JP3881833B2 - セラミック積層体の製造装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はセラミック積層体の製造装置、詳しくは積層セラミックコンデンサ、積層インダクタや抵抗、フィルタ等の積層型セラミック電子部品を製造するために、複数のセラミック絶縁層とそれら絶縁層の界面に電極層とを備えたセラミック積層体の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、セラミック積層体の製造に関し、それまでベース材として慣用されていた樹脂製キャリアフィルムの使用を省くために、ベース板上に、セラミック絶縁層と所定の電極パターンとを形成する工程を繰り返して薄膜層を直接的に積層する方式が提案されている（特開平９−２３２１７４号公報）。
また、同公報によれば、ベース板は、サーボモータとボールねじとを用いた機構等により、ＸおよびＹ方向に移動可能とされること、それに代えて、スラリー噴射ヘッドをＸおよびＹ方向に移動可能とすることが例示され、また、前記ベース板に代えて、金属からなるエンドレスベルトを用いること、その場合にスラリー噴射ヘッドやペースト噴射ヘッドがエンドレスベルトの進行方向に対して垂直方向に移動するように制御されることが例示されている。
さらに、同公報には、前記エンドレスベルトの進行方向に沿って、所望数のスラリー噴射ヘッド、所望数のペースト噴射ヘッド等が所定の順序で配列され、エンドレスベルトの一方向の進行に伴って、積層体が次々と製造されるようにしてもよいことが例示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記公報による開示技術によれば、具体的な装置としては実用上多くの問題があり、そのまま実施することが困難である。
例えば、前記開示技術の実施例に記載のように、ＸおよびＹ方向に移動可能なベース板上の所定位置に、絶縁層形成手段としてのスラリー噴射ヘッド、電極層形成手段としてのペースト噴射ヘッド等を交互に出し入れする態様によれば、それら噴射ヘッドの移動に時間及び位置決め制御に時間を要し、１００〜数百層の積層体を製造するには実用的な生産性が期待できない。
また、上記エンドレスベルトを用いて、該エンドレスベルトの一方向の進行に伴って、積層体を次々と製造する態様によれば、数百層の積層体を製造するにはそれに相当する数のスラリー噴射ヘッド、ペースト噴射ヘッド等を配置しなければならず、著しく設備費用が多大になるばかりでなく大きな設置床面積を要して装置が大型化することになる。
【０００４】
しかも、生産性を高めるためには、絶縁層や電極層等を形成する度に該層を乾燥させる乾燥手段が必須であり、また、必要に応じて仮圧着手段、穿孔手段等を必要とするが、その場合には、前記スラリー噴射ヘッド、ペースト噴射ヘッドに加えて乾燥手段や仮圧着手段、穿孔手段等を追加して配置しなければならず、一段と生産性の低下や装置の大型化、設備費用の増大をきたす不具合がある。
【０００５】
本発明は、上記従来事情に鑑みその不具合を解消して、セラミック積層体の各層毎の製造速度を高めて生産性を向上させるとともに、実用化が可能な小型化した製造装置を安価に提供せんとすることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
斯る本発明のセラミック積層体の製造装置は、ベース盤を直線状の所定区間路に往復動かつ上下動可能に設置するとともに、その区間路上に、セラミックスラリーを吐出する絶縁層形成手段、インクジェット方式により導電ペーストを噴射する電極層形成手段、前記スラリー又はペーストを乾燥させる乾燥手段を、それぞれ１ないし複数個並設し、前記ベース盤が前記区間路を１ないし数往復する間にセラミック絶縁層上に所定の電極パターンが配設された薄膜層を形成し、それらを繰り返してセラミック積層体を形成するものである。
すなわち、絶縁層形成手段、電極層形成手段及び乾燥手段を１ないし必要最少な複数個を並設し、それらが配置された直線状の区間路にベース盤を往復動させるとともに、その往動時及び復動時の各工程において所定の作業を有効に行わせるようにしたことを特徴とする。
【０００７】
上記絶縁層形成手段、電極層形成手段及び乾燥手段の配列は、セラミックスラリーによる絶縁層の形成工程、導電ペーストによる電極層の形成工程などの作業工程に応じて適宜に設定するが、前記乾燥手段による乾燥工程は頻度が多いことから、それら１又は複数個の乾燥手段は、少なくとも１つを前記区間路の略中央部に配置し、該乾燥手段の両側に、前記絶縁層形成手段、電極層形成手段の少なくとも１つを配置すると作業効率上有効である（請求項１）。
この乾燥手段は、加熱又は温風方式、光照射方式、レーザー照射方式あるいは後述する仮圧着手段を兼用する熱板圧着方式など何れの方式によることも任意であり、前記絶縁層、電極層をべとつかない程度の半硬化状態にする。
【０００８】
上記絶縁層形成手段は、一般に知られているドクターブレード方式、インクジェット方式、あるいはローラ塗布方式等を採用するが、絶縁層の緻密化に対応し精度を高めるためには、少なくとも１つにインクジェット方式を採用することが好ましい（請求項２）。但し、薄膜層の一層全面に絶縁層を形成する部分には、前記ドクターブレード方式やローラ塗布方式を採用すること、すなわちインクジェット方式と他の方式を組み合わせることも任意である。
【０００９】
また、上記絶縁層上に電極層を形成して一層の薄膜層を形成すれば、その電極層間に凹嵌部を生じて薄膜層の平坦性が損なわれ、それら薄膜層を積層したときに前記凹嵌部により空隙を生じて焼成後の電子部品にボイドが発生する原因となる。
上記薄膜層の平坦性を確保するためには、前記凹嵌部を絶縁層で埋めることが必要であり、そのため、上記絶縁層形成手段が、電極層形成手段により形成された電極層間の凹嵌部又は電極層が形成される領域を除いた所定領域にセラミックスラリーを充填することを含むようにする（請求項３）。その場合の絶縁層形成手段に前記インクジェット方式を採用することが適切である。
【００１０】
一方、セラミック積層体がインダクタ用である場合には、上下薄膜層の電極層を接続するバイヤ電極を形成する必要がある。
上記電極層形成手段がインクジェット方式であるので、当該手段によりバイヤ電極を形成することも可能である。すなわち、上記電極層形成手段が、インクジェット方式により導電ペーストを前記電極パターン上に噴射してバイヤ電極を形成すればよい（請求項４）。
なお、上記バイヤ電極は、通常行われるように、薄膜層の絶縁層にバイヤホールを開孔して該ホールに導電ペーストを充填するようにしてもよく、その場合には、穿孔手段としてレーザー穿孔方式を採用することが好ましい。具体的には、前記区間路にレーザー穿孔手段を追加して並設し、該穿孔手段により開孔されたバイヤホールには、前記インクジェット方式による電極層形成手段により導電ペーストを充填してバイヤ電極を形成する（請求項５）。
【００１１】
また、上記薄膜層のセラミックスラリーや導電ペーストに生じる微細な凹凸を均して平坦性を確保し、積層を均一にして積層精度を高めるためには、薄膜層を一層形成する度などの適時に該層の上面を押圧することが好ましい。そのために、上記ベース盤が移動する前記区間路に熱板やロール等からなる仮圧着手段を追加して並設するようにする。
そして、前述したように、仮圧着手段に熱板を使用すれば乾燥手段と仮圧着手段との兼用が可能である。
なお、仮圧着手段が作動するタイミングは、薄膜層が一層形成される度、あるいは薄膜層が数層形成される度、さらには往復動するベース盤の往動時毎又は復動時毎など何れであってもよい。なお、上記のように、電極層間の凹嵌部等にセラミックスラリーを充填する場合には、ある程度の平坦性が確保されるので必ずしも仮圧着手段を必要としない。
【００１２】
上記仮圧着手段の好ましい具体的構成は、乾燥手段により乾燥されたセラミックスラリー又は導電ペーストに接触し、且つ表面に極微粘着性を有する押圧ロールであって、該ロールに粘着性を有する除塵ローラを接触させるようにする（請求項６）。
それにより、インクジェット方式等により塗布されたセラミックスラリー又は導電ペーストは、乾燥手段によりべとつかない程度に乾燥された後に、押圧ロールの接触により微細な凹凸が平坦に均されるとともに凸部から剥がれた微粒片が押圧ロールに付着して取り除かれ、該ロールに付着した微粒片は除塵ロールに付着して除去される。
【００１３】
なお、上記セラミックスラリーは、ガラス複合系材料として硼珪酸ガラス形成物質に修飾物質（例えば、ＭｇＯ，ＣａＯ，Ａｌ2Ｏ３，Ｋ2Ｏ，ＺｎＯ等）を加えたガラス粉末と、アルミナ，ムライト，コージェライト，石英等のセラミックとの混合物を原料とするもの、結晶化ガラス系材料としてコージェライト系，αスポジュメン系等の結晶化するガラス粉末からなるものを使用する。
また、電極パターン用の導電ペーストには、例えば銅系の導体材料、あるいはタングステンＷ、モリブデンＭｏ、マンガンＭｎ等を使用し、バイヤ電極用の導電ペーストには、導体抵抗の小さな銀系の導体材料、例えば、銀、銀−パラジウム、銀−白金、銀−パラジウム−白金等を使用する。
なお、前記セラミックスラリー、導電ペーストの材料に、光照射によって乾燥が促進される光硬化材料を含有させることもよい。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
先ず、図１により製造装置の概要を説明すれば、装置は図示しない機枠内に配設され、直線状水平に配置されたガイドレール１に、可動台２を往復動可能に載設するとともに可動台２の上面部を上下動可能なステンレス製のベース盤３により構成し、前記ガイドレール１によりベース盤３が往復動する区間路１ａを形成する。
