JP2002043314A - 絶縁膜およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
絶縁膜およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＢＰＳＧ膜を含む絶縁膜およびその製造方
法、ならびに半導体装置およびその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 エッチング阻止膜１２が形成された基板
１０に酸素ガスを使用して酸化性雰囲気を組成した後
に、テトラエチルオルトシリケートおよび酸素ガスを使
用して第１シード層を形成する。続けて、トリエチルボ
レート、テトラエチルオルトシリケートおよび酸素ガス
を使用してホウ素の含量調節が可能である絶縁膜形成の
ための第２シード層を形成し、トリエチルボレート、ト
リエチルホスフェート、テトラエチルオルトシリケート
およびオゾンガスを使用してＢＰＳＧ膜を含む絶縁膜１
８を形成する。これによって、絶縁膜１８は５．２５か
ら５．７５重量％のホウ素ならびに２．７５から４．２
５重量％の燐が添加される。絶縁膜１８は前または後の
工程特性に影響を受けない。
法、ならびに半導体装置およびその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 エッチング阻止膜１２が形成された基板
１０に酸素ガスを使用して酸化性雰囲気を組成した後
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用して第１シード層を形成する。続けて、トリエチルボ
レート、テトラエチルオルトシリケートおよび酸素ガス
を使用してホウ素の含量調節が可能である絶縁膜形成の
ための第２シード層を形成し、トリエチルボレート、ト
リエチルホスフェート、テトラエチルオルトシリケート
およびオゾンガスを使用してＢＰＳＧ膜を含む絶縁膜１
８を形成する。これによって、絶縁膜１８は５．２５か
ら５．７５重量％のホウ素ならびに２．７５から４．２
５重量％の燐が添加される。絶縁膜１８は前または後の
工程特性に影響を受けない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は絶縁膜およびその製
造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法に関す
るものであり、より詳細にはホウ素（ｂｏｒｏｎ：Ｂ）
および燐（ｐｈｏｓｐｈｏｒｏｕｓ：Ｐ）を添加する量
を最適化するためのＢＰＳＧ膜（ＢＰＳＧｌａｙｅｒ：
ｂｏｒｏｐｈｏｓｐｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ
ｌａｙｅｒ）を含む絶縁膜およびその製造方法、なら
びに半導体装置およびその製造方法に関するものであ
る。
造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法に関す
るものであり、より詳細にはホウ素（ｂｏｒｏｎ：Ｂ）
および燐（ｐｈｏｓｐｈｏｒｏｕｓ：Ｐ）を添加する量
を最適化するためのＢＰＳＧ膜（ＢＰＳＧｌａｙｅｒ：
ｂｏｒｏｐｈｏｓｐｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ
ｌａｙｅｒ）を含む絶縁膜およびその製造方法、なら
びに半導体装置およびその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近来、コンピュータのような情報媒体の
急速な普及に伴って、半導体装置は飛躍的に発展してい
る。その機能面において、半導体装置は高速に動作する
ことと同時に大容量の貯蔵能力を有することが要求され
る。このような要求に応じて、半導体装置の集積度、信
頼度および応答速度などを向上させる方向に製造技術が
発展してきた。そして、半導体装置の集積度などの向上
のための主技術として、絶縁膜または導電膜などを含む
膜を形成するための加工技術は重要な位置を占有してい
る。
急速な普及に伴って、半導体装置は飛躍的に発展してい
る。その機能面において、半導体装置は高速に動作する
ことと同時に大容量の貯蔵能力を有することが要求され
る。このような要求に応じて、半導体装置の集積度、信
頼度および応答速度などを向上させる方向に製造技術が
発展してきた。そして、半導体装置の集積度などの向上
のための主技術として、絶縁膜または導電膜などを含む
膜を形成するための加工技術は重要な位置を占有してい
る。
【０００３】膜を形成するための加工技術は、大きく物
理気相蒸着（ｐｈｙｓｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ）と化学気相蒸着（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖ
ａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）に区分することがで
きる。このうち、化学気相蒸着は、形成しようとする対
象物質の元素を含む気体ソースと反応気体とを基板上に
供給し、基板を加熱して化学反応が発生するようにする
ことで、基板上に膜を形成する加工技術である。
理気相蒸着（ｐｈｙｓｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏ
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きる。このうち、化学気相蒸着は、形成しようとする対
象物質の元素を含む気体ソースと反応気体とを基板上に
供給し、基板を加熱して化学反応が発生するようにする
ことで、基板上に膜を形成する加工技術である。
【０００４】半導体装置のうちで、ＤＲＡＭ素子を例と
して挙げると、１６メガビットＤＲＡＭ（１６Ｍｅｇａ
ｂｉｔ ＤＲＡＭ）および６４メガビットＤＲＡＭの
量産から、最近では２５６メガビットＤＲＡＭの量産化
が進行しており、これに加えて、ギガビットＤＲＡＭ
（Ｇｉｇａ ｂｉｔ ＤＲＡＭ）のように高集積化に対
応した量産研究が進行している。
して挙げると、１６メガビットＤＲＡＭ（１６Ｍｅｇａ
ｂｉｔ ＤＲＡＭ）および６４メガビットＤＲＡＭの
量産から、最近では２５６メガビットＤＲＡＭの量産化
が進行しており、これに加えて、ギガビットＤＲＡＭ
（Ｇｉｇａ ｂｉｔ ＤＲＡＭ）のように高集積化に対
応した量産研究が進行している。
【０００５】これによって、半導体装置の製造に利用さ
れる膜形成のための加工技術に関する要求は段々厳しく
なる。これは、絶縁膜または導電膜などを含む膜を多層
構造に形成し、膜を０．１５μｍ以下デサインルール
（ｄｅｓｉｇｎ ｒｕｌｅ）の微細パターンを有する構
造などに形成するためである。膜を微細パターンを有す
る構造に形成する場合、微細パターンを形成するための
工程特性は、微細パターンが形成される膜だけでなく、
膜の下部に形成されている下部膜ならびに膜の上部に形
成する上部膜などにも影響を及ぼす。このため、膜を形
成するときに、膜形成以前または以後の工程特性に従う
膜の化学的、物理的特性が十分に考慮されなければなら
ない。
れる膜形成のための加工技術に関する要求は段々厳しく
なる。これは、絶縁膜または導電膜などを含む膜を多層
構造に形成し、膜を０．１５μｍ以下デサインルール
（ｄｅｓｉｇｎ ｒｕｌｅ）の微細パターンを有する構
造などに形成するためである。膜を微細パターンを有す
る構造に形成する場合、微細パターンを形成するための
工程特性は、微細パターンが形成される膜だけでなく、
膜の下部に形成されている下部膜ならびに膜の上部に形
成する上部膜などにも影響を及ぼす。このため、膜を形
成するときに、膜形成以前または以後の工程特性に従う
膜の化学的、物理的特性が十分に考慮されなければなら
ない。
【０００６】膜のうちで、メタル配線の電気的絶縁また
は表面保護などのために形成される絶縁膜は、酸化物に
燐をドーピングしたＰＳＧ膜（ＰＳＧ ｌａｙｅｒ：ｐ
ｈｏｓｐｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ ｌａｙｅ
ｒ）または酸化物にホウ素および燐をドーピングしたＢ
ＰＳＧ膜などが主に選択される。これは、ステップカバ
レッジ（ｓｔｅｐ ｃｏｖｅｒａｇｅ）が優れ、水分に
対する拡散障壁に作用してアルカリイオン（ａｌｋａｌ
ｉ ｉｏｎ）をゲッタリング（ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ）
し、膜を形成するための工程を低温などで容易に実施す
ることができるためである。
は表面保護などのために形成される絶縁膜は、酸化物に
燐をドーピングしたＰＳＧ膜（ＰＳＧ ｌａｙｅｒ：ｐ
ｈｏｓｐｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ ｌａｙｅ
ｒ）または酸化物にホウ素および燐をドーピングしたＢ
ＰＳＧ膜などが主に選択される。これは、ステップカバ
レッジ（ｓｔｅｐ ｃｏｖｅｒａｇｅ）が優れ、水分に
対する拡散障壁に作用してアルカリイオン（ａｌｋａｌ
ｉ ｉｏｎ）をゲッタリング（ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ）
し、膜を形成するための工程を低温などで容易に実施す
ることができるためである。
【０００７】しかし、膜を形成した後に膜をリフロー
（ｒｅｆｌｏｗ）する時、膜が拡散障壁に作用し十分な
流動性を有するために、膜は下部に水分を伝達する媒介
として作用する。従って、膜の下部に、水分によって損
傷を受ける材質で構成される膜またはシリコン材質の基
板などがある場合には、深刻な問題を招来する。そのた
め、膜を形成するときに、水分による影響を最小化にす
るための方法が考慮されなければならない。
（ｒｅｆｌｏｗ）する時、膜が拡散障壁に作用し十分な
流動性を有するために、膜は下部に水分を伝達する媒介
として作用する。従って、膜の下部に、水分によって損
傷を受ける材質で構成される膜またはシリコン材質の基
板などがある場合には、深刻な問題を招来する。そのた
め、膜を形成するときに、水分による影響を最小化にす
るための方法が考慮されなければならない。
【０００８】ＰＳＧ膜またはＢＰＳＧ膜などを含む絶縁
膜の形成の例は、ダウスンら（Ｄａｗｓｏｎ ｅｔ ａ
ｌ．）に許与された米国特許第４，６６８，９７３号、
日本特開昭５９−２２２９４５号、日本特開平１−１２
２１３９号および日本特開平８−１７９２６号などに開
示されている。
膜の形成の例は、ダウスンら（Ｄａｗｓｏｎ ｅｔ ａ
ｌ．）に許与された米国特許第４，６６８，９７３号、
日本特開昭５９−２２２９４５号、日本特開平１−１２
