JP2002100543A - セラミック積層体の製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 セラミック積層体の各層毎の製造速度を高め
て生産性を向上させるとともに、実用化が可能な小型化
した製造装置を安価に提供せんとすること。 【解決手段】 ベース盤３を直線状の所定区間路１ａに
往復動かつ上下動可能に設置し、その区間路１ａ上に、
セラミックスラリーを吐出する絶縁層形成手段Ｃ、イン
クジェット方式により導電ペーストを噴射する電極層形
成手段Ｅ、前記スラリー又はペーストを乾燥させる乾燥
手段Ｌを、それぞれ１ないし複数個並設する。そして、
前記ベース盤３が前記区間路１ａを１ないし数往復する
間にセラミック絶縁層上に所定の電極パターンが配設さ
れた薄膜層を形成し、それらを繰り返してセラミック積
層体を形成すること。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はセラミック積層体の
製造装置、詳しくは積層セラミックコンデンサ、積層イ
ンダクタや抵抗、フィルタ等の積層型セラミック電子部
品を製造するために、複数のセラミック絶縁層とそれら
絶縁層の界面に電極層とを備えたセラミック積層体の製
造装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、セラミック積層体の製造に関し、
それまでベース材として慣用されていた樹脂製キャリア
フィルムの使用を省くために、ベース板上に、セラミッ
ク絶縁層と所定の電極パターンとを形成する工程を繰り
返して薄膜層を直接的に積層する方式が提案されている
（特開平９−２３２１７４号公報）。また、同公報によ
れば、ベース板は、サーボモータとボールねじとを用い
た機構等により、ＸおよびＹ方向に移動可能とされるこ
と、それに代えて、スラリー噴射ヘッドをＸおよびＹ方
向に移動可能とすることが例示され、また、前記ベース
板に代えて、金属からなるエンドレスベルトを用いるこ
と、その場合にスラリー噴射ヘッドやペースト噴射ヘッ
ドがエンドレスベルトの進行方向に対して垂直方向に移
動するように制御されることが例示されている。さら
に、同公報には、前記エンドレスベルトの進行方向に沿
って、所望数のスラリー噴射ヘッド、所望数のペースト
噴射ヘッド等が所定の順序で配列され、エンドレスベル
トの一方向の進行に伴って、積層体が次々と製造される
ようにしてもよいことが例示されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
報による開示技術によれば、具体的な装置としては実用
上多くの問題があり、そのまま実施することが困難であ
る。例えば、前記開示技術の実施例に記載のように、Ｘ
およびＹ方向に移動可能なベース板上の所定位置に、絶
縁層形成手段としてのスラリー噴射ヘッド、電極層形成
手段としてのペースト噴射ヘッド等を交互に出し入れす
る態様によれば、それら噴射ヘッドの移動に時間及び位
置決め制御に時間を要し、１００〜数百層の積層体を製
造するには実用的な生産性が期待できない。また、上記
エンドレスベルトを用いて、該エンドレスベルトの一方
向の進行に伴って、積層体を次々と製造する態様によれ
ば、数百層の積層体を製造するにはそれに相当する数の
スラリー噴射ヘッド、ペースト噴射ヘッド等を配置しな
ければならず、著しく設備費用が多大になるばかりでな
く大きな設置床面積を要して装置が大型化することにな
る。

【０００４】しかも、生産性を高めるためには、絶縁層
や電極層等を形成する度に該層を乾燥させる乾燥手段が
必須であり、また、必要に応じて仮圧着手段、穿孔手段
等を必要とするが、その場合には、前記スラリー噴射ヘ
ッド、ペースト噴射ヘッドに加えて乾燥手段や仮圧着手
段、穿孔手段等を追加して配置しなければならず、一段
と生産性の低下や装置の大型化、設備費用の増大をきた
す不具合がある。

【０００５】本発明は、上記従来事情に鑑みその不具合
を解消して、セラミック積層体の各層毎の製造速度を高
めて生産性を向上させるとともに、実用化が可能な小型
化した製造装置を安価に提供せんとすることを目的とす
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】斯る本発明のセラミック
積層体の製造装置は、ベース盤を直線状の所定区間路に
往復動かつ上下動可能に設置するとともに、その区間路
上に、セラミックスラリーを吐出する絶縁層形成手段、
インクジェット方式により導電ペーストを噴射する電極
層形成手段、前記スラリー又はペーストを乾燥させる乾
燥手段を、それぞれ１ないし複数個並設し、前記ベース
盤が前記区間路を１ないし数往復する間にセラミック絶
縁層上に所定の電極パターンが配設された薄膜層を形成
し、それらを繰り返してセラミック積層体を形成するも
のである（請求項１）。すなわち、絶縁層形成手段、電
極層形成手段及び乾燥手段を１ないし必要最少な複数個
を並設し、それらが配置された直線状の区間路にベース
盤を往復動させるとともに、その往動時及び復動時の各
工程において所定の作業を有効に行わせるようにしたこ
とを特徴とする。

【０００７】上記絶縁層形成手段、電極層形成手段及び
乾燥手段の配列は、セラミックスラリーによる絶縁層の
形成工程、導電ペーストによる電極層の形成工程などの
作業工程に応じて適宜に設定するが、前記乾燥手段によ
る乾燥工程は頻度が多いことから、それら１又は複数個
の乾燥手段は、少なくとも１つを前記区間路の略中央部
に配置すると作業効率上有効である（請求項２）。この
乾燥手段は、加熱又は温風方式、光照射方式、レーザー
照射方式あるいは後述する仮圧着手段を兼用する熱板圧
着方式など何れの方式によることも任意であり、前記絶
縁層、電極層をべとつかない程度の半硬化状態にする。

