JP2002265422A - １，１ービス（４ーヒドロキシー３−ニトロフェニル）シクロアルカン類の製造方法 - Google Patents
１，１ービス（４ーヒドロキシー３−ニトロフェニル）シクロアルカン類の製造方法Info
- Publication number
- JP2002265422A JP2002265422A JP2001070180A JP2001070180A JP2002265422A JP 2002265422 A JP2002265422 A JP 2002265422A JP 2001070180 A JP2001070180 A JP 2001070180A JP 2001070180 A JP2001070180 A JP 2001070180A JP 2002265422 A JP2002265422 A JP 2002265422A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bis
- hydroxy
- nitrophenyl
- cycloalkanes
- producing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】１，１−ビス（４−ヒドロキシー３−ニトロフ
ェニル）シクロアルカン類を高純度、高収率で製造する
方法を提供する。 【解決手段】１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
シクロアルカン類を、不活性な溶媒中実質的に他の酸が
存在しない条件下で、硝酸を用いてニトロ化することに
より１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−ニトロフェニ
ル）シクロアルカン類を製造する方法。
ェニル）シクロアルカン類を高純度、高収率で製造する
方法を提供する。 【解決手段】１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
シクロアルカン類を、不活性な溶媒中実質的に他の酸が
存在しない条件下で、硝酸を用いてニトロ化することに
より１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−ニトロフェニ
ル）シクロアルカン類を製造する方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ポリマー用中間体
である１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−ニトロフェ
ニル）シクロアルカン類の製造法に関する。
である１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−ニトロフェ
ニル）シクロアルカン類の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ビスーｏーニトロフェノール類を還元し
て得られるビスーｏーアミノフェノール類は、高耐熱、
高強度、電気特性の良好なポリマーであるポリベンゾオ
キサゾール、ポリヒドロキシイミドおよびポリヒドロキ
シアミドまたはその前駆体の製造に必要な化合物であ
る。ポリベンゾオキサゾール、ポリヒドロキシイミドお
よびポリヒドロキシアミドは、特に半導体の表面保護
膜、層間絶縁膜、多層配線基板の層間絶縁膜、フレキシ
ブル配線基板のカバーコート等に重要な感光性または非
感光性のポリマーである。ビスーｏーアミノフェノール
類はこれらから製造されるポリマーの耐熱性、機械特
性、電気特性、物理化学特性等に大きい影響を与えるの
で、半導体分野の高密度化、面実装化や高周波伝送に対
応する耐熱性、低熱膨張性、低誘電等のますますの高性
能要求を満足させるポリマーの製造を可能にするビス−
ｏーアミノフェノール類の開発が求められている。１，
１−ビス（３−アミノー４−ヒドロキシフェニル）シク
ロアルカン類はこの要求を充たすポリマーのモノマーと
して有用である。
て得られるビスーｏーアミノフェノール類は、高耐熱、
高強度、電気特性の良好なポリマーであるポリベンゾオ
キサゾール、ポリヒドロキシイミドおよびポリヒドロキ
シアミドまたはその前駆体の製造に必要な化合物であ
る。ポリベンゾオキサゾール、ポリヒドロキシイミドお
よびポリヒドロキシアミドは、特に半導体の表面保護
膜、層間絶縁膜、多層配線基板の層間絶縁膜、フレキシ
ブル配線基板のカバーコート等に重要な感光性または非
感光性のポリマーである。ビスーｏーアミノフェノール
類はこれらから製造されるポリマーの耐熱性、機械特
性、電気特性、物理化学特性等に大きい影響を与えるの
で、半導体分野の高密度化、面実装化や高周波伝送に対
応する耐熱性、低熱膨張性、低誘電等のますますの高性
能要求を満足させるポリマーの製造を可能にするビス−
ｏーアミノフェノール類の開発が求められている。１，
１−ビス（３−アミノー４−ヒドロキシフェニル）シク
ロアルカン類はこの要求を充たすポリマーのモノマーと
して有用である。
【０００３】ビスーｏーニトロフェノール類の製造法と
しては、次の方法が知られている。ＰＯＬＹＭＥＲ Ｌ
ＥＴＴＥＲＳ ｖｏｌ.７，１８５−１９１（１９６
１）では酢酸とベンゼンの混合溶媒中で硝酸により２，
２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンをニトロ
化している。粗生成物の収率は７２％であり、再結晶に
