JP2002026678A - 抵抗ラダー式電子ボリューム - Google Patents

抵抗ラダー式電子ボリューム

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JP2002026678A
JP2002026678A JP2000204501A JP2000204501A JP2002026678A JP 2002026678 A JP2002026678 A JP 2002026678A JP 2000204501 A JP2000204501 A JP 2000204501A JP 2000204501 A JP2000204501 A JP 2000204501A JP 2002026678 A JP2002026678 A JP 2002026678A
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JP
Japan
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volume
ladder
shift
resistance
type electronic
Prior art date
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Application number
JP2000204501A
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English (en)
Inventor
Tetsuya Murayama
哲也 村山
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 減衰量0dB時の歪率を適切に改善できる抵
抗ラダー式電子ボリュームを得る。 【解決手段】 ラダー抵抗1およびスイッチ素子群2か
らなるラダーボリューム部と、シフト抵抗3およびスイ
ッチ素子群4からなるシフトボリューム部とを備えた抵
抗ラダー式電子ボリュームにおいて、減衰量0dB設定
時に前記ラダー抵抗1およびスイッチ素子群2からなる
ラダーボリューム部をオフ状態とするためのスイッチS
W_Bを接続するとともに、前記シフト抵抗3およびス
イッチ素子群4からなるシフトボリューム部の入力端に
バイアス抵抗Rbを接続する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、抵抗とスイッチ
で構成された抵抗ラダー式電子ボリュームに関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】従来型の抵抗ラダー式電子ボリュームで
は、スイッチの数を少なくするために、図5に示すよう
に、ラダーボリューム部とシフトボリューム部を合わせ
持った構成が一般的である。例えば、減衰量を−14d
Bと設定する場合、ラダーボリュームを−12dB、シ
フトボリュームを−2dBとすることで、−14dBを
設定できる。
【0003】いま、減衰量を0dBと設定する場合、同
様に、ラダーボリュームを0dBとし、シフトボリュー
ムを0dBとすることで実現できるが、このとき実際の
アナログスイッチは電圧依存のある抵抗体となってい
る。オーディオセットの場合、歪率の規定は一般的に減
衰量0dBであるが、このスイッチオン時の電圧依存性
のために歪率が悪化する。
【0004】歪率悪化の理由を下記に示す。出力Vout
と入力Vinの関係は、次の(1)式の通りであり、Vou
t とVinとの関係は一次関数で示されるものではないた
め、歪率が悪化する。 Vout ={Rt/〔Rt+RON(Vin)〕}・Vin ………(1) ここで、Rtはラダーボリュームの総抵抗値、RON(V
in)は図5中のスイッチSW_Aのオン抵抗であり、入
力電圧Vinの印加により図6の特性を示すものとする。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、減衰量0
dB時の歪率を適切に改善できる抵抗ラダー式電子ボリ
ュームを得ようとするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】第1の発明に係る抵抗ラ
ダー式電子ボリュームでは、ラダーボリューム部と、シ
フトボリューム部とを備えた抵抗ラダー式電子ボリュー
ムにおいて、減衰量0dB設定時に前記ラダーボリュー