区間路１ａは、ベース盤３の幅と略同等の幅を有する直線路であって、その上部に絶縁層形成手段Ｃとしてのドクターブレードやインクジェットノズル等、電極層形成手段Ｅとしてのインクジェットノズル、乾燥手段Ｌとしての熱照射部、光照射部等を並設し、さらには適宜にレーザー穿孔手段や仮圧着手段を追加して並設する。この区間路１ａの長さは約１．５〜２ｍである。
なお、上記絶縁層形成手段、電極層形成手段、乾燥手段等はユニット化して、必要に応じ適時に着脱可能とし、かつ設置位置を調整可能としておくことが好ましい。
【００１５】
可動台２は、図示しないが一般的であるサーボモータ又はパルスモータの駆動源とそれにより回転するスクリュー軸とにより前記区間路１ａの長手方向（Ｘ方向）へ往復動してベース盤３を前記区間路１ａに沿って移動させ、その移動方向及び速度はコントローラにより制御される。
ベース盤３もまた、サーボモータ又はパルスモータの駆動源とそれにより回転するスクリュー軸とにより上下動し、その上下動作は積層工程に応じて順次下降するようにコントローラによって制御される。
上記絶縁層形成手段Ｃおよび電極層形成手段Ｅとしてのインクジェットノズルは、前記区間路１ａを横断する方向へ微小間隔をおいて多数のノズルを並設したものであり、乾燥手段Ｌもまた区間路１ａの横断方向へ延在するものである。
【００１６】
図２は、本発明の第１実施例であって、インダクタ用セラミック積層体の製造装置を示し、区間路１ａの略中央部に乾燥手段である光照射部Ｌを配設し、その両側にそれぞれインクジェットノズルから導電ペーストを噴射するペーストノズルＥ及びインクジェットノズルからセラミックスラリーを噴射するスラリーノズルＣを配置した構成である。
ベース盤３は、図中の左側のステージ４から右側のステージ５へ移動するときが往動時であって、逆方向へ移動するときが復動時であり、光照射部Ｌ、ペーストノズルＥ及びスラリーノズルＣは、それらの下端部を塗りつぶした各部材が作動状態又はベース盤３の到達時に作動する状態を示す。なお、この点は以下の実施例においても同様である。
【００１７】
この第１実施例では次の作業工程を行う。
（ａ）ベース盤３の最初の往動時に、左側スラリーノズルＣ及び光照射部Ｌが作動し、そのスラリーノズルＣによりセラミックスラリーを噴射してベース盤３上に所定面積のベース絶縁層１０を形成し（図１０参照）、次いで光照射部Ｌにより該絶縁層１０を乾燥してべとつかない程度の半硬化状態にする（図１５参照）。
（ｂ）上記ベース盤３の復動時に、右側のスラリーノズルＣ、ペーストノズルＥ及び光照射部Ｌが作動する。
そのスラリーノズルＣにより、前記ベース絶縁層１０上であって電極パターン部１２ａを除く領域にセラミックスラリーを噴射してスペーサ絶縁層１１を形成し（図１１参照）、次いで、ベース盤３がペーストノズルＥ下を通過することで該ノズルＥにより導電ペーストを噴射して前記電極パターン部１２ａに電極層１２を形成する（図１２参照）。
その後にベース盤３が光照射部Ｌを通過する際に、所定パターンに形成された前記スペーサ絶縁層１１及び電極層１２が乾燥される。
（ｃ）次に、ベース盤３の再度の往動時に、左側のスラリーノズルＣ、ペーストノズルＥ及び光照射部Ｌが作動する。
スラリーノズルＣにより、前記スペーサ絶縁層１１及び電極層１２上であってバイヤ電極部１４ａを除く領域にセラミックスラリーを噴射して絶縁層１３を形成し（図１３参照）、次いで、ベース盤３がペーストノズルＥ下を通過することで該ノズルＥにより導電ペーストを噴射して前記バイヤ電極部１４ａにバイヤ電極１４を形成する（図１４参照）。
【００１８】
而して、前記工程（ａ）においてベース絶縁層１０の薄膜層が形成され、その上面に、ベース盤３が一往復する工程（ｂ）（ｃ）においてバイヤ電極１４を有する電極層１２と絶縁層１１，１３とからなる薄膜層Ｓ１が形成される。
その後は、前記工程（ｂ）（ｃ）の繰り返しである工程（ｄ）（ｅ）…を連続して作業することにより多数の薄膜層を積層したインダクタ用セラミック積層体Ａ１が製造される。
【００１９】
このセラミック積層体Ａ１は、前記薄膜層Ｓ１の厚さが略２０〜２００μｍであり、その積層枚数が十数枚程度であり、例えば、装置のステージ５上において、あるいは別の場所に移動されて圧着され、その後に焼成されてインダクタが得られる。
なお、図では作図上、薄膜層Ｓ１に少ない電極パターンを示しているが、実際上は積層体Ａ１からインダクタの多数取りが可能なように薄膜体Ｓ１に多数のパターンが形成されるものである。その点は以下の実施例においても同様である。
【００２０】
図３は、本発明の第２実施例であって、コンデンサ用セラミック積層体の製造装置を示し、区間路１ａの略中央部に乾燥手段である光照射部Ｌを配設し、そのステージ４側にインクジェットノズルからセラミックスラリーを噴射するスラリーノズルＣのみを配置し、他側にインクジェットノズルから導電ペーストを噴射するペーストノズルＥ及びインクジェットノズルからセラミックスラリーを噴射するスラリーノズルＣを配置した構成である。
すなわち、コンデンサ用の場合には、前記バイヤ電極を必要としないので、片側のペーストノズルＥを省略したものである。なお、この省略したペーストノズルＥは、取り外しておくこともよいが、配置したまま不作動とすることもよい。
【００２１】
この第２実施例では次の作業工程を行う。
（ａ）ベース盤３の最初の往動時に、左側スラリーノズルＣ及び光照射部Ｌが作動し、そのスラリーノズルＣによりセラミックスラリーを噴射してベース盤３上に所定面積の絶縁層２０を形成し、次いで光照射部Ｌにより該絶縁層２０を乾燥する。
（ｂ）上記ベース盤３の復動時に、右側のスラリーノズルＣ、ペーストノズルＥ及び光照射部Ｌが作動する。
そのスラリーノズルＣにより、前記絶縁層２０上の所定領域にセラミックスラリーを噴射してスペーサ絶縁層２１を形成し、次いで、ベース盤３がペーストノズルＥ下を通過することで該ノズルＥにより導電ペーストを噴射して前記スペーサ絶縁層２１の塗布されない領域に電極層２２を形成する。
その後にベース盤３が光照射部Ｌを通過する際に、所定パターンに形成された前記スペーサ絶縁層２１及び電極層２２が乾燥される。
【００２２】
而して、ベース盤３が一往復する工程（ａ）（ｂ）において電極層２２と絶縁層２１，２３とからなる薄膜層Ｓ２が形成される。
その後は、前記工程（ａ）（ｂ）の繰り返しである工程（ｃ）（ｄ）…を連続して作業することにより多数の薄膜層を積層したコンデンサ用セラミック積層体Ａ２が製造される。
このセラミック積層体Ａ２は、前記薄膜層Ｓ２の厚さが従来の薄膜層より薄い略１〜２μｍであり、その積層枚数が数百枚程度であり、例えば、装置のステージ５上において、あるいは別の場所に移動されて圧着され、その後に焼成されてインダクタが得られる。なお、インダクタの場合には各個それぞれに外部電極が付設される。
【００２３】
図４は、本発明の第３実施例であって、インダクタ用セラミック積層体の製造装置を示し、区間路１ａの略中央部とその左右両側に間隔をおいて乾燥手段である光照射部Ｌを配設し、その一側（ステージ４側）の光照射部Ｌ，Ｌ間にスラリーノズルＣを配置するとともに、他側（ステージ５側）の光照射部Ｌ，Ｌ間にペーストノズルＥを配置した構成である。
【００２４】
この第３実施例では次の作業工程を行う。
（ａ）ベース盤３の最初の往動時に、スラリーノズルＣ、ペーストノズルＥ、中央及び右側光照射部Ｌが作動する。
スラリーノズルＣによりセラミックスラリーを噴射してベース盤３上に所定面積のベース絶縁層３０を形成し、該ベース絶縁層３０が中央の光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥され、次いでベース絶縁層３０がペーストノズルＥ下を通過するときに、該ペーストノズルＥにより導電ペーストを噴射して所定の電極パターンからなる電極層３２を形成する。
この電極層３２は右側の光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥される。
（ｂ）上記ベース盤３の復動時に、スラリーノズルＣ及び左側の光照射部Ｌが作動する。
そのスラリーノズルＣにより、前記ベース絶縁層３０上の電極層３２間を埋めるようにセラミックスラリーを噴射してスペーサ絶縁層３１を形成し、該スペーサ絶縁層３１は左側の光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥される。
【００２５】
（ｃ）次に、ベース盤３の再度の往動時に、スラリーノズルＣ、ペーストノズルＥ、中央及び右側の光照射部Ｌが作動する。
スラリーノズルＣにより、前記スペーサ絶縁層３１及び電極層３２上の所定領域にセラミックスラリーを噴射して絶縁層３３を形成し、光照射部Ｌにより該絶縁層３３を乾燥した後、ベース盤３がペーストノズルＥ下を通過することで該ノズルＥにより前記絶縁層３３が塗布されない領域に導電ペーストを噴射してバイヤ電極３４を形成する。そのバイヤ電極３４は右側の光照射部Ｌにより乾燥される。
（ｄ）次いで、ベース盤３の再度の復動時に、ペーストノズルＥ、スラリーノズルＣ、中央及び左側の光照射部Ｌが作動する。
そのペーストノズルＥにより、絶縁層３３及びバイヤ電極３４上に導電ペーストを噴射して所定の電極パターンからなる電極層３２を形成し、光照射部Ｌにより該電極層３２を乾燥した後、ベース盤３がスラリーノズルＣ下を通過することで該ノズルＣにより前記電極層３２が塗布されない領域にセラミックスラリーを噴射してスペーサ絶縁層３１を形成する。そのスペーサ絶縁層３１は左側の光照射部Ｌにより乾燥される。
【００２６】
上記工程（ａ）〜（ｄ）以後は、ベース盤３が一往復する工程（ｃ）（ｄ）を繰り返すことにより、バイヤ電極３４を有する電極層３２と絶縁層３１，３３とからなる薄膜層Ｓ３を積層したインダクタ用セラミック積層体Ａ３が得られる。この第３実施例によれば、絶縁層又は電極層を形成する度に乾燥手段により各層面を乾燥させるので、スペーサ絶縁層３１、電極層３２、絶縁層３３及びバイヤ電極３４の塗布又は印刷精度が向上する。