より精製している。特開昭５９−２７９５０では、多量
の酢酸中で硝酸により４，４´−ビフェノールをニトロ
化している。粗生成物の収率は８５％であり、再結晶に
より精製している。いずれの方法も多量の酢酸溶媒、大
過剰の硝酸を使用しているために廃溶媒の処理費用が高
く、また危険なトリニトロ化物が副生するという問題を
有する。Ｔｒ．Ｖｏｒｏｎｅｚｈ．Ｇｏｓ．Ｕｎｉｖ．
（１９６９），７３（２），５８では１，１−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンを酢酸中で発煙
硝酸によりニトロ化しているが、収率、粗生成物品質に
ついて記載はない。本発明者らは、ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）類を不活性な溶媒中他の酸の存在しない条
件下で硝酸を用いてニトロ化する方法を提案している
（特願２０００−１２３４３０）。原料のビス（４−ヒ
ドロキシフェノール）類のベンゼン環同士の結合は、メ
チレン、２，２−イソプロピレン、オキシ、チオ、スル
ホン、カルボニルまたは直接結合に限られ、本発明の電
子供与性が強く、また立体的に混み合ったシクロアルキ
リデンにより結合したビス（４−ヒドロキシフェノー
ル）については言及していない。
しては、次の方法が知られている。ＰＯＬＹＭＥＲ Ｌ
ＥＴＴＥＲＳ ｖｏｌ.７，１８５−１９１（１９６
１）では酢酸とベンゼンの混合溶媒中で硝酸により２，
２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンをニトロ
化している。粗生成物の収率は７２％であり、再結晶に
より精製している。特開昭５９−２７９５０では、多量
の酢酸中で硝酸により４，４´−ビフェノールをニトロ
化している。粗生成物の収率は８５％であり、再結晶に
より精製している。いずれの方法も多量の酢酸溶媒、大
過剰の硝酸を使用しているために廃溶媒の処理費用が高
く、また危険なトリニトロ化物が副生するという問題を
有する。Ｔｒ．Ｖｏｒｏｎｅｚｈ．Ｇｏｓ．Ｕｎｉｖ．
（１９６９），７３（２），５８では１，１−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンを酢酸中で発煙
硝酸によりニトロ化しているが、収率、粗生成物品質に
ついて記載はない。本発明者らは、ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）類を不活性な溶媒中他の酸の存在しない条
件下で硝酸を用いてニトロ化する方法を提案している
（特願２０００−１２３４３０）。原料のビス（４−ヒ
ドロキシフェノール）類のベンゼン環同士の結合は、メ
チレン、２，２−イソプロピレン、オキシ、チオ、スル
ホン、カルボニルまたは直接結合に限られ、本発明の電
子供与性が強く、また立体的に混み合ったシクロアルキ
リデンにより結合したビス（４−ヒドロキシフェノー
ル）については言及していない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】高性能を満足するポリ
マーの製造に有用な中間体である１，１−ビス（４−ヒ
ドロキシ−３−ニトロフェニル）シクロアルカン類の製
造法の開発が望まれている。
マーの製造に有用な中間体である１，１−ビス（４−ヒ
ドロキシ−３−ニトロフェニル）シクロアルカン類の製
造法の開発が望まれている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は前記課題を解
決すべく鋭意検討した結果、１，１−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）シクロアルカン類を不活性な溶媒中で実
質的に他の酸の存在させないで、硝酸を用いてニトロ化
することによりトリニトロ体等の副生物の生成が少な
く、１，１−ビス（４−ヒドロキシ３−ニトロフェニ
ル）シクロアルカン類を高純度、高収率で得ることがで
きる事を見出した。即ち、本発明は、（１）１，１−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）シクロアルカン類を不活
性な溶媒中、硝酸を用いて、実質的に他の酸の存在しな
い条件下でニトロ化することを特徴とする１，１−ビス
（４−ヒドロキシ−３−ニトロフェニル）シクロアルカ
ン類の製造方法、（２）硝酸濃度が１０〜９５重量％で
ある（１）に記載の１，１−ビス（４−ヒドロキシー３
−ニトロフェニル）シクロアルカン類の製造方法、
（３）反応温度がー２０〜３０℃である（１）または
（２）に記載の１，１−ビス（４−ヒドロキシー３−ニ
トロフェニル）シクロアルカン類の製造方法、（４）不
活性溶媒が脂肪族、脂環族または芳香族炭化水素である
（１）から（３）のいずれかに記載の１，１−ビス（４
−ヒドロキシー３−ニトロフェニル）シクロアルカン類
の製造方法、（５）不活性溶媒が脂肪族または芳香族塩
素化炭化水素である（１）から（４）のいずれかに記載
の１，１−ビス（４−ヒドロキシー３−ニトロフェニ
ル）シクロアルカン類の製造方法、（６）１，１−ビス
（４−ヒドロキシー３−ニトロフェニル）シクロアルカ
ン類が、１，１−ビス（４−ヒドロキシー３−ニトロフ
ェニル）シクロヘキサン又は１，１−ビス（５ーフルオ
ロ−４−ヒドロキシー３−ニトロフェニル）シクロヘキ
サンである（１）から（５）のいずれかに記載の製造方
