロ
プロパン1.03g(1.77mmol)のジメトキシエタ
ン6ml溶液を撹拌しながら室温で加えた。10分後、ビ
フェニルボロン酸1.05g(5.30mmol)のエタノ
ール-ジメトキシエタン(1:1 v/v)10ml溶液を加
えた。直ちに炭酸ナトリウム水溶液1.8ml(脱気済:
2M,3.6mmol)を加えてから、21時間還流した
(オイルバス温度:100℃)。放冷後の反応混合物を
セライト濾過し、ジメトキシエタンで洗浄した。濾液お
よび洗液を合して減圧濃縮し、残渣をジクロロメタンに
溶解後、水および飽和食塩水で洗浄した。有機層を硫酸
ナトリウムで乾燥後、減圧濃縮物をTHF10mlに溶か
し、濃塩酸0.4mlを加えて50℃で2時間加温した。
放冷後、水で希釈、酢酸エチル抽出して、飽和食塩水で
洗浄した有機層を硫酸ナトリウムで乾燥した。
【0076】減圧濃縮後の残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー(展開溶媒;ヘキサン:酢酸エチル=3:
1)に付して2,2-ビス(3-ビフェニル-4-ヒドロキシフェ
ニル)ヘキサフルオロプロパン0.783g(69.1
%)を白色固体として得た。 Rf=0.46(n-hexane:AcOEt=2:1). Rf=0.25(n-hexane:AcOEt=3:1) IR(KBr) cm-1 : 3381, 3030, 2979, 1601, 1500, 1486,
1255, 1200, 1171, 971, 839, 767, 699.1 H-NMR(CDCl3; TMS)δ : 5.5(bs, 2H, OH), 7.0(d, J=
8.9Hz, 2H, Ar-H), 7.3-7.8(m, 22H, Ar-H).19 F-NMR(CDCl3; CFCl3) δ : -64.5(s, 6F). Low Mass : 640(M+), 571(M-CF3)+. High Mass : 640.18416(実測値); 640.18370(C39H
26F6O2に対する計算値)。
【0077】実施例7 2,2-ビス(3-ビフェニル-4-ヒ
ドロキシ-5-ニトロフェニル)ヘキサフルオロプロパン
の合成
【0078】
【化30】
【0079】2,2-ビス(3-ビフェニル-4-ヒドロキシフ
ェニル)ヘキサフルオロプロパン0.54g(0.84
mmol)を4.6mlの酢酸に溶解し、室温撹拌下、60%
硝酸0.38mlを加えた。室温で5分間撹拌すること
で、黄色の結晶が析出した。同温度で9時間撹拌した。
水50mlで希釈して、ジクロロメタン50mlで2回抽出
した。有機層を合して飽和食塩水で洗浄後、硫酸ナトリ
ウムで乾燥し、減圧濃縮した。
【0080】残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー(展開溶媒;ヘキサン:酢酸エチル=4:1)に付して2,
2-ビス(3-ビフェニル-4-ヒドロキシ-5-ニトロフェニ
ル)ヘキサフルオロプロパン0.60g(97.8%)
を得た。エーテルから結晶化させることで、融点14
6.0〜147.5℃の黄色結晶として得た。 Rf=0.59(n-hexane:AcOEt=4:1). IR(KBr) cm-1 : 3208, 3122, 3031, 1736, 1724, 1621,
1546, 1489, 1467, 1422, 1401, 1324, 1256, 1208, 1
147, 1084, 1008, 970, 839, 776, 719, 696, 671.1 H-NMR(CDCl3; TMS)δ : 7.3-7.8(m, 20H, Ar-H), 8.3
(bd, J=2.6Hz, 2H, Ar-H), 11.3(bs, 2H, OH).19 F-NMR(CDCl3; CFCl3)δ : -64.5(s, 6F). Low Mass : 730(M+), 700(M-NO)+. High Mass : 730.15467(実測値); 730.15386(C39H
24F6N2O6に対する計算値)。
【0081】実施例8 2,2-ビス(3-アミノ-5-ビフェ
ニル-4-ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン
の合成
【0082】
【化31】
【0083】2,2-ビス(3-ビフェニル-4-ヒドロキシ-5-
ニトロフェニル)ヘキサフルオロプロパン0.30g
(0.41mmol)をメタノール10mlに溶解し、アルゴ
ン雰囲気下10%パラジウム/炭素0.11gを加えた
後、常圧水素雰囲気下で、60℃に加温しながら24時
間激しく撹拌した。雰囲気を窒素に代えた後に反応混合
物をセライト濾過し、次いでメタノールで洗浄した。濾
液および洗浄液を合して、減圧濃縮後の固体を酢酸エチ