【００２７】
図５は、本発明の第４実施例であって、コンデンサ用セラミック積層体の製造装置を示し、区間路１ａ上に、前記第３実施例と同一の配置でもって光照射部Ｌ、スラリーノズルＣ、ペーストノズルＥを構成したものである。
この第４実施例では次の作業工程を行う。
（ａ）ベース盤３の最初の往動時に、スラリーノズルＣ、ペーストノズルＥ、中央及び右側光照射部Ｌが作動する。
スラリーノズルＣによりセラミックスラリーを噴射してベース盤３上に所定面積の絶縁層４０を形成し、該絶縁層４０が中央の光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥され、次いで絶縁層４０がペーストノズルＥ下を通過するときに、該ペーストノズルＥにより導電ペーストを噴射して所定の電極パターンからなる電極層４２を形成する。
この電極層４２は右側の光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥される。
（ｂ）上記ベース盤３の復動時に、スラリーノズルＣ及び左側の光照射部Ｌが作動する。
そのスラリーノズルＣにより、前記絶縁層４０上の電極層４２間を埋めるようにセラミックスラリーを噴射してスペーサ絶縁層４１を形成し、該スペーサ絶縁層４１は左側の光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥される。
【００２８】
而して、ベース盤３が一往復する工程（ａ）（ｂ）において電極層４２と絶縁層４０，４１とからなる薄膜層Ｓ４が形成される。
その後は、前記工程（ａ）（ｂ）の繰り返しである工程（ｃ）（ｄ）…を連続して作業することにより多数の薄膜層を積層したコンデンサ用セラミック積層体Ａ４が製造される。
この第４実施例においても、スペーサ絶縁層４１、電極層４２及び絶縁層４０の塗布又は印刷精度が向上する。
【００２９】
図６は、本発明の第５実施例であって、インダクタ用セラミック積層体の製造装置を示し、区間路１ａの略中央部に乾燥手段である光照射部Ｌを配設し、その左側（ステージ４側）にスラリーノズルＣを、右側（ステージ５側）にペーストノズルＥを配置した構成である。
【００３０】
この第５実施例では次の作業工程を行う。
（ａ）ベース盤３の最初の往動時に、スラリーノズルＣ、光照射部Ｌ及びペーストノズルＥの全てが作動する。
スラリーノズルＣによりセラミックスラリーを噴射してベース盤３上に所定面積のベース絶縁層５０を形成し、該ベース絶縁層５０が光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥され、次いでベース絶縁層５０がペーストノズルＥ下を通過するときに、該ペーストノズルＥにより導電ペーストを噴射して所定の電極パターンからなる電極層５２を形成する。
（ｂ）上記ベース盤３の復動時に、光照射部ＬとスラリーノズルＣが作動する。工程（ａ）により形成された前記電極層５２が光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥された後に、スラリーノズルＣにより、前記ベース絶縁層５０上の電極層５２間を埋めるようにセラミックスラリーを噴射してスペーサ絶縁層５１が形成される。
【００３１】
（ｃ）次に、ベース盤３の再度の往動時に、光照射部ＬとペーストノズルＥが作動する。
工程（ｂ）により形成された前記スペーサ絶縁層５１が光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥された後、ペーストノズルＥ下を通過する際に、該ノズルＥにより導電ペーストを噴射して前記電極層５２上の所定位置にバイヤ電極５４が形成される。
（ｄ）次いで、ベース盤３の再度の復動時に、スラリーノズルＣ、光照射部Ｌが作動する。
工程（ｃ）により形成された前記バイヤ電極５４が光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥された後、スラリーノズルＣにより前記バイヤ電極５４が塗布されない領域にセラミックスラリーを噴射して絶縁層５３を形成する。
（ｅ）さらにベース盤３が往動し、その往動時に光照射部ＬとペーストノズルＥが作動する。
工程（ｄ）により形成された絶縁層５３が光照射部Ｌにより乾燥された後に、ペーストノズルＥにより導電ペーストを前記絶縁層５３及びバイヤ電極５４上面に噴射して所定の電極パターンからなる電極層５２を形成する
【００３２】
上記工程（ａ）〜（ｅ）以後は、ベース盤３が二往復する工程（ｂ）〜（ｅ）を繰り返すことにより、バイヤ電極５４を有する電極層５２と絶縁層５１，５３とからなる薄膜層Ｓ５を積層したインダクタ用セラミック積層体Ａ５が得られる。
この第５実施例によれば、薄膜層Ｓ５を形成するための工程数が多くなるが、スラリーノズルＣ、ペーストノズルＥ、光照射部Ｌを最少個数になし得て区間路１ａの長さを短縮することができる。
【００３３】
図７は、本発明の第６実施例であって、コンデンサ用セラミック積層体の製造装置を示し、区間路１ａ上に、前記第５実施例と同一の配置でもって光照射部Ｌの左側にスラリーノズルＣを、右側にペーストノズルＥを構成したものである。
【００３４】
この第６実施例では次の作業工程を行う。
（ａ）ベース盤３の最初の往動時に、スラリーノズルＣ、光照射部Ｌ及びペーストノズルＥの全てが作動し、先ず、スラリーノズルＣによりセラミックスラリーを噴射してベース盤３上に所定面積の絶縁層６０を形成し、該絶縁層６０が光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥される。
次いで絶縁層６０がペーストノズルＥ下を通過するときに、該ペーストノズルＥにより導電ペーストを噴射して所定の電極パターンからなる電極層６２を形成する。
（ｂ）上記ベース盤３の復動時に、光照射部ＬとスラリーノズルＣが作動する。
工程（ａ）により形成された前記電極層６２が光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥された後に、スラリーノズルＣにより、前記絶縁層６０上の電極層６２間を埋めるようにセラミックスラリーを噴射してスペーサ絶縁層６１が形成される。
【００３５】
（ｃ）次に、ベース盤３はステージ５まで到達しない途中位置までの短区間、詳しくはベース盤３がステージ４から光照射部Ｌを通過した位置までの区間を往復動し、その間に光照射部ＬとスラリーノズルＣが作動する。
そして、その短区間の往動時に、工程（ｂ）により形成された前記スペーサ絶縁層６１が光照射部Ｌ下を通過して乾燥され、復動時にベース盤３がスラリーノズルＣ下を通過する際に、該ノズルＣによりセラミックスラリーを噴射して前記電極層６２上に絶縁層６０が形成される。
（ｄ）その後、ベース盤３が往動し、その往動時に光照射部ＬおよびペーストノズルＥが作動する。
工程（ｃ）により形成された絶縁層６０が光照射部Ｌにより乾燥された後に、ペーストノズルＥにより導電ペーストを前記絶縁層６０上面に噴射して所定の電極パターンからなる電極層６２を形成する
【００３６】
上記工程（ａ）〜（ｄ）以後は、前記工程（ｂ）〜（ｄ）を繰り返すことにより、電極層６２と絶縁層６０，６１とからなる薄膜層Ｓ６を積層したコンデンサ用セラミック積層体Ａ６が得られる。
この第６実施例においても、スラリーノズルＣ、ペーストノズルＥ、光照射部Ｌを最少個数になし得て区間路１ａの長さを短縮することができる。
【００３７】
図８は、本発明の第７実施例であって、インダクタ用セラミック積層体の製造装置を示し、詳しくはバイヤ電極を形成するためのバイヤホールをレーザー穿孔手段により作製する場合である。
すなわち、区間路１ａ上に前述した第５実施例に相当するスラリーノズルＣ、光照射部Ｌ及びペーストノズルＥを配置することに加えて、レーザーヘッドＰを配設した構成である。このレーザーヘッドＰは、前記区間路１ａを横断する方向へ微小間隔をおいて多数並設され、各ヘッドが図示しないレーザー発生器に接続されているものである。
【００３８】
この第７実施例では次の作業工程を行う。
（ａ）ベース盤３の最初の往動時に、スラリーノズルＣ、光照射部Ｌ及びペーストノズルＥが作動し、スラリーノズルＣによりセラミックスラリーを噴射してベース盤３上に所定面積のベース絶縁層７０を形成し、該ベース絶縁層７０が光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥される。
次いでベース絶縁層７０がペーストノズルＥ下を通過するときに、該ペーストノズルＥにより導電ペーストを噴射して所定の電極パターンからなる電極層７２を形成する。
（ｂ）上記ベース盤３の復動時に、光照射部ＬとスラリーノズルＣが作動する。
工程（ａ）により形成された前記電極層７２が光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥された後に、スラリーノズルＣにより、前記ベース絶縁層７０上の電極層７２間を埋めるようにセラミックスラリーを噴射してスペーサ絶縁層７１が形成される。
【００３９】
（ｃ）次に、ベース盤３の再度の往動時に、スラリーノズルＣ、光照射部Ｌ及び前記レーザーヘッドが作動する。
ベース盤３がスラリーノズルＣ下を通過する際に、セラミックスラリーを噴射して前記スペーサ絶縁層７１及び電極層７２の上面全面を覆う絶縁層７３を形成し、それが光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥される。
次いで、ベース盤３がレーザーヘッドＰ下を通過するときに、該ヘッドＰにより前記絶縁層７３の所定位置に前記電極層７２へ通じるバイヤホール７５を開孔する。
【００４０】