【０００８】上記絶縁層形成手段は、一般に知られてい
るドクターブレード方式、インクジェット方式、あるい
はローラ塗布方式等を採用するが、絶縁層の緻密化に対
応し精度を高めるためには、少なくとも１つにインクジ
ェット方式を採用することが好ましい（請求項３）。但
し、薄膜層の一層全面に絶縁層を形成する部分には、前
記ドクターブレード方式やローラ塗布方式を採用するこ
と、すなわちインクジェット方式と他の方式を組み合わ
せることも任意である。

【０００９】また、上記絶縁層上に電極層を形成して一
層の薄膜層を形成すれば、その電極層間に凹嵌部を生じ
て薄膜層の平坦性が損なわれ、それら薄膜層を積層した
ときに前記凹嵌部により空隙を生じて焼成後の電子部品
にボイドが発生する原因となる。上記薄膜層の平坦性を
確保するためには、前記凹嵌部を絶縁層で埋めることが
必要であり、そのため、上記絶縁層形成手段が、電極層
形成手段により形成された電極層間の凹嵌部又は電極層
が形成される領域を除いた所定領域にセラミックスラリ
ーを充填することを含むようにする（請求項４）。その
場合の絶縁層形成手段に前記インクジェット方式を採用
することが適切である。

【００１０】一方、セラミック積層体がインダクタ用で
ある場合には、上下薄膜層の電極層を接続するバイヤ電
極を形成する必要がある。上記電極層形成手段がインク
ジェット方式であるので、当該手段によりバイヤ電極を
形成することも可能である。すなわち、上記電極層形成
手段が、インクジェット方式により導電ペーストを前記
電極パターン上に噴射してバイヤ電極を形成すればよい
（請求項５）。なお、上記バイヤ電極は、通常行われる
ように、薄膜層の絶縁層にバイヤホールを開孔して該ホ
ールに導電ペーストを充填するようにしてもよく、その
場合には、穿孔手段としてレーザー穿孔方式を採用する
ことが好ましい。具体的には、前記区間路にレーザー穿
孔手段を追加して並設し、該穿孔手段により開孔された
バイヤホールには、前記インクジェット方式による電極
層形成手段により導電ペーストを充填してバイヤ電極を
形成する（請求項６）。

【００１１】また、上記薄膜層のセラミックスラリーや
導電ペーストに生じる微細な凹凸を均して平坦性を確保
し、積層を均一にして積層精度を高めるためには、薄膜
層を一層形成する度などの適時に該層の上面を押圧する
ことが好ましい。そのために、上記ベース盤が移動する
前記区間路に熱板やロール等からなる仮圧着手段を追加
して並設するようにする（請求項７）。そして、前述し
たように、仮圧着手段に熱板を使用すれば乾燥手段と仮
圧着手段との兼用が可能である。なお、仮圧着手段が作
動するタイミングは、薄膜層が一層形成される度、ある
いは薄膜層が数層形成される度、さらには往復動するベ
ース盤の往動時毎又は復動時毎など何れであってもよ
い。なお、上記請求項４のように、電極層間の凹嵌部等
にセラミックスラリーを充填する場合には、ある程度の
平坦性が確保されるので必ずしも仮圧着手段を必要とし
ない。

【００１２】上記仮圧着手段の好ましい具体的構成は、
乾燥手段により乾燥されたセラミックスラリー又は導電
ペーストに接触し、且つ表面に極微粘着性を有する押圧
ロールであって、該ロールに粘着性を有する除塵ローラ
を接触させるようにする（請求項８）。それにより、イ
ンクジェット方式等により塗布されたセラミックスラリ
ー又は導電ペーストは、乾燥手段によりべとつかない程
度に乾燥された後に、押圧ロールの接触により微細な凹
凸が平坦に均されるとともに凸部から剥がれた微粒片が
押圧ロールに付着して取り除かれ、該ロールに付着した
微粒片は除塵ロールに付着して除去される。

【００１３】なお、上記セラミックスラリーは、ガラス
複合系材料として硼珪酸ガラス形成物質に修飾物質（例
えば、ＭｇＯ，ＣａＯ，Ａｌ₂Ｏ３，Ｋ₂Ｏ，ＺｎＯ等）
を加えたガラス粉末と、アルミナ，ムライト，コージェ
ライト，石英等のセラミックとの混合物を原料とするも
の、結晶化ガラス系材料としてコージェライト系，αス
ポジュメン系等の結晶化するガラス粉末からなるものを
使用する。また、電極パターン用の導電ペーストには、
例えば銅系の導体材料、あるいはタングステンＷ、モリ
ブデンＭｏ、マンガンＭｎ等を使用し、バイヤ電極用の
導電ペーストには、導体抵抗の小さな銀系の導体材料、
例えば、銀、銀−パラジウム、銀−白金、銀−パラジウ
ム−白金等を使用する。なお、前記セラミックスラリ
ー、導電ペーストの材料に、光照射によって乾燥が促進
される光硬化材料を含有させることもよい。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。先ず、図１により製造装置の概要を説明
すれば、装置は図示しない機枠内に配設され、直線状水
平に配置されたガイドレール１に、可動台２を往復動可
能に載設するとともに可動台２の上面部を上下動可能な
ステンレス製のベース盤３により構成し、前記ガイドレ
ール１によりベース盤３が往復動する区間路１ａを形成
する。区間路１ａは、ベース盤３の幅と略同等の幅を有
する直線路であって、その上部に絶縁層形成手段Ｃとし
てのドクターブレードやインクジェットノズル等、電極
層形成手段Ｅとしてのインクジェットノズル、乾燥手段
Ｌとしての熱照射部、光照射部等を並設し、さらには適
宜にレーザー穿孔手段や仮圧着手段を追加して並設す
る。この区間路１ａの長さは約１．５〜２ｍである。な
お、上記絶縁層形成手段、電極層形成手段、乾燥手段等
はユニット化して、必要に応じ適時に着脱可能とし、か
つ設置位置を調整可能としておくことが好ましい。

