JP2002053904A - 金属粉末の製造方法,金属粉末,これを用いた導電性ペーストならびにこれを用いた積層セラミック電子部品 - Google Patents
金属粉末の製造方法,金属粉末,これを用いた導電性ペーストならびにこれを用いた積層セラミック電子部品Info
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Abstract
金属粉末が得られ、しかも還元剤による不純物が実質的
に生じない、液相法による金属粉末の製造方法、このよ
うな方法によって得られる金属粉末、導電性ペーストな
らびに積層セラミック電子部品を提供することにある。 【解決手段】本発明の金属粉末の製造方法は、還元剤溶
液を準備する工程と、ニッケル塩と、銅塩と、が溶媒に
溶解した金属塩溶液を準備する工程と、還元剤溶液と金
属塩溶液とを混合することで、銅塩を還元させて銅を析
出させ、銅を核として、ニッケル塩を還元させてニッケ
ルを析出させる工程と、を備えることを特徴とする。ま
た、本発明の積層セラミック電子部品は、複数のセラミ
ック層が積層されてなるセラミック積層体と、セラミッ
ク層間に形成された複数の内部電極と、を備え、内部電
極は、本発明の導電性ペーストを用いて形成されている
ことを特徴とする。
Description
法,金属粉末,これを用いた導電性ペーストならびにこ
れを用いて内部電極を形成した積層セラミック電子部品
に関するものである。
積層セラミックコンデンサは、セラミック積層体と、内
部電極と、端子電極とからなる。セラミック積層体は、
例えば誘電体材料からなる生のセラミック層が複数積層
された生のセラミック積層体が焼成されてなる。内部電
極は、セラミック積層体内のセラミック層間にあって、
複数の生のセラミック層上に導電性ペーストが印刷さ
れ、生のセラミック積層体と同時焼成されてなり、内部
電極のそれぞれの端縁は、上述のセラミック層の何れか
の端面に露出するように形成されている。端子電極は、
セラミック積層体の端面に露出した内部電極の一端に接
続されるように、導電性ペーストがセラミック積層体の
端面に塗布され焼付けられてなる。
積層セラミックコンデンサの内部電極形成には導電性ペ
ーストが用いられる。導電性ペーストは、導電成分とし
て機能する金属粉末を含有し、金属粉末としては銀やパ
ラジウム等の貴金属に加えて、近年ではニッケルや銅粉
末等の卑金属が用いられるようになっている。また、積
層セラミック電子部品はその小型化ならびに薄層化が進
み、これに伴い内部電極形成に用いる導電性ペーストに
含有する金属粉末の微粒化が求められる。
る方法としては、例えば気相法があるが、気相法による
金属粉末の製造はコストが高くつくという問題があるた
め、液相法によって平均粒径の小さい金属粉末を製造す
る方法が開発されている。
さい金属粉末を製造する方法としては、例えば特公平6
−99143号公報において、ニッケル塩の溶液を水素
化硼素ナトリウム等の水素化硼化物の還元液にて液相還
元する工程を経て、平均粒径の小さい金属粉末を得る方
法が開示されている。
9143号公報に記載の方法によれば、硼素が金属粉末
中に合金もしくは不純物として析出するため、得られた
金属粉末の純度が低下し、例えば、積層セラミック電子
部品の内部電極を形成するための導電性ペーストに含ま
れるべき導電成分としては、電気的性能が劣る問題があ
った。
ありながら、不純物の混入を抑制させる方法としては、
例えば特開平5−43921号公報において、塩基性炭
酸ニッケルを含む溶液を還元させることでニッケル粉末
を製造する場合に、還元剤としてヒドラジンを用いる方
法が開示されている。この方法によれば、ヒドラジンを
還元剤として用いるため、還元反応中に不純物が析出す
ることは実質的にない。
均粒径は100nmを超え、積層セラミック電子部品の
さらなる薄層化に寄与する内部電極を形成するための導
電性ペーストに含まれるべき導電成分としては、平均粒
径が大きすぎる問題がある。
くなされたもので、平均粒径が100nm以下の金属粉
末が得られ、しかも還元剤による不純物が実質的に生じ
ない、液相法による金属粉末の製造方法、このような方
法によって得られる金属粉末、このような金属粉末を用
いた導電性ペーストならびにこのような導電性ペースト