２１３９号および日本特開平８−１７９２６号などに開
示されている。
【０００９】米国特許第４，６６８，９７３号に開示さ
れた発明によると、基板上に窒化珪素膜を形成した後
に、窒化珪素膜の上に燐が７％以下で添加されるＰＳＧ
膜を形成する。これにより、ＰＳＧ膜をリフローして
も、窒化珪素膜によって水分が基板に浸透することを阻
止する。かつ、ＰＳＧ膜に開口部を形成しても、窒化珪
素膜によって基板が直接露出しないので、基板が酸化す
ることを阻止する。
れた発明によると、基板上に窒化珪素膜を形成した後
に、窒化珪素膜の上に燐が７％以下で添加されるＰＳＧ
膜を形成する。これにより、ＰＳＧ膜をリフローして
も、窒化珪素膜によって水分が基板に浸透することを阻
止する。かつ、ＰＳＧ膜に開口部を形成しても、窒化珪
素膜によって基板が直接露出しないので、基板が酸化す
ることを阻止する。
【００１０】日本特開昭５９−２２２９４５号に開示さ
れた発明によると、基板上に窒化珪素膜を形成した後
に、窒化珪素膜上にＢＰＳＧ膜を形成する。これによ
り、ＢＰＳＧ膜をリフローしても、窒化珪素膜によって
水分が基板に浸透することを阻止し、基板が直接露出し
て酸化することを阻止する。
れた発明によると、基板上に窒化珪素膜を形成した後
に、窒化珪素膜上にＢＰＳＧ膜を形成する。これによ
り、ＢＰＳＧ膜をリフローしても、窒化珪素膜によって
水分が基板に浸透することを阻止し、基板が直接露出し
て酸化することを阻止する。
【００１１】日本特開平１−１２２１３９号に開示され
た発明によると、基板およびゲート電極上に連続的に窒
化珪素膜を形成した後に、ホウ素を含有するＰＳＧ膜を
形成する。これにより、ＰＳＧ膜をリフローしても、窒
化珪素膜によって水分が基板だけでなくゲート電極に浸
透することを阻止する。
た発明によると、基板およびゲート電極上に連続的に窒
化珪素膜を形成した後に、ホウ素を含有するＰＳＧ膜を
形成する。これにより、ＰＳＧ膜をリフローしても、窒
化珪素膜によって水分が基板だけでなくゲート電極に浸
透することを阻止する。
【００１２】日本特開平８−１７９２６号に開示された
発明によると、ポリシリコン膜上に酸化珪素膜を形成し
た後に、酸化珪素膜上にＢＰＳＧ膜を形成する。これに
より、ＢＰＳＧ膜をリフローしても、酸化珪素膜によっ
て水分がポリシリコン膜または基板に浸透することを阻
止する。
発明によると、ポリシリコン膜上に酸化珪素膜を形成し
た後に、酸化珪素膜上にＢＰＳＧ膜を形成する。これに
より、ＢＰＳＧ膜をリフローしても、酸化珪素膜によっ
て水分がポリシリコン膜または基板に浸透することを阻
止する。
【００１３】このように、ＰＳＧ膜またはＢＰＳＧ膜な
どを含む絶縁膜を形成するときに、膜を窒化珪素膜上に
形成することで、水分などによる影響を最小化にするこ
とができる。そして、絶縁膜の所定部をエッチングし開
口部を有する絶縁膜パターンを形成するときに、窒化珪
素膜は、エッチングによって下部膜または基板が損傷す
ることを阻止する。
どを含む絶縁膜を形成するときに、膜を窒化珪素膜上に
形成することで、水分などによる影響を最小化にするこ
とができる。そして、絶縁膜の所定部をエッチングし開
口部を有する絶縁膜パターンを形成するときに、窒化珪
素膜は、エッチングによって下部膜または基板が損傷す
ることを阻止する。
【００１４】そして、微細な開口部またはゲート電極で
構成される凹凸部を有する最近の半導体装置の製造で
は、開口部またはゲート電極間の凹部にＢＰＳＧ膜を含
む絶縁膜の十分な充電のための特性も考慮しなければな
らない。これによって、テトラエチルオルトシリケート
（ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ ｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔ
ｅ：ＴＥＯＳ）、トリエチルボレート（ｔｒｉｅｔｈｙ
ｌｂｏｒａｔｅ：ＴＥＢ）、トリエチルホスフェート
（ｔｒｉｅｔｈｙｌｐｈｏｓｐｈａｔｅ：ＴＥＰＯ）、
酸素ガス、オゾンガスなどを使用し、化学気相蒸着を実
施してＢＰＳＧ膜を形成する。
構成される凹凸部を有する最近の半導体装置の製造で
は、開口部またはゲート電極間の凹部にＢＰＳＧ膜を含
む絶縁膜の十分な充電のための特性も考慮しなければな
らない。これによって、テトラエチルオルトシリケート
（ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ ｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔ
ｅ：ＴＥＯＳ）、トリエチルボレート（ｔｒｉｅｔｈｙ
ｌｂｏｒａｔｅ：ＴＥＢ）、トリエチルホスフェート
（ｔｒｉｅｔｈｙｌｐｈｏｓｐｈａｔｅ：ＴＥＰＯ）、
酸素ガス、オゾンガスなどを使用し、化学気相蒸着を実
施してＢＰＳＧ膜を形成する。
【００１５】このように、水分の浸透およびエッチング
による損傷を阻止し、十分な充電特性を有するための絶
縁膜は、主に窒化珪素膜を形成した後に窒化珪素膜上に
ＢＰＳＧ膜を形成して形成される。ＢＰＳＧ膜の形成
は、次のとおりである。まず、酸素ガスを利用して、Ｂ
ＰＳＧ膜を容易に形成するための酸化性雰囲気を組成す
る。そして、テトラエチルオルトシリケートおよび酸素
ガスを使用して、窒化珪素膜から構成されるエッチング
阻止膜上に第１シード層を形成した後に、トリエチルボ
レート、トリエチルホスフェート、テトラエチルオルト
シリケートおよび酸素ガスを使用して、第１シード層上
に第２シード層を形成する。第１シード層および第２シ
ード層は、ＢＰＳＧ膜に添加されるホウ素および燐の含
量決定に寄与する。続いて、トリエチルボレート、トリ
エチルホスフェート、テトラエチルオルトシリケートお
よびオゾンガスを使用して、第１シード層および第２シ
ード層を含むエッチング阻止膜上にＢＰＳＧ膜を形成す
る。この時、ＢＰＳＧ膜は燐の含量が相対的に豊富に形
成される。これは、第２シード層を形成するときに、ト
リエチルホスフェートを使用するためであり、十分な流
動性を確保し、後続のリフロー工程でＢＰＳＧ膜を凹部
内で容易に充電させるためのものである。
による損傷を阻止し、十分な充電特性を有するための絶
縁膜は、主に窒化珪素膜を形成した後に窒化珪素膜上に
ＢＰＳＧ膜を形成して形成される。ＢＰＳＧ膜の形成
は、次のとおりである。まず、酸素ガスを利用して、Ｂ
ＰＳＧ膜を容易に形成するための酸化性雰囲気を組成す
る。そして、テトラエチルオルトシリケートおよび酸素
ガスを使用して、窒化珪素膜から構成されるエッチング
阻止膜上に第１シード層を形成した後に、トリエチルボ
レート、トリエチルホスフェート、テトラエチルオルト
シリケートおよび酸素ガスを使用して、第１シード層上
に第２シード層を形成する。第１シード層および第２シ
ード層は、ＢＰＳＧ膜に添加されるホウ素および燐の含
量決定に寄与する。続いて、トリエチルボレート、トリ
エチルホスフェート、テトラエチルオルトシリケートお
よびオゾンガスを使用して、第１シード層および第２シ
ード層を含むエッチング阻止膜上にＢＰＳＧ膜を形成す
る。この時、ＢＰＳＧ膜は燐の含量が相対的に豊富に形
成される。これは、第２シード層を形成するときに、ト
リエチルホスフェートを使用するためであり、十分な流
動性を確保し、後続のリフロー工程でＢＰＳＧ膜を凹部
内で容易に充電させるためのものである。
【００１６】そして、ＢＰＳＧ膜を窒素ガスを使用して
リフローし、ＢＰＳＧ膜表面を平坦に形成すると同時に
凹凸部のうちで、凹部内を絶縁膜へ十分に充電させる。
しかし、凹部内ではＢＰＳＧ膜が十分に充電されず、ボ
イド（ｖｏｉｄ）が頻繁に形成される。これはＢＰＳＧ
膜を窒素ガスを使用してリフローするためである。
リフローし、ＢＰＳＧ膜表面を平坦に形成すると同時に
凹凸部のうちで、凹部内を絶縁膜へ十分に充電させる。
しかし、凹部内ではＢＰＳＧ膜が十分に充電されず、ボ
イド（ｖｏｉｄ）が頻繁に形成される。これはＢＰＳＧ
膜を窒素ガスを使用してリフローするためである。
【００１７】これによって、窒素ガスの代わりに最近で
は酸素ガスおよび水素ガスを使用してＢＰＳＧ膜をリフ
ローし、ボイドの形成を最小化にする。しかし、酸素ガ
スおよび水素ガスを使用してＢＰＳＧ膜をリフローする
ときに、ＢＰＳＧ膜の下部にあるエッチング阻止膜の厚
みが減少する。これは燐の含量を決定するトリエチルホ
スフェートがリフローを実施するとき、酸素ガスおよび
水素ガスと反応して燐酸（ｐｈｏｓｐｈｏｒｉｃ ａｃ
ｉｄ：Ｈ3ＰＯ4）を生成し、生成された燐酸がエッチン
グ阻止膜をエッチングするためである。
は酸素ガスおよび水素ガスを使用してＢＰＳＧ膜をリフ
ローし、ボイドの形成を最小化にする。しかし、酸素ガ
スおよび水素ガスを使用してＢＰＳＧ膜をリフローする
ときに、ＢＰＳＧ膜の下部にあるエッチング阻止膜の厚
みが減少する。これは燐の含量を決定するトリエチルホ
スフェートがリフローを実施するとき、酸素ガスおよび
水素ガスと反応して燐酸（ｐｈｏｓｐｈｏｒｉｃ ａｃ
ｉｄ：Ｈ3ＰＯ4）を生成し、生成された燐酸がエッチン
グ阻止膜をエッチングするためである。
【００１８】リフロー以前と以後のエッチング阻止膜の
厚みを透過電子顕微鏡（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ：ＴＥＭ）を使
用して分析した結果、リフロー以後のエッチング阻止膜
の厚みが以前より約３０％減少することを確認すること
ができた。かつ、オージェ電子分析機（ａｕｇｅｒｅｌ
ｅｃｔｒｏｎ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：ＡＥＳ）を
使用してリフロー以後のエッチング阻止膜を分析した結
果、エッチング阻止膜を構成する酸化物がリフロー以前
より約０．２倍程度増加することを確認することができ
た。すなわち、リフローを通じてエッチング阻止膜の厚
みが減少し、酸化が進行中であることを確認することが
できた。
厚みを透過電子顕微鏡（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ：ＴＥＭ）を使
用して分析した結果、リフロー以後のエッチング阻止膜
の厚みが以前より約３０％減少することを確認すること
ができた。かつ、オージェ電子分析機（ａｕｇｅｒｅｌ
ｅｃｔｒｏｎ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：ＡＥＳ）を
使用してリフロー以後のエッチング阻止膜を分析した結
果、エッチング阻止膜を構成する酸化物がリフロー以前
より約０．２倍程度増加することを確認することができ
た。すなわち、リフローを通じてエッチング阻止膜の厚
みが減少し、酸化が進行中であることを確認することが