【００１５】可動台２は、図示しないが一般的であるサ
ーボモータ又はパルスモータの駆動源とそれにより回転
するスクリュー軸とにより前記区間路１ａの長手方向
（Ｘ方向）へ往復動してベース盤３を前記区間路１ａに
沿って移動させ、その移動方向及び速度はコントローラ
により制御される。ベース盤３もまた、サーボモータ又
はパルスモータの駆動源とそれにより回転するスクリュ
ー軸とにより上下動し、その上下動作は積層工程に応じ
て順次下降するようにコントローラによって制御され
る。上記絶縁層形成手段Ｃおよび電極層形成手段Ｅとし
てのインクジェットノズルは、前記区間路１ａを横断す
る方向へ微小間隔をおいて多数のノズルを並設したもの
であり、乾燥手段Ｌもまた区間路１ａの横断方向へ延在
するものである。

【００１６】図２は、本発明の第１実施例であって、イ
ンダクタ用セラミック積層体の製造装置を示し、区間路
１ａの略中央部に乾燥手段である光照射部Ｌを配設し、
その両側にそれぞれインクジェットノズルから導電ペー
ストを噴射するペーストノズルＥ及びインクジェットノ
ズルからセラミックスラリーを噴射するスラリーノズル
Ｃを配置した構成である。ベース盤３は、図中の左側の
ステージ４から右側のステージ５へ移動するときが往動
時であって、逆方向へ移動するときが復動時であり、光
照射部Ｌ、ペーストノズルＥ及びスラリーノズルＣは、
それらの下端部を塗りつぶした各部材が作動状態又はベ
ース盤３の到達時に作動する状態を示す。なお、この点
は以下の実施例においても同様である。

【００１７】この第１実施例では次の作業工程を行う。 （ａ）ベース盤３の最初の往動時に、左側スラリーノズ
ルＣ及び光照射部Ｌが作動し、そのスラリーノズルＣに
よりセラミックスラリーを噴射してベース盤３上に所定
面積のベース絶縁層１０を形成し（図１０参照）、次い
で光照射部Ｌにより該絶縁層１０を乾燥してべとつかな
い程度の半硬化状態にする（図１５参照）。 （ｂ）上記ベース盤３の復動時に、右側のスラリーノズ
ルＣ、ペーストノズルＥ及び光照射部Ｌが作動する。そ
のスラリーノズルＣにより、前記ベース絶縁層１０上で
あって電極パターン部１２ａを除く領域にセラミックス
ラリーを噴射してスペーサ絶縁層１１を形成し（図１１
参照）、次いで、ベース盤３がペーストノズルＥ下を通
過することで該ノズルＥにより導電ペーストを噴射して
前記電極パターン部１２ａに電極層１２を形成する（図
１２参照）。その後にベース盤３が光照射部Ｌを通過す
る際に、所定パターンに形成された前記スペーサ絶縁層
１１及び電極層１２が乾燥される。 （ｃ）次に、ベース盤３の再度の往動時に、左側のスラ
リーノズルＣ、ペーストノズルＥ及び光照射部Ｌが作動
する。スラリーノズルＣにより、前記スペーサ絶縁層１
１及び電極層１２上であってバイヤ電極部１４ａを除く
領域にセラミックスラリーを噴射して絶縁層１３を形成
し（図１３参照）、次いで、ベース盤３がペーストノズ
ルＥ下を通過することで該ノズルＥにより導電ペースト
を噴射して前記バイヤ電極部１４ａにバイヤ電極１４を
形成する（図１４参照）。

【００１８】而して、前記工程（ａ）においてベース絶
縁層１０の薄膜層が形成され、その上面に、ベース盤３
が一往復する工程（ｂ）（ｃ）においてバイヤ電極１４
を有する電極層１２と絶縁層１１，１３とからなる薄膜
層Ｓ１が形成される。その後は、前記工程（ｂ）（ｃ）
の繰り返しである工程（ｄ）（ｅ）…を連続して作業す
ることにより多数の薄膜層を積層したインダクタ用セラ
ミック積層体Ａ１が製造される。

【００１９】このセラミック積層体Ａ１は、前記薄膜層
Ｓ１の厚さが略２０〜２００μｍであり、その積層枚数
が十数枚程度であり、例えば、装置のステージ５上にお
いて、あるいは別の場所に移動されて圧着され、その後
に焼成されてインダクタが得られる。なお、図では作図
上、薄膜層Ｓ１に少ない電極パターンを示しているが、
実際上は積層体Ａ１からインダクタの多数取りが可能な
ように薄膜体Ｓ１に多数のパターンが形成されるもので
ある。その点は以下の実施例においても同様である。

【００２０】図３は、本発明の第２実施例であって、コ
ンデンサ用セラミック積層体の製造装置を示し、区間路
１ａの略中央部に乾燥手段である光照射部Ｌを配設し、
そのステージ４側にインクジェットノズルからセラミッ
クスラリーを噴射するスラリーノズルＣのみを配置し、
他側にインクジェットノズルから導電ペーストを噴射す
るペーストノズルＥ及びインクジェットノズルからセラ
ミックスラリーを噴射するスラリーノズルＣを配置した
構成である。すなわち、コンデンサ用の場合には、前記
バイヤ電極を必要としないので、片側のペーストノズル
Ｅを省略したものである。なお、この省略したペースト
ノズルＥは、取り外しておくこともよいが、配置したま
ま不作動とすることもよい。