（ｄ）次に、ベース盤３がステージ５から復動を開始するが、ベース盤３はステージ４まで復帰しない途中位置までの短区間、詳しくはベース盤３がステージ５から光照射部Ｌを通過した位置までの区間を復動動作と往動動作をし、その間に光照射部ＬとペーストノズルＥが作動する。
そして、その短区間の復動動作において、ペーストノズルＥ下を通過する際に、該ノズルＥにより導電ペーストを噴射し前記バイヤホール７５内に充填してバイヤ電極７４が形成され、このバイヤ電極７４は、それが光照射部Ｌを通過する際に乾燥される。一方、短区間の往動動作においては、ペーストノズルＥにより絶縁層７３とバイヤ電極７４の上面に所定のパターンの電極層７２が形成される。
（ｅ）その後のベース盤３の復動時に、スラリーノズルＣ、光照射部Ｌが作動する。
工程（ｄ）により形成された前記電極層７２が光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥された後、スラリーノズルＣにより前記電極層７２が塗布されない領域にセラミックスラリーを噴射してスペーサ絶縁層７１を形成する。
【００４１】
上記工程（ａ）〜（ｅ）以後は、前記工程（ｃ）〜（ｅ）を繰り返すことにより、前述した第５実施例と同等のインダクタ用セラミック積層体が得られる。
なお、この第７実施例は、第１実施例、第３実施例、第５実施例で説明したバイヤ電極の形成に代えて、レーザー穿孔手段を採用することも可能であることを例示するものであり、第５実施例の場合に即して説明したが、第１実施例、第３実施例においても適用可能である。
【００４２】
図９は、本発明の第８実施例であって、インダクタ用セラミック積層体の製造装置を示し、詳しくは前記区間路１ａ上に仮圧着手段を付設した場合をである。
仮圧着手段には、上下動可能なプレス板や押圧ロールを使用することができ、実施例においては第１実施例の区間路１ａ上に押圧ロールＲを配設した場合を例示している。
第１実施例の作業工程は既述のとおりであるので、説明の便宜上、図中に同一符号を付して説明を省略するが、中央の光照射部Ｌと右側のペーストノズルＥとの間に押圧ロールＲを上下動可能に配設し、該押圧ロールＲが前記工程（ｃ）において作動（下動）するようにしている。
【００４３】
すなわち、前記工程（ｃ）の各動作時において、バイヤ電極１４が形成された絶縁層１３が光照射部Ｌ下を通過して乾燥された後に、往動するベース盤３上に押圧ロールＲが下動してバイヤ電極１４及び絶縁層１３の上面を押圧して薄膜層を仮圧着するものである。
この仮圧着により、薄膜層の上面に生じる微細な凹凸を均して均質化するとともに下層の薄膜層との密着性を高めるようにする。
なお、この仮圧着手段の付設を第１実施例の場合で説明したが、他の実施例においても適用されることは明らかであり、また、配置も任意に設定できるものである。
【００４４】
上記仮圧着手段の好ましい形態を図１６に示す。
図１６において、押圧ロールＲは、支持部材１０１に回転自在に配置したロールの表面に粘着性が極微な表面処理を施したもので、その表面に粘着性を有する除塵ローラ１００を回転自在に接触させて両者を接触状のまま支持部材１０１を上下動可能に設置する。
上記押圧ロールＲは、その作動時に前述のとおりバイヤ電極１４、絶縁層１３の上面を押圧して薄膜層を仮圧着するとともに、バイヤ電極１４及び絶縁層１３から微粒片が剥離しているときには該微粒片を表面に付着させて薄膜層から取り除き、その押圧ロールＲに付着した微粒片は、押圧ロールより高い粘着性を有する除塵ローラ１００の表面に転着する。
そして、除塵ローラ１００へ転着した微粒片は、該除塵ローラ１００を適時に取り外して清掃し、あるいは除塵ローラ１００に剥離部材（図示せず）を当接させることによって除去すればよい。
【００４５】
上述した実施例においては、絶縁層形成手段としてインクジェット方式を採用したスラリーノズルの場合を説明したが、図１７に例示したようなドクターブレード方式を採用するスラリーヘッドＣ’や、あるいはローラの回転により該ローラの接触面にセラミックスラリーを塗布するコートローラ方式を採用することもよい。
特にベース絶縁層１０、絶縁層２０等のように所定領域全面にセラミックスラリーを塗布する場合にはドクターブレード方式やコートローラ方式が採用可能である。また、電極層等を形成した後にスペーサ絶縁層を充填塗布する場合でも、乾燥手段により電極層等を充分乾燥させることによってドクターブレード方式を採用することができる。
また、上記実施例においては、ベース盤を１ないし２往復する間に薄膜層が形成される場合を説明したが、セラミックスラリーの層厚を大きくするために往復回数を増やすことも任意である。
なお、本発明はその趣旨に沿う限り、前述した絶縁層形成手段など各手段の配列、個数、作業工程などは適宜に変更可能であり実施例記載に限定されるものではない。
【００４６】
【発明の効果】
本発明によれば、ベース盤が往復動する直線状の区間路に絶縁層形成手段、電極層形成手段及び乾燥手段を並設し、ベース盤の往動時及び復動時の各工程において所定の作業を有効に行わせるので、セラミック積層体の薄膜各層を効率的に作製することができるとともにそれらの積層体の製造時間を短縮して生産性を高めることができる。
そして、上記絶縁層形成手段、電極層形成手段及び乾燥手段は必要最少な個数を並設すればよいので、前記区間路の必要長を短く設定することができ実用化が可能な小型装置であって、しかも前記各形成手段の最少個数により安価な製造装置を提供することができる。
【００４７】
そして、乾燥手段の少なくとも１つを前記区間路の略中央部に配置し、その両側に、前記絶縁層形成手段、電極層形成手段の少なくとも１つを配置したので、絶縁層の形成工程、電極層の形成工程などの作業工程を有効的連続して行わせることができ、前記ベース盤の移動区間路を最小にして装置の小型化を促進させることができる（請求項１）。
また、絶縁層形成手段の少なくとも１つにインクジェット方式を採用する請求項２によれば、電極層間の凹嵌部にセラミックスラリーを充填するなど絶縁層を高精度に形成することができ、請求項３によれば、薄膜層の平坦性が確保されてボイドの発生原因が除去され、製造される電子部品の高品質を担保することができる。
【００４８】
また、上記電極層形成手段がインクジェット方式により導電ペーストを噴射するので、この電極層形成手段により、電極パターン上に直接に導電ペーストを照射して、バイヤホールを開孔することなくバイヤ電極を精度よく確実かつ迅速にに形成することができる（請求項４）。
一方、請求項５によれば、レーザー穿孔方式でバイヤホールを開孔した場合でも、電極層形成手段により導電ペーストを充填してバイヤ電極を精度よく確実に形成することができる。
【００４９】
さらに、請求項６によれば、形成された薄膜層の上面を仮圧着するので、絶縁層形成手段、電極層形成手段により形成されたセラミック絶縁層及び電極パターン上面の凹凸状を均して面一化し、次の薄膜層の積層精度を高めるとともに下層の薄膜層との密着性を高めて各層を均質一体化させ、高品質なセラミック積層体を提供することができる。
【００５０】
そして、請求項６によれば、前記仮圧着機能に加え、セラミックスラリー及び導電ペーストの微粒片が取り除かれて相互に混入することがないので、さらに高品質なセラミック積層体を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明製造装置の概要を示す側面図である。
【図２】 第１実施例の作業工程を示す側面図である。
【図３】 第２実施例の作業工程を示す側面図である。
【図４】 第３実施例の作業工程を示す側面図である。
【図５】 第４実施例の作業工程を示す側面図である。
【図６】 第５実施例の作業工程を示す側面図である。
【図７】 第６実施例の作業工程を示す側面図である。
【図８】 第７実施例の作業工程を示す側面図である。
【図９】 第８実施例の作業工程を示す側面図である。
【図１０】 絶縁層形成手段による絶縁層の形成工程を示す拡大図である。
【図１１】 絶縁層形成手段によるスペーサ絶縁層の形成工程を示す拡大図である。
【図１２】 電極層形成手段による電極層の形成工程を示す拡大図である。
【図１３】 絶縁層形成手段による絶縁層の形成工程を示す拡大図である。
【図１４】 電極層形成手段によるバイヤ電極の形成工程を示す拡大図である。
【図１５】 乾燥手段による乾燥工程を示す拡大図である。
【図１６】 仮圧着手段の具体例を示す拡大図である。
【図１７】 絶縁層形成手段の他の実施形態を示す拡大図である。
【符号の説明】
１ａ：区間路 ２：可動台 ３：ベース盤
Ｃ：スラリーノズル（絶縁層形成手段）
Ｅ：ペーストノズル（電極層形成手段）
Ｌ：光照射部（乾燥手段）
Ｐ：レーザーヘッド（レーザー穿孔手段）
Ｒ：押圧ロール（仮圧着手段）
【発明の属する技術分野】
本発明はセラミック積層体の製造装置、詳しくは積層セラミックコンデンサ、積層インダクタや抵抗、フィルタ等の積層型セラミック電子部品を製造するために、複数のセラミック絶縁層とそれら絶縁層の界面に電極層とを備えたセラミック積層体の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、セラミック積層体の製造に関し、それまでベース材として慣用されていた樹脂製キャリアフィルムの使用を省くために、ベース板上に、セラミック絶縁層と所定の電極パターンとを形成する工程を繰り返して薄膜層を直接的に積層する方式が提案されている（特開平９−２３２１７４号公報）。
また、同公報によれば、ベース板は、サーボモータとボールねじとを用いた機構等により、ＸおよびＹ方向に移動可能とされること、それに代えて、スラリー噴射ヘッドをＸおよびＹ方向に移動可能とすることが例示され、また、前記ベース板に代えて、金属からなるエンドレスベルトを用いること、その場合にスラリー噴射ヘッドやペースト噴射ヘッドがエンドレスベルトの進行方向に対して垂直方向に移動するように制御されることが例示されている。