できた。
【００１９】これによって、リフローを実施した後に、
ＢＰＳＧ膜を開口部を有するＢＰＳＧ膜パターンに形成
するためのエッチングをするときに、エッチング阻止膜
によるエッチング制御が適切に行われない。そのため、
エッチング阻止膜の下部にある基板が露出したり、ひど
い場合には、基板自体がエッチングされる状況が発生す
る。そして、自己整列コンタクト（ｓｅｌｆ ａｌｉｇ
ｎ ｃｏｎｔａｃｔ）などのような微細パターンを要求
する最近の半導体装置の製造においてエッチング阻止膜
の厚み減少は、ゲート電極間のショルダーマージン（ｓ
ｈｏｕｌｄｅｒｍａｒｇｉｎ）を十分に確保できない原
因として作用する。
ＢＰＳＧ膜を開口部を有するＢＰＳＧ膜パターンに形成
するためのエッチングをするときに、エッチング阻止膜
によるエッチング制御が適切に行われない。そのため、
エッチング阻止膜の下部にある基板が露出したり、ひど
い場合には、基板自体がエッチングされる状況が発生す
る。そして、自己整列コンタクト（ｓｅｌｆ ａｌｉｇ
ｎ ｃｏｎｔａｃｔ）などのような微細パターンを要求
する最近の半導体装置の製造においてエッチング阻止膜
の厚み減少は、ゲート電極間のショルダーマージン（ｓ
ｈｏｕｌｄｅｒｍａｒｇｉｎ）を十分に確保できない原
因として作用する。
【００２０】燐が相対的に豊富なＢＰＳＧ膜の代わり
に、ホウ素含量が相対的に豊富なＢＰＳＧ膜を形成する
場合、十分な流動性を確保できないこととして、凹部内
にＢＰＳＧ膜が充電されず、ボイドが生成される。か
つ、ホウ素含量が豊富なＢＰＳＧ膜は等方性エッチング
特性を有するために、開口部を形成するためのエッチン
グをする場合、開口部が設定された直径（ｃｒｉｔｉｃ
ａｌ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ：ＣＤ）より大きく形成され
る。従って、開口部を充電するための後続工程をすると
きに、開口部が完全に充電されず、ボイドが形成され
る。これは、設定された直径より大きな開口部が形成さ
れるが、充電は設定された直径の基準から行われるため
である。このような開口部に充電させる膜がメタル膜で
ある場合には、ボイドはブリッジ（ｂｒｉｄｇｅ）の原
因として作用する。
に、ホウ素含量が相対的に豊富なＢＰＳＧ膜を形成する
場合、十分な流動性を確保できないこととして、凹部内
にＢＰＳＧ膜が充電されず、ボイドが生成される。か
つ、ホウ素含量が豊富なＢＰＳＧ膜は等方性エッチング
特性を有するために、開口部を形成するためのエッチン
グをする場合、開口部が設定された直径（ｃｒｉｔｉｃ
ａｌ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ：ＣＤ）より大きく形成され
る。従って、開口部を充電するための後続工程をすると
きに、開口部が完全に充電されず、ボイドが形成され
る。これは、設定された直径より大きな開口部が形成さ
れるが、充電は設定された直径の基準から行われるため
である。このような開口部に充電させる膜がメタル膜で
ある場合には、ボイドはブリッジ（ｂｒｉｄｇｅ）の原
因として作用する。
【００２１】このように、ＢＰＳＧ膜に添加される燐お
よびホウ素の含量を適切に調節しない場合、下部のエッ
チング阻止膜の厚みが減少したり、等方性エッチング特
性を有することになる。従って、厚み減少やエッチング
特性の不良の原因に作用するため、半導体装置の製造に
伴う信頼度が低下する問題点がある。
よびホウ素の含量を適切に調節しない場合、下部のエッ
チング阻止膜の厚みが減少したり、等方性エッチング特
性を有することになる。従って、厚み減少やエッチング
特性の不良の原因に作用するため、半導体装置の製造に
伴う信頼度が低下する問題点がある。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】本発明の第１目的は、
ホウ素および燐含量を最適化すると同時に特性の変化が
ないＢＰＳＧ膜を含む絶縁膜を提供することにある。本
発明の第２目的は、ホウ素および燐含量を最適化すると
同時に特性の変化がないＢＰＳＧ膜を含む絶縁膜の製造
方法を提供することにある。
ホウ素および燐含量を最適化すると同時に特性の変化が
ないＢＰＳＧ膜を含む絶縁膜を提供することにある。本
発明の第２目的は、ホウ素および燐含量を最適化すると
同時に特性の変化がないＢＰＳＧ膜を含む絶縁膜の製造
方法を提供することにある。
【００２３】本発明の第３目的は、ホウ素および燐含量
を最適化すると同時に特性の変化がないＢＰＳＧ膜で構
成される絶縁膜を含む半導体装置を提供することにあ
る。本発明の第４目的は、ホウ素および燐含量を最適化
すると同時に特性の変化がないＢＰＳＧ膜で構成される
絶縁膜を含む半導体装置の製造方法を提供することにあ
る。
を最適化すると同時に特性の変化がないＢＰＳＧ膜で構
成される絶縁膜を含む半導体装置を提供することにあ
る。本発明の第４目的は、ホウ素および燐含量を最適化
すると同時に特性の変化がないＢＰＳＧ膜で構成される
絶縁膜を含む半導体装置の製造方法を提供することにあ
る。
【００２４】
【課題を解決するための手段】前述した第１目的を達成
するための本発明の絶縁膜は、半導体装置を構成する部
材（ｍｅｍｂｅｒｓ）のうちで、テトラエチルオルトシ
リケートに５．２５から５．７５重量％のホウ素ならび
に２．７５から４．２５重量％の燐が添加されたＢＰＳ
Ｇ膜を含む。
するための本発明の絶縁膜は、半導体装置を構成する部
材（ｍｅｍｂｅｒｓ）のうちで、テトラエチルオルトシ
リケートに５．２５から５．７５重量％のホウ素ならび
に２．７５から４．２５重量％の燐が添加されたＢＰＳ
Ｇ膜を含む。
【００２５】前述した第２目的を達成するための本発明
の絶縁膜の製造方法は、酸素ガスを使用して基板上に絶
縁膜を形成するための酸化性雰囲気を組成する段階と、
テトラエチルオルトシリケートおよび酸素ガスを使用し
基板上に絶縁膜の形成のための第１シード層を形成する
段階と、トリエチルボレート、テトラエチルオルトシリ
ケートおよび酸素ガスを使用しホウ素の含量調節が可能
である絶縁膜形成のための第２シード層を第１シード層
上に形成する段階と、トリエチルボレート、トリエチル
ホスフェート、テトラエチルオルトシリケートおよびオ
ゾンガスを使用し第１シード層および第２シード層を含
む基板上にホウ素および燐の含量調節が可能であるＢＰ
ＳＧ膜を形成する段階とを含む。
の絶縁膜の製造方法は、酸素ガスを使用して基板上に絶
縁膜を形成するための酸化性雰囲気を組成する段階と、
テトラエチルオルトシリケートおよび酸素ガスを使用し
基板上に絶縁膜の形成のための第１シード層を形成する
段階と、トリエチルボレート、テトラエチルオルトシリ
ケートおよび酸素ガスを使用しホウ素の含量調節が可能
である絶縁膜形成のための第２シード層を第１シード層
上に形成する段階と、トリエチルボレート、トリエチル
ホスフェート、テトラエチルオルトシリケートおよびオ
ゾンガスを使用し第１シード層および第２シード層を含
む基板上にホウ素および燐の含量調節が可能であるＢＰ
ＳＧ膜を形成する段階とを含む。
【００２６】絶縁膜は、次のように製造することができ
る。まず、酸化性雰囲気を形成した後に、テトラエチル
オルトシリケートおよび酸素ガスを１：５．４から５．
８の混合比を有するように供給して基板上に第１シード
層を形成し、テトラエチルオルトシリケート、トリエチ
ルボレートおよび酸素ガスを１：０．２から０．３：
５．４から５．８の混合比を有するように供給して第２
シード層を形成する。そして、第１シード層および第２
シード層上にテトラエチルオルトシリケート、トリエチ
ルボレート、トリエチルホスフェートおよびオゾンガス
を１：０．２から０．３：０．０９から０．１２：５．
４から５．８の混合比を有するように供給してＢＰＳＧ
膜を形成する。この時、絶縁膜は、ヘリウムガスおよび
窒素ガスを１：１．８から２．２の混合比を有するよう
に供給して形成する真空状態で形成する。
る。まず、酸化性雰囲気を形成した後に、テトラエチル
オルトシリケートおよび酸素ガスを１：５．４から５．
８の混合比を有するように供給して基板上に第１シード
層を形成し、テトラエチルオルトシリケート、トリエチ
ルボレートおよび酸素ガスを１：０．２から０．３：
５．４から５．８の混合比を有するように供給して第２
シード層を形成する。そして、第１シード層および第２
シード層上にテトラエチルオルトシリケート、トリエチ
ルボレート、トリエチルホスフェートおよびオゾンガス
を１：０．２から０．３：０．０９から０．１２：５．
４から５．８の混合比を有するように供給してＢＰＳＧ
膜を形成する。この時、絶縁膜は、ヘリウムガスおよび
窒素ガスを１：１．８から２．２の混合比を有するよう
に供給して形成する真空状態で形成する。
【００２７】基板上には、窒化珪素膜により構成される
エッチング阻止膜を形成するが、これは絶縁膜をエッチ
ングするときに、エッチングによって基板が損傷するこ
とを阻止するエッチング制御をするためのものである。
絶縁膜の製造方法は、水素ガスおよび酸素ガスを使用し
てリフローし、表面を平坦に形成すると同時に基板上の
凹凸部のうちで凹部内を充電する段階をさらに含む。
エッチング阻止膜を形成するが、これは絶縁膜をエッチ
ングするときに、エッチングによって基板が損傷するこ
とを阻止するエッチング制御をするためのものである。
絶縁膜の製造方法は、水素ガスおよび酸素ガスを使用し
てリフローし、表面を平坦に形成すると同時に基板上の
凹凸部のうちで凹部内を充電する段階をさらに含む。
【００２８】絶縁膜を水素ガスおよび酸素ガスを使用し
てリフローしても、エッチング阻止膜がエッチングされ
ることを防止し、等方性エッチング特性を低下させるこ
とができる。そのため、凹部に十分な充電を達成すると
同時に絶縁膜を異方性エッチングすることができる。従
って、ＢＰＳＧ膜を含む絶縁膜は、自己整列コンタクト
と微細パターンを形成するときに、適切に応用すること
ができる。
てリフローしても、エッチング阻止膜がエッチングされ
ることを防止し、等方性エッチング特性を低下させるこ
とができる。そのため、凹部に十分な充電を達成すると
同時に絶縁膜を異方性エッチングすることができる。従
って、ＢＰＳＧ膜を含む絶縁膜は、自己整列コンタクト
と微細パターンを形成するときに、適切に応用すること
ができる。
【００２９】前述した第３目的を達成するための本発明
の半導体装置は、ゲート電極が形成され、ゲート電極両
側下部にソースおよびドレーンが形成されている基板
と、基板およびゲート電極上に連続的に形成され、５．
２５から５．７５重量％のホウ素ならびに２．７５から
４．２５重量％の燐が添加された絶縁膜とを備える。
の半導体装置は、ゲート電極が形成され、ゲート電極両