【００２１】この第２実施例では次の作業工程を行う。 （ａ）ベース盤３の最初の往動時に、左側スラリーノズ
ルＣ及び光照射部Ｌが作動し、そのスラリーノズルＣに
よりセラミックスラリーを噴射してベース盤３上に所定
面積の絶縁層２０を形成し、次いで光照射部Ｌにより該
絶縁層２０を乾燥する。 （ｂ）上記ベース盤３の復動時に、右側のスラリーノズ
ルＣ、ペーストノズルＥ及び光照射部Ｌが作動する。そ
のスラリーノズルＣにより、前記絶縁層２０上の所定領
域にセラミックスラリーを噴射してスペーサ絶縁層２１
を形成し、次いで、ベース盤３がペーストノズルＥ下を
通過することで該ノズルＥにより導電ペーストを噴射し
て前記スペーサ絶縁層２１の塗布されない領域に電極層
２２を形成する。その後にベース盤３が光照射部Ｌを通
過する際に、所定パターンに形成された前記スペーサ絶
縁層２１及び電極層２２が乾燥される。

【００２２】而して、ベース盤３が一往復する工程
（ａ）（ｂ）において電極層２２と絶縁層２１，２３と
からなる薄膜層Ｓ２が形成される。その後は、前記工程
（ａ）（ｂ）の繰り返しである工程（ｃ）（ｄ）…を連
続して作業することにより多数の薄膜層を積層したコン
デンサ用セラミック積層体Ａ２が製造される。このセラ
ミック積層体Ａ２は、前記薄膜層Ｓ２の厚さが従来の薄
膜層より薄い略１〜２μｍであり、その積層枚数が数百
枚程度であり、例えば、装置のステージ５上において、
あるいは別の場所に移動されて圧着され、その後に焼成
されてインダクタが得られる。なお、インダクタの場合
には各個それぞれに外部電極が付設される。

【００２３】図４は、本発明の第３実施例であって、イ
ンダクタ用セラミック積層体の製造装置を示し、区間路
１ａの略中央部とその左右両側に間隔をおいて乾燥手段
である光照射部Ｌを配設し、その一側（ステージ４側）
の光照射部Ｌ，Ｌ間にスラリーノズルＣを配置するとと
もに、他側（ステージ５側）の光照射部Ｌ，Ｌ間にペー
ストノズルＥを配置した構成である。

【００２４】この第３実施例では次の作業工程を行う。 （ａ）ベース盤３の最初の往動時に、スラリーノズル
Ｃ、ペーストノズルＥ、中央及び右側光照射部Ｌが作動
する。スラリーノズルＣによりセラミックスラリーを噴
射してベース盤３上に所定面積のベース絶縁層３０を形
成し、該ベース絶縁層３０が中央の光照射部Ｌ下を通過
する際に乾燥され、次いでベース絶縁層３０がペースト
ノズルＥ下を通過するときに、該ペーストノズルＥによ
り導電ペーストを噴射して所定の電極パターンからなる
電極層３２を形成する。この電極層３２は右側の光照射
部Ｌ下を通過する際に乾燥される。 （ｂ）上記ベース盤３の復動時に、スラリーノズルＣ及
び左側の光照射部Ｌが作動する。そのスラリーノズルＣ
により、前記ベース絶縁層３０上の電極層３２間を埋め
るようにセラミックスラリーを噴射してスペーサ絶縁層
３１を形成し、該スペーサ絶縁層３１は左側の光照射部
Ｌ下を通過する際に乾燥される。

【００２５】（ｃ）次に、ベース盤３の再度の往動時
に、スラリーノズルＣ、ペーストノズルＥ、中央及び右
側の光照射部Ｌが作動する。スラリーノズルＣにより、
前記スペーサ絶縁層３１及び電極層３２上の所定領域に
セラミックスラリーを噴射して絶縁層３３を形成し、光
照射部Ｌにより該絶縁層３３を乾燥した後、ベース盤３
がペーストノズルＥ下を通過することで該ノズルＥによ
り前記絶縁層３３が塗布されない領域に導電ペーストを
噴射してバイヤ電極３４を形成する。そのバイヤ電極３
４は右側の光照射部Ｌにより乾燥される。 （ｄ）次いで、ベース盤３の再度の復動時に、ペースト
ノズルＥ、スラリーノズルＣ、中央及び左側の光照射部
Ｌが作動する。そのペーストノズルＥにより、絶縁層３
３及びバイヤ電極３４上に導電ペーストを噴射して所定
の電極パターンからなる電極層３２を形成し、光照射部
Ｌにより該電極層３２を乾燥した後、ベース盤３がスラ
リーノズルＣ下を通過することで該ノズルＣにより前記
電極層３２が塗布されない領域にセラミックスラリーを
噴射してスペーサ絶縁層３１を形成する。そのスペーサ
絶縁層３１は左側の光照射部Ｌにより乾燥される。

【００２６】上記工程（ａ）〜（ｄ）以後は、ベース盤
３が一往復する工程（ｃ）（ｄ）を繰り返すことによ
り、バイヤ電極３４を有する電極層３２と絶縁層３１，
３３とからなる薄膜層Ｓ３を積層したインダクタ用セラ
ミック積層体Ａ３が得られる。この第３実施例によれ
ば、絶縁層又は電極層を形成する度に乾燥手段により各
層面を乾燥させるので、スペーサ絶縁層３１、電極層３
２、絶縁層３３及びバイヤ電極３４の塗布又は印刷精度
が向上する。