さらに、同公報には、前記エンドレスベルトの進行方向に沿って、所望数のスラリー噴射ヘッド、所望数のペースト噴射ヘッド等が所定の順序で配列され、エンドレスベルトの一方向の進行に伴って、積層体が次々と製造されるようにしてもよいことが例示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記公報による開示技術によれば、具体的な装置としては実用上多くの問題があり、そのまま実施することが困難である。
例えば、前記開示技術の実施例に記載のように、ＸおよびＹ方向に移動可能なベース板上の所定位置に、絶縁層形成手段としてのスラリー噴射ヘッド、電極層形成手段としてのペースト噴射ヘッド等を交互に出し入れする態様によれば、それら噴射ヘッドの移動に時間及び位置決め制御に時間を要し、１００〜数百層の積層体を製造するには実用的な生産性が期待できない。
また、上記エンドレスベルトを用いて、該エンドレスベルトの一方向の進行に伴って、積層体を次々と製造する態様によれば、数百層の積層体を製造するにはそれに相当する数のスラリー噴射ヘッド、ペースト噴射ヘッド等を配置しなければならず、著しく設備費用が多大になるばかりでなく大きな設置床面積を要して装置が大型化することになる。
【０００４】
しかも、生産性を高めるためには、絶縁層や電極層等を形成する度に該層を乾燥させる乾燥手段が必須であり、また、必要に応じて仮圧着手段、穿孔手段等を必要とするが、その場合には、前記スラリー噴射ヘッド、ペースト噴射ヘッドに加えて乾燥手段や仮圧着手段、穿孔手段等を追加して配置しなければならず、一段と生産性の低下や装置の大型化、設備費用の増大をきたす不具合がある。
【０００５】
本発明は、上記従来事情に鑑みその不具合を解消して、セラミック積層体の各層毎の製造速度を高めて生産性を向上させるとともに、実用化が可能な小型化した製造装置を安価に提供せんとすることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
斯る本発明のセラミック積層体の製造装置は、ベース盤を直線状の所定区間路に往復動かつ上下動可能に設置するとともに、その区間路上に、セラミックスラリーを吐出する絶縁層形成手段、インクジェット方式により導電ペーストを噴射する電極層形成手段、前記スラリー又はペーストを乾燥させる乾燥手段を、それぞれ１ないし複数個並設し、前記ベース盤が前記区間路を１ないし数往復する間にセラミック絶縁層上に所定の電極パターンが配設された薄膜層を形成し、それらを繰り返してセラミック積層体を形成するものである。
すなわち、絶縁層形成手段、電極層形成手段及び乾燥手段を１ないし必要最少な複数個を並設し、それらが配置された直線状の区間路にベース盤を往復動させるとともに、その往動時及び復動時の各工程において所定の作業を有効に行わせるようにしたことを特徴とする。
【０００７】
上記絶縁層形成手段、電極層形成手段及び乾燥手段の配列は、セラミックスラリーによる絶縁層の形成工程、導電ペーストによる電極層の形成工程などの作業工程に応じて適宜に設定するが、前記乾燥手段による乾燥工程は頻度が多いことから、それら１又は複数個の乾燥手段は、少なくとも１つを前記区間路の略中央部に配置し、該乾燥手段の両側に、前記絶縁層形成手段、電極層形成手段の少なくとも１つを配置すると作業効率上有効である（請求項１）。
この乾燥手段は、加熱又は温風方式、光照射方式、レーザー照射方式あるいは後述する仮圧着手段を兼用する熱板圧着方式など何れの方式によることも任意であり、前記絶縁層、電極層をべとつかない程度の半硬化状態にする。
【０００８】
上記絶縁層形成手段は、一般に知られているドクターブレード方式、インクジェット方式、あるいはローラ塗布方式等を採用するが、絶縁層の緻密化に対応し精度を高めるためには、少なくとも１つにインクジェット方式を採用することが好ましい（請求項２）。但し、薄膜層の一層全面に絶縁層を形成する部分には、前記ドクターブレード方式やローラ塗布方式を採用すること、すなわちインクジェット方式と他の方式を組み合わせることも任意である。
【０００９】
また、上記絶縁層上に電極層を形成して一層の薄膜層を形成すれば、その電極層間に凹嵌部を生じて薄膜層の平坦性が損なわれ、それら薄膜層を積層したときに前記凹嵌部により空隙を生じて焼成後の電子部品にボイドが発生する原因となる。
上記薄膜層の平坦性を確保するためには、前記凹嵌部を絶縁層で埋めることが必要であり、そのため、上記絶縁層形成手段が、電極層形成手段により形成された電極層間の凹嵌部又は電極層が形成される領域を除いた所定領域にセラミックスラリーを充填することを含むようにする（請求項３）。その場合の絶縁層形成手段に前記インクジェット方式を採用することが適切である。
【００１０】
一方、セラミック積層体がインダクタ用である場合には、上下薄膜層の電極層を接続するバイヤ電極を形成する必要がある。
上記電極層形成手段がインクジェット方式であるので、当該手段によりバイヤ電極を形成することも可能である。すなわち、上記電極層形成手段が、インクジェット方式により導電ペーストを前記電極パターン上に噴射してバイヤ電極を形成すればよい（請求項４）。
なお、上記バイヤ電極は、通常行われるように、薄膜層の絶縁層にバイヤホールを開孔して該ホールに導電ペーストを充填するようにしてもよく、その場合には、穿孔手段としてレーザー穿孔方式を採用することが好ましい。具体的には、前記区間路にレーザー穿孔手段を追加して並設し、該穿孔手段により開孔されたバイヤホールには、前記インクジェット方式による電極層形成手段により導電ペーストを充填してバイヤ電極を形成する（請求項５）。
【００１１】
また、上記薄膜層のセラミックスラリーや導電ペーストに生じる微細な凹凸を均して平坦性を確保し、積層を均一にして積層精度を高めるためには、薄膜層を一層形成する度などの適時に該層の上面を押圧することが好ましい。そのために、上記ベース盤が移動する前記区間路に熱板やロール等からなる仮圧着手段を追加して並設するようにする。
そして、前述したように、仮圧着手段に熱板を使用すれば乾燥手段と仮圧着手段との兼用が可能である。
なお、仮圧着手段が作動するタイミングは、薄膜層が一層形成される度、あるいは薄膜層が数層形成される度、さらには往復動するベース盤の往動時毎又は復動時毎など何れであってもよい。なお、上記のように、電極層間の凹嵌部等にセラミックスラリーを充填する場合には、ある程度の平坦性が確保されるので必ずしも仮圧着手段を必要としない。
【００１２】
上記仮圧着手段の好ましい具体的構成は、乾燥手段により乾燥されたセラミックスラリー又は導電ペーストに接触し、且つ表面に極微粘着性を有する押圧ロールであって、該ロールに粘着性を有する除塵ローラを接触させるようにする（請求項６）。
それにより、インクジェット方式等により塗布されたセラミックスラリー又は導電ペーストは、乾燥手段によりべとつかない程度に乾燥された後に、押圧ロールの接触により微細な凹凸が平坦に均されるとともに凸部から剥がれた微粒片が押圧ロールに付着して取り除かれ、該ロールに付着した微粒片は除塵ロールに付着して除去される。
【００１３】
なお、上記セラミックスラリーは、ガラス複合系材料として硼珪酸ガラス形成物質に修飾物質（例えば、ＭｇＯ，ＣａＯ，Ａｌ2Ｏ３，Ｋ2Ｏ，ＺｎＯ等）を加えたガラス粉末と、アルミナ，ムライト，コージェライト，石英等のセラミックとの混合物を原料とするもの、結晶化ガラス系材料としてコージェライト系，αスポジュメン系等の結晶化するガラス粉末からなるものを使用する。
また、電極パターン用の導電ペーストには、例えば銅系の導体材料、あるいはタングステンＷ、モリブデンＭｏ、マンガンＭｎ等を使用し、バイヤ電極用の導電ペーストには、導体抵抗の小さな銀系の導体材料、例えば、銀、銀−パラジウム、銀−白金、銀−パラジウム−白金等を使用する。
なお、前記セラミックスラリー、導電ペーストの材料に、光照射によって乾燥が促進される光硬化材料を含有させることもよい。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
先ず、図１により製造装置の概要を説明すれば、装置は図示しない機枠内に配設され、直線状水平に配置されたガイドレール１に、可動台２を往復動可能に載設するとともに可動台２の上面部を上下動可能なステンレス製のベース盤３により構成し、前記ガイドレール１によりベース盤３が往復動する区間路１ａを形成する。
区間路１ａは、ベース盤３の幅と略同等の幅を有する直線路であって、その上部に絶縁層形成手段Ｃとしてのドクターブレードやインクジェットノズル等、電極層形成手段Ｅとしてのインクジェットノズル、乾燥手段Ｌとしての熱照射部、光照射部等を並設し、さらには適宜にレーザー穿孔手段や仮圧着手段を追加して並設する。この区間路１ａの長さは約１．５〜２ｍである。
なお、上記絶縁層形成手段、電極層形成手段、乾燥手段等はユニット化して、必要に応じ適時に着脱可能とし、かつ設置位置を調整可能としておくことが好ましい。
【００１５】
可動台２は、図示しないが一般的であるサーボモータ又はパルスモータの駆動源とそれにより回転するスクリュー軸とにより前記区間路１ａの長手方向（Ｘ方向）へ往復動してベース盤３を前記区間路１ａに沿って移動させ、その移動方向及び速度はコントローラにより制御される。
ベース盤３もまた、サーボモータ又はパルスモータの駆動源とそれにより回転するスクリュー軸とにより上下動し、その上下動作は積層工程に応じて順次下降するようにコントローラによって制御される。
上記絶縁層形成手段Ｃおよび電極層形成手段Ｅとしてのインクジェットノズルは、前記区間路１ａを横断する方向へ微小間隔をおいて多数のノズルを並設したものであり、乾燥手段Ｌもまた区間路１ａの横断方向へ延在するものである。
