JPS6035820A - 電子スイツチ回路 - Google Patents
電子スイツチ回路Info
- Publication number
- JPS6035820A JPS6035820A JP14590583A JP14590583A JPS6035820A JP S6035820 A JPS6035820 A JP S6035820A JP 14590583 A JP14590583 A JP 14590583A JP 14590583 A JP14590583 A JP 14590583A JP S6035820 A JPS6035820 A JP S6035820A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amplifier
- elements
- impedance
- input terminal
- electronic switch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
この発明は電子スイッチ回路に関し、たとえばミューテ
ィング回路などに用いられ、信号の通過をオン、オフ制
御するための電子スイッチング素子を含む電子スイッチ
回路に関する。
ィング回路などに用いられ、信号の通過をオン、オフ制
御するための電子スイッチング素子を含む電子スイッチ
回路に関する。
［従来技術の説明］
従来より、たとえばＦＭチューナなどにおいてミューテ
ィング回路が設けられていて、このミューティング回路
には電子的スイッチとしてトランジスタやＦＥＴやＣ−
ＭＯＳなどが使用されている。このような素子のオン抵
抗は、一般に１０程度ないし１にΩ程度の比較的大きな
値になっている。これは電子スイッチを半導体素材の１
次加工で実現しており、オン抵抗を小さくするためには
チップ面積を大きくしなければならず、経済的でないな
どの理由でオン抵抗が大きくならざるを得ないからであ
る。
ィング回路が設けられていて、このミューティング回路
には電子的スイッチとしてトランジスタやＦＥＴやＣ−
ＭＯＳなどが使用されている。このような素子のオン抵
抗は、一般に１０程度ないし１にΩ程度の比較的大きな
値になっている。これは電子スイッチを半導体素材の１
次加工で実現しており、オン抵抗を小さくするためには
チップ面積を大きくしなければならず、経済的でないな
どの理由でオン抵抗が大きくならざるを得ないからであ
る。
ところで、上述の電子的スイッチの使用箇所は、回路の
中間段と出力段とに大別される。中間段では後続する回
路の入力インピーダンスが大きいため、オン抵抗の大き
さは特に問題を生じることはない。しかしながら、出力
段において電子的スイッチを使用するとオン抵抗の大き
さが問題となる。
中間段と出力段とに大別される。中間段では後続する回
路の入力インピーダンスが大きいため、オン抵抗の大き
さは特に問題を生じることはない。しかしながら、出力
段において電子的スイッチを使用するとオン抵抗の大き
さが問題となる。
第１図は電子的スイッチを用いた従来の回路例を示す図
である。第１図において、入力端子１に与えられた信号
は出力アンプ２に与えられ、低インピーダンスで駆動さ
れる。出力アンプ２の出力信号は出力抵抗３を介して出
力端５に与えられる。
である。第１図において、入力端子１に与えられた信号
は出力アンプ２に与えられ、低インピーダンスで駆動さ
れる。出力アンプ２の出力信号は出力抵抗３を介して出
力端５に与えられる。
また、出力＃５と接地間には電子的スイッチ４が接続さ
れる。出力抵抗３は一般に数１００Ω以下であり、実際
には６００Ωあるいは７５Ωが多様されている。このよ
うな抵抗値の下で、数１０００のオン抵抗を有する電子
的スイッチを使用して、オン、オフしてもその機能を達
成できないことは明白である。すなわち、電子的スイッ
チ４のオン抵抗がたとえ１Ωであっても、７５Ωに対し
ては３８ｄＢの減資特性しか得られず、出力端５にはわ
ずかな電圧が現われてしまう。このために、信号のＳ／
Ｎ比約４０ｄＢ以上に対しては不十分な性能になってし
まう。これに対し、リレーなどの場合はオン抵抗が数１
０ｍΩであり、半導体技術の進歩した現在でもこれが使
用されている。したがって、半導体技術を使用して数１
０曽Ω以下のオン抵抗を実現できる素子あるいは回路が
要求されている。
れる。出力抵抗３は一般に数１００Ω以下であり、実際
には６００Ωあるいは７５Ωが多様されている。このよ
うな抵抗値の下で、数１０００のオン抵抗を有する電子
的スイッチを使用して、オン、オフしてもその機能を達
成できないことは明白である。すなわち、電子的スイッ
チ４のオン抵抗がたとえ１Ωであっても、７５Ωに対し
ては３８ｄＢの減資特性しか得られず、出力端５にはわ
ずかな電圧が現われてしまう。このために、信号のＳ／
Ｎ比約４０ｄＢ以上に対しては不十分な性能になってし
まう。これに対し、リレーなどの場合はオン抵抗が数１
０ｍΩであり、半導体技術の進歩した現在でもこれが使
用されている。したがって、半導体技術を使用して数１
０曽Ω以下のオン抵抗を実現できる素子あるいは回路が