【００２７】図５は、本発明の第４実施例であって、コ
ンデンサ用セラミック積層体の製造装置を示し、区間路
１ａ上に、前記第３実施例と同一の配置でもって光照射
部Ｌ、スラリーノズルＣ、ペーストノズルＥを構成した
ものである。この第４実施例では次の作業工程を行う。 （ａ）ベース盤３の最初の往動時に、スラリーノズル
Ｃ、ペーストノズルＥ、中央及び右側光照射部Ｌが作動
する。スラリーノズルＣによりセラミックスラリーを噴
射してベース盤３上に所定面積の絶縁層４０を形成し、
該絶縁層４０が中央の光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥
され、次いで絶縁層４０がペーストノズルＥ下を通過す
るときに、該ペーストノズルＥにより導電ペーストを噴
射して所定の電極パターンからなる電極層４２を形成す
る。この電極層４２は右側の光照射部Ｌ下を通過する際
に乾燥される。 （ｂ）上記ベース盤３の復動時に、スラリーノズルＣ及
び左側の光照射部Ｌが作動する。そのスラリーノズルＣ
により、前記絶縁層４０上の電極層４２間を埋めるよう
にセラミックスラリーを噴射してスペーサ絶縁層４１を
形成し、該スペーサ絶縁層４１は左側の光照射部Ｌ下を
通過する際に乾燥される。

【００２８】而して、ベース盤３が一往復する工程
（ａ）（ｂ）において電極層４２と絶縁層４０，４１と
からなる薄膜層Ｓ４が形成される。その後は、前記工程
（ａ）（ｂ）の繰り返しである工程（ｃ）（ｄ）…を連
続して作業することにより多数の薄膜層を積層したコン
デンサ用セラミック積層体Ａ４が製造される。この第４
実施例においても、スペーサ絶縁層４１、電極層４２及
び絶縁層４０の塗布又は印刷精度が向上する。

【００２９】図６は、本発明の第５実施例であって、イ
ンダクタ用セラミック積層体の製造装置を示し、区間路
１ａの略中央部に乾燥手段である光照射部Ｌを配設し、
その左側（ステージ４側）にスラリーノズルＣを、右側
（ステージ５側）にペーストノズルＥを配置した構成で
ある。

【００３０】この第５実施例では次の作業工程を行う。 （ａ）ベース盤３の最初の往動時に、スラリーノズル
Ｃ、光照射部Ｌ及びペーストノズルＥの全てが作動す
る。スラリーノズルＣによりセラミックスラリーを噴射
してベース盤３上に所定面積のベース絶縁層５０を形成
し、該ベース絶縁層５０が光照射部Ｌ下を通過する際に
乾燥され、次いでベース絶縁層５０がペーストノズルＥ
下を通過するときに、該ペーストノズルＥにより導電ペ
ーストを噴射して所定の電極パターンからなる電極層５
２を形成する。 （ｂ）上記ベース盤３の復動時に、光照射部Ｌとスラリ
ーノズルＣが作動する。工程（ａ）により形成された前
記電極層５２が光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥された
後に、スラリーノズルＣにより、前記ベース絶縁層５０
上の電極層５２間を埋めるようにセラミックスラリーを
噴射してスペーサ絶縁層５１が形成される。

【００３１】（ｃ）次に、ベース盤３の再度の往動時
に、光照射部ＬとペーストノズルＥが作動する。工程
（ｂ）により形成された前記スペーサ絶縁層５１が光照
射部Ｌ下を通過する際に乾燥された後、ペーストノズル
Ｅ下を通過する際に、該ノズルＥにより導電ペーストを
噴射して前記電極層５２上の所定位置にバイヤ電極５４
が形成される。 （ｄ）次いで、ベース盤３の再度の復動時に、スラリー
ノズルＣ、光照射部Ｌが作動する。工程（ｃ）により形
成された前記バイヤ電極５４が光照射部Ｌ下を通過する
際に乾燥された後、スラリーノズルＣにより前記バイヤ
電極５４が塗布されない領域にセラミックスラリーを噴
射して絶縁層５３を形成する。 （ｅ）さらにベース盤３が往動し、その往動時に光照射
部ＬとペーストノズルＥが作動する。工程（ｄ）により
形成された絶縁層５３が光照射部Ｌにより乾燥された後
に、ペーストノズルＥにより導電ペーストを前記絶縁層
５３及びバイヤ電極５４上面に噴射して所定の電極パタ
ーンからなる電極層５２を形成する

【００３２】上記工程（ａ）〜（ｅ）以後は、ベース盤
３が二往復する工程（ｂ）〜（ｅ）を繰り返すことによ
り、バイヤ電極５４を有する電極層５２と絶縁層５１，
５３とからなる薄膜層Ｓ５を積層したインダクタ用セラ
ミック積層体Ａ５が得られる。この第５実施例によれ
ば、薄膜層Ｓ５を形成するための工程数が多くなるが、
スラリーノズルＣ、ペーストノズルＥ、光照射部Ｌを最
少個数になし得て区間路１ａの長さを短縮することがで
きる。

【００３３】図７は、本発明の第６実施例であって、コ
ンデンサ用セラミック積層体の製造装置を示し、区間路
１ａ上に、前記第５実施例と同一の配置でもって光照射
部Ｌの左側にスラリーノズルＣを、右側にペーストノズ
ルＥを構成したものである。