を用いた積層セラミック電子部品を提供することにあ
る。
に、本発明の金属粉末の製造方法は、還元剤溶液を準備
する工程と、ニッケル塩と、銅塩と、が溶媒に溶解した
金属塩溶液を準備する工程と、還元剤溶液と金属塩溶液
とを混合することで、銅塩を還元させて銅を析出させ、
銅を核として、ニッケル塩を還元させてニッケルを析出
させる工程と、を備えることを特徴とする。
塩は、塩化物,硫酸塩および硝酸塩よりなる群から選ば
れる少なくとも1種であることが好ましい。
のNi換算100重量%に対して、Cu換算で5.0〜
4.6×10-7重量%の範囲であることが好ましい。
と、ヒドラジンまたは/およびヒドラジン水和物と、が
溶媒に溶解したものであることが好ましい。
ウム,水酸化ナトリウム,水酸化カルシウム,水酸化バ
リウムおよびアンモニアよりなる群から選ばれる少なく
とも1種であることが好ましい。
合溶液であることが好ましい。
属粉末の製造方法によって得られたことを特徴とする。
の内部に、銅からなる核を備えることを特徴とする。
量は、金属粉末のNi換算100重量%に対して、Cu
換算で4.62〜4.54×10-7重量%の範囲である
ことが好ましい。
00nm以下であることが好ましい。
粉末と、有機ビヒクルと、を含有してなることを特徴と
する。
のセラミック層が積層されてなるセラミック積層体と、
セラミック層間に形成された複数の内部電極と、を備
え、内部電極は、本発明の導電性ペーストを用いて形成
されていることを特徴とする。
金属塩溶液中に銅塩を含有させることで、まず銅塩を還
元させて銅を析出させ、この微粒な銅を核として、これ
に続いてニッケルを析出させることで、平均粒径の小さ
い金属粉末を容易に製造することに特徴がある。
い。ニッケルよりも酸化還元電位が高い金属である銅の
塩を、ニッケル塩を含有する金属塩溶液中に含有させ、
この金属塩溶液と還元剤溶液とを混合すると、銅が先に
析出し、ニッケルが続いて析出する。後から析出したニ
ッケルは、先に析出した銅の核に成長するため、ニッケ
ルの核生成を伴わずにニッケル微粒子の生成を行なうこ
とができる。
に良好に溶解し得るものが好ましく、このような金属塩
としては、塩化物,硫酸塩,硝酸塩等が挙げられる。
塩のNi換算100重量%に対して、Cu換算で5.0
〜4.6×10-7重量%の範囲であることが好ましい。
金属塩溶液中に銅塩を含有することで銅が先に析出して
微粒な核となる。銅塩の含有量がCu換算で5.0重量
%以下であれば、析出する銅の量が過多にならず適当と
なり、得られた金属粉末の抵抗も過大にならず適当であ
るため、積層セラミック電子部品の内部電極を形成する
ための導電ペーストに含まれるべき導電成分として適当
となる。他方、銅塩の含有量がCu換算で4.6×10
-7重量%以上であれば、析出して核となる銅の量が過小
にならず適当となり、本発明の効果が十分に得られる。
ンまたは/およびヒドラジン水和物と、が溶媒に溶解し
たものであることが好ましい。還元剤であるヒドラジン
は、金属イオンを還元する際に、還元された金属中に不
純物がほとんど析出しない特徴を持つ還元剤であるた
め、金属粉末の融点の低下を招く硼素等の不純物の析出
を抑制することができる。
元させる際に必要とする水酸化物イオンを供給するため
に必須となる。このような苛性アルカリとしては、水酸
化カリウム,水酸化ナトリウム,水酸化カルシウム,水
酸化バリウムおよびアンモニアよりなる群から選ばれる
少なくとも1種であることが好ましく、より好ましく
は、水酸化ナトリウム単体を用いる。
媒は、アルコールと水の混合溶液の混合溶液であること
が好ましい。アルコール溶媒中に水を含有させ、溶媒中
のアルコール濃度を変えることにより、析出する金属粉
末の粒径を制御することができる。なお、アルコールの
みを溶媒として用いると、金属イオンの溶解度を低くで
き、そのため金属の析出速度を高くすることができ、析
出する金属粉末の粒径を小さくすることができる反面、
コスト高になる傾向がある。他方、単に水のみを溶媒と
して用いると、コスト安にはなるが、金属の析出速度が
低く、析出する金属粉末の粒径が大きくなる傾向があ
る。
である。すなわち、まず、エタノールと水を50:50
の割合で含有する混合溶媒中に水酸化ナトリウムを0.