側下部にソースおよびドレーンが形成されている基板
と、基板およびゲート電極上に連続的に形成され、５．
２５から５．７５重量％のホウ素ならびに２．７５から
４．２５重量％の燐が添加された絶縁膜とを備える。
【００３０】基板は、エッチングによって基板が損傷す
ることを阻止するためのエッチング阻止膜を含み、絶縁
膜は、テトラエチルオルトシリケートにホウ素および燐
を添加して形成するＢＰＳＧ膜を含む。前述した第４目
的を達成するための本発明の半導体の製造方法は、エッ
チングによって基板が損傷することを阻止するためのエ
ッチング阻止膜を基板上に形成する段階と、エッチング
阻止膜上に５．２５から５．７５重量％のホウ素ならび
に２．７５から４．２５重量％の燐を添加した絶縁膜を
形成する段階と、絶縁膜をリフローして絶縁膜表面を平
坦に形成すると同時に凹凸部のうちで凹部を絶縁膜に充
電する段階と、絶縁膜の所定部をエッチングし、所定部
の下部にあるエッチング阻止膜表面が露出する開口部を
有する絶縁膜パターンを形成する段階とを含む。
ることを阻止するためのエッチング阻止膜を含み、絶縁
膜は、テトラエチルオルトシリケートにホウ素および燐
を添加して形成するＢＰＳＧ膜を含む。前述した第４目
的を達成するための本発明の半導体の製造方法は、エッ
チングによって基板が損傷することを阻止するためのエ
ッチング阻止膜を基板上に形成する段階と、エッチング
阻止膜上に５．２５から５．７５重量％のホウ素ならび
に２．７５から４．２５重量％の燐を添加した絶縁膜を
形成する段階と、絶縁膜をリフローして絶縁膜表面を平
坦に形成すると同時に凹凸部のうちで凹部を絶縁膜に充
電する段階と、絶縁膜の所定部をエッチングし、所定部
の下部にあるエッチング阻止膜表面が露出する開口部を
有する絶縁膜パターンを形成する段階とを含む。
【００３１】基板は、凹凸部を有し、凹凸部はゲート電
極または開口部を有するパターンによって形成される。
エッチング阻止膜は、窒化珪素を使用して６０から１４
０Å程度の厚みを有するように形成し、絶縁膜は９，０
００から１０，０００Å程度の厚みを有するように形成
する。この時、エッチング阻止膜および絶縁膜は化学気
相蒸着により形成する。
極または開口部を有するパターンによって形成される。
エッチング阻止膜は、窒化珪素を使用して６０から１４
０Å程度の厚みを有するように形成し、絶縁膜は９，０
００から１０，０００Å程度の厚みを有するように形成
する。この時、エッチング阻止膜および絶縁膜は化学気
相蒸着により形成する。
【００３２】従って、凹部に十分な充電を達成すると同
時に絶縁膜を異方性エッチングすることができる。これ
は、燐およびホウ素が添加される量を最適化して、ＢＰ
ＳＧ膜を含む絶縁膜をリフローしてもエッチング阻止膜
がエッチングされることを防止し、等方性エッチング特
性を低下させるためである。これによって、ＢＰＳＧ膜
を含む絶縁膜は０．１５μｍ以下のデサインルールを要
求する自己整列コンタクトなどと微細パターンを形成す
るときに適切に応用することができる。
時に絶縁膜を異方性エッチングすることができる。これ
は、燐およびホウ素が添加される量を最適化して、ＢＰ
ＳＧ膜を含む絶縁膜をリフローしてもエッチング阻止膜
がエッチングされることを防止し、等方性エッチング特
性を低下させるためである。これによって、ＢＰＳＧ膜
を含む絶縁膜は０．１５μｍ以下のデサインルールを要
求する自己整列コンタクトなどと微細パターンを形成す
るときに適切に応用することができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の望
ましい一実施例を詳細に説明する。図１から図６は、本
発明の一実施例による絶縁膜の製造方法を説明するため
の断面図である。図１に示すように、まず基板１０上に
エッチング阻止膜１２を形成する。エッチング阻止膜１
２は窒化珪素を使用した化学気相蒸着を実施して形成す
る。これによって、エッチング阻止膜１２は以後、基板
１０上に形成する絶縁膜をエッチングするときに、エッ
チングによって基板１０が損傷することを阻止すると同
時に、基板１０が露出して酸化されることを防止する。
かつ、エッチング阻止膜１２は、絶縁膜をリフローする
ときに生成される水分が絶縁膜を媒介として移動し基板
１０に浸透することを阻止する。
ましい一実施例を詳細に説明する。図１から図６は、本
発明の一実施例による絶縁膜の製造方法を説明するため
の断面図である。図１に示すように、まず基板１０上に
エッチング阻止膜１２を形成する。エッチング阻止膜１
２は窒化珪素を使用した化学気相蒸着を実施して形成す
る。これによって、エッチング阻止膜１２は以後、基板
１０上に形成する絶縁膜をエッチングするときに、エッ
チングによって基板１０が損傷することを阻止すると同
時に、基板１０が露出して酸化されることを防止する。
かつ、エッチング阻止膜１２は、絶縁膜をリフローする
ときに生成される水分が絶縁膜を媒介として移動し基板
１０に浸透することを阻止する。
【００３４】続いて、エッチング阻止膜１２上に、ホウ
素および燐が添加されたＢＰＳＧ膜を含む絶縁膜を形成
する。絶縁膜は主に化学気相蒸着を実施して形成する。
図７は本発明の一実施例による絶縁膜を製造するための
製造装置を示す構成図である。
素および燐が添加されたＢＰＳＧ膜を含む絶縁膜を形成
する。絶縁膜は主に化学気相蒸着を実施して形成する。
図７は本発明の一実施例による絶縁膜を製造するための
製造装置を示す構成図である。
【００３５】図７を参照すれば、基板３０が置かれるス
テージ（ｓｔａｇｅ）２００が設置されている。ステー
ジ２００には基板３０を加熱するための部材が設置さ
れ、絶縁膜を形成するときに、基板３０を加熱する。そ
して、ステージ２００には基板３０を上、下にリフティ
ング（ｌｉｆｔｉｎｇ）するための部材が設置され、絶
縁膜を形成するときに基板３０を上、下にリフティング
する。この時、基板３０のリフティングは絶縁膜の均一
性に影響を及ぼすために、各段階ごとにリフティングす
る間隔を制御する。基板３０が置かれるステージ２００
を含むチャンバ２０内に、各段階ごとに反応ガスを供給
するガス供給ライン２１０ａ、２１０ｂならびにガス供
給ライン２１０ａ、２１０ｂを通じて供給される反応ガ
スを混合するためのガス混合ボックス２２０が設置され
ている。
テージ（ｓｔａｇｅ）２００が設置されている。ステー
ジ２００には基板３０を加熱するための部材が設置さ
れ、絶縁膜を形成するときに、基板３０を加熱する。そ
して、ステージ２００には基板３０を上、下にリフティ
ング（ｌｉｆｔｉｎｇ）するための部材が設置され、絶
縁膜を形成するときに基板３０を上、下にリフティング
する。この時、基板３０のリフティングは絶縁膜の均一
性に影響を及ぼすために、各段階ごとにリフティングす
る間隔を制御する。基板３０が置かれるステージ２００
を含むチャンバ２０内に、各段階ごとに反応ガスを供給
するガス供給ライン２１０ａ、２１０ｂならびにガス供
給ライン２１０ａ、２１０ｂを通じて供給される反応ガ
スを混合するためのガス混合ボックス２２０が設置され
ている。
【００３６】図８は、図７に示す反応ガスが混合される
過程を示す模式図である。図８を参照すれば、ガス供給
ライン２１０ａ、２１０ｂが連結されるガス混合ボック
ス２２０が設置されている。反応ガスはガス混合ボック
ス２２０に各々供給されて、ガス混合ボックス２２０内
で混合されチャンバ２０内に供給される。
過程を示す模式図である。図８を参照すれば、ガス供給
ライン２１０ａ、２１０ｂが連結されるガス混合ボック
ス２２０が設置されている。反応ガスはガス混合ボック
ス２２０に各々供給されて、ガス混合ボックス２２０内
で混合されチャンバ２０内に供給される。
【００３７】ガス混合ボックス２２０を通じて供給され
る反応ガスをチャンバ２０内にある基板３０上に均一に
供給するためのプレート（ｐｌａｔｅ）２３０が設置さ
れている。プレート２３０の前面にはガスを供給するた
めのホールが形成され、ガスはホールを通じて基板３０
上に均一に供給される。
る反応ガスをチャンバ２０内にある基板３０上に均一に
供給するためのプレート（ｐｌａｔｅ）２３０が設置さ
れている。プレート２３０の前面にはガスを供給するた
めのホールが形成され、ガスはホールを通じて基板３０
上に均一に供給される。
【００３８】チャンバを含む装置を使用した絶縁膜の形
成は次のとおりである。図２を参照すれば、エッチング
阻止膜１２が形成された基板１０をチャンバ２０内へ移
送した後に、チャンバ２０内に酸素ガスを供給する。酸
素ガスは、約４，５００ｓｃｃｍで供給されて、基板１
０を含む周辺を酸化性雰囲気１３に組成する。この時、
チャンバ２０と連結されるポンピング部材を使用してチ
ャンバ２０内を真空状態に形成するが、真空状態は約
２，０００ｓｃｃｍで供給されるヘリウムガスならびに
約４，０００ｓｃｃｍで供給される窒素ガスを使用して
形成する。また、ステージ２００は約４８０℃の温度を
維持しながら基板を加熱するが、この時、ステージ２０
０とプレート２３０の間隔は約６００ミルス（ｍｉｌ
ｓ）を維持している（１ｍｉｌｓ＝２５μｍである）。
このような酸化性雰囲気１３の組成は絶縁膜の均一性を
維持するために行われ、約２秒間続けられる。
成は次のとおりである。図２を参照すれば、エッチング
阻止膜１２が形成された基板１０をチャンバ２０内へ移
送した後に、チャンバ２０内に酸素ガスを供給する。酸
素ガスは、約４，５００ｓｃｃｍで供給されて、基板１
０を含む周辺を酸化性雰囲気１３に組成する。この時、
チャンバ２０と連結されるポンピング部材を使用してチ
ャンバ２０内を真空状態に形成するが、真空状態は約
２，０００ｓｃｃｍで供給されるヘリウムガスならびに
約４，０００ｓｃｃｍで供給される窒素ガスを使用して
形成する。また、ステージ２００は約４８０℃の温度を
維持しながら基板を加熱するが、この時、ステージ２０
０とプレート２３０の間隔は約６００ミルス（ｍｉｌ
ｓ）を維持している（１ｍｉｌｓ＝２５μｍである）。
このような酸化性雰囲気１３の組成は絶縁膜の均一性を
維持するために行われ、約２秒間続けられる。
【００３９】図３に示すように、酸化性雰囲気１３を形
成した後に、テトラエチルオルトシリケートおよび酸素
ガスを使用してエッチング阻止膜１２上に第１シード層
１４を形成する。この時、テトラエチルオルトシリケー
トは約８００ｓｃｃｍで供給され、酸素ガスは約４，５
００ｓｃｃｍで供給される。なお、以前の酸化性雰囲気
１３を組成するための酸素ガスは続けて供給され、それ
に従ってテトラエチルオルトシリケートが供給される構
成を有する。これによって、ガスはガス混合ボックス２
２０を通じて混合され、プレート２３０を通じて基板１
０上に均一に供給され、第１シード層１４を形成する。