【００１６】
図２は、本発明の第１実施例であって、インダクタ用セラミック積層体の製造装置を示し、区間路１ａの略中央部に乾燥手段である光照射部Ｌを配設し、その両側にそれぞれインクジェットノズルから導電ペーストを噴射するペーストノズルＥ及びインクジェットノズルからセラミックスラリーを噴射するスラリーノズルＣを配置した構成である。
ベース盤３は、図中の左側のステージ４から右側のステージ５へ移動するときが往動時であって、逆方向へ移動するときが復動時であり、光照射部Ｌ、ペーストノズルＥ及びスラリーノズルＣは、それらの下端部を塗りつぶした各部材が作動状態又はベース盤３の到達時に作動する状態を示す。なお、この点は以下の実施例においても同様である。
【００１７】
この第１実施例では次の作業工程を行う。
（ａ）ベース盤３の最初の往動時に、左側スラリーノズルＣ及び光照射部Ｌが作動し、そのスラリーノズルＣによりセラミックスラリーを噴射してベース盤３上に所定面積のベース絶縁層１０を形成し（図１０参照）、次いで光照射部Ｌにより該絶縁層１０を乾燥してべとつかない程度の半硬化状態にする（図１５参照）。
（ｂ）上記ベース盤３の復動時に、右側のスラリーノズルＣ、ペーストノズルＥ及び光照射部Ｌが作動する。
そのスラリーノズルＣにより、前記ベース絶縁層１０上であって電極パターン部１２ａを除く領域にセラミックスラリーを噴射してスペーサ絶縁層１１を形成し（図１１参照）、次いで、ベース盤３がペーストノズルＥ下を通過することで該ノズルＥにより導電ペーストを噴射して前記電極パターン部１２ａに電極層１２を形成する（図１２参照）。
その後にベース盤３が光照射部Ｌを通過する際に、所定パターンに形成された前記スペーサ絶縁層１１及び電極層１２が乾燥される。
（ｃ）次に、ベース盤３の再度の往動時に、左側のスラリーノズルＣ、ペーストノズルＥ及び光照射部Ｌが作動する。
スラリーノズルＣにより、前記スペーサ絶縁層１１及び電極層１２上であってバイヤ電極部１４ａを除く領域にセラミックスラリーを噴射して絶縁層１３を形成し（図１３参照）、次いで、ベース盤３がペーストノズルＥ下を通過することで該ノズルＥにより導電ペーストを噴射して前記バイヤ電極部１４ａにバイヤ電極１４を形成する（図１４参照）。
【００１８】
而して、前記工程（ａ）においてベース絶縁層１０の薄膜層が形成され、その上面に、ベース盤３が一往復する工程（ｂ）（ｃ）においてバイヤ電極１４を有する電極層１２と絶縁層１１，１３とからなる薄膜層Ｓ１が形成される。
その後は、前記工程（ｂ）（ｃ）の繰り返しである工程（ｄ）（ｅ）…を連続して作業することにより多数の薄膜層を積層したインダクタ用セラミック積層体Ａ１が製造される。
【００１９】
このセラミック積層体Ａ１は、前記薄膜層Ｓ１の厚さが略２０〜２００μｍであり、その積層枚数が十数枚程度であり、例えば、装置のステージ５上において、あるいは別の場所に移動されて圧着され、その後に焼成されてインダクタが得られる。
なお、図では作図上、薄膜層Ｓ１に少ない電極パターンを示しているが、実際上は積層体Ａ１からインダクタの多数取りが可能なように薄膜体Ｓ１に多数のパターンが形成されるものである。その点は以下の実施例においても同様である。
【００２０】
図３は、本発明の第２実施例であって、コンデンサ用セラミック積層体の製造装置を示し、区間路１ａの略中央部に乾燥手段である光照射部Ｌを配設し、そのステージ４側にインクジェットノズルからセラミックスラリーを噴射するスラリーノズルＣのみを配置し、他側にインクジェットノズルから導電ペーストを噴射するペーストノズルＥ及びインクジェットノズルからセラミックスラリーを噴射するスラリーノズルＣを配置した構成である。
すなわち、コンデンサ用の場合には、前記バイヤ電極を必要としないので、片側のペーストノズルＥを省略したものである。なお、この省略したペーストノズルＥは、取り外しておくこともよいが、配置したまま不作動とすることもよい。
【００２１】
この第２実施例では次の作業工程を行う。
（ａ）ベース盤３の最初の往動時に、左側スラリーノズルＣ及び光照射部Ｌが作動し、そのスラリーノズルＣによりセラミックスラリーを噴射してベース盤３上に所定面積の絶縁層２０を形成し、次いで光照射部Ｌにより該絶縁層２０を乾燥する。
（ｂ）上記ベース盤３の復動時に、右側のスラリーノズルＣ、ペーストノズルＥ及び光照射部Ｌが作動する。
そのスラリーノズルＣにより、前記絶縁層２０上の所定領域にセラミックスラリーを噴射してスペーサ絶縁層２１を形成し、次いで、ベース盤３がペーストノズルＥ下を通過することで該ノズルＥにより導電ペーストを噴射して前記スペーサ絶縁層２１の塗布されない領域に電極層２２を形成する。
その後にベース盤３が光照射部Ｌを通過する際に、所定パターンに形成された前記スペーサ絶縁層２１及び電極層２２が乾燥される。
【００２２】
而して、ベース盤３が一往復する工程（ａ）（ｂ）において電極層２２と絶縁層２１，２３とからなる薄膜層Ｓ２が形成される。
その後は、前記工程（ａ）（ｂ）の繰り返しである工程（ｃ）（ｄ）…を連続して作業することにより多数の薄膜層を積層したコンデンサ用セラミック積層体Ａ２が製造される。
このセラミック積層体Ａ２は、前記薄膜層Ｓ２の厚さが従来の薄膜層より薄い略１〜２μｍであり、その積層枚数が数百枚程度であり、例えば、装置のステージ５上において、あるいは別の場所に移動されて圧着され、その後に焼成されてインダクタが得られる。なお、インダクタの場合には各個それぞれに外部電極が付設される。
【００２３】
図４は、本発明の第３実施例であって、インダクタ用セラミック積層体の製造装置を示し、区間路１ａの略中央部とその左右両側に間隔をおいて乾燥手段である光照射部Ｌを配設し、その一側（ステージ４側）の光照射部Ｌ，Ｌ間にスラリーノズルＣを配置するとともに、他側（ステージ５側）の光照射部Ｌ，Ｌ間にペーストノズルＥを配置した構成である。
【００２４】
この第３実施例では次の作業工程を行う。
（ａ）ベース盤３の最初の往動時に、スラリーノズルＣ、ペーストノズルＥ、中央及び右側光照射部Ｌが作動する。
スラリーノズルＣによりセラミックスラリーを噴射してベース盤３上に所定面積のベース絶縁層３０を形成し、該ベース絶縁層３０が中央の光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥され、次いでベース絶縁層３０がペーストノズルＥ下を通過するときに、該ペーストノズルＥにより導電ペーストを噴射して所定の電極パターンからなる電極層３２を形成する。
この電極層３２は右側の光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥される。
（ｂ）上記ベース盤３の復動時に、スラリーノズルＣ及び左側の光照射部Ｌが作動する。
そのスラリーノズルＣにより、前記ベース絶縁層３０上の電極層３２間を埋めるようにセラミックスラリーを噴射してスペーサ絶縁層３１を形成し、該スペーサ絶縁層３１は左側の光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥される。
【００２５】
（ｃ）次に、ベース盤３の再度の往動時に、スラリーノズルＣ、ペーストノズルＥ、中央及び右側の光照射部Ｌが作動する。
スラリーノズルＣにより、前記スペーサ絶縁層３１及び電極層３２上の所定領域にセラミックスラリーを噴射して絶縁層３３を形成し、光照射部Ｌにより該絶縁層３３を乾燥した後、ベース盤３がペーストノズルＥ下を通過することで該ノズルＥにより前記絶縁層３３が塗布されない領域に導電ペーストを噴射してバイヤ電極３４を形成する。そのバイヤ電極３４は右側の光照射部Ｌにより乾燥される。
（ｄ）次いで、ベース盤３の再度の復動時に、ペーストノズルＥ、スラリーノズルＣ、中央及び左側の光照射部Ｌが作動する。
そのペーストノズルＥにより、絶縁層３３及びバイヤ電極３４上に導電ペーストを噴射して所定の電極パターンからなる電極層３２を形成し、光照射部Ｌにより該電極層３２を乾燥した後、ベース盤３がスラリーノズルＣ下を通過することで該ノズルＣにより前記電極層３２が塗布されない領域にセラミックスラリーを噴射してスペーサ絶縁層３１を形成する。そのスペーサ絶縁層３１は左側の光照射部Ｌにより乾燥される。
【００２６】
上記工程（ａ）〜（ｄ）以後は、ベース盤３が一往復する工程（ｃ）（ｄ）を繰り返すことにより、バイヤ電極３４を有する電極層３２と絶縁層３１，３３とからなる薄膜層Ｓ３を積層したインダクタ用セラミック積層体Ａ３が得られる。この第３実施例によれば、絶縁層又は電極層を形成する度に乾燥手段により各層面を乾燥させるので、スペーサ絶縁層３１、電極層３２、絶縁層３３及びバイヤ電極３４の塗布又は印刷精度が向上する。
【００２７】
図５は、本発明の第４実施例であって、コンデンサ用セラミック積層体の製造装置を示し、区間路１ａ上に、前記第３実施例と同一の配置でもって光照射部Ｌ、スラリーノズルＣ、ペーストノズルＥを構成したものである。
この第４実施例では次の作業工程を行う。
（ａ）ベース盤３の最初の往動時に、スラリーノズルＣ、ペーストノズルＥ、中央及び右側光照射部Ｌが作動する。
スラリーノズルＣによりセラミックスラリーを噴射してベース盤３上に所定面積の絶縁層４０を形成し、該絶縁層４０が中央の光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥され、次いで絶縁層４０がペーストノズルＥ下を通過するときに、該ペーストノズルＥにより導電ペーストを噴射して所定の電極パターンからなる電極層４２を形成する。
この電極層４２は右側の光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥される。
（ｂ）上記ベース盤３の復動時に、スラリーノズルＣ及び左側の光照射部Ｌが作動する。