5〜5モル/リットルのモル濃度で溶解させるととも
に、ヒドラジンまたは/およびヒドラジン水和物を、ニ
ッケル塩と銅塩を還元するために化学量論的に必要な量
から当該必要な量の15倍までの範囲で溶解させて得ら
れる還元剤溶液を準備する。
合で含有する混合溶媒中に、ニッケルの硫酸塩を1.0
×10-2〜1.0モル/リットルと、銅塩である硫酸銅
を溶解させて得られる金属塩溶液を準備する。
60℃に保持した状態で混合して、混合溶液を得る。混
合溶液の温度、すなわち反応温度が20℃以上であれ
ば、還元反応が進行しやすい。他方、混合溶液の温度が
60℃以下であれば、溶媒中にエタノール等を含む場合
であってもこれが気化しないため、混合溶液の濃度変化
が生じにくい。還元反応はpHの高いアルカリ域で起こ
るが、還元剤溶液のpHは13程度、金属塩溶液のpH
は5程度であるため、還元剤溶液に金属塩溶液を滴下す
るとpHが高い状態を維持して反応を進行させることが
できるため、混合手順としては、特に限定はしないが、
攪拌している還元剤溶液に金属塩溶液を滴下することが
好ましい。
細な核として析出する。このとき、銅は酸化還元電位が
高いためニッケルよりも速く析出し、またニッケルから
なる核よりも微粒であるため、銅塩を含有しない金属塩
溶液を用いて還元反応を行なった場合と比べて、核の数
は多くなり、かつ微粒な金属粉末が生成される。
る。上述したように、銅の核の方がニッケルの核よりも
微粒であることから、順次析出するニッケルが微粒にな
る。こうして還元反応の終わった混合溶液中から金属を
取出し、これを洗浄した後に乾燥して得られる金属粉末
は、平均粒径が100nm以下で微粒あり、平均粒径の
ばらつきも少ない。
属粉末の製造方法によって得られる。その性状は、銅を
核としたニッケル粉末であることに特徴がある。核を形
成している銅の含有量は、金属粉末のNi換算100重
量%に対して、Cu換算で4.62〜4.54×10-7
重量%の範囲であることが好ましい。銅の含有量がCu
換算で4.62重量%以下であれば、金属粉末の抵抗が
過大にならず適当であるため、積層セラミック電子部品
の内部電極を形成するための導電ペーストに含まれるべ
き導電成分として適当となる。他方、銅の含有量がCu
換算で4.54×10-7重量%以上であれば、このよう
な金属粉末を用いて積層セラミック電子部品の内部電極
を形成した場合に、電極の剥離,カバレッジの低下,ク
ラックの発生率,ESRの上昇が抑制されるという本発
明の効果が十分に得られる。
粉末と、有機ビヒクルと、を含有してなる。有機ビヒク
ルは、特に限定はしないが、例えば、エチルセルロース
樹脂とアルキド樹脂からなる有機バインダー25重量%
と、エチルカルビトール,1−オクタノール,ケロシン
系溶剤とからなる有機溶剤75重量%とを混合したもの
等が適宜用いられる。
と有機ビヒクルの構成割合は、特に限定はしないが、例
えば、金属粉末40重量部に対して、有機ビヒクル60
重量部からなる。なお、本発明の導電性ペーストは、金
属粉末と有機ビヒクルの他に、例えば、可塑剤,増粘防
止剤,分散剤等の添加剤を含有することを妨げない。
実施形態について、図1に基づいて詳細に説明する。す
なわち、セラミック電子部品1は、セラミック積層体2
と、内部電極3,3と、端子電極4,4と、めっき膜
5,5とから構成される。
成分とする誘電体材料からなるセラミック層2aが複数
積層された生のセラミック積層体が焼成されてなる。
のセラミック層2a間にあって、複数の生のセラミック
層2a上に導電性ペーストが印刷され、生のセラミック
層と同時焼成されてなり、内部電極3,3のそれぞれの
端縁は、セラミック層2の何れかの端面に露出するよう
に形成されている。
端面に露出した内部電極3,3の一端と電気的かつ機械