【００３４】この第６実施例では次の作業工程を行う。 （ａ）ベース盤３の最初の往動時に、スラリーノズル
Ｃ、光照射部Ｌ及びペーストノズルＥの全てが作動し、
先ず、スラリーノズルＣによりセラミックスラリーを噴
射してベース盤３上に所定面積の絶縁層６０を形成し、
該絶縁層６０が光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥され
る。次いで絶縁層６０がペーストノズルＥ下を通過する
ときに、該ペーストノズルＥにより導電ペーストを噴射
して所定の電極パターンからなる電極層６２を形成す
る。 （ｂ）上記ベース盤３の復動時に、光照射部Ｌとスラリ
ーノズルＣが作動する。工程（ａ）により形成された前
記電極層６２が光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥された
後に、スラリーノズルＣにより、前記絶縁層６０上の電
極層６２間を埋めるようにセラミックスラリーを噴射し
てスペーサ絶縁層６１が形成される。

【００３５】（ｃ）次に、ベース盤３はステージ５まで
到達しない途中位置までの短区間、詳しくはベース盤３
がステージ４から光照射部Ｌを通過した位置までの区間
を往復動し、その間に光照射部ＬとスラリーノズルＣが
作動する。そして、その短区間の往動時に、工程（ｂ）
により形成された前記スペーサ絶縁層６１が光照射部Ｌ
下を通過して乾燥され、復動時にベース盤３がスラリー
ノズルＣ下を通過する際に、該ノズルＣによりセラミッ
クスラリーを噴射して前記電極層６２上に絶縁層６０が
形成される。 （ｄ）その後、ベース盤３が往動し、その往動時に光照
射部ＬおよびペーストノズルＥが作動する。工程（ｃ）
により形成された絶縁層６０が光照射部Ｌにより乾燥さ
れた後に、ペーストノズルＥにより導電ペーストを前記
絶縁層６０上面に噴射して所定の電極パターンからなる
電極層６２を形成する

【００３６】上記工程（ａ）〜（ｄ）以後は、前記工程
（ｂ）〜（ｄ）を繰り返すことにより、電極層６２と絶
縁層６０，６１とからなる薄膜層Ｓ６を積層したコンデ
ンサ用セラミック積層体Ａ６が得られる。この第６実施
例においても、スラリーノズルＣ、ペーストノズルＥ、
光照射部Ｌを最少個数になし得て区間路１ａの長さを短
縮することができる。

【００３７】図８は、本発明の第７実施例であって、イ
ンダクタ用セラミック積層体の製造装置を示し、詳しく
はバイヤ電極を形成するためのバイヤホールをレーザー
穿孔手段により作製する場合である。すなわち、区間路
１ａ上に前述した第５実施例に相当するスラリーノズル
Ｃ、光照射部Ｌ及びペーストノズルＥを配置することに
加えて、レーザーヘッドＰを配設した構成である。この
レーザーヘッドＰは、前記区間路１ａを横断する方向へ
微小間隔をおいて多数並設され、各ヘッドが図示しない
レーザー発生器に接続されているものである。

【００３８】この第７実施例では次の作業工程を行う。 （ａ）ベース盤３の最初の往動時に、スラリーノズル
Ｃ、光照射部Ｌ及びペーストノズルＥが作動し、スラリ
ーノズルＣによりセラミックスラリーを噴射してベース
盤３上に所定面積のベース絶縁層７０を形成し、該ベー
ス絶縁層７０が光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥され
る。次いでベース絶縁層７０がペーストノズルＥ下を通
過するときに、該ペーストノズルＥにより導電ペースト
を噴射して所定の電極パターンからなる電極層７２を形
成する。 （ｂ）上記ベース盤３の復動時に、光照射部Ｌとスラリ
ーノズルＣが作動する。工程（ａ）により形成された前
記電極層７２が光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥された
後に、スラリーノズルＣにより、前記ベース絶縁層７０
上の電極層７２間を埋めるようにセラミックスラリーを
噴射してスペーサ絶縁層７１が形成される。

【００３９】（ｃ）次に、ベース盤３の再度の往動時
に、スラリーノズルＣ、光照射部Ｌ及び前記レーザーヘ
ッドが作動する。ベース盤３がスラリーノズルＣ下を通
過する際に、セラミックスラリーを噴射して前記スペー
サ絶縁層７１及び電極層７２の上面全面を覆う絶縁層７
３を形成し、それが光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥さ
れる。次いで、ベース盤３がレーザーヘッドＰ下を通過
するときに、該ヘッドＰにより前記絶縁層７３の所定位
置に前記電極層７２へ通じるバイヤホール７５を開孔す
る。

【００４０】（ｄ）次に、ベース盤３がステージ５から
復動を開始するが、ベース盤３はステージ４まで復帰し
ない途中位置までの短区間、詳しくはベース盤３がステ
ージ５から光照射部Ｌを通過した位置までの区間を復動
動作と往動動作をし、その間に光照射部Ｌとペーストノ
ズルＥが作動する。そして、その短区間の復動動作にお
いて、ペーストノズルＥ下を通過する際に、該ノズルＥ
により導電ペーストを噴射し前記バイヤホール７５内に
充填してバイヤ電極７４が形成され、このバイヤ電極７
４は、それが光照射部Ｌを通過する際に乾燥される。一
方、短区間の往動動作においては、ペーストノズルＥに
より絶縁層７３とバイヤ電極７４の上面に所定のパター
ンの電極層７２が形成される。 （ｅ）その後のベース盤３の復動時に、スラリーノズル
Ｃ、光照射部Ｌが作動する。工程（ｄ）により形成され
た前記電極層７２が光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥さ
れた後、スラリーノズルＣにより前記電極層７２が塗布
されない領域にセラミックスラリーを噴射してスペーサ
絶縁層７１を形成する。