ム部をオフ状態とするためのスイッチを設けるととも
に、前記シフトボリューム部の入力端にバイアス抵抗を
設けたものである。
【0007】第2の発明に係る抵抗ラダー式電子ボリュ
ームでは、ラダーボリューム部と、シフトボリューム部
とを備えた抵抗ラダー式電子ボリュームにおいて、前記
シフトボリューム部およびラダーボリューム部をパスす
るためのスイッチを設けたものである。
【0008】
【発明の実施の形態】実施の形態1.この発明による実
施の形態1を、図1および図2について説明する。図1
は、実施の形態1における抵抗ラダー式電子ボリューム
の構成を示す接続図である。図2は、実施の形態1にお
ける減衰量0dB設定時の状態を示す等価回路図であ
る。図において、1はラダー抵抗、2はラダー抵抗用ス
イッチ素子群、3はシフト抵抗、4はシフト抵抗用スイ
ッチ素子群である。ラダー抵抗1およびラダー抵抗用ス
イッチ素子群2はラダーボリューム部を構成し、シフト
抵抗3およびシフト抵抗用スイッチ素子群4はシフトボ
リューム部を構成する。SW_Aはシフトボリューム部
を橋絡するトランスミッションゲートからなるスイッ
チ、SW_Bはラダーボリューム部の一端に設けられ減
衰量0dB設定時にラダーボリューム部をオフ状態とす
るためのスイッチ、Rbは50KΩ程度以上の抵抗値を
持つバッファ抵抗である。5はバッファオペアンプ、6
は抵抗ラダー式電子ボリュームの入力端子、7は出力端
子である。
【0009】減衰量が0dB以外の設定である場合、ス
イッチSW_Bをオンとしてラダーボリュームとシフト
ボリュームを組合せて減衰量を得る。減衰量が0dB設
定の場合、スイッチSW_Bをオフとした状態でラダー
ボリュームを0dBとし、シフトボリュームを0dB
(スイッチSW_A:オン)とする。
【0010】このときの状態を図2に示す。この図2に
示されるように、歪率悪化を引き起すスイッチSW_A
のオン抵抗は、バッファオペアンプ5の入力インピーダ
ンス(数MΩ以上)と直列に接続されることとなり、歪
率悪化の要因にならない。出力Vout と入力Vinの関係
についてもVout =Vinとなり、スイッチSW_Aのオ
ン抵抗RON(Vin)の項がないことからも、歪率悪化要
因とならないことがわかる。このようにして減衰量0d
Bの歪率悪化を防ぐことが可能となる。なお、抵抗Rb
はモノリシックICの場合、エピタキシャル抵抗などを
使用すれば小さい面積で十分な抵抗値を得ることが可能
となる。
【0011】この発明による実施の形態1によれば、ラ
ダー抵抗1およびラダー抵抗用スイッチ素子群2からな
るラダーボリューム部と、シフト抵抗3およびシフト抵
抗用スイッチ素子群4からなるシフトボリューム部とを
備えた抵抗ラダー式電子ボリュームにおいて、減衰量0
dB設定時に前記ラダーボリューム部をオフ状態とする
ためのスイッチSW_Bを設けるとともに、前記シフト
ボリューム部の入力端にバイアス抵抗を設けたので、前
記スイッチSW_Bおよびバイアス抵抗により、減衰量
0dB時の歪率を適切に改善できる抵抗ラダー式電子ボ
リュームを得ることができる効果がある。
【0012】実施の形態2.この発明による実施の形態
2を、図3および図4について説明する。図3は、実施
の形態2における抵抗ラダー式電子ボリュームの構成を
示す接続図である。図4は、実施の形態1における減衰
量0dB設定時の状態を示す等価回路図である。図にお
いて、1はラダー抵抗、2はラダー抵抗用スイッチ素子
群、3はシフト抵抗、4はシフト抵抗用スイッチ素子群
である。ラダー抵抗1およびラダー抵抗用スイッチ素子
群2はラダーボリューム部を構成し、シフト抵抗3およ
びシフト抵抗用スイッチ素子群4はシフトボリューム部
を構成する。SW_Aはシフトボリューム部を橋絡する
トランスミッションゲートからなるスイッチ、SW_C
はシフトボリューム部およびラダーボリューム部を橋絡
し、減衰量0dB設定時にシフトボリューム部およびラ
ダーボリューム部をパスするためのスイッチである。5
はバッファオペアンプ、6は抵抗ラダー式電子ボリュー
ムの入力端子、7は出力端子である。
【0013】減衰量が0dB以外の設定である場合、ス
イッチSW_Cをオフしてラダーボリュームとシフトボ
リュームを組合せて減衰量を得る。減衰量が0dB設定
の場合、スイッチSW_CのみONとする。
【0014】このときの状態を図4に示す。出力Vout
と入力Vinの関係は、Vout =Vinであり、スイッチS
W_A,SW_Cの歪率悪化を引き起す電圧依存のある