法、に関する。
決すべく鋭意検討した結果、１，１−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）シクロアルカン類を不活性な溶媒中で実
質的に他の酸の存在させないで、硝酸を用いてニトロ化
することによりトリニトロ体等の副生物の生成が少な
く、１，１−ビス（４−ヒドロキシ３−ニトロフェニ
ル）シクロアルカン類を高純度、高収率で得ることがで
きる事を見出した。即ち、本発明は、（１）１，１−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）シクロアルカン類を不活
性な溶媒中、硝酸を用いて、実質的に他の酸の存在しな
い条件下でニトロ化することを特徴とする１，１−ビス
（４−ヒドロキシ−３−ニトロフェニル）シクロアルカ
ン類の製造方法、（２）硝酸濃度が１０〜９５重量％で
ある（１）に記載の１，１−ビス（４−ヒドロキシー３
−ニトロフェニル）シクロアルカン類の製造方法、
（３）反応温度がー２０〜３０℃である（１）または
（２）に記載の１，１−ビス（４−ヒドロキシー３−ニ
トロフェニル）シクロアルカン類の製造方法、（４）不
活性溶媒が脂肪族、脂環族または芳香族炭化水素である
（１）から（３）のいずれかに記載の１，１−ビス（４
−ヒドロキシー３−ニトロフェニル）シクロアルカン類
の製造方法、（５）不活性溶媒が脂肪族または芳香族塩
素化炭化水素である（１）から（４）のいずれかに記載
の１，１−ビス（４−ヒドロキシー３−ニトロフェニ
ル）シクロアルカン類の製造方法、（６）１，１−ビス
（４−ヒドロキシー３−ニトロフェニル）シクロアルカ
ン類が、１，１−ビス（４−ヒドロキシー３−ニトロフ
ェニル）シクロヘキサン又は１，１−ビス（５ーフルオ
ロ−４−ヒドロキシー３−ニトロフェニル）シクロヘキ
サンである（１）から（５）のいずれかに記載の製造方
法、に関する。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
【０００７】本発明の方法により製造される１，１−ビ
ス（４−ヒドロキシー３−ニトロフェニル）シクロアル
カン類とは、シクロアルカン部の１位に２つの３−アミ
ノー４−ヒドロキシフェニル部を有するものであり、シ
クロアルカン部及び３−アミノー４−ヒドロキシフェニ
ル部の双方に任意に置換基を有していてもよい。シクロ
アルカン部とは、シクロヘキサンのようなシクロアルカ
ン様の環状構造のことであり、少なくとも炭素原子のみ
で構成される環状骨格を有するものである。また、シク
ロアルカン部の環の大きさは、３以上であり、好ましく
は１５以下、より好ましくは３乃至１０、好適には５乃
至８である。また、シクロアルカン部の１位以外に置換
した２以上の置換基同士が相互に結合し、ビシクロ環や
スピロ環、ペリ環を形成していてもよく、インダンやテ
トラリンのようにベンゼン環の如き芳香族環（複素環も
含む）が縮環していてもよい。シクロアルカン部の具体
例としては、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
ヘプタン、シクロオクタン等が挙げられ、シクロヘキサ
ンが好ましい。シクロアルカン部に結合している置換基
としては、ヒドラジンを用いた還元反応環境下で安定な
ものであればよく、好ましい具体例として、メチル、エ
チル、ｎープロピル、ｉｓｏープロピル、ｔｅｒｔ−ブ
チル等のアルキル基、フェニル基などが挙げられる。３
−アミノー４−ヒドロキシフェニル部の置換基として
は、ヒドラジンを用いた還元反応環境下で安定なもので
あればよく、また置換位置は２，５，６位のいずれかで
あるが、好ましくは、２−モノ置換、５−モノ置換、６
−モノ置換、２，５−ジ置換である。置換基の具体例と
しては、低級アルキル基、フェニル基、ハロゲン置換低
級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン置換低級ア
ルコキシ基、低級チオアルキル基、ハロゲン原子などで
置換されていてもよい。低級アルキル基の具体例として
は、メチル、エチル、ｎープロピル、ｉｓｏープロピ
ル、ｔｅｒｔ−ブチルが挙げられる。ハロゲン置換低級
アルキル基の具体例としては、トリフルオロメチル、ト
リクロロメチル、パーフルオロエチル、ヘキサフルオロ
プロピルが挙げられ、トリフルオロメチルが好ましい。
低級アルコキシ基の具体例としては、メトキシ、エトキ
シ、ｎープロポキシが挙げられる。ハロゲン置換低級ア
ルコキシ基の具体例としては、トリフルオロメトキシ、
パーフルオロエトキシ、ヘキサフルオロプロポキシが挙
げられる。低級チオアルキル基の具体例としては、メチ
ルチオ、エチルチオ、ｎープロピルチオが挙げられる。
ハロゲン原子の具体例としては、フッ素、塩素、臭素お
よびヨウ素が挙げられ、フッ素が好ましい。
ス（４−ヒドロキシー３−ニトロフェニル）シクロアル
カン類とは、シクロアルカン部の１位に２つの３−アミ
ノー４−ヒドロキシフェニル部を有するものであり、シ
クロアルカン部及び３−アミノー４−ヒドロキシフェニ
ル部の双方に任意に置換基を有していてもよい。シクロ
アルカン部とは、シクロヘキサンのようなシクロアルカ
ン様の環状構造のことであり、少なくとも炭素原子のみ
で構成される環状骨格を有するものである。また、シク
ロアルカン部の環の大きさは、３以上であり、好ましく
は１５以下、より好ましくは３乃至１０、好適には５乃
至８である。また、シクロアルカン部の１位以外に置換