また、チャンバ２０は真空状態を続けて維持する。か
つ、ステージ２００は約４８０℃の温度を維持しながら
基板１０を加熱するが、この時、ステージ２００とプレ
ート２３０の間隔は約４００ミルスを維持している。こ
のような第１シード層１４の形成は約６０秒間続けられ
る。
成した後に、テトラエチルオルトシリケートおよび酸素
ガスを使用してエッチング阻止膜１２上に第１シード層
１４を形成する。この時、テトラエチルオルトシリケー
トは約８００ｓｃｃｍで供給され、酸素ガスは約４，５
００ｓｃｃｍで供給される。なお、以前の酸化性雰囲気
１３を組成するための酸素ガスは続けて供給され、それ
に従ってテトラエチルオルトシリケートが供給される構
成を有する。これによって、ガスはガス混合ボックス２
２０を通じて混合され、プレート２３０を通じて基板１
０上に均一に供給され、第１シード層１４を形成する。
また、チャンバ２０は真空状態を続けて維持する。か
つ、ステージ２００は約４８０℃の温度を維持しながら
基板１０を加熱するが、この時、ステージ２００とプレ
ート２３０の間隔は約４００ミルスを維持している。こ
のような第１シード層１４の形成は約６０秒間続けられ
る。
【００４０】図４に示すように、第１シード層１４を形
成したあと、トリエチルボレート、テトラエチルオルト
シリケートおよび酸素ガスを使用して第１シード層１４
上に第２シード層１６を形成する。この時、トリエチル
ボレートは約２００ｓｃｃｍで供給され、テトラエチル
オルトシリケートは約８００ｓｃｃｍで供給され、酸素
ガスは約４，５００ｓｃｃｍで供給される。そして、以
前の第１シード層１４を形成するためのテトラエチルオ
ルトシリケートおよび酸素ガスは続けて供給され、それ
に従ってトリエチルボレートが供給される構成を有す
る。これによって、ガスはガス混合ボックス２２０を通
じて混合され、プレート２３０を通じて基板１０上に均
一に供給され、第２シード層１６を形成する。かつ、チ
ャンバ２０は真空状態を続けて維持する。また、ステー
ジ２００は約４８０℃の温度を維持しながら基板１０を
加熱するが、この時、ステージ２００とプレート２３０
の間隔は約３１０ミルスを維持している。このような第
２シード層１６の形成は約２３秒間続けられる。
成したあと、トリエチルボレート、テトラエチルオルト
シリケートおよび酸素ガスを使用して第１シード層１４
上に第２シード層１６を形成する。この時、トリエチル
ボレートは約２００ｓｃｃｍで供給され、テトラエチル
オルトシリケートは約８００ｓｃｃｍで供給され、酸素
ガスは約４，５００ｓｃｃｍで供給される。そして、以
前の第１シード層１４を形成するためのテトラエチルオ
ルトシリケートおよび酸素ガスは続けて供給され、それ
に従ってトリエチルボレートが供給される構成を有す
る。これによって、ガスはガス混合ボックス２２０を通
じて混合され、プレート２３０を通じて基板１０上に均
一に供給され、第２シード層１６を形成する。かつ、チ
ャンバ２０は真空状態を続けて維持する。また、ステー
ジ２００は約４８０℃の温度を維持しながら基板１０を
加熱するが、この時、ステージ２００とプレート２３０
の間隔は約３１０ミルスを維持している。このような第
２シード層１６の形成は約２３秒間続けられる。
【００４１】トリエチルボレートはＢＰＳＧ膜を含む絶
縁膜を形成するとき、絶縁膜に添加されるホウ素の原料
として使用されるが、副産物の生成なしにテトラエチル
オルトシリケートと混合され、熱に安定である。そのた
め、最近では絶縁膜を形成するときにトリエチルボレー
トが使用される。
縁膜を形成するとき、絶縁膜に添加されるホウ素の原料
として使用されるが、副産物の生成なしにテトラエチル
オルトシリケートと混合され、熱に安定である。そのた
め、最近では絶縁膜を形成するときにトリエチルボレー
トが使用される。
【００４２】図５に示すように、第２シード層１６を形
成した後に、トリエチルボレート、トリエチルホスフェ
ート、テトラエチルオルトシリケートおよびオゾンガス
を使用して、第１シード層１４および第２シード層１６
を含むエッチング阻止膜１２上にＢＰＳＧ膜を含む絶縁
膜１８を形成する。この時、トリエチルボレートは約２
００ｓｃｃｍで供給され、トリエチルホスフェートは約
８５ｓｃｃｍで供給され、テトラエチルオルトシリケー
トは約８００ｓｃｃｍで供給され、オゾンガスは約４，
５００ｓｃｃｍで供給される。そして、以前の第２シー
ド層１６を形成するためのテトラエチルオルトシリケー
トおよびトリエチルボレートは続けて供給され、酸素ガ
スの供給は中断され、それに従ってトリエチルホスフェ
ートおよびオゾンガスが供給される構成を有する。これ
によって、ガスはガス混合ボックス２２０を通じて混合
され、プレート２３０を通じて基板１０上に均一に供給
され、絶縁膜１８を形成する。かつ、チャンバ２０は真
空状態を続けて維持する。そして、ステージ２００は約
４８０℃の温度を維持しながら基板１０を加熱するが、
この時、ステージ２００とプレート２３０の間隔は約３
１０ミルスを維持している。このような絶縁膜１８の形
成は約１６０秒間続けられる。
成した後に、トリエチルボレート、トリエチルホスフェ
ート、テトラエチルオルトシリケートおよびオゾンガス
を使用して、第１シード層１４および第２シード層１６
を含むエッチング阻止膜１２上にＢＰＳＧ膜を含む絶縁
膜１８を形成する。この時、トリエチルボレートは約２
００ｓｃｃｍで供給され、トリエチルホスフェートは約
８５ｓｃｃｍで供給され、テトラエチルオルトシリケー
トは約８００ｓｃｃｍで供給され、オゾンガスは約４，
５００ｓｃｃｍで供給される。そして、以前の第２シー
ド層１６を形成するためのテトラエチルオルトシリケー
トおよびトリエチルボレートは続けて供給され、酸素ガ
スの供給は中断され、それに従ってトリエチルホスフェ
ートおよびオゾンガスが供給される構成を有する。これ
によって、ガスはガス混合ボックス２２０を通じて混合
され、プレート２３０を通じて基板１０上に均一に供給
され、絶縁膜１８を形成する。かつ、チャンバ２０は真
空状態を続けて維持する。そして、ステージ２００は約
４８０℃の温度を維持しながら基板１０を加熱するが、
この時、ステージ２００とプレート２３０の間隔は約３
１０ミルスを維持している。このような絶縁膜１８の形
成は約１６０秒間続けられる。
【００４３】トリエチルホスフェートは、ＢＰＳＧ膜を
含む絶縁膜１８を形成するときに、絶縁膜１８に添加さ
れる燐の原料として使用されるが、最近ではホスフィン
（ＰＨ）の代わりに主に使用される。図９は本実施例の
絶縁膜を製造するときに供給される材料を各段階別に分
類した図である。
含む絶縁膜１８を形成するときに、絶縁膜１８に添加さ
れる燐の原料として使用されるが、最近ではホスフィン
（ＰＨ）の代わりに主に使用される。図９は本実施例の
絶縁膜を製造するときに供給される材料を各段階別に分
類した図である。
【００４４】図９を参照すれば、酸素ガスは酸化性雰囲
気の組成、ならびに第１シード層および第２シード層を
形成するときに供給され、テトラエチルオルトシリケー
トは第１シード層、第２シード層および絶縁膜を形成す
るときに供給され、トリエチルボレートは第２シード層
および絶縁膜を形成するときに供給され、トリエチルホ
スフェートおよびオゾンガスは絶縁膜を形成するときに
供給される。
気の組成、ならびに第１シード層および第２シード層を
形成するときに供給され、テトラエチルオルトシリケー
トは第１シード層、第２シード層および絶縁膜を形成す
るときに供給され、トリエチルボレートは第２シード層
および絶縁膜を形成するときに供給され、トリエチルホ
スフェートおよびオゾンガスは絶縁膜を形成するときに
供給される。
【００４５】このように、ホウ素の原料として供給され
るトリエチルボレートならびに燐の原料として供給され
るトリエチルホスフェートを制御することにより、約
５．５重量％のホウ素および約３．０重量％の燐を有す
るＢＰＳＧ膜を含む絶縁膜を形成することができる。こ
れにより、十分な流動性を確保すると同時に表面の均一
性を確保することができる絶縁膜を形成することができ
る。
るトリエチルボレートならびに燐の原料として供給され
るトリエチルホスフェートを制御することにより、約
５．５重量％のホウ素および約３．０重量％の燐を有す
るＢＰＳＧ膜を含む絶縁膜を形成することができる。こ
れにより、十分な流動性を確保すると同時に表面の均一
性を確保することができる絶縁膜を形成することができ
る。
【００４６】図６に示すように、酸素ガスおよび水素ガ
スを使用して絶縁膜１８をリフローする。これによっ
て、絶縁膜１８表面が平坦に形成されると同時に、基板
１０上の凹凸部のうちで凹部内を絶縁膜１８に充電させ
る。この時、リフローは約８５０℃の温度で行われる。
そして、リフローを実施するとき、水分が生成され、Ｂ
ＰＳＧ膜を含む絶縁膜１８は水分に対する拡散障壁とし
て作用し、アルカリイオン（ａｌｋａｌｉ ｉｏｎ）を
ゲッタリング（ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ）する。しかし、エ
ッチング阻止膜１２によって、水分が基板１０に浸透す
ることは阻止される。
スを使用して絶縁膜１８をリフローする。これによっ
て、絶縁膜１８表面が平坦に形成されると同時に、基板
１０上の凹凸部のうちで凹部内を絶縁膜１８に充電させ
る。この時、リフローは約８５０℃の温度で行われる。
そして、リフローを実施するとき、水分が生成され、Ｂ
ＰＳＧ膜を含む絶縁膜１８は水分に対する拡散障壁とし
て作用し、アルカリイオン（ａｌｋａｌｉ ｉｏｎ）を
ゲッタリング（ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ）する。しかし、エ
ッチング阻止膜１２によって、水分が基板１０に浸透す
ることは阻止される。
【００４７】さらに、絶縁膜１８をリフローしても、エ
ッチング阻止膜１２の厚みの減少を１０ナ以内に阻止す
ることができる。これは、燐の原料として添加されるト
リエチルホスフェートと水分が反応して燐酸を生成する
程度を最小化にすることができるためである。即ち、ト
リエチルホスフェートを供給する段階を図９に示された
ように絶縁膜を形成する段階に限定して、ＢＰＳＧ膜を
含む絶縁膜１８に約３重量％の燐を添加するためであ
る。
ッチング阻止膜１２の厚みの減少を１０ナ以内に阻止す
ることができる。これは、燐の原料として添加されるト
リエチルホスフェートと水分が反応して燐酸を生成する
程度を最小化にすることができるためである。即ち、ト
リエチルホスフェートを供給する段階を図９に示された
ように絶縁膜を形成する段階に限定して、ＢＰＳＧ膜を
含む絶縁膜１８に約３重量％の燐を添加するためであ
る。
【００４８】エッチング阻止膜１２の厚みの減少を阻止