オン抵抗の影響を受けなことにより歪率改善が可能とな
る。
【0015】この発明による実施の形態2によれば、ラ
ダー抵抗1およびラダー抵抗用スイッチ素子群2からな
るラダーボリューム部と、シフト抵抗3およびシフト抵
抗用スイッチ素子群4からなるシフトボリューム部とを
備えた抵抗ラダー式電子ボリュームにおいて、前記シフ
トボリューム部およびラダーボリューム部をパスするた
めのものであって、入力Vinをそのままバッファオペア
ンプを介して出力端子から出力Vout として導出するス
イッチSW_Cを設けたので、スイッチSW_Cによる
パス動作により、減衰量0dB時の歪率を適切に改善で
きる抵抗ラダー式電子ボリュームを得ることができる効
果がある。
【0016】
【発明の効果】第1の発明によれば、ラダーボリューム
部と、シフトボリューム部とを備えた抵抗ラダー式電子
ボリュームにおいて、減衰量0dB設定時に前記ラダー
ボリューム部をオフ状態とするためのスイッチを設ける
とともに、前記シフトボリューム部の入力端にバイアス
抵抗を設けたので、前記スイッチおよびバイアス抵抗に
より、減衰量0dB時の歪率を適切に改善できる抵抗ラ
ダー式電子ボリュームを得ることができる効果がある。
【0017】第2の発明によれば、ラダーボリューム部
と、シフトボリューム部とを備えた抵抗ラダー式電子ボ
リュームにおいて、前記シフトボリューム部およびラダ
ーボリューム部をパスするためのスイッチを設けたの
で、前記スイッチのパス動作により、減衰量0dB時の
歪率を適切に改善できる抵抗ラダー式電子ボリュームを
得ることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明による実施の形態1における抵抗ラ
ダー式電子ボリュームの構成を示す接続図である。
【図2】 この発明による実施の形態1における減衰量
0dB設定時の状態を示す等価回路図である。
【図3】 この発明による実施の形態2における抵抗ラ
ダー式電子ボリュームの構成を示す接続図である。
【図4】 この発明による実施の形態2における減衰量
0dB設定時の状態を示す等価回路図である。
【図5】 従来技術における抵抗ラダー式電子ボリュー
ムの構成を示す接続図である。
【図6】 従来技術における抵抗ラダー式電子ボリュー
ムの特性を示す曲線図である。
【符号の説明】
1 ラダー抵抗、2 ラダー抵抗用スイッチ素子群、3
シフト抵抗、4 シフト抵抗用スイッチ素子群、SW
_A,SW_B,SW_C スイッチ、Rbバッファ抵
抗、5 バッファオペアンプ、6 入力端子、7 出力
端子。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ラダーボリューム部と、シフトボリュー
    ム部とを備えた抵抗ラダー式電子ボリュームにおいて、
    減衰量0dB設定時に前記ラダーボリューム部をオフ状
    態とするためのスイッチを設けるとともに、前記シフト
    ボリューム部の入力端にバイアス抵抗を設けたことを特
    徴とする抵抗ラダー式電子ボリューム。
  2. 【請求項2】 ラダーボリューム部と、シフトボリュー
    ム部とを備えた抵抗ラダー式電子ボリュームにおいて、
    前記シフトボリューム部およびラダーボリューム部をパ
    スするためのスイッチを設けたことを特徴とする抵抗ラ
    ダー式電子ボリューム。
JP2000204501A 2000-07-06 2000-07-06 抵抗ラダー式電子ボリューム Pending JP2002026678A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8526638B2 (en) 2009-03-24 2013-09-03 Fujitsu Semiconductor Limited Gain control circuit and electronic volume circuit
US8842855B2 (en) 2011-01-12 2014-09-23 Ricoh Company, Ltd. Sound volume control circuit
WO2017216896A1 (ja) * 2016-06-15 2017-12-21 新電元工業株式会社 フィルタ装置

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Effective date: 20060123