的に接合されるように、導電性ペーストがセラミック積
層体2の端面に塗布され焼付けられてなる。
の無電解めっきや、はんだめっき等からなり、端子電極
上4,4上に少なくとも1層形成されてなる。
ミック積層体2の材料は、上述の実施形態に限定される
ことなく、例えばPbZrO3等その他の誘電体材料
や、絶縁体、磁性体、半導体材料からなっても構わな
い。また、本発明の積層セラミック電子部品の内部電極
3の枚数は、上述の実施形態に限定されることなく、何
層形成されていても構わない。また、端子電極4,4の
形状,形成位置,個数は、上述の実施形態に限定される
ことなく、例えば、セラミック積層体上に設けられた配
線パターンであっても構わない。また、めっき膜5,5
は、上述の実施形態に限定されることなく、必ずしも備
えている必要はなく、また何層形成されていても構わな
い。また、セラミック積層体2の内部に、さらにビアホ
ール等を備えていても構わない。
と80%抱水ヒドラジン30gをエタノール50mlに
溶解して還元剤溶液を作製した。次いで、硫酸ニッケル
30.0g(Ni含有量7.4g)と、硫酸銅を表1に
示した添加量、すなわち試料1から順に10.0〜1.
0×10-9g(Cu含有量3.7〜3.7×10
-10g)とを、エタノール100mlに溶解させた、試
料1〜11の金属塩溶液を作製した。
タノール100mlに溶解させた、試料12の金属塩溶
液を作製した。
に保持した後、還元剤溶液中に金属塩溶液を投入して混
合溶液を得て、還元反応させた。
末を回収し純水で洗浄した後にアセトンで洗浄しオーブ
ン中で乾燥させて、試料1〜12の金属粉末を得た。
ル粉末を作製し、これを試料13の金属粉末とした。
について、Ni,Cu換算含有量、Ni換算100重量
%に対するCuの含有割合ならびに平均粒径を測定し、
平均粒径について評価を付して、これらを表2にまとめ
た。
Cu換算の含有量は、誘導結合プラズマ発光分光分析法
(ICP−AES)を用いて測定した。
13の金属粉末より平均粒径が小さい試料は○、特に平
均粒径が小さく優れる試料は◎、○◎に該当する試料を
除いて、銅を含有しない試料12の金属粉末より平均粒
径が小さい試料は△、従来技術である試料12は×、比
較例である試料13は評価なし−とした。
る試料1〜11の金属粉末は、銅を含有しない試料12
の金属粉末の平均粒径95nmより小さくなった。
さくなる傾向が見られ、金属粉末のNi換算100重量
%に対して、Cu換算含有量が1.25×102重量%
である試料1の金属粉末が31nmで最も粒径が小さ
く、優れる結果となった。
導電性ペーストを作製し、これを用いて内部電極を形成
した積層セラミック電子部品を作製した。まず、有機バ
インダであるエチルセルロース系樹脂10重量部を溶剤
であるテルピネオール90重量部に溶解して作製した有
機ビヒクル40重量%と、試料1〜11の金属粉末50
重量%とを、テルピネオール10重量%に添加して、3
本ロールミルを用いて入念に分散混合処理を行ない、試
料1〜13の導電性ペーストを作製した。
法で作製した平均粒径(D50)が0.5μmのチタン酸
バリウム(BaTiO3)粉末を準備した。
(0.02Dy+0.02Mg+0.02Mnおよび3
Si焼結助材)を、酸化物粉末あるいは炭酸化物粉末の
状態で添加混合し、加えてポリビニルブチラール系バイ
ンダおよびエタノール等の有機溶剤を加え、ボールミル
を用いて湿式混合して、セラミックスラリーを調整し
た。
レード法を適用して、ドクターブレードのスリット幅を
調整することにより、厚み1.4μmのセラミックグリ
ーンシートを成形した。
料1〜13の導電性ペーストを、所定枚数のセラミック
グリーンシートの表面上に、その一方の端縁が最終的に