すると同時に、十分な充電が得られ、絶縁膜１８に開口
部を有する絶縁膜パターンを形成するためのエッチング
をするときに、異方性エッチング特性を十分に確保する
ことができる。これによって、開口部の直径を設定され
た大きさに形成することができる。これはＢＰＳＧ膜を
含む絶縁膜１８にホウ素および燐が添加される量を最適
化にするためである。
すると同時に、十分な充電が得られ、絶縁膜１８に開口
部を有する絶縁膜パターンを形成するためのエッチング
をするときに、異方性エッチング特性を十分に確保する
ことができる。これによって、開口部の直径を設定され
た大きさに形成することができる。これはＢＰＳＧ膜を
含む絶縁膜１８にホウ素および燐が添加される量を最適
化にするためである。
【００４９】即ち、５．５重量％のホウ素ならびに３．
０重量％燐が添加されたＢＰＳＧ膜を含む絶縁膜１８を
形成することにおいて、絶縁膜１８をリフローするとき
に発生するエッチング阻止膜１２の厚み減少を最小化に
することができ、十分な充電効果および異方性エッチン
グ特性を確保することができる。
０重量％燐が添加されたＢＰＳＧ膜を含む絶縁膜１８を
形成することにおいて、絶縁膜１８をリフローするとき
に発生するエッチング阻止膜１２の厚み減少を最小化に
することができ、十分な充電効果および異方性エッチン
グ特性を確保することができる。
【００５０】本発明者はＢＰＳＧ膜を含む絶縁膜の特性
を変化させないホウ素および燐の含量の最適条件を追求
するため多くの努力をし、これによって最適条件を求め
ることができた。図１０および図１１は、ホウ素および
燐が添加される量によって、リフロー以後にエッチング
阻止膜の厚みが変化する結果を示すグラフである。
を変化させないホウ素および燐の含量の最適条件を追求
するため多くの努力をし、これによって最適条件を求め
ることができた。図１０および図１１は、ホウ素および
燐が添加される量によって、リフロー以後にエッチング
阻止膜の厚みが変化する結果を示すグラフである。
【００５１】図１０に、５．５重量％、６．０重量％お
よび６．５重量％の含量を有するようにホウ素を添加
し、各々に対応して３．０重量％、３．５重量％および
４．０重量％の含量を有するように燐を添加したＢＰＳ
Ｇ膜をリフローした後に、ＢＰＳＧ膜の下部にあるエッ
チング阻止膜が減少した厚みを測定した結果を示す。
よび６．５重量％の含量を有するようにホウ素を添加
し、各々に対応して３．０重量％、３．５重量％および
４．０重量％の含量を有するように燐を添加したＢＰＳ
Ｇ膜をリフローした後に、ＢＰＳＧ膜の下部にあるエッ
チング阻止膜が減少した厚みを測定した結果を示す。
【００５２】まず、◇で示した結果で、３．０重量％の
燐ならびに５．５重量％のホウ素が添加されたＢＰＳＧ
膜の場合には、エッチング阻止膜の厚みが約１０Å減少
することを確認することができ、３．０重量％の燐なら
びに６．０重量％のホウ素が添加されたＢＰＳＧ膜の場
合には、エッチング阻止膜の厚みが約１５Å減少するこ
とを確認することができ、３．０重量％の燐ならびい
６．５重量％のホウ素が添加されたＢＰＳＧ膜の場合に
は、エッチング阻止膜の厚みが約２２Å減少することを
確認することができる。
燐ならびに５．５重量％のホウ素が添加されたＢＰＳＧ
膜の場合には、エッチング阻止膜の厚みが約１０Å減少
することを確認することができ、３．０重量％の燐なら
びに６．０重量％のホウ素が添加されたＢＰＳＧ膜の場
合には、エッチング阻止膜の厚みが約１５Å減少するこ
とを確認することができ、３．０重量％の燐ならびい
６．５重量％のホウ素が添加されたＢＰＳＧ膜の場合に
は、エッチング阻止膜の厚みが約２２Å減少することを
確認することができる。
【００５３】□で示した結果で、３．５重量％の燐なら
びに５．５重量％のホウ素が添加されたＢＰＳＧ膜の場
合には、エッチング阻止膜の厚みが約１５Å減少するこ
とを確認することができ、３．５重量％の燐ならびに
６．０重量％のホウ素が添加されたＢＰＳＧ膜の場合に
は、エッチング阻止膜の厚みが約２５Å減少することを
確認することができ、３．５重量％の燐ならびに６．５
重量％のホウ素が添加されたＢＰＳＧ膜の場合には、エ
ッチング阻止膜の厚みが約３５Å減少することを確認す
ることができる。
びに５．５重量％のホウ素が添加されたＢＰＳＧ膜の場
合には、エッチング阻止膜の厚みが約１５Å減少するこ
とを確認することができ、３．５重量％の燐ならびに
６．０重量％のホウ素が添加されたＢＰＳＧ膜の場合に
は、エッチング阻止膜の厚みが約２５Å減少することを
確認することができ、３．５重量％の燐ならびに６．５
重量％のホウ素が添加されたＢＰＳＧ膜の場合には、エ
ッチング阻止膜の厚みが約３５Å減少することを確認す
ることができる。
【００５４】△で示した結果で、４．０重量％の燐なら
びに５．５重量％のホウ素が添加されたＢＰＳＧ膜の場
合には、エッチング阻止膜の厚みが約１３Å減少するこ
とを確認することができ、４．０重量％の燐ならびに
６．０重量％のホウ素が添加されたＢＰＳＧ膜の場合に
は、エッチング阻止膜の厚みが約３５Å減少することを
確認することができ、４．０重量％の燐ならびに６．５
重量％のホウ素が添加されたＢＰＳＧ膜の場合には、エ
ッチング阻止膜の厚みが約４５Å減少することを確認す
ることができる。
びに５．５重量％のホウ素が添加されたＢＰＳＧ膜の場
合には、エッチング阻止膜の厚みが約１３Å減少するこ
とを確認することができ、４．０重量％の燐ならびに
６．０重量％のホウ素が添加されたＢＰＳＧ膜の場合に
は、エッチング阻止膜の厚みが約３５Å減少することを
確認することができ、４．０重量％の燐ならびに６．５
重量％のホウ素が添加されたＢＰＳＧ膜の場合には、エ
ッチング阻止膜の厚みが約４５Å減少することを確認す
ることができる。
【００５５】図１１に、３．０重量％、３．５重量％お
よび４．０重量％の含量を有するように燐を添加し、各
燐含量に対応して５．５重量％、６．０重量％および
６．５重量％の含量を有するようにホウ素を添加したＢ
ＰＳＧ膜をリフローした後に、ＢＰＳＧ膜の下部にある
エッチング阻止膜の減少した厚みを測定した結果を示
す。
よび４．０重量％の含量を有するように燐を添加し、各
燐含量に対応して５．５重量％、６．０重量％および
６．５重量％の含量を有するようにホウ素を添加したＢ
ＰＳＧ膜をリフローした後に、ＢＰＳＧ膜の下部にある
エッチング阻止膜の減少した厚みを測定した結果を示
す。
【００５６】まず、◇で示した結果で、３．０重量％の
燐ならびに５．５重量％のホウ素が添加されたＢＰＳＧ
膜の場合には、エッチング阻止膜の厚みが約８Å減少す
ることを確認することができ、３．５重量％の燐ならび
に５．５重量％のホウ素が添加されたＢＰＳＧ膜の場合
には、エッチング阻止膜の厚みが約１３Å減少すること
を確認することができ、４．０重量％の燐ならびに５．
５重量％のホウ素が添加されるＢＰＳＧ膜の場合には、
エッチング阻止膜の厚みが約１２Å減少することを確認
することができる。
燐ならびに５．５重量％のホウ素が添加されたＢＰＳＧ
膜の場合には、エッチング阻止膜の厚みが約８Å減少す
ることを確認することができ、３．５重量％の燐ならび
に５．５重量％のホウ素が添加されたＢＰＳＧ膜の場合
には、エッチング阻止膜の厚みが約１３Å減少すること
を確認することができ、４．０重量％の燐ならびに５．
５重量％のホウ素が添加されるＢＰＳＧ膜の場合には、
エッチング阻止膜の厚みが約１２Å減少することを確認
することができる。
【００５７】□で示した結果で、３．０重量％の燐なら
びに６．０重量％のホウ素が添加されたＢＰＳＧ膜の場
合には、エッチング阻止膜の厚みが約１５Å減少するこ
とを確認することができ、３．５重量％の燐ならびに
６．０重量％のホウ素が添加されたＢＰＳＧ膜の場合に
は、エッチング阻止膜の厚みが約２５Å減少することを
確認することができ、４．０重量％の燐ならびに６．０
重量％のホウ素が添加されたＢＰＳＧ膜の場合には、エ
ッチング阻止膜の厚みが約３５Å減少することを確認す
ることができる。
びに６．０重量％のホウ素が添加されたＢＰＳＧ膜の場
合には、エッチング阻止膜の厚みが約１５Å減少するこ
とを確認することができ、３．５重量％の燐ならびに
６．０重量％のホウ素が添加されたＢＰＳＧ膜の場合に
は、エッチング阻止膜の厚みが約２５Å減少することを
確認することができ、４．０重量％の燐ならびに６．０
重量％のホウ素が添加されたＢＰＳＧ膜の場合には、エ
ッチング阻止膜の厚みが約３５Å減少することを確認す
ることができる。
【００５８】△で示した結果で、３．０重量％の燐なら
びに６．５重量％のホウ素が添加されたＢＰＳＧ膜の場
合には、エッチング阻止膜の厚みが約２２Å減少するこ
とを確認することができ、３．５重量％の燐ならびに
６．５重量％のホウ素が添加されたＢＰＳＧ膜の場合に
は、エッチング阻止膜の厚みが約３５Å減少することを
確認することができ、４．０重量％の燐ならびに６．５
重量％のホウ素が添加されたＢＰＳＧ膜の場合には、エ
ッチング阻止膜の厚みが約４５Å減少することを確認す
ることができる。
びに６．５重量％のホウ素が添加されたＢＰＳＧ膜の場
合には、エッチング阻止膜の厚みが約２２Å減少するこ
とを確認することができ、３．５重量％の燐ならびに
６．５重量％のホウ素が添加されたＢＰＳＧ膜の場合に
は、エッチング阻止膜の厚みが約３５Å減少することを
確認することができ、４．０重量％の燐ならびに６．５
重量％のホウ素が添加されたＢＰＳＧ膜の場合には、エ
ッチング阻止膜の厚みが約４５Å減少することを確認す
ることができる。
【００５９】従って、ホウ素を５．５重量％添加した場
合、燐の含量には殆ど影響を受けないことを確認するこ
とができた。そして、５．５重量％のホウ素ならびに
３．０重量％の燐を最適条件に限定し、絶縁膜を形成す
るとき、燐の含量を決定するトリエチルホスフェートの
供給を制御する。
合、燐の含量には殆ど影響を受けないことを確認するこ
とができた。そして、５．５重量％のホウ素ならびに
３．０重量％の燐を最適条件に限定し、絶縁膜を形成す
るとき、燐の含量を決定するトリエチルホスフェートの
供給を制御する。
【００６０】これによって、優れた充電効果および異方
性エッチング特性を有すると同時に、リフロー以後に下
部にあるエッチング阻止膜の厚み減少が１０ÅであるＢ
ＰＳＧ膜を含む絶縁膜を形成することができる。それゆ
え、この絶縁膜は０．１５μｍ以下のデザインルールを
要求する最近の半導体装置の製造に積極的に応用するこ
とができる。即ち、絶縁膜は自己整列コンタクト形成、
ＩＭＤ（ＩＭＤ：ｉｎｔｅｒ ｍｅｔａｌ ｄｉｅｌｅ
ｃｔｒｉｃ）またはＩＬＤ（ＩＬＤ：ｉｎｔｅｒ ｌａ
ｙｅｒ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）などのような層間絶縁