【００４１】上記工程（ａ）〜（ｅ）以後は、前記工程
（ｃ）〜（ｅ）を繰り返すことにより、前述した第５実
施例と同等のインダクタ用セラミック積層体が得られ
る。なお、この第７実施例は、第１実施例、第３実施
例、第５実施例で説明したバイヤ電極の形成に代えて、
レーザー穿孔手段を採用することも可能であることを例
示するものであり、第５実施例の場合に即して説明した
が、第１実施例、第３実施例においても適用可能であ
る。

【００４２】図９は、本発明の第８実施例であって、イ
ンダクタ用セラミック積層体の製造装置を示し、詳しく
は前記区間路１ａ上に仮圧着手段を付設した場合をであ
る。仮圧着手段には、上下動可能なプレス板や押圧ロー
ルを使用することができ、実施例においては第１実施例
の区間路１ａ上に押圧ロールＲを配設した場合を例示し
ている。第１実施例の作業工程は既述のとおりであるの
で、説明の便宜上、図中に同一符号を付して説明を省略
するが、中央の光照射部Ｌと右側のペーストノズルＥと
の間に押圧ロールＲを上下動可能に配設し、該押圧ロー
ルＲが前記工程（ｃ）において作動（下動）するように
している。

【００４３】すなわち、前記工程（ｃ）の各動作時にお
いて、バイヤ電極１４が形成された絶縁層１３が光照射
部Ｌ下を通過して乾燥された後に、往動するベース盤３
上に押圧ロールＲが下動してバイヤ電極１４及び絶縁層
１３の上面を押圧して薄膜層を仮圧着するものである。
この仮圧着により、薄膜層の上面に生じる微細な凹凸を
均して均質化するとともに下層の薄膜層との密着性を高
めるようにする。なお、この仮圧着手段の付設を第１実
施例の場合で説明したが、他の実施例においても適用さ
れることは明らかであり、また、配置も任意に設定でき
るものである。

【００４４】上記仮圧着手段の好ましい形態を図１６に
示す。図１６において、押圧ロールＲは、支持部材１０
１に回転自在に配置したロールの表面に粘着性が極微な
表面処理を施したもので、その表面に粘着性を有する除
塵ローラ１００を回転自在に接触させて両者を接触状の
まま支持部材１０１を上下動可能に設置する。上記押圧
ロールＲは、その作動時に前述のとおりバイヤ電極１
４、絶縁層１３の上面を押圧して薄膜層を仮圧着すると
ともに、バイヤ電極１４及び絶縁層１３から微粒片が剥
離しているときには該微粒片を表面に付着させて薄膜層
から取り除き、その押圧ロールＲに付着した微粒片は、
押圧ロールより高い粘着性を有する除塵ローラ１００の
表面に転着する。そして、除塵ローラ１００へ転着した
微粒片は、該除塵ローラ１００を適時に取り外して清掃
し、あるいは除塵ローラ１００に剥離部材（図示せず）
を当接させることによって除去すればよい。

【００４５】上述した実施例においては、絶縁層形成手
段としてインクジェット方式を採用したスラリーノズル
の場合を説明したが、図１７に例示したようなドクター
ブレード方式を採用するスラリーヘッドＣ’や、あるい
はローラの回転により該ローラの接触面にセラミックス
ラリーを塗布するコートローラ方式を採用することもよ
い。特にベース絶縁層１０、絶縁層２０等のように所定
領域全面にセラミックスラリーを塗布する場合にはドク
ターブレード方式やコートローラ方式が採用可能であ
る。また、電極層等を形成した後にスペーサ絶縁層を充
填塗布する場合でも、乾燥手段により電極層等を充分乾
燥させることによってドクターブレード方式を採用する
ことができる。また、上記実施例においては、ベース盤
を１ないし２往復する間に薄膜層が形成される場合を説
明したが、セラミックスラリーの層厚を大きくするため
に往復回数を増やすことも任意である。なお、本発明は
その趣旨に沿う限り、前述した絶縁層形成手段など各手
段の配列、個数、作業工程などは適宜に変更可能であり
実施例記載に限定されるものではない。

【００４６】

【発明の効果】本発明によれば、ベース盤が往復動する
直線状の区間路に絶縁層形成手段、電極層形成手段及び
乾燥手段を並設し、ベース盤の往動時及び復動時の各工
程において所定の作業を有効に行わせるので、セラミッ
ク積層体の薄膜各層を効率的に作製することができると
ともにそれらの積層体の製造時間を短縮して生産性を高
めることができる。そして、上記絶縁層形成手段、電極
層形成手段及び乾燥手段は必要最少な個数を並設すれば
よいので、前記区間路の必要長を短く設定することがで
き実用化が可能な小型装置であって、しかも前記各形成
手段の最少個数により安価な製造装置を提供することが
できる。

【００４７】そして、請求項２のように乾燥手段の少な
くとも１つを前記区間路の略中央部に配置したので、絶
縁層の形成工程、電極層の形成工程などの作業工程を有
効的連続して行わせることができ、前記ベース盤の移動
区間路を最小にして装置の小型化を促進させることがで
きる。また、絶縁層形成手段の少なくとも１つにインク
ジェット方式を採用する請求項３によれば、電極層間の
凹嵌部にセラミックスラリーを充填するなど絶縁層を高
精度に形成することができ、請求項４によれば、薄膜層
の平坦性が確保されてボイドの発生原因が除去され、製
造される電子部品の高品質を担保することができる。