そのスラリーノズルＣにより、前記絶縁層４０上の電極層４２間を埋めるようにセラミックスラリーを噴射してスペーサ絶縁層４１を形成し、該スペーサ絶縁層４１は左側の光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥される。
【００２８】
而して、ベース盤３が一往復する工程（ａ）（ｂ）において電極層４２と絶縁層４０，４１とからなる薄膜層Ｓ４が形成される。
その後は、前記工程（ａ）（ｂ）の繰り返しである工程（ｃ）（ｄ）…を連続して作業することにより多数の薄膜層を積層したコンデンサ用セラミック積層体Ａ４が製造される。
この第４実施例においても、スペーサ絶縁層４１、電極層４２及び絶縁層４０の塗布又は印刷精度が向上する。
【００２９】
図６は、本発明の第５実施例であって、インダクタ用セラミック積層体の製造装置を示し、区間路１ａの略中央部に乾燥手段である光照射部Ｌを配設し、その左側（ステージ４側）にスラリーノズルＣを、右側（ステージ５側）にペーストノズルＥを配置した構成である。
【００３０】
この第５実施例では次の作業工程を行う。
（ａ）ベース盤３の最初の往動時に、スラリーノズルＣ、光照射部Ｌ及びペーストノズルＥの全てが作動する。
スラリーノズルＣによりセラミックスラリーを噴射してベース盤３上に所定面積のベース絶縁層５０を形成し、該ベース絶縁層５０が光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥され、次いでベース絶縁層５０がペーストノズルＥ下を通過するときに、該ペーストノズルＥにより導電ペーストを噴射して所定の電極パターンからなる電極層５２を形成する。
（ｂ）上記ベース盤３の復動時に、光照射部ＬとスラリーノズルＣが作動する。工程（ａ）により形成された前記電極層５２が光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥された後に、スラリーノズルＣにより、前記ベース絶縁層５０上の電極層５２間を埋めるようにセラミックスラリーを噴射してスペーサ絶縁層５１が形成される。
【００３１】
（ｃ）次に、ベース盤３の再度の往動時に、光照射部ＬとペーストノズルＥが作動する。
工程（ｂ）により形成された前記スペーサ絶縁層５１が光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥された後、ペーストノズルＥ下を通過する際に、該ノズルＥにより導電ペーストを噴射して前記電極層５２上の所定位置にバイヤ電極５４が形成される。
（ｄ）次いで、ベース盤３の再度の復動時に、スラリーノズルＣ、光照射部Ｌが作動する。
工程（ｃ）により形成された前記バイヤ電極５４が光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥された後、スラリーノズルＣにより前記バイヤ電極５４が塗布されない領域にセラミックスラリーを噴射して絶縁層５３を形成する。
（ｅ）さらにベース盤３が往動し、その往動時に光照射部ＬとペーストノズルＥが作動する。
工程（ｄ）により形成された絶縁層５３が光照射部Ｌにより乾燥された後に、ペーストノズルＥにより導電ペーストを前記絶縁層５３及びバイヤ電極５４上面に噴射して所定の電極パターンからなる電極層５２を形成する
【００３２】
上記工程（ａ）〜（ｅ）以後は、ベース盤３が二往復する工程（ｂ）〜（ｅ）を繰り返すことにより、バイヤ電極５４を有する電極層５２と絶縁層５１，５３とからなる薄膜層Ｓ５を積層したインダクタ用セラミック積層体Ａ５が得られる。
この第５実施例によれば、薄膜層Ｓ５を形成するための工程数が多くなるが、スラリーノズルＣ、ペーストノズルＥ、光照射部Ｌを最少個数になし得て区間路１ａの長さを短縮することができる。
【００３３】
図７は、本発明の第６実施例であって、コンデンサ用セラミック積層体の製造装置を示し、区間路１ａ上に、前記第５実施例と同一の配置でもって光照射部Ｌの左側にスラリーノズルＣを、右側にペーストノズルＥを構成したものである。
【００３４】
この第６実施例では次の作業工程を行う。
（ａ）ベース盤３の最初の往動時に、スラリーノズルＣ、光照射部Ｌ及びペーストノズルＥの全てが作動し、先ず、スラリーノズルＣによりセラミックスラリーを噴射してベース盤３上に所定面積の絶縁層６０を形成し、該絶縁層６０が光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥される。
次いで絶縁層６０がペーストノズルＥ下を通過するときに、該ペーストノズルＥにより導電ペーストを噴射して所定の電極パターンからなる電極層６２を形成する。
（ｂ）上記ベース盤３の復動時に、光照射部ＬとスラリーノズルＣが作動する。
工程（ａ）により形成された前記電極層６２が光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥された後に、スラリーノズルＣにより、前記絶縁層６０上の電極層６２間を埋めるようにセラミックスラリーを噴射してスペーサ絶縁層６１が形成される。
【００３５】
（ｃ）次に、ベース盤３はステージ５まで到達しない途中位置までの短区間、詳しくはベース盤３がステージ４から光照射部Ｌを通過した位置までの区間を往復動し、その間に光照射部ＬとスラリーノズルＣが作動する。
そして、その短区間の往動時に、工程（ｂ）により形成された前記スペーサ絶縁層６１が光照射部Ｌ下を通過して乾燥され、復動時にベース盤３がスラリーノズルＣ下を通過する際に、該ノズルＣによりセラミックスラリーを噴射して前記電極層６２上に絶縁層６０が形成される。
（ｄ）その後、ベース盤３が往動し、その往動時に光照射部ＬおよびペーストノズルＥが作動する。
工程（ｃ）により形成された絶縁層６０が光照射部Ｌにより乾燥された後に、ペーストノズルＥにより導電ペーストを前記絶縁層６０上面に噴射して所定の電極パターンからなる電極層６２を形成する
【００３６】
上記工程（ａ）〜（ｄ）以後は、前記工程（ｂ）〜（ｄ）を繰り返すことにより、電極層６２と絶縁層６０，６１とからなる薄膜層Ｓ６を積層したコンデンサ用セラミック積層体Ａ６が得られる。
この第６実施例においても、スラリーノズルＣ、ペーストノズルＥ、光照射部Ｌを最少個数になし得て区間路１ａの長さを短縮することができる。
【００３７】
図８は、本発明の第７実施例であって、インダクタ用セラミック積層体の製造装置を示し、詳しくはバイヤ電極を形成するためのバイヤホールをレーザー穿孔手段により作製する場合である。
すなわち、区間路１ａ上に前述した第５実施例に相当するスラリーノズルＣ、光照射部Ｌ及びペーストノズルＥを配置することに加えて、レーザーヘッドＰを配設した構成である。このレーザーヘッドＰは、前記区間路１ａを横断する方向へ微小間隔をおいて多数並設され、各ヘッドが図示しないレーザー発生器に接続されているものである。
【００３８】
この第７実施例では次の作業工程を行う。
（ａ）ベース盤３の最初の往動時に、スラリーノズルＣ、光照射部Ｌ及びペーストノズルＥが作動し、スラリーノズルＣによりセラミックスラリーを噴射してベース盤３上に所定面積のベース絶縁層７０を形成し、該ベース絶縁層７０が光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥される。
次いでベース絶縁層７０がペーストノズルＥ下を通過するときに、該ペーストノズルＥにより導電ペーストを噴射して所定の電極パターンからなる電極層７２を形成する。
（ｂ）上記ベース盤３の復動時に、光照射部ＬとスラリーノズルＣが作動する。
工程（ａ）により形成された前記電極層７２が光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥された後に、スラリーノズルＣにより、前記ベース絶縁層７０上の電極層７２間を埋めるようにセラミックスラリーを噴射してスペーサ絶縁層７１が形成される。
【００３９】
（ｃ）次に、ベース盤３の再度の往動時に、スラリーノズルＣ、光照射部Ｌ及び前記レーザーヘッドが作動する。
ベース盤３がスラリーノズルＣ下を通過する際に、セラミックスラリーを噴射して前記スペーサ絶縁層７１及び電極層７２の上面全面を覆う絶縁層７３を形成し、それが光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥される。
次いで、ベース盤３がレーザーヘッドＰ下を通過するときに、該ヘッドＰにより前記絶縁層７３の所定位置に前記電極層７２へ通じるバイヤホール７５を開孔する。
【００４０】
（ｄ）次に、ベース盤３がステージ５から復動を開始するが、ベース盤３はステージ４まで復帰しない途中位置までの短区間、詳しくはベース盤３がステージ５から光照射部Ｌを通過した位置までの区間を復動動作と往動動作をし、その間に光照射部ＬとペーストノズルＥが作動する。
そして、その短区間の復動動作において、ペーストノズルＥ下を通過する際に、該ノズルＥにより導電ペーストを噴射し前記バイヤホール７５内に充填してバイヤ電極７４が形成され、このバイヤ電極７４は、それが光照射部Ｌを通過する際に乾燥される。一方、短区間の往動動作においては、ペーストノズルＥにより絶縁層７３とバイヤ電極７４の上面に所定のパターンの電極層７２が形成される。
（ｅ）その後のベース盤３の復動時に、スラリーノズルＣ、光照射部Ｌが作動する。
工程（ｄ）により形成された前記電極層７２が光照射部Ｌ下を通過する際に乾燥された後、スラリーノズルＣにより前記電極層７２が塗布されない領域にセラミックスラリーを噴射してスペーサ絶縁層７１を形成する。
【００４１】
上記工程（ａ）〜（ｅ）以後は、前記工程（ｃ）〜（ｅ）を繰り返すことにより、前述した第５実施例と同等のインダクタ用セラミック積層体が得られる。