得られるセラミック積層体の何れかの端面側に露出し、
他方の端縁がセラミック積層体の内部に留まるようにス
クリーン印刷して、スクリーンパターンの厚みを変更す
ることにより、乾燥後の厚みが0.6μmとなる電極膜
を備える試料1〜13セラミックグリーンシートを複数
枚作製した。
ラミックグリーンシートを複数枚積層して、熱プレスで
一体化させた後に所定の寸法に切断して、試料1〜13
の生のセラミック積層体を得た。次いで、N2雰囲気中
にて400℃で加熱して有機バインダを燃焼させた後、
酸素分圧が9×10-12MPaのH2−N2−H2Oガスか
らなる還元性雰囲気中において1200℃を最高焼成温
度として3時間保持して、試料1〜13のセラミック積
層体を得た。なお、焼成後のセラミック積層体における
有効誘電体セラミック層の層数は200であり、1層あ
たりの内部電極の面積は16.2×10-6m2であっ
た。
の端面に露出した内部電極に電気的かつ機械的に接合す
るように、Agを導電成分とする端子電極形成用の導電
性ペーストを塗布し乾燥させ、これを焼付けて一対の端
子電極を形成し、試料1〜13の積層セラミック電子部
品を作製した。
子部品について、セラミック層間の剥離発生率、カバレ
ッジ(内部電極の被覆面積率)、クラック発生率、ES
R(等価直列抵抗)を測定し、さらに積層セラミックコ
ンデンサとしての評価を付して、これらを表3にまとめ
た。
3の積層セラミック電子部品を長さ方向に直行する面で
切断し、切断面を研磨した後に顕微鏡観察することによ
り、層間剥離が発生している試料を目視判定して計数
し、各試料100個について層間剥離が発生した試料個
数の比率を求めた。
3の積層セラミック電子部品の内部電極面を剥離し、内
部電極面に穴があいている様子を顕微鏡で写真撮影し、
これを画像解析処理することによって定量化して求め
た。
〜13の積層セラミック電子部品を樹脂に埋め込んだ後
に長さ方向に直行する面で切断し、切断面を研磨した後
に顕微鏡観察することにより、内部電極内にひびが発生
している試料を目視判定して計数し、各試料100個に
ついてクラックが発生した試料個数の比率を求めた。
積層セラミック電子部品の両端面にAgを導電成分とす
る導電性厚膜ペーストを塗布し、これを焼付けて端子電
極を形成した後に測定し、各試料100個のESRの平
均値を求めた。
13の金属粉末と比較して剥離発生率、カバレッジ、ク
ラック発生率ならびにESRが何れも特に優れる試料に
ついては◎、◎に該当する試料を除き、気相法による試
料13の金属粉末と比較して、ESRを除く上述の項目
が何れも優れる試料については○、◎○に該当する試料
を除いて積層セラミック電子部品として実用的な範囲内
である試料については△、液相法による比較例である試
料12は×、気相法による比較例である試料13は評価
なし−とした。
銅塩の含有量が、ニッケル塩のNi換算100重量%に
対して、Cu換算で5.0〜4.6×10-7重量%の範
囲である金属塩溶液を用いて作製した金属粉末を含有し
てなる導電性ペーストを用いて内部電極を形成した試料
2〜9の積層セラミック電子部品は、剥離発生率とクラ
ック発生率が0%、カバレッジが87%以上、ESRも
205Ω以下で、積層セラミック電子部品として優れる
結果となった。なお、気相法によって金属粉末を作製し
た試料13の積層セラミック電子部品と比較すると、試
料3〜9の積層セラミック電子部品は、剥離発生率,ク
ラック発生率ならびにESRの何れの点においても優
れ、本発明の積層セラミック電子部品の最も優れる範囲
となった。
換算100重量%に対して、Cu換算で5.0重量%を
上回る金属塩溶液を用いて作製した金属粉末を含有して
なる導電性ペーストを用いて内部電極を形成した試料1