膜の形成に応用することができる。
性エッチング特性を有すると同時に、リフロー以後に下
部にあるエッチング阻止膜の厚み減少が１０ÅであるＢ
ＰＳＧ膜を含む絶縁膜を形成することができる。それゆ
え、この絶縁膜は０．１５μｍ以下のデザインルールを
要求する最近の半導体装置の製造に積極的に応用するこ
とができる。即ち、絶縁膜は自己整列コンタクト形成、
ＩＭＤ（ＩＭＤ：ｉｎｔｅｒ ｍｅｔａｌ ｄｉｅｌｅ
ｃｔｒｉｃ）またはＩＬＤ（ＩＬＤ：ｉｎｔｅｒ ｌａ
ｙｅｒ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）などのような層間絶縁
膜の形成に応用することができる。
【００６１】自己整列コンタクトを形成するための絶縁
膜を半導体装置の製造に応用した例は次のとおりであ
る。図１２図１６は本発明の一実施例による半導体装置
の製造方法を説明するための断面図である。
膜を半導体装置の製造に応用した例は次のとおりであ
る。図１２図１６は本発明の一実施例による半導体装置
の製造方法を説明するための断面図である。
【００６２】図１２に示すように、ソース（ｓｏｕｒｃ
ｅ）およびドレーン（ｄｒａｉｎ）７２が形成された基
板７０上内にトランジスターを構成するゲート電極７４
を形成する。ソースおよびドレーン７２は基板７０内に
不純物を注入して形成し、ゲート電極７４は主にポリシ
リコン膜およびタングステン珪素膜（ＷＳｉ ｌａｙｅ
ｒ）を形成した後に写真エッチングを通じて形成する。
ｅ）およびドレーン（ｄｒａｉｎ）７２が形成された基
板７０上内にトランジスターを構成するゲート電極７４
を形成する。ソースおよびドレーン７２は基板７０内に
不純物を注入して形成し、ゲート電極７４は主にポリシ
リコン膜およびタングステン珪素膜（ＷＳｉ ｌａｙｅ
ｒ）を形成した後に写真エッチングを通じて形成する。
【００６３】図１３に示すように、基板７０およびゲー
ト電極７４上に窒化珪素膜で構成されるエッチング阻止
膜７６を連続的に形成する。窒化珪素膜は化学気相蒸着
を通じて約８０Åの厚みを有するように形成する。窒化
珪素膜は以後、エッチングによって基板７０が損傷する
ことを阻止すると同時に、基板７０が露出して酸化され
ることを防止し、リフローによって生成される水分が基
板７０に浸透することを阻止する。
ト電極７４上に窒化珪素膜で構成されるエッチング阻止
膜７６を連続的に形成する。窒化珪素膜は化学気相蒸着
を通じて約８０Åの厚みを有するように形成する。窒化
珪素膜は以後、エッチングによって基板７０が損傷する
ことを阻止すると同時に、基板７０が露出して酸化され
ることを防止し、リフローによって生成される水分が基
板７０に浸透することを阻止する。
【００６４】図１４に示すように、エッチング阻止膜７
６上に５．５重量％のホウ素ならびに３．０重量％の燐
が添加される絶縁膜７８を形成する。絶縁膜７８はテト
ラエチルオルトシリケートにホウ素の原料であるトリエ
チルボレートならびに燐の原料であるトリエチルホスフ
ェートを添加した原料により形成されるＢＰＳＧ膜から
構成される。なお、絶縁膜７８は約９，５００Åの厚み
を有するように形成する。
６上に５．５重量％のホウ素ならびに３．０重量％の燐
が添加される絶縁膜７８を形成する。絶縁膜７８はテト
ラエチルオルトシリケートにホウ素の原料であるトリエ
チルボレートならびに燐の原料であるトリエチルホスフ
ェートを添加した原料により形成されるＢＰＳＧ膜から
構成される。なお、絶縁膜７８は約９，５００Åの厚み
を有するように形成する。
【００６５】ＢＰＳＧ膜を含む絶縁膜７８の形成はま
ず、エッチング阻止膜７６が形成された基板７０周辺に
酸化性雰囲気を組成する。この時、酸化性雰囲気は約
４，５００ｓｃｃｍで供給される酸素ガスで組成する。
続いて、酸素ガスを約４，５００ｓｃｃｍで供給し、テ
トラエチルオルトシリケートを約８００ｓｃｃｍで供給
して、エッチング阻止膜上に第１シード層を形成する。
続けて、酸素ガスを約４，５００ｓｃｃｍで供給し、テ
トラエチルオルトシリケートを約８００ｓｃｃｍで供給
し、ホウ素の原料であるトリエチルボレートを約２００
ｓｃｃｍで供給して、第１シード層上に第２シード層を
形成する。そして、テトラエチルオルトシリケートを約
８００ｓｃｃｍで供給し、トリエチルボレートを約２０
０ｓｃｃｍで供給し、燐の原料であるトリエチルホスフ
ェートを約８５ｓｃｃｍで供給し、オゾンガスを約４，
５００ｓｃｃｍで供給して、第１シード層および第２シ
ード層を含むエッチング阻止膜上にＢＰＳＧ膜を形成す
る。
ず、エッチング阻止膜７６が形成された基板７０周辺に
酸化性雰囲気を組成する。この時、酸化性雰囲気は約
４，５００ｓｃｃｍで供給される酸素ガスで組成する。
続いて、酸素ガスを約４，５００ｓｃｃｍで供給し、テ
トラエチルオルトシリケートを約８００ｓｃｃｍで供給
して、エッチング阻止膜上に第１シード層を形成する。
続けて、酸素ガスを約４，５００ｓｃｃｍで供給し、テ
トラエチルオルトシリケートを約８００ｓｃｃｍで供給
し、ホウ素の原料であるトリエチルボレートを約２００
ｓｃｃｍで供給して、第１シード層上に第２シード層を
形成する。そして、テトラエチルオルトシリケートを約
８００ｓｃｃｍで供給し、トリエチルボレートを約２０
０ｓｃｃｍで供給し、燐の原料であるトリエチルホスフ
ェートを約８５ｓｃｃｍで供給し、オゾンガスを約４，
５００ｓｃｃｍで供給して、第１シード層および第２シ
ード層を含むエッチング阻止膜上にＢＰＳＧ膜を形成す
る。
【００６６】ＢＰＳＧ膜は真空状態で形成するが、真空
状態は約２，０００ｓｃｃｍで供給されるヘリウムガス
ならびに約４，０００ｓｃｃｍで供給される窒素ガスに
より形成する。そして、基板が置かれるステージの温度
は約４８０℃に維持する。図１５に示すように、水素ガ
スおよび酸素ガスを使用して約８５０℃の温度で絶縁膜
７８をリフローする。これによって、絶縁膜７８表面が
平坦に形成されると同時に、ゲート電極７４間に絶縁膜
７８が十分に充電される。
状態は約２，０００ｓｃｃｍで供給されるヘリウムガス
ならびに約４，０００ｓｃｃｍで供給される窒素ガスに
より形成する。そして、基板が置かれるステージの温度
は約４８０℃に維持する。図１５に示すように、水素ガ
スおよび酸素ガスを使用して約８５０℃の温度で絶縁膜
７８をリフローする。これによって、絶縁膜７８表面が
平坦に形成されると同時に、ゲート電極７４間に絶縁膜
７８が十分に充電される。
【００６７】これは５．５重量％のホウ素ならびに３．
０重量％の燐が添加されたＢＰＳＧ膜を絶縁膜７８に形
成するためであるので、十分な充電効果を有することは
勿論であり、下部にある窒化珪素膜７６の厚みの減少を
１０Å以内にすることができる。
０重量％の燐が添加されたＢＰＳＧ膜を絶縁膜７８に形
成するためであるので、十分な充電効果を有することは
勿論であり、下部にある窒化珪素膜７６の厚みの減少を
１０Å以内にすることができる。
【００６８】最近、半導体装置はゲート電極によって形
成される凹凸部の間隔が微細であるために、ゲート電極
間を十分に充電することが容易ではない。これによっ
て、十分な流動性を有する絶縁膜によりゲート電極間を
充電する。凹凸部はゲート電極により限定されるが、開
口部などのようなパターンによって形成される凹凸部な
どを含む。
成される凹凸部の間隔が微細であるために、ゲート電極
間を十分に充電することが容易ではない。これによっ
て、十分な流動性を有する絶縁膜によりゲート電極間を
充電する。凹凸部はゲート電極により限定されるが、開
口部などのようなパターンによって形成される凹凸部な
どを含む。
【００６９】図１６に示すように、自己整列コンタクト
を実施して絶縁膜７８を開口部８０を有する絶縁膜パタ
ーン８２に形成する。この時、開口部８０は写真エッチ
ング工程を通じて形成するが、絶縁膜７８のエッチング
にはＣＦxを含むエッチングガスを使用する。そして、
エッチングは絶縁膜７８と下部の窒化珪素膜７６とのエ
ッチング選択比によってなるが、リフローを実施しても
窒化珪素膜７６の厚みの変化がないために、エッチング
阻止を容易に実施することができる。かつ、窒化珪素膜
７６によって自己整列コンタクトの実施をするときに、
十分なショルダーマージンを確保することができる。こ
れによって、メタル膜などを使用して開口部８０を充電
するための後続工程をするときに、メタル膜に開口部８
０を十分に充電することができる。
を実施して絶縁膜７８を開口部８０を有する絶縁膜パタ
ーン８２に形成する。この時、開口部８０は写真エッチ
ング工程を通じて形成するが、絶縁膜７８のエッチング
にはＣＦxを含むエッチングガスを使用する。そして、
エッチングは絶縁膜７８と下部の窒化珪素膜７６とのエ
ッチング選択比によってなるが、リフローを実施しても
窒化珪素膜７６の厚みの変化がないために、エッチング
阻止を容易に実施することができる。かつ、窒化珪素膜
７６によって自己整列コンタクトの実施をするときに、
十分なショルダーマージンを確保することができる。こ
れによって、メタル膜などを使用して開口部８０を充電
するための後続工程をするときに、メタル膜に開口部８
０を十分に充電することができる。
【００７０】
【発明の効果】このように、ホウ素および燐の含量を最
適条件に設定することにより、半導体装置の製造におい
て前または後の工程特性に影響を受けないＢＰＳＧ膜を
含む絶縁膜を形成することができる。即ち、本発明は水
素ガスおよび酸素ガスを使用して絶縁膜をリフローして
も、下部にあるエッチング阻止膜の厚みの減少を最小化
すると同時に、十分な充電効果と異方性エッチング特性
を確保することができる。ゆえに、絶縁膜を半導体装置
に応用する場合、半導体装置の信頼度が向上する効果を
期待することができる。
適条件に設定することにより、半導体装置の製造におい
て前または後の工程特性に影響を受けないＢＰＳＧ膜を
含む絶縁膜を形成することができる。即ち、本発明は水
素ガスおよび酸素ガスを使用して絶縁膜をリフローして
も、下部にあるエッチング阻止膜の厚みの減少を最小化
すると同時に、十分な充電効果と異方性エッチング特性
を確保することができる。ゆえに、絶縁膜を半導体装置
に応用する場合、半導体装置の信頼度が向上する効果を
期待することができる。
【００７１】上述のように、本発明の実施例によって本
発明を詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、
本発明が属する技術分野において通常の知識を有するも
のであれば、本発明の思想と精神を離れることなく、本
発明を修正または変更できるであろう。
発明を詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、