要求されている。
［発明の目的］
それゆえに、この発明の主たる目的は、上述の欠点を解
消し得る電子スイッチ回路を提供することである。
消し得る電子スイッチ回路を提供することである。
［発明の概要コ
この発明を要約すれば、半導体技術で実現する電子スイ
ッチング素子を含む電子スイッチ回路において、少なく
とも２個以上のインピーダンス素子と増幅器とによって
インピーダンス変換回路を構成し、そのうちの１つの素
子を電子スイッチング素子にて構成し、残りの素子によ
って所定の係数値を実現するように構成した電子スイッ
チ回路である。
ッチング素子を含む電子スイッチ回路において、少なく
とも２個以上のインピーダンス素子と増幅器とによって
インピーダンス変換回路を構成し、そのうちの１つの素
子を電子スイッチング素子にて構成し、残りの素子によ
って所定の係数値を実現するように構成した電子スイッ
チ回路である。
［実施例の説明］
第２図はこの発明の一実施例の回路図である。
まず、構成について説明する。入力端子６と接地間には
５個のインピーダンス素子Ｚｌ、Ｚ２．Ｚ３、ｚ４およ
びＺ５が縦続接続される。また、入力端６は増幅器８の
一方の入力端に接続され、インピーダンス素子ｚ２の出
力端は増幅器８の他方の入力端に接続される。そして、
増幅器８の出力端はインピーダンス素子Ｚ３と７４との
接続点に接続される。さらに、インピーダンス素子Ｚ２
の出力端は他方の増幅器９の一方入力端に接続され、イ
ンピーダンス素子Ｚ４の出力端は増幅器９の他方入力端
に接続される。そして、増幅器９の出力端はインピーダ
ンス素子Ｚ１と７２との接続点に接続される。なお、こ
のような第２図に示す回路構成は一般にアンドニオ形ジ
ャイレータと呼ばれている。
５個のインピーダンス素子Ｚｌ、Ｚ２．Ｚ３、ｚ４およ
びＺ５が縦続接続される。また、入力端６は増幅器８の
一方の入力端に接続され、インピーダンス素子ｚ２の出
力端は増幅器８の他方の入力端に接続される。そして、
増幅器８の出力端はインピーダンス素子Ｚ３と７４との
接続点に接続される。さらに、インピーダンス素子Ｚ２
の出力端は他方の増幅器９の一方入力端に接続され、イ
ンピーダンス素子Ｚ４の出力端は増幅器９の他方入力端
に接続される。そして、増幅器９の出力端はインピーダ
ンス素子Ｚ１と７２との接続点に接続される。なお、こ
のような第２図に示す回路構成は一般にアンドニオ形ジ
ャイレータと呼ばれている。
次に、動作について説明する。入力端６と接地間のイン
ピーダンスＺは Ｚ−Ｚｌ−Ｚ３−Ｚ５／（Ｚ２−Ｚ４）である。ここで
請求めるスイッチ抵抗を２とし、インピーダンス素子Ｚ
５を電子スイッチング素子トシ、Ｚ−１０−２０，２５
−１０００（ｔンＩＩ）。
ピーダンスＺは Ｚ−Ｚｌ−Ｚ３−Ｚ５／（Ｚ２−Ｚ４）である。ここで
請求めるスイッチ抵抗を２とし、インピーダンス素子Ｚ
５を電子スイッチング素子トシ、Ｚ−１０−２０，２５
−１０００（ｔンＩＩ）。
Ｚ５−１０ＭΩ（オフ時）と仮定すれば、オン時にはイ
ンピーダンス素子Ｚ５の値を２の値に変換しなければな
らない。したがって、Ｚ／Ｚ５−１／１００００の変換
比となっている。この変換比２１／Ｚ２＝１０−２．Ｚ
３／Ｚ４−１０−２１７）比１であればよく、これはた
とえばインピーダンス素子Ｚｌ−Ｚ３−１ ｋΩ、Ｚ２
−Ｚ４−１００ ｋΩとすればよい。また、この条件で
はオフ抵抗は１０ＭΩ／１００００−１ ｋΩとなる。
ンピーダンス素子Ｚ５の値を２の値に変換しなければな
らない。したがって、Ｚ／Ｚ５−１／１００００の変換
比となっている。この変換比２１／Ｚ２＝１０−２．Ｚ
３／Ｚ４−１０−２１７）比１であればよく、これはた
とえばインピーダンス素子Ｚｌ−Ｚ３−１ ｋΩ、Ｚ２
−Ｚ４−１００ ｋΩとすればよい。また、この条件で
はオフ抵抗は１０ＭΩ／１００００−１ ｋΩとなる。
したがって、アントニオ形ジャイレータを使用して、オ
ン抵抗１０−Ω、オフ抵抗１にΩを実現できる。この等
価スイッチと第１図に示した７５Ωの出力抵抗３との組
合わせで、スイッチオン時における減衰率は７８ｄＢと
なり、オフ時には７％の出力誤差を与える。但し、Ｚ−
０，１０とすれば、減衰率５８ｄＢと０．７％の出力誤
差となる。
ン抵抗１０−Ω、オフ抵抗１にΩを実現できる。この等
価スイッチと第１図に示した７５Ωの出力抵抗３との組
合わせで、スイッチオン時における減衰率は７８ｄＢと
なり、オフ時には７％の出力誤差を与える。但し、Ｚ−
０，１０とすれば、減衰率５８ｄＢと０．７％の出力誤
差となる。
これまでの説明は、Ｃ−ＭＯＳを用いた電子スイッチン
グ素子を念頭に置いたが、トランジスタの場合、Ｚ５（
ＯＮ）−１００，Ｚ５ （ＯＦＦ＞−１ＭΩ程度であり
、Ｚ−０，１０とすれば、変換比は１／１００であり、
このときのオフ抵抗は１０にΩとなり、先の例と同じに
なる。したがって、インピーダンス素子Ｚ５に使用する
既存の電６一 子スイッチング特性の所望のオン、オフ制御仕様とから
変換比を適当に決める必要がある。
グ素子を念頭に置いたが、トランジスタの場合、Ｚ５（
ＯＮ）−１００，Ｚ５ （ＯＦＦ＞−１ＭΩ程度であり