の積層セラミック電子部品は、剥離発生率は0%、カバ
レッジは93%、クラック発生率が0%で、試料1〜1
1のうちで最も優れる結果となったが、ESRが512
Ωで高く、積層セラミック電子部品としては、上述の試
料2〜9と比較して多少劣る結果となった。
換算100重量%に対して、Cu換算で4.6×10-7
重量%を下回る金属塩溶液を用いて作製した金属粉末を
含有してなる導電性ペーストを用いて内部電極を形成し
た試料10,11の積層セラミック電子部品は、ESR
が118Ωで、試料1〜11のうちで最も低く優れる結
果となったが、剥離発生率が13〜15%、クラック発
生率が12〜13%、カバレッジが84%で、積層セラ
ミック電子部品としては、上述の試料2〜9と比較して
多少劣る結果となった。
金属粉末を含有してなる導電性ペーストを用いて内部電
極を形成した試料12の積層セラミック電子部品は、剥
離発生率が67%、カバレッジが59%、クラック発生
率が60%で低く劣ったため、ESRの測定が不能にな
る等、積層セラミック電子部品としては、上述の試料2
〜9と比較して明らかに劣る結果となった。
2)と、積層セラミック電子部品に係る評価(表3)を
考慮して、総合評価を付し、これを表3にまとめた。な
お、総合評価については、表2に示した金属粉末の平均
粒径に係る評価と、表3に示す積層セラミック電子部品
に係る評価のうち、特に優れて本発明の範囲内となった
試料については○、○に該当する試料を除いて本発明の
範囲内となった試料については△、何れの評価も×であ
った本発明の範囲外の試料については×、比較例である
試料13は評価なし−とした。
銅を核として、ニッケルを析出させた試料1〜11は、
何れも本発明の範囲内となった。
て溶媒として用いたエタノールに代えて、エタノールと
水を50:50の割合で含有する混合溶媒を用いたこ
と、ニッケル塩として硫酸ニッケルを表4に示した添加
量、すなわち50.0g(Ni含有量12.3g)と、
硫酸銅として表4に示した添加量、すなわち試料14か
ら順に1.5×10〜1.5×10-9g(Cu含有量
5.6〜5.6×10-10g)を用いたことを除いて、
実施例1と同様の方法により、表4ならびに表5に示し
た試料14〜25の金属粉末を作製した。
実施例1にて比較例として挙げた気相法で作製した試料
13の金属粉末について、Ni,Cu換算含有量、Ni
100重量%に対するCuの含有割合ならびに平均粒径
を測定し、平均粒径について評価を付して、これらを表
5にまとめた。なお、測定方法ならびに評価方法につい
ては、実施例1と同様に行なった。
である試料25の金属粉末を走査型電子顕微鏡で観察し
た際の写真を、それぞれ図2および図3に示した。
る試料14〜22の金属粉末は、銅を含有しない試料2
5の金属粉末の平均粒径241nmより小さくなった。
さくなる傾向が見られ、金属粉末のNi換算100重量
%に対して、Cu換算含有量が4.35×10重量%で
ある試料14の金属粉末が49nmで最も粒径が小さ
く、優れる結果となった。
図3に示した従来の金属粉末と比較して粒径が小さく、
粒径も100nmを下回っていることが分かる。
金属粉末に代えて、試料14〜25の金属粉末を用いた
ことを除いて、実施例1と全く同様にして、試料14〜
25の導電性ペーストならびに積層セラミック電子部品
を作製した。
にて比較例として挙げた試料13の積層セラミック電子
部品について、セラミック層間の剥離発生率、カバレッ
ジ(内部電極の被覆面積率)、クラック発生率、ESR
(等価直列抵抗)を測定し、さらに積層セラミックコン
デンサとしての評価を付して、これらを表6にまとめ
た。なお、測定方法については、実施例1と同様に行な
った。
13の金属粉末と比較して、ESRを除く剥離発生率、