ルに熱時溶解させた後、ヘキサンを加えて室温放置する
ことにより2,2-ビス(3-アミノ-5-ビフェニル-4-ヒドロ
キシフェニル)ヘキサフルオロプロパン0.17gの白
色結晶として得た。
【0084】結晶母液をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー(展開溶媒;ヘキサン:酢酸エチル=3:2)に付し
て2,2-ビス(3-アミノ-5-ビフェニル-4-ヒドロキシフェ
ニル)ヘキサフルオロプロパン0.07gを白色固体と
して得た。
【0085】合計で0.24g(87.2%)を得た。 Rf=0.22(n-hexane:AcOEt=3:1).1 H-NMR(CDCl3; TMS)δ: 5.7(bs, 2H, OH), 7.0 (d, J=
9.6Hz, 2H, Ar-H), 7.3-7.8(m, 20H, Ar-H), 7.9(bs, 3
H, NH2).19 F-NMR(CDCl3; CFCl3)δ : -64.5(s, 6F). Low Mass : 670(M+), 601(M-CF3)+
【0086】実施例9 2,2-ビス{4-ヒドロキシ-3-(4
-トリフルオロメチルフェニル)フェニル}ヘキサフル
オロプロパンの合成
【0087】
【化32】
【0088】テトラキス(トリフェニルホスフィン)パ
ラジウム0.073g(0.06mmol)をジメトキシエ
タン3mlにアルゴン雰囲気下懸濁し、2,2-ビス(3-ブロ
モ-4-メトキシメチルオキシフェニル)ヘキサフルオロ
プロパン0.70g(1.20mmol)のジメトキシエタ
ン4ml溶液を撹拌しながら室温で加えた。10分後、4-
トリフルオロメチルフェニルボロン酸0.69g(3.
6mmol)のエタノール3.5ml溶液を加えた。直ちに炭
酸ナトリウム水溶液1.25ml(脱気済:2M,2.5
mmol)を加えてから、21時間還流した(オイルバス温
度:90℃)。放冷後の反応混合物をセライト濾過し、
ジメトキシエタンで洗浄した。濾液および洗液を合して
減圧濃縮し、残渣をジクロメタンに溶解後、水および飽
和食塩水で洗浄した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥
後、減圧濃縮物をTHF7mlに溶かし、濃塩酸0.3ml
を加えて50℃で2時間加温した。放冷後、水で希釈、
酢酸エチル抽出して、飽和食塩水で洗浄した有機層を硫
酸ナトリウムで乾燥した。
【0089】減圧濃縮後の残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー(展開溶媒;ヘキサン:酢酸エチル=2:
1)に付して2,2-ビス{4-ヒドロキシ-3-(4-トリフルオ
ロメチルフェニル)フェニル}ヘキサフルオロプロパン
0.49g(65.3%)を得た。 Rf=0.37(n-hexane:AcOEt=4:1). IR(neat) cm-1 : 3369, 2990, 1708, 1619, 1519, 140
0, 1378, 1327, 1257, 1169, 1128, 1070, 1045, 970,
844, 715, 627.1 H-NMR(CDCl3; TMS)δ : 5.7(bs, 2H, OH), 6.8-7.4(m,
6H, Ar-H), 7.72(bd, 4H, J=8.2Hz), 7.58(bd, 4H, J=
8.2Hz).19 F-NMR(CDCl3; CFCl3) δ : -64.5(s, 6F). Low Mass : 624(M+), 555(M-CF3)+. High Mass : 624.09477(実測値); 624.09587(C29H
16F12O2に対する計算値)。
【0090】実施例10 2,2-ビス{4-ヒドロキシ-3-
ニトロ-5-(4-トリフルオロメチルフェニル)フェニ
ル}ヘキサフルオロプロパンの合成
【0091】
【化33】
【0092】2,2-ビス{4-ヒドロキシ-3-(4-トリフル
オロメチルフェニル)フェニル}ヘキサフルオロプロパ
ン0.26g(0.42mmol)を2.3mlの酢酸に溶解
し、室温撹拌下、60%硝酸0.19mlを加えた。同温
度で9時間撹拌した。水50mlで希釈して、ジクロロメ
タン50mlで2回抽出した。有機層を合して飽和食塩水
で洗浄後、硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。
【0093】残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー(展開溶媒;ヘキサン:酢酸エチル=6:1)に付して2,
2-ビス{4-ヒドロキシ-3-ニトロ-5-(4-トリフルオロメ
チルフェニル)フェニル}ヘキサフルオロプロパン0.