した２以上の置換基同士が相互に結合し、ビシクロ環や
スピロ環、ペリ環を形成していてもよく、インダンやテ
トラリンのようにベンゼン環の如き芳香族環（複素環も
含む）が縮環していてもよい。シクロアルカン部の具体
例としては、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
ヘプタン、シクロオクタン等が挙げられ、シクロヘキサ
ンが好ましい。シクロアルカン部に結合している置換基
としては、ヒドラジンを用いた還元反応環境下で安定な
ものであればよく、好ましい具体例として、メチル、エ
チル、ｎープロピル、ｉｓｏープロピル、ｔｅｒｔ−ブ
チル等のアルキル基、フェニル基などが挙げられる。３
−アミノー４−ヒドロキシフェニル部の置換基として
は、ヒドラジンを用いた還元反応環境下で安定なもので
あればよく、また置換位置は２，５，６位のいずれかで
あるが、好ましくは、２−モノ置換、５−モノ置換、６
−モノ置換、２，５−ジ置換である。置換基の具体例と
しては、低級アルキル基、フェニル基、ハロゲン置換低
級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン置換低級ア
ルコキシ基、低級チオアルキル基、ハロゲン原子などで
置換されていてもよい。低級アルキル基の具体例として
は、メチル、エチル、ｎープロピル、ｉｓｏープロピ
ル、ｔｅｒｔ−ブチルが挙げられる。ハロゲン置換低級
アルキル基の具体例としては、トリフルオロメチル、ト
リクロロメチル、パーフルオロエチル、ヘキサフルオロ
プロピルが挙げられ、トリフルオロメチルが好ましい。
低級アルコキシ基の具体例としては、メトキシ、エトキ
シ、ｎープロポキシが挙げられる。ハロゲン置換低級ア
ルコキシ基の具体例としては、トリフルオロメトキシ、
パーフルオロエトキシ、ヘキサフルオロプロポキシが挙
げられる。低級チオアルキル基の具体例としては、メチ
ルチオ、エチルチオ、ｎープロピルチオが挙げられる。
ハロゲン原子の具体例としては、フッ素、塩素、臭素お
よびヨウ素が挙げられ、フッ素が好ましい。
【０００８】１，１−ビス（４−ヒドロキシー３−ニト
ロフェニル）シクロアルカン類の具体例としては、１，
１−ビス（４−ヒドロキシー３−ニトロフェニル）シク
ロペンタン、１，１−ビス（５−フルオロー４−ヒドロ
キシー３−ニトロフェニル）シクロペンタン、１，１−
ビス（４−ヒドロキシー５−メチル−３−ニトロフェニ
ル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシー
３−ニトロフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシー３−ニトロフェニル）−２ーメチル
シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−
ニトロフェニル）ー４−メチルシクロヘキサン、１，１
−ビス（４−ヒドロキシー３−ニトロフェニル）−３，
３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（４
−ヒドロキシー３−ニトロフェニル）−４−ｔｅｒｔ−
ブチルシクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
ー３−ニトロフェニル）−４−フェニルシクロヘキサ
ン、１，１−ビス（４−ヒドロキシー５−メチルー３−
ニトロフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（２，
５−ジメチル−４−ヒドロキシー３−ニトロフェニル）
シクロヘキサン、１，１ービス（４−ヒドロキシー３−
ニトロー５−トリフルオロメチルフェニル）シクロヘキ
サン、１，１−ビス（４−ヒドロキシー５−メトキシー
３−ニトロフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシー３−ニトロー５−パーフルオロエト
キシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒ
ドロキシー５−メチルチオー３−ニトロフェニル）シク
ロヘキサン、１，１−ビス（５−フルオロー４−ヒドロ
キシー５−ニトロフェニル）シクロヘキサン）、１，１
−ビス（２，５−ジフルオロー４−ヒドロキシー３−ニ
トロフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒ
ドロキシ３−ニトロフェニル）シクロヘプタン、１，１
−ビス（４−ヒドロキシー３−ニトロフェニル）シクロ
オクタンが挙げられる。これらのうち１，１−ビス（４
−ヒドロキシー３−ニトロフェニル）シクロヘキサンお
よび１，１−ビス（５−フルオロー４−ヒドロキシー３
−ニトロフェニル）シクロヘキサンが好ましい。
ロフェニル）シクロアルカン類の具体例としては、１，
１−ビス（４−ヒドロキシー３−ニトロフェニル）シク
ロペンタン、１，１−ビス（５−フルオロー４−ヒドロ
キシー３−ニトロフェニル）シクロペンタン、１，１−
ビス（４−ヒドロキシー５−メチル−３−ニトロフェニ
ル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシー
３−ニトロフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシー３−ニトロフェニル）−２ーメチル
シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−
ニトロフェニル）ー４−メチルシクロヘキサン、１，１
−ビス（４−ヒドロキシー３−ニトロフェニル）−３，
３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（４
−ヒドロキシー３−ニトロフェニル）−４−ｔｅｒｔ−
ブチルシクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
ー３−ニトロフェニル）−４−フェニルシクロヘキサ
ン、１，１−ビス（４−ヒドロキシー５−メチルー３−
ニトロフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（２，
５−ジメチル−４−ヒドロキシー３−ニトロフェニル）
シクロヘキサン、１，１ービス（４−ヒドロキシー３−
ニトロー５−トリフルオロメチルフェニル）シクロヘキ
サン、１，１−ビス（４−ヒドロキシー５−メトキシー
３−ニトロフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシー３−ニトロー５−パーフルオロエト
キシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒ
ドロキシー５−メチルチオー３−ニトロフェニル）シク
ロヘキサン、１，１−ビス（５−フルオロー４−ヒドロ
キシー５−ニトロフェニル）シクロヘキサン）、１，１
−ビス（２，５−ジフルオロー４−ヒドロキシー３−ニ
トロフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒ
ドロキシ３−ニトロフェニル）シクロヘプタン、１，１
−ビス（４−ヒドロキシー３−ニトロフェニル）シクロ
オクタンが挙げられる。これらのうち１，１−ビス（４
−ヒドロキシー３−ニトロフェニル）シクロヘキサンお
よび１，１−ビス（５−フルオロー４−ヒドロキシー３
−ニトロフェニル）シクロヘキサンが好ましい。
【０００９】本発明の製造方法の原料として用いられる
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロアルカ
ン類は、シクロアルキルケトン類とフェノール類を塩酸
等の酸触媒の存在下で加熱することにより製造される。
例えば１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロ
ヘキサンは耐熱性、機械的強度、低吸水性等に優れたエ
ポキシ樹脂、ポリカーボネートやポリアリレンエーテル
を製造するための原料として工業的に製造されている。
また、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロ
アルカン類のシクロアルカン部は、上記の１，１−ビス
（４−ヒドロキシー３−ニトロフェニル）シクロアルカ
ン類の構造とほぼ共通するので詳細な説明を省略する
が、反応条件下において脱離する保護基の如き置換基を
有していてもよく、必ずしも、目的物である１，１−ビ
ス（４−ヒドロキシー３−ニトロフェニル）シクロアル
カン類と原料となる１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）シクロアルカン類は厳密な構造上の類似は要求し
ない。
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロアルカ
ン類は、シクロアルキルケトン類とフェノール類を塩酸
等の酸触媒の存在下で加熱することにより製造される。
例えば１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロ
ヘキサンは耐熱性、機械的強度、低吸水性等に優れたエ
ポキシ樹脂、ポリカーボネートやポリアリレンエーテル
を製造するための原料として工業的に製造されている。
また、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロ
アルカン類のシクロアルカン部は、上記の１，１−ビス
（４−ヒドロキシー３−ニトロフェニル）シクロアルカ
ン類の構造とほぼ共通するので詳細な説明を省略する
が、反応条件下において脱離する保護基の如き置換基を
有していてもよく、必ずしも、目的物である１，１−ビ
ス（４−ヒドロキシー３−ニトロフェニル）シクロアル
カン類と原料となる１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）シクロアルカン類は厳密な構造上の類似は要求し
ない。
【００１０】本発明に使用される硝酸は、通常その濃度
が１０〜９５重量％水溶液であり、工業用硝酸をそのま
ま又は水で希釈して使用することができる。好ましい硝
酸濃度は５５〜７５重量％水溶液である。硝酸の使用量
は１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロアル
カン１モルに対して通常１.８〜３.０モルであり、１.
９〜２.２モルが好ましい。
が１０〜９５重量％水溶液であり、工業用硝酸をそのま
ま又は水で希釈して使用することができる。好ましい硝
酸濃度は５５〜７５重量％水溶液である。硝酸の使用量
は１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロアル
カン１モルに対して通常１.８〜３.０モルであり、１.