、Ｚ−０，１０とすれば、変換比は１／１００であり、
このときのオフ抵抗は１０にΩとなり、先の例と同じに
なる。したがって、インピーダンス素子Ｚ５に使用する
既存の電６一 子スイッチング特性の所望のオン、オフ制御仕様とから
変換比を適当に決める必要がある。
上述のごとく、この実施例によれば、汎用電子スイッチ
ング素子とインピーダンス変換回路とを結合することに
より、オン抵抗特性の優れた電子スイッチ回路を実現で
きる。
ング素子とインピーダンス変換回路とを結合することに
より、オン抵抗特性の優れた電子スイッチ回路を実現で
きる。
なお、上述の実施例では、インピーダンス変換器として
アントニオ形ジャイレータを使用したが、Ｘ／Ｙ形式の
インピーダンス変換器を用いてもよい。
アントニオ形ジャイレータを使用したが、Ｘ／Ｙ形式の
インピーダンス変換器を用いてもよい。
また、上述の説明ではＺｌ・２３−１ ｈΩ、２２−７
４−１００ ｋＱとしｔｃｆｆｉ、Ｚｌ−Ｚ３／（Ｚ２
・Ｚ４）−Ｚ／Ｚ５の条件式が成立する任意の値を使用
可能である。
４−１００ ｋＱとしｔｃｆｆｉ、Ｚｌ−Ｚ３／（Ｚ２
・Ｚ４）−Ｚ／Ｚ５の条件式が成立する任意の値を使用
可能である。
さらに、上述の説明ではインピーダンス素子Ｚ５を電子
スイッチング素子で構成したが、他の素子Ｚ１ないしＺ
４のいずれかを電子スイッチング素子で構成してもよい
。但し、分母を構成する素子の場合には、スイッチオン
で高い抵抗値となり、オフで低い抵抗値になる特性のも
のを用いる必要がある。
スイッチング素子で構成したが、他の素子Ｚ１ないしＺ
４のいずれかを電子スイッチング素子で構成してもよい
。但し、分母を構成する素子の場合には、スイッチオン
で高い抵抗値となり、オフで低い抵抗値になる特性のも
のを用いる必要がある。
［発明の効果］
以上のように、この発明によれば、少なくとも２以上の
インピーダンス素子と増幅器とによってインピーダンス
変換回路を構成し、インピーダンス素子の１つを電子ス
イッチング素子で構成し、残りの素子で所定の係数値を
実現することによって、所望のスイッチオン抵抗を有ｆ
る電子スイッチ回路を得ることができる。
インピーダンス素子と増幅器とによってインピーダンス
変換回路を構成し、インピーダンス素子の１つを電子ス
イッチング素子で構成し、残りの素子で所定の係数値を
実現することによって、所望のスイッチオン抵抗を有ｆ
る電子スイッチ回路を得ることができる。
第１図は従来の電子スイッチング素子を用いた回路の一
例を示す図である。第２図はこの発明の一実施例の回路
図である。 図において、６は入力端、８．９は増幅器、Ｚｌないし
Ｚ５はインピーダンス素子を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄
例を示す図である。第２図はこの発明の一実施例の回路
図である。 図において、６は入力端、８．９は増幅器、Ｚｌないし
Ｚ５はインピーダンス素子を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄
Claims (1)
- 半導体回路によって構成された電子スイッチング素子を
含む電子スイッチ回路において、少なくとも２以上のイ
ンピーダンス素子と増幅器とによってインピーダンス変
換回路を構成し、前記少なくとも２以上のインピーダン
ス素子のうちの１つを前記電子スイッチング素子で構成
し、残余の素子で所定の係数値を実現するようにしたこ
とを特徴とする、電子スイッチ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14590583A JPS6035820A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | 電子スイツチ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14590583A JPS6035820A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | 電子スイツチ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6035820A true JPS6035820A (ja) | 1985-02-23 |
Family
ID=15395767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14590583A Pending JPS6035820A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | 電子スイツチ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6035820A (ja) |
-
1983
- 1983-08-08 JP JP14590583A patent/JPS6035820A/ja active Pending
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