なお、この第７実施例は、第１実施例、第３実施例、第５実施例で説明したバイヤ電極の形成に代えて、レーザー穿孔手段を採用することも可能であることを例示するものであり、第５実施例の場合に即して説明したが、第１実施例、第３実施例においても適用可能である。
【００４２】
図９は、本発明の第８実施例であって、インダクタ用セラミック積層体の製造装置を示し、詳しくは前記区間路１ａ上に仮圧着手段を付設した場合をである。
仮圧着手段には、上下動可能なプレス板や押圧ロールを使用することができ、実施例においては第１実施例の区間路１ａ上に押圧ロールＲを配設した場合を例示している。
第１実施例の作業工程は既述のとおりであるので、説明の便宜上、図中に同一符号を付して説明を省略するが、中央の光照射部Ｌと右側のペーストノズルＥとの間に押圧ロールＲを上下動可能に配設し、該押圧ロールＲが前記工程（ｃ）において作動（下動）するようにしている。
【００４３】
すなわち、前記工程（ｃ）の各動作時において、バイヤ電極１４が形成された絶縁層１３が光照射部Ｌ下を通過して乾燥された後に、往動するベース盤３上に押圧ロールＲが下動してバイヤ電極１４及び絶縁層１３の上面を押圧して薄膜層を仮圧着するものである。
この仮圧着により、薄膜層の上面に生じる微細な凹凸を均して均質化するとともに下層の薄膜層との密着性を高めるようにする。
なお、この仮圧着手段の付設を第１実施例の場合で説明したが、他の実施例においても適用されることは明らかであり、また、配置も任意に設定できるものである。
【００４４】
上記仮圧着手段の好ましい形態を図１６に示す。
図１６において、押圧ロールＲは、支持部材１０１に回転自在に配置したロールの表面に粘着性が極微な表面処理を施したもので、その表面に粘着性を有する除塵ローラ１００を回転自在に接触させて両者を接触状のまま支持部材１０１を上下動可能に設置する。
上記押圧ロールＲは、その作動時に前述のとおりバイヤ電極１４、絶縁層１３の上面を押圧して薄膜層を仮圧着するとともに、バイヤ電極１４及び絶縁層１３から微粒片が剥離しているときには該微粒片を表面に付着させて薄膜層から取り除き、その押圧ロールＲに付着した微粒片は、押圧ロールより高い粘着性を有する除塵ローラ１００の表面に転着する。
そして、除塵ローラ１００へ転着した微粒片は、該除塵ローラ１００を適時に取り外して清掃し、あるいは除塵ローラ１００に剥離部材（図示せず）を当接させることによって除去すればよい。
【００４５】
上述した実施例においては、絶縁層形成手段としてインクジェット方式を採用したスラリーノズルの場合を説明したが、図１７に例示したようなドクターブレード方式を採用するスラリーヘッドＣ’や、あるいはローラの回転により該ローラの接触面にセラミックスラリーを塗布するコートローラ方式を採用することもよい。
特にベース絶縁層１０、絶縁層２０等のように所定領域全面にセラミックスラリーを塗布する場合にはドクターブレード方式やコートローラ方式が採用可能である。また、電極層等を形成した後にスペーサ絶縁層を充填塗布する場合でも、乾燥手段により電極層等を充分乾燥させることによってドクターブレード方式を採用することができる。
また、上記実施例においては、ベース盤を１ないし２往復する間に薄膜層が形成される場合を説明したが、セラミックスラリーの層厚を大きくするために往復回数を増やすことも任意である。
なお、本発明はその趣旨に沿う限り、前述した絶縁層形成手段など各手段の配列、個数、作業工程などは適宜に変更可能であり実施例記載に限定されるものではない。
【００４６】
【発明の効果】
本発明によれば、ベース盤が往復動する直線状の区間路に絶縁層形成手段、電極層形成手段及び乾燥手段を並設し、ベース盤の往動時及び復動時の各工程において所定の作業を有効に行わせるので、セラミック積層体の薄膜各層を効率的に作製することができるとともにそれらの積層体の製造時間を短縮して生産性を高めることができる。
そして、上記絶縁層形成手段、電極層形成手段及び乾燥手段は必要最少な個数を並設すればよいので、前記区間路の必要長を短く設定することができ実用化が可能な小型装置であって、しかも前記各形成手段の最少個数により安価な製造装置を提供することができる。
【００４７】
そして、乾燥手段の少なくとも１つを前記区間路の略中央部に配置し、その両側に、前記絶縁層形成手段、電極層形成手段の少なくとも１つを配置したので、絶縁層の形成工程、電極層の形成工程などの作業工程を有効的連続して行わせることができ、前記ベース盤の移動区間路を最小にして装置の小型化を促進させることができる（請求項１）。
また、絶縁層形成手段の少なくとも１つにインクジェット方式を採用する請求項２によれば、電極層間の凹嵌部にセラミックスラリーを充填するなど絶縁層を高精度に形成することができ、請求項３によれば、薄膜層の平坦性が確保されてボイドの発生原因が除去され、製造される電子部品の高品質を担保することができる。
【００４８】
また、上記電極層形成手段がインクジェット方式により導電ペーストを噴射するので、この電極層形成手段により、電極パターン上に直接に導電ペーストを照射して、バイヤホールを開孔することなくバイヤ電極を精度よく確実かつ迅速にに形成することができる（請求項４）。
一方、請求項５によれば、レーザー穿孔方式でバイヤホールを開孔した場合でも、電極層形成手段により導電ペーストを充填してバイヤ電極を精度よく確実に形成することができる。
【００４９】
さらに、請求項６によれば、形成された薄膜層の上面を仮圧着するので、絶縁層形成手段、電極層形成手段により形成されたセラミック絶縁層及び電極パターン上面の凹凸状を均して面一化し、次の薄膜層の積層精度を高めるとともに下層の薄膜層との密着性を高めて各層を均質一体化させ、高品質なセラミック積層体を提供することができる。
【００５０】
そして、請求項６によれば、前記仮圧着機能に加え、セラミックスラリー及び導電ペーストの微粒片が取り除かれて相互に混入することがないので、さらに高品質なセラミック積層体を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明製造装置の概要を示す側面図である。
【図２】 第１実施例の作業工程を示す側面図である。
【図３】 第２実施例の作業工程を示す側面図である。
【図４】 第３実施例の作業工程を示す側面図である。
【図５】 第４実施例の作業工程を示す側面図である。
【図６】 第５実施例の作業工程を示す側面図である。
【図７】 第６実施例の作業工程を示す側面図である。
【図８】 第７実施例の作業工程を示す側面図である。
【図９】 第８実施例の作業工程を示す側面図である。
【図１０】 絶縁層形成手段による絶縁層の形成工程を示す拡大図である。
【図１１】 絶縁層形成手段によるスペーサ絶縁層の形成工程を示す拡大図である。
【図１２】 電極層形成手段による電極層の形成工程を示す拡大図である。
【図１３】 絶縁層形成手段による絶縁層の形成工程を示す拡大図である。
【図１４】 電極層形成手段によるバイヤ電極の形成工程を示す拡大図である。
【図１５】 乾燥手段による乾燥工程を示す拡大図である。
【図１６】 仮圧着手段の具体例を示す拡大図である。
【図１７】 絶縁層形成手段の他の実施形態を示す拡大図である。
【符号の説明】
１ａ：区間路 ２：可動台 ３：ベース盤
Ｃ：スラリーノズル（絶縁層形成手段）
Ｅ：ペーストノズル（電極層形成手段）
Ｌ：光照射部（乾燥手段）
Ｐ：レーザーヘッド（レーザー穿孔手段）
Ｒ：押圧ロール（仮圧着手段）
Claims (6)
- ベース盤を直線状の所定区間路に往復動かつ上下動可能に設置するとともに、その区間路上に、セラミックスラリーを吐出する絶縁層形成手段、インクジェット方式により導電ペーストを噴射する電極層形成手段、前記スラリー又はペーストを乾燥させる乾燥手段を、それぞれ１ないし複数個並設し、前記ベース盤が前記区間路を１ないし数往復する間にセラミック絶縁層上に所定の電極パターンが配設された薄膜層を形成し、それらを繰り返してセラミック積層体を形成するセラミック積層体の製造装置であって、
上記乾燥手段の少なくとも１つが、前記区間路の略中央部に配置され、該乾燥手段の両側に、前記絶縁層形成手段、電極層形成手段の少なくとも１つが配置されていることを特徴とするセラミック積層体の製造装置。 - 上記絶縁層形成手段の少なくとも１つが、インクジェット方式によりセラミックスラリーを噴射して絶縁層を形成することを特徴とする請求項１記載のセラミック積層体の製造装置。
- 上記絶縁層形成手段が、電極層形成手段により形成された電極層間の凹嵌部又は電極層が形成される領域を除いた所定領域にセラミックスラリーを充填することを含む請求項１又は２記載のセラミック積層体の製造装置。
- 上記電極層形成手段が、インクジェット方式により導電ペーストを前記電極パターン上に噴射してバイヤ電極を形成することを特徴とする請求項１〜３の何れか１項記載のセラミック積層体の製造装置。
- 前記絶縁層にバイヤホールを開孔するレーザー穿孔手段を並設し、該穿孔手段により開孔したバイヤーホールに前記電極層形成手段により導電ペーストを充填してバイヤ電極を形成したことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項記載のセラミック積層体の製造装置。
- 前記薄膜層を積層する適時に上面を押圧する仮圧着手段を並設し、該仮圧着手段が、乾燥手段により乾燥されたセラミックスラリー又は導電ペーストに接触し、且つ表面に極微粘着性を有する押圧ロールであって、該ロールに粘着性を有する除塵ローラを接触させることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項記載のセラミック積層体の製造装置。
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