９〜２.２モルが好ましい。
【００１１】ニトロ化の反応温度は、通常ー２０〜３０
℃、好ましくはー５〜１０℃である。
℃、好ましくはー５〜１０℃である。
【００１２】本発明の製造方法は不活性な溶媒の存在中
で行う。不活性な溶媒としては、脂肪族、脂環族または
芳香族炭化水素が使用される。使用しうる脂肪族または
脂環族炭化水素溶媒の具体例としては、ｎーヘキサン、
イソヘキサン、ｎーヘプタン、ｎーオクタン、シクロペ
ンタン、シクロヘキサン、メチルシクロペンタンが挙げ
ることができる。使用しうる芳香族炭化水素の具体例と
しては、ベンゼン、トルエン、キシレンが挙げられる。
また不活性な溶媒として、脂肪族または芳香族塩素化炭
化水素も使用することができる。使用しうる脂肪族塩素
化炭化水素の具体例としては、ジクロロメタン、クロロ
ホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン、１，
１，１−トリクロロエタンを、同じく芳香族塩素化炭化
水素の具体例としては、モノクロロベンゼン、オルソジ
クロロベンゼンを挙げることができる。反応に使用する
溶媒量は１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シク
ロアルカン類に対して通常３〜２０倍（重量比）であ
り、好ましくは５から１０倍である。
で行う。不活性な溶媒としては、脂肪族、脂環族または
芳香族炭化水素が使用される。使用しうる脂肪族または
脂環族炭化水素溶媒の具体例としては、ｎーヘキサン、
イソヘキサン、ｎーヘプタン、ｎーオクタン、シクロペ
ンタン、シクロヘキサン、メチルシクロペンタンが挙げ
ることができる。使用しうる芳香族炭化水素の具体例と
しては、ベンゼン、トルエン、キシレンが挙げられる。
また不活性な溶媒として、脂肪族または芳香族塩素化炭
化水素も使用することができる。使用しうる脂肪族塩素
化炭化水素の具体例としては、ジクロロメタン、クロロ
ホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン、１，
１，１−トリクロロエタンを、同じく芳香族塩素化炭化
水素の具体例としては、モノクロロベンゼン、オルソジ
クロロベンゼンを挙げることができる。反応に使用する
溶媒量は１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シク
ロアルカン類に対して通常３〜２０倍（重量比）であ
り、好ましくは５から１０倍である。
【００１３】本発明の製造方法における反応操作方法と
しては、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シク
ロアルカンを不活性溶媒中で攪拌して溶解するか分散
し、冷却して所定温度に保ちながら所定量の硝酸を少し
ずつ注入する。注入時間は通常０.５〜２０時間であ
り、好ましくは３〜１０時間である。硝酸を注入後さら
に所定の温度に保って、０.５〜１０時間攪拌を継続し
て反応を完結させる。反応終了後、反応混合物に水を加
えて攪拌後、反応混合物がスラリー状態の場合はこれを
濾過し、希アルカリ水溶液次いで水でよく洗浄する。反
応混合物が溶液の場合は静置して有機層と水層を分離
し、有機層を希アルカリ水溶液で中性になるまで洗浄
後、溶媒を留去して粗ニトロ化生成物を得る。尚、反応
の進行状況あるいは目的物の純度は、高速液体クロマト
グラフィ（ＨＰＬＣ）によってチェックできる。
しては、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シク
ロアルカンを不活性溶媒中で攪拌して溶解するか分散
し、冷却して所定温度に保ちながら所定量の硝酸を少し
ずつ注入する。注入時間は通常０.５〜２０時間であ
り、好ましくは３〜１０時間である。硝酸を注入後さら
に所定の温度に保って、０.５〜１０時間攪拌を継続し
て反応を完結させる。反応終了後、反応混合物に水を加
えて攪拌後、反応混合物がスラリー状態の場合はこれを
濾過し、希アルカリ水溶液次いで水でよく洗浄する。反
応混合物が溶液の場合は静置して有機層と水層を分離
し、有機層を希アルカリ水溶液で中性になるまで洗浄
後、溶媒を留去して粗ニトロ化生成物を得る。尚、反応
の進行状況あるいは目的物の純度は、高速液体クロマト
グラフィ（ＨＰＬＣ）によってチェックできる。
【００１４】反応時に混合や流動性を良くするために界
面活性剤を添加してもよい。使用し得る界面活性剤とし
てはアルキルベンゼンスルホン酸塩、ナフタリンスルホ
ン酸塩ホルマリン縮合物、アクリル酸ーマレイン酸塩コ
ポリマー、縮合リン酸塩を挙げることができる。
面活性剤を添加してもよい。使用し得る界面活性剤とし
てはアルキルベンゼンスルホン酸塩、ナフタリンスルホ
ン酸塩ホルマリン縮合物、アクリル酸ーマレイン酸塩コ
ポリマー、縮合リン酸塩を挙げることができる。
【００１５】粗ニトロ化生成物は必要に応じてメタノー
ル、エタノール、イソプロパノール等のアルコール類、
エチレングリコールモノエチルエーテル、テトラヒドロ
フラン等のエーテル類、２−ブタノン、３−メチルー２
−ブタノン等のケトン類、トルエン、キシレン等のアル
キルベンゼン類、ジメチルホルムアミド、Ｎーメチル−
２−ピロリドン等の非プロトン極性溶媒から、再結晶に
より精製することができる。粗ニトロ化生成物に対する
溶媒量は、粗ニトロ化物１重量部に対して、１〜１０重
量部である。溶媒は単独で、あるいは２種以上を混合し
て使用してもよい。
ル、エタノール、イソプロパノール等のアルコール類、
エチレングリコールモノエチルエーテル、テトラヒドロ
フラン等のエーテル類、２−ブタノン、３−メチルー２
−ブタノン等のケトン類、トルエン、キシレン等のアル
キルベンゼン類、ジメチルホルムアミド、Ｎーメチル−
２−ピロリドン等の非プロトン極性溶媒から、再結晶に
より精製することができる。粗ニトロ化生成物に対する
溶媒量は、粗ニトロ化物１重量部に対して、１〜１０重
量部である。溶媒は単独で、あるいは２種以上を混合し
て使用してもよい。
【００１６】
【実施例】次に実施例によって本発明をさらに具体的に
説明するが、本発明がこれらの具体例のみに限定される
ものではない。
説明するが、本発明がこれらの具体例のみに限定される
ものではない。
【００１７】実施例１ １，１−ビス（４−ヒドロキシ
−３−ニトロフェニル）シクロヘキサンの製造 温度計，攪拌機を備えた１Ｌ４口フラスコにトルエン６
００ｍｌと１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シ