17g(57.1%)を得た。 Rf=0.38(n-hexane:AcOEt=6:1).1 H-NMR(CDCl3; TMS)δ : 7.74(bd, 4H, J=8.5Hz), 7.60
(bd, 4H, J=8.5Hz), 7.65(bd, J=2.4Hz, 2H, Ar-H), 8.
3(bd, J=2.4Hz, 2H, Ar-H), 11.3(s, 2H, OH).19 F-NMR(CDCl3; CFCl3) δ : -63.5(s, 6F), -64.7(s,
6F). Low Mass : 714(M+), 645(M-CF3)+
【0094】実施例11 2,2-ビス{3-アミノ-4-ヒド
ロキシ-5-(4-トリフルオロメチルフェニル)フェニ
ル}ヘキサフルオロプロパンの合成
【0095】
【化34】
【0096】2,2-ビス{4-ヒドロキシ-3-ニトロ-5-(4-
トリフルオロメチルフェニル)フェニル}ヘキサフルオ
ロプロパン0.20g(0.28mmol)をメタノール1
0mlに溶解し、アルゴン雰囲気下で10%パラジウム/
炭素0.10gを加えた後、常圧水素雰囲気下で、60
℃に加温しながら24時間激しく撹拌した。雰囲気を窒
素に代えた後に反応混合物をセライト濾過し、次いでメ
タノールで洗浄した。濾液および洗浄液を合して、減圧
濃縮後の残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(展開溶媒;ヘキサン:酢酸エチル=3:2)に付して2,2-
ビス{3-アミノ-4-ヒドロキシ-5-(4-トリフルオロメチ
ルフェニル)フェニル}ヘキサフルオロプロパン0.1
5g(81.9%)を得た。 Low Mass : 654(M+), 585(M-CF3)+
【0097】実施例12
【0098】
【化35】
【0099】2,2-ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシ-5-フェ
ニルフェニル)ヘキサフルオロプロパン5.18g(1
0mmol)、トリエチルアミン3.1ml(22mmol)を1-
メチル-2-ピロリジノン20mlに溶かし、氷浴にて冷却
した。窒素雰囲気下で、撹拌しながら1-メチル-2-ピロ
リジノン10mlに溶かした4,4'-ヘキサフルオロイソプ
ロピリデンジフェニル-1,1'-ジカルボニルクロライドCl
CO(C6H4)C(CF3)2(C6H4)COCl 4.29g(10mmol)を
30分間で滴下した。氷浴をはずし、室温で終夜撹拌し
た。反応溶液をイソプロパノール/水=40ml/200
mlに注ぎ、撹拌した。イソプロパノール/水=40ml/
200ml、最後に水800mlで洗浄後、20時間真空乾
燥(70℃)して、ポリヒドロキシアミド樹脂7.80
gを得た。
【0100】このポリヒドロキシアミド樹脂を1-メチル
-2-ピロリジノンに溶かし、濃度5重量%の溶液に調整
した。スピンナーを用いて回転数100rpm(5秒)
から1000rpm(30秒)でウエハー上に塗布し、
オーブンを用いて300℃で3時間乾燥させて、強靱な
薄黄褐色透明なフィルム(ポリベンゾオキサゾール樹
脂)を得た。熱重量分析(空気中、昇温速度10℃/
分)により熱分解開始温度を測定したところ、約480
℃であった。フィルムの誘電率は1MHzで2.48で
あった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4F071 AA58 AF39 AF40 AF45 AH07 AH12 AH19 BC01 4H006 AA01 AB46 FC52 FE13 FE72 FE74 4J043 PA02 QB15 QB23 QB34 RA52 SA06 SA43 SA47 SA54 SA55 SA56 SA61 SA71 SA72 SB01 TA26 TA71 TB01 UA132 UA142 UA151 UA161 UA171 UB061 UB062 UB071 UB121 VA011 VA021 VA061 ZA12 ZA43 ZA46 ZB01 ZB03 ZB11 ZB22 ZB47 ZB51