【００４８】また、上記電極層形成手段がインクジェッ
ト方式により導電ペーストを噴射するので、この電極層
形成手段により、電極パターン上に直接に導電ペースト
を照射して、バイヤホールを開孔することなくバイヤ電
極を精度よく確実かつ迅速にに形成することができる
（請求項５）。一方、請求項６によれば、レーザー穿孔
方式でバイヤホールを開孔した場合でも、電極層形成手
段により導電ペーストを充填してバイヤ電極を精度よく
確実に形成することができる。

【００４９】さらに、請求項７によれば、形成された薄
膜層の上面を仮圧着するので、絶縁層形成手段、電極層
形成手段により形成されたセラミック絶縁層及び電極パ
ターン上面の凹凸状を均して面一化し、次の薄膜層の積
層精度を高めるとともに下層の薄膜層との密着性を高め
て各層を均質一体化させ、高品質なセラミック積層体を
提供することができる。

【００５０】そして、請求項８によれば、前記仮圧着機
能に加え、セラミックスラリー及び導電ペーストの微粒
片が取り除かれて相互に混入することがないので、さら
に高品質なセラミック積層体を製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明製造装置の概要を示す側面図である。

【図２】 第１実施例の作業工程を示す側面図である。

【図３】 第２実施例の作業工程を示す側面図である。

【図４】 第３実施例の作業工程を示す側面図である。

【図５】 第４実施例の作業工程を示す側面図である。

【図６】 第５実施例の作業工程を示す側面図である。

【図７】 第６実施例の作業工程を示す側面図である。

【図８】 第７実施例の作業工程を示す側面図である。

【図９】 第８実施例の作業工程を示す側面図である。

【図10】 絶縁層形成手段による絶縁層の形成工程を示
す拡大図である。

【図11】 絶縁層形成手段によるスペーサ絶縁層の形成
工程を示す拡大図である。

【図12】 電極層形成手段による電極層の形成工程を示
す拡大図である。

【図13】 絶縁層形成手段による絶縁層の形成工程を示
す拡大図である。

【図14】 電極層形成手段によるバイヤ電極の形成工程
を示す拡大図である。

【図15】 乾燥手段による乾燥工程を示す拡大図であ
る。

【図16】 仮圧着手段の具体例を示す拡大図である。

【図17】 絶縁層形成手段の他の実施形態を示す拡大図
である。

【符号の説明】

１ａ：区間路 ２：可動台
３：ベース盤 Ｃ：スラリーノズル（絶縁層形成手段） Ｅ：ペーストノズル（電極層形成手段） Ｌ：光照射部（乾燥手段） Ｐ：レーザーヘッド（レーザー穿孔手段） Ｒ：押圧ロール（仮圧着手段）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 古田 誠人 愛知県愛知郡東郷町大字春木字下鏡田446 番地の268 ユーエイチティー株式会社内 Ｆターム(参考） 2C056 EA24 FB01 4F041 AA05 AB02 BA05 5E001 AB03 AB06 AH02 AH05 AJ01 AJ02 5E062 DD04 5E082 AB03 BC39 BC40 EE04 EE35 FG06 FG26 JJ15 JJ23 LL01 MM11 MM22

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ベース盤を直線状の所定区間路に往復動
   かつ上下動可能に設置するとともに、その区間路上に、
   セラミックスラリーを吐出する絶縁層形成手段、インク
   ジェット方式により導電ペーストを噴射する電極層形成
   手段、前記スラリー又はペーストを乾燥させる乾燥手段
   を、それぞれ１ないし複数個並設し、前記ベース盤が前
   記区間路を１ないし数往復する間にセラミック絶縁層上
   に所定の電極パターンが配設された薄膜層を形成し、そ
   れらを繰り返してセラミック積層体を形成するセラミッ
   ク積層体の製造装置。
2. 【請求項２】 上記乾燥手段の少なくとも１つが、前記
   区間路の略中央部に配置されていることを特徴とする請
   求項１記載のセラミック積層体の製造装置。
3. 【請求項３】 上記絶縁層形成手段の少なくとも１つ
   が、インクジェット方式によりセラミックスラリーを噴
   射して絶縁層を形成することを特徴とする請求項１又は
   ２記載のセラミック積層体の製造装置。
4. 【請求項４】 上記絶縁層形成手段が、電極層形成手段
   により形成された電極層間の凹嵌部又は電極層が形成さ
   れる領域を除いた所定領域にセラミックスラリーを充填
   することを含む請求項１〜３の何れか１項記載のセラミ
   ック積層体の製造装置。
5. 【請求項５】 上記電極層形成手段が、インクジェット
   方式により導電ペーストを前記電極パターン上に噴射し
   てバイヤ電極を形成することを特徴とする請求項１〜４
   の何れか１項記載のセラミック積層体の製造装置。
6. 【請求項６】 請求項１記載において、さらに前記絶縁
   層にバイヤホールを開孔するレーザー穿孔手段を並設
   し、該穿孔手段により開孔したバイヤーホールに前記電
   極層形成手段により導電ペーストを充填してバイヤ電極
   を形成したことを特徴とするセラミック積層体の製造装
   置。
7. 【請求項７】 請求項１記載において、前記薄膜層を積
   層する適時に上面を押圧する仮圧着手段を並設したこと
   を特徴とするセラミック積層体の製造装置。
8. 【請求項８】 上記仮圧着手段が、乾燥手段により乾燥
   されたセラミックスラリー又は導電ペーストに接触し、
   且つ表面に極微粘着性を有する押圧ロールであって、該
   ロールに粘着性を有する除塵ローラを接触させることを
   特徴とする請求項７記載のセラミック積層体の製造装
   置。