クロヘキサン８１ｇ（０．３０ｍｏｌ）を加え、冷却し
て反応温度をー５〜０℃にたもちながら７０重量％硝酸
（ｄ＝１．４２）６０ｇ（０．６３ｍｏｌ）を３時間か
けて滴下した。さらに同温度で２時間攪拌して反応を終
了した。反応液を希炭酸水素ナトリウム水溶液次いで水
により洗浄後、トルエン溶液相を分液した。トルエンを
留去して褐色粘性オイル状の粗１，１−ビス（４−ヒド
ロキシ−３−ニトロフェニル）シクロヘキサン１２０ｇ
を得た。ＨＰＬＣ分析（面積％）９２．２％。このオイ
ルにメタノール１５０ｍｌとと２−ブタノン１５ｍｌを
加えて加熱溶解後、５℃まで徐々に冷却して結晶を析出
させた後濾過した。乾燥して精１，１−ビス（４−ヒド
ロキシ−３−ニトロフェニル）シクロヘキサン８５.４
ｇを得た。収率７９.５％。ＨＰＬＣ分析値（面積％）
９９.０％。 １，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−ニトロフェニル）
シクロヘキサンの特性値 融点（ＤＳＣ） ９２℃１ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ１.５５ｐｐｍ（６Ｈ，
ｍ）、２.４５（４Ｈ，ｍ）、７.０７（２Ｈ，ｄ）、
７.４０（２Ｈ，ｄｄ）、８.０５（２Ｈ，ｄ）、１０.
４８（２Ｈ，ｓ）
−３−ニトロフェニル）シクロヘキサンの製造 温度計，攪拌機を備えた１Ｌ４口フラスコにトルエン６
００ｍｌと１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シ
クロヘキサン８１ｇ（０．３０ｍｏｌ）を加え、冷却し
て反応温度をー５〜０℃にたもちながら７０重量％硝酸
（ｄ＝１．４２）６０ｇ（０．６３ｍｏｌ）を３時間か
けて滴下した。さらに同温度で２時間攪拌して反応を終
了した。反応液を希炭酸水素ナトリウム水溶液次いで水
により洗浄後、トルエン溶液相を分液した。トルエンを
留去して褐色粘性オイル状の粗１，１−ビス（４−ヒド
ロキシ−３−ニトロフェニル）シクロヘキサン１２０ｇ
を得た。ＨＰＬＣ分析（面積％）９２．２％。このオイ
ルにメタノール１５０ｍｌとと２−ブタノン１５ｍｌを
加えて加熱溶解後、５℃まで徐々に冷却して結晶を析出
させた後濾過した。乾燥して精１，１−ビス（４−ヒド
ロキシ−３−ニトロフェニル）シクロヘキサン８５.４
ｇを得た。収率７９.５％。ＨＰＬＣ分析値（面積％）
９９.０％。 １，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−ニトロフェニル）
シクロヘキサンの特性値 融点（ＤＳＣ） ９２℃１ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ１.５５ｐｐｍ（６Ｈ，
ｍ）、２.４５（４Ｈ，ｍ）、７.０７（２Ｈ，ｄ）、
７.４０（２Ｈ，ｄｄ）、８.０５（２Ｈ，ｄ）、１０.
４８（２Ｈ，ｓ）
【００１８】
【発明の効果】高性能ポリマーの原料として有用な１，
１−ビス（４−ヒドロキシ−３−ニトロフェニル）シク
ロアルカン類が効率よく得られる。
１−ビス（４−ヒドロキシ−３−ニトロフェニル）シク
ロアルカン類が効率よく得られる。
Claims (6)
- 【請求項１】１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
シクロアルカン類を不活性な溶媒中、硝酸を用いて、実
質的に他の酸の存在しない条件下でニトロ化することを
特徴とする１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−ニトロ
フェニル）シクロアルカン類の製造方法。 - 【請求項２】硝酸濃度が１０〜９５重量％のである請求
項１に記載の１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−ニト
ロフェニル）シクロアルカン類の製造方法。 - 【請求項３】反応温度がー２０〜３０℃である請求項１
または２に記載の１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−
ニトロフェニル）シクロアルカン類の製造方法。 - 【請求項４】不活性溶媒が脂肪族、脂環族または芳香族
炭化水素である請求項１から３のいずれかに記載の１，
１ービス（４−ヒドロキシ−３−ニトロフェニル）シク
ロアルカン類の製造方法。 - 【請求項５】不活性溶媒が脂肪族または芳香族塩素化炭
化水素である請求項１から３のいずれかに記載の１，１
−ビス（４−ヒドロキシ−３−ニトロフェニル）シクロ
アルカン類の製造方法。 - 【請求項６】１，１−ビス（４−ヒドロキシー３−ニト
ロフェニル）シクロアルカン類が１，１−ビス（４−ヒ
ドロキシー３−ニトロフェニル）シクロヘキサン又は
１，１−ビス（５−フルオロー４−ヒドロキシー３−ニ
トロフェニル）シクロヘキサンである請求項１から５の
いずれかに記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001070180A JP2002265422A (ja) | 2001-03-13 | 2001-03-13 | １，１ービス（４ーヒドロキシー３−ニトロフェニル）シクロアルカン類の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001070180A JP2002265422A (ja) | 2001-03-13 | 2001-03-13 | １，１ービス（４ーヒドロキシー３−ニトロフェニル）シクロアルカン類の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002265422A true JP2002265422A (ja) | 2002-09-18 |
Family
ID=18928094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001070180A Pending JP2002265422A (ja) | 2001-03-13 | 2001-03-13 | １，１ービス（４ーヒドロキシー３−ニトロフェニル）シクロアルカン類の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002265422A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004078701A1 (ja) * | 2003-03-04 | 2004-09-16 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）アダマンタン誘導体及びその製造方法 |