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一般式(1) 【化1】 (式中、Xは、 【化2】 である。Rf1およびRf2は、同一または異なって、炭素数
    1〜10個のペルフルオロアルキル基であり、直鎖状ま
    たは分枝鎖状の鎖状構造でも環状構造でもよい。また、
    このRf1およびRf2は、これらが結合する炭素原子と共に
    互いに結合して炭素数3〜8個のフルオロシクロアルキ
    ルを形成してもよい。R1、R2、R3、R4およびR5は、同一
    または異なって、水素原子、炭素数1〜20個のアルコ
    キシ基、炭素数6〜30個のアリールオキシ基、置換基
    を有することのある炭素数1〜20個のアルキル基また
    は置換基を有することのある炭素数6〜30個のアリー
    ル基である。)で表されるビス(3-アミノ-5-アリール-
    4-ヒドロキシアリール)フルオロアルカン誘導体。
  2. 【請求項2】 一般式(2) 【化3】 (式中、Xは、 【化4】 である。Rf1およびRf2は、同一または異なって、炭素数
    1〜10個のペルフルオロアルキル基であり、直鎖状ま
    たは分枝鎖状の鎖状構造でも環状構造でもよい。また、
    このRf1およびRf2は、これらが結合する炭素原子と共に
    互いに結合して炭素数3〜8個のフルオロシクロアルキ
    ルを形成してもよい。R1、R2、R3、R4およびR5は、同一
    または異なって、水素原子、炭素数1〜20個のアルコ
    キシ基、炭素数6〜30個のアリールオキシ基、置換基
    を有することのある炭素数1〜20個のアルキル基また
    は置換基を有することのある炭素数6〜30個のアリー
    ル基である。)で表されるビス(3-アリール-4-ヒドロ
    キシアリール)フルオロアルカン誘導体。
  3. 【請求項3】 Rf1およびRf2がトリフルオロメチル基で
    ある請求項1または2に記載の化合物。
  4. 【請求項4】 請求項1〜3のいずれかに記載の化合物
    をモノマーとして少なくとも1種含むポリマー。
  5. 【請求項5】 一般式(3) 【化5】 (式中、Yは単結合またはXである。Xは、 【化6】 である。Rf1およびRf2は、同一または異なって、炭素数
    1〜10個のペルフルオロアルキル基であり、直鎖状ま
    たは分枝鎖状の鎖状構造でも環状構造でもよい。また、
    このRf1およびRf2は、これらが結合する炭素原子と共に
    互いに結合して炭素数3〜8個のフルオロシクロアルキ
    ルを形成してもよい。R1、R2、R3、R4およびR5は、同一
    または異なって、水素原子、炭素数1〜20個のアルコ
    キシ基、炭素数6〜30個のアリールオキシ基、置換基
    を有することのある炭素数1〜20個のアルキル基また
    は置換基を有することのある炭素数6〜30個のアリー
    ル基である。nは3〜200である。)で表される含フ
    ッ素ポリベンゾオキサゾール樹脂。
  6. 【請求項6】 請求項4または5に記載のポリマーを成
    形してなる、半導体の多層配線用層間絶縁膜。
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