カバレッジならびにクラック発生率が何れも特に優れる
試料については◎、◎に該当する試料を除き、気相法に
よる試料13の金属粉末と比較して、ESRを除く上述
の項目が何れも優れるまたは略同等である試料について
は○、◎○に該当する試料を除いて積層セラミック電子
部品として実用的な範囲内である試料については△、液
相法による比較例である試料12は×、気相法による比
較例である試料13は評価なし−とした。
銅塩の含有量が、ニッケル塩のNi換算100重量%に
対して、Cu換算で5.0〜4.6×10-7重量%の範
囲である金属塩溶液を用いて作製した金属粉末を含有し
てなる導電性ペーストを用いて内部電極を形成した試料
15〜22の積層セラミック電子部品は、剥離発生率と
クラック発生率が0%、カバレッジが82%以上、ES
Rも205Ω以下で、積層セラミック電子部品として優
れる結果となった。なお、気相法によって金属粉末を作
製した試料13の積層セラミック電子部品と比較する
と、試料16〜22の積層セラミック電子部品は、ES
Rを除く剥離発生率ならびにクラック発生率においても
優れまたは略同等であり、本発明の積層セラミック電子
部品の最も優れる範囲となった。
換算100重量%に対して、Cu換算で4.6重量%を
上回る金属塩溶液を用いて作製した金属粉末を含有して
なる導電性ペーストを用いて内部電極を形成した試料1
4の積層セラミック電子部品は、剥離発生率は0%、カ
バレッジは90%、クラック発生率が0%で、試料14
〜24のうちで最も優れる結果となったが、ESRが4
98Ωで高く、積層セラミック電子部品としては、上述
の試料15〜22と比較して多少劣る結果となった。
換算100重量%に対して、Cu換算で4.6×10-7
重量%を下回る金属塩溶液を用いて作製した金属粉末を
含有してなる導電性ペーストを用いて内部電極を形成し
た試料23,24の積層セラミック電子部品は、ESR
が158〜160Ωで、試料14〜24のうちで最も低
く優れる結果となったが、剥離発生率が61〜67%、
クラック発生率が64〜68%、カバレッジが59〜6
2%で、積層セラミック電子部品としては、上述の試料
15〜22と比較して多少劣る結果となった。
金属粉末を含有してなる導電性ペーストを用いて内部電
極を形成した試料25の積層セラミック電子部品は、剥
離発生率が67%、カバレッジが59%、クラック発生
率が100%で低く劣ったため、ESRの測定が不能に
なる等、積層セラミック電子部品としては、上述の試料
15〜22比較して明らかに劣る結果となった。
5)と、積層セラミック電子部品に係る評価(表6)を
考慮して、総合評価を付し、これを表6にまとめた。な
お、総合評価の方法は、実施例1と同様に行なった。
銅を核として、ニッケルを析出させた試料14〜24
は、何れも本発明の範囲内となった。
法によれば、還元剤溶液を準備する工程と、ニッケル塩
と、銅塩と、が溶媒に溶解した金属塩溶液を準備する工
程と、還元剤溶液と金属塩溶液とを混合することで、銅
塩を還元させて銅を析出させ、銅を核として、ニッケル
塩を還元させてニッケルを析出させる工程と、を備える
ことを特徴とすることで、液相法によって、平均粒径が
100nm以下であり、積層セラミック電子部品の内部
電極形成に好適な金属粉末が得られる効果がある。
は、ニッケル塩のNi換算100重量%に対して、Cu
換算で5.0〜4.6×10-7重量%の範囲であること
で、液相法によって、平均粒径が100nm以下であ
り、かつ積層セラミック電子部品の内部電極形成に好適
な金属粉末が確実に得られる効果がある。
カリと、ヒドラジンまたは/およびヒドラジン水和物
と、が溶媒に溶解したものを用いることにより、液相法
によって、平均粒径が100nm以下で、還元剤による