| JP2009221117A (ja) * | 2008-03-13 | 2009-10-01 | Air Water Inc | ４，４’−メチレンビス（２，５−ジメチル−６−ニトロフェノール）の製造方法 |
| JP2009221118A (ja) * | 2008-03-13 | 2009-10-01 | Air Water Inc | ４，４’−エチリデンビス（２，５−ジメチル−６−ニトロフェノール）の製造方法 |
| JP2010195749A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-09 | Air Water Inc | ビス（３−ニトロ−４−ヒドロキシフェニル）類の製造方法 |
-
2001
- 2001-03-13 JP JP2001070180A patent/JP2002265422A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004078701A1 (ja) * | 2003-03-04 | 2004-09-16 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）アダマンタン誘導体及びその製造方法 |
| US7423180B2 (en) | 2003-03-04 | 2008-09-09 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)adamantane derivatives and process for production thereof |
| JP2009221117A (ja) * | 2008-03-13 | 2009-10-01 | Air Water Inc | ４，４’−メチレンビス（２，５−ジメチル−６−ニトロフェノール）の製造方法 |
| JP2009221118A (ja) * | 2008-03-13 | 2009-10-01 | Air Water Inc | ４，４’−エチリデンビス（２，５−ジメチル−６−ニトロフェノール）の製造方法 |
| JP2010195749A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-09 | Air Water Inc | ビス（３−ニトロ−４−ヒドロキシフェニル）類の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3856859A (en) | Selective nitration process | |
| US5364917A (en) | Perfluorocyclobutane ring-containing polymers | |
| JP6798569B2 (ja) | 重合性化合物の製造中間体、その製造方法、組成物及び安定化方法 | |
| JP2017203005A (ja) | エステル基を有するテトラカルボン酸二無水物の製造方法 | |
| JP2002265422A (ja) | １，１ービス（４ーヒドロキシー３−ニトロフェニル）シクロアルカン類の製造方法 | |
| US6215021B1 (en) | Trifluoromethylating reagents and synthesizing processes | |
| JP4815883B2 (ja) | ビアダマンタン誘導体 | |
| US6608233B2 (en) | Process for producting bis(4-hydroxy-3-nitrophenyl) compound | |
| US3944575A (en) | Aryl ether compounds and their synthesis | |
| US6433190B1 (en) | 3,6-Di(3′,5′-bis(fluoroalkyl) phenyl) pyromellitic dianhydride and method for the preparation thereof | |
| JP2009051819A (ja) | ノルボルネン誘導体の製造方法 | |
| EP1834943A1 (en) | Process for producing aromatic dicarboxylic acid | |
| JP3031036B2 (ja) | 含フッ素芳香族ジアミン化合物、アミノ基が保護された含フッ素ジアミン化合物及びそれらの製造法 | |
| JP3216199B2 (ja) | フッ素含有芳香族ジアミン化合物、フッ素含有ビス（アミノベンゼン）化合物、及びこれらの製造法 | |
| JP2002338528A (ja) | ビス−ｏ−ニトロフェノール類の製造方法 | |
| JP2015074612A (ja) | アリーレンジオキシ−ビス（無水コハク酸）及びその製造方法 | |
| JP2002173470A (ja) | ９，９ービス（３−ニトロー４ーヒドロキシフェニル）フルオレンおよびその製造方法 | |
| JP4815884B2 (ja) | ビアダマンタンテトラフェノール誘導体 | |
| JP2002363147A (ja) | ９，９−ビス（３−アミノ−５−アルキル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレンおよびその製造方法 | |
| JP2002255910A (ja) | １，１ービス（３−アミノー４ーヒドロキシフェニル）シクロアルカン類の製造方法 | |
| JP2003081925A (ja) | 新規なビス−ｏ−アミノフェノールおよびその製造法 | |
| JPH0585995A (ja) | フツ素含有ジアミノベンゼン化合物及びフツ素含有芳香族ジアミン化合物の製造法 | |
| JP3390190B2 (ja) | １，３−ビス（３−アミノフェノキシ）−５−トリフルオロメチルベンゼンおよびその製造方法 | |
| JP4419834B2 (ja) | テトラアダマンタンフェノール誘導体及びその製造法 | |
| JP2010083809A (ja) | ３，３’−ジニトロベンジジン化合物又は３，３’−ジアミノベンジジン化合物の製造方法 |