本発明が属する技術分野において通常の知識を有するも
のであれば、本発明の思想と精神を離れることなく、本
発明を修正または変更できるであろう。
【図１】本発明の一実施例による絶縁膜の製造方法を説
明するための断面図である。
明するための断面図である。
【図２】本発明の一実施例による絶縁膜の製造方法を説
明するための断面図である。
明するための断面図である。
【図３】本発明の一実施例による絶縁膜の製造方法を説
明するための断面図である。
明するための断面図である。
【図４】本発明の一実施例による絶縁膜の製造方法を説
明するための断面図である。
明するための断面図である。
【図５】本発明の一実施例による絶縁膜の製造方法を説
明するための断面図である。
明するための断面図である。
【図６】本発明の一実施例による絶縁膜の製造方法を説
明するための断面図である。
明するための断面図である。
【図７】本発明の一実施例による絶縁膜を製造するため
の製造装置を示す構成図である。
の製造装置を示す構成図である。
【図８】本発明の一実施例による絶縁膜を製造するため
の反応ガスが混合される過程を示す模式図である。
の反応ガスが混合される過程を示す模式図である。
【図９】本発明の一実施例による絶縁膜を製造するとき
に供給される材料を各段階別に分類した図である。
に供給される材料を各段階別に分類した図である。
【図１０】本発明の一実施例による絶縁膜のホウ素およ
び燐の含量によって、リフロー以後エッチング阻止膜の
厚みが変化する結果を示すグラフである。
び燐の含量によって、リフロー以後エッチング阻止膜の
厚みが変化する結果を示すグラフである。
【図１１】本発明の一実施例による絶縁膜のホウ素およ
び燐の含量によって、リフロー以後エッチング阻止膜の
厚みが変化する結果を示すグラフである。
び燐の含量によって、リフロー以後エッチング阻止膜の
厚みが変化する結果を示すグラフである。
【図１２】発明の一実施例による半導体装置の製造方法
を説明するための断面図である。
を説明するための断面図である。
【図１３】発明の一実施例による半導体装置の製造方法
を説明するための断面図である。
を説明するための断面図である。
【図１４】発明の一実施例による半導体装置の製造方法
を説明するための断面図である。
を説明するための断面図である。
【図１５】発明の一実施例による半導体装置の製造方法
を説明するための断面図である。
を説明するための断面図である。
【図１６】発明の一実施例による半導体装置の製造方法
を説明するための断面図である。
を説明するための断面図である。
１０、３０、７０ 基板 １２、７６ エッチング阻止膜 １３ 酸化性雰囲気 １４ 第１シード層 １６ 第２シード層 １８、７８ 絶縁膜 ２０ チャンバ ７２ ソースおよびドレーン ７４ ゲート電極 ８０ 開口部 ８２ 絶縁膜パターン ２００ ステージ ２１０ａ、２１０ｂ ガス提供ライン ２２０ ガス混合ボックス ２３０ プレート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 李 鍾昇 大韓民国京畿道水原市八達区霊通洞黄骨住 公アパート154棟1004号 (72)発明者 徐 泰旭 大韓民国京畿道水原市勧善区勧善洞1270番 地碧山アパート401−804 Ｆターム(参考） 4K030 AA06 BA26 BA29 BA48 BA49 BA51 CA04 FA10 JA06 LA15 5F033 HH05 HH28 MM07 QQ09 QQ11 QQ25 QQ37 QQ75 RR15 SS13 VV06 XX20 XX28 XX34 5F058 BA20 BD01 BD07 BD10 BF04 BF25 BF27 BF29 BF32 BF33 BF37 BG02 BG04 BH08
Claims (19)
- 【請求項１】 半導体装置に用いられる絶縁膜であっ
て、５．２５から５．７５重量％のホウ素（Ｂ）と２．
７５から４．２５重量％の燐（Ｐ）とを含むことを特徴
とする絶縁膜。 - 【請求項２】 テトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯ
Ｓ）に前記ホウ素および前記燐が添加されているＢＰＳ
Ｇ膜を含むことを特徴とする請求項１に記載の絶縁膜。 - 【請求項３】 酸素ガスを使用し、基板上に絶縁膜を形
成するための酸化性雰囲気を構成する段階と、 テトラエチルオルトシリケートおよび酸素ガスを使用
し、前記絶縁膜を形成するための第１シード層を前記基
板上に形成する段階と、 トリエチルボレート（ＴＥＢ）、テトラエチルオルトシ
リケートおよび酸素ガスを使用し、ホウ素の添加量を調
節可能である絶縁膜を形成するための第２シード層を前
記第１シード層上に形成する段階と、 トリエチルボレート、トリエチルホスフェート（ＴＥＰ
Ｏ）、テトラエチルオルトシリケートおよびオゾンガス
を使用し、前記第１シード層および前記第２シード層を
含む基板上にホウ素および燐の添加量を調節可能である
ＢＰＳＧ膜を形成する段階とを含むことを特徴とする絶
縁膜の製造方法。 - 【請求項４】 水素ガスおよび酸素ガスを使用し、前記
絶縁膜をリフローして前記絶縁膜の表面を平坦に形成
し、同時に前記基板上の凹、凸部のうち凹部内を前記絶
縁膜に充電させる段階とをさらに含むことを特徴とする
請求項３に記載の絶縁膜の製造方法。 - 【請求項５】 前記第１シード層を形成するためのテト
ラエチルオルトシリケートおよび酸素ガスは、１：５．
４から５．８の混合比を有するように供給されることを
特徴とする請求項３に記載の絶縁膜の製造方法。 - 【請求項６】 前記第２シード層を形成するためのテト
ラエチルオルトシリケート、トリエチルボレートおよび
酸素ガスは、１：０．２から０．３：５．４から５．８
の混合比を有するように供給されることを特徴とする請
求項３に記載の絶縁膜の製造方法。 - 【請求項７】 前記ＢＰＳＧ膜を形成するためのテトラ
エチルオルトシリケート、トリエチルボレート、トリエ
チルホスフェートおよびオゾンガスは、１：０．２から
０．３：０．０９から０．１２：５．４から５．８の混
合比を有するように供給されることを特徴とする請求項
３に記載の絶縁膜の製造方法。 - 【請求項８】 前記酸化性雰囲気、前記第１シード層、
前記第２シード層および前記ＢＰＳＧ膜は、真空状態で
形成し、前記真空状態はヘリウムガスおよび窒素ガスを
１：１．８から２．２の混合比を有するように供給して
形成することを特徴とする請求項３に記載の絶縁膜の製
造方法。 - 【請求項９】 前記絶縁膜の開口部を有する絶縁膜パタ
ーンを前記基板上に形成するためのエッチングをすると
き、前記エッチングによって前記基板が損傷することを
阻止するためのエッチング阻止膜を形成した後、前記絶
縁膜を形成することを特徴とする請求項３に記載の絶縁
膜の製造方法。 - 【請求項１０】 ゲート電極が形成され、前記ゲート電
極の両側下部にソースおよびドレーンが形成されている
基板と、 前記基板および前記ゲート電極上に連続的に形成され、
５．２５から５．７５重量％のホウ素ならびに２．７５
から４．２５重量％の燐が添加されている絶縁膜とを備
えることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項１１】 前記基板は、前記基板上に形成されて
いるエッチング阻止膜を有することを特徴とする請求項
１０に記載の半導体装置。 - 【請求項１２】 前記基板上に形成されている絶縁膜
は、テトラエチルオルトシリケートに前記ホウ素および
前記燐を添加して形成されるＢＰＳＧ膜を含むことを特
徴とする請求項１１に記載の半導体装置。 - 【請求項１３】 エッチングによって基板が損傷するこ
とを阻止するためのエッチング阻止膜を前記基板上に形
成する段階と、 ５．２５から５．７５重量％のホウ素ならびに２．７５
から４．２５重量％の燐が添加された絶縁膜を前記エッ
チング阻止膜上に形成する段階と、 前記絶縁膜をリフローして前記絶縁膜の表面を平坦に形
成し、同時に凹、凸部のうち凹部を前記絶縁膜に充電さ
せる段階と、 前記絶縁膜の所定部をエッチングし、前記所定部の下部
にあるエッチング阻止膜表面が露出される開口部を有す
る絶縁膜パターンを形成する段階とを含むことを特徴と
する半導体装置の製造方法。 - 【請求項１４】 前記エッチング阻止膜は、窒化珪素を
使用して６０から１４０Å程度の厚みを有するように形
成されることを特徴とする請求項１３に記載の半導体装
置の製造方法。 - 【請求項１５】 前記基板は凹凸部を有し、前記基板の
凹凸部はゲート電極によって形成されることを特徴とす
る請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１６】 前記基板は凹凸部を有し、前記基板の
凹凸部は開口部を有するパターンによって形成されるこ
とを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項１７】 前記絶縁膜を形成する段階は、 酸素ガスを供給し、酸化性雰囲気を組成する段階と、 テトラエチルオルトシリケートおよび酸素ガスを１：
５．４から５．８の混合比を有するように供給し、前記
基板上に第１シード層を形成する段階と、 テトラエチルオルトシリケート、トリエチルボレートお
よび酸素ガスを１：０．２から０．３：５．４から５．
８の混合比を有するように供給し、前記第１シード層上
に第２シード層を形成する段階と、 テトラエチルオルトシリケート、トリエチルボレート、
トリエチルホスフェートおよびオゾンガスを１：０．２
から０．３：０．０９から０．１２：５．４から５．８
の混合比を有するように供給し、前記第１シード層およ
び前記第２シード層を含むエッチング阻止膜上にＢＰＳ
Ｇ膜を形成する段階とを含み、 前記酸化性雰囲気、前記第１シード層、前記第２シード
層および前記ＢＰＳＧ膜を形成する段階は、真空状態で
行われ、前記真空状態はヘリウムガスおよび窒素ガスを
１：１．８から２．２の混合比を有するように供給して
形成されることを特徴とする請求項１３に記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項１８】 前記絶縁膜は、９，０００から１０，
０００Å程度の厚みを有するように形成されることを特
徴とする請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１９】 前記絶縁膜は、ＣＦXを含むエッチン
グガスを使用してエッチングされることを特徴とする請
求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
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