不純物の混入が実質的にない、かつ積層セラミック電子
部品の内部電極形成に好適な金属粉末がより確実に得ら
れる効果がある。
溶液の溶媒として、アルコールと水の混合溶液を用いる
ことにより、溶媒中のアルコール濃度を変え、析出する
金属粉末の粒径を制御することができる効果がある。
の金属粉末と、有機ビヒクルと、を含有してなることを
特徴とすることで、積層セラミック電子部品のさらなる
薄層化に寄与し得る内部電極を形成することができる効
果がある。
は、複数のセラミック層が積層されてなるセラミック積
層体と、セラミック層間に形成された複数の内部電極
と、を備える積層セラミック電子部品であって、内部電
極は、本発明の導電性ペーストを用いて形成されている
ことを特徴とすることで、従来に比してさらに薄層の内
部電極を備えながら、なおかつ電極の剥離、カバレッジ
の低下、クラックの発生率ならびにESRの上昇が抑制
されるという効果が得られる。
電子部品の断面図である。
型電子顕微鏡を用いて撮影した写真である
を用いて撮影した顕微鏡写真である。
Claims (12)
- 【請求項1】 還元剤溶液を準備する工程と、 ニッケル塩と、銅塩と、が溶媒に溶解した金属塩溶液を
準備する工程と、 前記還元剤溶液と前記金属塩溶液とを混合することで、
前記銅塩を還元させて銅を析出させ、前記銅を核とし
て、前記ニッケル塩を還元させてニッケルを析出させる
工程と、を備えることを特徴とする、金属粉末の製造方
法。 - 【請求項2】 前記ニッケル塩または/および前記銅塩
は、塩化物,硫酸塩および硝酸塩よりなる群から選ばれ
る少なくとも1種であることを特徴とする、請求項1に
記載の金属粉末の製造方法。 - 【請求項3】 前記銅塩の含有量は、前記ニッケル塩の
Ni換算100重量%に対して、Cu換算で5.0〜
4.6×10-7重量%の範囲であることを特徴とする、
請求項1または2に記載の金属粉末の製造方法。 - 【請求項4】 前記還元剤溶液は、苛性アルカリと、ヒ
ドラジンまたは/およびヒドラジン水和物と、が溶媒に
溶解したものであることを特徴とする、請求項1〜3の
何れかに記載の金属粉末の製造方法。 - 【請求項5】 前記苛性アルカリは、水酸化カリウム,
水酸化ナトリウム,水酸化カルシウム,水酸化バリウム
およびアンモニアよりなる群から選ばれる少なくとも1
種であることを特徴とする、請求項1〜4の何れかに記
載の金属粉末の製造方法。 - 【請求項6】 前記溶媒は、アルコールと水の混合溶液
であることを特徴とする、請求項1〜5の何れかに記載
の金属粉末の製造方法。 - 【請求項7】 請求項1〜6の何れかに記載の製造方法
によって得られたことを特徴とする、金属粉末。 - 【請求項8】 ニッケル粒子の内部に、銅からなる核を
備えることを特徴とする、金属粉末。 - 【請求項9】 前記銅の含有量は、前記金属粉末のNi
換算100重量%に対して、Cu換算で4.62〜4.
54×10-7重量%の範囲であることを特徴とする、請
求項7または8に記載の金属粉末。 - 【請求項10】 平均粒径が100nm以下であること
を特徴とする、請求項7〜10の何れかに記載の金属粉
末。 - 【請求項11】 請求項7〜10の何れかに記載の金属
粉末と、有機ビヒクルと、を含有してなることを特徴と
する、導電性ペースト。 - 【請求項12】 複数のセラミック層が積層されてなる
セラミック積層体と、前記セラミック層間に形成された
複数の内部電極と、を備える積層セラミック電子部品で
あって、 前記内部電極は、請求項11に記載の導電性ペーストを
用いて形成されていることを特徴とする、積層セラミッ
ク電子部品。
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